JP2003028923A - ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法 - Google Patents
ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法Info
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- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品が目的とする試験の設定温度付近に
なるよう温度制御を行うことのできるプッシャ、電子部
品ハンドリング装置および温度制御方法を提供する。 【解決手段】 プッシャ３０を、被試験電子部品２と直
接接触し得るプッシャ本体３１，３３と、プッシャ本体
３１，３３に設けられた吸放熱体３５と、被試験電子部
品２と直接的または間接的に接触し得るようにプッシャ
本体３１，３３に設けられたヒータ３１１と、プッシャ
本体３１，３３とヒータ３１１との間に設けられた断熱
材３１２とから構成する。
なるよう温度制御を行うことのできるプッシャ、電子部
品ハンドリング装置および温度制御方法を提供する。 【解決手段】 プッシャ３０を、被試験電子部品２と直
接接触し得るプッシャ本体３１，３３と、プッシャ本体
３１，３３に設けられた吸放熱体３５と、被試験電子部
品２と直接的または間接的に接触し得るようにプッシャ
本体３１，３３に設けられたヒータ３１１と、プッシャ
本体３１，３３とヒータ３１１との間に設けられた断熱
材３１２とから構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣデバイスなど
の電子部品を試験するための装置において電子部品の温
度制御を行うことのできるプッシャ、そのようなプッシ
ャを備えた電子部品ハンドリング装置、および電子部品
の温度制御方法に関するものである。
の電子部品を試験するための装置において電子部品の温
度制御を行うことのできるプッシャ、そのようなプッシ
ャを備えた電子部品ハンドリング装置、および電子部品
の温度制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣデバイス等の電子部品の製造課程に
おいては、最終的に製造された電子部品を試験する試験
装置が必要となる。このような試験装置の一種として、
常温よりも高い温度条件（熱ストレス条件）で、複数の
ＩＣデバイスを一度に試験するための装置が知られてい
る。
おいては、最終的に製造された電子部品を試験する試験
装置が必要となる。このような試験装置の一種として、
常温よりも高い温度条件（熱ストレス条件）で、複数の
ＩＣデバイスを一度に試験するための装置が知られてい
る。
【０００３】上記試験装置においては、テストヘッドの
上部にテストチャンバを形成し、テストチャンバ内をエ
アにより所定の設定温度に制御しながら、同様に所定の
設定温度にプレヒートした複数のＩＣデバイスを保持す
るテストトレイをテストヘッド上のソケットに搬送し、
そこで、プッシャによりＩＣデバイスをソケットに押圧
して接続し、試験を行う。このような熱ストレス下の試
験により、ＩＣデバイスは試験され、少なくとも良品と
不良品とに分けられる。
上部にテストチャンバを形成し、テストチャンバ内をエ
アにより所定の設定温度に制御しながら、同様に所定の
設定温度にプレヒートした複数のＩＣデバイスを保持す
るテストトレイをテストヘッド上のソケットに搬送し、
そこで、プッシャによりＩＣデバイスをソケットに押圧
して接続し、試験を行う。このような熱ストレス下の試
験により、ＩＣデバイスは試験され、少なくとも良品と
不良品とに分けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記テ
ストチャンバにおいては、熱は外壁やソケットから逃げ
ていくため、テストチャンバの中心付近に待機している
プッシャの温度は設定温度よりも高く、ソケットの温度
は設定温度よりも低くなる。この状態で、所定の設定温
度にプレヒートしたＩＣデバイスをプッシャによりソケ
ットに押し付けると、ＩＣデバイスは、設定温度よりも
高い温度になっているプッシャの影響を受けて最初は温
度が上昇し、次いで設定温度よりも低い温度になってい
るソケットの影響を受けて温度が低下する。また、ＩＣ
デバイスが動作時（試験時）に自己発熱するものである
場合には、試験時にＩＣデバイスの温度が設定温度より
も過度に高くなってしまうことがある。
ストチャンバにおいては、熱は外壁やソケットから逃げ
ていくため、テストチャンバの中心付近に待機している
プッシャの温度は設定温度よりも高く、ソケットの温度
は設定温度よりも低くなる。この状態で、所定の設定温
度にプレヒートしたＩＣデバイスをプッシャによりソケ
ットに押し付けると、ＩＣデバイスは、設定温度よりも
高い温度になっているプッシャの影響を受けて最初は温
度が上昇し、次いで設定温度よりも低い温度になってい
るソケットの影響を受けて温度が低下する。また、ＩＣ
デバイスが動作時（試験時）に自己発熱するものである
場合には、試験時にＩＣデバイスの温度が設定温度より
も過度に高くなってしまうことがある。
【０００５】このようにＩＣデバイスの温度が設定温度
から大きく外れてしまうと、ＩＣデバイスの正確な試験
を行うことができない。例えば、設定温度よりも過度に
低い温度でＩＣデバイスの試験を行った場合には、不良
品を良品と判断することとなり、設定温度よりも過度に
高い温度でＩＣデバイスの試験を行った場合には、良品
を不良品と判断して歩留りが悪くなる。
から大きく外れてしまうと、ＩＣデバイスの正確な試験
を行うことができない。例えば、設定温度よりも過度に
低い温度でＩＣデバイスの試験を行った場合には、不良
品を良品と判断することとなり、設定温度よりも過度に
高い温度でＩＣデバイスの試験を行った場合には、良品
を不良品と判断して歩留りが悪くなる。
【０００６】ＩＣデバイスの温度制御を行うために、ヒ
ートシンクとしてのプッシャとＩＣデバイスとの間にヒ
ータを介在させる構造が開示されている（米国特許第
５,８２１,５０５号、同第５,８４４,２０８号、同第
５,８６４,１７６号）。このような構造においてヒート
シンクによる冷却効果を発揮させるためには、ＩＣデバ
イスとヒートシンクとの間の熱抵抗、すなわちＩＣデバ
イス−ヒータ間、ヒータ−ヒートシンク間の熱抵抗を小
さくしなくてはならないが、そのようにすると、ＩＣデ
バイスをヒータで加熱したときにヒートシンクも加熱さ
れることとなり、いざＩＣデバイスを冷却しようとして
もヒートシンクが温まっているため、ＩＣデバイスを効
果的に冷却することができない。
ートシンクとしてのプッシャとＩＣデバイスとの間にヒ
ータを介在させる構造が開示されている（米国特許第
５,８２１,５０５号、同第５,８４４,２０８号、同第
５,８６４,１７６号）。このような構造においてヒート
シンクによる冷却効果を発揮させるためには、ＩＣデバ
イスとヒートシンクとの間の熱抵抗、すなわちＩＣデバ
イス−ヒータ間、ヒータ−ヒートシンク間の熱抵抗を小
さくしなくてはならないが、そのようにすると、ＩＣデ
バイスをヒータで加熱したときにヒートシンクも加熱さ
れることとなり、いざＩＣデバイスを冷却しようとして
もヒートシンクが温まっているため、ＩＣデバイスを効
果的に冷却することができない。
【０００７】本発明は、このような実状に鑑みてなされ
たものであり、電子部品が目的とする試験の設定温度付
近になるよう温度制御を行うことのできるプッシャ、電
子部品ハンドリング装置および温度制御方法を提供する
ことを目的とする。
たものであり、電子部品が目的とする試験の設定温度付
近になるよう温度制御を行うことのできるプッシャ、電
子部品ハンドリング装置および温度制御方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るヒータ付プッシャは、電子部品ハンド
リング装置において被試験電子部品の端子をテストヘッ
ドのコンタクト部に押し付けるためのプッシャであっ
て、被試験電子部品と直接接触し得るプッシャ本体と、
前記プッシャ本体に設けられた吸放熱体（ヒートシン
ク）と、被試験電子部品と直接的または間接的に接触し
得るように、前記プッシャ本体に設けられたヒータと、
前記プッシャ本体と前記ヒータとの間に設けられた断熱
材とを備えたことを特徴とする（請求項１）。
に、本発明に係るヒータ付プッシャは、電子部品ハンド
リング装置において被試験電子部品の端子をテストヘッ
ドのコンタクト部に押し付けるためのプッシャであっ
て、被試験電子部品と直接接触し得るプッシャ本体と、
前記プッシャ本体に設けられた吸放熱体（ヒートシン
ク）と、被試験電子部品と直接的または間接的に接触し
得るように、前記プッシャ本体に設けられたヒータと、
前記プッシャ本体と前記ヒータとの間に設けられた断熱
材とを備えたことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】上記ヒータは、プッシャ本体の下面に面一
で露出するようにプッシャ本体の下部に設けられていて
もよいし、このような構成においてプッシャ下端に伝熱
板（プッシャ本体の一部）が設けられていてもよい。こ
の場合における伝熱板は、厚み方向には熱が伝わり易
く、面方向には熱が伝わり難いように、薄板または熱伝
導異方性の材料からなるのが好ましい。
で露出するようにプッシャ本体の下部に設けられていて
もよいし、このような構成においてプッシャ下端に伝熱
板（プッシャ本体の一部）が設けられていてもよい。こ
の場合における伝熱板は、厚み方向には熱が伝わり易
く、面方向には熱が伝わり難いように、薄板または熱伝
導異方性の材料からなるのが好ましい。
【００１０】また、本発明に係る電子部品ハンドリング
装置は、電子部品の試験を行うために、被試験電子部品
の端子をテストヘッドのコンタクト部に押し付けること
のできる電子部品ハンドリング装置であって、前記ヒー
タ付プッシャ（請求項１）を備えたことを特徴とする
（請求項２）。
装置は、電子部品の試験を行うために、被試験電子部品
の端子をテストヘッドのコンタクト部に押し付けること
のできる電子部品ハンドリング装置であって、前記ヒー
タ付プッシャ（請求項１）を備えたことを特徴とする
（請求項２）。
【００１１】さらに、本発明に係る電子部品の温度制御
方法は、電子部品ハンドリング装置において被試験電子
部品を試験する際に当該電子部品を温度制御する方法で
あって、被試験電子部品の冷却は、当該電子部品の熱が
伝わる吸放熱体を冷却することにより行い、被試験電子
部品の加熱は、前記部材との熱抵抗が大きくなるように
設けられたヒータによって行うことを特徴とする（請求
項３）。
方法は、電子部品ハンドリング装置において被試験電子
部品を試験する際に当該電子部品を温度制御する方法で
あって、被試験電子部品の冷却は、当該電子部品の熱が
伝わる吸放熱体を冷却することにより行い、被試験電子
部品の加熱は、前記部材との熱抵抗が大きくなるように
設けられたヒータによって行うことを特徴とする（請求
項３）。
【００１２】
【作用】本発明においては、プッシャの温度が所定の設
定温度よりも高くなった場合には、プッシャ本体に設け
られた吸放熱体がプッシャの熱を吸収し放出（吸放熱）
するため、プッシャに押し付けられる被試験電子部品の
温度が設定温度よりも過度に高くなることを防止するこ
とができる。また、テストヘッドのコンタクト部が所定
の設定温度よりも低い場合には、ヒータを発熱させるこ
とにより、ヒータに接触している被試験電子部品を加熱
し、設定温度に近づけることができる。さらに、被試験
電子部品が自己発熱により設定温度よりも高い温度にな
った場合、被試験電子部品の熱は、プッシャ本体から吸
放熱体に伝わり、吸放熱体から放熱される。ここで、吸
放熱体とヒータとの間には、断熱材が設けられており、
ヒータの熱によって吸放熱体が温まることが防止されて
いるため、吸放熱体から効果的に放熱することができ
る。すなわち、被試験電子部品が自己発熱により設定温
度よりも高い温度になった場合であっても、被試験電子
部品の過剰な温度上昇を防止し、被試験電子部品を設定
温度付近の温度に制御することができる。
定温度よりも高くなった場合には、プッシャ本体に設け
られた吸放熱体がプッシャの熱を吸収し放出（吸放熱）
するため、プッシャに押し付けられる被試験電子部品の
温度が設定温度よりも過度に高くなることを防止するこ
とができる。また、テストヘッドのコンタクト部が所定
の設定温度よりも低い場合には、ヒータを発熱させるこ
とにより、ヒータに接触している被試験電子部品を加熱
し、設定温度に近づけることができる。さらに、被試験
電子部品が自己発熱により設定温度よりも高い温度にな
った場合、被試験電子部品の熱は、プッシャ本体から吸
放熱体に伝わり、吸放熱体から放熱される。ここで、吸
放熱体とヒータとの間には、断熱材が設けられており、
ヒータの熱によって吸放熱体が温まることが防止されて
いるため、吸放熱体から効果的に放熱することができ
る。すなわち、被試験電子部品が自己発熱により設定温
度よりも高い温度になった場合であっても、被試験電子
部品の過剰な温度上昇を防止し、被試験電子部品を設定
温度付近の温度に制御することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施形態に係る電子部品
ハンドリング装置（以下「ハンドラ」という。）を含む
ＩＣデバイス試験装置の全体側面図、図２は図１に示す
ハンドラの斜視図、図３は被試験ＩＣデバイスの取り廻
し方法を示すトレイのフローチャート図、図４は同ハン
ドラのＩＣストッカの構造を示す斜視図、図５は同ハン
ドラで用いられるカスタマトレイを示す斜視図、図６は
同ハンドラのテストチャンバ内の要部断面図、図７は同
ハンドラで用いられるテストトレイを示す一部分解斜視
図、図８は同ハンドラにおけるソケット付近の構造を示
す分解斜視図、図９は同ハンドラにおけるプッシャ（下
降した状態）付近の断面図である。
ハンドリング装置（以下「ハンドラ」という。）を含む
ＩＣデバイス試験装置の全体側面図、図２は図１に示す
ハンドラの斜視図、図３は被試験ＩＣデバイスの取り廻
し方法を示すトレイのフローチャート図、図４は同ハン
ドラのＩＣストッカの構造を示す斜視図、図５は同ハン
ドラで用いられるカスタマトレイを示す斜視図、図６は
同ハンドラのテストチャンバ内の要部断面図、図７は同
ハンドラで用いられるテストトレイを示す一部分解斜視
図、図８は同ハンドラにおけるソケット付近の構造を示
す分解斜視図、図９は同ハンドラにおけるプッシャ（下
降した状態）付近の断面図である。
【００１５】まず、本発明の実施形態に係るハンドラを
備えたＩＣデバイス試験装置の全体構成について説明す
る。図１に示すように、ＩＣデバイス試験装置１０は、
ハンドラ１と、テストヘッド５と、試験用メイン装置６
とを有する。ハンドラ１は、試験すべきＩＣデバイス
（電子部品の一例）をテストヘッド５に設けたソケット
に順次搬送し、試験が終了したＩＣデバイスをテスト結
果に従って分類して所定のトレイに格納する動作を実行
する。
備えたＩＣデバイス試験装置の全体構成について説明す
る。図１に示すように、ＩＣデバイス試験装置１０は、
ハンドラ１と、テストヘッド５と、試験用メイン装置６
とを有する。ハンドラ１は、試験すべきＩＣデバイス
（電子部品の一例）をテストヘッド５に設けたソケット
に順次搬送し、試験が終了したＩＣデバイスをテスト結
果に従って分類して所定のトレイに格納する動作を実行
する。
【００１６】テストヘッド５に設けたソケットは、ケー
ブル７を通じて試験用メイン装置６に電気的に接続して
あり、ソケットに脱着可能に装着されたＩＣデバイス
を、ケーブル７を通じて試験用メイン装置６に接続し、
試験用メイン装置６からの試験用電気信号によりＩＣデ
バイスをテストする。
ブル７を通じて試験用メイン装置６に電気的に接続して
あり、ソケットに脱着可能に装着されたＩＣデバイス
を、ケーブル７を通じて試験用メイン装置６に接続し、
試験用メイン装置６からの試験用電気信号によりＩＣデ
バイスをテストする。
【００１７】ハンドラ１の下部には、主としてハンドラ
１を制御する制御装置が内蔵してあるが、一部に空間部
分８が設けてある。この空間部分８に、テストヘッド５
が交換自在に配置してあり、ハンドラ１に形成した貫通
孔を通してＩＣデバイスをテストヘッド５上のソケット
に装着することが可能になっている。
１を制御する制御装置が内蔵してあるが、一部に空間部
分８が設けてある。この空間部分８に、テストヘッド５
が交換自在に配置してあり、ハンドラ１に形成した貫通
孔を通してＩＣデバイスをテストヘッド５上のソケット
に装着することが可能になっている。
【００１８】このハンドラ１は、試験すべき電子部品と
してのＩＣデバイスを、常温よりも高い温度状態（高
温）または低い温度状態（低温）で試験するための装置
であり、ハンドラ１は、図２および図３に示すように、
恒温槽１０１とテストチャンバ１０２と除熱槽１０３と
で構成されるチャンバ１００を有する。図１に示すテス
トヘッド５の上部は、図６に示すようにテストチャンバ
１０２の内部に挿入され、そこでＩＣデバイス２の試験
が行われるようになっている。
してのＩＣデバイスを、常温よりも高い温度状態（高
温）または低い温度状態（低温）で試験するための装置
であり、ハンドラ１は、図２および図３に示すように、
恒温槽１０１とテストチャンバ１０２と除熱槽１０３と
で構成されるチャンバ１００を有する。図１に示すテス
トヘッド５の上部は、図６に示すようにテストチャンバ
１０２の内部に挿入され、そこでＩＣデバイス２の試験
が行われるようになっている。
【００１９】なお、図３は本実施形態のハンドラにおけ
る試験用ＩＣデバイスの取り廻し方法を理解するための
図であって、実際には上下方向に並んで配置されている
部材を平面的に示した部分もある。したがって、その機
械的（三次元的）構造は、主として図２を参照して理解
することができる。
る試験用ＩＣデバイスの取り廻し方法を理解するための
図であって、実際には上下方向に並んで配置されている
部材を平面的に示した部分もある。したがって、その機
械的（三次元的）構造は、主として図２を参照して理解
することができる。
【００２０】図２および図３に示すように、本実施形態
のハンドラ１は、これから試験を行うＩＣデバイスを格
納し、また試験済のＩＣデバイスを分類して格納するＩ
Ｃ格納部２００と、ＩＣ格納部２００から送られる被試
験ＩＣデバイスをチャンバ部１００に送り込むローダ部
３００と、テストヘッドを含むチャンバ部１００と、チ
ャンバ部１００で試験が行われた試験済のＩＣを取り出
して分類するアンローダ部４００とから構成されてい
る。ハンドラ１の内部では、ＩＣデバイスは、テストト
レイに収納されて搬送される。
のハンドラ１は、これから試験を行うＩＣデバイスを格
納し、また試験済のＩＣデバイスを分類して格納するＩ
Ｃ格納部２００と、ＩＣ格納部２００から送られる被試
験ＩＣデバイスをチャンバ部１００に送り込むローダ部
３００と、テストヘッドを含むチャンバ部１００と、チ
ャンバ部１００で試験が行われた試験済のＩＣを取り出
して分類するアンローダ部４００とから構成されてい
る。ハンドラ１の内部では、ＩＣデバイスは、テストト
レイに収納されて搬送される。
【００２１】ハンドラ１にセットされる前のＩＣデバイ
スは、図５に示すカスタマトレイＫＳＴ内に多数収納し
てあり、その状態で、図２および図３に示すハンドラ１
のＩＣ収納部２００へ供給され、そして、カスタマトレ
イＫＳＴから、ハンドラ１内で搬送されるテストトレイ
ＴＳＴ（図７参照）にＩＣデバイス２が載せ替えられ
る。ハンドラ１の内部では、図３に示すように、ＩＣデ
バイスは、テストトレイＴＳＴに載せられた状態で移動
し、高温または低温の温度ストレスが与えられ、適切に
動作するかどうか試験（検査）され、当該試験結果に応
じて分類される。以下、ハンドラ１の内部について、個
別に詳細に説明する。
スは、図５に示すカスタマトレイＫＳＴ内に多数収納し
てあり、その状態で、図２および図３に示すハンドラ１
のＩＣ収納部２００へ供給され、そして、カスタマトレ
イＫＳＴから、ハンドラ１内で搬送されるテストトレイ
ＴＳＴ（図７参照）にＩＣデバイス２が載せ替えられ
る。ハンドラ１の内部では、図３に示すように、ＩＣデ
バイスは、テストトレイＴＳＴに載せられた状態で移動
し、高温または低温の温度ストレスが与えられ、適切に
動作するかどうか試験（検査）され、当該試験結果に応
じて分類される。以下、ハンドラ１の内部について、個
別に詳細に説明する。
【００２２】第１に、ＩＣ格納部２００に関連する部分
について説明する。図２に示すように、ＩＣ格納部２０
０には、試験前のＩＣデバイスを格納する試験前ＩＣス
トッカ２０１と、試験の結果に応じて分類されたＩＣデ
バイスを格納する試験済ＩＣストッカ２０２とが設けて
ある。
について説明する。図２に示すように、ＩＣ格納部２０
０には、試験前のＩＣデバイスを格納する試験前ＩＣス
トッカ２０１と、試験の結果に応じて分類されたＩＣデ
バイスを格納する試験済ＩＣストッカ２０２とが設けて
ある。
【００２３】これらの試験前ＩＣストッカ２０１および
試験済ＩＣストッカ２０２は、図４に示すように、枠状
のトレイ支持枠２０３と、このトレイ支持枠２０３の下
部から侵入して上部に向かって昇降可能とするエレベー
タ２０４とを具備している。トレイ支持枠２０３には、
カスタマトレイＫＳＴが複数積み重ねられて支持され、
この積み重ねられたカスタマトレイＫＳＴのみがエレベ
ータ２０４によって上下に移動される。なお、本実施形
態におけるカスタマトレイＫＳＴは、図５に示すよう
に、１０行×６列のＩＣデバイス収納部を有するものと
なっている。
試験済ＩＣストッカ２０２は、図４に示すように、枠状
のトレイ支持枠２０３と、このトレイ支持枠２０３の下
部から侵入して上部に向かって昇降可能とするエレベー
タ２０４とを具備している。トレイ支持枠２０３には、
カスタマトレイＫＳＴが複数積み重ねられて支持され、
この積み重ねられたカスタマトレイＫＳＴのみがエレベ
ータ２０４によって上下に移動される。なお、本実施形
態におけるカスタマトレイＫＳＴは、図５に示すよう
に、１０行×６列のＩＣデバイス収納部を有するものと
なっている。
【００２４】図２に示す試験前ＩＣストッカ２０１に
は、これから試験が行われるＩＣデバイスが収納された
カスタマトレイＫＳＴが積層されて保持してある。ま
た、試験済ＩＣストッカ２０２には、試験を終えて分類
されたＩＣデバイスが収納されたカスタマトレイＫＳＴ
が積層されて保持してある。
は、これから試験が行われるＩＣデバイスが収納された
カスタマトレイＫＳＴが積層されて保持してある。ま
た、試験済ＩＣストッカ２０２には、試験を終えて分類
されたＩＣデバイスが収納されたカスタマトレイＫＳＴ
が積層されて保持してある。
【００２５】なお、これら試験前ＩＣストッカ２０１と
試験済ＩＣストッカ２０２とは、略同じ構造にしてある
ので、試験前ＩＣストッカ２０１の部分を、試験済ＩＣ
ストッカ２０２として使用することや、その逆も可能で
ある。したがって、試験前ＩＣストッカ２０１の数と試
験済ＩＣストッカ２０２の数とは、必要に応じて容易に
変更することができる。
試験済ＩＣストッカ２０２とは、略同じ構造にしてある
ので、試験前ＩＣストッカ２０１の部分を、試験済ＩＣ
ストッカ２０２として使用することや、その逆も可能で
ある。したがって、試験前ＩＣストッカ２０１の数と試
験済ＩＣストッカ２０２の数とは、必要に応じて容易に
変更することができる。
【００２６】図２および図３に示すように、本実施形態
では、試験前ストッカ２０１として、２個のストッカＳ
ＴＫ−Ｂが設けてある。ストッカＳＴＫ−Ｂの隣には、
試験済ＩＣストッカ２０２として、アンローダ部４００
へ送られる空ストッカＳＴＫ−Ｅを２個設けてある。ま
た、その隣には、試験済ＩＣストッカ２０２として、８
個のストッカＳＴＫ−１，ＳＴＫ−２，…，ＳＴＫ−８
を設けてあり、試験結果に応じて最大８つの分類に仕分
けして格納できるように構成してある。つまり、良品と
不良品の別の外に、良品の中でも動作速度が高速のも
の、中速のもの、低速のもの、あるいは不良の中でも再
試験が必要なもの等に仕分けできるようになっている。
では、試験前ストッカ２０１として、２個のストッカＳ
ＴＫ−Ｂが設けてある。ストッカＳＴＫ−Ｂの隣には、
試験済ＩＣストッカ２０２として、アンローダ部４００
へ送られる空ストッカＳＴＫ−Ｅを２個設けてある。ま
た、その隣には、試験済ＩＣストッカ２０２として、８
個のストッカＳＴＫ−１，ＳＴＫ−２，…，ＳＴＫ−８
を設けてあり、試験結果に応じて最大８つの分類に仕分
けして格納できるように構成してある。つまり、良品と
不良品の別の外に、良品の中でも動作速度が高速のも
の、中速のもの、低速のもの、あるいは不良の中でも再
試験が必要なもの等に仕分けできるようになっている。
【００２７】第２に、ローダ部３００に関連する部分に
ついて説明する。図４に示す試験前ＩＣストッカ２０１
のトレイ支持枠２０３に格納してあるカスタマトレイＫ
ＳＴは、図２に示すように、ＩＣ格納部２００と装置基
板１０５との間に設けられたトレイ移送アーム２０５に
よってローダ部３００の窓部３０６に装置基板１０５の
下側から運ばれる。そして、このローダ部３００におい
て、カスタマトレイＫＳＴに積み込まれた被試験ＩＣデ
バイスを、Ｘ−Ｙ搬送装置３０４によって一旦プリサイ
サ（preciser）３０５に移送し、ここで被試験ＩＣデバ
イスの相互の位置を修正したのち、さらにこのプリサイ
サ３０５に移送された被試験ＩＣデバイスを再びＸ−Ｙ
搬送装置３０４を用いて、ローダ部３００に停止してい
るテストトレイＴＳＴに積み替える。
ついて説明する。図４に示す試験前ＩＣストッカ２０１
のトレイ支持枠２０３に格納してあるカスタマトレイＫ
ＳＴは、図２に示すように、ＩＣ格納部２００と装置基
板１０５との間に設けられたトレイ移送アーム２０５に
よってローダ部３００の窓部３０６に装置基板１０５の
下側から運ばれる。そして、このローダ部３００におい
て、カスタマトレイＫＳＴに積み込まれた被試験ＩＣデ
バイスを、Ｘ−Ｙ搬送装置３０４によって一旦プリサイ
サ（preciser）３０５に移送し、ここで被試験ＩＣデバ
イスの相互の位置を修正したのち、さらにこのプリサイ
サ３０５に移送された被試験ＩＣデバイスを再びＸ−Ｙ
搬送装置３０４を用いて、ローダ部３００に停止してい
るテストトレイＴＳＴに積み替える。
【００２８】カスタマトレイＫＳＴからテストトレイＴ
ＳＴへ被試験ＩＣデバイスを積み替えるＸ−Ｙ搬送装置
３０４は、図２に示すように、装置基板１０５の上部に
架設された２本のレール３０１と、この２本のレール３
０１によってテストトレイＴＳＴとカスタマトレイＫＳ
Ｔとの間を往復する（この方向をＹ方向とする）ことが
できる可動アーム３０２と、この可動アーム３０２によ
って支持され、可動アーム３０２に沿ってＸ方向に移動
できる可動ヘッド３０３とを備えている。
ＳＴへ被試験ＩＣデバイスを積み替えるＸ−Ｙ搬送装置
３０４は、図２に示すように、装置基板１０５の上部に
架設された２本のレール３０１と、この２本のレール３
０１によってテストトレイＴＳＴとカスタマトレイＫＳ
Ｔとの間を往復する（この方向をＹ方向とする）ことが
できる可動アーム３０２と、この可動アーム３０２によ
って支持され、可動アーム３０２に沿ってＸ方向に移動
できる可動ヘッド３０３とを備えている。
【００２９】このＸ−Ｙ搬送装置３０４の可動ヘッド３
０３には、吸着ヘッドが下向に装着されており、この吸
着ヘッドが空気を吸引しながら移動することで、カスタ
マトレイＫＳＴから被試験ＩＣデバイスを吸着し、その
被試験ＩＣデバイスをテストトレイＴＳＴに積み替え
る。こうした吸着ヘッドは、可動ヘッド３０３に対して
例えば８本程度装着されており、一度に８個の被試験Ｉ
ＣデバイスをテストトレイＴＳＴに積み替えることがで
きる。
０３には、吸着ヘッドが下向に装着されており、この吸
着ヘッドが空気を吸引しながら移動することで、カスタ
マトレイＫＳＴから被試験ＩＣデバイスを吸着し、その
被試験ＩＣデバイスをテストトレイＴＳＴに積み替え
る。こうした吸着ヘッドは、可動ヘッド３０３に対して
例えば８本程度装着されており、一度に８個の被試験Ｉ
ＣデバイスをテストトレイＴＳＴに積み替えることがで
きる。
【００３０】第３に、チャンバ１００に関連する部分に
ついて説明する。上述したテストトレイＴＳＴは、ロー
ダ部３００で被試験ＩＣデバイスが積み込まれたのちチ
ャンバ１００に送り込まれ、当該テストトレイＴＳＴに
搭載された状態で各被試験ＩＣデバイスがテストされ
る。
ついて説明する。上述したテストトレイＴＳＴは、ロー
ダ部３００で被試験ＩＣデバイスが積み込まれたのちチ
ャンバ１００に送り込まれ、当該テストトレイＴＳＴに
搭載された状態で各被試験ＩＣデバイスがテストされ
る。
【００３１】図２および図３に示すように、チャンバ１
００は、テストトレイＴＳＴに積み込まれた被試験ＩＣ
デバイスに目的とする高温または低温の熱ストレスを与
える恒温槽１０１と、この恒温槽１０１で熱ストレスが
与えられた状態にある被試験ＩＣデバイスがテストヘッ
ド上のソケットに装着されるテストチャンバ１０２と、
テストチャンバ１０２で試験された被試験ＩＣデバイス
から、与えられた熱ストレスを除去する除熱槽１０３と
で構成されている。
００は、テストトレイＴＳＴに積み込まれた被試験ＩＣ
デバイスに目的とする高温または低温の熱ストレスを与
える恒温槽１０１と、この恒温槽１０１で熱ストレスが
与えられた状態にある被試験ＩＣデバイスがテストヘッ
ド上のソケットに装着されるテストチャンバ１０２と、
テストチャンバ１０２で試験された被試験ＩＣデバイス
から、与えられた熱ストレスを除去する除熱槽１０３と
で構成されている。
【００３２】除熱槽１０３では、恒温槽１０１で高温を
印加した場合は、被試験ＩＣデバイスを送風により冷却
して室温に戻し、また恒温槽１０１で低温を印加した場
合は、被試験ＩＣデバイスを温風またはヒータ等で加熱
して結露が生じない程度の温度まで戻す。そして、この
除熱された被試験ＩＣデバイスをアンローダ部４００に
搬出する。
印加した場合は、被試験ＩＣデバイスを送風により冷却
して室温に戻し、また恒温槽１０１で低温を印加した場
合は、被試験ＩＣデバイスを温風またはヒータ等で加熱
して結露が生じない程度の温度まで戻す。そして、この
除熱された被試験ＩＣデバイスをアンローダ部４００に
搬出する。
【００３３】図２に示すように、チャンバ１００の恒温
槽１０１および除熱槽１０３は、テストチャンバ１０２
より上方に突出するように配置されている。また、恒温
槽１０１には、図３に概念的に示すように、垂直搬送装
置が設けられており、テストチャンバ１０２が空くまで
の間、複数枚のテストトレイＴＳＴがこの垂直搬送装置
に支持されながら待機する。主として、この待機中にお
いて、被試験ＩＣデバイスに高温または低温の熱ストレ
スが印加される。
槽１０１および除熱槽１０３は、テストチャンバ１０２
より上方に突出するように配置されている。また、恒温
槽１０１には、図３に概念的に示すように、垂直搬送装
置が設けられており、テストチャンバ１０２が空くまで
の間、複数枚のテストトレイＴＳＴがこの垂直搬送装置
に支持されながら待機する。主として、この待機中にお
いて、被試験ＩＣデバイスに高温または低温の熱ストレ
スが印加される。
【００３４】図６に示すように、テストチャンバ１０２
には、その中央下部にテストヘッド５が配置され、テス
トヘッド５の上にテストトレイＴＳＴが運ばれる。そこ
では、図７に示すテストトレイＴＳＴにより保持された
全てのＩＣデバイス２を順次テストヘッド５に電気的に
接触させ、テストトレイＴＳＴ内の全てのＩＣデバイス
２について試験を行う。一方、試験が終了したテストト
レイＴＳＴは、除熱槽１０３で除熱され、ＩＣデバイス
２の温度を室温に戻したのち、図２および図３に示すア
ンローダ部４００に排出される。
には、その中央下部にテストヘッド５が配置され、テス
トヘッド５の上にテストトレイＴＳＴが運ばれる。そこ
では、図７に示すテストトレイＴＳＴにより保持された
全てのＩＣデバイス２を順次テストヘッド５に電気的に
接触させ、テストトレイＴＳＴ内の全てのＩＣデバイス
２について試験を行う。一方、試験が終了したテストト
レイＴＳＴは、除熱槽１０３で除熱され、ＩＣデバイス
２の温度を室温に戻したのち、図２および図３に示すア
ンローダ部４００に排出される。
【００３５】また、図２に示すように、恒温槽１０１と
除熱槽１０３の上部には、装置基板１０５からテストト
レイＴＳＴを送り込むための入口用開口部と、装置基板
１０５へテストトレイＴＳＴを送り出すための出口用開
口部とがそれぞれ形成してある。装置基板１０５には、
これら開口部からテストトレイＴＳＴを出し入れするた
めのテストトレイ搬送装置１０８が装着してある。これ
ら搬送装置１０８は、例えば回転ローラなどで構成して
ある。この装置基板１０５上に設けられたテストトレイ
搬送装置１０８によって、除熱槽１０３から排出された
テストトレイＴＳＴは、アンローダ部４００に搬送され
る。
除熱槽１０３の上部には、装置基板１０５からテストト
レイＴＳＴを送り込むための入口用開口部と、装置基板
１０５へテストトレイＴＳＴを送り出すための出口用開
口部とがそれぞれ形成してある。装置基板１０５には、
これら開口部からテストトレイＴＳＴを出し入れするた
めのテストトレイ搬送装置１０８が装着してある。これ
ら搬送装置１０８は、例えば回転ローラなどで構成して
ある。この装置基板１０５上に設けられたテストトレイ
搬送装置１０８によって、除熱槽１０３から排出された
テストトレイＴＳＴは、アンローダ部４００に搬送され
る。
【００３６】図７は本実施形態で用いられるテストトレ
イＴＳＴの構造を示す分解斜視図である。このテストト
レイＴＳＴは、矩形フレーム１２を有し、そのフレーム
１２に複数の桟（さん）１３が平行かつ等間隔に設けて
ある。これら桟１３の両側と、これら桟１３と平行なフ
レーム１２の辺１２ａの内側とには、それぞれ複数の取
付け片１４が長手方向に等間隔に突出して形成してあ
る。これら桟１３の間、および桟１３と辺１２ａとの間
に設けられた複数の取付け片１４の内の向かい合う２つ
の取付け片１４によって、各インサート収納部１５が構
成されている。
イＴＳＴの構造を示す分解斜視図である。このテストト
レイＴＳＴは、矩形フレーム１２を有し、そのフレーム
１２に複数の桟（さん）１３が平行かつ等間隔に設けて
ある。これら桟１３の両側と、これら桟１３と平行なフ
レーム１２の辺１２ａの内側とには、それぞれ複数の取
付け片１４が長手方向に等間隔に突出して形成してあ
る。これら桟１３の間、および桟１３と辺１２ａとの間
に設けられた複数の取付け片１４の内の向かい合う２つ
の取付け片１４によって、各インサート収納部１５が構
成されている。
【００３７】各インサート収納部１５には、それぞれ１
個のインサート１６が収納されるようになっており、こ
のインサート１６はファスナ１７を用いて２つの取付け
片１４にフローティング状態で取り付けられている。本
実施形態において、インサート１６は、１つのテストト
レイＴＳＴに４×１６個取り付けられるようになってい
る。すなわち、本実施形態におけるテストトレイＴＳＴ
は、４行×１６列のＩＣデバイス収納部を有するものと
なっている。このインサート１６に被試験ＩＣデバイス
２を収納することで、テストトレイＴＳＴに被試験ＩＣ
デバイス２が積み込まれることになる。
個のインサート１６が収納されるようになっており、こ
のインサート１６はファスナ１７を用いて２つの取付け
片１４にフローティング状態で取り付けられている。本
実施形態において、インサート１６は、１つのテストト
レイＴＳＴに４×１６個取り付けられるようになってい
る。すなわち、本実施形態におけるテストトレイＴＳＴ
は、４行×１６列のＩＣデバイス収納部を有するものと
なっている。このインサート１６に被試験ＩＣデバイス
２を収納することで、テストトレイＴＳＴに被試験ＩＣ
デバイス２が積み込まれることになる。
【００３８】本実施形態のインサート１６においては、
図７および図８に示すように、被試験ＩＣデバイス２を
収納する矩形凹状のＩＣ収納部１９が中央部に形成され
ている。また、インサート１６の両端中央部には、プッ
シャ３０のガイドピン３２が挿入されるガイド孔２０が
形成されており、インサート１６の両端角部には、テス
トトレイＴＳＴの取付け片１４への取付け用孔２１が形
成されている。
図７および図８に示すように、被試験ＩＣデバイス２を
収納する矩形凹状のＩＣ収納部１９が中央部に形成され
ている。また、インサート１６の両端中央部には、プッ
シャ３０のガイドピン３２が挿入されるガイド孔２０が
形成されており、インサート１６の両端角部には、テス
トトレイＴＳＴの取付け片１４への取付け用孔２１が形
成されている。
【００３９】図８に示すように、テストヘッド５の上に
は、ソケットボード５０が配置してあり、その上に接続
端子であるプローブピン４４を有するソケット４０が固
定してある。プローブピン４４は、ＩＣデバイス２の接
続端子に対応する数およびピッチで設けられており、図
外のスプリングによって上方向にバネ付勢されている。
は、ソケットボード５０が配置してあり、その上に接続
端子であるプローブピン４４を有するソケット４０が固
定してある。プローブピン４４は、ＩＣデバイス２の接
続端子に対応する数およびピッチで設けられており、図
外のスプリングによって上方向にバネ付勢されている。
【００４０】また、図８および図９に示すように、ソケ
ットボード５０の上には、ソケット４０に設けられてい
るプローブピン４４が露出するように、ソケットガイド
４１が固定されている。ソケットガイド４１の両側に
は、プッシャ３０に形成してある２つのガイドピン３２
が挿入されて、これら２つのガイドピン３２との間で位
置決めを行うためのガイドブッシュ４１１が設けられて
いる。
ットボード５０の上には、ソケット４０に設けられてい
るプローブピン４４が露出するように、ソケットガイド
４１が固定されている。ソケットガイド４１の両側に
は、プッシャ３０に形成してある２つのガイドピン３２
が挿入されて、これら２つのガイドピン３２との間で位
置決めを行うためのガイドブッシュ４１１が設けられて
いる。
【００４１】図６および図８に示すように、テストヘッ
ド５の上側には、ソケット４０の数に対応してプッシャ
３０が設けてある。プッシャ３０は、図８および図９に
示すように、後述するアダプタ６２のロッド６２１に固
定されるプッシャベース３３を有している。このプッシ
ャベース３３の下側中央には、被試験ＩＣデバイス２を
押し付けるための押圧子３１が下方に向かって設けられ
ており、プッシャベース３３の下側両端部には、インサ
ート１６のガイド孔２０およびソケットガイド４１のガ
イドブッシュ４１１に挿入されるガイドピン３２が設け
られている。また、押圧子３１とガイドピン３２との間
には、プッシャ３０がＺ軸駆動装置７０にて下降移動す
る際に、ソケットガイド４１のストッパ面４１２に当接
して下限を規定することのできるストッパピン３４が設
けられている。
ド５の上側には、ソケット４０の数に対応してプッシャ
３０が設けてある。プッシャ３０は、図８および図９に
示すように、後述するアダプタ６２のロッド６２１に固
定されるプッシャベース３３を有している。このプッシ
ャベース３３の下側中央には、被試験ＩＣデバイス２を
押し付けるための押圧子３１が下方に向かって設けられ
ており、プッシャベース３３の下側両端部には、インサ
ート１６のガイド孔２０およびソケットガイド４１のガ
イドブッシュ４１１に挿入されるガイドピン３２が設け
られている。また、押圧子３１とガイドピン３２との間
には、プッシャ３０がＺ軸駆動装置７０にて下降移動す
る際に、ソケットガイド４１のストッパ面４１２に当接
して下限を規定することのできるストッパピン３４が設
けられている。
【００４２】図６および図９に示すように、プッシャ３
０の押圧子３１の下部には、押圧子３１の下面に面一で
露出するようにヒータ３１１が設けられており、このヒ
ータ３１１と押圧子３１との間には断熱材３１２が設け
られている。
０の押圧子３１の下部には、押圧子３１の下面に面一で
露出するようにヒータ３１１が設けられており、このヒ
ータ３１１と押圧子３１との間には断熱材３１２が設け
られている。
【００４３】ヒータ３１１の種類は、被試験ＩＣデバイ
ス２を所定の試験温度に制御できるものであれば、特に
限定されることはない。このヒータ３１１は、図示しな
い制御装置からの出力信号により発熱温度または発熱の
ＯＮ／ＯＦＦが制御される。
ス２を所定の試験温度に制御できるものであれば、特に
限定されることはない。このヒータ３１１は、図示しな
い制御装置からの出力信号により発熱温度または発熱の
ＯＮ／ＯＦＦが制御される。
【００４４】断熱材３１２としては、プッシャ３０の押
圧子３１とヒータ３１１との間の熱抵抗を、ヒータ３１
１と被試験ＩＣデバイス２との間の熱抵抗よりも大き
く、好ましくは３〜４倍以上にすることができるもので
あれば、特に限定されることはない。このような断熱材
３１２の材料としては、例えば、シリコーン系樹脂、エ
ポキシ系樹脂等の樹脂中にガラス繊維を積層したもの、
あるいはシリコーンゴム等のゴム系材料などを用いるこ
とができる。
圧子３１とヒータ３１１との間の熱抵抗を、ヒータ３１
１と被試験ＩＣデバイス２との間の熱抵抗よりも大き
く、好ましくは３〜４倍以上にすることができるもので
あれば、特に限定されることはない。このような断熱材
３１２の材料としては、例えば、シリコーン系樹脂、エ
ポキシ系樹脂等の樹脂中にガラス繊維を積層したもの、
あるいはシリコーンゴム等のゴム系材料などを用いるこ
とができる。
【００４５】一方、プッシャベース３３の上側には、ヒ
ートシンク３５（本発明の吸放熱体に相当する。）が設
けられている。このヒートシンク３５は、複数の放熱フ
ィンから構成され、例えばアルミニウム、銅、それらの
合金、あるいはカーボン系材料等の熱伝導性に優れた材
料からなる。同様に、プッシャベース３３および押圧子
３１も、例えばアルミニウム、銅、鉄、それらの合金
（ステンレススチールを含む）等の熱伝導性に優れた金
属からなり、テスト中における被試験ＩＣデバイス２の
熱を、被試験ＩＣデバイス２に接触している押圧子３１
からプッシャベース３３を介してヒートシンク３５に伝
え、ヒートシンク３５から周囲に放熱できるようになっ
ている。なお、ヒートシンク３５は、放熱フィンではな
く、ヒートパイプで構成されていてもよい。
ートシンク３５（本発明の吸放熱体に相当する。）が設
けられている。このヒートシンク３５は、複数の放熱フ
ィンから構成され、例えばアルミニウム、銅、それらの
合金、あるいはカーボン系材料等の熱伝導性に優れた材
料からなる。同様に、プッシャベース３３および押圧子
３１も、例えばアルミニウム、銅、鉄、それらの合金
（ステンレススチールを含む）等の熱伝導性に優れた金
属からなり、テスト中における被試験ＩＣデバイス２の
熱を、被試験ＩＣデバイス２に接触している押圧子３１
からプッシャベース３３を介してヒートシンク３５に伝
え、ヒートシンク３５から周囲に放熱できるようになっ
ている。なお、ヒートシンク３５は、放熱フィンではな
く、ヒートパイプで構成されていてもよい。
【００４６】図９に示すように、アダプタ６２には、ロ
ッド６２１（２本）が下方に向かって設けられており、
このロッド６２１によってプッシャ３０のプッシャベー
ス３３を支持固定する。図６に示すように、各アダプタ
６２はマッチプレート６０に弾性保持してあり、マッチ
プレート６０は、テストヘッド５の上部に位置するよう
に、かつプッシャ３０とソケット４０との間にテストト
レイＴＳＴが挿入可能となるように装着してある。この
マッチプレート６０に保持されたプッシャ３０は、テス
トヘッド５またはＺ軸駆動装置７０の駆動プレート（駆
動体）７２に対して、Ｚ軸方向に移動自在である。な
お、テストトレイＴＳＴは、図６において紙面に垂直方
向（Ｘ軸）から、プッシャ３０とソケット４０との間に
搬送されてくる。チャンバ１００内部でのテストトレイ
ＴＳＴの搬送手段としては、搬送用ローラなどが用いら
れる。テストトレイＴＳＴの搬送移動に際しては、Ｚ軸
駆動装置７０の駆動プレートは、Ｚ軸方向に沿って上昇
しており、プッシャ３０とソケット４０との間には、テ
ストトレイＴＳＴが挿入される十分な隙間が形成してあ
る。
ッド６２１（２本）が下方に向かって設けられており、
このロッド６２１によってプッシャ３０のプッシャベー
ス３３を支持固定する。図６に示すように、各アダプタ
６２はマッチプレート６０に弾性保持してあり、マッチ
プレート６０は、テストヘッド５の上部に位置するよう
に、かつプッシャ３０とソケット４０との間にテストト
レイＴＳＴが挿入可能となるように装着してある。この
マッチプレート６０に保持されたプッシャ３０は、テス
トヘッド５またはＺ軸駆動装置７０の駆動プレート（駆
動体）７２に対して、Ｚ軸方向に移動自在である。な
お、テストトレイＴＳＴは、図６において紙面に垂直方
向（Ｘ軸）から、プッシャ３０とソケット４０との間に
搬送されてくる。チャンバ１００内部でのテストトレイ
ＴＳＴの搬送手段としては、搬送用ローラなどが用いら
れる。テストトレイＴＳＴの搬送移動に際しては、Ｚ軸
駆動装置７０の駆動プレートは、Ｚ軸方向に沿って上昇
しており、プッシャ３０とソケット４０との間には、テ
ストトレイＴＳＴが挿入される十分な隙間が形成してあ
る。
【００４７】図６に示すように、駆動プレート７２の下
面には、押圧部７４が固定してあり、マッチプレート６
０に保持してあるアダプタ６２の上面を押圧可能にして
ある。駆動プレート７２には駆動軸７８が固定してあ
り、駆動軸７８にはモータ等の駆動源（図示せず）が連
結してあり、駆動軸７８をＺ軸方向に沿って上下移動さ
せ、アダプタ６２を押圧可能となっている。
面には、押圧部７４が固定してあり、マッチプレート６
０に保持してあるアダプタ６２の上面を押圧可能にして
ある。駆動プレート７２には駆動軸７８が固定してあ
り、駆動軸７８にはモータ等の駆動源（図示せず）が連
結してあり、駆動軸７８をＺ軸方向に沿って上下移動さ
せ、アダプタ６２を押圧可能となっている。
【００４８】なお、マッチプレート６０は、試験すべき
ＩＣデバイス２の形状や、テストヘッド５のソケット数
（同時に測定するＩＣデバイス２の数）などに合わせ
て、アダプタ６２およびプッシャ３０とともに、交換自
在な構造になっている。このようにマッチプレート６０
を交換自在にしておくことにより、Ｚ軸駆動装置７０を
汎用のものとすることができる。
ＩＣデバイス２の形状や、テストヘッド５のソケット数
（同時に測定するＩＣデバイス２の数）などに合わせ
て、アダプタ６２およびプッシャ３０とともに、交換自
在な構造になっている。このようにマッチプレート６０
を交換自在にしておくことにより、Ｚ軸駆動装置７０を
汎用のものとすることができる。
【００４９】本実施形態では、上述したように構成され
たチャンバ１００において、図６に示すように、テスト
チャンバ１０２を構成する密閉されたケーシング８０の
内部に、温度調節用送風装置９０が装着してある。温度
調節用送風装置９０は、ファン９２と、熱交換部９４と
を有し、ファン９２によりケーシング内部の空気を吸い
込み、熱交換部９４を通してケーシング８０の内部に吐
き出して循環させることで、ケーシング８０の内部を、
所定の温度条件（高温または低温）にする。
たチャンバ１００において、図６に示すように、テスト
チャンバ１０２を構成する密閉されたケーシング８０の
内部に、温度調節用送風装置９０が装着してある。温度
調節用送風装置９０は、ファン９２と、熱交換部９４と
を有し、ファン９２によりケーシング内部の空気を吸い
込み、熱交換部９４を通してケーシング８０の内部に吐
き出して循環させることで、ケーシング８０の内部を、
所定の温度条件（高温または低温）にする。
【００５０】温度調節用送風装置９０の熱交換部９４
は、ケーシング内部を高温にする場合には、加熱媒体が
流通する放熱用熱交換器または電熱ヒータなどで構成さ
れ、ケーシング内部を、たとえば室温〜１６０℃程度の
高温に維持するために十分な熱量を提供することが可能
になっている。また、ケーシング内部を低温にする場合
には、熱交換部９４は、液体窒素などの冷媒が循環する
吸熱用熱交換器などで構成され、ケーシング内部を、た
とえば−６０℃〜室温程度の低温に維持するために十分
な熱量を吸熱することが可能になっている。ケーシング
８０の内部温度は、たとえば温度センサ８２により検出
され、ケーシング８０の内部が所定温度に維持されるよ
うに、ファン９２の風量および熱交換部９４の熱量など
が制御される。
は、ケーシング内部を高温にする場合には、加熱媒体が
流通する放熱用熱交換器または電熱ヒータなどで構成さ
れ、ケーシング内部を、たとえば室温〜１６０℃程度の
高温に維持するために十分な熱量を提供することが可能
になっている。また、ケーシング内部を低温にする場合
には、熱交換部９４は、液体窒素などの冷媒が循環する
吸熱用熱交換器などで構成され、ケーシング内部を、た
とえば−６０℃〜室温程度の低温に維持するために十分
な熱量を吸熱することが可能になっている。ケーシング
８０の内部温度は、たとえば温度センサ８２により検出
され、ケーシング８０の内部が所定温度に維持されるよ
うに、ファン９２の風量および熱交換部９４の熱量など
が制御される。
【００５１】温度調節用送風装置９０の熱交換部９４を
通して発生した温風または冷風（エア）は、ケーシング
８０の上部をＹ軸方向に沿って流れ、装置９０と反対側
のケーシング側壁に沿って下降し、マッチプレート６０
とテストヘッド５との間の隙間を通して、装置９０へと
戻り、ケーシング内部を循環するようになっている。
通して発生した温風または冷風（エア）は、ケーシング
８０の上部をＹ軸方向に沿って流れ、装置９０と反対側
のケーシング側壁に沿って下降し、マッチプレート６０
とテストヘッド５との間の隙間を通して、装置９０へと
戻り、ケーシング内部を循環するようになっている。
【００５２】第４に、アンローダ部４００に関連する部
分について説明する。図２および図３に示すアンローダ
部４００にも、ローダ部３００に設けられたＸ−Ｙ搬送
装置３０４と同一構造のＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４
が設けられ、このＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４によっ
て、アンローダ部４００に運び出されたテストトレイＴ
ＳＴから試験済のＩＣデバイスがカスタマトレイＫＳＴ
に積み替えられる。
分について説明する。図２および図３に示すアンローダ
部４００にも、ローダ部３００に設けられたＸ−Ｙ搬送
装置３０４と同一構造のＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４
が設けられ、このＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４によっ
て、アンローダ部４００に運び出されたテストトレイＴ
ＳＴから試験済のＩＣデバイスがカスタマトレイＫＳＴ
に積み替えられる。
【００５３】図２に示すように、アンローダ部４００の
装置基板１０５には、当該アンローダ部４００へ運ばれ
たカスタマトレイＫＳＴが装置基板１０５の上面に臨む
ように配置される一対の窓部４０６，４０６が二対開設
してある。
装置基板１０５には、当該アンローダ部４００へ運ばれ
たカスタマトレイＫＳＴが装置基板１０５の上面に臨む
ように配置される一対の窓部４０６，４０６が二対開設
してある。
【００５４】それぞれの窓部４０６の下側には、カスタ
マトレイＫＳＴを昇降させるためのエレベータ２０４が
設けられており（図４参照）、ここでは試験済の被試験
ＩＣデバイスが積み替えられて満杯になったカスタマト
レイＫＳＴを載せて下降し、この満杯トレイをトレイ移
送アーム２０５に受け渡す。
マトレイＫＳＴを昇降させるためのエレベータ２０４が
設けられており（図４参照）、ここでは試験済の被試験
ＩＣデバイスが積み替えられて満杯になったカスタマト
レイＫＳＴを載せて下降し、この満杯トレイをトレイ移
送アーム２０５に受け渡す。
【００５５】次に、以上説明したＩＣデバイス試験装置
１０において、ＩＣデバイス２の温度制御を行いつつ、
当該ＩＣデバイス２を試験する方法について述べる。
１０において、ＩＣデバイス２の温度制御を行いつつ、
当該ＩＣデバイス２を試験する方法について述べる。
【００５６】ＩＣデバイス２は、図７に示すテストトレ
イＴＳＴに搭載された状態、より詳細には個々のＩＣデ
バイス２は、同図のインサート１６のＩＣ収容部１９に
落とし込まれた状態で、恒温槽１０１にて所定の設定温
度に加熱された後、テストチャンバ１０２内に搬送され
てくる。
イＴＳＴに搭載された状態、より詳細には個々のＩＣデ
バイス２は、同図のインサート１６のＩＣ収容部１９に
落とし込まれた状態で、恒温槽１０１にて所定の設定温
度に加熱された後、テストチャンバ１０２内に搬送され
てくる。
【００５７】ＩＣデバイス２を搭載したテストトレイＴ
ＳＴがテストヘッド５上で停止すると、Ｚ軸駆動装置が
駆動し、駆動プレート７２に固定された押圧部７４が、
アダプタ６２のロッド６２１を介してプッシャ３０のプ
ッシャベース３３を押圧する。そうすると、プッシャ３
０の押圧子３１は、ＩＣデバイス２のパッケージ本体を
ソケット４０側に押し付け、その結果、ＩＣデバイス２
の接続端子がソケット４０のプローブピン４４に接続さ
れる。
ＳＴがテストヘッド５上で停止すると、Ｚ軸駆動装置が
駆動し、駆動プレート７２に固定された押圧部７４が、
アダプタ６２のロッド６２１を介してプッシャ３０のプ
ッシャベース３３を押圧する。そうすると、プッシャ３
０の押圧子３１は、ＩＣデバイス２のパッケージ本体を
ソケット４０側に押し付け、その結果、ＩＣデバイス２
の接続端子がソケット４０のプローブピン４４に接続さ
れる。
【００５８】なお、プッシャ３０の下降移動は、プッシ
ャ３０のストッパピン３４がソケットガイド４１のスト
ッパ面４１２に当接することで制限され、したがって、
ＩＣデバイス２を破壊しない適切な圧力をもって、プッ
シャ３０はＩＣデバイス２をソケット４０に押し付ける
ことができる。
ャ３０のストッパピン３４がソケットガイド４１のスト
ッパ面４１２に当接することで制限され、したがって、
ＩＣデバイス２を破壊しない適切な圧力をもって、プッ
シャ３０はＩＣデバイス２をソケット４０に押し付ける
ことができる。
【００５９】この状態で、試験用メイン装置６からテス
トヘッド５のプローブピン４４を介して被試験ＩＣデバ
イス２に対して試験用電気信号を送信し試験を行う。こ
のとき、テストチャンバ１０２の中心付近に待機してい
たプッシャ３０の温度が、所定の設定温度よりも高くな
った場合には、プッシャ３０に設けられたヒートシンク
３５がプッシャ３０の熱を吸収し放出（吸放熱）するた
め、プッシャ３０に押し付けられる被試験ＩＣデバイス
２の温度が設定温度よりも過度に高くなることを防止す
ることができる。
トヘッド５のプローブピン４４を介して被試験ＩＣデバ
イス２に対して試験用電気信号を送信し試験を行う。こ
のとき、テストチャンバ１０２の中心付近に待機してい
たプッシャ３０の温度が、所定の設定温度よりも高くな
った場合には、プッシャ３０に設けられたヒートシンク
３５がプッシャ３０の熱を吸収し放出（吸放熱）するた
め、プッシャ３０に押し付けられる被試験ＩＣデバイス
２の温度が設定温度よりも過度に高くなることを防止す
ることができる。
【００６０】また、テストチャンバ１０２内の熱を逃が
しやすいソケット４０が、所定の設定温度よりも低い場
合には、ヒータ３１１を発熱させることにより、ヒータ
３１１に接触している被試験ＩＣデバイス２を加熱し、
設定温度に近づけることができる。
しやすいソケット４０が、所定の設定温度よりも低い場
合には、ヒータ３１１を発熱させることにより、ヒータ
３１１に接触している被試験ＩＣデバイス２を加熱し、
設定温度に近づけることができる。
【００６１】次いで、被試験ＩＣデバイス２が自己発熱
により設定温度よりも高い温度になった場合、被試験Ｉ
Ｃデバイス２の熱は、プッシャ３０の押圧子３１からプ
ッシャベース３３を介してヒートシンク３５に伝わり、
ヒートシンク３５から放熱される。ここで、ヒートシン
ク３５とヒータ３１１との間には、断熱材３１２が設け
られており、ヒータ３１１の熱によってヒートシンク３
５が温まることが防止されているため、ヒートシンク３
５から効果的に放熱することができる。このようにし
て、被試験ＩＣデバイス２が自己発熱により設定温度よ
りも高い温度になった場合であっても、被試験ＩＣデバ
イス２の過剰な温度上昇を防止し、被試験ＩＣデバイス
２を設定温度付近の温度に制御することができる。
により設定温度よりも高い温度になった場合、被試験Ｉ
Ｃデバイス２の熱は、プッシャ３０の押圧子３１からプ
ッシャベース３３を介してヒートシンク３５に伝わり、
ヒートシンク３５から放熱される。ここで、ヒートシン
ク３５とヒータ３１１との間には、断熱材３１２が設け
られており、ヒータ３１１の熱によってヒートシンク３
５が温まることが防止されているため、ヒートシンク３
５から効果的に放熱することができる。このようにし
て、被試験ＩＣデバイス２が自己発熱により設定温度よ
りも高い温度になった場合であっても、被試験ＩＣデバ
イス２の過剰な温度上昇を防止し、被試験ＩＣデバイス
２を設定温度付近の温度に制御することができる。
【００６２】なお、ヒータ３１１の温度制御（ＯＮ／Ｏ
ＦＦ）は、テストパターンに従って温度変化する被試験
ＩＣデバイス２に合わせて行えばよく、ヒートシンク３
５からの放熱の程度は、テストチャンバ１０２内を循環
させるエアの温度、風量等によって制御することができ
る。
ＦＦ）は、テストパターンに従って温度変化する被試験
ＩＣデバイス２に合わせて行えばよく、ヒートシンク３
５からの放熱の程度は、テストチャンバ１０２内を循環
させるエアの温度、風量等によって制御することができ
る。
【００６３】上記実施形態に係るハンドラ１を備えたＩ
Ｃデバイス試験装置１０において、被試験ＩＣデバイス
２、ヒータ３１１およびヒートシンク３５の温度変化を
シミュレーションしてみる。被試験ＩＣデバイス２が０
Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラフ
を図１０に、被試験ＩＣデバイス２が２Ｗの発熱状態か
ら０Ｗになったときのシミュレーションのグラフを図１
１に示す。なお、本シミュレーションにおいて試験の設
定温度は２５℃であり、テストチャンバ１０２内を循環
させるエアの温度は１２℃であるものとする。
Ｃデバイス試験装置１０において、被試験ＩＣデバイス
２、ヒータ３１１およびヒートシンク３５の温度変化を
シミュレーションしてみる。被試験ＩＣデバイス２が０
Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラフ
を図１０に、被試験ＩＣデバイス２が２Ｗの発熱状態か
ら０Ｗになったときのシミュレーションのグラフを図１
１に示す。なお、本シミュレーションにおいて試験の設
定温度は２５℃であり、テストチャンバ１０２内を循環
させるエアの温度は１２℃であるものとする。
【００６４】〔ＩＣデバイス：０Ｗ→２Ｗ〕図１０に示
すように、約２６℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の時点）に約３０℃
まで上昇し、その約５秒後に約２９℃に下降して、その
温度が略維持される。ヒータ３１１は、約３７．５℃の
ＯＮの状態から、ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の
時点）に合わせてＯＦＦにされ、約２６．５℃まで温度
が下がる。ヒートシンク３５は、約１６℃の状態が略維
持される。
すように、約２６℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の時点）に約３０℃
まで上昇し、その約５秒後に約２９℃に下降して、その
温度が略維持される。ヒータ３１１は、約３７．５℃の
ＯＮの状態から、ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の
時点）に合わせてＯＦＦにされ、約２６．５℃まで温度
が下がる。ヒートシンク３５は、約１６℃の状態が略維
持される。
【００６５】〔ＩＣデバイス：２Ｗ→０Ｗ〕図１１に示
すように、約３０℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０秒の時点）に
約２５．５℃まで下降し、その約５秒後に約２６℃に上
昇して、その温度が略維持される。ヒータ３１１は、約
２７℃のＯＦＦの状態から、ＩＣデバイス２が０Ｗにな
った時（１５０秒の時点）に合わせてＯＮにされ、約３
７℃まで温度が上昇する。ヒートシンク３５の温度は、
約１７℃から約１６．５℃まで徐々に下がる。
すように、約３０℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０秒の時点）に
約２５．５℃まで下降し、その約５秒後に約２６℃に上
昇して、その温度が略維持される。ヒータ３１１は、約
２７℃のＯＦＦの状態から、ＩＣデバイス２が０Ｗにな
った時（１５０秒の時点）に合わせてＯＮにされ、約３
７℃まで温度が上昇する。ヒートシンク３５の温度は、
約１７℃から約１６．５℃まで徐々に下がる。
【００６６】これに対する比較として、図１２に示すよ
うに、プッシャ３０の押圧子３１の下端全面にヒータ３
１１を取り付けた場合における被試験ＩＣデバイス２、
ヒータ３１１およびヒートシンク３５の温度変化をシミ
ュレーションしてみる。被試験ＩＣデバイス２が０Ｗか
ら２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラフを図
１３に、被試験ＩＣデバイス２が２Ｗの発熱状態から０
Ｗになったときのシミュレーションのグラフを図１４に
示す。なお、本シミュレーションにおいて試験の設定温
度は２５℃であり、テストチャンバ１０２内を循環させ
るエアの温度は１３℃であるものとする。
うに、プッシャ３０の押圧子３１の下端全面にヒータ３
１１を取り付けた場合における被試験ＩＣデバイス２、
ヒータ３１１およびヒートシンク３５の温度変化をシミ
ュレーションしてみる。被試験ＩＣデバイス２が０Ｗか
ら２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラフを図
１３に、被試験ＩＣデバイス２が２Ｗの発熱状態から０
Ｗになったときのシミュレーションのグラフを図１４に
示す。なお、本シミュレーションにおいて試験の設定温
度は２５℃であり、テストチャンバ１０２内を循環させ
るエアの温度は１３℃であるものとする。
【００６７】〔ＩＣデバイス：０Ｗ→２Ｗ〕図１３に示
すように、約２６℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の時点）に約３３℃
まで上昇し、その後約３２．５℃まで徐々に下がる。ヒ
ータ３１１は、約２６℃のＯＮの状態から、ＩＣデバイ
ス２の発熱時（１５０秒の時点）に合わせてＯＦＦにさ
れ、一旦約２２℃まで温度が下降した後、約２３．５℃
に上昇し、そして約２３℃まで徐々に下がる。ヒートシ
ンク３５の温度は、約２０．５℃から約２０℃まで徐々
に下がる。
すように、約２６℃であったＩＣデバイス２の温度は、
ＩＣデバイス２の発熱時（１５０秒の時点）に約３３℃
まで上昇し、その後約３２．５℃まで徐々に下がる。ヒ
ータ３１１は、約２６℃のＯＮの状態から、ＩＣデバイ
ス２の発熱時（１５０秒の時点）に合わせてＯＦＦにさ
れ、一旦約２２℃まで温度が下降した後、約２３．５℃
に上昇し、そして約２３℃まで徐々に下がる。ヒートシ
ンク３５の温度は、約２０．５℃から約２０℃まで徐々
に下がる。
【００６８】〔ＩＣデバイス：２Ｗ→０Ｗ〕図１４に示
すように、約３０．５℃であったＩＣデバイス２の温度
は、ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０秒の時
点）に約２２．５℃まで下降し、その後約２３℃まで徐
々に上昇する。ヒータ３１１は、約２０．５℃のＯＦＦ
の状態から、ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０
秒の時点）に合わせてＯＮにされ、一旦約２４℃まで温
度が上昇した後、約２２．５℃に下降し、そして約２３
℃まで徐々に上昇する。ヒートシンク３５の温度は、約
１７．５℃から約１８℃まで徐々に上昇する。
すように、約３０．５℃であったＩＣデバイス２の温度
は、ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０秒の時
点）に約２２．５℃まで下降し、その後約２３℃まで徐
々に上昇する。ヒータ３１１は、約２０．５℃のＯＦＦ
の状態から、ＩＣデバイス２が０Ｗになった時（１５０
秒の時点）に合わせてＯＮにされ、一旦約２４℃まで温
度が上昇した後、約２２．５℃に下降し、そして約２３
℃まで徐々に上昇する。ヒートシンク３５の温度は、約
１７．５℃から約１８℃まで徐々に上昇する。
【００６９】このように、比較の実施形態においては、
被試験ＩＣデバイス２の温度変化が設定温度からプラス
側に約８℃、マイナス側に約２．５℃あるのに対し、本
発明に係る実施形態によれば、被試験ＩＣデバイス２の
温度変化を設定温度からプラス側に約５℃に抑えること
ができるため、ＩＣデバイス２の正確な試験を行うこと
ができ、製品歩留りの向上を図ることもできる。
被試験ＩＣデバイス２の温度変化が設定温度からプラス
側に約８℃、マイナス側に約２．５℃あるのに対し、本
発明に係る実施形態によれば、被試験ＩＣデバイス２の
温度変化を設定温度からプラス側に約５℃に抑えること
ができるため、ＩＣデバイス２の正確な試験を行うこと
ができ、製品歩留りの向上を図ることもできる。
【００７０】以上説明した実施形態は、本発明の理解を
容易にするために記載されたものであって、本発明を限
定するために記載されたものではない。したがって、上
記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲
に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
容易にするために記載されたものであって、本発明を限
定するために記載されたものではない。したがって、上
記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲
に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００７１】例えば、マッチプレート６０に貫通孔を設
け、テストチャンバ１０２内を循環させるエアを当該貫
通孔に通し、このようなＺ軸方向のエアによってヒート
シンク３５の温度制御を行ってもよい。また、ヒートシ
ンク３５の放熱フィンは、テストチャンバ１０２内を循
環させるエアが流れやすいように、上記実施形態の状態
から設置方向が９０°変えられていてもよいし、上下方
向に積層されるような形態になっていてもよい。さら
に、プッシャ３０の押圧子３１の下端には、厚み方向に
は熱が伝わり易く、面方向には熱が伝わり難い伝熱板
（金属、樹脂、カーボン系材料等からなる）が設けられ
ていてもよい。
け、テストチャンバ１０２内を循環させるエアを当該貫
通孔に通し、このようなＺ軸方向のエアによってヒート
シンク３５の温度制御を行ってもよい。また、ヒートシ
ンク３５の放熱フィンは、テストチャンバ１０２内を循
環させるエアが流れやすいように、上記実施形態の状態
から設置方向が９０°変えられていてもよいし、上下方
向に積層されるような形態になっていてもよい。さら
に、プッシャ３０の押圧子３１の下端には、厚み方向に
は熱が伝わり易く、面方向には熱が伝わり難い伝熱板
（金属、樹脂、カーボン系材料等からなる）が設けられ
ていてもよい。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子部品が目的とする試験の設定温度付近になるよう温
度制御を行うことができる。
電子部品が目的とする試験の設定温度付近になるよう温
度制御を行うことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るハンドラを含むＩＣ
デバイス試験装置の全体側面図である。
デバイス試験装置の全体側面図である。
【図２】図１に示すハンドラの斜視図である。
【図３】被試験ＩＣデバイスの取り廻し方法を示すトレ
イのフローチャート図である。
イのフローチャート図である。
【図４】同ハンドラのＩＣストッカの構造を示す斜視図
である。
である。
【図５】同ハンドラで用いられるカスタマトレイを示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】同ハンドラのテストチャンバ内の要部断面図で
ある。
ある。
【図７】同ハンドラで用いられるテストトレイを示す一
部分解斜視図である。
部分解斜視図である。
【図８】同ハンドラのテストヘッドにおけるソケット付
近の構造を示す分解斜視図である。
近の構造を示す分解斜視図である。
【図９】同ハンドラにおけるプッシャ（下降した状態）
付近の断面図である。
付近の断面図である。
【図１０】同ハンドラにおいて、被試験ＩＣデバイスが
０Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラ
フである。
０Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラ
フである。
【図１１】同ハンドラにおいて、被試験ＩＣデバイス２
が２Ｗの発熱状態から０Ｗになったときのシミュレーシ
ョンのグラフである。
が２Ｗの発熱状態から０Ｗになったときのシミュレーシ
ョンのグラフである。
【図１２】比較としてのハンドラにおけるプッシャ（下
降した状態）付近の断面図である。
降した状態）付近の断面図である。
【図１３】同ハンドラにおいて、被試験ＩＣデバイスが
０Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラ
フである。
０Ｗから２Ｗに発熱したときのシミュレーションのグラ
フである。
【図１４】同ハンドラにおいて、被試験ＩＣデバイス２
が２Ｗの発熱状態から０Ｗになったときのシミュレーシ
ョンのグラフである。
が２Ｗの発熱状態から０Ｗになったときのシミュレーシ
ョンのグラフである。
１…ハンドラ（電子部品ハンドリング装置）
２…ＩＣデバイス（電子部品）
５…テストヘッド
１０…ＩＣデバイス試験装置
３０…プッシャ
３１…押圧子
３１１…ヒータ
３１２…断熱材
３３…プッシャベース
３５…ヒートシンク（吸放熱体）
４０…ソケット（コンタクト部）
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品ハンドリング装置において被試
験電子部品の端子をテストヘッドのコンタクト部に押し
付けるためのプッシャであって、 被試験電子部品と直接接触し得るプッシャ本体と、 前記プッシャ本体に設けられた吸放熱体と、 被試験電子部品と直接的または間接的に接触し得るよう
に、前記プッシャ本体に設けられたヒータと、 前記プッシャ本体と前記ヒータとの間に設けられた断熱
材とを備えたことを特徴とするヒータ付プッシャ。 - 【請求項２】 電子部品の試験を行うために、被試験電
子部品の端子をテストヘッドのコンタクト部に押し付け
ることのできる電子部品ハンドリング装置であって、前
記請求項１に記載のヒータ付プッシャを備えたことを特
徴とする電子部品ハンドリング装置。 - 【請求項３】 電子部品ハンドリング装置において被試
験電子部品を試験する際に当該電子部品を温度制御する
方法であって、 被試験電子部品の冷却は、当該電子部品の熱が伝わる吸
放熱体を冷却することにより行い、 被試験電子部品の加熱は、前記部材との熱抵抗が大きく
なるように設けられたヒータによって行うことを特徴と
する電子部品の温度制御方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212499A JP4119104B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法 |
| KR1020047000249A KR100937930B1 (ko) | 2001-07-12 | 2002-07-04 | 히터를 구비한 푸숴, 전자부품 핸들링 장치 및 전자부품의온도제어방법 |
| PCT/JP2002/006815 WO2003007006A1 (fr) | 2001-07-12 | 2002-07-04 | Poussoir equipe d'un chauffage, dispositif de manipulation de composants electroniques et procede de commande de temperature de composants electroniques |
| CNB028138368A CN1329740C (zh) | 2001-07-12 | 2002-07-04 | 配有加热器的推杆、电子元件处理设备及温度控制方法 |
| TW091115153A TWI264549B (en) | 2001-07-12 | 2002-07-09 | Pusher with heater, electronic component handling device, and method of controlling temperature of the electronic component |
| US10/729,975 US7049841B2 (en) | 2001-07-12 | 2003-12-09 | Heater-equipped pusher, electronic component handling apparatus, and temperature control method for electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212499A JP4119104B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2008024486A Division JP4763003B2 (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003028923A true JP2003028923A (ja) | 2003-01-29 |
| JP4119104B2 JP4119104B2 (ja) | 2008-07-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001212499A Expired - Fee Related JP4119104B2 (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法 |
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|---|---|
| US (1) | US7049841B2 (ja) |
| JP (1) | JP4119104B2 (ja) |
| KR (1) | KR100937930B1 (ja) |
| CN (1) | CN1329740C (ja) |
| TW (1) | TWI264549B (ja) |
| WO (1) | WO2003007006A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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