CN111009454B - 等离子体处理装置、监视方法以及记录介质 - Google Patents

等离子体处理装置、监视方法以及记录介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供等离子体处理装置、监视方法以及记录介质，不配置传感器就检测异常的发生。等离子体处理装置具有存储部、第二获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的晶圆的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台的温度有关的值的变化。第二获取部以规定的周期获取与载置台的温度有关的值。监视部基于变化信息，根据由第二获取部获取的与载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。

Description

等离子体处理装置、监视方法以及记录介质
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理装置、监视方法以及记录介质。
背景技术
专利文献1中提出了如下一种技术：求出从高频电源经由匹配器向处理室供给的高频电力在匹配器中的输入电力的值与电力设定值之差，并对高频电源的输出电力进行控制，使得匹配器的输入电力的值成为电力设定值。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-251462号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种不配置传感器就能够检测异常的发生的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的等离子体处理装置具有存储部、获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的被处理体的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台的温度有关的值的变化。获取部以规定的周期获取与载置台的温度有关的值。监视部基于变化信息，根据由获取部获取到的与载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。
发明的效果
根据本公开，不配置传感器就能够检测异常的发生。
附图说明
图1是概要性地示出实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是示出实施方式所涉及的载置台的平面图。
图3是示出对实施方式所涉及的等离子体处理装置进行控制的控制部的概要结构的框图。
图4是示意性地示出对晶圆的温度产生影响的能量的流动的图。
图5A是示意性地示出未点火状态下的能量的流动的图。
图5B是示意性地示出点火状态下的能量的流动的图。
图6是示出晶圆的温度以及向加热器供给的供给电力的变化的一例的图。
图7是示意性地示出点火状态下的能量的流动的图。
图8A是示出上部电极、沉积物屏蔽件的温度发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。
图8B是示出高频电力HFS、高频电力LFS发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。
图8C是示出处理容器内的压力发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。
图8D是示出传热气体的压力、晶圆W的背面膜厚度发生了变化的情况下的热阻的变化的一例的图。
图9是示出实施方式所涉及的生成处理的流程的一例的流程图。
图10是示出实施方式所涉及的监视处理的流程的一例的流程图。
图11A是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。
图11B是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。
图11C是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的等离子体处理装置、监视方法以及监视程序的实施方式。在本公开中，作为等离子体处理装置的具体例，以进行等离子体蚀刻的装置为例来详细地进行说明。此外，所公开的等离子体处理装置、监视方法以及监视程序不受本实施方式限定。
另外，例如，有如下一种等离子体处理装置：在处理容器内配置各种探头、各种电气传感器等传感器来利用传感器检测等离子体的状态，并根据等离子体的状态的变化来检测异常的发生。但是，如果在处理容器内配置传感器，则等离子体处理装置的制造成本上升。另外，关于等离子体处理装置，如果在处理容器内配置传感器，则传感器成为奇异点(日语：特異点)，在奇异点的周围，等离子体处理的均匀性降低。因此，在等离子体处理装置中，期待不配置传感器就检测异常的发生。
[等离子体处理装置的结构]
首先，对实施方式所涉及的等离子体处理装置10的结构进行说明。图1是概要性地示出实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。在图1中，概要性地示出实施方式所涉及的等离子体处理装置10的纵截面的构造。图1所示的等离子体处理装置10为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12例如由铝构成。另外，处理容器12的表面被实施了阳极氧化处理。
在处理容器12内设置有载置台16。载置台16具有静电卡盘18和基台20。静电卡盘18的上表面被设为用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面。在本实施方式中，作为被处理体的晶圆W被载置于静电卡盘18的上表面。基台20具有大致圆盘形状，基台20的主部例如由铝之类的导电性的金属构成。基台20构成下部电极。基台20被支承部14支承。支承部14是从处理容器12的底部延伸出的圆筒状的构件。
基台20经由匹配器MU1而与第一高频电源HFS电连接。第一高频电源HFS是产生等离子体生成用的高频电力的电源，产生27MHz～100MHz的频率、在一例中为40MHz的高频电力。由此，在基台20正上方生成等离子体。匹配器MU1具有用于使第一高频电源HFS的输出阻抗与负载侧(基台20侧)的输入阻抗匹配的电路。
另外，基台20经由匹配器MU2而与第二高频电源LFS电连接。第二高频电源LFS产生用于向晶圆W引入离子的高频电力(高频偏置电力)，并向基台20供给该高频偏置电力。由此，在基台20产生偏置电位。高频偏置电力的频率为400kHz～13.56MHz的范围内的频率，在一例中为3MHz。匹配器MU2具有用于使第二高频电源LFS的输出阻抗与负载侧(基台20侧)的输入阻抗匹配的电路。
在基台20上设置有静电卡盘18。静电卡盘18利用库伦力等静电力来吸附晶圆W，并保持该晶圆W。静电卡盘18在陶瓷制的主体部内设置有静电吸附用的电极E1。电极E1经由开关SW1而与直流电源22电连接。用于保持晶圆W的吸附力依赖于从直流电源22施加的直流电压的值。
另外，在静电卡盘18上的晶圆W的周围配置聚焦环FR。聚焦环FR是为了提高等离子体处理的均匀性而设置的。聚焦环FR是由根据应执行的等离子体处理而适当地选择出的材料构成的。例如，聚焦环FR由硅或石英构成。
在基台20的内部形成有制冷剂流路24。从设置于处理容器12的外部的冷却单元经由配管26a来向制冷剂流路24供给制冷剂。被供给到制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回到冷却单元。
在处理容器12内设置有上部电极30。上部电极30以与基台20相向的方式配置在载置台16的上方。基台20与上部电极30彼此大致平行地设置。
上部电极30经由绝缘性遮蔽构件32支承于处理容器12的上部。上部电极30具有电极板34和电极支承体36。电极板34面向处理空间S，形成有多个气体喷出孔34a。电极板34由焦耳热少的低电阻的导电体或半导体构成。上部电极30的温度是可控制的。例如，上部电极30设置有未图示的加热器等温度调整机构，从而使上部电极30的温度是可控制的。
电极支承体36以拆装自如的方式支承电极板34。电极支承体36例如由铝之类的导电性材料构成。在电极支承体36的内部设置有气体扩散室36a。在电极支承体36中，与气体喷出孔34a连通的多个气体通流孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。另外，在电极支承体36中，形成有用于向气体扩散室36a引导处理气体的气体导入口36c。气体导入口36c与气体供给管38连接。
气体供给管38经由阀组42和流量控制器组44而与气体源组40连接。阀组42具有多个开闭阀。流量控制器组44具有质量流量控制器之类的多个流量控制器。另外，气体源组40具有进行等离子体处理所需要的多种气体用的气体源。气体源组40的多个气体源经由对应的开闭阀和对应的质量流量控制器而与气体供给管38连接。
在等离子体处理装置10中，来自从气体源组40的多个气体源中选择出的一个以上的气体源的一种以上的气体被供给到气体供给管38。被供给到气体供给管38的气体到达气体扩散室36a，并经由气体通流孔36b和气体喷出孔34a被喷出到处理空间S。
另外，如图1所示，等离子体处理装置10还具有接地导体12a。接地导体12a为大致圆筒状的接地导体，被设置成从处理容器12的侧壁延伸至比上部电极30的高度位置靠上方的位置。
另外，在等离子体处理装置10中，沿着处理容器12的内壁以拆装自如的方式设置有沉积物屏蔽件46。另外，沉积物屏蔽件46还被设置于支承部14的外周。沉积物屏蔽件46用于防止蚀刻副产物(沉积物)附着于处理容器12，是通过对铝材包覆Y2O3等陶瓷而构成的。沉积物屏蔽件46的温度是可控制的。例如，沉积物屏蔽件46设置有未图示的加热器等温度调整机构，从而使沉积物屏蔽件46的温度是可控制的。
在处理容器12的底部侧且支承部14与处理容器12的内壁之间设置有排气板48。排气板48例如是通过对铝材包覆Y2O3等陶瓷而构成的。处理容器12在排气板48的下方设置有排气口12e。排气口12e经由排气管52而与排气装置50连接。排气装置50具有涡轮分子泵等真空泵。在实施等离子体处理时，排气装置50将处理容器12内减压至期望的真空度。另外，在处理容器12的侧壁设置有晶圆W的搬入搬出口12g。搬入搬出口12g通过闸阀54而能够开闭。
如上述那样构成的等离子体处理装置10的动作被控制部100统一地进行控制。控制部100例如为计算机，对等离子体处理装置10的各部进行控制。等离子体处理装置10的动作被控制部100统一地进行控制。
[载置台的结构]
接下来，详细地说明载置台16。图2是示出实施方式所涉及的载置台的平面图。如上所述，载置台16具有静电卡盘18和基台20。静电卡盘18由陶瓷形成，静电卡盘18的上表面被设为用于载置晶圆W和聚焦环FR的载置区域18a。载置区域18a被设为俯视时呈大致圆形的区域。如图1所示，静电卡盘18在用于配置晶圆W的区域设置有静电吸附用的电极E1。电极E1经由开关SW1而与直流电源22连接。
另外，如图1所示，在载置区域18a内且电极E1的下方设置有多个加热器HT。载置区域18a被分割为多个分割区域75，在各个分割区域75设置有加热器HT。例如如图2所示，载置区域18a被分割为处于中央的圆状的分割区域75a(中心部)以及三个环状的分割区域75b～75d(中间部、边缘部、聚焦环部)。在分割区域75a～75d分别设置有加热器HT。在分割区域75a～75c配置晶圆W。在分割区域75d配置聚焦环FR。在本实施方式中，以将载置台16的面内分为4个分割区域75a～75d来进行温度控制的情况为例进行说明，但是分割区域75的数量不限于4个，既可以是2个或3个，也可以是5个以上。
加热器HT经由未图示的布线而与图1中示出的加热器电源HP独立地连接。加热器电源HP基于来自控制部100的控制，向各加热器HT供给被独立地进行调整后的电力。由此，各加热器HT产生的热被独立地进行控制，从而载置区域18a内的多个分割区域的温度被独立地进行调整。
在加热器电源HP设置有用于检测向各加热器HT供给的供给电力的电力检测部PD。此外，电力检测部PD也可以与加热器电源HP分开地设置于供从加热器电源HP向各加热器HT的电力流动的布线。电力检测部PD检测向各加热器HT供给的供给电力。例如，电力检测部PD检测电力量[W]来作为向各加热器HT供给的供给电力。加热器HT与电力量相应地发热。因此，向加热器HT供给的电力量表示加热器功率。电力检测部PD向控制部100通知表示所检测出的向各加热器HT供给的供给电力的电力数据。
另外，载置台16在载置区域18a的各分割区域75分别设置有能够检测加热器HT的温度的未图示的温度传感器。温度传感器也可以是与加热器HT分开地测定温度的元件。另外，温度传感器也可以是如下元件：配置于供向加热器HT供给的电力流动的布线，利用电阻根据温度上升而增大的性质来检测温度。由各温度传感器检测出的传感器值被发送到温度测定器TD。温度测定器TD根据各传感器值来测定载置区域18a的各分割区域75的温度。温度测定器TD向控制部100通知表示载置区域18a的各分割区域75的温度的温度数据。
并且，也可以利用未图示的传热气体供给机构和气体供给线来向静电卡盘18的上表面与晶圆W的背面之间供给传热气体、例如He气。
[控制部的结构]
接下来，详细地说明控制部100。图3是示出对实施方式所涉及的等离子体处理装置进行控制的控制部的概要结构的框图。控制部100设置有外部接口101、处理控制器102、用户接口103以及存储部104。
外部接口101能够与等离子体处理装置10的各部进行通信，用于输入输出各种数据。例如，从电力检测部PD向外部接口101输入表示向各加热器HT供给的供给电力的电力数据。另外，从温度测定器TD向外部接口101输入表示载置区域18a的各分割区域75的温度的温度数据。另外，外部接口101向加热器电源HP输出用于对向各加热器HT供给的供给电力进行控制的控制数据。
处理控制器102具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)，对等离子体处理装置10的各部进行控制。
用户接口103由键盘、显示器等构成，其中，键盘供工序管理者进行命令的输入操作以对等离子体处理装置10进行管理，显示器以可视化的方式显示等离子体处理装置10的运转状况。
在存储部104中保存有用于通过处理控制器102的控制来实现由等离子体处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)、存储有处理条件数据等的制程。另外，在存储部104中保存有与进行等离子体处理方面的装置、处理有关的参数等。此外，控制程序、制程、参数也可以存储在计算机可读取的计算机记录介质(例如，硬盘、DVD等光盘、软盘、半导体存储器等)。另外，控制程序、制程、参数也可以存储在其它装置，例如经由专用线路以在线方式读出并利用。
处理控制器102具有用于保存程序、数据的内部存储器，读出存储部104中存储的控制程序，并执行所读出的控制程序的处理。处理控制器102通过使控制程序进行动作而作为各种处理部发挥功能。例如，处理控制器102具有加热器控制部102a、第一获取部102b、第二获取部102c、设定温度计算部102d、监视部102e、警报部102f以及校正部102g的功能。此外，在本实施方式中，以处理控制器102作为各种处理部发挥功能的情况为例进行说明，但不限定于此。例如，也可以由多个控制器分散地实现加热器控制部102a、第一获取部102b、第二获取部102c、设定温度计算部102d、监视部102e、警报部102f、校正部102g的功能。
另外，在等离子体处理中，处理的进展根据晶圆W的温度而变化。例如，在等离子体蚀刻中，蚀刻的进展速度根据晶圆W的温度而变化。因此，在等离子体处理装置10中，考虑利用各加热器HT将晶圆W的温度控制为目标温度。
但是，在等离子体处理中，存在从等离子体向晶圆W的热输入。因此，等离子体处理装置10有时无法高精度地将等离子体处理期间的晶圆W的温度控制为目标温度。
说明对晶圆W的温度产生影响的能量的流动。图4是示意性地示出对晶圆的温度产生影响的能量的流动的图。在图4中，简化地示出晶圆W、包括静电卡盘(ESC)18的载置台16。在图4的例子中，针对静电卡盘18的载置区域18a的1个分割区域75，示出对晶圆W的温度产生影响的能量的流动。载置台16具有静电卡盘18和基台20。静电卡盘18与基台20通过粘合层19而被粘合。在静电卡盘18的载置区域18a的内部设置有加热器HT。在基台20的内部形成有供制冷剂流动的制冷剂流路24。
加热器HT与由加热器电源HP供给的供给电力相应地发热，从而温度上升。在图4中，将向加热器HT供给的供给电力表示为加热器功率Ph。在加热器HT中，产生将加热器功率Ph除以静电卡盘18的设置有加热器HT的区域的面积A所得到的单位面积的发热量(热通量)qh。
在等离子体处理装置10中，在对上部电极30、沉积物屏蔽件46等处理容器12的内部配件的温度进行控制的情况下，从内部配件产生辐射热。例如，在为了抑制沉积物的附着而将上部电极30、沉积物屏蔽件46的温度控制为高温的情况下，从上部电极30、沉积物屏蔽件46向晶圆W输入辐射热。在图4中，表示为从上部电极30、沉积物屏蔽件46向晶圆W的辐射热qr。
另外，在进行等离子体处理的情况下，从等离子体对晶圆W进行热输入。在图4中，表示为将从等离子体向晶圆W的热输入量除以晶圆W的面积所得到的来自等离子体的单位面积的热通量qp。晶圆W的温度由于来自等离子体的热通量qp的热输入、辐射热qr的热输入而上升。
基于辐射热的热输入与处理容器12的内部配件的温度成比例。例如，基于辐射热的热输入与上部电极30、沉积物屏蔽件46的温度成比例。已知的是，来自等离子体的热输入主要同向晶圆W照射的等离子体中的离子的量与用于向晶圆W引入等离子体中的离子的偏置电位之积成比例。向晶圆W照射的等离子体中的离子的量与等离子体的电子密度成比例。等离子体的电子密度与为了生成等离子体而施加的来自第一高频电源HFS的高频电力HFS的功率成比例。另外，等离子体的电子密度依赖于处理容器12内的压力。用于向晶圆W引入等离子体中的离子的偏置电位与为了产生偏置电位而施加的来自第二高频电源LFS的高频电力LFS的功率成比例。另外，用于向晶圆W引入等离子体中的离子的偏置电位依赖于处理容器12内的压力。此外，在没有向载置台16施加高频电力LFS的情况下，利用生成了等离子体时产生的等离子体的电位(等离子体电势)与载置台16的电位差来向载置台引入离子。
另外，来自等离子体的热输入包括由等离子体的发光引起的加热、等离子体中的电子、自由基对晶圆W的照射、离子和自由基在晶圆W上的表面反应等。这些成分也依赖于高频电源的功率、处理容器12内的压力。除此以外，来自等离子体的热输入还依赖于与等离子体生成有关的装置参数、例如载置台16与上部电极30之间的间隔距离、向处理空间S供给的气体种类。
传递到晶圆W的热向静电卡盘18传递。在此，晶圆W的热并非全部传递到静电卡盘18，而是根据晶圆W与静电卡盘18的接触程度等、热传递的难易度来向静电卡盘18传递热。热传递的难易度、即热阻与相对于热的传热方向的截面积成反比例。因此，在图4中，将从晶圆W向静电卡盘18的表面的热传递的难易度表示为晶圆W与静电卡盘18的表面之间的单位面积的热阻Rth·A。此外，A为设置有加热器HT的区域(分割区域75)的面积。Rth为设置有加热器HT的整个区域的热阻。另外，在图4中，将从晶圆W向静电卡盘18表面的热输入量表示为从晶圆W向静电卡盘18表面的单位面积的热通量q。此外，热阻Rth·A依赖于静电卡盘18的表面状态、为了保持晶圆W而从直流电源22施加的直流电压的值、以及向静电卡盘18的上表面与晶圆W的背面之间供给的传热气体的压力。另外，除此以外，热阻Rth·A还依赖于与热阻或导热系数有关的装置参数。
传递到静电卡盘18的表面的热使静电卡盘18的温度上升，并且传递到加热器HT。在图4中，将从静电卡盘18表面向加热器HT的热输入量表示为从静电卡盘18表面向加热器HT的单位面积的热通量qc。
另一方面，基台20被制冷剂流路24中流过的制冷剂冷却，来对基台20所接触的静电卡盘18进行冷却。此时，在图4中，将从静电卡盘18的背面经过粘合层19而向基台20的排热(日语：抜熱)量表示为从静电卡盘18的背面向基台20的单位面积的热通量qsus。由此，加热器HT通过排热而被冷却，从而温度降低。
在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，在加热器HT的位置处，成为向加热器HT输入的热量与由加热器HT产生的发热量的总和同从加热器HT排出的排热量相等的状态。例如，在没有对等离子体进行点火的未点火状态下，成为辐射热qr的热量与由加热器HT产生的发热量的总和同从加热器HT排出的排热量相等的状态。图5A是示意性地示出未点火状态下的能量的流动的图。在图5A的例子中，由于被基台20冷却，从加热器HT排出“100”的热量。由于辐射热而向晶圆W传递“1”的热量。在为晶圆W、静电卡盘18的温度大致固定地稳定的状态的情况下，传递到晶圆W的热直接传递到静电卡盘18。输入到晶圆W的“1”的热量经由静电卡盘18输入到加热器HT。在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT产生“99”的热量。
另一方面，例如，在对等离子体进行了点火的点火状态下，还从等离子体经由静电卡盘18向加热器HT输入热。图5B是示意性地示出点火状态下的能量的流动的图。在此，点火状态存在过渡状态和稳定状态。过渡状态例如为对晶圆W、静电卡盘18的热输入量多于排热量从而晶圆W、静电卡盘18的温度为经时地上升倾向的状态。稳定状态为晶圆W、静电卡盘18的热输入量与排热量相等从而晶圆W、静电卡盘18的温度没有经时的上升倾向而温度变得大致固定的状态。
在图5B的例子中也是，由于被基台20冷却，从加热器HT排出“100”的热量。在点火状态的情况下，晶圆W的温度由于来自等离子体的热输入而上升，直到为稳定状态为止。从晶圆W经由静电卡盘18向加热器HT传递热。如上所述，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，向加热器HT输入的热量与从加热器HT排出的热量为相等的状态。加热器HT为了将加热器HT的温度维持固定所需要的热量降低。因此，向加热器HT供给的供给电力降低。
例如，在图5B中，在设为“过渡状态”的例子中，从等离子体向晶圆W传递“80”的热量。另外，由于辐射热而向晶圆W传递“1”的热量。传递到晶圆W的热向静电卡盘18传递。另外，在晶圆W的温度不为稳定状态的情况下，传递到晶圆W的热的一部分对晶圆W的温度的上升起作用。对晶圆W的温度上升起作用的热量依赖于晶圆W的热容量。因此，传递到晶圆W的“81”的热量中的“61”的热量从晶圆W向静电卡盘18的表面传递。传递到静电卡盘18的表面的热向加热器HT传递。另外，在静电卡盘18的温度不为稳定状态的情况下，传递到静电卡盘18的表面的热的一部分对静电卡盘18的温度的上升起作用。对静电卡盘18的温度上升起作用的热量依赖于静电卡盘18的热容量。因此，传递到静电卡盘18的表面的“61”的热量中的“41”的热量向加热器HT传递。因此，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT供给“59”的热量。
另外，在图5B中，在设为“稳定状态”的例子中，从等离子体向晶圆W传递“80”的热量。另外，由于辐射热而向晶圆W传递“1”的热量。传递到晶圆W的热向静电卡盘18传递。另外，在晶圆W的温度为稳定状态的情况下，晶圆W成为热输入量与热输出量相等的状态。因此，从等离子体传递到晶圆W的“81”的热量从晶圆W向静电卡盘18的表面传递。传递到静电卡盘18的表面的热向加热器HT传递。在静电卡盘18的温度为稳定状态的情况下，静电卡盘18的热输入量与热输出量相等。因此，传递到静电卡盘18的表面的“81”的热量向加热器HT传递。因此，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT供给“19”的热量。
如图5A和图5B所示，在点火状态下向加热器HT供给的供给电力比在未点火状态下向加热器HT供给的供给电力低。另外，在点火状态下，向加热器HT供给的供给电力降低到为稳定状态为止。
此外，如图5A和图5B所示，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，无论在“未点火状态”、“过渡状态”以及“稳定状态”中的哪个状态下，都被基台20冷却而从加热器HT排出“100”的热量。即，从加热器HT朝向对形成于基台20的内部的制冷剂流路24供给的制冷剂的单位面积的热通量qsus始终固定，从加热器HT至制冷剂的温度梯度也始终是固定的。因此，用于将加热器HT的温度控制为固定的温度传感器未必一定直接安装于加热器HT。例如，只要是在静电卡盘18的背面、粘合层19中、基台20的内部等加热器HT与制冷剂之间，则加热器HT与温度传感器之间的温度差也始终是固定的，使用处于加热器HT温度与传感器之间的材质所具有的导热系数、热阻等来计算温度传感器与加热器HT之间的温度差(ΔT)，通过对由温度传感器检测出的温度的值加上温度差(ΔT)，能够将所得到的值作为加热器HT的温度来进行输出，从而能够将实际的加热器HT的温度控制为固定。
图6是示出晶圆的温度以及向加热器供给的供给电力的变化的一例的图。图6的(A)示出晶圆W的温度的变化。图6的(B)示出向加热器HT供给的供给电力的变化。图6的例子示出将加热器HT的温度控制为固定、并从没有对等离子体进行点火的未点火状态起对等离子体进行点火来测定晶圆W的温度以及向加热器HT供给的供给电力所得到的结果的一例。使用由KLA-Tencor(ケーエルエー·テンコール)公司销售的Etch Temp等温度测量用的晶圆对晶圆W的温度进行了测量。该温度测量用的晶圆昂贵。因此，在量产现场，当在调整等离子体处理装置10的各加热器HT的温度时使用温度测量用的晶圆时，成本上升。另外，在量产现场，当在调整等离子体处理装置10的各加热器HT的温度时使用温度测量用的晶圆时，生产率降低。
图6的期间T1为没有对等离子体进行点火的未点火状态。在期间T1，向加热器HT供给的供给电力固定。图6的期间T2为对等离子体进行了点火的点火状态，且为过渡状态。在期间T2，向加热器HT供给的供给电力降低。另外，在期间T2，晶圆W的温度上升至固定的温度。图6的期间T3为对等离子体进行了点火的点火状态。在期间T3，晶圆W的温度是固定的，为稳定状态。当静电卡盘18也为稳定状态时，向加热器HT供给的供给电力大致固定，降低倾向的变动稳定。图6的期间T4是消除了等离子体的未点火状态。在期间T4，从等离子体对晶圆W的热输入消失，因此晶圆W的温度降低，向加热器HT供给的供给电力增加。
图6的期间T2所示的过渡状态下的向加热器HT供给的供给电力的降低倾向根据从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻等而变化。
图7是示意性地示出点火状态下的能量的流动的图。此外，图7均为过渡状态的例子。另外，关于辐射热的热输入，由于影响小而被省略。例如，在图7中，在设为“热输入量：小、热阻：小”的例子中，从等离子体向晶圆W传递“80”的热量。从等离子体传递到晶圆W的“80”的热量中的“60”的热量从晶圆W向静电卡盘18的表面传递。而且，传递到静电卡盘18的表面的“60”的热量中的“40”的热量向加热器HT传递。例如，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT供给“60”的热量。
另外，在图7中，在设为“热输入量：大、热阻：小”的例子中，从等离子体向晶圆W传递“100”的热量。从等离子体传递到晶圆W的“100”的热量中的“80”的热量从晶圆W向静电卡盘18的表面传递。而且，传递到静电卡盘18的表面的“80”的热量中的“60”的热量向加热器HT传递。例如，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT供给“40”的热量。
另外，在图7中，在设为“热输入量：小、热阻：大”的例子中，从等离子体向晶圆W传递“80”的热量。从等离子体传递到晶圆W的“80”的热量中的“40”的热量从晶圆W向静电卡盘18的表面传递。传递到静电卡盘18的表面的“40”的热量中的“20”的热量向加热器HT传递。例如，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，通过加热器功率Ph从加热器电源HP向加热器HT供给“80”的热量。
像这样，在将加热器HT的温度控制为固定的情况下，加热器功率Ph根据从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻而变化。由此，图6的(B)所示的期间T2的向加热器HT供给的供给电力的降低倾向根据从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻等而变化。因此，能够以从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻为参数来将期间T2的向加热器HT供给的供给电力的曲线图模型化。即，能够以从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻为参数，通过运算式将期间T2的向加热器HT供给的供给电力的变化模型化。
在本实施方式中，将图6的(B)所示的期间T2的向加热器HT供给的供给电力的变化模型化为单位面积的式。例如，存在来自等离子体的热通量时的来自单位面积的加热器HT的发热量qh如下面的式(2)那样表示。不存在来自等离子体的热通量时的稳定状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh0如下面的式(3)那样表示。静电卡盘18的表面与加热器之间的单位面积的热阻Rthc·A如下面的式(4)那样表示。在以热通量qp和热阻Rth·A为参数、且将a1、a2、a3、λ1、λ2、τ1、τ2如下面的式(5)-(11)那样表示的情况下，发热量qh如下面的式(1)那样表示。
【数1】
qh＝Ph/A…(2)
qh0＝Ph0/A…(3)
在此，
Ph为存在来自等离子体的热通量时的加热器功率[W]。
Ph0为不存在来自等离子体的热通量时的稳定状态下的加热器功率[W]。
qh为存在来自等离子体的热通量时的来自单位面积的加热器HT的发热量[W/m2]。
qh0为不存在来自等离子体的热通量时的稳定状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量[W/m2]。
qp为从等离子体向晶圆W的单位面积的热通量[W/m2]。
Rth·A为晶圆W与静电卡盘18的表面之间的单位面积的热阻[K·m2/W]。
Rthc·A为静电卡盘18的表面与加热器之间的单位面积的热阻[K·m2/W]。
A为设置有加热器HT的分割区域75的面积[m2]。
ρw为晶圆W的密度[kg/m3]。
Cw为晶圆W的单位面积的热容量[J/K·m2]。
zw为晶圆W的厚度[m]。
ρc为构成静电卡盘18的陶瓷的密度[kg/m3]。
Cc为构成静电卡盘18的陶瓷的单位面积的热容量[J/K·m2]。
zc为从静电卡盘18的表面至加热器HT为止的距离[m]。
κc为构成静电卡盘18的陶瓷的导热系数[W/K·m]。
t为从对等离子体进行点火起经过的时间[sec]。
关于式(5)所示的a1，1/a1为表示晶圆W的升温难易度的时间常数。另外，关于式(6)所示的a2，1/a2为表示静电卡盘18的热的进入难易度、升温难易度的时间常数。另外，关于式(7)所示的a3，1/a3为表示静电卡盘18的热的浸透难易度、升温难易度的时间常数。
晶圆W的密度ρw、晶圆W的单位面积的热容量Cw以及晶圆W的厚度zw分别是根据晶圆W的实际结构预先决定的。加热器HT的面积A、构成静电卡盘18的陶瓷的密度ρc以及构成静电卡盘18的陶瓷的单位面积的热容量Cc分别是根据等离子体处理装置10的实际结构预先决定的。从静电卡盘18的表面至加热器HT为止的距离zc以及构成静电卡盘18的陶瓷的导热系数κc也分别是根据等离子体处理装置10的实际结构预先决定的。Rthc·A是根据导热系数κc、距离zc通过式(4)预先决定的。
能够使用等离子体处理装置10、通过测量求出从对等离子体进行点火起每隔经过时间t的存在来自等离子体的热通量时的加热器功率Ph以及不存在来自等离子体的热通量时的稳定状态下的加热器功率Ph0。而且，如式(2)所示，通过将所求出的加热器功率Ph除以加热器HT的面积A，能够求出存在来自等离子体的热通量时的来自单位面积的加热器HT的发热量qh。另外，如式(3)所示，通过将所求出的加热器功率Ph0除以加热器HT的面积A，能够求出不存在来自等离子体的热通量时的稳定状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh0。
而且，关于从等离子体向晶圆W的单位面积的热通量qp以及晶圆W与静电卡盘18的表面之间的单位面积的热阻Rth·A，能够使用测量结果通过进行(1)式的拟合来求出。
此外，从图5A所示的未点火状态来说，在图5B的稳定状态下，从等离子体向晶圆W的热输入部分直接作为热输入而增加到了加热器HT。因此，从等离子体向晶圆W的热输入量也可以根据图6的期间T1所示的未点火状态下的供给电力与期间T3所示的稳定状态下的供给电力的值之差来计算。例如，关于从等离子体向晶圆W的单位面积的热通量qp，如下面的(12)式所示，能够根据将不存在来自等离子体的热通量时(未点火状态下)的加热器功率Ph0与期间T3所示的稳定状态下的加热器功率Ph之差按单位面积进行换算所得到的值来计算。另外，关于从等离子体向晶圆W的单位面积的热通量qp，如下面的(12)式所示，能够根据基于不存在来自等离子体的热通量时(未点火状态下)的加热器功率Ph0求出的来自单位面积的加热器HT的发热量qh0与基于期间T3所示的稳定状态下的加热器功率Ph求出的来自单位面积的加热器HT的发热量qh之差来计算。
qp＝(Ph0-Ph)/A＝qh0-qh (12)
另外，图6的(A)所示的期间T2的晶圆W的温度的曲线也能够以从等离子体向晶圆W的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻为参数而被模型化。在本实施方式中，将期间T2的晶圆W的温度的变化模型化为单位面积的式。例如，在以热通量qp和热阻Rth·A为参数、且使用式(5)-(11)所示的a1、a2、a3、λ1、λ2、τ1、τ2的情况下，晶圆W的温度TW[℃]如下面的式(13)那样表示。
【数2】
在此，
TW为晶圆W的温度[℃]。
Th为被控制为固定的加热器HT的温度[℃]。
加热器的温度Th能够根据实际将晶圆W的温度控制为固定时的条件来求出。
在使用测量结果、进行(1)式的拟合而求出了热通量qp和热阻Rth·A的情况下，能够根据式(13)计算出晶圆W的温度TW。
在经过时间t相对于式(10)、(11)所示的时间常数τ1、τ2而言足够长的情况下，能够将式(13)省略为下面的式(14)。即，在计算要使图6的期间T3即转移到稳定状态之后的晶圆W的温度TW成为目标温度的加热器HT的温度Th的情况下，式(13)如式(14)那样表示。
【数3】
Tw＝Th+qp·(Rth·A+Rthc·A)…(14)
例如，能够通过式(14)根据加热器的温度Th、热通量qp、热阻Rth·A、Rthc·A来求出晶圆W的温度TW。
另外，等离子体处理装置10的等离子体处理的处理条件有时会由于异常、故障的发生或经时变化等而发生变化。例如，等离子体处理装置10的处理容器12内的压力、为了等离子体处理而施加的电力等有时会由于异常、故障的发生或经时变化等而发生变化。关于这样的等离子体处理的处理条件，能够例举来自第一高频电源HFS的高频电力HFS的功率、来自第二高频电源LFS的高频电力LFS的功率。另外，关于这样的等离子体处理的处理条件，能够例举处理容器12内的压力、载置台16的表面粗糙度、传热气体的压力、晶圆W的背面膜厚度、晶圆W的翘曲、上部电极30的温度、沉积物屏蔽件46的温度。此外，这样的等离子体处理的处理条件不限定于此，只要是由于异常、故障的发生或经时变化等而发生变化的处理条件，则可以是任何处理条件。
在等离子体处理装置10中，在等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下，来自等离子体的热输入量、基于辐射热的热输入量、晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻等发生变化，从而与载置台16的温度有关的值发生变化。作为该与载置台16的温度有关的值，例如，能够例举用于在未点火状态下将载置台16的温度维持为规定的温度的加热器HT的发热量、晶圆W与载置台16之间的热阻、在点火状态下从等离子体向载置台16流入的热输入量。此外，与载置台16的温度有关的值不限定于此，只要是与载置台16的温度有关的值且是根据等离子体处理的处理条件的变化而发生变化的值，则可以是任何值。
例如，在等离子体处理装置10中，在上部电极30的温度、沉积物屏蔽件46的温度发生了变化的情况下，向晶圆W输入的辐射热的热输入量发生变化。由此，在未点火状态下向各加热器HT供给的加热器功率Ph0发生变化，从而来自单位面积的加热器HT的发热量qh0发生变化。发热量qh0通过将加热器功率Ph0除以每个加热器HT的面积来求出。图8A是示出上部电极、沉积物屏蔽件的温度发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。图8A中示出基于在等离子体未点火状态下向设置于中心部(Center)、中间部(Middle)、边缘部(Edge)、聚焦环部(F/R)的各分割区域75的加热器HT供给的加热器功率Ph0产生的来自加热器HT的发热量qh0的变化。实线表示使上部电极30的温度从40℃变化为120℃的情况下的来自加热器HT的发热量qh0的变化。虚线表示使沉积物屏蔽件46的温度从40℃变化为120℃的情况下的来自加热器HT的发热量qh0的变化。像这样，在上部电极30的温度、沉积物屏蔽件46的温度上升的情况下，向晶圆W输入的辐射热的热输入量增加，因此来自加热器HT的发热量qh0降低。另外，如实线和虚线所表示的那样，在上部电极30和沉积物屏蔽件46中，温度发生了变化的情况下的各分割区域75在温度的变化上存在差异。例如，来自上部电极30的辐射热从载置台16的上部输入。因此，在上部电极30的温度发生了变化的情况下，越是中央部、中间部等载置台16的面内的中央附近的区域，来自加热器HT的发热量qh0变化越大。另一方面，来自沉积物屏蔽件46的辐射热从载置台16的侧面输入。因此，在沉积物屏蔽件46的温度发生了变化的情况下，越是边缘部、聚焦环部等载置台16的面内的周边附近的区域，来自加热器HT的发热量qh0变化越大。由此，能够根据来自各分割区域75的加热器HT的发热量qh0的变化模式来确定是上部电极30和沉积物屏蔽件46中的哪一个的温度发生了变化。
另外，例如，在等离子体处理装置10中，在来自第一高频电源HFS的高频电力HFS的功率、来自第二高频电源LFS的高频电力LFS的功率发生了变化的情况下，来自等离子体的热输入量发生变化。由此，在对等离子体进行了点火的稳定状态下向各加热器HT供给的加热器功率Ph发生变化，从而来自单位面积的加热器HT的发热量qh发生变化。发热量qh是通过将加热器功率Ph除以每个加热器HT的面积求出的。图8B是示出高频电力HFS、高频电力LFS发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。图8B中示出基于在对等离子体进行了点火的稳定状态下向设置于中心部(Center)、中间部(Middle)、边缘部(Edge)、聚焦环部(F/R)的各分割区域75的加热器HT供给的加热器功率Ph产生的来自加热器HT的发热量qh的变化。实线表示使高频电力HFS的功率从500W变化为1000W的情况下的来自加热器HT的发热量qh的变化。虚线表示使高频电力LFS的功率从500W变化为1000W的情况下的来自加热器HT的发热量qh的变化。像这样，在高频电力HFS的功率、高频电力LFS的功率上升的情况下，来自等离子体的热输入量增加，因此来自加热器HT的发热量qh降低。另外，如实线和虚线所示的那样，在高频电力HFS和高频电力LFS中，由于功率的变化而使得各分割区域75在温度上存在差异。例如，在高频电力HFS的功率发生了变化的情况下，在聚焦环部等载置台16的面内的周边附近的区域，来自加热器HT的发热量qh大幅地变化。另一方面，在高频电力LFS发生了变化的情况下，在边缘部等载置台16的面内的中央附近以及聚焦环部等载置台16的面内的周边附近的区域，来自加热器HT的发热量qh大幅地变化。由此，能够根据来自各分割区域75的加热器HT的发热量qh的变化模式来确定是高频电力HFS和高频电力LFS中的哪一个的功率发生了变化。
另外，例如，在等离子体处理装置10中，在处理容器12内的压力发生了变化的情况下，来自等离子体的热输入量发生变化。由此，在对等离子体进行了点火的稳定状态下向各加热器HT供给的加热器功率Ph发生变化，从而来自单位面积的加热器HT的发热量qh发生变化。发热量qh是通过将加热器功率Ph除以每个加热器HT的面积求出的。图8C是示出处理容器内的压力发生了变化的情况下的来自加热器的发热量的变化的一例的图。图8C中示出在对等离子体进行了点火的稳定状态下向设置于中心部(Center)、中间部(Middle)、边缘部(Edge)、聚焦环部(F/R)的各分割区域75的加热器HT供给的来自加热器HT的发热量qh的变化。实线表示使处理容器12内的压力从30mTorr变化为50mTorr的情况下的来自加热器HT的发热量qh的变化。像这样，在处理容器12内的压力增加的情况下，来自等离子体的热输入量降低，因此来自加热器HT的发热量qh增加。另外，在处理容器12内的压力增加的情况下，在聚焦环部等载置台16的面内的周边附近的区域，来自加热器HT的发热量qh大幅地变化。由此，能够根据来自各分割区域75的加热器HT的发热量qh的变化模式来确定处理容器12内的压力是否发生了变化。
另外，例如，在等离子体处理装置10中，在向静电卡盘18的上表面与晶圆W的背面之间供给的传热气体的压力发生了变化的情况下，晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻发生变化。另外，在等离子体处理装置10中，在晶圆W的背面膜厚度发生了变化的情况下，晶圆W与静电卡盘18的表面之间的热阻发生变化。图8D是示出传热气体的压力、晶圆W的背面膜厚度发生了变化的情况下的热阻的变化的一例的图。图8D中示出中心部(Center)、中间部(Middle)、边缘部(Edge)、聚焦环部(F/R)的各分割区域75的热阻Rth·A的变化。实线表示使向静电卡盘18的上表面与晶圆W的背面之间供给的传热气体的压力从10Torr变化为30Torr的情况下的热阻的变化。虚线表示使晶圆W的背面的SiO2层的膜厚度从0nm变化为1000nm的情况下的热阻的变化。像这样，在传热气体的压力、晶圆W的背面的膜厚度上升的情况下，热阻发生变化，从而来自等离子体的热输入量发生变化。另外，如实线和虚线表示的那样，在传热气体的压力和晶圆W的背面的膜厚度中，在热阻的变化上存在差异。例如，在传热气体的压力发生了变化的情况下，中心部等晶圆W的中央附近的区域的热阻大幅地变化。另一方面，在晶圆W的背面的膜厚度发生了变化的情况下，在晶圆W的整个区域热阻大幅地变化。由此，能够根据各分割区域75的热阻的变化模式来确定传热气体的压力、晶圆W的背面的膜厚度是否发生了变化。
返回到图3。加热器控制部102a对各加热器HT的温度进行控制。例如，加热器控制部102a将用于指示向各加热器HT供给的供给电力的控制数据输出到加热器电源HP，来对从加热器电源HP向各加热器HT供给的供给电力进行控制，由此对各加热器HT的温度进行控制。
在进行等离子体处理时，在加热器控制部102a中设定作为各加热器HT的目标的设定温度。例如，在加热器控制部102a中，按载置区域18a的各分割区域75，设定作为目标的晶圆W的温度来作为该分割区域75的加热器HT的设定温度。作为该目标的晶圆W的温度例如是使针对晶圆W的等离子体蚀刻的精度最佳的温度。
加热器控制部102a在等离子体处理时对向各加热器HT供给的供给电力进行控制，使得各加热器HT为所设定的设定温度。例如，加热器控制部102a将输入到外部接口101的温度数据所表示的载置区域18a的各分割区域75的温度按每个分割区域75来与该分割区域75的设定温度进行比较。加热器控制部102a使用比较结果来确定相对于设定温度而言温度低的分割区域75以及相对于设定温度而言温度高的分割区域75。加热器控制部102a将针对相比于设定温度而言温度低的分割区域75增加供给电力、针对相比于设定温度而言温度高的分割区域75减少供给电力的控制数据输出到加热器电源HP。
第一获取部102b获取表示等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台16的温度有关的值的变化的变化信息104a。
首先，第一获取部102b将晶圆W配置于载置台16，以被设为等离子体处理的处理条件的处理参数为标准条件来实施等离子体处理，获取与载置台16的温度有关的值。标准条件例如设为在生产半导体的生产工艺中对晶圆W实施实际的等离子体处理的处理条件。第一获取部102b以处理条件为标准条件来实施等离子体处理。
在等离子体处理时，在加热器控制部102a中设定作为各加热器HT的目标的设定温度。加热器控制部102a在等离子体处理时对向各加热器HT供给的供给电力进行控制，使得各加热器HT为所设定的设定温度。
在由加热器控制部102a对向各加热器HT供给的供给电力进行控制使得各加热器HT的温度固定的状态下，第一获取部102b实施等离子体处理，获取与载置台16的温度有关的值。例如，第一获取部102b测量等离子体处理开始前的等离子体为未点火状态下的向各加热器HT供给的供给电力。另外，第一获取部102b测量从对等离子体进行点火起直至向各加热器HT供给的供给电力降低的倾向的变动稳定为止的过渡状态下的向各加热器HT供给的供给电力。另外，第一获取部102b测量在对等离子体进行点火之后向各加热器HT供给的供给电力不再降低且已经稳定的稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。关于未点火状态下的向各加热器HT供给的供给电力，既可以在各加热器HT中至少测量一次，也可以进行多次测量并将平均值设为未点火状态下的供给电力。关于过渡状态和稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力，测量两次以上即可。测量供给电力的测量时刻优选包括供给电力降低的倾向大的时刻。另外，在测量次数少的情况下，测量时刻优选间隔规定期间以上。在本实施方式中，第一获取部102b在等离子体处理的期间以规定周期(例如，0.1秒周期)测量向各加热器HT供给的供给电力。由此，过渡状态和稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力被测量出多个。
第一获取部102b以规定的周期测量未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。
第一获取部102b按每个加热器HT来计算用于在未点火状态下将温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量。例如，第一获取部102b按每个加热器HT，根据未点火状态下的向加热器HT供给的供给电力来计算未点火状态下的加热器功率Ph0。
另外，第一获取部102b按每个加热器HT来计算晶圆W与载置台16之间的热阻以及在点火状态下从等离子体向载置台16流入的热输入量。例如，第一获取部102b按每个加热器HT，针对以来自等离子体的热输入量以及晶圆W与加热器HT之间的热阻为参数来计算过渡状态下的供给电力的计算模型，使用所测量出的未点火状态下的供给电力和过渡状态下的供给电力进行拟合，来按每个加热器HT计算出热输入量和热阻。
例如，第一获取部102b按每个加热器HT来求出每隔经过时间t时的未点火状态下的加热器功率Ph0。另外，第一获取部102b按每个加热器HT来求出每隔经过时间t时的过渡状态下的加热器功率Ph。第一获取部102b通过将所求出的加热器功率Ph0除以每个加热器HT的面积，来求出每隔经过时间t时的未点火状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh0。另外，第一获取部102b通过将所求出的加热器功率Ph除以每个加热器HT的面积，来求出每隔经过时间t时的过渡状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh。
然后，第一获取部102b将上述的式(1)-(11)用作计算模型，按每个加热器HT来进行每隔经过时间t时的发热量qh和发热量qh0的拟合，计算出误差最小的热通量qp和热阻Rth·A。
此外，第一获取部102b也可以根据未点火状态下的供给电力与稳定状态下的供给电力之差来计算从等离子体向晶圆W的热输入量。例如，第一获取部102b通过使用(12)式将未点火状态下的加热器功率Ph0与稳定状态下的加热器功率Ph之差除以每个加热器HT的面积，来计算热通量qp。
接下来，第一获取部102b使被设为等离子体处理的处理条件的处理参数变化。例如，第一获取部102b使作为处理参数的高频电力HFS的功率、高频电力LFS的功率、传热气体的压力、晶圆W的背面膜厚度、上部电极30的温度、沉积物屏蔽件46的温度中的任一参数变化。此外，优选是使处理参数逐一地变化，但也可以使多个处理参数同时变化。
第一获取部102b将新的晶圆W配置于载置台16，并以变化后的处理条件实施等离子体处理，获取与载置台16的温度有关的值。例如，在由加热器控制部102a对向各加热器HT供给的供给电力进行控制使得各加热器HT的温度为固定的设定温度的状态下，第一获取部102b测量等离子体处理的未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。
第一获取部102b按每个加热器HT，根据未点火状态下的向加热器HT供给的供给电力，计算未点火状态下的加热器功率Ph0来作为用于在未点火状态下将温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量。另外，第一获取部102b针对上述的计算模型、使用所测量出的未点火状态下的供给电力和过渡状态的供给电力来进行拟合，由此按每个加热器HT计算出向晶圆W的热输入量和热阻。此外，第一获取部102b也可以根据未点火状态下的供给电力与稳定状态下的供给电力之差来计算从等离子体向晶圆W的热输入量。
第一获取部102b使被设为等离子体处理的处理条件的处理参数分别在规定的范围内变化，并获取与载置台16的温度有关的值。例如，第一获取部102b使被设为等离子体处理的处理条件的处理参数分别在规定的范围内变化，并计算加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A。然后，第一获取部102b生成表示等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台16的温度有关的值的变化的变化信息104a。例如，第一获取部102b按每个被设为等离子体处理的处理条件的变化后的处理参数，来生成记录有各分割区域75的与载置台16的温度有关的值的变化模式的变化信息104a。例如，第一获取部102b生成记录有表示高频电力HFS的功率、高频电力LFS的功率、传热气体的压力、晶圆W的背面膜厚度、上部电极30的温度、沉积物屏蔽件46的温度发生了变化的情况下的各分割区域75的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A的变化的变化模式的变化信息104a。变化信息104a也可以按每个处理条件来存储加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A。另外，变化信息104a也可以是以任意的处理条件下的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A为基准，存储有处理条件、加热器功率Ph0、热通量qp及热阻Rth·A与基准之差。第一获取部102b可以使所生成的变化信息104a存储于存储部104。
由此，在存储部104中存储变化信息104a。此外，在本实施方式中，以第一获取部102b实施改变了处理条件的等离子体处理来获取变化信息104a的情况为例进行了说明，但不限定于此。也可以在存储部104中存储事先准备好的变化信息104a、在其它装置中生成的变化信息104a。
另外，如上所述，在等离子体处理装置10中，等离子体处理的处理条件有时由于异常、故障的发生或经时变化等而发生变化。因此，在实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，在生产半导体的生产工艺中对晶圆W进行等离子体处理时，基于存储部104中存储的变化信息104a来监视等离子体处理的处理条件的变化。
在等离子体处理时，在加热器控制部102a中设定作为各加热器HT的目标的设定温度。加热器控制部102a在等离子体处理时对向各加热器HT供给的供给电力进行控制，使得各加热器HT为所设定的设定温度。
在由加热器控制部102a对向各加热器HT供给的供给电力进行控制使得各加热器HT的温度为固定的设定温度的状态下，第二获取部102c实施等离子体处理，并获取与载置台16的温度有关的值。例如，第二获取部102c测量等离子体处理开始前的等离子体为未点火状态下的向各加热器HT供给的供给电力。另外，第二获取部102c测量从对等离子体进行点火起直至向各加热器HT供给的供给电力降低的倾向的变动稳定为止的过渡状态下的向各加热器HT供给的供给电力。另外，第二获取部102c测量在对等离子体进行点火之后向各加热器HT供给的供给电力不再降低且已经稳定的稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。关于未点火状态下的向各加热器HT供给的供给电力，既可以在各加热器HT中至少测量一次，也可以进行多次测量并将平均值设为未点火状态下的供给电力。关于过渡状态和稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力，测量两次以上即可。测量供给电力的测量时刻优选包括供给电力降低的倾向大的时刻。另外，在测量次数少的情况下，测量时刻优选间隔规定期间以上。在本实施方式中，第二获取部102c在等离子体处理的期间以规定周期(例如，0.1秒周期)测量向各加热器HT供给的供给电力。由此，过渡状态和稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力被测量出多个。
第二获取部102c以规定的周期测量未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。例如，在更换晶圆W并将更换后的晶圆W载置于载置台16来进行等离子体处理时，第二获取部102c每次都测量未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。此外，例如，第二获取部102c也可以在每次进行等离子体处理时测量未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的向各加热器HT供给的供给电力。
第二获取部102c按每个加热器HT来计算用于在未点火状态下将温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量。例如，第二获取部102c按每个加热器HT，根据未点火状态下的向加热器HT供给的供给电力来计算未点火状态下的加热器功率Ph0。
另外，第二获取部102c按每个加热器HT来计算晶圆W与载置台16之间的热阻以及在点火状态下从等离子体向载置台16流入的热输入量。例如，第二获取部102c按每个加热器HT，针对上述的计算模型、使用所测量出的未点火状态下的供给电力和过渡状态的供给电力来进行拟合，由此计算出热输入量和热阻。
例如，第二获取部102c按每个加热器HT来求出每隔经过时间t时的未点火状态下的加热器功率Ph0。另外，第二获取部102c按每个加热器HT来求出每隔经过时间t时的过渡状态下的加热器功率Ph。第二获取部102c通过将所求出的加热器功率Ph0除以每个加热器HT的面积，来求出每隔经过时间t时的未点火状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh0。另外，第二获取部102c通过将所求出的加热器功率Ph除以每个加热器HT的面积，来求出每隔经过时间t时的过渡状态下的来自单位面积的加热器HT的发热量qh。
然后，第二获取部102c将上述的式(1)-(11)用作计算模型，按每个加热器HT进行每隔经过时间t时的发热量qh与发热量qh0的拟合，来计算误差最小的热通量qp和热阻Rth·A。
此外，第二获取部102c也可以根据未点火状态下的供给电力与稳定状态下的供给电力之差来计算从等离子体向晶圆W的热输入量。例如，第一获取部102b通过使用(12)式将未点火状态下的加热器功率Ph0与稳定状态下的加热器功率Ph之差除以每个加热器HT的面积，来计算热通量qp。
第二获取部102c以规定的周期计算未点火状态下的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A。例如，每当更换晶圆W时，第二获取部102c使用在将该晶圆W载置于载置台16的状态下测定出的未点火状态、过渡状态以及稳定状态下的供给电力，来计算未点火状态下的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A。
设定温度计算部102d按每个加热器HT，使用所计算出的热输入量和热阻，来计算使晶圆W为目标温度的加热器HT的设定温度。例如，设定温度计算部102d按每个加热器HT，将所计算出的热通量qp和热阻Rth·A代入式(5)、(6)、(13)，使用式(5)-(11)所示的a1、a2、a3、λ1、λ2、τ1、τ2，根据式(13)来计算加热器HT的温度Th。例如，设定温度计算部102d将经过时间t设为可视作稳定状态的程度的大的规定值，来计算加热器HT的温度Th。所计算的加热器HT的温度Th为使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度。此外，加热器HT的温度Th也可以根据式(14)来求出。
此外，设定温度计算部102d也可以根据式(13)来计算当前的加热器HT的温度T下的晶圆W的温度TW。例如，设定温度计算部102d以当前的加热器HT的温度T计算将经过时间t设为可视作稳定状态的程度的大的规定值的情况下的晶圆W的温度TW。接下来，设定温度计算部102d计算所计算出的温度TW与目标温度之差ΔTW。而且，设定温度计算部102d也可以计算从当前的加热器HT的温度T减去差ΔTW所得到的温度来作为使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度Th。
设定温度计算部102d将加热器控制部102a的各加热器HT的设定温度修正为使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度。
设定温度计算部102d以规定的周期计算使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度，并对各加热器HT的设定温度进行修正。例如，每当更换晶圆W时，设定温度计算部102d计算使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度，并对各加热器HT的设定温度进行修正。此外，例如，设定温度计算部102d也可以在每次进行等离子体处理时计算使晶圆W的温度为目标温度的加热器HT的温度，并对各加热器HT的设定温度进行修正。
由此，本实施方式所涉及的等离子体处理装置10能够将等离子体处理期间的晶圆W的温度高精度地控制为目标温度。
另外，如上所述，在等离子体处理装置10中，等离子体处理的处理条件有时由于异常、故障的发生或经时变化等而发生变化。
因此，监视部102e基于变化信息104a、根据由第二获取部获取到的与载置台16的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。例如，监视部102e以规定的周期存储由第二获取部计算出的各加热器HT的未点火状态下的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A。而且，监视部102e监视各加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A是否发生了变化信息104a中存储的任一变化模式的变化。例如，监视部102e对在最初的晶圆W和最近的晶圆W中分别计算出的各加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A进行比较。而且，监视部102e求出最初的晶圆W和最近的晶圆W的每个加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A的变化。监视部102e判定每个加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A的变化是否符合变化信息104a中存储的某一变化模式的变化。例如，监视部102e判定每个加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A中的哪一个发生了规定的容许值以上的变化。在发生了规定的容许值以上的变化的情况下，监视部102e将每个加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A的变化模式与变化信息104a中存储的变化模式进行比较，来确定规定以上相似的变化模式。例如，作为比较的结果，监视部102e使用加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A中的任一方，来确定各分割区域75的差分别在容许值以内的变化模式。此外，监视部102e也可以确定多个变化模式。另外，在确定了多个变化模式的情况下，监视部102e也可以确定一个差最小的变化模式。监视部102e将以确定出的变化模式变化的处理参数确定为发生了变化的等离子体处理的处理条件。
在监视部102e的监视结果为检测到等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，警报部102f进行警报。例如，监视部102e的监视结果为每个加热器HT的加热器功率Ph0、热通量qp以及热阻Rth·A中的任一个发生了规定的容许值以上的变化的情况下，警报部102f进行警报。另外，警报部102f进行将由监视部102e确定出的处理参数报告为发生了变化的等离子体处理的处理条件的警报。在确定了多个变化模式的情况下，警报部102f进行将以各个变化模式变化的处理参数报告为发生了变化的等离子体处理的处理条件的警报。只要能够向工序管理者、等离子体处理装置10的管理者等告知异常，则可以以任意的方式进行警报。例如，警报部102f在用户接口103显示用于报告异常的消息。
由此，在本实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，在等离子体处理的处理条件由于异常、故障的发生或经时变化等而发生了变化的情况下，能够报告异常的发生。另外，等离子体处理装置10能够报告变得异常的处理参数。由此，工序管理者、等离子体处理装置10的管理者能够获知异常、故障的发生或经时变化的发生。另外，工序管理者、等离子体处理装置10的管理者能够根据被报告的处理参数来估计应进行维护的配件，从而能够使等离子体处理装置10尽快恢复。
在监视部102e的监视结果是检测出等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，校正部102g对等离子体处理的处理条件进行校正，以将所检测出的处理条件的变化抵消。例如，校正部102g与变化的部分相应地对由监视部102e确定出的处理参数的值校正。
由此，在本实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，在等离子体处理的处理条件由于异常、故障的发生或经时变化等而发生了变化的情况下，能够将变化后的处理条件自动地校正为原来的状态。
[处理的流程]
接下来，说明本实施方式所涉及的等离子体处理装置10所实施的处理的流程。首先，说明等离子体处理装置10生成变化信息104a的生成处理的流程。图9是示出实施方式所涉及的生成处理的流程的一例的流程图。该生成处理在规定的时刻、例如在通过用户接口103进行了用于指示开始进行生成处理的规定操作的时刻执行。
加热器控制部102a对向各加热器HT供给的供给电力进行控制，使得各加热器HT为设定温度(步骤S10)。
第一获取部102b以被设为等离子体处理的处理条件的处理参数为标准条件来实施等离子体处理，获取与载置台16的温度有关的值(步骤S11)。
第一获取部102b判定是否在使处理参数分别在规定的范围内变化得到的所有处理条件下实施了等离子体处理(步骤S12)。在所有处理条件下实施了等离子体处理的情况下(步骤S12：“是”)，转移到后述的步骤S15。
另一方面，在还未完成在所有处理条件下实施等离子体处理的情况下(步骤S12：“否”)，第一获取部102b将处理条件变更为还未实施的处理条件(步骤S13)。第一获取部102b在变更后的处理条件下实施等离子体处理，获取与载置台16的温度有关的值(步骤S14)，转移到上述的步骤S12。
第一获取部102b根据所获取到的各处理条件下的与载置台16的温度有关的值，来生成表示处理条件发生了变化的情况下的与载置台16的温度有关的值的变化的变化信息104a(步骤S15)。第一获取部102b将所生成的变化信息104a保存到存储部104(步骤S16)，结束处理。
接下来，说明等离子体处理装置10监视异常的发生的监视处理的流程。图10是示出实施方式所涉及的监视处理的流程的一例的流程图。该监视处理在规定的时刻、例如在开始进行生产半导体的生产工艺中的等离子体处理的时刻执行。
加热器控制部102a对向各加热器HT供给的供给电力进行控制，使得各加热器HT为设定温度(步骤S20)。
第二获取部102c在等离子体处理时以规定的周期获取与载置台16的温度有关的值(步骤S21)。
监视部102e基于变化信息104a、根据由第二获取部获取到的与载置台16的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化(步骤S22)。
警报部102f判定监视部102e的监视结果是否为检测到等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化(步骤S23)。在没有检测到变化的情况下(步骤S23：“否”)，转移到后述的步骤S26。
另一方面，在检测到变化的情况下(步骤S23：“是”)，警报部102f进行警报(步骤S24)。校正部102g对等离子体处理的处理条件进行校正，以将检测出的处理条件的变化抵消(步骤S25)。
监视部102e判定生产工艺中的等离子体处理是否已全部完成(步骤S26)。在生产工艺中的等离子体处理还没有全部完成的情况下(步骤S26：“否”)，转移到上述的步骤S21。
另一方面，在生产工艺中的等离子体处理已全部完成的情况下(步骤S26：“是”)，结束处理。
像这样，本实施方式所涉及的等离子体处理装置10具有存储部104、第二获取部102c以及监视部102e。存储部104存储变化信息104a，该变化信息104a表示针对载置于载置台16上的晶圆W的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台16的温度有关的值的变化。第二获取部102c以规定的周期获取与载置台16的温度有关的值。监视部102e基于变化信息104a、根据由第二获取部102c获取到的与载置台16的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够检测异常的发生。
另外，在本实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，在载置台16设置有能够对载置晶圆W的载置面的温度进行调整的加热器HT。与载置台的温度有关的值被设为用于在未点火状态下将载置台16的温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量、晶圆W与载置台16之间的热阻以及在点火状态下从等离子体向载置台16流入的热输入量中的至少之一。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够检测异常的发生。
另外，载置台16设置有能够对载置晶圆W的载置面的温度进行调整的加热器HT。与载置台16的温度有关的值被设为用于在未点火状态下将载置台16的温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量、晶圆W与载置台16之间的热阻以及在点火状态下从等离子体向载置台16流入的热输入量中的至少之一。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够检测异常的发生。
另外，在对向加热器HT供给的供给电力进行控制使得加热器HT的温度固定的状态下，第二获取部102c测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力以及在对等离子体进行点火后向加热器HT供给的供给电力降低的过渡状态下的供给电力。而且，第二获取部102c针对用于以从等离子体向载置台16流入的热输入量以及晶圆W与载置台16之间的热阻为参数来计算过渡状态下的供给电力的计算模型，使用所测量出的未点火状态下的供给电力和过渡状态下的供给电力来进行拟合，从而计算出热输入量和热阻。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够获取热输入量和热阻。
另外，在对向加热器HT供给的供给电力进行控制使得加热器HT的温度固定的状态下，第二获取部102c测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力以及在对等离子体进行点火后向加热器HT供给的供给电力稳定的稳定状态下的供给电力。第二获取部102c根据所测量出的未点火状态下的供给电力与稳定状态下的供给电力之差来计算热输入量。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够获取热输入量。
另外，在对向加热器HT供给的供给电力进行控制使得加热器HT的温度固定的状态下，第二获取部102c测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力。然后，第二获取部102c根据所测量出的未点火状态下的供给电力来计算用于在未点火状态下将载置台16的温度维持为规定的温度的加热器HT中的发热量。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够获取加热器HT中的发热量。
另外，载置台16的用于载置晶圆W的载置面被分割为多个分割区域75，并在各分割区域75设置有加热器HT。在变化信息104a中，按被设为等离子体处理的处理条件的处理参数的每种变化，存储有各分割区域75的与载置台16的温度有关的值的变化模式。第二获取部102c获取各分割区域75的与载置台16的温度有关的值。监视部102e基于变化信息104a、根据由第二获取部102c获取到的各分割区域75的与载置台16的温度有关的值的变化模式来确定发生了变化的处理参数。由此，等离子体处理装置10不配置传感器就能够确定发生了变化的处理参数。
另外，等离子体处理装置10还具有警报部102f。在监视部102e的监视结果为检测到等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，警报部102f进行警报。由此，在等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，等离子体处理装置10能够进行警报。
另外，等离子体处理装置10还具有校正部102g。在监视部102e的监视结果为检测到等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，校正部102g对等离子体处理的处理条件进行校正，以将该处理条件的变化抵消。由此，等离子体处理装置10能够自动地对发生了变化的等离子体处理的处理条件进行校正。
以上，对实施方式进行了说明，但应认为本次公开的实施方式的所有点均是例示的而非限制性的。实际上，能够以多种方式来具体实现上述的实施方式。另外，可以不脱离权利要求书及其主旨地，以各种方式对上述的实施方式进行省略、置换、变更。
例如，在上述的实施方式中，以将半导体晶圆作为被处理体来进行等离子体处理的情况为例进行了说明，但不限定于此。只要根据温度不同而对等离子体处理的进展产生影响，被处理体是可以任意的。
另外，在上述的实施方式中，以进行基于警报部102f的警报以及基于校正部102g的对处理条件的校正这两者的情况为例进行了说明，但不限定于此。例如，等离子体处理装置10也可以只进行基于警报部102f的警报以及基于校正部102g的对处理条件的校正中的任一方。
另外，在上述的实施方式中，如图2所示，以将静电卡盘18的载置区域18a在径向上以大致均等的间隔分割为4个分割区域75的情况为例进行了说明，但不限定于此。例如，静电卡盘18的载置区域18a也可以分割为在晶圆W的中心侧间隔大、在外周侧间隔小的分割区域75。图11A是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。在图11A中，静电卡盘18的载置区域18a被分割为处于中央的圆状的分割区域75a以及4个环状的分割区域75b～75e。在分割区域75a～75d配置晶圆W。在分割区域75e配置聚焦环FR。另外，晶圆W的中心侧的分割区域75a被分割成宽度较大。晶圆W的外周侧的分割区域75b～75d被分割成宽度较小。另外，静电卡盘18的载置区域18a也可以被在周向上进行分割。图11B是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。在图11B中，载置区域18a被分割为处于中央的圆形的分割区域75以及将该圆形的分割区域75包围的同心状的多个环状的分割区域。另外，环状的分割区域被在周向上分割为多个分割区域75。另外，分割区域75的形状也可以是圆状、环状以外的形状。图11C是示出其它实施方式所涉及的载置台的平面图。在图11C中，载置区域18a被分割为格子状的分割区域75。
另外，在上述的实施方式中，以针对将静电卡盘18的载置区域18a进行分割所得到的各分割区域75获取与载置台16的温度有关的值来监视等离子体处理的处理条件的变化的情况为例进行了说明，但不限定于此。例如，等离子体处理装置10也可以是，以静电卡盘18的载置区域18a整体来获取一个与载置台16的温度有关的值，并根据所获取到的值的变化来监视等离子体处理的处理条件的变化。另外，等离子体处理装置10也可以是，针对任一分割区域75获取与载置台16的温度有关的值，并根据所获取到的值的变化来监视等离子体处理的处理条件的变化。
另外，在上述的实施方式中，作为等离子体处理，以进行等离子体蚀刻的情况为例进行了说明，但不限定于此。只要使用等离子体且根据温度不同而对处理的进展产生影响，则等离子体处理可以是任意的处理。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，具有：
存储部，其存储有变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的被处理体的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与所述载置台的温度有关的值的变化；
获取部，其以规定的周期获取与所述载置台的温度有关的值；以及
监视部，其基于所述变化信息，根据由所述获取部获取到的与所述载置台的温度有关的值的变化来监视等离子体处理的处理条件的变化。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述载置台设置有能够对载置所述被处理体的载置面的温度进行调整的加热器，
与所述载置台的温度有关的值被设为用于在没有对等离子体进行点火的未点火状态下将所述载置台的温度维持为规定的温度的所述加热器中的发热量、所述被处理体与所述载置台之间的热阻、以及在对等离子体进行了点火的点火状态下从等离子体向所述载置台流入的热输入量中的至少一方。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述获取部在对向所述加热器供给的供给电力进行控制使得所述加热器的温度固定的状态下，测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力以及在对等离子体进行点火之后向所述加热器供给的供给电力降低的过渡状态下的供给电力，针对以从等离子体向所述载置台流入的热输入量以及被处理体与所述载置台之间的热阻为参数来计算所述过渡状态下的供给电力的计算模型，使用所测量出的未点火状态下的供给电力和过渡状态下的供给电力进行拟合，来计算所述热输入量和所述热阻。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述获取部在对向所述加热器供给的供给电力进行控制使得所述加热器的温度固定的状态下，测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力以及在对等离子体进行点火之后向所述加热器供给的供给电力稳定的稳定状态下的供给电力，根据测量出的未点火状态下的供给电力与稳定状态下的供给电力之差来计算所述热输入量。
5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述获取部在对向所述加热器供给的供给电力进行控制使得所述加热器的温度固定的状态下，测量没有对等离子体进行点火的未点火状态下的供给电力，根据测量出的未点火状态下的供给电力来计算用于在未点火状态下将所述载置台的温度维持为规定的温度的所述加热器中的发热量。
6.根据权利要求2～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述载置台的载置所述被处理体的载置面被分割为多个分割区域，在各分割区域设置所述加热器，
在所述变化信息中，按被设为等离子体处理的处理条件的处理参数的每种变化，存储有各分割区域的与所述载置台的温度有关的值的变化模式，
所述获取部获取各分割区域的与所述载置台的温度有关的值，
所述监视部基于所述变化信息，根据由所述获取部获取到的各分割区域的与所述载置台的温度有关的值的变化模式来确定发生了变化的处理参数。
7.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具有警报部，在所述监视部的监视结果为检测到等离子体处理的处理条件发生了规定以上的变化的情况下，所述警报部进行警报。
8.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具有校正部，在所述监视部的监视结果为检测到规定以上的等离子体处理的处理条件的变化的情况下，所述校正部对等离子体处理的处理条件进行校正，以将该处理条件的变化抵消。
9.一种监视方法，其特征在于，执行以下处理：
以规定的周期获取与用于载置被处理体并进行等离子体处理的载置台的温度有关的值，
基于表示针对所述被处理体的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与所述载置台的温度有关的值的变化的变化信息，根据所获取到的与所述载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。
10.一种记录介质，其特征在于，记录有监视程序，该监视程序用于执行以下处理：
以规定的周期获取与用于载置被处理体并进行等离子体处理的载置台的温度有关的值，
基于表示针对所述被处理体的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与所述载置台的温度有关的值的变化的变化信息，根据所获取到的与所述载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。
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