JP3403160B2 - 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 - Google Patents
熱処理装置、熱処理装置用制御装置Info
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- JP3403160B2 JP3403160B2 JP2000295262A JP2000295262A JP3403160B2 JP 3403160 B2 JP3403160 B2 JP 3403160B2 JP 2000295262 A JP2000295262 A JP 2000295262A JP 2000295262 A JP2000295262 A JP 2000295262A JP 3403160 B2 JP3403160 B2 JP 3403160B2
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- heating
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/18—Controlling or regulating
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1917—Control of temperature characterised by the use of electric means using digital means
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1931—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of one space
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置、熱処
理装置の制御装置に関し、特に被処理体と非接触の状態
で被処理体の温度を予測可能な熱処理装置、熱処理装置
の制御装置に関する。
理装置の制御装置に関し、特に被処理体と非接触の状態
で被処理体の温度を予測可能な熱処理装置、熱処理装置
の制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体ウ
エハ(以下ウエハという)等の被処理体に対して熱処理
を行う装置の一つにバッチ処理を行う縦型熱処理装置が
ある。この装置は、ウエハボート等の保持具に多数枚の
ウエハを棚状に保持し、この保持具を縦型の熱処理炉の
中に搬入して熱処理、例えばCVD(Chemical
Vapor Deposition)、酸化処理等を行
うものである。
エハ(以下ウエハという)等の被処理体に対して熱処理
を行う装置の一つにバッチ処理を行う縦型熱処理装置が
ある。この装置は、ウエハボート等の保持具に多数枚の
ウエハを棚状に保持し、この保持具を縦型の熱処理炉の
中に搬入して熱処理、例えばCVD(Chemical
Vapor Deposition)、酸化処理等を行
うものである。
【0003】ウエハを熱処理する場合ウエハの温度を正
確にコントロールする必要がある。例えばCVDにより
ウエハ上に薄膜を形成する場合、ウエハの温度によって
膜厚が左右される。このため、熱処理装置の温度制御を
高精度に行う必要がある。
確にコントロールする必要がある。例えばCVDにより
ウエハ上に薄膜を形成する場合、ウエハの温度によって
膜厚が左右される。このため、熱処理装置の温度制御を
高精度に行う必要がある。
【0004】従来は、熱電対を付けたウエハを熱処理炉
内に入れてウエハの温度を測定することにより温度制御
を行っていた。
内に入れてウエハの温度を測定することにより温度制御
を行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】熱電対付きウエハを熱
処理炉内に入れると、熱電対をなす金属が熱処理炉内に
飛散して付着し、付着した金属がウエハに付着してメタ
ル汚染を引き起こすおそれがある。
処理炉内に入れると、熱電対をなす金属が熱処理炉内に
飛散して付着し、付着した金属がウエハに付着してメタ
ル汚染を引き起こすおそれがある。
【0006】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は被処理体を汚染するおそれがな
く、しかも高い精度で温度制御を行うことができる熱処
理装置、熱処理装置の制御装置を提供することにある。
ものであり、その目的は被処理体を汚染するおそれがな
く、しかも高い精度で温度制御を行うことができる熱処
理装置、熱処理装置の制御装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】(1)上記目的を達成す
るために、本発明に係る熱処理装置は、被処理体を加熱
するための加熱部と、前記被処理体と非接触の状態で設
置された温度測定部と、前記温度測定部による温度測定
結果に基づき、前記被処理体の予測温度を算出する温度
予測部と、前記温度予測部によって算出された予測温度
の予測誤差を算出する誤差予測部と、前記誤差予測部に
よって算出された予測誤差に基づき、前記温度予測部に
よって算出された予測温度を補正した補正予測温度を算
出する温度補正部と、前記温度補正部によって算出され
た補正予測温度と設定温度と時間の関係を記述する温度
レシピとに基づき、前記加熱部を制御する加熱制御部と
を具備したことを特徴とする。
るために、本発明に係る熱処理装置は、被処理体を加熱
するための加熱部と、前記被処理体と非接触の状態で設
置された温度測定部と、前記温度測定部による温度測定
結果に基づき、前記被処理体の予測温度を算出する温度
予測部と、前記温度予測部によって算出された予測温度
の予測誤差を算出する誤差予測部と、前記誤差予測部に
よって算出された予測誤差に基づき、前記温度予測部に
よって算出された予測温度を補正した補正予測温度を算
出する温度補正部と、前記温度補正部によって算出され
た補正予測温度と設定温度と時間の関係を記述する温度
レシピとに基づき、前記加熱部を制御する加熱制御部と
を具備したことを特徴とする。
【0008】被処理体と非接触に設置された温度測定部
により温度が測定され、その測定結果に基づき被処理体
の温度が予測される。そして、この予測温度を予測誤差
に基づいて補正する。その結果、被処理体と非接触でし
かも精度良く被処理体の温度が予測される。
により温度が測定され、その測定結果に基づき被処理体
の温度が予測される。そして、この予測温度を予測誤差
に基づいて補正する。その結果、被処理体と非接触でし
かも精度良く被処理体の温度が予測される。
【0009】(2)本発明に係る熱処理装置用制御装置
は、被処理体を加熱するための加熱部と、前記被処理体
と非接触の状態で設置された温度測定部とを具備する熱
処理装置を制御するための制御装置であって、前記温度
測定部の測定結果に基づき前記被処理体の予測温度を算
出する温度予測部と、前記温度予測部によって算出され
た前記予測温度の予測誤差を算出する誤差予測部と、前
記誤差予測部によって算出された予測誤差に基づき、前
記温度予測部によって算出された予測温度を補正した補
正予測温度を算出する温度補正部と、前記温度補正部に
よって算出された補正予測温度に基づき前記加熱部を制
御する加熱制御部とを具備したことを特徴とする。
は、被処理体を加熱するための加熱部と、前記被処理体
と非接触の状態で設置された温度測定部とを具備する熱
処理装置を制御するための制御装置であって、前記温度
測定部の測定結果に基づき前記被処理体の予測温度を算
出する温度予測部と、前記温度予測部によって算出され
た前記予測温度の予測誤差を算出する誤差予測部と、前
記誤差予測部によって算出された予測誤差に基づき、前
記温度予測部によって算出された予測温度を補正した補
正予測温度を算出する温度補正部と、前記温度補正部に
よって算出された補正予測温度に基づき前記加熱部を制
御する加熱制御部とを具備したことを特徴とする。
【0010】(3)本発明に係る熱処理装置用制御装置
は、被処理体を加熱するための加熱部を具備する熱処理
装置を制御するための制御装置であって、設定温度と時
間の関係を記述する温度レシピに従って、前記加熱部を
制御する加熱制御部と、前記加熱制御部による前記加熱
部の制御を周期的に行うための制御周期を前記設定温度
の変化率に基づいて決定する制御周期決定部とを具備し
たことを特徴とする。
は、被処理体を加熱するための加熱部を具備する熱処理
装置を制御するための制御装置であって、設定温度と時
間の関係を記述する温度レシピに従って、前記加熱部を
制御する加熱制御部と、前記加熱制御部による前記加熱
部の制御を周期的に行うための制御周期を前記設定温度
の変化率に基づいて決定する制御周期決定部とを具備し
たことを特徴とする。
【0011】設定温度の変化率に基づいて制御の周期を
変えることで、制御の精密性と効率性の双方の勘案が可
能となる。
変えることで、制御の精密性と効率性の双方の勘案が可
能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】(第1実施形態)以下に本発明の
第1の実施形態に係る縦型熱処理装置について説明す
る。図1、図2はそれぞれ、本発明に係る縦型熱処理装
置の一部断面図および斜視図である。本発明に係る縦型
熱処理装置は、図1に示すように、例えば石英で作られ
た内管2a及び外管2bよりなる二重管構造の反応管2
を備え、反応管2の下部側には金属製の筒状のマニホー
ルド21が設けられている。
第1の実施形態に係る縦型熱処理装置について説明す
る。図1、図2はそれぞれ、本発明に係る縦型熱処理装
置の一部断面図および斜視図である。本発明に係る縦型
熱処理装置は、図1に示すように、例えば石英で作られ
た内管2a及び外管2bよりなる二重管構造の反応管2
を備え、反応管2の下部側には金属製の筒状のマニホー
ルド21が設けられている。
【0013】内管2aは上端が開口されており、マニホ
ールド21の内側で支持されている。外管2bは上端が
塞がれており、下端がべ一スプレート22の下側にてマ
ニホールド21の上端に気密に接合されている。
ールド21の内側で支持されている。外管2bは上端が
塞がれており、下端がべ一スプレート22の下側にてマ
ニホールド21の上端に気密に接合されている。
【0014】前記反応管2内には、図2に示すように、
多数枚の被処理体をなす半導体ウエハWが各々水平な状
態で上下に間隔をおいて保持具であるウエハボート23
に棚状に載置されており、このウエハボート23は蓋体
24の上に保温筒(断熱体)25を介して保持されてい
る。
多数枚の被処理体をなす半導体ウエハWが各々水平な状
態で上下に間隔をおいて保持具であるウエハボート23
に棚状に載置されており、このウエハボート23は蓋体
24の上に保温筒(断熱体)25を介して保持されてい
る。
【0015】反応管2の周囲には被処理体たるウエハW
を加熱する加熱部として、例えば抵抗加熱体よりなるヒ
ータ3が設けられている。ヒータ3はゾーン1〜5に5
分割されていて、各ヒータ31〜35が電力コントロー
ラ41〜45により独立して発熱量を制御できるように
なっている。ここで、電力コントローラ41〜45は、
それぞれヒータ31〜35の熱出力を測定するための電
力センサS1p〜S5pを備えているものとする。
を加熱する加熱部として、例えば抵抗加熱体よりなるヒ
ータ3が設けられている。ヒータ3はゾーン1〜5に5
分割されていて、各ヒータ31〜35が電力コントロー
ラ41〜45により独立して発熱量を制御できるように
なっている。ここで、電力コントローラ41〜45は、
それぞれヒータ31〜35の熱出力を測定するための電
力センサS1p〜S5pを備えているものとする。
【0016】内管2aの内壁には、ヒータ31〜35の
各ゾーン1〜5に対応して、ウエハ近傍の温度を測定す
るために熱電対等の被処理体近傍温度測定部としての内
側温度センサS1in〜S5inが設置されている。ま
た、外管2bの外壁にはヒータ31〜35の各ゾーン1
〜5に対応して、ヒータ近傍の温度を測定するために熱
電対等の加熱部近傍温度測定部としての外側温度センサ
S1out〜S5outが設置されている。
各ゾーン1〜5に対応して、ウエハ近傍の温度を測定す
るために熱電対等の被処理体近傍温度測定部としての内
側温度センサS1in〜S5inが設置されている。ま
た、外管2bの外壁にはヒータ31〜35の各ゾーン1
〜5に対応して、ヒータ近傍の温度を測定するために熱
電対等の加熱部近傍温度測定部としての外側温度センサ
S1out〜S5outが設置されている。
【0017】モニタウエハW1〜W5が、ヒータ31〜
35の各ゾーン1〜5にそれぞれ対応した位置に載置さ
れている。後述のように、モニタウエハW1〜W5の温
度は、温度センサSin(S1in〜S5in)、So
ut(S1out〜S5out)、および電力センサS
p(S1p〜S5p)の測定信号から予測される。
35の各ゾーン1〜5にそれぞれ対応した位置に載置さ
れている。後述のように、モニタウエハW1〜W5の温
度は、温度センサSin(S1in〜S5in)、So
ut(S1out〜S5out)、および電力センサS
p(S1p〜S5p)の測定信号から予測される。
【0018】マニホールド21には、内管2a内にガス
を供給するように複数のガス供給管が設けられており、
図1では便宜上2本のガス供給管51、52を示してあ
る。各ガス供給管51、52には、ガス流量をそれぞれ
調整するための例えばマスフローコントローラなどの流
量調整部61、62やバルブ(図示せず)などが介設さ
れている。
を供給するように複数のガス供給管が設けられており、
図1では便宜上2本のガス供給管51、52を示してあ
る。各ガス供給管51、52には、ガス流量をそれぞれ
調整するための例えばマスフローコントローラなどの流
量調整部61、62やバルブ(図示せず)などが介設さ
れている。
【0019】更にまたマニホールド21には、内管2a
と外管2bとの隙間から排気するように排気管27が接
続されており、この排気管27は図示しない真空ポンプ
に接続されている。排気管27の途中には反応管2内の
圧力を調整するための例えばバタフライバルブやバルブ
駆動部などを含む圧力調整部28が設けられている。
と外管2bとの隙間から排気するように排気管27が接
続されており、この排気管27は図示しない真空ポンプ
に接続されている。排気管27の途中には反応管2内の
圧力を調整するための例えばバタフライバルブやバルブ
駆動部などを含む圧力調整部28が設けられている。
【0020】この縦型熱処理装置は、反応管2内の処理
雰囲気の温度、反応管2内の圧力、ガス流量といった処
理パラメータを制御するためのコントローラ100を備
えている。このコントローラ100には、電力センサS
p(S1p〜S5p)、温度センサSin(S1in〜
S5in)、Sout(S1out〜S5out)から
の測定信号が入力され、ヒータ3の電力コントロ一ラ4
1〜45、圧力調整部28、流量調整部61、62に制
御信号を出カする。
雰囲気の温度、反応管2内の圧力、ガス流量といった処
理パラメータを制御するためのコントローラ100を備
えている。このコントローラ100には、電力センサS
p(S1p〜S5p)、温度センサSin(S1in〜
S5in)、Sout(S1out〜S5out)から
の測定信号が入力され、ヒータ3の電力コントロ一ラ4
1〜45、圧力調整部28、流量調整部61、62に制
御信号を出カする。
【0021】次にコントローラ100の詳細について述
べる。図3は、コントローラ100の内部構成のうち、
ヒータ3の制御に係る部分の詳細を示すブロック図であ
る。
べる。図3は、コントローラ100の内部構成のうち、
ヒータ3の制御に係る部分の詳細を示すブロック図であ
る。
【0022】図3に示すようにコントローラ100は、
電力センサSp、温度センサSout、Sinのアナロ
グ測定信号をディジタル測定信号に変換するA/D(A
naolg/Digital)変換部110、ウエハの
予測温度を算出する温度予測部120,温度予測部12
0によって算出されたウエハ予測温度T’の予測誤差Δ
Tを算出する誤差予測部130、算出されたウエハ予測
温度T’と予測誤差ΔTを加算してウエハの補正予測温
度T’’を算出する温度補正部としての加算部140、
ウエハを熱処理するための設定温度と時間の関係が記述
された温度レシピが保存された温度レシピ保存部15
0、補正予測温度T’’と温度レシピ保存部150の温
度レシピ上の設定温度Tspとに基づき電力コントロ一
ラ41〜45に電力制御信号P’を出力する加熱制御部
160、温度予測部120と誤差予測部130の計算周
期tsを決定する計算周期決定部170から構成され
る。
電力センサSp、温度センサSout、Sinのアナロ
グ測定信号をディジタル測定信号に変換するA/D(A
naolg/Digital)変換部110、ウエハの
予測温度を算出する温度予測部120,温度予測部12
0によって算出されたウエハ予測温度T’の予測誤差Δ
Tを算出する誤差予測部130、算出されたウエハ予測
温度T’と予測誤差ΔTを加算してウエハの補正予測温
度T’’を算出する温度補正部としての加算部140、
ウエハを熱処理するための設定温度と時間の関係が記述
された温度レシピが保存された温度レシピ保存部15
0、補正予測温度T’’と温度レシピ保存部150の温
度レシピ上の設定温度Tspとに基づき電力コントロ一
ラ41〜45に電力制御信号P’を出力する加熱制御部
160、温度予測部120と誤差予測部130の計算周
期tsを決定する計算周期決定部170から構成され
る。
【0023】そして、温度予測部120は、計算周期t
sに応じてウエハWの予測温度T’の算出に必要なデー
タの補間を行う第1のデータ補間部122とウエハの予
測温度T’を算出するための温度予測モデル部124と
から構成され、誤差予測部130は、計算周期tsに応
じてウエハWの予測温度の予測誤差ΔTの算出に必要な
データの補間を行う第2のデータ補間部132とウエハ
の予測温度の予測誤差ΔTを算出するための誤差予測モ
デル部134とから構成される。
sに応じてウエハWの予測温度T’の算出に必要なデー
タの補間を行う第1のデータ補間部122とウエハの予
測温度T’を算出するための温度予測モデル部124と
から構成され、誤差予測部130は、計算周期tsに応
じてウエハWの予測温度の予測誤差ΔTの算出に必要な
データの補間を行う第2のデータ補間部132とウエハ
の予測温度の予測誤差ΔTを算出するための誤差予測モ
デル部134とから構成される。
【0024】図4は、コントローラ100によるヒータ
3の制御手順を表すフロー図である。以下、このフロー
図に基づき温度制御の手順を説明する。(A)計算周期
決定部170により、温度レシピ保存部150の温度レ
シピに記述された設定温度Tspの変化率RRに基づき
計算周期tsが決定される(S11)。
3の制御手順を表すフロー図である。以下、このフロー
図に基づき温度制御の手順を説明する。(A)計算周期
決定部170により、温度レシピ保存部150の温度レ
シピに記述された設定温度Tspの変化率RRに基づき
計算周期tsが決定される(S11)。
【0025】設定温度の変化率RR、ひいてはウエハ温
度の変化率に対応して計算周期tsを設定することで、
演算あるいは制御要素を効率的に利用することが可能と
なる。即ち、設定温度Tspの変化率RRが小さいとき
には計算の間隔を長くしても差し支えないので、図示し
ないCPU(Central ProcessingU
nit)等の演算・制御要素を他の処理にふりむけるこ
とができる。この一方、設定温度の変化率RRが大きい
ときには短い計算周期でウエハの予測温度等を算出する
ことで、精密にウエハWの温度を制御することができ
る。
度の変化率に対応して計算周期tsを設定することで、
演算あるいは制御要素を効率的に利用することが可能と
なる。即ち、設定温度Tspの変化率RRが小さいとき
には計算の間隔を長くしても差し支えないので、図示し
ないCPU(Central ProcessingU
nit)等の演算・制御要素を他の処理にふりむけるこ
とができる。この一方、設定温度の変化率RRが大きい
ときには短い計算周期でウエハの予測温度等を算出する
ことで、精密にウエハWの温度を制御することができ
る。
【0026】温度レシピ保存部150の温度レシピは、
ウエハWを熱処理するための目標温度となる設定温度T
spと時間の関係を表したものである。図5、図6に温
度レシピの例を示す。
ウエハWを熱処理するための目標温度となる設定温度T
spと時間の関係を表したものである。図5、図6に温
度レシピの例を示す。
【0027】図5は時間を区分して、区分した時間に対
する設定温度Tsp(Set Point)とその変化
率RR(Ramp Rate)の関係を表形式で対応さ
せて表したものである。一方、図6は時間と設定温度T
spの関係をグラフ形式で表したものである。
する設定温度Tsp(Set Point)とその変化
率RR(Ramp Rate)の関係を表形式で対応さ
せて表したものである。一方、図6は時間と設定温度T
spの関係をグラフ形式で表したものである。
【0028】図5,図6は表現形式が異なるだけで同一
の温度レシピを表したものである。時刻t0〜t1では
設定温度は300℃と一定に保たれ、時刻t1〜t2で
は設定温度Tspは10℃/minの変化率で300℃
〜310℃まで変化している。また、それぞれ時刻t2
〜t3、時刻t3〜t4、時刻t4〜t5では、それぞ
れの設定温度Tspは、変化率RRが20、50,10
0℃/minで、それぞれ310〜350℃、350〜
400℃、400〜500℃の間で上昇している。時刻
t5〜t6では設定温度は500℃で一定に保たれ、そ
れぞれ時刻t6〜t7、時刻t7〜t8、時刻t8〜t
9では、それぞれの設定温度Tspは−100、−5
0,−10℃/minの変化率RRで、500〜400
℃、400〜350℃、350〜300℃の間で下降し
ている。そして、時刻t9以降では、設定温度は300
℃で一定に保たれている。
の温度レシピを表したものである。時刻t0〜t1では
設定温度は300℃と一定に保たれ、時刻t1〜t2で
は設定温度Tspは10℃/minの変化率で300℃
〜310℃まで変化している。また、それぞれ時刻t2
〜t3、時刻t3〜t4、時刻t4〜t5では、それぞ
れの設定温度Tspは、変化率RRが20、50,10
0℃/minで、それぞれ310〜350℃、350〜
400℃、400〜500℃の間で上昇している。時刻
t5〜t6では設定温度は500℃で一定に保たれ、そ
れぞれ時刻t6〜t7、時刻t7〜t8、時刻t8〜t
9では、それぞれの設定温度Tspは−100、−5
0,−10℃/minの変化率RRで、500〜400
℃、400〜350℃、350〜300℃の間で下降し
ている。そして、時刻t9以降では、設定温度は300
℃で一定に保たれている。
【0029】これら図5、6は実質的に同一であり、本
発明の実施に際してはいずれの形式を採用しても差し支
えない。即ち、温度レシピはその表現形式を問わず、各
時刻に対応して設定温度Tspと設定温度の変化率RR
を求めることができれば良い。設定温度の変化率RRは
各時刻における設定温度Tspから算出しても差し支え
ない。
発明の実施に際してはいずれの形式を採用しても差し支
えない。即ち、温度レシピはその表現形式を問わず、各
時刻に対応して設定温度Tspと設定温度の変化率RR
を求めることができれば良い。設定温度の変化率RRは
各時刻における設定温度Tspから算出しても差し支え
ない。
【0030】設定温度の変化率RRを基に、計算周期t
sを決定する。このときの決定方法の1例を次の式
(1)〜(4)に表す。 ts=0.5[sec](|RR|≧50[℃/min]) …(1) ts=1.0[sec](25≦|RR|<50[℃/min])…(2) ts=2.0[sec](10≦|RR|<25[℃/min])…(3) ts=4.0[sec]( 0≦|RR|<10[℃/min])…(4)
sを決定する。このときの決定方法の1例を次の式
(1)〜(4)に表す。 ts=0.5[sec](|RR|≧50[℃/min]) …(1) ts=1.0[sec](25≦|RR|<50[℃/min])…(2) ts=2.0[sec](10≦|RR|<25[℃/min])…(3) ts=4.0[sec]( 0≦|RR|<10[℃/min])…(4)
【0031】式(1)より計算周期tsは設定温度の変
化率RRが50℃/min以上のときに最短計算周期Δ
t=0.5secをとる。そして、計算周期tsは0.
5〜4secの間で設定温度変化率RRの絶対値が大き
くなるに従い小さくなっている。
化率RRが50℃/min以上のときに最短計算周期Δ
t=0.5secをとる。そして、計算周期tsは0.
5〜4secの間で設定温度変化率RRの絶対値が大き
くなるに従い小さくなっている。
【0032】なお、式(1)〜(4)の例では、計算周
期tsは、最短計算周期を2の累乗倍した値をとってい
るが、最短計算周期Δtの整数倍であれば差し支えな
い。
期tsは、最短計算周期を2の累乗倍した値をとってい
るが、最短計算周期Δtの整数倍であれば差し支えな
い。
【0033】(B)計算周期tsが最短計算周期Δtと
等しいか否かがデータ補間部122により判断される
(S12)。
等しいか否かがデータ補間部122により判断される
(S12)。
【0034】この判断がYesであれば温度予測モデル
部124によってウエハの予測温度T'が算出され(S
13)、一方S12の判断がNoであれば温度予測の計
算に必要なデータの補間がデータ補間部122により行
われた後に(S14)、温度予測モデル部124によっ
て予測温度T’が算出される(S13)。
部124によってウエハの予測温度T'が算出され(S
13)、一方S12の判断がNoであれば温度予測の計
算に必要なデータの補間がデータ補間部122により行
われた後に(S14)、温度予測モデル部124によっ
て予測温度T’が算出される(S13)。
【0035】ウエハの予測温度Tの算出にはA/D変換
部110のディジタル信号出力(ウエハ近傍温度Tin
(T1in〜T5in)、ヒータ近傍温度Tout(T
1out〜T5out)、ヒータの熱出力P(P1〜P
5))が利用される。A/D変換部110では周期的に
アナログ信号入力をディジタル信号出力に変換し出力さ
れている。そして、このサンプリング間隔は、最短計算
周期Δtと一致していることがこのA/D変換部110
をも含めた演算・制御要素の効率的な利用を図る上で好
ましい。
部110のディジタル信号出力(ウエハ近傍温度Tin
(T1in〜T5in)、ヒータ近傍温度Tout(T
1out〜T5out)、ヒータの熱出力P(P1〜P
5))が利用される。A/D変換部110では周期的に
アナログ信号入力をディジタル信号出力に変換し出力さ
れている。そして、このサンプリング間隔は、最短計算
周期Δtと一致していることがこのA/D変換部110
をも含めた演算・制御要素の効率的な利用を図る上で好
ましい。
【0036】 ここで、S13の温度予測の詳細を説
明する。ここでは、ウエハ近傍温度Tin、ヒータ近傍
温度Tout、およびヒータ3の熱出力P(P1〜P
5)に基づき、ウエハ予測温度T’(ウエハ中央近傍の
中央予測温度Tc’(Tc1’〜Tc5’)およびウエ
ハ周縁近傍の周縁予測温度Te’(Te1’〜Te
5’))、ウエハの近傍予測温度Tin’(Tin1’
〜Tin5’)を算出する。なお、添え字1〜5はそれ
ぞれゾーン1〜5に対応する。
明する。ここでは、ウエハ近傍温度Tin、ヒータ近傍
温度Tout、およびヒータ3の熱出力P(P1〜P
5)に基づき、ウエハ予測温度T’(ウエハ中央近傍の
中央予測温度Tc’(Tc1’〜Tc5’)およびウエ
ハ周縁近傍の周縁予測温度Te’(Te1’〜Te
5’))、ウエハの近傍予測温度Tin’(Tin1’
〜Tin5’)を算出する。なお、添え字1〜5はそれ
ぞれゾーン1〜5に対応する。
【0037】S13の温度予測には、次の式(5)で表
されるパラーメータモデルを利用することができる。 y(k)=−a1・y(k−1)−a2・y(k−2)−a3・y(k−3) −…−ai・y(k−i)…−a16・y(k−16) +b1・u(k−1)+b2・u(k−2)+b3・u(k−3) +…+bi・u(k−i)…+b16・u(k−16) +w(k) …(5)
されるパラーメータモデルを利用することができる。 y(k)=−a1・y(k−1)−a2・y(k−2)−a3・y(k−3) −…−ai・y(k−i)…−a16・y(k−16) +b1・u(k−1)+b2・u(k−2)+b3・u(k−3) +…+bi・u(k−i)…+b16・u(k−16) +w(k) …(5)
【0038】ここで、
y(k):1周期後(Δt[sec]後)の出力ベクト
ル y(k−1):現在の出力ベクトル y(k−i):(i−1)周期前((i−1)・Δt
[sec]前)の出力ベクトル u(k−1):現在の入力ベクトル u(k−i):(i−1)周期前((i−1)・Δt
[sec]前)の入力ベクトル w(k):雑音ベクトル(白色雑音) である。
ル y(k−1):現在の出力ベクトル y(k−i):(i−1)周期前((i−1)・Δt
[sec]前)の出力ベクトル u(k−1):現在の入力ベクトル u(k−i):(i−1)周期前((i−1)・Δt
[sec]前)の入力ベクトル w(k):雑音ベクトル(白色雑音) である。
【0039】また、ベクトルu(k−i),y(k−
i),w(k)の具体的内容は以下の式(6)〜(8)
のように表される。 u(k−i)=(P1,P2,…,P5, T1out,T2out,…,T5out, T1in,T2in,…,T5in) …(6) y(k−i)=(T1c’,T2c’,…,T5c’, T1e’,T2e’,…,T5e’, T1in’,T2in’,…,T5in’) …(7) w(k)=(w1(k),w2(k),…,w15(k)) …(8)
i),w(k)の具体的内容は以下の式(6)〜(8)
のように表される。 u(k−i)=(P1,P2,…,P5, T1out,T2out,…,T5out, T1in,T2in,…,T5in) …(6) y(k−i)=(T1c’,T2c’,…,T5c’, T1e’,T2e’,…,T5e’, T1in’,T2in’,…,T5in’) …(7) w(k)=(w1(k),w2(k),…,w15(k)) …(8)
【0040】式(5)は、16次のパラメトリックモデ
ルであり、現在、過去の入力ベクトルu(k−i)、現
在、過去の出力ベクトルy(k−i)に基づき1周期後
の出力ベクトルy(k)を算出する。
ルであり、現在、過去の入力ベクトルu(k−i)、現
在、過去の出力ベクトルy(k−i)に基づき1周期後
の出力ベクトルy(k)を算出する。
【0041】算出された1周期後の出力ベクトルy
(k)はその次の計算(このときkには1が加算され
る)において出力ベクトルの現在値y(k−1)として
使用される。このようにして、入力ベクトルu(k−
i)が判れば1周期後の出力ベクトルy(k)を逐次計
算することができる。
(k)はその次の計算(このときkには1が加算され
る)において出力ベクトルの現在値y(k−1)として
使用される。このようにして、入力ベクトルu(k−
i)が判れば1周期後の出力ベクトルy(k)を逐次計
算することができる。
【0042】即ち、ヒータの熱出力P(P1〜P5)、
ヒータ近傍温度Tout(T1out〜T5out)、
ウエハ近傍温度Tin(T1in〜T5in)の実測値
に基づき、ウエハの中央予測温度Tc(T1c’〜T5
c’)、ウエハの周縁予測温度Te’(T1e’〜T5
e’)、ウエハ近傍の予測温度Tin’(T1in’〜
T5in’)を算出することができる。
ヒータ近傍温度Tout(T1out〜T5out)、
ウエハ近傍温度Tin(T1in〜T5in)の実測値
に基づき、ウエハの中央予測温度Tc(T1c’〜T5
c’)、ウエハの周縁予測温度Te’(T1e’〜T5
e’)、ウエハ近傍の予測温度Tin’(T1in’〜
T5in’)を算出することができる。
【0043】なお、ウエハ近傍予測温度Tin’の算出
は後のS16における誤差予測のために行っているので
あり、誤差予測を行う必要がなければ出力ベクトルy
(k−i)は次の式(9)のようにウエハ近傍予測温度
Tin’を含まなくても差し支えない。 y(k−i)=(T1c’,T2c’,…,T5c’, T1e’,T2e’,…,T5e’) …(9)
は後のS16における誤差予測のために行っているので
あり、誤差予測を行う必要がなければ出力ベクトルy
(k−i)は次の式(9)のようにウエハ近傍予測温度
Tin’を含まなくても差し支えない。 y(k−i)=(T1c’,T2c’,…,T5c’, T1e’,T2e’,…,T5e’) …(9)
【0044】また、ここでは1つのモデルでウエハ予測
温度T’とウエハ近傍予測温度Tin’の双方を算出し
ているが、この両者を別個のモデルを用いて算出するこ
とも可能である。例えば、ウエハ予測温度T’の算出に
は以下の式(10)〜(13)を、ウエハ近傍予測温度
Tin’の算出には式(14)〜(17)をそれぞれ用
いたモデルとすることができる。 y1(k)=−a11・y1(k−1)−a12・y1(k−2) −…−a1i・y1(k−i)…−a116・y1(k−16) +b11・u1(k−1)+b12・u1(k−2) +…+b1i・u(k−i)…+b116・u1(k−16) +w1(k) …(10) u1(k−i)=(P1,…,P5, T1out,…,T5out, T1in,…,T5in) …(11) y1(k−i)=(T1c’,,…,T5c’, T1e’,…,T5e’) …(12) w1(k)=(w11(k),…,w116(k)) …(13)
温度T’とウエハ近傍予測温度Tin’の双方を算出し
ているが、この両者を別個のモデルを用いて算出するこ
とも可能である。例えば、ウエハ予測温度T’の算出に
は以下の式(10)〜(13)を、ウエハ近傍予測温度
Tin’の算出には式(14)〜(17)をそれぞれ用
いたモデルとすることができる。 y1(k)=−a11・y1(k−1)−a12・y1(k−2) −…−a1i・y1(k−i)…−a116・y1(k−16) +b11・u1(k−1)+b12・u1(k−2) +…+b1i・u(k−i)…+b116・u1(k−16) +w1(k) …(10) u1(k−i)=(P1,…,P5, T1out,…,T5out, T1in,…,T5in) …(11) y1(k−i)=(T1c’,,…,T5c’, T1e’,…,T5e’) …(12) w1(k)=(w11(k),…,w116(k)) …(13)
【0045】
y2(k)=−a21・y2(k−1)−a22・y2(k−2)
−…−a2i・y2(k−i)…−a216・y2(k−16)
+b21・u2(k−1)+b22・u2(k−2)
+…+b2i・u2(k−i)…+b216・u2(k−16)
+w2(k) …(14)
u2(k−i)=(P1,…,P5,
T1out,…,T5out) …(15)
y2(k−i)=(T1in’,…,T5in’) …(16)
w2(k)=(w21(k),…,w216(k)) …(17)
【0046】式(5)等のパラメータa1〜a16、b
1〜b16、雑音ベクトルw(k)等は、出力ベクトル
y(k)の計算に際し事前に決定される。
1〜b16、雑音ベクトルw(k)等は、出力ベクトル
y(k)の計算に際し事前に決定される。
【0047】パラメータa1〜a16、b1〜b16、
雑音ベクトルw(k)の決定には、部分空間法や自己回
帰モデル(Auto−Regressive Exog
eneous Model、以下「ARXモデル」とい
う)を用いることができる。
雑音ベクトルw(k)の決定には、部分空間法や自己回
帰モデル(Auto−Regressive Exog
eneous Model、以下「ARXモデル」とい
う)を用いることができる。
【0048】具体的には、温度センサS1in〜S5i
n、S1out〜S5outの測定信号及びモニタウエ
ハW1〜W5の実測温度(モニタウエハに熱電対等の温
度センサを設置する)のデータを例えばソフトウェアM
atlab(製造:TheMathWorks. In
c.、販売:サイバネットシステム株式会社)に入力す
ることで、パラメータa1〜a16、b1〜b16、雑
音ベクトルw(k)を逆算できる。
n、S1out〜S5outの測定信号及びモニタウエ
ハW1〜W5の実測温度(モニタウエハに熱電対等の温
度センサを設置する)のデータを例えばソフトウェアM
atlab(製造:TheMathWorks. In
c.、販売:サイバネットシステム株式会社)に入力す
ることで、パラメータa1〜a16、b1〜b16、雑
音ベクトルw(k)を逆算できる。
【0049】求められたパラメータa1〜a16、b1
〜b16、雑音ベクトルw(k)の組合せは、複数存在
するのが通例である。この組合せから、式(5)から算
出された推定温度T1´〜T5´とモニタウエハの実測
温度との一致が良好なものを選択する(モデルの評
価)。
〜b16、雑音ベクトルw(k)の組合せは、複数存在
するのが通例である。この組合せから、式(5)から算
出された推定温度T1´〜T5´とモニタウエハの実測
温度との一致が良好なものを選択する(モデルの評
価)。
【0050】なお、このときのモデルの次数は通常高次
であるため、適宜低次元化して例えば16次のモデルと
する。
であるため、適宜低次元化して例えば16次のモデルと
する。
【0051】 次にデータの補間工程(S14)につ
き説明する。計算周期tsが最短計算周期Δtと等しい
場合には、式(5)に過去に算出した出力ベクトルy
(k−i)の値をそのまま代入すればよいが、計算周期
tsが最短計算周期Δtと異なる(大きい)場合には式
(5)等への代入に際してデータが不足する。このた
め、データの補間が必要になる。
き説明する。計算周期tsが最短計算周期Δtと等しい
場合には、式(5)に過去に算出した出力ベクトルy
(k−i)の値をそのまま代入すればよいが、計算周期
tsが最短計算周期Δtと異なる(大きい)場合には式
(5)等への代入に際してデータが不足する。このた
め、データの補間が必要になる。
【0052】ここで、計算周期tsが最短計算周期Δt
のn倍であるとする(ts=n・Δt)。このとき式
(5)による算出された出力ベクトルy(k)の算出は
n個おきに行われる。即ち、式(5)においてk=n・
mのときにのみ計算が行われる(m:整数)。
のn倍であるとする(ts=n・Δt)。このとき式
(5)による算出された出力ベクトルy(k)の算出は
n個おきに行われる。即ち、式(5)においてk=n・
mのときにのみ計算が行われる(m:整数)。
【0053】例えばn=4のときには、kは次の式(1
8)のようになり、例えばk=1〜3、5〜7のときの
出力ベクトルのデータを補間する必要がある。 k=0,4,8、12,16,… …(18)
8)のようになり、例えばk=1〜3、5〜7のときの
出力ベクトルのデータを補間する必要がある。 k=0,4,8、12,16,… …(18)
【0054】式(5)において、k=n・mとしたと
き、前回算出された出力ベクトルy(k)はk=n・
(m−1)であり、そのまた前回算出された出力ベクト
ルy(k)はk=n・(m−2)となる。このとき以下
のように補間を行う。
き、前回算出された出力ベクトルy(k)はk=n・
(m−1)であり、そのまた前回算出された出力ベクト
ルy(k)はk=n・(m−2)となる。このとき以下
のように補間を行う。
【0055】(1) k=n・mとk=n・(m−1)
間のデータ補間 まず、k=n・mとk=n・(m−1)間の出力ベクト
ルの補間方法につき考える。このとき、k=(n・m−
1)、(n・m−2)、…、(n・(m−1)+1)に
ついて出力ベクトルy(k)を求める必要がある。この
値として以下の式(19)のように全て前回の出力ベク
トルy(n・(m−1))の値を用いることができる。 y(n・m−1)=y(n・(m−1)) y(n・m−2)=y(n・(m−1)) …………………………………………………………… y(n・(m−1)+1)=y(n・(m−1)) …(19)
間のデータ補間 まず、k=n・mとk=n・(m−1)間の出力ベクト
ルの補間方法につき考える。このとき、k=(n・m−
1)、(n・m−2)、…、(n・(m−1)+1)に
ついて出力ベクトルy(k)を求める必要がある。この
値として以下の式(19)のように全て前回の出力ベク
トルy(n・(m−1))の値を用いることができる。 y(n・m−1)=y(n・(m−1)) y(n・m−2)=y(n・(m−1)) …………………………………………………………… y(n・(m−1)+1)=y(n・(m−1)) …(19)
【0056】(2) k=n・(m−1)とk=n・
(m−2)間のデータ補間 k=n・(m−1)とk=n・(m−2)間の出力ベク
トルは、前回算出した出力ベクトルy(n・(m−
1))と前前回算出した出力ベクトルy(n・(m−
2))の内挿値を用いることができる。例えば、以下の
式(20)のように、前回の出力ベクトルy(n・(m
−1))と前前回の出力ベクトルy(n・(m−2))
の直線近似を用いて内挿することができる。 y(n・(m−1)−1) =[1・y(n・(m−2))+(n−1)・y(n・(m−1))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)−i) =[i・y(n・(m−2))+(n−i)・y(n・(m−1))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−2)+1) =[(n−1)・y(n・(m−2))+1・y(n・(m−1))]/n …(20)
(m−2)間のデータ補間 k=n・(m−1)とk=n・(m−2)間の出力ベク
トルは、前回算出した出力ベクトルy(n・(m−
1))と前前回算出した出力ベクトルy(n・(m−
2))の内挿値を用いることができる。例えば、以下の
式(20)のように、前回の出力ベクトルy(n・(m
−1))と前前回の出力ベクトルy(n・(m−2))
の直線近似を用いて内挿することができる。 y(n・(m−1)−1) =[1・y(n・(m−2))+(n−1)・y(n・(m−1))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)−i) =[i・y(n・(m−2))+(n−i)・y(n・(m−1))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−2)+1) =[(n−1)・y(n・(m−2))+1・y(n・(m−1))]/n …(20)
【0057】内挿法としては、式(20)の直線近似以
外にも、放物線近似等種々の内挿法を用いることができ
る。
外にも、放物線近似等種々の内挿法を用いることができ
る。
【0058】また、k=n・mとk=n・(m−1)間
のデータ補間も式(19)(前回の出力ベクトルy
(k)の計算値そのままを用いる)以外の方法を用いる
ことができる。例えば、前回と前々回の出力ベクトルの
値に基づき外挿を行っても差し支えない。
のデータ補間も式(19)(前回の出力ベクトルy
(k)の計算値そのままを用いる)以外の方法を用いる
ことができる。例えば、前回と前々回の出力ベクトルの
値に基づき外挿を行っても差し支えない。
【0059】次の式(21)に、前回と前々回の出力ベ
クトルの値を基に直線的に外挿を行った例を示す。 y(n・m−1) =[(2n−1)・y(n・(m−1)) −(n−1)・y(n・(m−2))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)+i) =[(n+i)・y(n・(m−1))−i・y(n・(m−2))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)+1) =[(n+1)・y(n・(m−1))−1・y(n・(m−2))]/n …(21)
クトルの値を基に直線的に外挿を行った例を示す。 y(n・m−1) =[(2n−1)・y(n・(m−1)) −(n−1)・y(n・(m−2))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)+i) =[(n+i)・y(n・(m−1))−i・y(n・(m−2))]/n ………………………………………………………………………………………… y(n・(m−1)+1) =[(n+1)・y(n・(m−1))−1・y(n・(m−2))]/n …(21)
【0060】(3) k=n・(m−2)以前のデータ
補間 k=n・(m−2)以前の出力ベクトルy(k−i)の
値は、前回の出力ベクトルy(k)の算出に用いた出力
ベクトルy(k−i)の値をそのまま用いれば良い。こ
のようにして、式(20)、(21)を用いてデータの
補間を行い、温度予測を行うことができる。
補間 k=n・(m−2)以前の出力ベクトルy(k−i)の
値は、前回の出力ベクトルy(k)の算出に用いた出力
ベクトルy(k−i)の値をそのまま用いれば良い。こ
のようにして、式(20)、(21)を用いてデータの
補間を行い、温度予測を行うことができる。
【0061】以上において、計算周期が短いものから長
いものへ切り替えたときは、切替の初期において計算周
期の短いときに計算した出力ベクトルy(k−i)を式
(5)の計算に用いることができる。要するに、適切な
出力ベクトルy(k−i)の値が既にあればその値を用
い、適当な値がなければ内挿、外挿等により補間を行
い、現在あるいは過去の出力ベクトルを求める。
いものへ切り替えたときは、切替の初期において計算周
期の短いときに計算した出力ベクトルy(k−i)を式
(5)の計算に用いることができる。要するに、適切な
出力ベクトルy(k−i)の値が既にあればその値を用
い、適当な値がなければ内挿、外挿等により補間を行
い、現在あるいは過去の出力ベクトルを求める。
【0062】(C)計算周期が最短計算周期と等しいか
否かが判断され(S15)、この判断がYesであれば
ウエハの予測誤差ΔTが算出され(S16)、一方S1
5の判断がNoであれば温度予測の計算必要なデータの
補間が行われた後に(S17)予測誤差ΔTが算出され
る(S16)。
否かが判断され(S15)、この判断がYesであれば
ウエハの予測誤差ΔTが算出され(S16)、一方S1
5の判断がNoであれば温度予測の計算必要なデータの
補間が行われた後に(S17)予測誤差ΔTが算出され
る(S16)。
【0063】S15の誤差予測の詳細を説明する。誤差
予測は、ウエハの予測温度T’(Tc’、Te’)の値
と実測温度T(Tc、Te)との差を予測するものであ
る。即ち、理想的には予測誤差ΔT(ウエハ中央近傍の
中央予測誤差ΔTcおよびウエハ周縁近傍の周縁予測誤
差ΔTe)は以下の式(22)で表される。 ΔT=T−T’ …(22)
予測は、ウエハの予測温度T’(Tc’、Te’)の値
と実測温度T(Tc、Te)との差を予測するものであ
る。即ち、理想的には予測誤差ΔT(ウエハ中央近傍の
中央予測誤差ΔTcおよびウエハ周縁近傍の周縁予測誤
差ΔTe)は以下の式(22)で表される。 ΔT=T−T’ …(22)
【0064】実際には、ウエハの実測温度Tの測定を行
わないことから、ウエハの予測誤差ΔTは他のパラメー
タとの関係を基に予測しなければならない。このパラメ
ータとしてウエハ近傍の予測温度Tin’とウエハ近傍
の実測温度の差をとった近傍予測誤差ΔTinを用いる
ことができる。ここで、近傍予測誤差ΔTinは次の式
(23)により算出できる。 ΔTin=Tin−Tin’ …(23)
わないことから、ウエハの予測誤差ΔTは他のパラメー
タとの関係を基に予測しなければならない。このパラメ
ータとしてウエハ近傍の予測温度Tin’とウエハ近傍
の実測温度の差をとった近傍予測誤差ΔTinを用いる
ことができる。ここで、近傍予測誤差ΔTinは次の式
(23)により算出できる。 ΔTin=Tin−Tin’ …(23)
【0065】ウエハの自体の温度とその近傍の温度とは
密接な関係があると予想され、経験的にも予測誤差ΔT
は近傍予測誤差ΔTinと関連をもった値になってい
る。この結果、モデルを作成することで近傍予測誤差Δ
Tinからウエハの予測誤差ΔTを算出することが可能
になる。その他、設定温度の変化率RRもウエハの予測
誤差ΔTと密接な関係があるのでこれも考慮に入れる。
密接な関係があると予想され、経験的にも予測誤差ΔT
は近傍予測誤差ΔTinと関連をもった値になってい
る。この結果、モデルを作成することで近傍予測誤差Δ
Tinからウエハの予測誤差ΔTを算出することが可能
になる。その他、設定温度の変化率RRもウエハの予測
誤差ΔTと密接な関係があるのでこれも考慮に入れる。
【0066】結局、近傍予測誤差ΔTin、および設定
温度の変化率RRに基づき、ウエハの予測誤差ΔTを算
出する。
温度の変化率RRに基づき、ウエハの予測誤差ΔTを算
出する。
【0067】S16の予測誤差の算出には、式(5)と
ほぼ同様の次の式(24)で表されるパラーメータモデ
ルを利用することができる。 y(k)=−a1・y(k−1)−a2・y(k−2)−a3・y(k−3) −…−ai・y(k−i)…−a16・y(k−16) +b1・u(k−1)+b2・u(k−2)+b3・u(k−3) +…+bi・u(k−i)…+b16・u(k−16) +Δw(k) …(24)
ほぼ同様の次の式(24)で表されるパラーメータモデ
ルを利用することができる。 y(k)=−a1・y(k−1)−a2・y(k−2)−a3・y(k−3) −…−ai・y(k−i)…−a16・y(k−16) +b1・u(k−1)+b2・u(k−2)+b3・u(k−3) +…+bi・u(k−i)…+b16・u(k−16) +Δw(k) …(24)
【0068】ここで、
y(k):1周期後(Δt[sec]後)の出力ベクト
ル y(k−1):現在の出力ベクトル y(k−i):(i−1)周期((i−1)・Δt[s
ec]前の出力ベクトル u(k−1):現在の入力ベクトル u(k−i):(i−1)周期((i−1)・Δt[s
ec]前の入力ベクトル w(k):雑音ベクトル(白色雑音) であることは式(5)とほぼ同様である。
ル y(k−1):現在の出力ベクトル y(k−i):(i−1)周期((i−1)・Δt[s
ec]前の出力ベクトル u(k−1):現在の入力ベクトル u(k−i):(i−1)周期((i−1)・Δt[s
ec]前の入力ベクトル w(k):雑音ベクトル(白色雑音) であることは式(5)とほぼ同様である。
【0069】しかしながら、ベクトルu(k−i),y
(k−i),w(k)の具体的内容は以下の式(25)
〜(27)のように表され、式(5)の場合とは異なっ
ている。 u(k−i)=(ΔT1in,ΔT2in,…,ΔT5in,RR) …(25) y(k−i)=(ΔT1c,ΔT2c,…,ΔT5c, ΔT1e,ΔT2e,…,ΔT5e) …(26) Δw(k)=(Δw1(k),…,Δw15(k)) …(27)
(k−i),w(k)の具体的内容は以下の式(25)
〜(27)のように表され、式(5)の場合とは異なっ
ている。 u(k−i)=(ΔT1in,ΔT2in,…,ΔT5in,RR) …(25) y(k−i)=(ΔT1c,ΔT2c,…,ΔT5c, ΔT1e,ΔT2e,…,ΔT5e) …(26) Δw(k)=(Δw1(k),…,Δw15(k)) …(27)
【0070】式(24)は、式(5)同様に16次のパ
ラメトリックモデルであり、入力ベクトルが判れば1周
期後の出力ベクトルy(k)を逐次計算することができ
る。このときパラメータa0〜a15、b0〜b15、
雑音ベクトルΔw(k)の決定には、式(5)と同様に
部分空間法やARXモデルを用いることができる。
ラメトリックモデルであり、入力ベクトルが判れば1周
期後の出力ベクトルy(k)を逐次計算することができ
る。このときパラメータa0〜a15、b0〜b15、
雑音ベクトルΔw(k)の決定には、式(5)と同様に
部分空間法やARXモデルを用いることができる。
【0071】また、データの補間工程(S17)もS1
4の場合とほぼ同様にして内挿法、および外挿法を用い
て行える。従い、重複した説明を省くため、その詳細は
省略する。
4の場合とほぼ同様にして内挿法、および外挿法を用い
て行える。従い、重複した説明を省くため、その詳細は
省略する。
【0072】(D)S13による温度予測結果とS16
による誤差予測結果に基づき温度補正を行う(S1
8)。
による誤差予測結果に基づき温度補正を行う(S1
8)。
【0073】これは、以下の式(28)、(29)のよ
うにウエハの予測温度T’と予測誤差ΔTを補正部とし
ての加算部140により加算することで補正予測温度
T’’を算出できる。 Tic’’=Tic’+ΔTic (i=1〜5) …(28) Tie’’=Tie’+ΔTie (i=1〜5) …(29) この結果、ウエハの温度がより正確に予測することが可
能になる。
うにウエハの予測温度T’と予測誤差ΔTを補正部とし
ての加算部140により加算することで補正予測温度
T’’を算出できる。 Tic’’=Tic’+ΔTic (i=1〜5) …(28) Tie’’=Tie’+ΔTie (i=1〜5) …(29) この結果、ウエハの温度がより正確に予測することが可
能になる。
【0074】(E)補正予測温度T’’を基に加熱部を
制御する(S19)。これは加熱制御部160により補
正予測温度T’’と設定温度Tspを比較し、ヒータ3
1〜35の適切な熱出力P1’〜P5’を決定すること
で行われる。
制御する(S19)。これは加熱制御部160により補
正予測温度T’’と設定温度Tspを比較し、ヒータ3
1〜35の適切な熱出力P1’〜P5’を決定すること
で行われる。
【0075】例えば、補正予測温度T’’と設定温度T
spとの差に応じてヒータ31〜35の出力を決定する
ことができる。この制御も計算周期決定部170によっ
て決定された計算周期tsに従って行われる。
spとの差に応じてヒータ31〜35の出力を決定する
ことができる。この制御も計算周期決定部170によっ
て決定された計算周期tsに従って行われる。
【0076】(その他の実施形態)以上の発明の実施形
態は、本発明の技術的思想の範囲内で、拡張、変更が可
能である。熱処理装置は、計算周期決定部と温度予測部
の双方を備えなければならないものではなく、そのどち
らか一方のみを備えても差し支えない。例えば、計算周
期決定部はウエハ温度の実測を行う場合にも用いること
ができる。このとき計算周期決定部によって決定された
計算周期に基づき、温度制御が効率的に行われる。
態は、本発明の技術的思想の範囲内で、拡張、変更が可
能である。熱処理装置は、計算周期決定部と温度予測部
の双方を備えなければならないものではなく、そのどち
らか一方のみを備えても差し支えない。例えば、計算周
期決定部はウエハ温度の実測を行う場合にも用いること
ができる。このとき計算周期決定部によって決定された
計算周期に基づき、温度制御が効率的に行われる。
【0077】モデルは必ずしも式(5)のようなパラメ
ータモデルである必要はなく、適宜他のモデルを用いる
ことができる。またモデルの次数は16に限られず8あ
るいは20等としても良い。
ータモデルである必要はなく、適宜他のモデルを用いる
ことができる。またモデルの次数は16に限られず8あ
るいは20等としても良い。
【0078】ヒータは、区分されていなくても良いし、
また区分の数も5には限られない。熱処理装置は、縦型
熱処理炉、あるいはバッチ炉に限らず、1枚ずつ熱処理
を行う枚葉式の熱処理装置であってもよい。
また区分の数も5には限られない。熱処理装置は、縦型
熱処理炉、あるいはバッチ炉に限らず、1枚ずつ熱処理
を行う枚葉式の熱処理装置であってもよい。
【0079】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
精度良く被処理体の温度を予測することが可能となる。
精度良く被処理体の温度を予測することが可能となる。
【図1】 本発明に係る熱処理装置の構成を示す一部断
面図である。
面図である。
【図2】 本発明に係る熱処理装置の構成を示す斜視図
である。
である。
【図3】 本発明に係る熱処理装置のコントローラの構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図4】 コントローラによる制御手順を表すフロー図
である。
である。
【図5】 温度レシピの1例を表した表である。
【図6】 図5と同一の温度レシピを表現形式を変えて
表したグラフである。
表したグラフである。
2 反応管
2a 内管
2b 外管
21 マニホールド
22 フェ一スプレート
23 ウエハボート
24 蓋体
24 前記蓋体
26 ボートエレベータ
27 排気管
28 圧力調整部
3、31〜35 ヒータ
41〜45 電力コントローラ
51、52 ガス供給管
61、62 流量調整部
100 コントローラ
110 A/D変換部
120 温度予測部
122 第1のデータ補間部
124 温度予測モデル部
130 誤差予測部
132 第2のデータ補間部
134 誤差予測モデル部
140 加算部
150 温度レシピ保存部
160 加熱制御部
170 計算周期決定部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI
H01L 21/22 511 H01L 21/22 511A
(72)発明者 朴 永哲
神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番
41号 東京エレクトロン東北株式会社
相模事業所内
(72)発明者 鈴木 富士雄
神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番
41号 東京エレクトロン東北株式会社
相模事業所内
(56)参考文献 特開 平9−7963(JP,A)
特開2000−77345(JP,A)
特開 平10−335340(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/205
H01L 21/31
H01L 21/365
H01L 21/469
H01L 21/86
Claims (10)
- 【請求項1】 被処理体を加熱するための加熱部と、 前記被処理体と非接触の状態で設置された温度測定部
と、 前記温度測定部による温度測定結果に基づき、前記被処
理体の予測温度を算出する温度予測部と、 前記温度予測部によって算出された予測温度の予測誤差
を算出する誤差予測部と、 前記誤差予測部によって算出された予測誤差に基づき、
前記温度予測部によって算出された予測温度を補正した
補正予測温度を算出する温度補正部と、 前記温度補正部によって算出された補正予測温度と設定
温度と時間の関係を記述する温度レシピとに基づき、前
記加熱部を制御する加熱制御部とを具備したことを特徴
とする熱処理装置。 - 【請求項2】 前記温度予測部による予測温度の算出お
よび前記誤差予測部による予測誤差の算出を周期的に行
うための計算周期を決定する計算周期決定部をさらに具
備したことを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。 - 【請求項3】 前記計算周期決定部が、前記設定温度の
変化率の絶対値の大きさに応じて、前記計算周期を決定
することを特徴とする請求項2記載の熱処理装置。 - 【請求項4】 前記計算周期決定部によって決定される
計算周期が、所定の最小計算周期の整数倍であることを
特徴とする請求項2記載の熱処理装置。 - 【請求項5】 前記温度測定部が、前記加熱部近傍の温
度を測定する加熱部近傍温度測定部と、前記被処理体近
傍の温度を測定する被処理体近傍温度測定部とを具備
し、 前記温度予測部が、前記加熱部の熱出力と前記加熱部近
傍温度測定部によって測定された加熱部近傍温度と前記
被処理体近傍温度測定部によって測定された被処理体近
傍温度とに基づき、前記被処理体の予測温度を算出する
ことを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。 - 【請求項6】 前記温度予測部が、前記加熱部の熱出力
と前記加熱部近傍温度測定部によって測定された加熱部
近傍温度とに基づき前記被処理体近傍の予測温度を算出
し、 前記誤差予測部が、前記被処理体近傍温度測定部によっ
て測定された被処理体近傍温度と前記温度予測部によっ
て算出された被処理体近傍予測温度と前記設定温度の温
度変化率とに基づき前記予測誤差を算出することを特徴
とする請求項1記載の熱処理装置。 - 【請求項7】 前記温度予測部が、前記計算周期決定部
によって決定された計算周期が前記最短計算周期と異な
るときに、前記予測温度を算出するためのデータの補間
を行うデータ補間部を具備することを特徴とする請求項
4記載の熱処理装置。 - 【請求項8】 前記誤差予測部が、前記計算周期決定部
によって決定された計算周期が前記最短計算周期と異な
るときに前記予測誤差を算出するためのデータの補間を
行うデータ補間部を具備することを特徴とする請求項4
記載の熱処理装置。 - 【請求項9】 被処理体を加熱するための加熱部と、前
記被処理体と非接触の状態で設置された温度測定部とを
具備する熱処理装置を制御するための制御装置であっ
て、 前記温度測定部の測定結果に基づき前記被処理体の予測
温度を算出する温度予測部と、 前記温度予測部によって算出された前記予測温度の予測
誤差を算出する誤差予測部と、 前記誤差予測部によって算出された予測誤差に基づき、
前記温度予測部によって算出された予測温度を補正した
補正予測温度を算出する温度補正部と、 前記温度補正部によって算出された補正予測温度に基づ
き前記加熱部を制御する加熱制御部とを具備したことを
特徴とする熱処理装置用制御装置。 - 【請求項10】 被処理体を加熱するための加熱部を具
備する熱処理装置を制御するための制御装置であって、 設定温度と時間の関係を記述する温度レシピに従って、
前記加熱部を制御する加熱制御部と、 前記加熱制御部による前記加熱部の制御を周期的に行う
ための制御周期を前記設定温度の変化率に基づいて決定
する制御周期決定部とを具備したことを特徴とする熱処
理装置用制御装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000295262A JP3403160B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
US09/963,381 US6847015B2 (en) | 2000-09-27 | 2001-09-27 | Heat treatment apparatus and controller for heat treatment apparatus and control method for heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000295262A JP3403160B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002110552A JP2002110552A (ja) | 2002-04-12 |
JP3403160B2 true JP3403160B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=18777716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000295262A Expired - Lifetime JP3403160B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
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JP5157100B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5169055B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2013-03-27 | ウシオ電機株式会社 | 半導体ウエハ加熱処理装置 |
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TWM413957U (en) * | 2010-10-27 | 2011-10-11 | Tangteck Equipment Inc | Diffusion furnace apparatus |
JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP5752634B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP6804027B2 (ja) | 2018-02-23 | 2020-12-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度制御方法、半導体装置の製造方法及び温度制御プログラム |
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KR102605999B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2023-11-23 | 세메스 주식회사 | 처리액 제공 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
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JPH097963A (ja) | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 電気炉のデータ処理方法 |
US5895596A (en) * | 1997-01-27 | 1999-04-20 | Semitool Thermal | Model based temperature controller for semiconductor thermal processors |
JP3526184B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2004-05-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH10335340A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の温度制御装置 |
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-
2000
- 2000-09-27 JP JP2000295262A patent/JP3403160B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-27 US US09/963,381 patent/US6847015B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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