JP3836696B2 - 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3836696B2 JP3836696B2 JP2001265013A JP2001265013A JP3836696B2 JP 3836696 B2 JP3836696 B2 JP 3836696B2 JP 2001265013 A JP2001265013 A JP 2001265013A JP 2001265013 A JP2001265013 A JP 2001265013A JP 3836696 B2 JP3836696 B2 JP 3836696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- film
- cim
- film thickness
- manufacturing system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置を含む半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
成膜装置の一つとして、LP−CVD装置が知られている。LP−CVD装置を用い、所望の膜厚を有する膜を成膜する方法として、あらかじめ成膜速度を調べておき、その成膜速度より成膜時間を算出し、そして、その成膜時間だけ反応ガス(原料ガス)を導入する方法が知られている。
【0003】
完全な反応律速のもとでは、成膜速度の対数は温度の逆数に比例するため、成膜時間は計算機により自動的に求めることができる。しかし、完全な反応律速の実現は困難であるため、通常、成膜終了時間の判断や算出は人手によって事前に行われている。
【0004】
上記の判断や算出の簡易化を図り、成膜速度の時間変動を極力抑えるために、成膜速度が一定な状態、すなわちウェハの温度が安定した状態で成膜を行っている。そのため、ウェハを所定の温度まで昇温した後、20分〜40分程度の温度安定待ち時間が必要となり、プロセス時間がかかるという問題があった。
【0005】
また、見かけ上のウェハの温度は、通常、石英管に差し込まれた熱電対によって測定されている。熱電対は炉内の温度制御にも用いられており、熱電対により測定される電圧を、ヒーターにフィードバックすることで、炉内温度制御を行っている。
【0006】
しかし、プロセスごとで炉内ウェハの枚数や、ウェハの設置場所、そして炉の内部にガスを流すことで生成される物質の量が変動するため、石英管の光学的性質が変わってしまう。それにより熱電対が得る、輻射を主とする熱量が変動してしまい、熱電対の計測した見かけ上のウェハ温度とボート上にあるウェハの真の温度は異なってしまうのが常である。
【0007】
また、通常のLP−CVD装置では、プロセス開始から成膜開始までにかかる時間は、前の成膜時の炉内残留物やポンプ性能、大気圧などで変動する。そのため、昇温開始までにかかる時間は各プロセスで異なっており、その時間のずれを加味した成膜過程の温度変化の推移をプロセス毎に比較する厳密な方法は用意されていない。そのため、温度変動過程を中心としたプロセス環境の違いを見ることは不可能であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来のLP−CVD装置を用いた成膜方法は、ウェハの温度が安定した状態で成膜を行うため、温度安定待ち時間が必要となり、成膜に要するプロセス時間がかかるという問題があった。
【0009】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、成膜に要するプロセス時間の短縮化を図れる半導体製造システムを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0011】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置システムは、基板を収容し、該基板上に膜を成膜するところの成膜室と、前記基板を加熱する加熱手段とを含む成膜装置と、前記成膜室の内部および外部の少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段により検出された温度に基づいて、前記基板を所定の温度で加熱するように前記加熱手段を制御する制御手段本体とを含む温度制御手段と、前記加熱手段により前記基板を加熱した後、かつ前記温度検出手段により検出される温度が実質的に一定になる前に、前記膜の成膜終了時間を決定する終了時間決定手段であって、前記温度検出手段により検出された温度の情報を受け取った時間を、前記温度検出手段により前記温度が検出された時間に修正する修正手段を含む前記終了時間決定手段とを備えていることを特徴とする。成膜終了時間を決定するとは、成膜終了時間を予測することも含む。
【0012】
このような構成であれば、終了時間決定手段により基板の温度が一定になる前に、成膜の終了時間を決定できるので、温度安定待ち時間が不要になり、成膜に要するプロセス時間の短縮化を図れるようになる。
【0013】
上記目的は、以下の本発明に係る半導体装置の製造方法(1)〜(12)によっても達成できる。
【0014】
(1) 本発明に係る半導体装置の製造方法は、成膜装置の成膜室内に基板を収容する工程と、前記基板を加熱手段により加熱する工程と、前記成膜室の内部および外部の少なくとも一方の温度を温度検出手段により検出する工程と、該工程で検出された温度に基づいて、前記基板を所定の温度で加熱するように前記加熱手段を制御する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記加熱手段により前記基板を加熱した後、かつ前記温度検出手段により検出される温度が実質的に一定になる前に、前記膜の成膜終了時間を決定する終了時間決定工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。成膜終了時間を決定するとは、成膜終了時間を予測することも含む。
【0015】
(2) 上記(1)において、終了時間決定工程は、CIMを用いて行われる。
【0016】
(3) 上記(2)において、前記CIMは、前記成膜装置から送られてきた情報に基づいて、前記膜の膜厚を演算する工程を含む。
【0017】
(4) 上記(3)において、前記膜の膜厚を測定する膜厚測定工程をさらに有し、かつ前記膜厚測定工程により得られた前記膜の膜厚情報と、前記成膜装置から送られてきた情報とに基づいて、前記膜の膜厚を演算するために使用する変数群を修正する処理を、前記CIMにより行う工程を有する。
【0018】
(5) 上記(2)ないし(4)のいずれかにおいて、前記温度検出手段により検出された温度の情報を受け取った時間を、前記温度検出手段により前記温度が検出された時間に修正する処理は、前記CIMにより行われる。
【0019】
(6) 上記(5)において、前記修正する処理は、前記温度検出手段により検出された温度の情報およびそれを受け取った時間とからなる前記CIMが有する温度経時データに基づいて、温度の相関係数を決定する相関係数決定工程を含むものである。
【0020】
(7) 上記(6)において、相関係数決定工程は、前記相関係数の決定に、過去の基準温度経時データと、現在測定されている温度の温度経時データとの差を用いるものである。
【0021】
(8) 上記(3)において、前記膜の膜厚を演算する工程は、前記相関係数を用いるものである。
【0022】
(9) 上記(1)において、現在成膜している膜の膜厚または予想成膜終了時間を演算する演算処理を、前記CIMにより行う工程を有する。
【0023】
(10) 上記(9)において、前記演算処理は、成膜速度の時間変化に対応するテーブルに基づいて、現在成膜している膜の膜厚または予想成膜終了時間を演算するものである。
【0024】
(11) 上記(9)または(10)において、前記演算処理により演算された現在成膜している膜の膜厚が、前記膜の目標膜厚に達したとき、前記成膜装置に成膜処理の終了の指示を送る処理を、前記CIMにより行う工程を有する。
【0025】
(12) 上記(11)において、前記成膜装置として、前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度を上回ると、成膜処理を実行するものを使用するか、または前記CIMとして、前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度を上回ると、前記成膜装置に成膜開始の指示を与えるものを使用する。
【0026】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
【0028】
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体製造システムの概略構成を示す図である。
【0029】
本実施形態の半導体製造システムは、大きく分けて、LP−CVD装置(以下、単にCVD装置という。)1と、温度制御装置2と、コンピュータにより生産を制御するシステムであるCIM(Computer Integrated Manufacturing)3とから構成されている。
【0030】
CVD装置1は、ウェハを収容し、ウェハ上に膜を成膜するところの炉(成膜室)と、ウェハを加熱するヒーターとを含む。温度制御装置2は、炉の内部および外部の少なくとも一方の温度を検出する温度センサと、ウェハを所定の温度で加熱するようにヒーターを制御する制御部(制御手段本体)とを含む。CIM3は、CVD装置1からの情報を記録する記録媒体4と、ヒーターによりウェハを加熱した後、かつヒーターにより検出される温度が実質的に一定になる前に、上記膜の成膜終了時間を決定する終了時間決定部5とを含む、
図1では、CVD装置1と温度制御装置2とは別々のものとして示されているが、CVD装置1に温度制御装置2を内蔵させた、温度制御装置付きCVD装置を用いても良い。
【0031】
CVD装置1の炉内状態は、たとえばMFC(Mass Flow Controller)によって、炉内に導入するガスの量を制御することによって、変えることができるようになっている。また、終了時間決定部5は記録媒体4に記録された情報を読み出すことができるようになっている。
【0032】
また、成膜時間の開始は、温度センサにより検出された温度が所定の温度(目標値)を上回ると、成膜処理を実行する手段を有するCVD装置1を使用するか、または温度センサにより検出された温度が所定の温度を上回ると、CVD装置1に成膜開始の指示を与える手段を有するCIM3を使用することによって実現される。後者の場合、その手段(開始時間決定手段)を終了時間決定部5に組み込み、成膜開始・終了時間決定部としても良い。
【0033】
さらに、成膜時間の開始は、プロセス時間が所定の時間(目標値)を上回ると、成膜処理を実行する手段を有するCVD装置1を使用するか、プロセス時間が所定の時間を上回ると、CVD装置1に成膜開始の指示を与える手段を有するCIM3を使用することによって実現される。後者の場合、その手段(開始時間決定手段)を終了時間決定部5に組み込み、成膜開始・終了時間決定部としても良い。
【0034】
このように構成された半導体製造システムによれば、CIM3によりウェハの温度が一定になる前に、成膜開始・終了時間を決定できるので、温度安定待ち時間が不要になり、成膜に要するプロセス時間の短縮化を図れるようになる。
【0035】
以下、本実施形態の半導体製造システムの詳細について説明する。
【0036】
温度制御装置2は、炉の内外に、たとえば熱電対やパイロメータといった温度センサを有しており、その温度測定結果を信号の形で入手している。該温度測定結果と、目標温度に対応した温度設定値との差は、PID演算回路によりPID演算され、ヒーターへの供給電力を決定するために使われる。
【0037】
そして、決定された供給電力に対応した駆動信号が出力器に出力され、ヒーターへ給電する電力が求まる。上記出力器は温度制御装置2に接続され、温度制御装置2が出力する上記駆動信号に応じた電力をヒーターに給電する。
【0038】
また、PID演算機能は、CIM3の指示により、毎回プロセスの昇温中の温度安定を目標に制御を行うことを優先的に行うことができる、昇温温度安定機能を有する。
【0039】
以下、CVD装置1、CIM3、膜厚測定機に関して、それらの装置が有している機能を説明する。
【0040】
CVD装置1は、CIM3とリアルタイムで情報のやり取りを行うことができる対CIM送信機能と、CIM3に送るデータ(内・外部熱電対、パワーなど)の整理を行う、CIM発信データ整理機能と、CIM3より受け取ったデータに基づいて、昇温ステップから、成膜ステップへ移るように装置の状態を変化させるステップアップ機能と、CIM3の指示により、最適な温度制御装置2へのデータ送信を実施することができる、最適温度送信機能と、CIM3よりたとえば成膜開始時間、最適PID制御実施係数、成膜終了時間といった情報を入手するための対CIM受信機能とを有している。また、CIM3の計算により求められたウェハ上の膜厚が狙い膜厚と等しいと判断されたとき、CIM3の指示により成膜を終了させる、自動成膜終了機構を有している。
【0041】
CIM3は、マイクロコンピュータ等からなる温度変化時間誤差修正機能と過去の情報(温度センサ、パワー、成膜膜厚など)を記憶しておくRAM等からなる外部記憶装置と、成膜中の温度変化が過去のものと比較してどれほど異なっているかの基準値を算出するための、相関係数決定機構と、相関係数が大きい場合に用いられる、過去の温度変化データから作成された成膜レートテーブルを使用した成膜終了時間算出機能とを有する。外部記憶装置と記録媒体4とは同じでも良いし、あるいは別々のものであっても良い。
【0042】
また、CIM3は、相関係数が小さい場合に用いられる、ある決まった膜厚決定法で、現在の仮の膜厚を計算する、現成膜厚決定機能と、決まった膜厚に達すると、成膜終了の指示をCVD装置1に連絡する、自動成膜終了機構と、成膜を開始する時期を決定する成膜時期開始決定機能と、過去の温度計測データ、成膜膜厚測定データ、パワー使用電力、炉内内部比熱に基づいて、基準成膜膜厚および活性化エネルギを算出する基準成膜膜厚・活性化エネルギ計測機構を備えている。
【0043】
さらに、CIM3は、相関係数が大きい場合に使われる基準データ使用法に用いられる成膜レートテーブルの作成機能と、CVD装置1や表示装置(たとえばディスプレイ)等の外部に情報を送るための送信機能と、CIM側がデータを受け取る受信機能とを有する。表示装置は、たとえば、オペレータに、現在行っているプロセスの温度と、CVD装置1の環境により決定される温度に関するデータ(基準データ)との差を伝達する目的で使用される。
【0044】
膜厚測定機は、膜厚測定機能と、測定した膜厚をCIM3に伝達するための対CIM送信機能とを有している。
【0045】
各装置(CVD装置1、CIM3、膜厚測定機)間の情報(データ)のやり取りは、ネットワークを使用しており、情報の授受を行えるようになっている。
【0046】
以下、図2〜図7を用いて、処理の流れと、各機能の詳細について説明する。図2および図3はCVD装置1の処理の流れを示すフローチャート、図4、図5および図6はCIM3の処理の流れを示すフローチャート、図7は膜厚測定機の処理の流れを示すフローチャートをそれぞれ示している。
【0047】
これらのフローチャートに関し、入力を示す菱形のボックスのステップ、たとえば図4のステップS3−2,3−3,3−5において、CVD−A、CVD−B、CVD−Cは同じCVD装置を示しており、またCVD−A等からの矢印の向きはCVD装置からCIMにデータが入力されていることを示している。すなわち、−A、−B等の添え字は異なっていても同じ装置を示しており、矢印の向きは装置間におけるデータの流れの方向を示している。また、図8は装置間で授受されるデータおよび受け渡されるウェハを示す図、図9は装置間におけるデータおよびウェハの流れを示す図である。
【0048】
上記フローチャートに使用されている変数は、表1において説明されるものである。
【0049】
【表1】
【0050】
各変数はCVD装置1において、tn、Tn,i(t)、Ph.i(t)、Ta,i(t)、td、tp、Sstop、te=0、End1=100000[step]、End2=100000[step]、Td、Ta,i(t)はポリシリコン膜の成膜に適した温度、CIM3においては、td、tn、Tn,i(t)、Ph,i (t)、τ、I、Aτ ,i (I)、τmax 、Amin,i (t)、Gn,i (t)、tc 、THKn,i(t)、tp、Sstop、THKR、te=0、End2=100000[step]、alpha=1、THKa,iは成膜したい膜厚[nm]、膜厚測定機においてはTHKR =0を初期値として用いた。以上の値は過去の実験データより最適値が決定されている。
【0051】
CVD装置1が熱処理を実施する必要が生じた際、目標温度とCVD装置1に搭載されている温度センサの測定温度に差が生じ、その差をなくすべくヒーターの出力をあげるよう、温度制御装置2から信号が送られる(ステップS2−4)。同時に温度制御装置2は対CIM送・受信機能を用いて、CIM3へ内外の温度センサにより測定された温度の経時変化データTn,i(t)およびヒーター出力Ph,i(t)の経時データを伝送する(ステップS2−5)。また、その際、PID制御はハンチングが生じず、時間に対して温度が一次的に変化する理想的な状態が実現されるよう、ヒーターに送る信号に修正を加える。
【0052】
CIM3は、温度制御装置2より送られてくる温度センサにより測定された温度の経時データTn,i(t)と外部記憶装置に記憶されている基準温度経時データTo,i(t)との比較、およびヒーターの出力の経時データPh,i(t)と基準ヒーターの出力経時データとの比較を行い、その時間誤差成分τを抽出する機能を持つ温度変化時間誤差修正機能を実行させ、測定されたデータの時間誤差を修正する(ステップS3−1〜10)。
【0053】
温度変化時間誤差修正機能は相関係数決定機能より計算された相関係数の最小値を求めるようにして、温度制御装置2からCIM3に送られてきたデータの時間誤差を求める。相関係数決定機能は次式よりAi(t)を決定する機能である(ステップS3−8)。相関係数Ai(t)は温度センサの数だけ繰り返して求められる。
【0054】
【数1】
tn:昇温開始から現在までの時間
τ:時間修正成分
Ai(t):相関係数
To,i(t):基準温度経時データ
Tn,i(t):測定された温度経時データ
i:温度センサの位置
相関係数Ai(t)が最小値Amin,i(t)をとる時間修正成分τを時間誤差τmaxとする(ステップS3−10)。以後、温度制御装置2からCIM3に送られてくるデータは、τmaxだけ時間成分が修正されたデータとして扱われる(ステップS3−11)。Amin,i(t)は図10に示されるよう測定された温度経時データTn,i(t)と基準温度経時データTo,i(t)とのずれの量を示した値である。
【0055】
次に膜厚決定法決定機能により、膜厚決定法が決定される。Amin,i(t)>alphaの場合は、測定された温度経時データTn,i(t)が過去の基準温度経時データTo,i(t)と大きく異なっているため、過去の基準温度経時データTo,i(t)を用いずに膜厚を決定する膜厚算出法による膜厚決定法が、Amin,i(t)≦alphaの場合は、過去の基準温度経時データTo,i(t)を元に、膜厚を決定する基準データ使用法による膜厚決定法がそれぞれ用いられる(ステップS3−12〜24)。本実施形態ではalphaは1を用いている。
【0056】
膜厚算出法は現成膜膜厚決定機能によって実現される。膜厚算出法の詳細は次の式によってあらわされる(ステップ3−14,16,18,22,24)。
【0057】
【数2】
【0058】
【数3】
THKn,i(t):現在の成膜膜厚
Gn,i(t):成膜速度
Ea,i:過去データより算出された基準活性化エネルギ
G0,i(p):過去データより算出された成膜ガス分圧によって変化する基準成膜速度
k:ボルツマン定数
td:成膜開始時間
(2)式(アレニウスの式)に温度制御装置2より測定されたTn,i(t)を代入することで、Gn,i(t)が求まり、求まったGn,i(t)を(3)式に代入することで、現在の膜厚THKn,i(t)が求められる(ステップS3−16)。
【0059】
膜厚算出法により、現在の膜厚THKn,i(t)が計算され、その膜厚が狙い膜厚THKa,i(t)以上の膜厚になると、成膜終了指示機能により、成膜終了の指示がCVD装置1へ送られる(ステップS3−10,22)。CVD装置1において同指示によりステップアップ機能が作動し、成膜ステップから次のステップへと状態が推移する(ステップS3−24)。
【0060】
基準データ使用法は次の式で表される(ステップS3−13,15,17,19,20,21,23)。
【0061】
【数4】
Gtable,i(t):温度、炉内ウェハ枚数、成膜ガス分圧を条件として、決定される成膜速度のテーブル
また同時に、次式により成膜終了時間を算出する。
【0062】
【数5】
THKa,i(t):狙い膜厚
tp:予測成膜終了時間
基準データ使用法は、(5)式で求められた予測成膜終了時間tpをあらかじめCVD装置1に伝送しておくことが可能である。
【0063】
CVD装置1の自動成膜終了機能は、現在の時間tnが予測成膜終了時間tpに等しくなると、CIM3からの成膜終了の指示がなくても、自動的に、成膜ステップを終了する機能を有している。
【0064】
そのため、(3)式により現在の膜厚THKn,i(t)を決定し、現在の膜厚THKn,i(t)が狙い膜厚THKa,iより大きくなった時点で成膜を終了する膜厚算出法に比べて、現在のウェハ上の膜厚を計算する時間や、CVD装置1までの伝送遅延時間、装置搭載ガス供給バルブ閉止するときに生じる遅延時間を待たずに、成膜を終了することができ、その分、成膜された膜厚の誤差は少ないものになる。
【0065】
(2)内で用いた式中の温度経時データTn,i(t)をヒーターの経時出力データPh,i(t)に変えても、機構上問題なく制御可能である。
【0066】
以上のように、CVD装置1およびCIM3は相関係数Ai(t)の大小により決定される二種類の方法で成膜ステップを終了させることができる。
【0067】
実際に成膜処理が施されたウェハはその後、膜厚測定機によって、実際の成膜膜厚THKRを測定される(ステップS4−1)。膜厚測定機は対CIM送信機能により、CIM3に成膜膜厚データTHKRを送信する(ステップS4−2)。
【0068】
CIM3は、膜厚測定機より送られてきた成膜膜厚データTHKRとCVD装置1より送られてきた、経時温度変化データTn,i(t)、経時ヒーター出力変化データPh,i(t)を時間データtd、te、CVD装置態初期データ、たとえば初期温度、炉内ウェハ枚数、成膜ガス分圧、成膜ガス種といったデータと、CIM3の算出した相関係数Amin、τmaxとをプロセスデータとして、外部記憶装置に保存する。同時に、CIM3の持っている成膜ガス分圧別同一装置成膜回数N(p)に1を加えて外部記憶装置5に記憶しておき、成膜ガス分圧別同一装置成膜回数N(p)が、2の倍数になるたびごとに、基準成膜膜厚、活性化エネルギ算出機能を動作させる(ステップS3−29,30,31)。
【0069】
ステップS3−30,31に使用されているパラメータは、CIM3が、膜厚測定機により得られた膜厚情報と、CVD装置1から送られてきた情報とに基づいて、膜厚を演算するために使用する変数群である。
【0070】
基準成膜膜厚、基準活性化エネルギ算出機能は、温度の逆数と、成膜速度の対数が比例することを利用し、同一ガス分圧条件において、2組のプロセスデータを利用して、基準成膜速度Go,i(p)、活性化エネルギEa,iの算出を行う。そして、算出されたデータとCIM3が持っている基準データの差を成膜ガス分圧別同一装置成膜回数N(p)で除した値を、基準データに反映させる。基準データの反映は以下の式を用いて行われる。
【0071】
【数6】
【0072】
【数7】
N(p):成膜ガス分圧別同一装置成膜回数
成膜終了時、Amin,i<alphaであった場合は、Gtable,i(t)のテーブルに成膜プロセスデータに応じた点を加える。
【0073】
以上終了次第、CIM3は待機状態となり、次回の成膜開始に備える。
【0074】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、CVD装置が単数の場合について説明したが、以上の半導体製造システムは、CVD装置が複数の場合においても実施可能である。さらに、LP−CVD装置以外の他のタイプのCVD装置にも適用可能であり、さらにまたCVD装置以外の成膜装置にも適用可能である。
【0075】
また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0076】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【0077】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、成膜に要するプロセス時間の短縮化を図れる半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体製造システムの概略構成を示す図
【図2】CVD装置の処理の流れを示すフローチャート
【図3】CVD装置の処理の流れを示すフローチャート
【図4】CVD装置の処理の流れを示すフローチャート
【図5】CIMの処理の流れを示すフローチャート
【図6】CIMの処理の流れを示すフローチャート
【図7】膜厚測定機の処理の流れを示すフローチャート
【図8】装置間で授受されるデータおよび受け渡されるウェハを示す図
【図9】装置間におけるデータおよびウェハの流れを示す図
【図10】相関係数を説明するための図
【符号の説明】
1…CVD装置
2…温度制御装置
3…CIM
4…記録媒体
5…終了時間決定部
Claims (13)
- 基板を収容し、該基板上に膜を成膜するところの成膜室と、前記基板を加熱する加熱手段とを含む成膜装置と、
前記成膜室の内部および外部の少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段により検出された温度に基づいて、前記基板を所定の温度で加熱するように前記加熱手段を制御する制御手段本体とを含む温度制御手段と、
前記加熱手段により前記基板を加熱した後、かつ前記温度検出手段により検出される温度が実質的に一定になる前に、前記膜の成膜終了時間を決定する終了時間決定手段であって、前記温度検出手段により検出された温度の情報を受け取った時間を、前記温度検出手段により前記温度が検出された時間に修正する修正手段を含む前記終了時間決定手段と
を具備してなることを特徴とする半導体製造システム。 - 前記終了時間決定手段は、CIMを用いたものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造システム。
- 前記CIMは、前記成膜装置から送られてきた情報に基づいて、前記膜の膜厚を演算する手段を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体製造システム。
- 前記膜の膜厚を測定する膜厚測定手段をさらに備え、前記CIMは、前記膜厚測定手段により得られた前記膜の膜厚情報と、前記成膜装置から送られてきた情報とに基づいて、前記膜の膜厚を演算するために使用する変数群を修正する手段を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体製造システム。
- 前記修正手段は、前記CIMに含まれるものであることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体製造システム。
- 前記修正手段は、前記温度検出手段により検出された温度の情報およびそれを受け取った時間とからなる、前記CIMが有する温度経時データに基づいて、温度の相関係数を決定する相関係数決定手段を含むものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体製造システム。
- 相関係数決定手段は、前記相関係数の決定に、過去の基準温度経時データと、現在測定されている温度の温度経時データとの差を用いるものであることを特徴する請求項6に記載の半導体製造システム。
- 前記膜の膜厚を演算する手段は、前記相関係数を用いるものであることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体製造システム。
- 前記CIMは、現在成膜している膜の膜厚または予想成膜終了時間を演算する演算手段を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体製造システム。
- 前記演算手段は、成膜速度の時間変化に対応するテーブルに基づいて、現在成膜している膜の膜厚または予想成膜終了時間を演算するものであることを特徴とする請求項9に記載の半導体製造システム。
- 前記CIMは、前記演算手段により演算された現在成膜している膜の膜厚が、前記膜の目標膜厚に達したとき、前記成膜装置に成膜処理の終了の指示を送る手段を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の半導体製造システム。
- 前記成膜装置は、前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度を上回ると、成膜処理を実行する手段を備えたもの、または前記CIMは、前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度を上回ると、前記成膜装置に成膜開始の指示を与える手段を備えたものであることを特徴とする請求項11に記載の半導体製造システム。
- 成膜装置の成膜室内に基板を収容する工程と、
前記基板を加熱手段により加熱する工程と、前記成膜室の内部および外部の少なくとも一方の温度を温度検出手段により検出する工程と、
該工程で検出された温度に基づいて、前記基板を所定の温度で加熱するように前記加熱手段を制御する工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記加熱手段により前記基板を加熱した後、かつ前記温度検出手段により検出される温度が実質的に一定になる前に、前記膜の成膜終了時間を決定する終了時間決定工程であっ て、前記温度検出手段により検出された温度の情報を受け取った時間を、前記温度検出手段により前記温度が検出された時間に修正する処理を含む前記終了時間決定工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265013A JP3836696B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 |
TW091119673A TWI223320B (en) | 2001-08-31 | 2002-08-29 | Semiconductor manufacturing system |
CNA2005100999562A CN1740387A (zh) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | 半导体器件的制造方法 |
KR10-2002-0051819A KR100486430B1 (ko) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | 반도체 제조 시스템 |
CNB021547580A CN1228813C (zh) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | 半导体制造系统 |
US10/231,073 US20030061989A1 (en) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | Semiconductor manufacturing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265013A JP3836696B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003077837A JP2003077837A (ja) | 2003-03-14 |
JP3836696B2 true JP3836696B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=19091538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001265013A Expired - Fee Related JP3836696B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030061989A1 (ja) |
JP (1) | JP3836696B2 (ja) |
KR (1) | KR100486430B1 (ja) |
CN (2) | CN1740387A (ja) |
TW (1) | TWI223320B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003074468A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 真空排気システム及びその監視・制御方法 |
JP4712343B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2011-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及び記録媒体 |
JP4622594B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-02-02 | オムロン株式会社 | 反応制御装置 |
JP2006339242A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5023505B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
US9869021B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-01-16 | Aventa Technologies, Inc. | Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system |
US9169562B2 (en) | 2010-05-25 | 2015-10-27 | Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. | Parallel batch chemical vapor deposition system |
US8986451B2 (en) * | 2010-05-25 | 2015-03-24 | Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. | Linear batch chemical vapor deposition system |
CN102965644A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 力铼光电科技(扬州)有限公司 | 膜厚控制方法及装置 |
US11957635B2 (en) | 2015-06-20 | 2024-04-16 | Therabody, Inc. | Percussive therapy device with variable amplitude |
US11890253B2 (en) | 2018-12-26 | 2024-02-06 | Therabody, Inc. | Percussive therapy device with interchangeable modules |
US11813221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-11-14 | Therabody, Inc. | Portable percussive massage device |
US11840757B2 (en) * | 2020-07-08 | 2023-12-12 | Tdk Corporation | Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer |
JP7452458B2 (ja) * | 2021-02-16 | 2024-03-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造装置 |
US11857481B2 (en) | 2022-02-28 | 2024-01-02 | Therabody, Inc. | System for electrical connection of massage attachment to percussive therapy device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4236946A (en) * | 1978-03-13 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis |
US5060595A (en) * | 1988-04-12 | 1991-10-29 | Ziv Alan R | Via filling by selective laser chemical vapor deposition |
US5159564A (en) * | 1988-12-22 | 1992-10-27 | North Carolina State University | Thermal memory cell and thermal system evaluation |
JPH0322529A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2750935B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 分子線制御方法及び分子線結晶成長装置 |
US5330610A (en) * | 1993-05-28 | 1994-07-19 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of digital epilaxy by externally controlled closed-loop feedback |
JPH07201750A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜形成方法 |
US5517594A (en) * | 1994-10-17 | 1996-05-14 | Relman, Inc. | Thermal reactor optimization |
US6019848A (en) * | 1996-11-13 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for high temperature processing chamber |
US5858464A (en) * | 1997-02-13 | 1999-01-12 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for minimizing excess aluminum accumulation in CVD chambers |
US6116779A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Johnson; Shane R. | Method for determining the temperature of semiconductor substrates from bandgap spectra |
JP3256204B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2002-02-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板用熱処理炉 |
JP4546623B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の制御条件決定方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001265013A patent/JP3836696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-29 TW TW091119673A patent/TWI223320B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-30 KR KR10-2002-0051819A patent/KR100486430B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-30 CN CNA2005100999562A patent/CN1740387A/zh active Pending
- 2002-08-30 CN CNB021547580A patent/CN1228813C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-30 US US10/231,073 patent/US20030061989A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1228813C (zh) | 2005-11-23 |
KR20030019234A (ko) | 2003-03-06 |
KR100486430B1 (ko) | 2005-04-29 |
US20030061989A1 (en) | 2003-04-03 |
CN1740387A (zh) | 2006-03-01 |
TWI223320B (en) | 2004-11-01 |
JP2003077837A (ja) | 2003-03-14 |
CN1438676A (zh) | 2003-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3836696B2 (ja) | 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4357715B2 (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
US6596973B1 (en) | Pyrometer calibrated wafer temperature estimator | |
JP5788355B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP4285759B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2002091574A (ja) | バッチ式熱処理装置及びその制御方法 | |
US20060217830A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP5049303B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP2001077041A (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
US6780795B2 (en) | Heat treatment apparatus for preventing an initial temperature drop when consecutively processing a plurality of objects | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP6353802B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
US6462313B1 (en) | Method and apparatus to control temperature in an RTP system | |
JP2002297244A (ja) | 反応室の圧力制御方法および装置 | |
JP4455856B2 (ja) | 半導体製造システムおよび半導体製造方法 | |
JP4802019B2 (ja) | 基板処理装置の温度制御方法、基板処理装置および基板処理システム | |
JPH07283158A (ja) | 熱処理装置およびその温度制御方法 | |
JPH05267200A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
JP2006155169A (ja) | 温度制御方法、温度調節器および熱処理システム | |
JP6335128B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP3934020B2 (ja) | 半導体製造システムおよび半導体製造方法 | |
JP4463633B2 (ja) | 基板処理装置及び基板の製造方法 | |
JPH097965A (ja) | 半導体製造装置の温度制御装置 | |
JP2004119668A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法 | |
JP4875291B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130804 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |