JPH08210881A - 検査方法及び検査装置 - Google Patents

検査方法及び検査装置

Info

Publication number
JPH08210881A
JPH08210881A JP7041234A JP4123495A JPH08210881A JP H08210881 A JPH08210881 A JP H08210881A JP 7041234 A JP7041234 A JP 7041234A JP 4123495 A JP4123495 A JP 4123495A JP H08210881 A JPH08210881 A JP H08210881A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
inspected
mounting table
heating
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7041234A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Hagiwara
順一 萩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP7041234A priority Critical patent/JPH08210881A/ja
Publication of JPH08210881A publication Critical patent/JPH08210881A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】被検査体、例えば半導体集積回路をパッケージ
ングしてなるデバイスを、所定の温度に加熱するための
温度補正を簡単にするとともに、被検査体の検査の精度
を向上する検査方法及び検査装置を提供すること。 【構成】加熱装置5上の載置台21に形成された凹部9
に、デバイス10が2対載置される載置台21下部に
は、加熱ユニット20が備えられ、加熱ユニット20は
制御部28に接続される。一方のデバイス10は、中心
部を加工して熱電対が埋め込まれ、もう一方のデバイス
10は、デバイス10の表面の放射率を測定するため
に、赤外線放射温度計27がデバイス10の上方に設置
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は検査方法及び検査装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に被検査体、例えば半導体集積回路
をパッケージした半導体デバイスの検査装置としては、
例えばデバイスプローバが知られている。この検査装置
で上記デバイスの電気的特性を検査する項目には、デバ
イスを加熱した状態で行うものがある。この検査装置に
は、当然のことながらデバイスを加熱するための加熱装
置が備えられている。このデバイスを検査する技術の一
つとして、特開昭61−102567号公報に開示され
た技術がある。この技術は、搬送されるデバイスの下部
を所定温度に上昇させるのに必要な長さを有する下部加
熱板と、上記搬送するデバイスの上方で、上下方向に移
動可能に設けられた、上記デバイスの上部を加熱する上
部加熱板とを所定温度に加熱することによりデバイスを
加熱するものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
集積回路を樹脂によりパッケージしたデバイスは、同一
の品種であっても、メーカーによりデバイスのサイズが
微妙に異なるので、現実には同一品種であっても、サイ
ズ面から複数種類のデバイスが存在していることにな
る。一方、電気的特性を検査されるデバイスのサイズが
異なれば、各デバイスのサイズに対応するためには、そ
の都度、そのデバイスの形状に対応した載置台を用意す
る必要があった。
【0004】又、各デバイスの形状や種類が異なると、
デバイスの放熱面積或は熱容量或は熱伝導率が変化する
ので、この変化に対応して載置台を予め設定した一定温
度で加熱した際、デバイス中心部の温度は異なってしま
った。又、デバイスは外部が樹脂でモールドされている
ので、内部と表面とでは温度差が生じ、検査による結果
のバラツキが生じるという問題があった。
【0005】又、デバイスの中心部の温度を測定し、加
熱装置の温度設定を行う場合、デバイスの中央部に熱電
対を埋め込み、温度センサーとしていたので、温度校正
を行う際はこの温度センサーを作成する作業に多大な時
間を費やしていた。本発明の目的は、各デバイスについ
て所定の温度に加熱するための温度補正を簡単にすると
ともに、被検査体の検査の精度を向上する検査方法及び
検査装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被検
査体を加熱された載置台に載置し、所定の温度に設定す
る検査方法であって、予め前記被検査体の内部温度及び
表面温度を測定して、前記内部温度と表面温度との相関
関係を求めて記憶し、この記憶値と前記被検査体の表面
温度の測定値とにより、前記被検査体の内部温度を所定
の温度に設定することを特徴とする。
【0007】請求項2の発明は、被検査体を加熱可能に
構成された載置台に載置し、前記被検査体を所定の温度
に設定する検査方法であって、予め測定された前記被検
査体を載置台に載置し、被検査体が実質的に同一の温度
に設定される時間及び載置台温度と実質的に同一の温度
に設定される被検査体の内部温度と表面温度とのデータ
に基づき、前記被検査体を載置台に載置し、少なくとも
前記時間の経過の後、前記被検査体の表面温度を測定
し、前記被検査体の内部温度が所定の温度に設定される
よう、前記載置台の加熱量を設定することを特徴とす
る。
【0008】請求項3の発明は、被検査体を加熱された
載置台に載置し、所定の温度に設定する検査装置であっ
て、予め前記被検査体の内部温度及び表面温度を測定し
て求められた、前記内部温度と表面温度との相関式ある
いは対比値を記憶する手段と、この記憶式あるいは値に
基づいて、被検査体の表面温度のみの検出した値によ
り、被検査体の内部温度を算出し、その内部温度を所望
の温度に設定するために載置台の加熱量を設定する手段
とを具備したことを特徴とする。
【0009】
【作用】被検査体を所定の温度に設定する際に、被検査
体を加熱された載置台に載置し、予め被検査体の内部温
度及び表面温度を測定し、その内部温度と表面温度との
相関関係を求めて記憶し、被検査体の表面温度の測定に
より、被検査体の内部温度を所定の温度に設定するの
で、温度校正作業に要する時間を短縮できる。
【0010】
【実施例】本発明を、パッケージングされた半導体集積
回路チップの検査に適用した一実施例について、添付図
面に基づいて述べる。図1及び図2に示す様に、被検査
体例えば半導体集積回路チップを、フラットパッケージ
ングしてなるデバイス10(以下デバイス)の検査装置
は、以下の様に構成されている。装置の正面側(図1で
は裏側)には、上記デバイス10を一時収納するための
4個のトレー載置部(1〜4)が一方向、例えばX方向
に沿って配置されている。各トレー載置部(1〜4)は
垂直方向(Z方向)に複数枚のトレー29が積み重なっ
て設けられる様に構成されている。
【0011】前記トレー載置部1,2の奥側(図1では
手前側)には、これら載置部1,2に対向して、デバイ
ス10を加熱するための加熱装置5が設けられている。
加熱装置5の横には、検査前の上記デバイスを整列する
ための供給用整列部6及び収納用整列部7が、一体的に
Xレール8にガイドされつつ、図示しない駆動機構によ
りXレール8上をX方向に移動する様に備えられてい
る。そして、前記整列部6,7の上面には上記デバイス
10を、例えば4個収納するための凹部9を備えてい
て、この中にデバイス10がロボットハンド(図示せ
ず)により保持され自動的に搬入されると、デバイス1
0は自動的に水平姿勢で所定の向きにアライメント(位
置合わせ)される構造になっている。例えば、上記凹部
9の入口側部は、拡大したテーパが設けられ、底部は上
記フラットパッケージの外形に構成される。
【0012】トレー載置部1,2上のトレー内4個のデ
バイス10は、4個の吸着保持部11を備えた搬送機構
であるローダ12により、4個同時に自動的に加熱装置
5に移載されて加熱される。例えば上記トレー29、供
給用整列部6、加熱装置5などのデバイス10の配列ピ
ッチは同一であることが自動化においてミスハンドリン
グがない。そしてデバイス10は上記加熱装置5で予め
定められた所定温度に加熱された供給整列部6に、上記
ローダ12により自動的に搬送される。
【0013】また、前記整列部6,7の移動領域から、
トレー載置部1〜4とは反対側のY方向に離れて検査位
置が設けられ、この位置には円形状の保持体13に保持
されたテスタと被検査デバイス10とを電気的に接続す
るための、例えばソケット部14が配設されている。こ
のソケット部14は、デバイス10の多数の各リード端
子15が、各プローブと接触して、その下方の上記テス
タとの中継を行うためのテストヘッド(図示せず)にリ
ード端子15を電気的に接続する役割を有するものであ
る。
【0014】上記プロービング手段は、ソケット部14
に限らず、プローブカードにプロ−ブ針列を設けた接触
構成にしてもよい。そして、この検査装置は、デバイス
10を上面から保持し、このソケット部14と整列部
6,7との間で、デバイス10を搬送する搬送機構16
を備えている。上記4個のデバイス10が同時に電気的
特性の検査が行われたのち、デバイス10は、上記搬送
機構16により、収納用整列部7に搬送される。また、
前記ローダ12と同様に4個の吸着保持部17を備えた
アンローダ用搬送機構18は、検査結果に応じて、例え
ば良品、不良品に区別して、検査済デバイス10をトレ
ー載置部3,4に搬送するために設けられる。上記した
手順、各機構は総てコンピューターにより、予め定めら
れたプログラムで自動的に実行されるように構成されて
いる。
【0015】次に図3を用いながら、図1の加熱装置5
について、さらに詳細に述べる。加熱装置5には、被検
査体、例えば半導体デバイス10を載置するために導電
体、例えば金属のアルミニウムやステンレスなどからな
る載置板部19と、この載置板部19の下面側に着脱自
在に取り付けられた加熱ユニット20とが備えられてい
る。このように、載置板部19が電気的に接地された導
電体、例えば金属で構成されているので、デバイス10
に静電気が帯電して素子を故障させるのを防止してい
る。
【0016】そして、載置板部19の表面部には、夫々
1個ずつのデバイス10の収納される大きさに区割され
た、例えば多数の凹部9が、縦横に配列して形成され、
複数多数のデバイス10が同時に加熱される様に構成さ
れている。図3は1個の被検査体デバイス10を収納す
る部分を拡大して示している。この様に、個々の被検査
体10を加熱する構成とすることで、複数のデバイス1
0を均一の温度に制御することができる。更に、上記凹
部9のデバイス10の搬入口を拡大する傾斜面を形成し
てもよい。この場合、搬入を容易にする効果がある。
【0017】また、前記各凹部9の底面中央には、周囲
の底面よりもデバイス10の載置面が高くなるように載
置台21が形成されているので、デバイス10の底面
に、温度制御手段が面接触して、直接、熱伝達すること
ができる。この温度制御手段は、例えば載置台21の表
面温度を測定し、この温度が予め定められた温度になる
ように制御することにより行ってもよい。そして、デバ
イス10が載置台21に載置されると、載置台21の働
きにより、リード端子15が前記底面から一定の距離、
離れるように設定されているので、リード端子15が変
形することを防止できる。
【0018】また、ここでデバイス10が同じ品種、例
えばフラットパッケージタイプの0.5mmピッチで、
デュアル・インラインに配列された208ピンのリード
端子15を有する28mm×28mmサイズのデバイス
10であっても、メーカによりサイズが僅かではあるが
異なり、同一品種であっても種類の異なるデバイス10
が存在している。
【0019】載置台21が当該品種のデバイス10を加
熱するものである場合、前記載置板部19の載置面は、
検査対象となる種類のデバイス10の中で、デバイス1
0本体の最も小さいものよりも狭く、例えば22mm×
22mmのサイズに設定される。また、凹部9は、縦×
横が38mm×38mmの寸法に設定され、デバイス1
0が載置台21に置かれたときにデバイス10の上面が
載置板部19の表面から一定距離、例えば約3mm沈み
込む様に設定されている。また、前記凹部9の内側壁の
深さは、深い方がデバイス加熱温度の昇温速度を高速化
できる。勿論、収納後、ふたをするとさらに高速化が可
能である。この様にデバイス10が温度制御された載置
板部19により囲まれる構成により、デバイス10は均
一な温度雰囲気の中に置くことができ、目的の温度にす
ることができる。
【0020】更に、前記載置台21の中央には、デバイ
ス10を保持し、仮固定するため、真空吸着を行う吸引
孔22が穿設されている。また、前記加熱ユニット2
0、例えばセラミックヒーターは、肉厚の板状のユニッ
ト本体23内にヒータ24、例えば抵抗発熱体が埋設さ
れる。この抵抗発熱体は、1カ所が断線しても伝熱がで
きるように、積層状に構成され、他の部分が補えるよう
になっている。又、自己発熱により、溶融しないような
金属が用いられている。また、設定温度に達するまでの
時間が短く、スループットに優れる発熱量の大きなもの
が好ましく、細かい温度調整ができる様に、小さい抵抗
体が集合する形で構成されている。
【0021】また、ユニット本体23内であり、吸引孔
22の下部には、載置台21の裏面側で連通する吸引路
25が形成されている。前記吸引路25の吸引側の端部
は、吸引手段の一つである真空ポンプ(図示せず)が接
続されている。
【0022】次に、上述の検査装置の動作について述べ
る、まず、トレー載置部1の表面にデバイス10を配列
する。この作業は、作業者が行っても良いし、ロボット
ハンドリングにより自動的に実行してもよい。次に、ロ
ーダ12に備えられた吸着保持部11がトレー内に収納
されるデバイス10の上面を4個同時に吸着保持して加
熱装置5の予め、定められた収納位置に自動的に搬送す
る。
【0023】そして、デバイス10が載置台21上の凹
部9に載置されると、吸引路43を通し、真空ポンプに
よりエアーが吸引され、吸引孔22が、デバイス10の
下面を真空吸着して仮固定する。デバイス10を載置台
21に仮固定した後、ローダ12側の上記デバイス10
を搬送するための真空吸着を解除する。これらの操作に
より、載置台21は、デバイス10を安定して載置す
る。この時、前記載置台21は、ヒータ24により加温
され、予め設定された温度データに基づき、所定の温
度、例えば150℃に温度を設定する。そして、載置台
21の真空吸着が解除すると、前記ローダ12が150
℃に加熱されたデバイス10を4個同時に吸着保持し、
加熱装置5から供給整列部6に搬送する。
【0024】デバイス10は、この供給用整列部6で
は、加熱装置5において概ね揃っているデバイス10の
向きを、逆角錐台状に形成された位置合わせ用の凹部に
デバイス10を配列することで、アライメント(位置合
わせ)を行う。そして、搬送機構16に設けられた吸着
保持部30が、アライメントされたデバイス10を、例
えば2個吸着保持して、デバイス10の検査を行う検査
位置である円形状の保持体13へ搬送する。そして、搬
送機構16は、デバイス10を一定圧力のもとに押圧
し、順次、円形状の保持体13に保持されたソケット部
14に電気的に接触させる。そして、このソケット部1
4は、テスター(図示せず)に接続されているため、デ
バイス10は搬送機構16に装着されたまま、電気的特
性の検査を行う。
【0025】そして、供給用整列部6は一端部に移動
し、次段の測定を行う。その後、デバイス10を受授し
てX方向に所定量移動し、待機する。そして、前述のよ
うに、搬送機構16が残る2個のデバイス10を、順次
検査位置に搬送し、デバイス10の電気的特性の検査を
順次、実行する。このような手順で順次、トレー1内の
デバイス10の検査を実行する。勿論、上記検査は、4
個同時に検査してもよい。この場合、加熱時間と検査時
間の関係から、適宜選択することが望ましい。
【0026】ここで、前述の加熱装置5の予め設定され
た温度データに基づき、所定の温度に設定する方法につ
いて、図面に基づいて説明する。図4に示す様に、予め
電気的特性の検査をするデバイス10が2個、加熱装置
5上の載置台21に形成された凹部9に載置される。載
置台21下部には、加熱ユニット20が備えられ、加熱
ユニット20は温度制御を行う制御部28に接続され
る。一方のデバイス10は、中心部を加工して、デバイ
ス10の中心部温度を測定するための熱電対26が埋め
込まれている。もう一方のデバイス10は、表面温度を
測定するために設けられ、そのデバイス10の上方の所
定の距離だけ離間した位置には、デバイス10の表面温
度を測定するための温度計、例えば放射温度計が設置さ
れている。また、デバイス10の表面の色は、外部から
入射される光の強度の減衰を抑制して反射するために反
射率の大きい色、例えば黒色にされている。
【0027】次に、加熱装置5の温度校正について、図
4を参照して説明する。まず、加熱装置5に備えられた
加熱ユニット5を、設定温度に加熱する。この時、前記
等価デバイス10の中心温度を内部に設けられた熱電対
26により測定する。また、デバイス10の表面温度を
赤外線放射温度計27を用いて、デバイス10の表面の
放射率から測定する。この放射率から得られた温度デー
タに基づいて、載置台21の温度制御を行う制御部28
により、加熱ユニット20を調整する。そして、上述の
測定により、デバイス10の表面、デバイス10の中心
部の温度と、一定温度に達するまでの時間を、加熱ユニ
ット20の設定温度を変えて(例えば、50℃、100
℃、150℃)測定する。この測定により得られたデー
タを図5に示す。
【0028】図5に示されるように、デバイス10の中
心部の温度が、例えば50℃、100℃、150℃とな
る時、デバイス10の表面は、デバイス10の表面から
外部へ熱が放熱するので、例えば48℃、97℃、14
6℃とデバイス表面より低くなる。又、デバイス10の
加熱部は、例えば51℃、102℃、153℃と、デバ
イス10の中心部の温度より高くなる。この関係を温度
に関して対比値としてプロットしたものが図6に示され
る。図6に示す様に、設定温度に対して、デバイス10
の中心部、デバイス10の表面、加熱部20各温度は、
それぞれ相関関係に表わせ、この相関関係から、例えば
表面の温度を測定した時に、デバイス10中心部やデバ
イス加熱部20の温度を求めることができる相関式を導
くことができる。
【0029】そして、この相関式、あるいは対比値を、
制御部のメモリー28に記憶させることで、デバイス1
0の中心温度を測定することなしに、デバイス10の表
面温度のみを簡単な測定で測定することにより、加熱ユ
ニット20の温度制御をすれば、デバイス10の中心温
度を設定することができる。
【0030】このような実施例によれば、外側を樹脂な
どでモールドされ、外部と内部とで温度差が生じる様な
デバイス10を加熱する加熱装置5の温度設定や加熱時
間を、デバイス10の表面温度を測定するだけで行うこ
とができる。さらに、予め一度、加熱装置5の温度設定
条件を求めれば、次回の温度校正作業を極めて短時間に
行うことができるので、デバイス10の測定が簡略化で
きる。このような校正作業は、検査を行うデバイスの測
定前に予め一度行えばよい。また、デバイス10の種類
やサイズが異なっても、デバイス10の中心温度を正確
に設定できるので、検査精度が向上する。また、温度校
正用に作製していた温度センサーを作成する時間を少な
くできるので、作業効率が向上する。
【0031】また、デバイス10を加熱する際に、デバ
イス加熱部20の温度を設定する制御部のメモリ−28
に記憶された相関式は、測定デ−タが2次曲線的な場合
は、温度範囲に対応して複数の相関式を用いても良い
し、1つの相関式を用いて各温度に対して温度補正値が
変わる様にしても良い。
【0032】また、温度校正は、デバイス10の温度を
表面からある所定の距離だけ離間した位置で放射温度計
により測定しているが、光高温計を用いてデバイス10
に当接した位置で温度を測定してもよい。またはデバイ
ス10の表面の温度を測定できる温度計であれば、どの
ようなものでもよい。
【0033】また、デバイスプローバでは、デバイス1
0は加熱装置5の載置台21の他に、デバイス10の供
給用配列部6やソケット部14の載置台でも加熱される
ので、それぞれの載置台で上述の様な温度校正作業を行
い、それぞれのデータを制御手段に記憶すれば、デバイ
ス10の検査を行う際、正確な温度管理を行うことがで
きるので、測定検査の誤差を少なくして、測定精度を向
上することができる。また、本実施例では、温度設定条
件を加熱としているが、冷却などにも利用できる。
【0034】また、本実施例では、検査装置であるデバ
イスプローバの加熱装置についてとりあげているが、加
熱装置を具備する検査装置であれば、ウエハプロ−バや
LCDプロ−バのような装置にも利用できる。
【発明の効果】
【0035】本発明は、被検査体の表面温度から載置台
の加熱条件の設定を行えるので、温度校正作業が短縮で
き、検査効率が向上する。さらに、被検査体の大きさが
異なっても、被検査体の内部温度を一定に保つことがで
きるので、検査精度が向上し、検査の信頼性が増す。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る加熱装置を備えたデバイ
スプローバーの斜視図
【図2】図1のデバイスプローバーの平面図
【図3】図1の加熱装置の要部断面図
【図4】図1のデバイスプロ−バ−に備えられた加熱装
置の温度設定工程の説明図
【図5】図4の温度設定工程の測定データ
【図6】図4の温度設定工程の測定データ表
【符号の説明】
10 被検査体(デバイス) 21 載置台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 T

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査体を加熱された載置台に載置し、
    所定の温度に設定する検査方法であって、予め前記被検
    査体の内部温度及び表面温度を測定して、前記内部温度
    と表面温度との相関関係を求めて記憶し、この記憶値と
    前記被検査体の表面温度の測定値とにより、前記被検査
    体の内部温度を所定の温度に設定することを特徴とする
    検査方法。
  2. 【請求項2】 被検査体を加熱可能に構成された載置台
    に載置し、前記被検査体を所定の温度に設定する検査方
    法であって、予め測定された前記被検査体を載置台に載
    置し、被検査体が実質的に同一の温度に設定される時間
    及び載置台温度と実質的に同一の温度に設定される被検
    査体の内部温度と表面温度とのデータに基づき、前記被
    検査体を載置台に載置し、少なくとも前記時間を経過の
    後、前記被検査体の表面温度を測定し、前記被検査体の
    内部温度が所定の温度に設定されるよう、前記載置台の
    加熱量を設定することを特徴とする検査方法。
  3. 【請求項3】 被検査体を、加熱された載置台に載置
    し、所定の温度に設定する検査装置であって、予め前記
    被検査体の内部温度及び表面温度を測定して求められ
    た、前記内部温度と表面温度との相関式あるいは対比値
    を記憶する手段と、この記憶式あるいは値に基づいて、
    被検査体の表面温度のみの検出した値により、被検査体
    の内部温度を算出し、その内部温度を所望の温度に設定
    するために載置台の加熱量を設定する手段とを具備した
    ことを特徴とする検査装置。
JP7041234A 1995-02-06 1995-02-06 検査方法及び検査装置 Pending JPH08210881A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7041234A JPH08210881A (ja) 1995-02-06 1995-02-06 検査方法及び検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7041234A JPH08210881A (ja) 1995-02-06 1995-02-06 検査方法及び検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08210881A true JPH08210881A (ja) 1996-08-20

Family

ID=12602732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7041234A Pending JPH08210881A (ja) 1995-02-06 1995-02-06 検査方法及び検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08210881A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057444A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nidec-Read Corp 基板検査装置、及び基板検査装置の温度維持機構
JP4514787B2 (ja) * 2005-05-17 2010-07-28 株式会社アドバンテスト 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法
JP2015014596A (ja) * 2013-06-08 2015-01-22 株式会社山本金属製作所 高温環境下での片持ち式回転曲げ疲労試験装置
WO2016046937A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 理化工業株式会社 表面温度センサ校正装置
JP2017512993A (ja) * 2014-03-25 2017-05-25 ローズマウント インコーポレイテッド 赤外線検出器を用いてプロセス温度を測定する方法及びプロセス変数送信機
KR102202079B1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-12 세메스 주식회사 온도 측정 장치 및 이를 이용하는 테스트 핸들러의 온도 교정 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4514787B2 (ja) * 2005-05-17 2010-07-28 株式会社アドバンテスト 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法
JP2007057444A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nidec-Read Corp 基板検査装置、及び基板検査装置の温度維持機構
JP2015014596A (ja) * 2013-06-08 2015-01-22 株式会社山本金属製作所 高温環境下での片持ち式回転曲げ疲労試験装置
JP2017512993A (ja) * 2014-03-25 2017-05-25 ローズマウント インコーポレイテッド 赤外線検出器を用いてプロセス温度を測定する方法及びプロセス変数送信機
WO2016046937A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 理化工業株式会社 表面温度センサ校正装置
JPWO2016046937A1 (ja) * 2014-09-25 2017-04-27 理化工業株式会社 表面温度センサ校正装置
KR102202079B1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-12 세메스 주식회사 온도 측정 장치 및 이를 이용하는 테스트 핸들러의 온도 교정 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7768286B2 (en) Electronic device testing apparatus and temperature control method in an electronic device testing apparatus
CN1920585B (zh) 基板检查装置
US6590383B2 (en) Contact arm and electronic device testing apparatus using the same
TW496961B (en) Device testing apparatus
US5148100A (en) Handler used in testing system for semiconductor devices
CN108140591B (zh) 晶片检查装置和晶片检查方法
EP0069592A1 (en) Device for testing semiconductor devices at a high temperature
JP2003028923A (ja) ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法
TWI749227B (zh) 檢查系統及檢查系統中之溫度測定方法
KR20000071368A (ko) 전자부품 시험장치 및 전자부품 시험방법
JP2003066104A (ja) インサートおよびこれを備えた電子部品ハンドリング装置
KR100291110B1 (ko) 프로우브장치 및 그것을 사용한 피검사체의 검사방법
KR20220005507A (ko) 탑재대, 검사 장치 및 온도 교정 방법
JP5469183B2 (ja) 負荷の下で基板を検査する装置
US7187164B2 (en) Apparatus for calibrating a probe station
JPH08210881A (ja) 検査方法及び検査装置
JP4514787B2 (ja) 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法
JP2940858B2 (ja) Ic試験装置
US6590404B2 (en) Force and centrality measuring tool
JP2003028920A (ja) 電子部品コンタクト装置
JP3416668B2 (ja) プロービングカード
TWI490970B (zh) A pallet handling device, and an electronic component testing device provided with the device
JP3780692B2 (ja) Ic検査装置における温度制御方法
JPH08213438A (ja) 検査方法及び検査装置
JP2003028924A (ja) 電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法