JP5752634B2 - 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム - Google Patents
熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5752634B2 JP5752634B2 JP2012077868A JP2012077868A JP5752634B2 JP 5752634 B2 JP5752634 B2 JP 5752634B2 JP 2012077868 A JP2012077868 A JP 2012077868A JP 2012077868 A JP2012077868 A JP 2012077868A JP 5752634 B2 JP5752634 B2 JP 5752634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- temperature
- change
- heat treatment
- saturated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信手段と、
前記変更温度受信手段により受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出手段と、
前記パワー算出手段により算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知手段と、
を備え、
前記報知手段は、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とする。
前記モデル記憶手段に記憶されたモデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーの変化との関係を示し、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記変更温度受信手段は、前記ゾーンごとに変更する温度が特定され、
前記パワー算出手段は、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーを算出する、ことが好ましい。
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信工程と、
前記変更温度受信工程で受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶工程で記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出工程と、
前記パワー算出工程で算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程で前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知工程と、
を備え、
前記報知工程では、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とする。
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信手段、
前記変更温度受信手段により受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出手段、
前記パワー算出手段により算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知手段、
として機能させ、
前記報知手段は、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とする。
RAM54は、CPU56のワークエリアなどとして機能する。
バス57は、各部の間で情報を伝達する。
(P)=(M)×(ΔT)+(P0)
ここで、(M)は図4に示すヒータの温度変化とパワー変化との関係を示すモデルであり、(ΔT)は図7(b)に示す変更前後の差分であり、(P0)は、図6(c)に示す記憶された温度でのヒータのパワーである。また、変更前後の差分(ΔT)は図7(a)に示す入力された変更温度と、図6(b)に示す記憶された温度とから算出される。
2 反応管
3 マニホールド
6 蓋体
9 ウエハボート
10 ヒータ部
11〜15 ヒータ
16〜20 電力コントローラ
21〜23 処理ガス供給管
24〜26 流量調整部
50 制御部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ROM
54 RAM
56 CPU
W 半導体ウエハ
Claims (4)
- 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信手段と、
前記変更温度受信手段により受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出手段と、
前記パワー算出手段により算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知手段と、
を備え、
前記報知手段は、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とする熱処理システム。 - 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記モデル記憶手段に記憶されたモデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーの変化との関係を示し、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記変更温度受信手段は、前記ゾーンごとに変更する温度が特定され、
前記パワー算出手段は、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーを算出する、ことを特徴とする請求項1に記載の熱処理システム。 - 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信工程と、
前記変更温度受信工程で受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶工程で記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出工程と、
前記パワー算出工程で算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程で前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知工程と、
を備え、
前記報知工程では、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とする熱処理方法。 - コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された処理室内の温度の変更に関する情報を受信する変更温度受信手段、
前記変更温度受信手段により受信された変更する温度と、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルとに基づいて、変更した温度における加熱手段のパワーを算出するパワー算出手段、
前記パワー算出手段により算出された加熱手段のパワーが飽和しているか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により前記加熱手段のパワーが飽和していると判別されると、前記加熱手段のパワーが飽和していることを示す情報を報知する報知手段、
として機能させ、
前記報知手段は、前記加熱手段のパワーが飽和しない温度を算出し、算出した温度を示す情報を報知する、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077868A JP5752634B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
US13/852,396 US20130256293A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-28 | Heat treatment system, heat treatment method, and non-transitory computer-readable recording medium |
KR1020130033286A KR101578576B1 (ko) | 2012-03-29 | 2013-03-28 | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077868A JP5752634B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013207255A JP2013207255A (ja) | 2013-10-07 |
JP5752634B2 true JP5752634B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=49233492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012077868A Active JP5752634B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130256293A1 (ja) |
JP (1) | JP5752634B2 (ja) |
KR (1) | KR101578576B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5774532B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
JP5788355B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
CN103792971B (zh) * | 2014-02-20 | 2017-03-01 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法 |
JP6512860B2 (ja) | 2015-02-24 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP6771418B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、制御装置、群コントローラ及びホストコンピュータ |
JP7149884B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2022-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5517594A (en) * | 1994-10-17 | 1996-05-14 | Relman, Inc. | Thermal reactor optimization |
US5994675A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-30 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing furnace heating control system |
JP3278807B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2002-04-30 | オムロン株式会社 | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
US6469283B1 (en) * | 1999-03-04 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support |
JP4244501B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2009-03-25 | 株式会社Sumco | 熱処理装置 |
JP3403160B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
JP4499274B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2010-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置における温度測定方法および半導体処理方法 |
JP2002367914A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
US6732006B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-05-04 | Asm International Nv | Method and system to process semiconductor wafers |
JP4426155B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2010-03-03 | 株式会社タムラ製作所 | 加熱装置 |
JP4391518B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2009-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および加熱処理装置 |
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
US20090039070A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Jung-Wen Tseng | Semiconductor equipment and breakdown precautionary system and method thereof |
JP5028352B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2012-09-19 | 株式会社日立国際電気 | 温度制御方法、温度補正値取得方法、半導体製造方法、基板処理装置 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077868A patent/JP5752634B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-28 KR KR1020130033286A patent/KR101578576B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-28 US US13/852,396 patent/US20130256293A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101578576B1 (ko) | 2015-12-17 |
KR20130111388A (ko) | 2013-10-10 |
JP2013207255A (ja) | 2013-10-07 |
US20130256293A1 (en) | 2013-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5788355B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5766647B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5752634B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5049303B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
US8664013B2 (en) | Continuous processing system, continuous processing method, and program | |
JP2008218558A (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
KR101149170B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리 장치의 온도 조정 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
KR20170113217A (ko) | 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 | |
JP6106519B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム | |
JP6512860B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
KR102147563B1 (ko) | 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP6353802B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP6596316B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
US20170271218A1 (en) | Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program | |
JP6378639B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP6578101B2 (ja) | 処理システム及び処理方法 | |
JP6335128B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP6564689B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP6358977B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、及び、プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140811 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5752634 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |