JPH0945752A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Publication number
JPH0945752A
JPH0945752A JP19159395A JP19159395A JPH0945752A JP H0945752 A JPH0945752 A JP H0945752A JP 19159395 A JP19159395 A JP 19159395A JP 19159395 A JP19159395 A JP 19159395A JP H0945752 A JPH0945752 A JP H0945752A
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JP
Japan
Prior art keywords
plate
hot plate
detector element
embedded
temperature detector
Prior art date
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Pending
Application number
JP19159395A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanao Matsushita
正直 松下
Shigeru Sasada
滋 笹田
Yoshimitsu Fukutomi
義光 福冨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP19159395A priority Critical patent/JPH0945752A/ja
Publication of JPH0945752A publication Critical patent/JPH0945752A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板支持用プレート上面の温度を正確に調節
可能な基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 ベークユニットの加熱用プレート40に
埋め込んだ温度センサ50は、プレート40の側面から
中央部分に向けて形成された穴に埋め込まれている。こ
の温度センサ50は、保護管50a中に測温抵抗体素子
50bを挿入してその隙間に伝熱セメント52を充填
し、保護管50aの先端に素子50bを固定した構造と
なっている。ここで、素子50bがホットプレート40
の上面40aの直下に近接して配置され、素子50bの
長手方向がプレート40の上面40aとほぼ平行になる
状態で配置されており、この上面40aから素子50b
の各部までの距離は一定になっている。よって、プレー
ト40の上面40aの温度を検出する際の精度、レスポ
ンス等が向上し、プレート40の上面40aの温度調節
を正確なものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶表示器用ガラス基板に加熱処理を行ったり、これら
に冷却処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハなどに、レジスト塗布、加
熱処理、冷却処理、現像処理などの各種処理を所望の手
順で実行する装置は広く知られている。
【0003】図6は、この種の装置の一部に組込まれる
基板処理装置であるベークユニットの一般的な構造を説
明する図である。図示のように、外側を覆う筐体2の内
部には、ウェハを支持してこれに加熱処理を施すホット
プレート4と、ウェハの熱処理時にホットプレート4上
に降下して半密閉空間を形成し、その空間内部にウェハ
を収容するホットプレートカバー6とが設けられてい
る。なお、ホットプレート4中には温度センサ5が埋め
込まれており、この温度センサ5の検出出力に基づいて
ホットプレート4の温度制御が行われる。
【0004】図7は、温度センサ5の詳細を説明する図
である。温度センサ5は、金属製のホットプレート4の
下面側から上面側に向けて鉛直方向に形成された穴に埋
め込まれている。温度センサ5の金属製の保護管5aの
先端部分には、白金線からなる測温抵抗体素子5bが収
容されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図5に示すよ
うな温度センサ5では、その内部に設けた温度検出用の
測温抵抗体素子5bが鉛直方向に細長い形状を有してい
るので、測温抵抗体素子5bの上端と下端とでは、ホッ
トプレート4上面からの距離が異なったものとなる。こ
の結果、ホットプレート4上面の温度を検出する際の精
度、レスポンス等が劣化し、温度調節の精度も低下して
しまうこととなる。
【0006】そこで、この発明は、かかる基板処理装置
おいて、ホットプレート4等の基板支持用プレート上面
の温度を正確に調節可能にすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の基板処理装置は、基板をプレート上に支
持して基板に所定の熱処理を行う基板処理装置におい
て、プレートの温度を測定するための測温抵抗体素子
が、プレート中のうちプレートの上面直下の位置に、測
温抵抗体素子の長手方向がプレートの上面とほぼ平行に
なる状態で配置されていることを特徴とする。かかる特
徴により、プレート上面から測温抵抗体素子の各部まで
の距離がほぼ一定となり、しかも、プレート上面から測
温抵抗体素子までの距離を比較的短く設定することがで
きる。
【0008】また、請求項2の基板処理装置は、プレー
トの側面側からプレート中に埋め込まれていることを特
徴とする。かかる特徴により、測温抵抗体素子をその長
手方向がプレート上面とほぼ平行になるように簡易にプ
レートに埋め込むことができる。
【0009】また、請求項3の基板処理装置は、測温抵
抗体素子は、プレートの下面側からプレート中に埋め込
まれていることを特徴とする。かかる特徴により、測温
抵抗体素子をプレート上面直下の任意の位置に簡易に埋
め込むことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る基板処理
装置の第1実施形態であるベークユニット10の構造を
説明する図である。
【0011】ベークユニット10の外側を構成する筐体
20の一側面には、ウェハWの受渡しのためのシャッタ
20aが設けられている。このシャッタ20aは、未処
理のウェハWを加熱処理のために筐体20内に搬入する
際や処理済みのウェハWを筐体20外に搬入する際には
開放され、ウェハWの加熱処理中には閉止される。
【0012】筐体20の内部には、ウェハWを支持して
所望の温度で加熱するためのホットプレート40と、ウ
ェハWの熱処理時にホットプレート40上に降下して保
温のための半密閉空間を形成するホットプレートカバー
60とが配置されている。
【0013】ホットプレート40は、その本体中にウェ
ハWを加熱するためのヒータ(図示を省略)を備え、筐
体20外からシャッタ20aを介して搬入されたウェハ
Wを受取るリフタピン42と、このリフタピン42から
ウェハWを受取ってホットプレート40上に支持するプ
ロキシミティギャップ用ボール44とを備える。リフタ
ピン42は、図示を省略するアクチュエータによって昇
降自在となっており、これらを同期して動作させること
によりウェハWを水平に保って昇降させることが可能に
なる。プロキシミティギャップ用ボール44は、ホット
プレート40の上面40aに固設されており、リフタピ
ン42の下降に伴って下降してきたウェハWをホットプ
レート40上にホットプレート40の上面40aと平行
になるように支持する。なお、ホットプレート40上の
ウェハWにはホットプレート40からの輻射熱が供給さ
れるが、このときのホットプレート40の温度は、ホッ
トプレート40の上面40a直下に埋込まれている温度
センサ50の出力をモニタするとともにPID制御等を
用いて精密に調節される。
【0014】ホットプレートカバー60は、ウェハWを
上方から覆う上板部62と、この上板部62の周縁から
下方に延びるスカート状の側板部64とを備える。この
ホットプレートカバー60は、図示を省略する昇降機構
によって上下動可能となっており、ウェハWの搬入及び
搬出に際してシャッタ20aが開放されるとこれに伴っ
て図1に示す上昇位置まで上昇し、ウェハWの処理に際
してシャッタ20aが閉止されるとこれに伴って降下す
る。ホットプレートカバー60がホットプレート40上
に降下すると、ホットプレートカバー60の内面60a
とホットプレート40の上面40aとによって半密閉空
間が形成される。
【0015】図2は、図1に示すホットプレート40の
平面図である。ホットプレート40の中央部分には、ウ
ェハWを3点支持するためのリフタピン42とプロキシ
ミティギャップ用ボール44とが配置されている。ま
た、ホットプレート40の側面からは中央部分に向けて
温度センサ50が埋め込まれている。
【0016】図3は、図2に示す温度センサ50の配置
及び構造を説明するA−A矢視部分断面図である。温度
センサ50は、ホットプレート40の側面から中央部分
に向けて形成された横穴に埋め込まれている。この温度
センサ50は、アルミニュームやステンレススチールな
どの金属製チューブから形成した保護管50a中に白金
線からなる細長い円柱状の測温抵抗体素子50bを挿入
し、保護管50aと測温抵抗体素子50bの隙間に伝熱
セメント52を充填して保護管50aの先端に測温抵抗
体素子50bを固定した構造となっている。測温抵抗体
素子50bから延びるリード線54は、図示を省略する
抵抗検出回路に接続されているが、この抵抗検出回路
は、測温抵抗体素子50bの位置におけるホットプレー
ト40の温度を与える。
【0017】第1実施形態のベークユニット10では、
測温抵抗体素子50bがホットプレート40の上面40
aの直下に近接して配置されている。さらに、測温抵抗
体素子50bの長手方向がホットプレート40の上面4
0aとほぼ平行の状態で配置されており、この上面40
aから測温抵抗体素子50bの各部までの距離は一定に
なっている。よって、ホットプレート40の上面40a
の温度を検出する際の精度、レスポンス等が向上し、ホ
ットプレート40の上面40aの温度調節を正確なもの
とすることができる。ここで、温度センサ50すなわち
測温抵抗体素子50bがホットプレート40の側面側か
らホットプレート40中に埋め込まれているので、測温
抵抗体素子50bをその長手方向が上面40aとほぼ平
行になるように簡易にホットプレート40中に埋め込む
ことができ、かつ、測温抵抗体素子50bを上面40a
の直下に極めて近接して配置することができる。
【0018】図4は、第2実施形態のベークユニットに
組み込まれる温度センサの配置及び構造を説明する断面
図である。なお、第2実施形態のベークユニットは、第
1実施形態のベークユニットの変形例である。この温度
センサ150は、ホットプレート40の下面から上面4
0aに向けて貫通しないように形成された縦穴40aに
伝熱セメント52とともに埋め込まれている。この温度
センサ150は、図3の温度センサ50と同様の構造を
有するが、その形状が異なっており、測温抵抗体素子1
50bを収容している保護管150aが先端部で直角に
屈曲した形状となっている。第2実施形態のベークユニ
ットによれば、測温抵抗体素子150bがホットプレー
ト40の上面40aの直下に近接して配置され、ホット
プレート40の上面40aから測温抵抗体素子150b
の各部までの距離が一定になっている。よって、ホット
プレート40の上面40aの温度を検出する際の精度、
レスポンス等が向上し、ホットプレート40の上面40
aの温度調節を正確なものとすることができる。
【0019】図5は、第3実施形態のベークユニットに
組み込まれる温度センサの配置及び構造を説明する断面
図である。なお、第3実施形態のベークユニットは、第
1実施形態のベークユニットの変形例である。この温度
センサ250は、ホットプレート40の下面から上面4
0aに向けて形成された縦穴に埋め込まれている。この
温度センサ250は、図4の温度センサ50と類似した
構造を有するが、測温抵抗体素子250bを収容してい
る保護管250aの直径が大きくなっている。そして、
測温抵抗体素子250bは保護管250aの上端部の内
面に密着して配置され、伝熱セメント52の充填によっ
て固定されている。第3実施形態のベークユニットによ
れば、測温抵抗体素子250bがホットプレート40の
上面40aの直下に近接して配置される。さらに、測温
抵抗体素子250bの長手方向がホットプレート40の
上面40aとほぼ平行になる状態で配置されており、こ
の上面40aから測温抵抗体素子250bの各部までの
距離は一定になっている。よって、ホットプレート40
の上面40aの温度を検出する際の精度、レスポンス等
が向上し、ホットプレート40の上面40aの温度調節
を正確なものとすることができる。
【0020】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、この実施例では、温度センサ250の先端に組
み込んだ測温抵抗体素子250bがホットプレート40
の中央に配置されていないが、測温抵抗体素子250b
をホットプレート40の中央位置の直下にセットするこ
ともできる。
【0021】また、上記実施例では、単数の温度センサ
50、150、250をホットプレート40中に埋め込
んでいるが複数の温度センサ50、150、250を準
備してこれらを適当な配置でホットプレート40中に埋
め込むこともできる。
【0022】また、上記実施例では、ホットプレートに
適用する温度センサ50、150、250について説明
したが、これらをクールプレートに適用することもでき
る。
【0023】また、上記実施例では、ホットプレートカ
バー60を昇降させてウェハWの搬入及び搬出を行うこ
ととしているが、ホットプレートカバー60を昇降させ
ないでこの側部にシャッタを設けた構造とし、このシャ
ッタを介してウェハWの搬入及び搬出を行うこともでき
る。
【0024】
【発明の効果】以上説明のように、請求項1の基板処理
装置によれば、プレートの温度を測定するための測温抵
抗体素子がプレート中のうちプレートの上面直下の位置
に測温抵抗体素子の長手方向がプレートの上面とほぼ平
行になる状態で配置されているので、プレート上面から
測温抵抗体素子の各部までの距離はほぼ一定になってお
り、しかも、プレート上面から測温抵抗体素子までの距
離を比較的短く設定できる。よって、プレート上面の温
度を検出する際の精度、レスポンス等が向上し、温度調
節を正確なものとすることができる。
【0025】また、請求項2の基板処理装置は、プレー
トの側面側からプレート中に埋め込まれているので、測
温抵抗体素子をその長手方向がプレート上面とほぼ平行
になるように簡易にプレートに埋め込むことができる。
【0026】また、請求項3の基板処理装置は、測温抵
抗体素子は、プレートの下面側からプレート中に埋め込
まれているので、測温抵抗体素子をプレート上面直下の
任意の位置に簡易に埋め込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の基板処理装置の断面構造を説明
する側面図である。
【図2】図1のホットプレート40を示す平面図であ
る。
【図3】図1及び図2に示す温度センサ50の構造を説
明する図である。
【図4】第2実施形態の基板処理装置に設けた温度セン
サの構造を説明する図である。
【図5】第3実施形態の基板処理装置に設けた温度セン
サの構造を説明する図である。
【図6】従来の装置の構造を説明する図である。
【図7】図6に示す温度センサ5の構造を説明する図で
ある。
【符号の説明】
20 筐体 20a シャッタ 40 ホットプレート 42 リフタピン 44 プロキシミティギャップ用ボール 50 温度センサ 50a 保護管 50b 測温抵抗体素子 52 伝熱セメント 60 ホットプレートカバー 62 上板部 64 側板部 W ウェハ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板をプレート上に支持して当該基板に
    所定の熱処理を行う基板処理装置において、 前記プレートの温度を測定するための測温抵抗体素子
    が、前記プレート中のうち当該プレートの上面直下の位
    置に、当該測温抵抗体素子の長手方向が前記プレートの
    上面とほぼ平行になる状態で配置されていることを特徴
    とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記測温抵抗体素子は、前記プレートの
    側面側から当該プレート中に埋め込まれていることを特
    徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記測温抵抗体素子は、前記プレートの
    下面側から当該プレート中に埋め込まれていることを特
    徴とする請求項1記載の基板処理装置。
JP19159395A 1995-07-27 1995-07-27 基板処理装置 Pending JPH0945752A (ja)

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JP19159395A JPH0945752A (ja) 1995-07-27 1995-07-27 基板処理装置

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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