JP2003100605A - 基板熱処理装置 - Google Patents
基板熱処理装置Info
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- JP2003100605A JP2003100605A JP2001292492A JP2001292492A JP2003100605A JP 2003100605 A JP2003100605 A JP 2003100605A JP 2001292492 A JP2001292492 A JP 2001292492A JP 2001292492 A JP2001292492 A JP 2001292492A JP 2003100605 A JP2003100605 A JP 2003100605A
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理前、処理中および処理後の基板の温度を
リアルタイムにモニタすることができる基板熱処理装置
を提供することである。 【解決手段】 基板Ｗを昇降移動させる昇降ピン３の先
端部に温度センサＳが取り付けられる。加熱プレート１
上で基板Ｗを支持するスペーサ５に温度センサＳが取り
付けられる。基板Ｗの下降時および上昇時に昇降ピン３
の先端部の温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定さ
れ、基板Ｗの加熱処理前、加熱処理中および加熱処理後
にスペーサ５の温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定
される。
リアルタイムにモニタすることができる基板熱処理装置
を提供することである。 【解決手段】 基板Ｗを昇降移動させる昇降ピン３の先
端部に温度センサＳが取り付けられる。加熱プレート１
上で基板Ｗを支持するスペーサ５に温度センサＳが取り
付けられる。基板Ｗの下降時および上昇時に昇降ピン３
の先端部の温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定さ
れ、基板Ｗの加熱処理前、加熱処理中および加熱処理後
にスペーサ５の温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に加熱処理、
冷却処理等の温度処理を行う基板熱処理装置に関する。
冷却処理等の温度処理を行う基板熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板の処理工程では、膜が形成された基板を所定の温度
に加熱する基板加熱装置および加熱後の基板を所定の温
度にまで冷却する基板冷却装置が用いられる。以下、基
板加熱装置および基板冷却装置を基板熱処理装置と総称
する。
板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板の処理工程では、膜が形成された基板を所定の温度
に加熱する基板加熱装置および加熱後の基板を所定の温
度にまで冷却する基板冷却装置が用いられる。以下、基
板加熱装置および基板冷却装置を基板熱処理装置と総称
する。
【０００３】例えば、半導体製造プロセスにおけるレジ
スト膜の塗布処理および現像処理の過程では、種々の加
熱処理が行われる。加熱処理としては、レジスト膜の塗
布前に行う密着強化処理、デハイドレーション（水分の
蒸発）ベーク、レジスト膜の塗布後で露光前に行うプリ
ベーク、露光後に行うポストエクスポージャ（露光後；
ＰＥＢ）ベーク、現像後に行うポストベーク等がある。
スト膜の塗布処理および現像処理の過程では、種々の加
熱処理が行われる。加熱処理としては、レジスト膜の塗
布前に行う密着強化処理、デハイドレーション（水分の
蒸発）ベーク、レジスト膜の塗布後で露光前に行うプリ
ベーク、露光後に行うポストエクスポージャ（露光後；
ＰＥＢ）ベーク、現像後に行うポストベーク等がある。
【０００４】図６は従来の基板加熱装置の断面図、図７
は図６の基板加熱装置の加熱プレートの部分拡大断面図
である。
は図６の基板加熱装置の加熱プレートの部分拡大断面図
である。
【０００５】図６の基板加熱装置は、筐体６０の内部に
基板Ｗを加熱する加熱プレート５１を備える。図７に示
すように、加熱プレート５１は放熱板５１ａおよび伝熱
部材５１ｂから構成される。伝熱部材５１ｂの内部には
ヒータ６６等の加熱要素が埋め込まれている。放熱板５
１ａの上面には、複数のスペーサ受入孔６５が形成され
ている。スペーサ受入孔６５の内部には球状体からなる
スペーサ５５が挿入されている。スペーサ受入孔６５
は、スペーサ５５が放熱板５１ａの上面から所定の高さ
だけ突出できるようにその深さが設定されている。これ
により、基板Ｗをスペーサ５５上に載置すると、基板Ｗ
が放熱板５１ａの上面から微小隙間ｄをもって保持され
る。
基板Ｗを加熱する加熱プレート５１を備える。図７に示
すように、加熱プレート５１は放熱板５１ａおよび伝熱
部材５１ｂから構成される。伝熱部材５１ｂの内部には
ヒータ６６等の加熱要素が埋め込まれている。放熱板５
１ａの上面には、複数のスペーサ受入孔６５が形成され
ている。スペーサ受入孔６５の内部には球状体からなる
スペーサ５５が挿入されている。スペーサ受入孔６５
は、スペーサ５５が放熱板５１ａの上面から所定の高さ
だけ突出できるようにその深さが設定されている。これ
により、基板Ｗをスペーサ５５上に載置すると、基板Ｗ
が放熱板５１ａの上面から微小隙間ｄをもって保持され
る。
【０００６】図６に示すように、加熱プレート５１には
基板Ｗを昇降移動させる３本の昇降ピン５３を通過させ
るための３つの貫通孔５４が形成されている。また、加
熱プレート５１の上方には加熱プレート５１の上面を覆
う上部カバー５２が筐体６０の上面内側に取り付けられ
ている。
基板Ｗを昇降移動させる３本の昇降ピン５３を通過させ
るための３つの貫通孔５４が形成されている。また、加
熱プレート５１の上方には加熱プレート５１の上面を覆
う上部カバー５２が筐体６０の上面内側に取り付けられ
ている。
【０００７】さらに、加熱プレート５１の下部には、基
板Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン５３
およびこれに連結される昇降プレート５６が配置されて
いる。昇降プレート５６の一端にはシリンダ５７が筐体
６０の外部において連結されている。また、昇降プレー
ト５６に連結部５８を介して基板給排口６１を開閉する
シャッタ５９が連結されている。そして、シリンダ５７
のロッドの伸縮により昇降プレート５６および昇降ピン
５３が昇降移動する。昇降プレート５６および昇降ピン
５３が上昇した際に、基板Ｗが加熱プレート５１の上方
の待機位置に保持されるとともに連結部５８によりシャ
ッタ５９が開き、昇降プレート５６および昇降ピン５３
が下降した際に、基板Ｗが加熱プレート５１上のスペー
サ５５上に支持されるとともに連結部５８によりシャッ
タ５９が閉じる。
板Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン５３
およびこれに連結される昇降プレート５６が配置されて
いる。昇降プレート５６の一端にはシリンダ５７が筐体
６０の外部において連結されている。また、昇降プレー
ト５６に連結部５８を介して基板給排口６１を開閉する
シャッタ５９が連結されている。そして、シリンダ５７
のロッドの伸縮により昇降プレート５６および昇降ピン
５３が昇降移動する。昇降プレート５６および昇降ピン
５３が上昇した際に、基板Ｗが加熱プレート５１の上方
の待機位置に保持されるとともに連結部５８によりシャ
ッタ５９が開き、昇降プレート５６および昇降ピン５３
が下降した際に、基板Ｗが加熱プレート５１上のスペー
サ５５上に支持されるとともに連結部５８によりシャッ
タ５９が閉じる。
【０００８】近年の加工寸法縮小化に伴い、特にレジス
ト膜の露光後に加熱処理を行うポストエクスポージャベ
ークのベーク温度の均一性に対して厳しい精度が要求さ
れている。
ト膜の露光後に加熱処理を行うポストエクスポージャベ
ークのベーク温度の均一性に対して厳しい精度が要求さ
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、加熱処理中の
基板の温度を測定するためには、実際の半導体製造プロ
セスを中断し、熱電対等が埋め込まれた温度測定用の専
用基板を基板加熱装置に設置する必要がある。この場
合、実際の半導体製造プロセス中における基板自身の温
度を測定することはできない。すなわち、実際の半導体
製造プロセス中における基板の温度管理は事実上行われ
ていない。
基板の温度を測定するためには、実際の半導体製造プロ
セスを中断し、熱電対等が埋め込まれた温度測定用の専
用基板を基板加熱装置に設置する必要がある。この場
合、実際の半導体製造プロセス中における基板自身の温
度を測定することはできない。すなわち、実際の半導体
製造プロセス中における基板の温度管理は事実上行われ
ていない。
【００１０】近年の微細加工用のレジストは、ポストエ
クスポージャベーク時の温度に対して極めて敏感であ
る。そのため、基板上のレジスト膜は、基板の加熱処理
中の温度均一性だけでなく、基板が基板加熱装置に搬入
された後に昇降ピン５３が下降して実際の加熱処理状態
に移行するまでの間（処理待機時）の温度変化に対して
も影響を受けるようになってきている。基板が基板加熱
装置に搬入された後に実際の加熱処理状態に移行するま
での間には、基板給排口６１が開くため、クリーンルー
ムの排気、ダウンフロー等の気流の変動により基板加熱
装置内における気流に変化が生じ、温度均一性に影響を
与える可能性がある。基板が基板加熱装置に搬入された
後に実際の加熱処理状態に移行するまでの時間は一様で
はなく、気流の変動による基板加熱装置内の温度均一性
への影響は、歩留まり低下の原因となる。
クスポージャベーク時の温度に対して極めて敏感であ
る。そのため、基板上のレジスト膜は、基板の加熱処理
中の温度均一性だけでなく、基板が基板加熱装置に搬入
された後に昇降ピン５３が下降して実際の加熱処理状態
に移行するまでの間（処理待機時）の温度変化に対して
も影響を受けるようになってきている。基板が基板加熱
装置に搬入された後に実際の加熱処理状態に移行するま
での間には、基板給排口６１が開くため、クリーンルー
ムの排気、ダウンフロー等の気流の変動により基板加熱
装置内における気流に変化が生じ、温度均一性に影響を
与える可能性がある。基板が基板加熱装置に搬入された
後に実際の加熱処理状態に移行するまでの時間は一様で
はなく、気流の変動による基板加熱装置内の温度均一性
への影響は、歩留まり低下の原因となる。
【００１１】本発明の目的は、処理前、処理中および処
理後の基板の温度をリアルタイムにモニタすることがで
きる基板熱処理装置を提供することである。
理後の基板の温度をリアルタイムにモニタすることがで
きる基板熱処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板熱処理装置は、基板に温度処理を行うた
めの基板熱処理装置であって、基板を上面上に支持する
基板支持台と、基板支持台に設けられた温度処理手段
と、基板支持台の上面に対して基板を昇降移動させるた
めの複数の昇降部材と、複数の昇降部材を上下方向に駆
動する昇降部材駆動手段と、複数の昇降部材の少なくと
も１つに設けられた第１の温度測定手段とを備えたもの
である。
発明に係る基板熱処理装置は、基板に温度処理を行うた
めの基板熱処理装置であって、基板を上面上に支持する
基板支持台と、基板支持台に設けられた温度処理手段
と、基板支持台の上面に対して基板を昇降移動させるた
めの複数の昇降部材と、複数の昇降部材を上下方向に駆
動する昇降部材駆動手段と、複数の昇降部材の少なくと
も１つに設けられた第１の温度測定手段とを備えたもの
である。
【００１３】本発明に係る基板熱処理装置においては、
基板が基板支持台の上面上に支持され、基板支持台に設
けられた温度処理手段により基板に温度処理が行われ
る。この場合、昇降部材駆動手段により上下方向に駆動
される複数の昇降部材により基板支持台の上面に対して
基板が昇降移動する。それにより、基板支持台の上面上
に基板が搬入および搬出される。
基板が基板支持台の上面上に支持され、基板支持台に設
けられた温度処理手段により基板に温度処理が行われ
る。この場合、昇降部材駆動手段により上下方向に駆動
される複数の昇降部材により基板支持台の上面に対して
基板が昇降移動する。それにより、基板支持台の上面上
に基板が搬入および搬出される。
【００１４】特に、複数の昇降部材の少なくとも１つに
第１の温度測定手段が設けられているので、基板の搬入
時、基板の温度処理時および基板の搬出時にわたって基
板の温度が測定される。それにより、処理前、処理中お
よび処理後の基板の温度をリアルタイムにモニタするこ
とができる。したがって、温度均一性を向上されること
ができ、基板処理における歩留まりを向上させることが
可能となる。
第１の温度測定手段が設けられているので、基板の搬入
時、基板の温度処理時および基板の搬出時にわたって基
板の温度が測定される。それにより、処理前、処理中お
よび処理後の基板の温度をリアルタイムにモニタするこ
とができる。したがって、温度均一性を向上されること
ができ、基板処理における歩留まりを向上させることが
可能となる。
【００１５】第２の発明に係る基板熱処理装置は、基板
に温度処理を行うための基板熱処理装置であって、基板
を上面上に支持する基板支持台と、基板支持台に設けら
れた温度処理手段と、基板支持台の上面に対して基板を
昇降移動させるための複数の第１の昇降部材と、複数の
第１の昇降部材を上下方向に駆動する昇降部材駆動手段
と、複数の第１の昇降部材により昇降移動する基板に接
触するように昇降する第２の昇降部材と、第２の昇降部
材に設けられた第１の温度測定手段とを備えたものであ
る。
に温度処理を行うための基板熱処理装置であって、基板
を上面上に支持する基板支持台と、基板支持台に設けら
れた温度処理手段と、基板支持台の上面に対して基板を
昇降移動させるための複数の第１の昇降部材と、複数の
第１の昇降部材を上下方向に駆動する昇降部材駆動手段
と、複数の第１の昇降部材により昇降移動する基板に接
触するように昇降する第２の昇降部材と、第２の昇降部
材に設けられた第１の温度測定手段とを備えたものであ
る。
【００１６】本発明に係る基板熱処理装置においては、
基板が基板支持台の上面上に支持され、基板支持台に設
けられた温度処理手段により基板に温度処理が行われ
る。この場合、昇降部材駆動手段により上下方向に駆動
される複数の第１の昇降部材により基板支持台の上面に
対して基板が昇降移動する。それにより、基板支持台の
上面上に基板が搬入および搬出される。
基板が基板支持台の上面上に支持され、基板支持台に設
けられた温度処理手段により基板に温度処理が行われ
る。この場合、昇降部材駆動手段により上下方向に駆動
される複数の第１の昇降部材により基板支持台の上面に
対して基板が昇降移動する。それにより、基板支持台の
上面上に基板が搬入および搬出される。
【００１７】特に、第２の昇降部材に第１の温度測定手
段が設けられているので、基板の搬入時、基板の温度処
理時および基板の搬出時にわたって基板の温度が測定さ
れる。それにより、処理前、処理中および処理後の基板
の温度をリアルタイムにモニタすることができる。した
がって、温度均一性を向上されることができ、基板処理
における歩留まりを向上させることが可能となる。
段が設けられているので、基板の搬入時、基板の温度処
理時および基板の搬出時にわたって基板の温度が測定さ
れる。それにより、処理前、処理中および処理後の基板
の温度をリアルタイムにモニタすることができる。した
がって、温度均一性を向上されることができ、基板処理
における歩留まりを向上させることが可能となる。
【００１８】第３の発明に係る基板熱処理装置は、第１
または第２の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、基板支持台の上面に対して基板を間隔を保って支持
するための複数の支持体と、複数の支持体の少なくとも
１つに設けられた第２の温度測定手段とをさらに備えた
ものである。
または第２の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、基板支持台の上面に対して基板を間隔を保って支持
するための複数の支持体と、複数の支持体の少なくとも
１つに設けられた第２の温度測定手段とをさらに備えた
ものである。
【００１９】この場合、基板が複数の支持体により基板
支持台の上面に対して間隔を保って支持される。特に、
複数の支持体の少なくとも１つに第２の温度測定手段が
設けられているので、基板支持台の上面上に支持される
基板から昇降部材が離れた場合でも、第２の温度測定手
段により基板の温度が測定される。それにより、処理
前、処理中および処理後の基板の温度をリアルタイムに
モニタすることができる。
支持台の上面に対して間隔を保って支持される。特に、
複数の支持体の少なくとも１つに第２の温度測定手段が
設けられているので、基板支持台の上面上に支持される
基板から昇降部材が離れた場合でも、第２の温度測定手
段により基板の温度が測定される。それにより、処理
前、処理中および処理後の基板の温度をリアルタイムに
モニタすることができる。
【００２０】第４の発明に係る基板熱処理装置は、第１
〜第３のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、第１の温度測定手段による測定結果に応じて警
報を出力する警報手段をさらに備えたものである。
〜第３のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、第１の温度測定手段による測定結果に応じて警
報を出力する警報手段をさらに備えたものである。
【００２１】この場合、第１の温度測定手段による測定
結果に応じて警報手段により警報が出力されるので、使
用者は温度の異常の発生を知ることができる。
結果に応じて警報手段により警報が出力されるので、使
用者は温度の異常の発生を知ることができる。
【００２２】第５の発明に係る基板熱処理装置は、第１
〜第４のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、第１の温度測定手段による測定結果に応じて温
度処理手段を制御する制御手段をさらに備えたものであ
る。
〜第４のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、第１の温度測定手段による測定結果に応じて温
度処理手段を制御する制御手段をさらに備えたものであ
る。
【００２３】この場合、第１の温度測定手段による測定
結果に応じて制御手段により温度処理手段が制御される
ので、実際の基板の温度変化に応じて温度処理手段をリ
アルタイムに制御することができる。
結果に応じて制御手段により温度処理手段が制御される
ので、実際の基板の温度変化に応じて温度処理手段をリ
アルタイムに制御することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の基板熱処理装置の
一例として基板加熱装置について説明する。
一例として基板加熱装置について説明する。
【００２５】（１）第１の実施の形態
図１は本発明の第１の実施の形態における基板加熱装置
の断面図、図２は図１の基板加熱装置の昇降ピンの部分
拡大断面図、図３は図１の基板加熱装置の加熱プレート
の部分拡大断面図である。
の断面図、図２は図１の基板加熱装置の昇降ピンの部分
拡大断面図、図３は図１の基板加熱装置の加熱プレート
の部分拡大断面図である。
【００２６】図１の基板加熱装置は、筐体１０の内部に
基板Ｗを加熱する加熱プレート１を備える。図３に示す
ように、加熱プレート１は放熱板１ａおよび伝熱部材１
ｂから構成される。伝熱部材１ｂの内部にはヒータ１６
等の加熱要素が埋め込まれている。放熱板１ａの上面に
は、複数のスペーサ受入孔１５が形成されている。スペ
ーサ受入孔１５の内部にはアルミナ、マテアタイト等の
非伝熱材料の球状体からなるスペーサ５が挿入されてい
る。スペーサ受入孔１５は、スペーサ５が放熱板１ａの
上面から所定の高さだけ突出しうるようにその深さが設
定されている。これにより、基板Ｗをスペーサ５上に載
置すると、基板Ｗが放熱板１ａの上面から微小隙間ｄを
もって保持される。
基板Ｗを加熱する加熱プレート１を備える。図３に示す
ように、加熱プレート１は放熱板１ａおよび伝熱部材１
ｂから構成される。伝熱部材１ｂの内部にはヒータ１６
等の加熱要素が埋め込まれている。放熱板１ａの上面に
は、複数のスペーサ受入孔１５が形成されている。スペ
ーサ受入孔１５の内部にはアルミナ、マテアタイト等の
非伝熱材料の球状体からなるスペーサ５が挿入されてい
る。スペーサ受入孔１５は、スペーサ５が放熱板１ａの
上面から所定の高さだけ突出しうるようにその深さが設
定されている。これにより、基板Ｗをスペーサ５上に載
置すると、基板Ｗが放熱板１ａの上面から微小隙間ｄを
もって保持される。
【００２７】図１に示すように、加熱プレート１には基
板Ｗを昇降移動させる３本の昇降ピン３を通過させるた
めの３つの貫通孔４が形成されている。また、加熱プレ
ート１の上方には加熱プレート１の上面を覆う上部カバ
ー２が筐体１０の上面内側に取り付けられている。
板Ｗを昇降移動させる３本の昇降ピン３を通過させるた
めの３つの貫通孔４が形成されている。また、加熱プレ
ート１の上方には加熱プレート１の上面を覆う上部カバ
ー２が筐体１０の上面内側に取り付けられている。
【００２８】さらに、加熱プレート１の下部には、基板
Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン３およ
びこれに連結される昇降プレート６が配置されている。
昇降プレート６の一端にはシリンダ７が筐体１０の外部
において連結されている。また、昇降プレート６に連結
部８を介して基板給排口１１を開閉するシャッタ９が連
結されている。そして、シリンダ７のロッドの伸縮によ
り昇降プレート６および昇降ピン３が昇降移動する。昇
降プレート６および昇降ピン３が上昇した際に、基板Ｗ
が加熱プレート１の上方の待機位置に保持されるととも
に連結部８によりシャッタ９が開き、昇降プレート６お
よび昇降ピン３が下降した際に、基板Ｗが加熱プレート
１上のスペーサ５上に支持されるとともに連結部８によ
りシャッタ９が閉じる。
Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン３およ
びこれに連結される昇降プレート６が配置されている。
昇降プレート６の一端にはシリンダ７が筐体１０の外部
において連結されている。また、昇降プレート６に連結
部８を介して基板給排口１１を開閉するシャッタ９が連
結されている。そして、シリンダ７のロッドの伸縮によ
り昇降プレート６および昇降ピン３が昇降移動する。昇
降プレート６および昇降ピン３が上昇した際に、基板Ｗ
が加熱プレート１の上方の待機位置に保持されるととも
に連結部８によりシャッタ９が開き、昇降プレート６お
よび昇降ピン３が下降した際に、基板Ｗが加熱プレート
１上のスペーサ５上に支持されるとともに連結部８によ
りシャッタ９が閉じる。
【００２９】図２に示すように、各昇降ピン３の先端部
には、温度センサＳが取り付けられている。温度センサ
Ｓの基板接触部３Ｈは、熱電対、抵抗温度計等の測温素
子からなり、熱電対、抵抗温度計等の測温素子を保護す
るため石英ガラス等で被覆される。温度センサＳの基板
接触部３Ｈの測温素子に接続される導線Ｌは、図１のよ
うに昇降ピン３の表面上に形成されてもよく、あるいは
昇降ピン３の内部に設けられてもよい。また、加熱プレ
ート１上のスペーサ５の基板接触部５Ｈにも同様に温度
センサＳが取り付けられている。
には、温度センサＳが取り付けられている。温度センサ
Ｓの基板接触部３Ｈは、熱電対、抵抗温度計等の測温素
子からなり、熱電対、抵抗温度計等の測温素子を保護す
るため石英ガラス等で被覆される。温度センサＳの基板
接触部３Ｈの測温素子に接続される導線Ｌは、図１のよ
うに昇降ピン３の表面上に形成されてもよく、あるいは
昇降ピン３の内部に設けられてもよい。また、加熱プレ
ート１上のスペーサ５の基板接触部５Ｈにも同様に温度
センサＳが取り付けられている。
【００３０】加熱プレート１による加熱処理、シリンダ
７による昇降ピン３の駆動および温度センサＳによる温
度の測定は、制御部１００により制御される。また、制
御部１００には、警報表示灯、警報音発生器等からなる
警報装置２００が接続されている。
７による昇降ピン３の駆動および温度センサＳによる温
度の測定は、制御部１００により制御される。また、制
御部１００には、警報表示灯、警報音発生器等からなる
警報装置２００が接続されている。
【００３１】以下に、図１の基板加熱装置の動作の一例
を説明する。シリンダ７および昇降プレート６により昇
降ピン３が上昇するとともに、シャッタ９が開く。基板
Ｗが基板搬送用アーム（図示せず）により基板給排口１
１を通して筐体１０内に搬入される。基板Ｗは、上昇し
てきた昇降ピン３により支持され、基板搬送用アームか
ら分離される。このとき、昇降ピン３の先端部に取り付
けられた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定され
る。
を説明する。シリンダ７および昇降プレート６により昇
降ピン３が上昇するとともに、シャッタ９が開く。基板
Ｗが基板搬送用アーム（図示せず）により基板給排口１
１を通して筐体１０内に搬入される。基板Ｗは、上昇し
てきた昇降ピン３により支持され、基板搬送用アームか
ら分離される。このとき、昇降ピン３の先端部に取り付
けられた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定され
る。
【００３２】次に、シリンダ７および昇降プレート６に
より昇降ピン３が下降し、基板Ｗが加熱プレート１のス
ペーサ５上に載置される。基板Ｗの下降中においても昇
降ピン３の先端部に取り付けられた温度センサＳにより
基板Ｗの温度が測定される。基板Ｗは、スペーサ５によ
り加熱プレート１から微小隙間ｄだけ離れた位置に保持
される。その後、昇降ピン３がさらに下降し、基板Ｗか
ら離れる。この場合、加熱プレート１上のスペーサ５に
取り付けられた温度センサＳにより加熱処理前、加熱処
理中および加熱処理後の基板Ｗの温度が測定される。
より昇降ピン３が下降し、基板Ｗが加熱プレート１のス
ペーサ５上に載置される。基板Ｗの下降中においても昇
降ピン３の先端部に取り付けられた温度センサＳにより
基板Ｗの温度が測定される。基板Ｗは、スペーサ５によ
り加熱プレート１から微小隙間ｄだけ離れた位置に保持
される。その後、昇降ピン３がさらに下降し、基板Ｗか
ら離れる。この場合、加熱プレート１上のスペーサ５に
取り付けられた温度センサＳにより加熱処理前、加熱処
理中および加熱処理後の基板Ｗの温度が測定される。
【００３３】加熱処理された基板Ｗは、再び上昇してき
た昇降ピン３により上昇し、基板給排口１１から基板Ｗ
を受け取るために進入する基板搬送用アームの位置まで
導かれる。このとき、昇降ピン３の先端部に取り付けら
れた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定される。
た昇降ピン３により上昇し、基板給排口１１から基板Ｗ
を受け取るために進入する基板搬送用アームの位置まで
導かれる。このとき、昇降ピン３の先端部に取り付けら
れた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定される。
【００３４】本実施の形態においては、昇降ピン３の先
端部に温度センサＳが取り付けられているので、基板Ｗ
が基板加熱装置内に搬入された後に昇降ピン３が下降し
てから実際の加熱処理状態に移行するまでの間（処理待
機時）において、基板Ｗの温度をリアルタイムにモニタ
することができる。
端部に温度センサＳが取り付けられているので、基板Ｗ
が基板加熱装置内に搬入された後に昇降ピン３が下降し
てから実際の加熱処理状態に移行するまでの間（処理待
機時）において、基板Ｗの温度をリアルタイムにモニタ
することができる。
【００３５】また、加熱プレート１上のスペーサ５にも
同様に温度センサＳが取り付けられているので、加熱プ
レート１による加熱処理中においても、基板Ｗの温度を
リアルタイムにモニタすることができる。
同様に温度センサＳが取り付けられているので、加熱プ
レート１による加熱処理中においても、基板Ｗの温度を
リアルタイムにモニタすることができる。
【００３６】このように、基板Ｗが基板加熱装置内に搬
入されてから実際の加熱処理状態を経て再び基板加熱装
置から搬出されるまでの間、一連の基板の温度をリアル
タイムにモニタすることができる。この場合、モニタさ
れる温度が予め設定された許容範囲を超えた場合に、警
報装置２００により警報を出力することができる。ま
た、モニタされる温度が予め設定された許容範囲を超え
た場合に、制御部１００により加熱プレート１の温度を
自動的に制御することができもできる。それにより、基
板加熱装置内の温度を均一に保ち、加熱処理の歩留まり
低下を防止することができる。
入されてから実際の加熱処理状態を経て再び基板加熱装
置から搬出されるまでの間、一連の基板の温度をリアル
タイムにモニタすることができる。この場合、モニタさ
れる温度が予め設定された許容範囲を超えた場合に、警
報装置２００により警報を出力することができる。ま
た、モニタされる温度が予め設定された許容範囲を超え
た場合に、制御部１００により加熱プレート１の温度を
自動的に制御することができもできる。それにより、基
板加熱装置内の温度を均一に保ち、加熱処理の歩留まり
低下を防止することができる。
【００３７】本実施の形態において、加熱プレート１が
基板支持台および温度処理手段に相当し、複数の昇降ピ
ン３が複数の昇降部材に相当し、昇降プレート６および
シリンダ７が昇降部材駆動手段に相当し、温度センサＳ
が第１の温度測定手段および第２の温度測定手段に相当
し、スペーサ５が支持体に相当する。また、制御部１０
０が制御手段に相当し、警報装置２００が警報手段に相
当する。
基板支持台および温度処理手段に相当し、複数の昇降ピ
ン３が複数の昇降部材に相当し、昇降プレート６および
シリンダ７が昇降部材駆動手段に相当し、温度センサＳ
が第１の温度測定手段および第２の温度測定手段に相当
し、スペーサ５が支持体に相当する。また、制御部１０
０が制御手段に相当し、警報装置２００が警報手段に相
当する。
【００３８】（２）第２の実施の形態
図４は本発明の第２の実施の形態における基板加熱装置
の断面図である。
の断面図である。
【００３９】図４の基板加熱装置が図１に示す基板加熱
装置と異なるのは次の点である。本実施の形態における
基板加熱装置では、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａおよ
び基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが設けられてい
る。基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａは昇降プレート６ａ
を介してシリンダ７ａにより昇降移動し、基板Ｗの温度
測定用の昇降ピン３ｂは昇降プレート６ｂを介してシリ
ンダ７ｂにより昇降移動する。温度測定用の昇降ピン３
ｂの先端部には、第１の実施の形態と同様の温度センサ
Ｓが取り付けられている。
装置と異なるのは次の点である。本実施の形態における
基板加熱装置では、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａおよ
び基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが設けられてい
る。基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａは昇降プレート６ａ
を介してシリンダ７ａにより昇降移動し、基板Ｗの温度
測定用の昇降ピン３ｂは昇降プレート６ｂを介してシリ
ンダ７ｂにより昇降移動する。温度測定用の昇降ピン３
ｂの先端部には、第１の実施の形態と同様の温度センサ
Ｓが取り付けられている。
【００４０】次に、図４の基板加熱装置の動作の一例を
説明する。シリンダ７ａおよび昇降プレート６ａにより
基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａが上昇するとともに、シ
ャッタ９が開く。基板Ｗが基板搬送用アーム（図示せ
ず）により基板給排口１１を通して筐体１０内に搬入さ
れる。基板Ｗは、上昇してきた昇降ピン３ａにより支持
され、基板搬送用アームから分離される。
説明する。シリンダ７ａおよび昇降プレート６ａにより
基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａが上昇するとともに、シ
ャッタ９が開く。基板Ｗが基板搬送用アーム（図示せ
ず）により基板給排口１１を通して筐体１０内に搬入さ
れる。基板Ｗは、上昇してきた昇降ピン３ａにより支持
され、基板搬送用アームから分離される。
【００４１】このとき、シリンダ７ｂおよび昇降プレー
ト６ｂにより昇降ピン３ａに支持された基板Ｗの裏面に
接触するまで基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが上昇
する。それにより、昇降ピン３ｂの先端部に取り付けら
れた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定される。
ト６ｂにより昇降ピン３ａに支持された基板Ｗの裏面に
接触するまで基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが上昇
する。それにより、昇降ピン３ｂの先端部に取り付けら
れた温度センサＳにより基板Ｗの温度が測定される。
【００４２】次に、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａおよ
び基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂがともに下降し、
基板Ｗが加熱プレート１のスペーサ５上に載置される。
この場合、基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが基板Ｗ
に接触した状態で基板Ｗが下降するので、基板Ｗの下降
中においても基板Ｗの温度が測定される。
び基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂがともに下降し、
基板Ｗが加熱プレート１のスペーサ５上に載置される。
この場合、基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂが基板Ｗ
に接触した状態で基板Ｗが下降するので、基板Ｗの下降
中においても基板Ｗの温度が測定される。
【００４３】基板Ｗは、スペーサ５により加熱プレート
１から微小隙間ｄだけ離れた位置に保持される。その
後、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａはさらに下降して基
板Ｗから離れる。一方、基板Ｗの温度測定用の昇降ピン
３ｂは基板Ｗの裏面に接触した状態で停止し、加熱処理
中も引き続いて基板Ｗの温度が測定される。
１から微小隙間ｄだけ離れた位置に保持される。その
後、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａはさらに下降して基
板Ｗから離れる。一方、基板Ｗの温度測定用の昇降ピン
３ｂは基板Ｗの裏面に接触した状態で停止し、加熱処理
中も引き続いて基板Ｗの温度が測定される。
【００４４】なお、第１の実施の形態と同様に、加熱プ
レート１上のスペーサ５に温度センサＳを取り付けるこ
とにより、加熱処理中の基板Ｗの温度を測定してもよ
い。
レート１上のスペーサ５に温度センサＳを取り付けるこ
とにより、加熱処理中の基板Ｗの温度を測定してもよ
い。
【００４５】加熱処理された基板Ｗは、再び上昇してき
た基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａにより上昇し、基板給
排口１１から基板Ｗを受け取るために進入する基板搬送
用アームの位置まで導かれる。この場合にも、基板Ｗが
基板搬送用アームに保持され、基板Ｗの支持用の昇降ピ
ン３ａから離れるまでの間、基板Ｗの温度測定用の昇降
ピン３ｂは基板Ｗの裏面に接触した状態で上昇する。そ
れにより、基板Ｗの上昇中にも、基板Ｗの温度が測定さ
れる。
た基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａにより上昇し、基板給
排口１１から基板Ｗを受け取るために進入する基板搬送
用アームの位置まで導かれる。この場合にも、基板Ｗが
基板搬送用アームに保持され、基板Ｗの支持用の昇降ピ
ン３ａから離れるまでの間、基板Ｗの温度測定用の昇降
ピン３ｂは基板Ｗの裏面に接触した状態で上昇する。そ
れにより、基板Ｗの上昇中にも、基板Ｗの温度が測定さ
れる。
【００４６】本実施の形態においては、基板Ｗの温度測
定用の昇降ピン３ｂの先端部に温度センサＳが取り付け
られているので、基板Ｗが基板加熱装置内に搬入された
後に昇降ピン３ａが下降してから実際の加熱処理状態に
移行するまでの間（処理待機時）において、基板Ｗの温
度をリアルタイムにモニタすることができる。また、加
熱プレート１による加熱処理中においても、基板Ｗの温
度をリアルタイムにモニタすることができる。
定用の昇降ピン３ｂの先端部に温度センサＳが取り付け
られているので、基板Ｗが基板加熱装置内に搬入された
後に昇降ピン３ａが下降してから実際の加熱処理状態に
移行するまでの間（処理待機時）において、基板Ｗの温
度をリアルタイムにモニタすることができる。また、加
熱プレート１による加熱処理中においても、基板Ｗの温
度をリアルタイムにモニタすることができる。
【００４７】このように、基板Ｗが基板加熱装置内に搬
入されてから実際の加熱処理状態を経て再び基板加熱装
置から搬出されるまでの間、一連の基板の温度をリアル
タイムにモニタすることができる。この場合、モニタさ
れる温度が予め設定された許容範囲を超えた場合に、警
報装置２００により警報を出力することができる。ま
た、モニタされる温度が予め設定された許容範囲を超え
た場合に、制御部１００により加熱プレート１の温度を
自動的に制御することができもできる。それにより、基
板加熱装置内の温度を均一に保ち、加熱処理の歩留まり
低下を防止することができる。
入されてから実際の加熱処理状態を経て再び基板加熱装
置から搬出されるまでの間、一連の基板の温度をリアル
タイムにモニタすることができる。この場合、モニタさ
れる温度が予め設定された許容範囲を超えた場合に、警
報装置２００により警報を出力することができる。ま
た、モニタされる温度が予め設定された許容範囲を超え
た場合に、制御部１００により加熱プレート１の温度を
自動的に制御することができもできる。それにより、基
板加熱装置内の温度を均一に保ち、加熱処理の歩留まり
低下を防止することができる。
【００４８】本実施の形態において、複数の昇降ピン３
ａが第１の昇降部材に相当し、複数の昇降ピン３ｂが第
２の昇降部材に相当する。
ａが第１の昇降部材に相当し、複数の昇降ピン３ｂが第
２の昇降部材に相当する。
【００４９】以下に、基板加熱装置の加熱プレートにお
ける昇降ピンおよびスペーサの配置の例について説明す
る。図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は基板加熱装置の加熱
プレートにおける昇降ピンおよびスペーサの配置の例を
示す平面図である。
ける昇降ピンおよびスペーサの配置の例について説明す
る。図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は基板加熱装置の加熱
プレートにおける昇降ピンおよびスペーサの配置の例を
示す平面図である。
【００５０】第１の実施の形態においては、図５（ａ）
に示されるように、基板Ｗの昇降および昇降中の基板Ｗ
の温度測定が昇降ピン３に取り付けられた温度センサに
より行われ、加熱処理中の基板Ｗの温度測定がスペーサ
５に取り付けられた温度センサにより行われる。
に示されるように、基板Ｗの昇降および昇降中の基板Ｗ
の温度測定が昇降ピン３に取り付けられた温度センサに
より行われ、加熱処理中の基板Ｗの温度測定がスペーサ
５に取り付けられた温度センサにより行われる。
【００５１】特に、図５（ｃ）に示すように、基板Ｗの
温度均一性を確認するために、昇降ピン３は、基板Ｗの
平面上の直交する直径方向にそれぞれ３〜５箇所設けら
れることが好ましい。
温度均一性を確認するために、昇降ピン３は、基板Ｗの
平面上の直交する直径方向にそれぞれ３〜５箇所設けら
れることが好ましい。
【００５２】また、第２の実施の形態においては、図５
（ｂ）に示されるように、基板Ｗの支持用の昇降ピン３
ａおよび基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂがそれぞれ
独立に設けられている。この場合、基板Ｗが安定に支持
され、かつ基板Ｗの全体の温度均一性が得られるよう
に、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａおよび温度測定用の
昇降ピン３ｂがそれぞれ均等に配置されることが好まし
い。
（ｂ）に示されるように、基板Ｗの支持用の昇降ピン３
ａおよび基板Ｗの温度測定用の昇降ピン３ｂがそれぞれ
独立に設けられている。この場合、基板Ｗが安定に支持
され、かつ基板Ｗの全体の温度均一性が得られるよう
に、基板Ｗの支持用の昇降ピン３ａおよび温度測定用の
昇降ピン３ｂがそれぞれ均等に配置されることが好まし
い。
【００５３】本例では、基板Ｗの昇降が昇降ピン３ａに
より行われ、昇降中の基板Ｗの温度測定および加熱処理
中の基板Ｗの温度測定が昇降ピン３ｂに取り付けられた
温度センサにより行われる。
より行われ、昇降中の基板Ｗの温度測定および加熱処理
中の基板Ｗの温度測定が昇降ピン３ｂに取り付けられた
温度センサにより行われる。
【００５４】上記実施の形態においては、レジスト膜が
形成された基板を所定の温度に加熱する基板加熱装置に
ついて述べたが、本発明は、加熱後の基板を所定温度に
まで冷却する基板冷却装置にも適用することができる。
形成された基板を所定の温度に加熱する基板加熱装置に
ついて述べたが、本発明は、加熱後の基板を所定温度に
まで冷却する基板冷却装置にも適用することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板加熱装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】図１の基板加熱装置の昇降ピンの部分拡大断面
図である。
図である。
【図３】図１の基板加熱装置の加熱プレートの部分拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における基板加熱装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図５】基板加熱装置の加熱プレートにおける昇降ピン
およびスペーサの配置の例を示す平面図である。
およびスペーサの配置の例を示す平面図である。
【図６】従来の基板加熱装置の断面図である。
【図７】図６の基板加熱装置の加熱プレートの部分拡大
断面図である。
断面図である。
１ 加熱プレート
３，３ａ，３ｂ 昇降ピン
５ スペーサ
６，６ａ，６ｂ 昇降プレート
７，７ａ，７ｂ シリンダ
Ｓ 温度センサ
Ｗ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に温度処理を行うための基板熱処理
装置であって、 基板を上面上に支持する基板支持台と、 前記基板支持台に設けられた温度処理手段と、 前記基板支持台の上面に対して前記基板を昇降移動させ
るための複数の昇降部材と、 前記複数の昇降部材を上下方向に駆動する昇降部材駆動
手段と、 前記複数の昇降部材の少なくとも１つに設けられた第１
の温度測定手段とを備えたことを特徴とする基板熱処理
装置。 - 【請求項２】 基板に温度処理を行うための基板熱処理
装置であって、 基板を上面上に支持する基板支持台と、 前記基板支持台に設けられた温度処理手段と、 前記基板支持台の上面に対して前記基板を昇降移動させ
るための複数の第１の昇降部材と、 前記複数の第１の昇降部材を上下方向に駆動する昇降部
材駆動手段と、 前記複数の第１の昇降部材により昇降移動する基板に接
触するように昇降する第２の昇降部材と、 前記第２の昇降部材に設けられた第１の温度測定手段と
を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。 - 【請求項３】 前記基板支持台の上面に対して前記基板
を間隔を保って支持するための複数の支持体と、 前記複数の支持体の少なくとも１つに設けられた第２の
温度測定手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項
１または２記載の基板熱処理装置。 - 【請求項４】 前記第１の温度測定手段による測定結果
に応じて警報を出力する警報手段をさらに備えたことを
特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板熱処理
装置。 - 【請求項５】 前記第１の温度測定手段による測定結果
に応じて前記温度処理手段を制御する制御手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の基板熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292492A JP2003100605A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 基板熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292492A JP2003100605A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 基板熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100605A true JP2003100605A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19114448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001292492A Pending JP2003100605A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 基板熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100605A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| JP2011165693A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| US8191792B2 (en) | 2006-07-06 | 2012-06-05 | Komatsu Ltd. | Temperature sensor, temperature control device, temperature controller and temperature-control method |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| JP2012181870A (ja) * | 2006-07-06 | 2012-09-20 | Komatsu Ltd | 温度制御装置および温度制御方法 |
| JP2014033148A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
| JP2020153716A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定機構、温度測定方法、およびステージ装置 |
-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001292492A patent/JP2003100605A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| US8475623B2 (en) | 2004-11-01 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| US8191792B2 (en) | 2006-07-06 | 2012-06-05 | Komatsu Ltd. | Temperature sensor, temperature control device, temperature controller and temperature-control method |
| JP2012181870A (ja) * | 2006-07-06 | 2012-09-20 | Komatsu Ltd | 温度制御装置および温度制御方法 |
| JP2011165693A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| US8927906B2 (en) | 2010-02-04 | 2015-01-06 | Tokyo Electron Limited | Heating device, coating/developing system, heating method, coating/developing method, and recording medium having program for executing heating method or coating/developing method |
| JP2014033148A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
| JP2020153716A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定機構、温度測定方法、およびステージ装置 |
| JP7154160B2 (ja) | 2019-03-18 | 2022-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定機構、温度測定方法、およびステージ装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050831 |
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