JP7426915B2 - プラズマ処理装置、熱抵抗導出方法及び熱抵抗導出プログラム - Google Patents
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Description
[装置構成]
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例を示す概略断面図である。一実施形態において、プラズマ処理装置1は、プラズマ処理チャンバ10、ガス供給部20、RF(Radio Frequency)電力供給部30及び排気システム40を含む。また、プラズマ処理装置1は、載置台11及び上部電極シャワーヘッド12を含む。載置台11は、プラズマ処理チャンバ10内のプラズマ処理空間10sの下部領域に配置される。上部電極シャワーヘッド12は、載置台11の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ10の天部(ceiling)の一部として機能し得る。また、プラズマ処理装置1は、制御部100を更に備える。
次に、制御部100について詳細に説明する。図2は、第1実施形態に係る制御部100の概略的な構成を示したブロック図である。制御部100は、外部インターフェース101と、プロセスコントローラ102と、ユーザインターフェース103と、記憶部104とが設けられている。
ここで、
Tは、載置台11の温度である。
T0は、プラズマを点火する前の載置台11の温度である。
T1は、定常状態での載置台11の温度である。
tは、経過時間である。
τは、時定数である。
ここで、
ΔTwは、基板Wの温度変化である。
qは、基板Wから静電チャック112表面への熱流束である。
ΔRthは、熱抵抗Rthの変化量である。
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置1を用いた熱抵抗導出方法について説明する。図8は、実施形態に係る熱抵抗導出方法の流れの一例を示すフローチャートである。この温度制御方法は、所定のタイミング、例えば、プラズマ処理を開始するタイミングで実行される。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100は、図1及び図2に示した第1実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100と同様の構成であるため、説明を省略する。
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100は、図1及び図2に示した第1及び第2実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100と同様の構成であるため、説明を省略する。
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100は、図1及び図2に示した第1~第3実施形態に係るプラズマ処理装置1及び制御部100と同様の構成であるため、説明を省略する。
10 プラズマ処理チャンバ
11 載置台
100 制御部
102 プロセスコントローラ
102a 計測部
102b 導出部
102c 調整部
104 記憶部
104a 熱抵抗データ
111 下部電極
112 静電チャック
114 接着層
115、115a、115b 温度センサ
Claims (8)
- プラズマ処理の対象となる基板が載置される載置台と、
前記載置台の温度を検出する検出部と、
プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記載置台の温度変化を前記検出部により計測する計測部と、
前記計測部により計測された前記載置台の温度変化に基づいて、前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を導出する導出部と、
を有するプラズマ処理装置。 - 前記計測部は、プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記載置台の温度変化を所定のサイクルで計測し、
前記導出部は、前記所定のサイクルごとに、前記計測部により計測された前記載置台の温度変化から前記熱抵抗を導出し
前記導出部により前記所定のサイクルごとに導出される前記熱抵抗の経時変化に基づき、前記載置台の温度、又は前記基板と前記載置台の熱抵抗を調整する調整部をさらに有する
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記載置台の温度変化の時定数ごとに、前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を記憶する記憶部をさらに有し
前記導出部は、前記計測部により計測された前記載置台の温度変化から前記載置台の温度変化の時定数を求め、前記記憶部を参照して、求めた時定数に対応する熱抵抗を導出する
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記導出部は、前記基板と前記載置台との間の熱抵抗をパラメータとした、前記載置台の伝熱に関する関係式に対して、前記計測部により計測された前記載置台の温度変化のフィッティングを行って、前記熱抵抗を導出する
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記載置台は、基板を静電吸着する静電チャックと基台とが積層されて接着層により接着され、
前記検出部は、前記静電チャック及び前記基台にそれぞれ設けられ、
前記計測部は、プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記静電チャック及び前記基台の温度変化を前記検出部によりそれぞれ計測し、
前記記憶部は、前記静電チャック及び前記基台の温度変化の時定数の組み合わせごとに、前記接着層の熱抵抗及び前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を記憶し、
前記導出部は、前記計測部により計測された前記静電チャック及び前記基台の温度変化から前記静電チャック及び前記基台の温度変化の時定数をそれぞれ求め、前記記憶部を参照して、求めた前記静電チャック及び前記基台の温度変化の時定数の組み合わせに対応する前記接着層の熱抵抗及び前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を導出する
請求項3に記載のプラズマ処理装置。 - 前記載置台は、基板を静電吸着する静電チャックと基台とが積層されて接着層により接着され、
前記検出部は、前記静電チャック及び前記基台にそれぞれ設けられ、
前記計測部は、プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記静電チャック及び前記基台の温度変化を前記検出部によりそれぞれ計測し、
前記導出部は、前記接着層の熱抵抗、及び前記基板と前記載置台との間の熱抵抗をパラメータとした、前記載置台の伝熱に関する関係式に対して、前記計測部により計測された前記静電チャック及び前記基台の温度変化のフィッティングを行って、前記接着層の熱抵抗及び前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を導出する
請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - プラズマ処理の対象となる基板が載置された載置台の温度を検出する検出部により、プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記載置台の温度変化を計測する工程と、
計測された前記載置台の温度変化に基づいて、前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を特定する導出工程と
を有する熱抵抗導出方法。 - プラズマ処理の対象となる基板が載置された載置台の温度を検出する検出部により、プラズマを点火してから前記載置台の温度が上昇している間、又はプラズマ処理が終了してプラズマを消火してから前記載置台の温度が下降している間の前記載置台の温度変化を計測する工程と、
計測された前記載置台の温度変化に基づいて、前記基板と前記載置台との間の熱抵抗を特定する導出工程と
をコンピュータに実行させることを特徴とする熱抵抗導出プログラム。
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