JP6564689B2 - 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム - Google Patents
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Description
被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理システムであって、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理手段と、
前記熱処理手段により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶手段により記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を前記算出手段により算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整手段と、
を、備えることを特徴とする。
前記処理室内にドープ用ガスを供給する複数のガス供給手段と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御手段と、を、さらに備え、
前記モデル記憶手段に記憶された前記ドープ処理モデルは、前記ドープ処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記圧力制御手段により制御される処理室内の圧力、前記ガス供給手段により供給させるドープ用ガスの流量、および前記ドープ処理の時間の変化と、前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すモデルであり、前記モデル記憶手段に記憶された前記拡散処理モデルは、前記拡散処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、および、前記拡散処理の時間の変化と、前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すモデルであり、
前記算出手段は、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記圧力制御手段により制御される処理室内の圧力、前記ガス供給手段により供給させるドープ用ガスの流量、前記ドープ処理の時間、前記拡散処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、および、前記拡散処理の時間を算出してもよい。
前記モデル記憶手段に記憶された前記ドープ処理モデルは、ゾーンごとの処理室内の温度およびドープ用ガスの流量の変化と、ゾーンごとの不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示し、前記モデル記憶手段に記憶された前記拡散処理モデルは、ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、ゾーンごとの不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示し、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記ガス供給手段は、前記処理室内のゾーンごとにドープ用ガスの流量を設定可能であってもよい。
前記算出手段は、前記膜中不純物濃度が、前記薄膜の深さ方向に均一となるように、前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出してもよい。
被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理方法であって、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理工程と、
前記熱処理工程により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶工程で記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件を前記算出工程で算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整工程と、
を、備えることを特徴とする。
被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理システムとして機能させるプログラムであって、
コンピュータを、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理手段、
前記熱処理手段により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶手段により記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を前記算出手段により算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整手段、
として機能させることを特徴とする。
RAM54は、CPU56のワークエリアなどとして機能する。
バス57は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 マニホールド
6 蓋体
9 ウエハボート
10 ヒータ部
11〜13 ヒータ
16〜18 電力コントローラ
21〜23 PH3ガス供給管
24〜26 流量調整部
50 制御部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ROM
54 RAM
56 CPU
W 半導体ウエハ
Claims (7)
- 被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理システムであって、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理手段と、
前記熱処理手段により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶手段により記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を前記算出手段により算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整手段と、
を、備えることを特徴とする熱処理システム。 - 複数枚の前記薄膜が形成された被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記処理室内にドープ用ガスを供給する複数のガス供給手段と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御手段と、を、さらに備え、
前記モデル記憶手段に記憶された前記ドープ処理モデルは、前記ドープ処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記圧力制御手段により制御される処理室内の圧力、前記ガス供給手段により供給させるドープ用ガスの流量、および前記ドープ処理の時間の変化と、前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すモデルであり、前記モデル記憶手段に記憶された前記拡散処理モデルは、前記拡散処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、および、前記拡散処理の時間の変化と、前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すモデルであり、
前記算出手段は、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記圧力制御手段により制御される処理室内の圧力、前記ガス供給手段により供給させるドープ用ガスの流量、前記ドープ処理の時間、前記拡散処理における前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、および、前記拡散処理の時間を算出する、
ことを特徴とする請求項1に記載の熱処理システム。 - 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記モデル記憶手段に記憶された前記ドープ処理モデルは、ゾーンごとの処理室内の温度およびドープ用ガスの流量の変化と、ゾーンごとの不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示し、前記モデル記憶手段に記憶された前記拡散処理モデルは、ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、ゾーンごとの不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示し、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記ガス供給手段は、前記処理室内のゾーンごとにドープ用ガスの流量を設定可能である、ことを特徴とする請求項2に記載の熱処理システム。 - 前記モデル記憶手段に記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルは、前記薄膜の深さごとの膜中不純物濃度の変化と、前記熱処理条件の変化との関係を示すモデルが記憶されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱処理システム。
- 前記算出手段は、前記膜中不純物濃度が、前記薄膜の深さ方向に均一となるように、前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱処理システム。
- 被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理方法であって、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理工程と、
前記熱処理工程により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶工程で記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件を前記算出工程で算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整工程と、
を、備えることを特徴とする熱処理方法。 - 被処理体に形成された薄膜に不純物をドープするドープ処理および前記薄膜にドープされた不純物を拡散する拡散処理により被処理体に不純物ドープ薄膜を形成する熱処理システムとして機能させるプログラムであって、
コンピュータを、
前記ドープ処理および前記拡散処理に関する熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された前記ドープ処理に関する熱処理条件の変化と、前記ドープ処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示すドープ処理モデルと、前記熱処理条件記憶工程で記憶された前記拡散処理に関する熱処理条件の変化と、前記拡散処理における前記不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す拡散処理モデルと、を記憶するモデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件で前記不純物ドープ薄膜を形成する熱処理手段、
前記熱処理手段により形成された不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるか否かを判別し、前記所望の範囲に含まれないと判別すると、当該不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度と前記モデル記憶手段により記憶された前記ドープ処理モデル及び前記拡散処理モデルとに基づいて、前記膜中不純物濃度が所望の範囲に含まれるような前記ドープ処理および前記拡散処理の熱処理条件を算出する算出手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を前記算出手段により算出された熱処理条件に変更し、変更した熱処理条件でドープ処理および拡散処理を行うことにより、前記所望の範囲に含まれる不純物ドープ薄膜の膜中不純物濃度に調整する調整手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
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