JPH02134821A - ポリイミドベーク装置 - Google Patents
ポリイミドベーク装置Info
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- JPH02134821A JPH02134821A JP28944288A JP28944288A JPH02134821A JP H02134821 A JPH02134821 A JP H02134821A JP 28944288 A JP28944288 A JP 28944288A JP 28944288 A JP28944288 A JP 28944288A JP H02134821 A JPH02134821 A JP H02134821A
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- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims description 19
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に塗布されたポリイミド層を熱硬化
するポリイミドベーク装置に関する。
するポリイミドベーク装置に関する。
通常、集積回路半導体装置の層間絶縁膜として、例えば
、シリコン酸化膜のような無機絶縁膜を形成していた。
、シリコン酸化膜のような無機絶縁膜を形成していた。
しかしながら半導体装置の集積度に伴ない層間絶縁膜の
段差部が急峻になり、この段差部に形成された金属配線
の配線切れが問題になってきている。
段差部が急峻になり、この段差部に形成された金属配線
の配線切れが問題になってきている。
このため、最近は、ポリイミドのような高分子材料が層
間絶縁膜に用いられるようになった。この一つの理由と
して、塗布時に、ポリイミドの流動性があるので、段差
が急峻であっても、表面の平滑化する性質があるからで
ある。
間絶縁膜に用いられるようになった。この一つの理由と
して、塗布時に、ポリイミドの流動性があるので、段差
が急峻であっても、表面の平滑化する性質があるからで
ある。
また、このポリイミド塗布後のポリイミド層の熱硬化に
ついて、ポリイミド層と下地との密着性及び緻密な層の
形成の課題に関して、種々の改善が図られてきた。
ついて、ポリイミド層と下地との密着性及び緻密な層の
形成の課題に関して、種々の改善が図られてきた。
従来、半導体基板上に塗布されたポリイミド膜の熱硬化
に際しては、半導体基板をホットプレ−トに乗せるかあ
るいは循環式オーブン等に入れてポリイミド膜を熱硬化
していた。また、このときの加熱温度の測定及び制御に
は、通常の熱電対が使用されていた。
に際しては、半導体基板をホットプレ−トに乗せるかあ
るいは循環式オーブン等に入れてポリイミド膜を熱硬化
していた。また、このときの加熱温度の測定及び制御に
は、通常の熱電対が使用されていた。
上述した従来のポリイミド膜の熱硬化方法では、半導体
基板のポリイミド膜上のベーク温度の測定に、熱電対に
より、ホットプレート上の温度あるいは循環式オーブン
ではその雰囲気の温度を間接的に測定してその測定値を
ベーク温度として代行しているので、実際のポリイミド
膜の温度と異なる。従って、再現性のあるベーク温度及
びポリイミド膜上の均一な温度分布を得ることができな
いという欠点がある。
基板のポリイミド膜上のベーク温度の測定に、熱電対に
より、ホットプレート上の温度あるいは循環式オーブン
ではその雰囲気の温度を間接的に測定してその測定値を
ベーク温度として代行しているので、実際のポリイミド
膜の温度と異なる。従って、再現性のあるベーク温度及
びポリイミド膜上の均一な温度分布を得ることができな
いという欠点がある。
このベーク温度及び温度分布が正確に把握できないと、
ポリイミド膜の高いイミド化率が得られず、また、ポリ
イミド膜に一様なイミド化率が得られない。このため、
下地の接着力を得ることができないばかりか、眉間絶縁
膜として使用した場合、未反応のアミド酸基により残留
電流を誘起さ、せリーク電流が増大するという問題があ
る。
ポリイミド膜の高いイミド化率が得られず、また、ポリ
イミド膜に一様なイミド化率が得られない。このため、
下地の接着力を得ることができないばかりか、眉間絶縁
膜として使用した場合、未反応のアミド酸基により残留
電流を誘起さ、せリーク電流が増大するという問題があ
る。
本発明の目的は、下地との接着力のあるとともにピーク
電流の発生の少ないポリイミド膜を形成できるポリイミ
ドベーク装置を提供することである。
電流の発生の少ないポリイミド膜を形成できるポリイミ
ドベーク装置を提供することである。
本発明のポリイミドベーク装置は、半導体基板上に塗布
されたポリイミド膜上を走査しポリイミド膜の温度及び
温度分布を測定する赤外線による温度測定器と、前記温
度を制御する加熱台に内蔵された複数個のし−タ及びこ
れらヒータを制御するヒータ制御装置と、前記ポリイミ
ド膜上に赤外光を照射しその反射光量を測定することに
よってイミド化率を測定するイミド化率測定装置とを備
えるとともに前記イミド化率を測定しながら前記ポリイ
ミド膜をイミド化することを備え構成される。
されたポリイミド膜上を走査しポリイミド膜の温度及び
温度分布を測定する赤外線による温度測定器と、前記温
度を制御する加熱台に内蔵された複数個のし−タ及びこ
れらヒータを制御するヒータ制御装置と、前記ポリイミ
ド膜上に赤外光を照射しその反射光量を測定することに
よってイミド化率を測定するイミド化率測定装置とを備
えるとともに前記イミド化率を測定しながら前記ポリイ
ミド膜をイミド化することを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すポリイミドベーク装置
の正面図である。このポリイミドベーク装置は、半導体
基板４を乗せ固定する複数個のヒータ７が内蔵された加
熱台５と、この半導体基板４上のポリイミド膜上に赤外
線検知器１を走査しながら温度及び温度分布を測定する
赤外線検知器とこれに接続された温度計測装置（図示せ
ず）と、赤外線投光器２でポリイミド膜に赤外線６を所
定の傾斜角度で投光してその反射光を検知する赤外線受
光器３とを有するイミド化率測定装置とを備えている。
の正面図である。このポリイミドベーク装置は、半導体
基板４を乗せ固定する複数個のヒータ７が内蔵された加
熱台５と、この半導体基板４上のポリイミド膜上に赤外
線検知器１を走査しながら温度及び温度分布を測定する
赤外線検知器とこれに接続された温度計測装置（図示せ
ず）と、赤外線投光器２でポリイミド膜に赤外線６を所
定の傾斜角度で投光してその反射光を検知する赤外線受
光器３とを有するイミド化率測定装置とを備えている。
第２図は本発明の実施例に使用した加熱台の１面図であ
る。この加熱台は、半導体基板４を乗せ固定するウェー
ハチャック部９と、このウェーハチャック部９が表面に
形成されたヒータブロック１０と、このヒータブロック
１０に内蔵された複数個、ここでは、３個のヒータ７と
を有している。
る。この加熱台は、半導体基板４を乗せ固定するウェー
ハチャック部９と、このウェーハチャック部９が表面に
形成されたヒータブロック１０と、このヒータブロック
１０に内蔵された複数個、ここでは、３個のヒータ７と
を有している。
また、絶縁部材１１は各ヒータを熱絶縁している。
更に、穴１２の一方は真空排気装置の排気管と通じ、穴
１２の出口は、ウェーハチャック部９の涌１３ａ、１３
ｂ及び１３ｃにそれぞれ通じている。
１２の出口は、ウェーハチャック部９の涌１３ａ、１３
ｂ及び１３ｃにそれぞれ通じている。
次に、この装置の動作を説明すると、まず、スピンコー
タによりポリイミドを塗布された半導体基板４を、あら
かじめヒータ７により熱せられた加熱台５に乗せる。次
に、穴１２から満１３ ａ、１３ｂ及び１３ｃと半導体
基板４とで形成する空間の空気を排気して真空にするこ
とによって半導体基板４を固定保持する。
タによりポリイミドを塗布された半導体基板４を、あら
かじめヒータ７により熱せられた加熱台５に乗せる。次
に、穴１２から満１３ ａ、１３ｂ及び１３ｃと半導体
基板４とで形成する空間の空気を排気して真空にするこ
とによって半導体基板４を固定保持する。
次に、赤外線検知器１を矢印に示す方向に走査すること
ともに加熱台らを矢印８と直交する方向に移動させ、ポ
リイミド膜から発生する赤外線の波長により全域の温度
分布を測定するとともに温度の測定をする。ここで、測
定した温度の分布が、例えば、ポリイミド膜の全域で、
温度の低い部分があれば、その部分の下に位置するヒー
タ７に電流を増加させ流し、温度を上げる。また、他の
領域より低い部分があれば、その部分の下にあるヒータ
７に流す電流を減じて、ポリイミド膜の全域の温度分布
を一様にする。次に、このポリイミド膜の温度が、例え
ば、感光性ポリイミドの場合は、１００〜１５０℃程度
、他のポリイミドの場合は、２５０〜３００℃程度に達
したら、この温度を保持するように、ヒータ温度制御装
置（図示せず〉により制御する。
ともに加熱台らを矢印８と直交する方向に移動させ、ポ
リイミド膜から発生する赤外線の波長により全域の温度
分布を測定するとともに温度の測定をする。ここで、測
定した温度の分布が、例えば、ポリイミド膜の全域で、
温度の低い部分があれば、その部分の下に位置するヒー
タ７に電流を増加させ流し、温度を上げる。また、他の
領域より低い部分があれば、その部分の下にあるヒータ
７に流す電流を減じて、ポリイミド膜の全域の温度分布
を一様にする。次に、このポリイミド膜の温度が、例え
ば、感光性ポリイミドの場合は、１００〜１５０℃程度
、他のポリイミドの場合は、２５０〜３００℃程度に達
したら、この温度を保持するように、ヒータ温度制御装
置（図示せず〉により制御する。
次に、赤外線投光器２によりポリイミド膜上に照射し、
そのイミド化率により反射光量が変るので、この反射光
量を赤外線受光器３で測定し、その測定値によりイミド
化率に変換する。通常、このイミド化率が高くなると、
反射光量が減少する。
そのイミド化率により反射光量が変るので、この反射光
量を赤外線受光器３で測定し、その測定値によりイミド
化率に変換する。通常、このイミド化率が高くなると、
反射光量が減少する。
このイミド化率が所定の値に達したら、加熱台のヒータ
を切り、ベーキングを終了する。
を切り、ベーキングを終了する。
以上説明したように本発明のポリイミドベーク装置は、
まず、第一に、半導体基板上のポリイミド膜の温度分布
を赤外線検知器を走査することにより記録し、ポリイミ
ド膜全域の温度分布を測定し、この測定結果により加熱
台にある複数個のヒータを制御してポリイミド膜の全域
の温度分布を一様にさせたことである。
まず、第一に、半導体基板上のポリイミド膜の温度分布
を赤外線検知器を走査することにより記録し、ポリイミ
ド膜全域の温度分布を測定し、この測定結果により加熱
台にある複数個のヒータを制御してポリイミド膜の全域
の温度分布を一様にさせたことである。
また、第２に、ポリイミド膜のイミド化率を赤外線の反
射光量を測定することによって、イミド化率を測定しな
がらベーキングすることにより、ポリイミド膜の全域が
一様により高いイミド化率が得られるようにさせたこと
である。
射光量を測定することによって、イミド化率を測定しな
がらベーキングすることにより、ポリイミド膜の全域が
一様により高いイミド化率が得られるようにさせたこと
である。
従って、半導体基板上に接着力の高い、リーク電流の少
ないポリイミド膜を形成できるポリイミドベーク装置が
得られるという効果がある。
ないポリイミド膜を形成できるポリイミドベーク装置が
得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すポリイミドベーク装置
の正面図、第２図は本発明の実施例に使用した加熱台の
上面図である。 １・・・赤外線検知器、２・・・赤外線投光器、３・・
・赤外線受光器、４・・・半導体基板、５・・・加熱台
、６・・・赤外線、７・・・ヒータ、８・・・矢印、９
・・・ウェーハチャック部、１０・・・ヒータブロック
、１１・・・絶縁部材、１２・・・穴、１３ａ、１３ｂ
、１３ ｃ−渦。
の正面図、第２図は本発明の実施例に使用した加熱台の
上面図である。 １・・・赤外線検知器、２・・・赤外線投光器、３・・
・赤外線受光器、４・・・半導体基板、５・・・加熱台
、６・・・赤外線、７・・・ヒータ、８・・・矢印、９
・・・ウェーハチャック部、１０・・・ヒータブロック
、１１・・・絶縁部材、１２・・・穴、１３ａ、１３ｂ
、１３ ｃ−渦。
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布されたポリイミド膜上を走査しポ
リイミド膜の温度及び温度分布を測定する赤外線による
温度測定器と、前記温度を制御する加熱台に内蔵された
複数個のヒータ及びこれらヒータを制御するヒータ制御
装置と、前記ポリイミド膜上に赤外光を照射しその反射
光量を測定することによってイミド化率を測定するイミ
ド化率測定装置とを備えるとともに前記イミド化率を測
定しながら前記ポリイミド膜をイミド化するポリイミド
ベーク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28944288A JP2715485B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ポリイミドベーク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28944288A JP2715485B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ポリイミドベーク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134821A true JPH02134821A (ja) | 1990-05-23 |
| JP2715485B2 JP2715485B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=17743311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28944288A Expired - Lifetime JP2715485B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ポリイミドベーク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715485B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326491A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5549756A (en) * | 1994-02-02 | 1996-08-27 | Applied Materials, Inc. | Optical pyrometer for a thin film deposition system |
| JP2002538501A (ja) * | 1999-02-22 | 2002-11-12 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | 基板を熱的に処理するための装置および方法 |
| CN109440232A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-08 | 浙江浩睿新材料科技有限公司 | 一种制备聚酰亚胺纤维长丝的亚胺化装置及亚胺化方法 |
| CN111552102A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 抗压液晶显示结构及其制造方法 |
| US20200408600A1 (en) * | 2018-01-11 | 2020-12-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Inspection method, inspection apparatus, production method, and production system for heatsink |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP28944288A patent/JP2715485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326491A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5549756A (en) * | 1994-02-02 | 1996-08-27 | Applied Materials, Inc. | Optical pyrometer for a thin film deposition system |
| US5782974A (en) * | 1994-02-02 | 1998-07-21 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a thin film using an optical pyrometer |
| JP2002538501A (ja) * | 1999-02-22 | 2002-11-12 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | 基板を熱的に処理するための装置および方法 |
| US20200408600A1 (en) * | 2018-01-11 | 2020-12-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Inspection method, inspection apparatus, production method, and production system for heatsink |
| US11802797B2 (en) * | 2018-01-11 | 2023-10-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Inspection method, inspection apparatus, production method, and production system for heatsink |
| CN109440232A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-08 | 浙江浩睿新材料科技有限公司 | 一种制备聚酰亚胺纤维长丝的亚胺化装置及亚胺化方法 |
| CN111552102A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 抗压液晶显示结构及其制造方法 |
| CN111552102B (zh) * | 2020-05-19 | 2023-12-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种固化设备及其均匀固化的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715485B2 (ja) | 1998-02-18 |
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