TWI700759B - 基板交接系統及基板交接方法 - Google Patents

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Abstract

本發明藉由連結構件在上下方向移動，而在支持部與複數個升降銷之間進行基板之交接。為了設定基板之交接時的連結構件之移動速度，而將設定構件載置於支持部上。在此狀態下，連結構件以將支持部上之設定構件交遞至複數個升降銷上之方式上升。基於自複數個升降銷施加於設定構件之壓力之值而決定基準位置，且決定包含基準位置之速度限制範圍。以在速度限制範圍內之移動速度低於在速度限制範圍外之移動速度之方式，設定連結構件之移動速度。

Description

基板交接系統及基板交接方法
本發明係關於一種用於在支持部與複數個升降構件之間進行基板之交接之基板交接系統及基板交接方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行熱處理而使用熱處理裝置。
作為熱處理裝置之一例，日本特開2005-117007號公報中記載的熱處理單元包含調溫板及升降裝置。於調溫板之上表面設置有複數塊基板載置片。升降裝置包含設置為相對於調溫板可升降之複數個基板升降銷。
在該熱處理單元中，在複數個基板升降銷自調溫板朝上方突出之狀態下，將由搬送裝置給送之基板交遞至複數個基板升降銷之上端部上。其後，以使複數個基板升降銷之上端部位於較複數塊基板載置片之上端部更靠下方之方式將複數個基板升降銷下降。藉此，將由複數個基板升降銷支持之基板交遞至調溫板之複數塊基板載置片上。在此狀態下，藉由調溫板對基板施以熱處理。
當熱處理結束時，以使複數個基板升降銷之上端部位於較複數塊基板載置片之上端部更上方之方式將複數個基板升降銷上升。藉此，由複數個基板升降銷支持之熱處理後之基板被複數個基板升降銷之上端部支持。其後，熱處理後之基板被搬送裝置接收且朝其他處理部搬送。
在上述之熱處理單元中，藉由提高複數個基板升降銷之動作速度，而可提高基板處理之產能。另一方面，若複數個基板升降銷之動作速度快，則例如在將基板自複數個基板升降銷交遞至複數塊基板載置片上時，有可能因基板與複數塊基板載置片之接觸時之衝擊而於基板產生損傷。
為了防止於基板產生損傷，而考量在基板與複數塊基板載置片即將接觸時降低複數個基板升降銷之動作速度。然而，由於就每一熱處理單元而在複數個基板升降銷與複數塊基板載置片之間之位置關係存在誤差，故而難以正確地掌握在基板與複數塊基板載置片接觸時的複數個基板升降銷之位置。
另一方面，一面確認於自複數個基板升降銷交遞至複數塊基板載置片之基板上實際是否產生損傷，一面調整降低移動速度之時機之作業，繁雜且需要較長時間。因此，基板之製造成本增加。
本發明之目的在於提供一種可提高基板處理之產能且可防止基板在複數個升降構件與支持部之間交接時於基板產生損傷並且能夠抑制基板之製造成本之增加的基板交接系統及基板交接方法。
(1)本發明之一態樣之基板交接系統具備：支持部，其構成為在基板之處理時支持基板之下表面；3個以上之複數個升降構件，其等各自具有可支持基板之下表面之上端部；連結構件，其構成為連結複數個升降構件，且相對於支持部可於上下方向移動；交接驅動部，其在支持部與複數個升降構件之間的基板之交接時，以複數個升降構件之上端部在較支持部之上端部更上方之位置與較支持部之上端部更下方之位置之間移動之方式使連結構件移動；設定構件，其構成為可藉由複數個升降構件支持；檢測部，其檢測在設定構件藉由複數個升降構件支持時自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之壓力；移動控制部，其在連結構件之移動速度之設定時，藉由控制交接驅動部在由支持部支持設定構件之狀態下以複數個升降構件之上端部自較支持部之上端部更下方之位置朝較支持部之上端部更上方之位置移動之方式，使連結構件移動；位置決定部，其在由移動控制部進行之連結構件之移動中，基於檢測部之輸出信號判定自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之複數個壓力之值是否各自達到預設之複數個基準壓力值，且將複數個壓力之值各自達到複數個基準壓力值時的連結構件之上下方向之位置決定為基準位置；範圍決定部，其將在基板之交接時的連結構件之移動範圍中包含經決定之基準位置的一部分的範圍決定為速度限制範圍；移動速度設定部，其以在速度限制範圍內的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件之移動速度之方式，設定基板之交接時的連結構件之移動速度；及交接控制部，其在基板之交接時，以連結構件以由移動速度設定部設定之移動速度進行移動之方式控制交接驅動部。
在該基板交接系統中，在連結構件之移動速度之設定時，藉由支持部支持設定構件。在此狀態下，以複數個升降構件之上端部自較支持部之上端部更下方之位置朝較支持部之上端部更上方之位置移動之方式移動連結構件。
該情形下，在複數個升降構件之上端部位於與支持部之上端部相同之高度時，複數個升降構件之上端部分別與設定構件之下表面之複數個部分接觸。藉此，朝設定構件之複數個部分施加壓力。基於施加於設定構件之複數個部分之複數個壓力之值是否到達複數個基準壓力值，而將複數個升降構件與設定構件接觸之時點的連結構件之上下方向之位置正確地決定為基準位置。決定包含經決定之基準位置之速度限制範圍。又，以在速度限制範圍內的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件之移動速度之方式設定基板之交接時的連結構件之移動速度。
在基板之交接時，以採用所設定之移動速度移動連結構件之方式控制交接驅動部。該情形下，在連結構件以較低之移動速度在速度限制範圍內移動時，支持部或複數個升降構件與基板之下表面接觸。因此，由於藉由支持部或複數個升降構件與基板之下表面接觸而緩和所產生的衝擊，故而防止於基板之下表面產生損傷。另一方面，由於連結構件以較高之移動速度在速度限制範圍外移動，而縮短在基板之交接上必要之時間。
進而，根據上述之構成，無關於支持部與複數個升降構件之間之位置關係之誤差，而將複數個升降構件與設定構件接觸之時點的連結構件之上下方向之位置正確地決定為基準位置，從而決定速度限制範圍。藉此，可基於速度限制範圍使設定構件之移動速度發生變化。因此，無需一面確認於自複數個升降構件朝支持部交遞之基板上實際是否產生損傷一面調整降低基板之移動速度之時機之作業。
該等之結果為，可提高基板處理之產能且可防止基板在複數個支持構件與支持部之間之交接時於基板產生損傷並且能夠抑制基板之製造成本之增加。
(2)基板交接系統可更具備壓力決定部，其基於在由複數個升降構件支持設定構件之狀態下自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之複數個壓力之值而決定複數個基準壓力值。
該情形下，複數個基準壓力值等於在由複數個升降構件實際支持設定構件之狀態下自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之複數個壓力之值。藉此，可基於複數個基準壓力值正確地決定連結構件之基準位置。
(3)範圍決定部將連結構件為了進行基板之交接而下降時之速度限制範圍決定為下降速度限制範圍，下降速度限制範圍之上限位於較基準位置更上方，移動速度設定部係以在下降速度限制範圍內下降時的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外下降時的連結構件之移動速度之方式，設定連結構件之移動速度。
在基板在較支持部之上端部更上方之位置被複數個升降構件支持時，藉由複數個升降構件之上端部下降至較支持部之上端部更下方之位置，而將基板自複數個升降構件交遞至支持部。
根據上述之構成，下降速度限制範圍之上限位於較基準位置更上方。藉此，即便在連結構件在下降速度限制範圍外下降時之移動速度被較高地設定之情形下，可藉由將連結構件下降而在自下降速度限制範圍之上限之位置至到達基準位置之間充分降低連結構件之移動速度。因此，可提高基板處理之產能，且可防止於基板產生損傷。
(4)範圍決定部將連結構件為了進行基板之交接而上升時之速度限制範圍決定為上升速度限制範圍，上升速度限制範圍之下限位於較基準位置更下方，移動速度設定部係以在上升速度限制範圍內上升時的連結構件之移動速度低於在上升速度限制範圍外上升時的連結構件之移動速度之方式，設定連結構件之移動速度。
在支持部之上端部位於較支持部之上端部更下方且基板由支持部支持時，藉由將複數個升降構件之上端部上升至較支持部之上端部更上方之位置，而將基板自支持部交遞至複數個升降構件。
根據上述之構成，上升速度限制範圍之下限位於較基準位置更下方。藉此，即便在連結構件在上升速度限制範圍外上升時之移動速度被較高地設定之情形下，可藉由將連結構件上升而在自上升速度限制範圍之下限之位置至到達基準位置之間充分降低連結構件之移動速度。因此，可提高基板處理之產能，且可防止於基板產生損傷。
(5)設定構件可具有與基板相同之外形。
該情形下，由於設定構件具有與基板相同之形狀，故而在連結構件之移動速度之設定時，在接近在支持部與複數個升降構件之間交接基板之情形之狀態下，進行支持部與複數個升降構件之間之設定構件之交接。因此，可更容易且適切地進行連結構件之移動速度之設定。
(6)設定構件可由樹脂形成。
該情形下，由於設定構件與基板相比不易產生損傷，而可防止在移動速度之設定時設定構件破損。
(7)支持部可包含：平坦之支持面；複數個突起構件，其等以自支持面朝上方突出之方式設置，且構成為可支持基板之下表面；及熱處理機構，其對由複數個突起構件支持之基板進行熱處理。
該情形下，由於可防止因基板與複數個突起構件接觸而於基板產生損傷，故而可防止因對產生有損傷之基板施以熱處理而基板發生破損。又，由於藉由基板與複數個升降構件接觸而可防止於基板產生損傷，故而可抑制熱處理後之基板發生破損。
(8)本發明之又一態樣之基板交接方法係一種用於在構成為在基板之處理時支持基板之下表面之支持部、與各自具有可支持基板之下表面之上端部的3個以上之複數個升降構件之間進行基板之交接的基板交接方法，複數個升降構件係由構成為相對於支持部可在上下方向移動之連結構件連結，連結構件於在支持部與複數個升降構件之間之基板之交接時，以複數個升降構件之上端部在較支持部之上端部更上方之位置與較支持部之上端部更下方之位置之間移動之方式進行移動，基板交接方法包含：在連結構件之移動速度之設定時，由支持部支持構成為可由複數個升降構件支持的設定構件之步驟；在設定構件由支持部支持之狀態下，以複數個升降構件之上端部自較支持部之上端部更下方之位置朝較支持部之上端部更上方之位置移動之方式使連結構件移動之步驟；檢測在設定構件由複數個升降構件支持時自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之壓力之步驟；在連結構件之移動中，基於檢測步驟之檢測結果判定自複數個升降構件朝設定構件之複數個部分各自施加之複數個壓力之值是否各自達到預設之複數個基準壓力值，且將複數個壓力之值各自達到複數個基準壓力值時的連結構件之上下方向之位置決定為基準位置之步驟；將基板之交接時的連結構件之移動範圍中包含經決定之基準位置的一部分的範圍決定為速度限制範圍之步驟；以在速度限制範圍內的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件之移動速度之方式設定基板之交接時的連結構件之移動速度之步驟；及在基板之交接時，以連結構件以由設定步驟設定之移動速度進行移動之方式使連結構件移動之步驟。
在該基板交接方法中，在連結構件之移動速度之設定時，由支持部支持設定構件。在此狀態下，以複數個升降構件之上端部自較支持部之上端部更下方之位置朝較支持部之上端部更上方之位置移動之方式移動連結構件。
該情形下，在複數個升降構件之上端部位於與支持部之上端部相同之高度時，複數個升降構件之上端部分別與設定構件之下表面之複數個部分接觸。藉此，朝設定構件之複數個部分施加壓力。基於施加於設定構件之複數個部分之複數個壓力之值是否到達複數個基準壓力值，而將複數個升降構件與設定構件接觸之時點的連結構件之上下方向之位置正確地決定為基準位置。決定包含經決定之基準位置之速度限制範圍。又，以在速度限制範圍內的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件之移動速度之方式設定基板之交接時的連結構件之移動速度。
在基板之交接時，以採用所設定之移動速度移動連結構件之方式控制交接驅動部。該情形下，在連結構件以較低之移動速度在速度限制範圍內移動時，支持部或複數個升降構件與基板之下表面接觸。因此，由於可緩和因支持部或複數個升降構件與基板之下表面接觸而產生的衝擊，故而可防止於基板之下表面產生損傷。另一方面，由於連結構件以較高之移動速度在速度限制範圍外移動，而可縮短在基板之交接上必要之時間。
進而，根據上述之構成，無關於支持部與複數個升降構件之間之位置關係之誤差，而將複數個升降構件與設定構件接觸之時點的連結構件之上下方向之位置正確地決定為基準位置，從而決定速度限制範圍。藉此，可基於速度限制範圍使設定構件之移動速度發生變化。因此，無需一面確認於自複數個升降構件朝支持部交遞之基板上實際是否產生損傷一面調整降低基板之移動速度之時機之作業。
該等之結果為，可提高基板處理之產能且可防止基板在複數個支持構件與支持部之間之交接時於基板產生損傷，並且能夠抑制基板之製造成本之增加。
以下，使用圖式說明本發明之實施形態之基板交接系統及基板交接方法。在以下之說明中，基板是指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。在以下之說明中，作為基板交接系統之一例而說明對基板進行加熱處理之熱處理裝置。
(1)熱處理裝置之構成 圖1係顯示本發明之一實施形態之熱處理裝置之構成之示意性側視圖，圖2係圖1之熱處理裝置100之示意性平面圖。如圖1所示般，熱處理裝置100主要具備：支持部S、升降裝置30、控制裝置40、發送裝置60、接收裝置70、及設定構件90。又，在圖2中，省略圖1所示之複數個構成要件中之控制裝置40、發送裝置60、及接收裝置70之圖示。
支持部S包含熱處理板10、複數個突起構件11、複數個引導構件12及發熱體20，作為熱板使用。熱處理板10為具有例如圓板形狀之傳熱板，且具有較成為加熱處理之對象之基板之外徑更大之外徑。於熱處理板10設置有發熱體20。發熱體20由例如雲母加熱器或帕爾帖元件等構成。於發熱體20連接有發熱驅動電路21。發熱驅動電路21基於後述之溫度調整部46之控制而驅動發熱體20。藉此，在基板之加熱處理時發熱體20發熱。
如圖2所示般，於熱處理板10之平坦之上表面上，設置有複數個(在本例中為10個)突起構件11、及複數個(在本例中為4個)引導構件12。
複數個突起構件11在熱處理板10之上表面中除了外周緣部及其附近以外的中央區域離散地配置，支持成為處理對象之基板或後述之設定構件90之下表面。各突起構件11為球狀之近接球，例如由陶瓷形成。
複數個引導構件12係於熱處理板10之上表面之周緣部以等角度間隔地配置。於各引導構件12之上部，形成有在自後述之複數個升降銷31朝複數個突起構件11交遞基板或設定構件90時，用於將基板或設定構件90之外周端部朝預設之位置引導之傾斜面。藉此，防止基板或設定構件90在偏離預設之位置之狀態下被複數個突起構件11支持。各引導構件12係由例如PEEK(聚醚酮)等之具有高耐熱性之樹脂形成。
於熱處理板10形成有在厚度方向貫通之複數個(在本例中為3個)貫通孔13。複數個貫通孔13在以熱處理板10之中心為基準之特定之假想圓上以等角度間隔地形成。
如圖1所示般，升降裝置30包含：複數個(在本例中為3個)升降銷31、連結構件32、給送軸33、馬達34、及馬達驅動電路35。複數個升降銷31為可各自插入形成於熱處理板10之複數個貫通孔13之棒狀構件，由例如陶瓷形成。又，複數個升降銷31藉由連結構件32相互連結，且以在複數個升降銷31之一部分各自插入熱處理板10之複數個貫通孔13之狀態下在上下方向延伸之方式被保持。
於熱處理板10之附近設置有在上下方向延伸之給送軸33、馬達34、及馬達驅動電路35。給送軸33為例如滾珠螺桿，連接於馬達34之旋轉軸。在該狀態下，連結構件32之一部分安裝於給送軸33。又，於連結構件32以在給送軸33之旋轉時連結構件32沿給送軸33在上下方向移動之方式，安裝有導引連結構件32之未圖示之引導構件。
馬達驅動電路35基於後述之移動控制部44或交接控制部45之控制而驅動馬達34。藉此，給送軸33朝一方向或其反方向旋轉。藉由給送軸33朝一方向旋轉，而複數個升降銷31與連結構件32一起上升(或下降)。藉由給送軸33朝反方向旋轉，而複數個升降銷31與連結構件32一起下降(或上升)。
該情形下，複數個升降銷31及連結構件32之移動速度依存於給送軸33之旋轉速度。給送軸33之旋轉速度愈高則複數個升降銷31及連結構件32之移動速度愈高。另一方面，給送軸33之旋轉速度愈低則複數個升降銷31及連結構件32之移動速度愈低。
在本實施形態中，係將步進馬達用作馬達34。於馬達34內置有未圖示之編碼器。來自馬達34之編碼器之輸出信號被賦予後述之位置檢測部43。
在本實施形態之熱處理裝置100中，可設定在支持部S與複數個升降銷31之間的基板之交接時的連結構件32之上下方向之移動速度。發送裝置60、接收裝置70、及設定構件90被用於設定連結構件32之移動速度。圖3係圖1之設定構件90及發送裝置60之示意性平面圖，圖4係圖1之設定構件90及發送裝置60之示意性側視圖。
如圖3及圖4所示般，設定構件90具有圓板形狀，由例如PEEK(聚醚酮)等之具有高耐熱性之樹脂形成。設定構件90之外形形成為與成為熱處理裝置100之處理對象之基板之外形大致相同。例如，在成為處理對象之基板之外徑為300 mm時，設定構件90之外徑亦形成為300 mm。
設定構件90具有一個面90a及另一面90b。在連結構件32之移動速度之設定時，設定構件90以一個面90a朝向上方，另一面90b朝向下方之方式由支持部S或複數個升降銷31支持。
此處，於設定構件90之另一面90b，如圖4所示般，決定有在連結構件32之移動速度之設定時應當由圖1之複數個升降銷31支持之複數個(在本例中為3個)被支持部91。於設定構件90之一個面90a，在與複數個被支持部91重合之複數個部分分別形成有複數個(在本例中為3個)凹狀部92。
於複數個凹狀部92之底部以分別與其接觸之方式安裝有複數個壓力感測器99。本例之壓力感測器99係相應於施加於該壓力感測器99之壓力之大小而電阻值發生變化之感測器。更具體而言，壓力感測器99係施加於該壓力感測器99之壓力愈大則電阻值愈小，施加於該壓力感測器99之壓力愈小則電阻值愈大之感測器。於設定構件90更安裝有發送裝置60。發送裝置60如圖3所示般包含：信號輸出電路61、發送電路62、及發送天線63。
信號輸出電路61與複數個壓力感測器99電性連接，輸出與複數個壓力感測器99之電阻值對應之電信號。發送電路62將自信號輸出電路61輸出之電信號作為複數個壓力感測器99之輸出信號通過發送天線63朝圖1之接收裝置70無線發送。
接收裝置70包含接收天線及接收電路。如圖1所示般，接收裝置70藉由接收電路通過接收天線接收自發送裝置60無線發送之複數個壓力感測器99之輸出信號，且賦予控制裝置40。
控制裝置40包含CPU(中央運算處理裝置)、RAM(隨機存取記憶體)及ROM(唯讀記憶體)，具有：壓力檢測部41、位置決定部42、位置檢測部43、移動控制部44、交接控制部45、溫度調整部46、壓力決定部47、範圍決定部48、移動速度設定部49、及記憶部50。在控制裝置40中，藉由CPU執行記憶於ROM或其他記憶媒體之電腦程式，實現上述之各功能部。又，控制裝置40之功能性構成要件之一部分或全部可藉由電子電路等硬體而實現。
壓力檢測部41基於自接收裝置70被賦予之複數個壓力感測器99之輸出信號，檢測自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力。
如後述般，當開始連結構件32之移動速度之設定時，在初始狀態下設定構件90由複數個升降銷31支持。在該狀態下，壓力決定部47將自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值決定為複數個基準壓力值。此時，記憶部50記憶經決定之複數個基準壓力值。
位置檢測部43基於來自馬達34之編碼器之輸出信號檢測連結構件32相對於熱處理板10之上下方向之位置。
如後述般，在連結構件32之移動速度之設定時，在上述之複數個基準壓力值經決定後，由支持部S支持設定構件90。在該狀態下，移動控制部44藉由控制馬達驅動電路35，而以複數個升降銷31之上端部自較支持部S之上端部更下方之位置朝較支持部S之上端部更上方之位置移動之方式使連結構件32上升。
位置決定部42在由移動控制部44進行之連結構件32之上升中，基於壓力檢測部41之檢測結果判定朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值是否各自達到經決定之複數個基準壓力值。又，位置決定部42基於位置檢測部43之檢測結果，將在複數個壓力之值各自達到複數個基準壓力值時的連結構件32之上下方向之位置決定為基準位置。
範圍決定部48將基板之交接時的連結構件32之移動範圍中包含由位置決定部42決定之基準位置之一部分的範圍決定為速度限制範圍。速度限制範圍之細節將於後述。
移動速度設定部49以在速度限制範圍內的連結構件32之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件32之移動速度之方式設定基板之交接時的連結構件32之移動速度。此時，記憶部50記憶被設定之連結構件32之移動速度。
交接控制部45基於記憶於記憶部50之移動速度，在基板之交接時以將連結構件32採用所設定之移動速度移動之方式控制馬達驅動電路3。
於記憶部50，除了上述複數個基準壓力值、速度限制範圍及被設定之移動速度之外，還記憶有用於調整發熱體20之溫度之溫度調整資訊。溫度調整部46基於溫度調整資訊控制發熱驅動電路21。
(2)連結構件32之移動速度之設定 圖5～圖10係顯示基板之交接時的連結構件32之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。在以下之說明中，將連結構件32之上下方向之可移動範圍中最高之位置稱為上方位置PA，將連結構件32之上下方向之可移動範圍中最低之位置稱為下方位置PB。
首先，如圖5所示般，將連結構件32移動至上方位置PA。在連結構件32位於上方位置PA之狀態下，複數個升降銷31之上端部位於較支持部S之複數個突起構件11之上端部更上方。
其次，如圖6所示般，將圖3之設定構件90載置於複數個升降銷31之上端部上。在該狀態下，自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91(圖4)各自施加有壓力。此時，基於圖3之複數個壓力感測器99之輸出信號檢測到自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值。朝設定構件90施加之複數個壓力之值係例如以複數個壓力感測器99之電阻值表示。將被檢測到之複數個壓力之值決定為與設定構件90之複數個被支持部91分別對應之複數個基準壓力值。
其次，如圖7所示般，連結構件32自上方位置PA移動至下方位置PB。在該移動中，被支持於複數個升降銷31上之設定構件90被交遞至支持部S之複數個突起構件11上。在連結構件32位於下方位置PB之狀態下，複數個升降銷31之上端部位於較複數個突起構件11之上端部更下方。
其次，如圖8所示般，連結構件32自下方位置PB朝向上方位置PA上升。此時，圖1之馬達驅動電路35以將連結構件32重複移動預設之微小距離並停止的所謂步進給送地上升之方式驅動馬達34。
藉由連結構件32之上升，複數個升降銷31之上端部與設定構件90之複數個被支持部91(圖4)接觸。此時，藉由設定構件90自支持部S之複數個突起構件11被交遞至複數個升降銷31，而自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加壓力。藉此，圖3之複數個壓力感測器99之輸出信號在複數個升降銷31與複數個被支持部91之接觸之前後發生變化。
因此，為了掌握複數個升降銷31與設定構件90之複數個被支持部91接觸之時點，而在連結構件32以步進給送上升之期間，就連結構件32每一移動及停止取得複數個壓力感測器99之輸出信號。又，基於複數個壓力感測器99之輸出信號，判定自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值是否各自達到經決定之複數個基準壓力值。其後，如圖9所示般，將在朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值各自達到經決定之複數個基準壓力值時的連結構件32之上下方向之位置決定為基準位置RP。
若決定了基準位置RP，則在支持部S與複數個升降銷31之間的基板之交接時，將應當限制連結構件32之移動速度之範圍決定為移動限制範圍以於基板不產生損傷。
在本實施形態中，如圖10所示般，將為了基板之交接而與連結構件32下降時對應之下降速度限制範圍LR1決定於上方位置PA與下方位置PB之間。又，將為了基板之交接而與連結構件32上升時對應之上升速度限制範圍LR2決定於上方位置PA與下方位置PB之間。將下降速度限制範圍LR1及上升速度限制範圍LR2之各者之上下方向之距離設定為預設之距離(例如0.5 mm)。
此處，下降速度限制範圍LR1之上限位於較基準位置RP更上方，下降速度限制範圍LR1之下限位於基準位置RP。又，上升速度限制範圍LR2之上限位於基準位置RP，上升速度限制範圍LR2之下限位於較基準位置RP更下方。
其後，以在基板之交接時在下降速度限制範圍LR1內下降時之移動速度低於連結構件32在下降速度限制範圍LR1外下降時之移動速度之方式設定連結構件32之移動速度。又，以在基板之交接時在上升速度限制範圍LR2內上升時之移動速度低於連結構件32在上升速度限制範圍LR2外上升時之移動速度之方式設定連結構件32之移動速度。
又，在下降速度限制範圍LR1內的連結構件32之下降時之移動速度既可設定為一定之值，亦可以階段性或連續性變化之方式設定。又，在下降速度限制範圍LR1外的連結構件32之下降時之移動速度亦然，既可設定為一定之值，亦可以階段性或連續性變化之方式設定。進而，在上升速度限制範圍LR2內的連結構件32之上升時之移動速度既可設定為一定之值，亦可以階段性或連續性變化之方式設定。又，在上升速度限制範圍LR2外的連結構件32之上升時之移動速度亦然，既可設定為一定之值，亦可以階段性或連續性變化之方式設定。
在如上述般設定連結構件32之移動速度後，藉由將連結構件32上升至上方位置PA，而將設定構件90自複數個升降銷31上去除。
又，下降速度限制範圍LR1之下限可位於較基準位置RP更下方，上升速度限制範圍LR2之上限可位於較基準位置RP更上方。進而，亦可將自下降速度限制範圍LR1之上限至上升速度限制範圍LR2之下限之範圍用作連結構件32之上升時及下降時之共通之移動限制範圍。
圖11係顯示在連結構件32之移動速度之設定後藉由連結構件32下降而自複數個升降銷31朝支持部S上交遞基板之狀態之示意性側視圖。在藉由上述之圖5～圖10之例設定連結構件32之移動速度之情形下，在將基板W載置於複數個升降銷31上之狀態下，連結構件32自上方位置PA以較高之移動速度下降至下降速度限制範圍LR1之上限。
其後，使連結構件32在下降速度限制範圍LR1內降低移動速度。此時，由於下降速度限制範圍LR1之上限位於較基準位置RP更上方，故而可在連結構件32到達基準位置RP前之期間充分降低連結構件32之移動速度。因此，由於充分緩和因支持部S之複數個突起構件11與基板W之下表面接觸所產生之衝擊，故而防止於基板W之下表面產生損傷。 又，因基板W之移動速度在熱處理板10之上表面之附近降低，而可防止在基板W之下表面與熱處理板10之上表面之間之空間產生較大壓力。藉此，藉由基板W在支持部S上懸浮，而防止在偏離原本應當支持之位置之狀態下基板W被支持部S支持。
在基板W自複數個升降銷31被交遞至支持部S上後，連結構件32自作為下降速度限制範圍LR1之下限之基準位置RP以較高之移動速度下降至下方位置PB。如此般，藉由較高地設定在下降速度限制範圍LR1外下降時的連結構件32之移動速度，而縮短基板W之交接所需之時間。
圖12係顯示在連結構件32之移動速度之設定後藉由連結構件32上升而自支持部S朝複數個升降銷31上交遞基板W之狀態之示意性側視圖。在藉由上述之圖5～圖10之例設定連結構件32之移動速度之情形下，在將基板W載置於支持部S上之狀態下，連結構件32自下方位置PB以較高之移動速度上升至上升速度限制範圍LR2之下限。
其後，連結構件32在上升速度限制範圍LR2內降低移動速度。此時，由於上升速度限制範圍LR2之下限位於較基準位置RP更下方，故而可在連結構件32到達基準位置RP前之期間充分降低連結構件32之移動速度。因此，由於充分緩和因複數個升降銷31與基板W之下表面接觸所產生之衝擊，故而防止於基板W之下表面產生損傷。
在基板W自複數個突起構件11被交遞至複數個升降銷31上後，連結構件32自作為上升速度限制範圍LR2之上限之基準位置RP以較高之移動速度上升至上方位置PA。如此般，藉由較高地設定在上升速度限制範圍LR2外上升時的連結構件32之移動速度，而縮短基板W之交接所需之時間。
又，在上述之圖11及圖12之例中，係將支持部S與複數個升降銷31之間之基板W之交接時的連結構件32之上下方向之移動範圍設定為上方位置PA至下方位置PB之間，但本發明並不限定於此。連結構件32在基板W之交接時可在自較上方位置PA更下方且較下降速度限制範圍LR1更上方之任意之位置、至較下方位置PB更上方且較上升速度限制範圍LR2更下方之任意之位置的範圍內移動。
(3)移動速度設定處理 連結構件32之移動速度之設定藉由圖1之控制裝置40執行以下所示之移動速度設定處理進行。於圖1之熱處理裝置100，設置有用於使用者對控制裝置40賦予各種處理之指令之未圖示之操作部。移動速度設定處理在熱處理裝置100之使用開始時或熱處理裝置100之保養維修時等基於例如使用者對操作部之操作而被執行。圖13係顯示移動速度設定處理之一例之流程圖。
如圖13所示般，首先，圖1之移動控制部44藉由控制馬達驅動電路35，而將連結構件32移動至上方位置PA(步驟S101)。
在該狀態下，藉由使用者或後述之圖14之基板搬送裝置450將圖3之設定構件90載置於複數個升降銷31上。因此，圖1之壓力檢測部41基於自接收裝置70賦予之輸出信號，以一定週期檢測自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力(步驟S102)。該壓力之檢測處理持續至移動速度設定處理結束為止。
又，步驟S102之處理亦可在設定構件90被載置於複數個升降銷31上後，響應例如使用者對操作部之操作而進行。或者是，步驟S102之處理亦可在執行移動速度設定處理之期間以一定週期持續進行。
其次，圖1之壓力決定部47基於在步驟S102之處理中檢測到之複數個壓力之值，將自複數個升降銷31朝設定構件90之複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值決定為複數個基準壓力值(步驟S103)。經決定之複數個基準壓力值記憶於圖1之記憶部50。
其次，圖1之移動控制部44藉由控制馬達驅動電路35而使連結構件32朝下方位置PB移動(步驟S104)。其後，移動控制部44藉由控制馬達驅動電路35，而以複數個升降銷31之上端部自較支持部S之上端部更下方之位置朝較支持部S之上端部更上方之位置移動之方式，使連結構件32以步進給送上升(步驟S105)。
圖1之位置決定部42在由移動控制部44使連結構件32上升中，基於由壓力檢測部41進行之複數個壓力之檢測，判定朝複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值是否各自達到在步驟S103中所決定之複數個基準壓力值(步驟S106)。
位置決定部42重複上述之步驟S106之處理，直至朝複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值達到經決定之複數個基準壓力值。又，若朝複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值達到經決定之複數個基準壓力值，則位置決定部42將在此時點藉由圖1之位置檢測部43檢測的連結構件32之上下方向之位置決定為基準位置(步驟S107)。
其次，圖1之範圍決定部48以包含經決定之基準位置之方式決定速度限制範圍(步驟S108)。此時，範圍決定部48亦可將複數個升降銷31下降時之下降速度限制範圍LR1、及複數個升降銷31上升時之上升速度限制範圍LR2作為速度限制範圍而個別決定。
進而，圖1之移動速度設定部49以在經決定之速度限制範圍內的連結構件32之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件32之移動速度之方式，設定基板W之交接時的連結構件32之移動速度(步驟S109)。經設定之連結構件32之移動速度記憶於圖1之記憶部50。其後，移動速度設定處理結束。
在上述之移動速度設定處理後，當在熱處理裝置100中對基板W進行處理時，在支持部S與複數個升降銷31之間的基板W之交接時，圖1之交接控制部45控制馬達驅動電路35。藉此，連結構件32以被設定之移動速度在上下方向移動。
(4)效果 (a)在上述之熱處理裝置100中，在決定複數個基準壓力值之後，在由支持部S之複數個突起構件11支持設定構件90之狀態下，連結構件32自下方位置PB上升。
該情形下，在複數個升降銷31之上端部位於與複數個突起構件11之上端部相同高度時，複數個升降銷31之上端部與設定構件90之複數個被支持部91分別接觸。藉此，朝複數個被支持部91施加有壓力。基於施加於複數個被支持部91之複數個壓力之值是否達到複數個基準壓力值，而將在複數個升降銷31與設定構件90接觸之時點的連結構件32之上下方向之位置正確地決定為基準位置RP。決定包含經決定之基準位置之速度限制範圍(在圖10之例中，為下降速度限制範圍LR1及上升速度限制範圍LR2)。
其後，以在速度限制範圍內的連結構件之移動速度低於在速度限制範圍外的連結構件32之移動速度之方式設定基板W之交接時的連結構件32之移動速度。
在基板W之交接時，以被設定之移動速度移動連結構件32。該情形下，在連結構件32以較低之移動速度在速度限制範圍內移動時，支持部S或複數個升降銷31與基板W之下表面接觸。因此，由於緩和因支持部S或複數個升降銷31與基板W之下表面接觸而產生的衝擊，故而防止於基板W之下表面產生損傷。另一方面，由於連結構件32以較高之移動速度在速度限制範圍外移動，故而縮短在基板W之交接上必要之時間。
進而，根據上述之構成，無關於支持部S與複數個升降銷31之間之位置關係之誤差，而正確地決定基準位置RP，從而決定速度限制範圍。藉此，可基於速度限制範圍使設定構件90之移動速度正確地發生變化。因此，無需一面確認於自複數個升降銷31朝支持部S交遞之基板W上實際是否產生損傷一面調整降低基板W之移動速度之時機之作業。
該等之結果為，可提高基板處理之產能且可防止基板W在支持部S與複數個升降銷31之間之交接時於基板W產生損傷，並且能夠抑制基板W之製造成本之增加。
(b)在本實施形態中，複數個基準壓力值等於在由複數個升降銷31實際支持設定構件90之狀態下朝複數個被支持部91各自施加之複數個壓力之值。藉此，在連結構件32之移動速度之設定時，可基於複數個基準壓力值正確地決定設定構件90之基準位置。
(c)上述之設定構件90具有與基板W相同之形狀。藉此，在連結構件32之移動速度之設定時，在接近於在支持部S與複數個升降銷31之間交接基板W之情形之狀態下，進行在支持部S與複數個升降銷31之間之設定構件90之交接。因此，可容易且適切地進行連結構件32之移動速度之設定。
(d)設定構件90係由樹脂形成。該情形下，由於設定構件90與基板W相比不易產生損傷，故而可防止在連結構件32之移動速度之設定時設定構件90破損。
(e)設置於設定構件90之複數個壓力感測器99之輸出信號藉由使用發送裝置60及接收裝置70之無線通訊被賦予控制裝置40。藉此，可以簡單之構成藉由遠程操作設定連結構件32之移動速度。
(5)具備圖1之熱處理裝置100之基板處理裝置 圖14係顯示具備圖1之熱處理裝置100的基板處理裝置之一例之示意性方塊圖。如圖14所示般，基板處理裝置400係與曝光裝置500相鄰設置，且具備：控制部410、塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440、及基板搬送裝置450。熱處理部440包含：對基板W進行加熱處理之複數個圖1之熱處理裝置100、及對基板W進行冷卻處理之複數個熱處理裝置(未圖示)。
控制部410包含例如CPU及記憶體、或微電腦，控制塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440、及基板搬送裝置450之動作。又，控制部410在熱處理裝置100之使用開始時或熱處理裝置100之保養維修時等，在熱處理部440之複數個熱處理裝置100中，對複數個熱處理裝置100賦予用於進行移動速度設定處理之指令。
基板搬送裝置450在由基板處理裝置400進行之基板W之處理時，在塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440、及曝光裝置500之間搬送基板W。
塗佈處理部420在未處理之基板W之一個面上形成抗蝕膜(塗佈處理)。對形成有抗蝕膜之塗佈處理後之基板W，在曝光裝置500處進行曝光處理。顯影處理部430藉由對由曝光裝置500進行之曝光處理後之基板W供給顯影液，進行基板W之顯影處理。熱處理部440在由塗佈處理部420進行之塗佈處理、由顯影處理部430進行之顯影處理、及由曝光裝置500進行之曝光處理之前後進行基板W之熱處理。
又，塗佈處理部420亦可於基板W形成抗反射膜。該情形下，可於熱處理部440設置用於進行為了提高基板W與抗反射膜之密著性之密著強化處理之處理單元。又，塗佈處理部420亦可於基板W形成用於保護在基板W上形成之抗蝕膜之抗蝕覆蓋膜。
在上述之基板處理裝置400中，藉由在基板W之處理前在熱處理部440之複數個熱處理裝置100之各者處執行移動速度設定處理，而防止在各熱處理裝置100內之基板W之交接時，於基板W產生損傷。又，藉由縮短在各熱處理裝置100中基板W之交接所需之時間，而提高基板處理之產能。其結果為，提高基板處理裝置400之產品之成品率，且降低基板W之製造成本。
此處，在熱處理部440中，亦可將1個設定構件90(圖3)共用於2個以上之複數個熱處理裝置100。該情形下，藉由基板搬送裝置450朝複數個熱處理裝置100依次搬送1個設定構件90，而在複數個熱處理裝置100中依次進行移動速度設定處理。藉此，無須準備與全部熱處理裝置100對應之數目之設定構件90。
6. 其他實施形態 (a)上述實施形態係將本發明之基板交接系統應用於加熱處理用之熱處理裝置100之例，但本發明之基板交接系統亦可應用於冷卻處理用之熱處理裝置。
例如，可於熱處理裝置100設置冷卻裝置取代圖1之發熱體20。該情形下，支持部S包含：熱處理板10、複數個突起構件11、複數個引導構件12、及冷卻裝置，被用作冷卻板。冷卻裝置既可由例如帕爾帖元件構成，亦可由使冷卻水循環之配管構成。
在對基板W進行冷卻處理之熱處理裝置100中亦然，可藉由進行移動速度設定處理獲得與上述實施形態同樣之效果。
又，對基板W進行冷卻處理之複數個熱處理裝置100可與對基板W進行加熱處理之複數個熱處理裝置100一起設置於圖14之熱處理部440。該情形下，更加提高圖14之基板處理裝置400的產品之成品率，且更加降低基板W之製造成本。
(b)圖14所示之基板處理裝置400可具備複數個基板搬送裝置450。於在一個基板搬送裝置450與其他基板搬送裝置450之間設置暫時載置基板W之基板載置部之情形下，可將構成為對基板進行冷卻處理之熱處理裝置100用作基板載置部。該情形下，可在基板W之處理前，藉由預先在基板載置部進行移動速度設定處理而獲得與上述實施形態同樣之效果。
(c)在上述實施形態中，在移動速度設定處理中基於壓力感測器99之輸出信號而決定與設定構件90之複數個被支持部91分別對應之複數個基準壓力值，但本發明並不限定於此。複數個基準壓力值亦可作為設計值而預設。
(d)在上述實施形態中，係將壓力感測器99之輸出信號藉由使用發送裝置60及接收裝置70之無線通訊賦予控制裝置40之壓力檢測部41，但本發明並不限定於此。設置於設定構件90之複數個壓力感測器99之輸出信號可藉由使用電纜線或光纖纜線等之有線通訊賦予控制裝置40之壓力檢測部41。
(e)在上述實施形態中，作為複數個升降銷31係使用3個升降銷31，但複數個升降銷31之數目亦可為3個以上，既可為4個，亦可為5個。該情形下，較佳為於設定構件90設置與複數個升降銷31分別對應之數目之壓力感測器99。
(f)在上述實施形態中，支持部S於熱處理板10具有用於支持基板W之下表面之複數個突起構件11，但本發明並不限定於此。亦可於支持部S之熱處理板10之上表面上，設置用於支持基板W之下表面之樹脂製片材狀構件，取代複數個突起構件11。
該情形下，在自複數個升降銷31朝支持部S交遞基板W時，即便基板W之下表面與片材狀構件接觸亦於基板W上不易產生損傷。因此，可在連結構件32之移動速度之設定時，僅決定上述之下降速度限制範圍LR1及上升速度限制範圍LR2中之上升速度限制範圍LR2。亦即，可不降低下降時的連結構件32之移動速度。藉此，可進一步縮短基板W之交接所需之時間。
(g)在上述實施形態中，複數個升降銷31係由陶瓷形成，但本發明並不限定於此。複數個升降銷31其等之上端部可由樹脂或橡膠取代陶瓷而構成。
該情形下，在自支持部S朝複數個升降銷31交遞基板W時，即便基板W之下表面與複數個升降銷31接觸亦不易於基板W產生損傷。因此，可在連結構件32之移動速度之設定時，僅決定上述之下降速度限制範圍LR1及上升速度限制範圍LR2中之下降速度限制範圍LR1。亦即，可不降低上升時的連結構件32之移動速度。藉此，可進一步縮短基板W之交接所需之時間。
(7)請求項之各構成要件與實施形態之各要件之對應關係 以下，針對請求項之各構成要件與實施形態之各要件之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
在上述實施形態中，支持部S為支持部之例，複數個升降銷31為複數個升降構件之例，連結構件32為連結構件之例，給送軸33、馬達34及馬達驅動電路35為交接驅動部之例，設定構件90為設定構件之例，複數個壓力感測器99、發送裝置60、接收裝置70、及壓力檢測部41為檢測部之例。
又，移動控制部44為移動控制部之例，位置決定部42為位置決定部之例，範圍決定部48為範圍決定部之例，移動速度設定部49為移動速度設定部之例，速度限制範圍、下降速度限制範圍LR1、及上升速度限制範圍LR2為速度限制範圍之例，交接控制部45為交接控制部之例，熱處理裝置100為基板交接系統之例。
又，壓力決定部47為壓力決定部之例，下降速度限制範圍LR1為下降速度限制範圍之例，上升速度限制範圍LR2為上升速度限制範圍之例，熱處理板10之上表面為支持面之例，複數個突起構件11為複數個突起構件之例，發熱體20為熱處理機構之例。 作為請求項之各構成要件可採用具有請求項所記載之構成或功能之其他各種要件。
[產業上之可利用性] 本發明可有效地用於各種基板之處理。
10‧‧‧熱處理板11‧‧‧突起構件12‧‧‧引導構件13‧‧‧貫通孔20‧‧‧發熱體(熱處理機構)21‧‧‧發熱驅動電路30‧‧‧升降裝置31‧‧‧升降銷(升降構件)32‧‧‧連結構件33‧‧‧給送軸(交接驅動部)34‧‧‧馬達(交接驅動部)35‧‧‧馬達驅動電路(交接驅動部)40‧‧‧控制裝置41‧‧‧壓力檢測部(檢測部)42‧‧‧位置決定部43‧‧‧位置檢測部44‧‧‧移動控制部45‧‧‧交接控制部46‧‧‧溫度調整部47‧‧‧壓力決定部48‧‧‧範圍決定部49‧‧‧移動速度設定部50‧‧‧記憶部60‧‧‧發送裝置(檢測部)61‧‧‧信號輸出電路62‧‧‧發送電路63‧‧‧發送天線70‧‧‧接收裝置(檢測部)90‧‧‧設定構件90a‧‧‧(設定構件之)一個面90b‧‧‧(設定構件之)另一面91‧‧‧被支持部92‧‧‧凹狀部99‧‧‧壓力感測器(檢測部)100‧‧‧熱處理裝置(基板交接系統)400‧‧‧基板處理裝置410‧‧‧控制部420‧‧‧塗佈處理部430‧‧‧顯影處理部440‧‧‧熱處理部450‧‧‧基板搬送裝置500‧‧‧曝光裝置LR1‧‧‧下降速度限制範圍(速度限制範圍)LR2‧‧‧上升速度限制範圍(速度限制範圍)PA‧‧‧上方位置PB‧‧‧下方位置RP‧‧‧基準位置S‧‧‧支持部S101～S109‧‧‧步驟W‧‧‧基板
圖1係顯示本發明之一實施形態之熱處理裝置之構成之示意性側視圖。 圖2係圖1之熱處理裝置之示意性平面圖。 圖3係圖1之設定構件及發送裝置之示意性平面圖。 圖4係圖1之設定構件及發送裝置之示意性側視圖。 圖5係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖6係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖7係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖8係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖9係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖10係顯示基板之交接時的連結構件之移動速度之具體的設定例之示意性側視圖。 圖11係顯示在連結構件之移動速度之設定後藉由連結構件下降而自複數個升降銷朝支持部上交遞基板之狀態之示意性側視圖。 圖12係顯示在連結構件之移動速度之設定後藉由連結構件上升而自支持部朝複數個升降銷上交遞基板之狀態之示意性側視圖。 圖13係顯示移動速度設定處理之一例之流程圖。 圖14係顯示具備圖1之熱處理裝置的基板處理裝置之一例之示意性方塊圖。
10‧‧‧熱處理板
11‧‧‧突起構件
12‧‧‧引導構件
13‧‧‧貫通孔
20‧‧‧發熱體(熱處理機構)
21‧‧‧發熱驅動電路
30‧‧‧升降裝置
31‧‧‧升降銷(升降構件)
32‧‧‧連結構件
33‧‧‧給送軸(交接驅動部)
34‧‧‧馬達(交接驅動部)
35‧‧‧馬達驅動電路(交接驅動部)
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧壓力檢測部(檢測部)
42‧‧‧位置決定部
43‧‧‧位置檢測部
44‧‧‧移動控制部
45‧‧‧交接控制部
46‧‧‧溫度調整部
47‧‧‧壓力決定部
48‧‧‧範圍決定部
49‧‧‧移動速度設定部
50‧‧‧記憶部
60‧‧‧發送裝置(檢測部)
70‧‧‧接收裝置(檢測部)
90‧‧‧設定構件
100‧‧‧熱處理裝置(基板交接系統)
S‧‧‧支持部

Claims (14)

  1. 一種基板交接系統，其具備：支持部，其構成為在基板之處理時支持基板之下表面； 3個以上之複數個升降構件，其等各自具有可支持基板之下表面之上端部； 連結構件，其構成為連結前述複數個升降構件，且相對於前述支持部可於上下方向移動； 交接驅動部，其在前述支持部與前述複數個升降構件之間的基板之交接時，以前述複數個升降構件之上端部在較前述支持部之上端部更上方之位置與較前述支持部之上端部更下方之位置之間移動之方式使前述連結構件移動； 設定構件，其構成為可由前述複數個升降構件支持； 檢測部，其檢測在前述設定構件由前述複數個升降構件支持時自前述複數個升降構件朝前述設定構件之複數個部分各自施加之壓力； 移動控制部，其在前述連結構件之移動速度之設定時，藉由控制前述交接驅動部在由前述支持部支持前述設定構件之狀態下以前述複數個升降構件之上端部自較前述支持部之上端部更下方之位置朝較前述支持部之上端部更上方之位置移動之方式，使前述連結構件移動； 位置決定部，其在由前述移動控制部進行之前述連結構件之移動中，基於前述檢測部之輸出信號判定自前述複數個升降構件朝前述設定構件之前述複數個部分各自施加之複數個壓力之值是否各自達到預設之複數個基準壓力值，且將在前述複數個壓力之值各自達到前述複數個基準壓力值時的前述連結構件之上下方向之位置決定為基準位置； 範圍決定部，其將在前述基板之交接時的前述連結構件之移動範圍中包含前述經決定之基準位置之一部分的範圍決定為速度限制範圍； 移動速度設定部，其以在前述速度限制範圍內的前述連結構件之移動速度低於在前述速度限制範圍外的前述連結構件之移動速度之方式，設定前述基板之交接時的前述連結構件之移動速度；及 交接控制部，其在前述基板之交接時，以前述連結構件以由前述移動速度設定部設定之移動速度進行移動之方式控制前述交接驅動部。
  2. 如請求項1之基板交接系統，其更具備壓力決定部，其基於在由前述複數個升降構件支持前述設定構件之狀態下自前述複數個升降構件朝前述設定構件之前述複數個部分各自施加之複數個壓力之值而決定前述複數個基準壓力值。
  3. 如請求項1或2之基板交接系統，其中前述範圍決定部將前述連結構件為了進行前述基板之交接而下降時的速度限制範圍決定為下降速度限制範圍， 前述下降速度限制範圍之上限位於較前述基準位置更上方， 前述移動速度設定部係以在前述下降速度限制範圍內下降時的前述連結構件之移動速度低於在前述速度限制範圍外下降時的前述連結構件之移動速度之方式，設定前述連結構件之移動速度。
  4. 如請求項1或2之基板交接系統，其中前述範圍決定部將前述連結構件為了進行前述基板之交接而上升時之速度限制範圍決定為上升速度限制範圍， 前述上升速度限制範圍之下限位於較前述基準位置更下方， 前述移動速度設定部係以在前述上升速度限制範圍內上升時的前述連結構件之移動速度低於在前述上升速度限制範圍外上升時的前述連結構件之移動速度之方式，設定前述連結構件之移動速度。
  5. 如請求項1或2之基板交接系統，其中前述設定構件具有與基板相同之外形。
  6. 如請求項1或2之基板交接系統，其中前述設定構件係由樹脂形成。
  7. 如請求項1或2之基板交接系統，其中前述支持部具有： 平坦之支持面； 複數個突起構件，其等以自前述支持面朝上方突出之方式設置，且構成為可支持基板之下表面；及 熱處理機構，其對由前述複數個突起構件支持之基板進行熱處理。
  8. 一種基板交接方法，其係用於在構成為在基板之處理時支持基板之下表面之支持部、與各自具有可支持基板之下表面之上端部的3個以上之複數個升降構件之間進行基板之交接的基板交接方法， 前述複數個升降構件係由構成為相對於前述支持部可在上下方向移動之連結構件連結， 前述連結構件於在前述支持部與前述複數個升降構件之間之基板之交接時，以前述複數個升降構件之上端部在較前述支持部之上端部更上方之位置與較前述支持部之上端部更下方之位置之間移動之方式進行移動，且 前述基板交接方法包含如下步驟： 在前述連結構件之移動速度之設定時，由前述支持部支持構成為可由前述複數個升降構件支持的設定構件； 在前述設定構件由前述支持部支持之狀態下，以前述複數個升降構件之上端部自較前述支持部之上端部更下方之位置朝較前述支持部之上端部更上方之位置移動之方式使前述連結構件移動； 檢測在前述設定構件由前述複數個升降構件支持時自前述複數個升降構件朝前述設定構件之複數個部分各自施加之壓力； 在前述連結構件之移動中，基於前述檢測步驟之檢測結果判定自前述複數個升降構件朝前述設定構件之前述複數個部分各自施加之複數個壓力之值是否各自達到預設之複數個基準壓力值，且將在前述複數個壓力之值各自達到前述複數個基準壓力值時的前述連結構件之上下方向之位置決定為基準位置； 將前述基板之交接時的前述連結構件之移動範圍中包含前述經決定之基準位置之一部分的範圍決定為速度限制範圍； 以在前述速度限制範圍內的前述連結構件之移動速度低於在前述速度限制範圍外的前述連結構件之移動速度之方式，設定前述基板之交接時的前述連結構件之移動速度；及 在前述基板之交接時，以前述連結構件以由前述設定步驟設定之移動速度進行移動之方式使前述連結構件移動。
  9. 如請求項8之基板交接方法，其更具備基於在由前述複數個升降構件支持前述設定構件之狀態下自前述複數個升降構件朝前述設定構件之前述複數個部分各自施加之複數個壓力之值而決定前述複數個基準壓力值之步驟。
  10. 如請求項8或9之基板交接方法，其中將包含前述經決定之基準位置之一部分的範圍決定為速度限制範圍之步驟包含：將前述連結構件為了進行前述基板之交接而下降時之速度限制範圍決定為下降速度限制範圍，且 前述下降速度限制範圍之上限位於較前述基準位置更上方， 設定前述移動速度之步驟包含：以在前述下降速度限制範圍內下降時的前述連結構件之移動速度低於在前述速度限制範圍外下降時的前述連結構件之移動速度之方式設定前述連結構件之移動速度。
  11. 如請求項8或9之基板交接方法，其中將包含前述經決定之基準位置之一部分的範圍決定為速度限制範圍之步驟包含：將前述連結構件為了進行前述基板之交接而上升時之速度限制範圍決定為上升速度限制範圍， 前述上升速度限制範圍之下限位於較前述基準位置更下方， 設定前述移動速度之步驟包含：以在前述上升速度限制範圍內上升時的前述連結構件之移動速度低於在前述速度限制範圍外上升時的前述連結構件之移動速度之方式設定前述連結構件之移動速度。
  12. 如請求項8或9之基板交接方法，其中前述設定構件具有與基板相同之外形。
  13. 如請求項8或9之基板交接方法，其中前述設定構件係由樹脂形成。
  14. 如請求項8或9之基板交接方法，其中前述支持部具有： 平坦之支持面； 複數個突起構件，其等以自前述支持面朝上方突出之方式設置，且構成為可支持基板之下表面；及 熱處理機構，其對由前述複數個突起構件支持之基板進行熱處理。
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