JP2001307981A - 加熱装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の湾曲や温度検出手段の位置ずれ等によ
る影響を抑えた安定した加熱処理を行うこと。また、温
度検出手段と基板が接触する際に放電が起こらないよう
にすること。 【解決手段】 被処理基板を載置する加熱プレートに、
上下に貫通する孔部を設け、この孔部の中に温度検出手
段を通すと共にこれを塞ぐように上側に反射鏡を設け
る。反射鏡は複数の凹面鏡を組み合わせてなり、いずれ
も一致しない複数の焦点からなる焦点群を形成するよう
に構成されている。温度検出手段の先端の温度検知部は
基板と反射鏡に挟まれ、且つ基板に接することがないよ
うに位置決めし、前記反射鏡が形成する焦点群は温度検
知部近傍となるように構成する。温度検知部の表面は例
えば黒色のセラミックスでコーティングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）な
どの基板を加熱する加熱装置及びその方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィは、レジスト液の塗布、露光、現像
の一連の工程からなり、レジスト液の塗布後、露光の前
に溶剤揮発のためにベーク処理が行われる。近年、半導
体デバイスの回路パターンの線幅が微細化していること
から、レジスト液の塗布膜は高い面内均一性が要求され
ており、このため、ベーク処理においても高い精度で温
度管理が要求されている。

【０００３】このベーク処理は、例えば図７に示すよう
に例えば３本のリング状ヒータ１１が同心円上に埋設さ
れ、表面に例えば高さ１００μｍの３つの突起部１２
（ここでは一つだけを図示）が設けられた加熱プレート
１３を用い、ウエハＷを前記突起部１２により周縁裏面
側から水平に支持して、加熱プレート１３から離間させ
た状態で例えば百数十度の温度で加熱することにより行
われている。そして加熱プレート１３には、例えば中心
から径方向に向かって複数の温度検出手段である例えば
熱電対１４を孔部１４ａを通して加熱プレート１３の表
面近傍に位置させ、この熱電対１４によりウエハＷの温
度を検出してヒータ１１の発熱量を調整し、以ってウエ
ハＷの温度制御を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで多層処理され
たウエハＷの多くはわずかながら反っているためウエハ
Ｗの反りの向きや程度により、熱電対１４とウエハＷと
の距離が変わってくるが、熱電対１４とウエハＷとの距
離の変化に対して熱電対１４の検出温度の変化の度合い
が大きいので極端に言うとウエハＷ毎にウエハＷの温度
と熱電対１４の検出温度との対応関係が変わってくる。
このため従来の装置では小数点以下の温度レベルで見る
と、安定した温度検出が困難であるといえる。

【０００５】一方パターンの微細化が進んでいることか
ら、ベーク処理においてもより一層高い精度でウエハＷ
を所定の温度に加熱し、かつ高い面内温度均一性例えば
０．５℃以内の面内温度均一性が要求されてくる。この
ような厳しい要求を踏まえると、今よりも信頼性の高
い、安定した温度検出を行うことが必要になる。

【０００６】なお、熱電対１４をウエハＷに接触させる
手法も考えられるが、この場合にはウエハＷの反りによ
り、熱電対１４がウエハＷに接触しないこともあり、接
触の有無による検出温度の差が大きく、またウエハＷが
帯電している場合には接触部位が静電破壊するおそれが
あるし、また熱電対１４を介してウエハＷにごみの付く
おそれもあるので、現実的には採用しにくい。

【０００７】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、信頼性の高い安定した温度
検出を行うことにより、基板を高い精度で所定の温度に
加熱することができ、例えば面内均一性の高い加熱処理
を行うことのできる加熱装置及びその方法を提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る加熱装置
は、基板を載置するための載置部と、この載置部に載置
された基板を加熱する加熱手段と、前記基板の裏面と対
向して設けられた反射鏡と、前記基板に接近しかつ当該
基板と前記反射鏡との間に位置するように設けられ、前
記反射鏡よりも小さい温度検知部と、この温度検知部に
より検出された温度検出値に基づいて前記加熱手段を制
御する手段と、を備えたことを特徴とする。

【０００９】反射鏡は例えば複数の焦点を有する凹状に
形成され、温度検知部は、例えば基板と反射鏡の焦点と
の間に位置するように設けられる。前記載置部は、例え
ば加熱手段及び反射鏡を備えた加熱プレートにより構成
される。この加熱プレートは微小な隙間を介して基板を
載置し、この基板と対向するように細い孔部を形成し、
加熱プレート裏側から前記孔部を通して温度検知部を設
けると共に該孔部を塞ぐように反射鏡を設けるように構
成することができる。

【００１０】このような構成によれば、温度検知部を基
板にできるだけ接近させ、また反りのある基板に対して
も接触することがないように僅かな隙間を介して設けて
いるので、基板に近い温度を検出することができ、また
温度検知部は、基板から直接受ける熱に加えて、反射鏡
からの反射熱を受熱するため、基板と温度検知部との距
離が常に一定でなくとも温度検知部の受熱量と基板温度
との対応関係が安定するので、正確な温度検出が行え、
この温度検出値に基づき基板に対する安定した加熱処理
を行うことができる。そして複数の焦点を有する反射鏡
を用い、温度検知部をそれら焦点群の位置からずらしか
つその近傍に配置すれば、基板からの輻射熱が各焦点に
分散して集熱されるので、基板と反射鏡とに対する温度
検知部の相対位置に多少ばらつきがあっても、温度検出
値の差は少ない。

【００１１】この温度検知部としては例えば熱電対が用
いられ、この場合、表面を絶縁体でコーティングするこ
とで、基板と熱電対とが万が一接触した場合にも該接触
部位にて放電が起こるおそれがない。

【００１２】また、本発明に係る加熱方法は、複数の焦
点を有する凹状の反射鏡及び加熱手段を備えた加熱プレ
−トの上に基板を載置する工程と、前記基板を加熱プレ
−トにより加熱する工程と、前記基板に接近し、当該基
板と前記反射鏡との間に位置する温度検知部により基板
の温度を検知して加熱手段を制御する工程と、を含むこ
とを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る加熱装置の実
施の形態を示した概略断面図である。２は例えば窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）により構成される円盤状の加熱プ
レートであり、その外縁には全周に亘って凹部２１が形
成されている。該加熱プレート２の表面には例えば高さ
１００μｍ（０．１ｍｍ）の３つの突起部２２が設けら
れており、これにより基板であるウエハＷは隙間ｄを介
して外縁部下方側にて水平に支持される。

【００１４】加熱プレート２の表面近傍には加熱手段で
ある例えば帯状且つリング状に形成された抵抗発熱体か
らなる３つのヒータ３（内側から順に３ａ、３ｂ、３
ｃ）が同心円をなすように埋設されており、このヒータ
３（３ａ、３ｂ、３ｃ）からの熱が加熱プレート２及び
隙間ｄを介してウエハＷを加熱する構成となっている。
なお、図示の便宜上ヒータ３の数を３個にしてあるが、
実際には４個以上であってもよく、またヒータ３（３
ａ、３ｂ、３ｃ）は加熱プレート２の裏面側に貼り付け
られていてもよい。

【００１５】加熱プレート２の表面には例えば中央部
と、ヒータ３ａ、３ｂの近傍位置を、３つの孔部４（４
ａ、４ｂ、４ｃ）が上下に貫通して形成されており、該
孔部４（４ａ、４ｂ、４ｃ）の内部には例えば熱電対か
らなる温度検出手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が挿入され
ると共に下方側が熱伝導を加熱プレート２の素材と同じ
密着性及び強度にする例えばポリイシド樹脂の封止材４
１により封止された構成となっている。

【００１６】ところで、温度検出手段５（５ａ、５ｂ、
５ｃ）は各々が各ヒータ３（３ａ、３ｂ、３ｃ）の制御
を受け持つものであり、前記孔部４（４ａ、４ｂ、４
ｃ）の孔径があまりに大きいと孔部の形成されていない
加熱プレート２の表面の他の部位との間に温度差が生じ
てしまい正確な温度測定ができなくなってしまう。この
ため各孔部４（４ａ、４ｂ、４ｃ）の大きさ（径）は、
ウエハＷへの温度の影響が出ない程度の大きさ例えば直
径３ｍｍ以上２０ｍｍ以下に、より好ましくは４ｍｍ以
上６ｍｍ以下となるように設定される。

【００１７】次に、本実施の形態における主要部である
温度検出手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）の周辺について５
ａを例に取り図２及び図３を用いて説明する。温度検出
手段５ａは例えばクロメル線とアルメル線とからなる線
部５０とその先端に設けられる温度検知部５１とからな
り、図２に示すように例えば直径０．２ｍｍの線部５０
が例えば孔部４ａの中心を通り、例えば直径０．３ｍｍ
の球形をなす温度検知部５１の上端が例えば隙間ｄの中
間に位置するような構成となっている。

【００１８】ここで温度検知部５１の上端からウエハＷ
裏面までの距離をｄ１とすると、ｄ１の値が小さければ
小さいほど温度検知部５１は正確な温度測定を行うこと
ができるため、ｄ１の値は１００μｍ（０．１ｍｍ）以
内であることが好ましい。しかしながらウエハＷには反
りがあるものも含まれるので、ウエハＷが反って下方側
へ突出していた場合でも該温度検知部５１とウエハＷと
が接触しないように、例えばｄ１の値が５０μｍ程度と
なるように設定する。即ち、温度検知部５１はその上部
側が孔部４ａから僅かに頭を出すように位置決めされ
る。

【００１９】温度検知部５１の表面は絶縁材料例えば黒
色のセラミックスでコーティングされており、これによ
り集熱効果を高め、また仮に該温度検知部５１とウエハ
Ｗとが接触した場合にも放電が起こりにくい構成となっ
ている。

【００２０】一方、温度検知部５１の下方側の孔部４ａ
内に設けられる前記封止材４１の上面には、リフレクタ
をなす下に凹んだ反射鏡４２が設けられている。この反
射鏡４２はヒータ３（３ａ、３ｂ、３ｃ）により加熱さ
れたウエハＷが下方側へ放射する熱エネルギーを、温度
検知部５１近傍へと反射、集熱するものであり、その表
面は例えば金（Ａｕ）によりコーティングされるが、こ
れ以外にもアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵ
Ｓ）を鏡面研磨したものを用いることも可能である。

【００２１】ここで反射鏡４２について説明を行うと、
該反射鏡４２は例えば図３に示すように孔部４ａを塞ぐ
ように構成された凹面鏡４３の表面に、上から見たとき
の中心部を中心に周方向に複数例えば３つの小さな凹面
鏡４４（４４ａ、４４ｂ、４４ｃ）が１２０度づつずれ
た位置に形成された構成となっている。その理由につい
ては後述するが反射鏡４２を構成するこれらの凹面鏡４
３、４４（４４ａ、４４ｂ、４４ｃ）は、各々の形成す
る焦点Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４がいずれも一致せず、且
つ接近して焦点群を形成し、この焦点群が温度検知部５
１の近傍に形成されるように組み合わされている。この
焦点群を図示すると、例えば図２のように凹面鏡４３の
焦点Ｆ１と、この焦点Ｆ１に対して等距離で線部５０の
周囲を囲むＦ２、Ｆ３、Ｆ４とにより表すことができ
る。なお図２では作図の都合上、凹面鏡４４ｃ及び焦点
Ｆ４を省略しているここで図１に戻って加熱プレート２
の周囲について説明を行う。前記ヒータ３（３ａ、３
ｂ、３ｃ）は、各々が対応する電力制御部３１（３１
ａ、３１ｂ、３１ｃ）を介して電力供給源３２と接続さ
れ、また電力制御部３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ）及
び前記温度検出手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）は夫々温度
制御部６の出力側及び入力側に接続されており、例えば
温度検出手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）の温度検出信号は
温度制御部６に入力され、夫々対応する設定値と比較さ
れて、その比較信号により電力供給量を調整する構成と
なっている。

【００２２】ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜の膜
厚は、例えばスピンコーティング法で形成した場合外側
にいくほど高くなっているので、ヒータ３（３ａ、３
ｂ、３ｃ）の温度は、これに対応するように例えば外側
のものほど高く設定してウエハＷの温度の面内均一性を
確保するようにしている。なお図示していないが、加熱
プレート２には、図示しない搬送アームによりウエハＷ
を搬入出する際に該ウエハＷを昇降させるためのリフト
ピンが突没自在に設けられている。

【００２３】次に加熱プレート２の上部側の説明を行
う。該上部側には下方側が開口する円筒状の蓋体２３が
駆動機構２４により昇降自在に設けられており、該蓋体
２３はウエハＷの加熱時（ベーク処理時）に下降し、そ
の下端が凹部２１と嵌合してウエハＷの周囲を囲い、処
理容器をなす構成となっている。

【００２４】この蓋体２３の上面は、外側から中心部に
向かって次第に高くなるように緩やかに傾斜しており、
その中心部に排気管２５と接続する排気口２５ａが形成
され、外縁部には複数のガス供給孔２６が周方向に形成
されている。また排気口２５ａの周囲には、窒素ガスや
アルゴンガスなどの不活性ガスをパージガスとして供給
するためのガス供給管２７と接続する複数のガス供給口
２７ａが例えば周方向に形成されており、このガス供給
口２７ａから供給される前記不活性ガスは前記ガス供給
口２６を介して処理容器内部へと供給される構成となっ
ている。

【００２５】次に上述実施の形態の作用について説明を
行う。先ず、駆動機構２４により蓋体２３が持ち上げら
れ、例えばレジスト液が塗布されたウエハＷは蓋体２３
と加熱プレート２との隙間から図示しない搬送アームに
よって加熱プレート２内へと搬入され、図示しないリフ
トピンの昇降動作と協働して所定の位置へ載置される。

【００２６】そして蓋体２３を下降させて蓋体２３及び
加熱プレート２により囲まれるウエハＷの処理空間を形
成し、ガス供給口２７からパージガス例えば窒素ガスの
供給を開始する。ガス供給口２７から下方側へ供給さ
れ、下降流を形成する窒素ガスは、図１の矢印に示すよ
うにウエハＷ近傍を該ウエハＷの外縁側から中央へと横
切って上方側の排気口２５ａへと吸い上げられる。この
ように気流を形成することにより、ウエハＷ上方に自然
対流が発生することを抑え、ウエハＷ表面に温度分布が
生じることを抑えている。

【００２７】一方、加熱プレート２は所定温度に加熱さ
れており、ウエハＷは加熱プレート２上に（詳しくは突
起部２２上に）載置されることにより昇温する。このと
き、各孔部４（４ａ、４ｂ、４ｃ）に対向するウエハＷ
の各部位からの輻射熱は、反射鏡４２で反射され、前記
焦点Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４に集熱される。従って孔部
４（４ａ、４ｂ、４ｃ）とウエハＷとの間に位置する温
度検知部５１は、ウエハＷからの輻射熱と、隙間ｄ１を
伝導した熱と、反射鏡４２で反射した前記輻射熱とによ
り昇温するが、温度検知部５１は焦点Ｆ１、Ｆ２、Ｆ
３、Ｆ４の近傍にあるので、反射鏡４２からの反射熱に
ついてはそのかなりの部分を受熱する。

【００２８】この温度検知部５１で得られた温度に対す
る信号（温度検出信号）は、温度制御部６で設定値と比
較され、その比較信号に応じて各ヒータ３（３ａ、３
ｂ、３ｃ）の電力量がコントロールされてウエハＷの加
熱制御が行われる。そして所定時間加熱された後、蓋体
２３を上昇させ該ウエハＷの搬出を行なう。

【００２９】このように本実施の形態では、温度検知部
５１をできるだけウエハＷに近づけ、反りがあるものに
対しても接触しないように、例えば反りのないウエハＷ
であれば５０μｍ下方側に位置させているので、該温度
検知部５１はウエハＷに近い温度まで昇温することとな
る。

【００３０】一方、温度検知部５１は焦点Ｆ１〜Ｆ４の
散在する領域の近傍にあるため、反射鏡４２を介してウ
エハＷからの大部分の熱を受熱しており、上述したウエ
ハＷからの輻射熱及び隙間ｄ１を介して伝導する熱と併
せると、その合計値はウエハＷの温度に正確に対応した
温度となる。即ち、ウエハＷの反りの影響でウエハＷと
温度検知部５１との距離が常に一定でなくとも、温度検
知部５１の受熱量はそれほど変動しないので、前記距離
の差による温度検出値の変動分は既述の従来装置に比べ
て少なく、従って常に信頼性の高い安定した温度検出が
行える。この結果、温度検出値に基づき高精度で安定し
た温度制御をすることができるため、面内均一性の高い
ベーク処理を行うことができる。

【００３１】また、温度検知部５１は表面が絶縁体にて
コーティングされているので、ウエハＷの反りや温度検
知部５１の位置のずれ等によりウエハＷと温度検知部５
１とが万が一接触した場合にも、該接触部位にて放電が
起こるおそれがない。

【００３２】上述実施の形態に係る加熱装置は、より高
温なベーク処理を行う加熱装置に適用することも可能で
あり、この場合には例えば加熱プレート２とウエハＷと
の間隔ｄが０．５〜２．０ｍｍであり、図５に示すよう
に温度検知部５１がウエハＷと加熱プレート２との間に
位置するように設けられる。

【００３３】なお本実施の形態では温度検知部５１の形
状を球形としたが、形状はこれに限られず、例えば図４
に図示する温度検知部７１のように例えば正８面体とし
てもよく、このような形状とすることで例えば集熱率を
上げられる利点がある。また、温度検出手段５（５ａ、
５ｂ、５ｃ）は熱電対に限らず例えば光ファイバーを用
い、この光ファイバーの先端部で検知した光を温度に変
換して当該部位の温度を得るようにしてもよい。

【００３４】次に上述の加熱装置を例えば加熱ユニット
に組み込んだ塗布・現像装置の一例について図５及び図
６を参照しながら説明する。図５及び図６に示す塗布・
現像装置８において、９１は例えば２５枚のウエハＷが
収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステ
ーションであり、このカセットステーション９１には前
記カセットＣを載置する載置部９１ａと、カセットＣか
らウエハＷを取り出すための受け渡し手段９２とが設け
られている。カセットステーション９１の奥側には、例
えばカセットステーション９１から奥を見て例えば右側
には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥
側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚
ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共
に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ
３，Ｕ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送
アームＭＡが設けられている。但し図５では便宜上受け
渡し手段９２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描い
ていない。

【００３５】塗布・現像系のユニットＵ１においては、
例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニ
ット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニ
ット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４
においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエ
ハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に
割り当てされている。

【００３６】この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニッ
トＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶこ
とにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニ
ット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。
インタ−フェイスユニット９５は例えば昇降自在、左
右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成
されたウエハＷの受け渡し手段９７により前記処理ブロ
ックと露光ブロック９６との間でウエハＷの受け渡しを
行うものである。

【００３７】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２により
カセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・
冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して
搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の
一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユ
ニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形
成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニ
ットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェース
ユニット９５の受け渡し手段９７と受け渡し可能な冷却
ユニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニッ
ト９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送ら
れ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行
われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け
取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブ
ロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。

【００３８】この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度
に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却さ
れ、続いて現像ユニット９３に送られて現像処理され、
レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは載置
部９１ａ上のカセットＣ内に戻される。

【００３９】以上において塗布液としてはレジスト液に
限らず層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配
線材料、有機金属材料、金属ペースト等を用いるように
してもよい。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板を高
い精度で所定の温度に加熱することができ、面内均一性
の高い加熱処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る加熱装置を示す縦断
面図である。

【図２】図１における温度測定手段及びその周辺部位を
拡大した説明図である。

【図３】反射鏡を説明するための概略平面図である。

【図４】前記温度測定手段の他の実施の形態を示す概略
斜視図である。

【図５】本発明に係る加熱装置の更に他の実施の形態を
説明する説明図である。

【図６】前記加熱装置を組み込んだ塗布・現像装置の一
例を示す斜視図である。

【図７】前記加熱装置を組み込んだ塗布・現像装置の一
例を示す平面図である。

【図８】従来発明に係る加熱装置を説明するための概略
断面図である。

【符号の説明】

Ｗ ウエハ ｄ 隙間 ２ 加熱プレート ２２ 突起部 ３ ヒータ ４ 孔部 ４１ 封止材 ４２ 反射鏡 ４３、４４ 凹面鏡 ５ 温度検出手段 ５１ 温度検知部

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を載置するための載置部と、 この載置部に載置された基板を加熱する加熱手段と、 前記基板の裏面と対向して設けられた反射鏡と、 前記基板に接近しかつ当該基板と前記反射鏡との間に位
   置するように設けられ、前記反射鏡よりも小さい温度検
   知部と、 この温度検知部により検出された温度検出値に基づいて
   前記加熱手段を制御する手段と、を備えたことを特徴と
   する加熱装置。
2. 【請求項２】 反射鏡は凹状に形成されていることを特
   徴とする請求項１記載の加熱装置。
3. 【請求項３】 温度検知部は、基板と反射鏡の焦点との
   間に位置するように設けられたことを特徴とする請求項
   ２記載の加熱装置。
4. 【請求項４】 反射鏡は複数の焦点を有する凹状に形成
   されていることを特徴とする請求項１，２または３記載
   の加熱装置。
5. 【請求項５】 載置部は、加熱手段と反射鏡とを備えた
   加熱プレ−トにより構成されていることを特徴とする請
   求項１ないし４のいずれかに記載の加熱装置。
6. 【請求項６】 加熱プレ−トには基板と対向するように
   細い孔部が形成され、反射鏡は加熱プレ−トの表面より
   も下がった位置にて前記孔部を塞ぐように設けられてい
   ることを特徴とする請求項５記載の加熱装置。
7. 【請求項７】 基板は加熱プレ−トから微小な隙間を介
   して載置されていることを特徴とする請求項５または６
   記載の加熱装置。
8. 【請求項８】 温度検知部は、前記加熱プレ−トの裏側
   から前記孔部を通して設けられることを特徴とする請求
   項５，６または７記載の加熱装置。
9. 【請求項９】 温度検知部は熱電対であることを特徴と
   する請求項１ないし８のいずれかに記載の加熱装置。
10. 【請求項１０】 熱電対は表面が絶縁体で覆われている
    ことを特徴とする請求項９記載の加熱装置。
11. 【請求項１１】 複数の焦点を有する凹状の反射鏡及び
    加熱手段を備えた加熱プレ−トの上に基板を載置する工
    程と、 前記基板を加熱プレ−トにより加熱する工程と、 前記基板に接近し、当該基板と前記反射鏡との間に位置
    する温度検知部により基板の温度を検知して加熱手段を
    制御する工程と、を含むことを特徴とする加熱方法。