JP2022045274A - 基板処理装置および基板移載方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板搬送部の搬送保持部から基板処理部の基板支持部へ基板を移載する際に基板の位置ずれが防止された基板処理装置および基板移載方法を提供する。【解決手段】搬送保持部Ｈ１は、基板Ｗを保持する第１の保持状態と基板Ｗの保持を解除する第１の解除状態とに切り替え可能に構成される。基板支持部２１は、基板Ｗを吸引により保持する第２の保持状態と、基板Ｗの吸引を解除する第２の解除状態とに切り替え可能に構成される。制御部６０は、基板Ｗを第１の保持状態で保持する搬送保持部Ｈ１が基板支持部２１の上方の位置から下降し、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態にあるときに基板支持部２１が第２の解除状態から第２の保持状態に切り替えられることにより基板支持部２１が搬送保持部Ｈ１により保持された基板Ｗを第２の保持状態で保持した後に、搬送保持部Ｈ１が第１の解除状態に切り替わるように、基板処理部２０を制御する。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置および基板移載方法に関する。

基板処理装置は、複数の基板処理部および基板搬送部を備える。複数の基板処理部としては、基板にレジスト液を塗布する塗布ユニット、基板上のレジスト膜を現像する現像ユニット、基板を加熱する加熱ユニット、および基板を冷却する冷却ユニット等が用いられる。基板搬送部は、基板を複数の基板処理部の間で搬送する。

例えば、塗布ユニットは、基板の下面を吸着するスピンチャック（回転保持部）を備える。基板がスピンチャックにより水平姿勢で保持されるとともに鉛直軸の周りで回転され、回転される基板上にレジスト液が供給される。基板搬送部は、基板を保持するハンド（搬送保持部）を有し、ハンドに保持した基板を塗布ユニットのスピンチャック上に移載する。例えば、特許文献１には、チャンバ内で基板を保持する基板保持装置が記載されている。

特開２０１８－１４２６４７号公報

特許文献１に記載の基板保持装置よれば、基板が反っている場合でも、好適に基板を吸着保持することが可能となる。

しかしながら、基板搬送部のハンドに保持された基板がスピンチャックに移載される際に基板の位置ずれが生じることがある。具体的には、基板を保持したハンドがスピンチャックの上方の位置から下降し、ハンドによる基板の保持が解除された後に、スピンチャックの上面に基板が載置される。このとき、基板の位置ずれが生じることがある。この場合、基板がずれた状態でスピンチャックに保持される。

本発明の目的は、基板搬送部の搬送保持部から基板処理部の基板支持部へ基板を移載する際に基板の位置ずれが防止された基板処理装置および基板移載方法を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板を保持して搬送する搬送保持部を含む基板搬送部と、搬送保持部により搬送された基板を支持する基板支持部を含む基板処理部と、搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させることにより、搬送保持部により保持された基板を基板支持部に移載するように、基板搬送部および基板処理部を制御する制御部とを備え、搬送保持部は、基板を保持する第１の保持状態と基板の保持を解除する第１の解除状態とに切り替え可能に構成され、基板支持部は、基板を吸引により保持する第２の保持状態と、基板の吸引を解除する第２の解除状態とに切り替え可能に構成され、制御部は、基板を第１の保持状態で保持する搬送保持部が基板支持部の上方の位置から下降し、搬送保持部が第１の保持状態にあるときに基板支持部が第２の解除状態から第２の保持状態に切り替えられることにより基板支持部が搬送保持部により保持された基板を第２の保持状態で保持した後に、搬送保持部が第１の解除状態に切り替わるように、基板搬送部および基板処理部を制御する。

この基板処理装置においては、搬送保持部が基板を第１の保持状態で保持するとともに基板支持部の上方の位置から下降する。基板支持部が第２の解除状態から第２の保持状態に切り替わることにより基板支持部が基板を吸引により保持した後に、搬送保持部が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替わる。それにより、基板が搬送保持部から基板支持部に移載される。

この構成によれば、基板が搬送保持部から基板支持部に移載される際に、基板は、搬送保持部および基板支持部の両方により同時に保持された後に搬送保持部による基板の保持が解除される。この場合、基板が基板支持部に接触するときの衝撃による基板の位置ずれおよび基板の振動による基板の位置ずれが防止される。その結果、基板支持部に移載される際の基板の位置ずれが防止される。

（２）基板処理部は、基板支持部による基板の吸引圧力を検出する圧力センサを含み、制御部は、搬送保持部が第１の保持状態で基板を保持するとともに基板支持部が第２の保持状態で基板を保持する状態で圧力センサにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたときに、搬送保持部を第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えるように基板搬送部を制御してもよい。

この場合、基板が基板支持部により確実に保持された後に搬送保持部による基板の保持が解除される。その結果、搬送保持部から基板支持部への基板の移載時における基板の位置ずれが確実に防止される。

（３）基板支持部は、基板の下面を支持する支持面を有し、搬送保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、制御部は、基板支持部の上方の位置から搬送保持部の下降を開始させ、搬送保持部の保持面が基板支持部の支持面よりも予め定められた第１の値だけ高い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させてもよい。

この場合、搬送保持部に保持された基板は、搬送保持部の下降速度が低下された状態で基板支持部の支持面に接触する。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面での基板の位置ずれがさらに防止される。

（４）搬送保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、制御部は、一の基板を保持する搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させ、吸引圧力がしきい値を超えたときの搬送保持部の保持面の位置よりも高い第１の位置を決定しかつ記憶し、一の基板に後続する基板を保持する搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させる場合に、搬送保持部の保持面が記憶された第１の位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させてもよい。

この場合、一の基板を保持する搬送保持部の下降時に第１の位置が決定および記憶される。後続する基板を保持する搬送保持部の下降速度は、第１の位置で低下される。この場合、基板支持部により基板が確実に保持される位置よりも高い位置に第１の位置が決定される。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面での基板の位置ずれがさらに防止される。

（５）制御部は、搬送保持部の保持面が基板支持部の支持面よりも予め定められた第２の値だけ低い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を上昇させてもよい。この場合、基板が搬送保持部から離れた後に搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

（６）制御部は、一の基板を保持する搬送保持部の下降時に、吸引圧力がしきい値を超えたときの搬送保持部の保持面の位置よりも低い第２の位置を決定しかつ記憶し、後続する基板を保持する搬送保持部の下降時に、搬送保持部の保持面が記憶された第２の位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を上昇させてもよい。

この場合、一の基板を保持する搬送保持部の下降時に第２の位置が決定および記憶される。後続する基板を保持する搬送保持部の下降速度は、第２の位置で上昇される。この場合、基板が搬送保持部から離れた後に搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

（７）基板処理装置は、基板の湾曲状態を検出する湾曲状態検出部をさらに備え、基板支持部は、基板の下面を支持する支持面を有し、制御部は、基板支持部の上方の位置から搬送保持部の下降を開始させ、湾曲状態検出部により検出された基板の湾曲状態に基づいて、搬送保持部に保持された基板の下面中央部が基板支持部の支持面よりも予め定められた第３の値だけ高い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させてもよい。

このような構成により、基板が湾曲している場合でも、搬送保持部の下降速度が低下された状態で、搬送保持部に保持された基板の下面中央部が基板支持部の支持面に接触する。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面上での基板の位置ずれがさらに防止される。

（８）制御部は、基板支持部が第２の保持状態にありかつ搬送保持部が第１の解除状態になったときに搬送保持部の下降速度を上昇させてもよい。この場合、搬送保持部が第１の解除状態になったときに搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

（９）基板支持部は、基板の下面を保持して回転させるように構成された回転保持部であってもよい。この場合、基板処理部において、回転される基板に処理が行われる。上記の構成により、搬送保持部から回転保持部への基板の移載時に、衝撃による基板の位置ずれおよび基板の振動による基板の位置ずれが防止される。

（１０）基板支持部は、基板の下面を支持するとともに上下方向に移動可能に構成された３本以上の昇降ピンであってもよい。この場合、基板処理部において、３本以上の昇降ピンにより処理位置に移動された基板に処理が行われる。上記の構成により、搬送保持部から昇降ピンへの基板の移載時に、衝撃による基板の位置ずれおよび基板の振動による基板の位置ずれが防止される。

（１１）本発明に係る基板移載方法は、基板を搬送保持部により第１の保持状態で保持させるステップと、第１の保持状態で基板を保持する搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させるステップと、搬送保持部が第１の保持状態にあるときに基板支持部を基板の吸引による第２の保持状態に切り替えることにより、搬送保持部により第１の保持状態で保持された基板を基板支持部により第２の保持状態で保持させるステップと、基板が搬送保持部により第１の保持状態で保持されかつ基板支持部により第２の保持状態で保持された後に、搬送保持部を解除状態に切り替えるステップとを含む。

この基板移載方法においては、基板が搬送保持部により第１の保持状態で保持されるとともに基板支持部の上方の位置から下降される。基板支持部が第２の解除状態から第２の保持状態に切り替えられることにより基板が基板支持部により保持された後に、搬送保持部が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられる。それにより、基板が搬送保持部から基板支持部に移載される。

この方法によれば、基板が搬送保持部から基板支持部に移載される際に、基板は、搬送保持部および基板支持部の両方により同時に保持された後に搬送保持部による基板の保持が解除される。この場合、基板が基板支持部に接触するときの衝撃による基板の位置ずれおよび基板の振動による基板の位置ずれが防止される。その結果、基板支持部に移載される際の基板の位置ずれに発生が防止される。

（１２）基板移載方法は、基板が搬送保持部により第１の保持状態で保持されるとともに基板支持部により第２の保持状態で保持された状態で基板支持部による基板の吸引圧力を圧力センサにより検出するステップをさらに含み、搬送保持部を解除状態に切り替えるステップは、圧力センサにより検出された圧力が予め定められたしきい値を超えたときに、搬送保持部を第１の保持状態から解除状態に切り替えることを含んでもよい。

この場合、基板が基板支持部により確実に保持された後に搬送保持部の基板の保持が解除される。その結果、搬送保持部から基板支持部への基板の移載時における基板の位置ずれが確実に防止される。

（１３）基板移載方法は、基板を保持する搬送保持部の保持面が基板支持部の支持面よりも予め定められた第１の値だけ高い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させるステップをさらに含んでもよい。

この場合、搬送保持部に保持された基板は、搬送保持部の下降速度が低下された状態で基板支持部の支持面に接触する。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面での基板の位置ずれがさらに防止される。

（１４）基板移載方法は、一の基板を保持する搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させ、吸引圧力がしきい値を超えたときの搬送保持部の保持面の位置よりも高い第１の位置を決定しかつ記憶するステップと、一の基板に後続する基板を保持する搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させる場合に、搬送保持部の保持面が記憶された第１の位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させるステップとをさらに含んでもよい。

この場合、一の基板を保持する搬送保持部の下降時に第１の位置が決定および記憶される。後続する基板を保持する搬送保持部の下降速度は、第１の位置で低下される。この場合、基板支持部により基板が確実に保持される位置よりも高い位置に第１の位置が決定される。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面での基板の位置ずれがさらに防止される。

（１５）基板移載方法は、搬送保持部の保持面が基板支持部の支持面よりも予め定められた第２の値だけ低い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を上昇させるステップをさらに含んでもよい。この場合、基板が搬送保持部から離れた後に搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

（１６）一の基板を保持する搬送保持部の下降時に、吸引圧力がしきい値を超えたときの搬送保持部の保持面の位置よりも低い第２の位置を決定しかつ記憶するステップと、後続する基板を保持する搬送保持部の下降時に、搬送保持部の保持面が記憶された第２の位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を上昇させるステップとをさらに含んでもよい。

この場合、一の基板を保持する搬送保持部の下降時に第２の位置が決定および記憶される。後続する基板を保持する搬送保持部の下降速度は、第２の位置で上昇される。この場合、基板が搬送保持部から離れた後に搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

（１７）基板移載方法は、湾曲状態検出部により基板の湾曲状態を検出するステップと、基板の湾曲状態に基づいて、搬送保持部に保持された基板の下面中央部の高さが基板支持部の支持面よりも予め定められた第３の値だけ高い位置に下降したときに搬送保持部の下降速度を低下させるステップとをさらに含んでもよい。

このような方法により、基板が湾曲している場合でも、搬送保持部の下降速度が低下された状態で、搬送保持部に保持された基板の下面中央部が基板支持部の支持面に接触する。それにより、基板を搬送保持部から基板支持部に移載するときの衝撃が低減される。その結果、基板支持部の支持面上での基板の位置ずれがさらに防止される。

（１８）基板移載方法は、基板支持部が第２の保持状態にありかつ搬送保持部が第１の解除状態になったときに搬送保持部の下降速度を上昇させるステップをさらに含んでもよい。この場合、搬送保持部が第１の解除状態になったときに搬送保持部の下降速度が上昇するため、基板の搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。

本発明によれば、基板搬送部の搬送保持部から基板処理部の基板支持部へ基板を移載する際に基板の位置ずれが防止される。

本実施の形態に係る基板処理装置の構成要素のレイアウトの一例を示す模式的平面図である。 図１の基板処理装置の基板搬送部、塗布処理部、現像処理部、熱処理部の構成の例を示す模式的正面図である。 図２の基板搬送部の模式的平面図である。 図２の塗布処理部の基板支持部の模式的平面図である。 図２の熱処理部の基板支持部の模式的平面図である。 基板搬送部の搬送保持部から塗布処理部の回転保持部への基板の移載時の第１の動作例である。 基板搬送部の搬送保持部から塗布処理部の回転保持部への基板の移載時の第２の動作例である。 図２の制御装置の機能的な構成を示すブロック図である。 図８の制御装置による第１の動作例の制御を示すフローチャートである。 図８の制御装置による第２の動作例の制御を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、一実施の形態に係る基板処理装置の各構成要素のレイアウトの一例を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は露光装置２００に隣接するように設けられる。基板処理装置１００は、インデクサブロックＩＤ、処理ブロックＰＲおよびインターフェイスブロックＩＦを含む。

インデクサブロックＩＤは、基板搬送部（基板搬送ロボット）７０および複数のキャリア載置部８０を含む。各キャリア載置部８０には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア８１が載置される。

処理ブロックＰＲは、インデクサブロックＩＤとインターフェイスブロックＩＦとの間に配置される。処理ブロックＰＲは、塗布処理部２０、現像処理部３０、複数の熱処理部４０および１または複数の基板搬送部（基板搬送ロボット）１０を含む。図１の例では、２つの基板搬送部１０が設けられる。一方の基板搬送部１０は、塗布処理部２０と１つの熱処理部４０との間に設けられ、他方の基板搬送部１０は、現像処理部３０と１つの熱処理部４０との間に設けられる。本実施の形態では、インデクサブロックＩＤと処理ブロックＰＲとの境界部に湾曲状態検出部５０が設けられる。インターフェイスブロックＩＦは、処理ブロックＰＲと露光装置２００との間に配置される。インターフェイスブロックＩＦは、基板搬送部（基板搬送ロボット）９０を含む。

インデクサブロックＩＤの少なくとも１つのキャリア載置部８０上には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア８１が載置される。基板搬送部７０は、キャリア８１から湾曲状態検出部５０に未処理の基板Ｗを搬送する。湾曲状態検出部５０は、基板Ｗの湾曲状態（反りの程度）を検出する。

処理ブロックＰＲの基板搬送部１０は、未処理の基板Ｗを塗布処理部２０、熱処理部４０および湾曲状態検出部５０の間で搬送する。それにより、基板Ｗの上面にレジスト膜が形成される。その後、基板搬送部１０は、レジスト膜が形成された基板ＷをインターフェイスブロックＩＦに搬送する。

インターフェイスブロックＩＦの基板搬送部９０は、レジスト膜が形成された基板Ｗを露光装置２００に搬入する。露光装置２００は、基板Ｗ上のレジスト膜に露光処理を行う。基板搬送部９０は、露光処理後の基板Ｗを処理ブロックＰＲに搬送する。

処理ブロックＰＲの基板搬送部１０は、露光処理後の基板Ｗを現像処理部３０および熱処理部４０の間で搬送する。それにより、露光処理後の基板Ｗ上のレジスト膜が現像される。その後、基板搬送部１０は、現像後の基板ＷをインターフェイスブロックＩＦに搬送する。インデクサブロックＩＤの基板搬送部７０は、現像後の基板Ｗをキャリア載置部８０に搬送する。

図２は、図１の基板処理装置１００の基板搬送部１０、塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０の構成の例を示す模式的正面図である。図３は、図２の基板搬送部１０の模式的平面図である。図４は、図２の塗布処理部２０の回転保持部２１の模式的平面図である。図５は、図２の熱処理部４０の昇降ピン４１の模式的平面図である。

図２に示すように、基板搬送部１０は、吸引部１０ａ、移動部材１１、回転部材１２、支持部材１３、２つの搬送保持部（ハンド）Ｈ１，Ｈ２および搬送駆動部１４を含む。移動部材１１は、ガイドレール（図示せず）に沿って水平方向に移動可能であるとともに上下方向に昇降可能に構成される。

移動部材１１上には、略直方体形状の回転部材１２が上下方向の軸の周りで回転可能に設けられる。回転部材１２には搬送保持部Ｈ１，Ｈ２がそれぞれ支持部材１３により支持される。搬送保持部Ｈ１，Ｈ２は、回転部材１２の長手方向に進退可能に構成される。本実施の形態においては、搬送保持部Ｈ２が回転部材１２の上面の上方に位置し、搬送保持部Ｈ１が搬送保持部Ｈ２の上方に位置する。移動部材１１、回転部材１２および搬送保持部Ｈ１，Ｈ２は、搬送駆動部１４により駆動される。搬送駆動部１４は、例えば電動モータにより構成される。

図３に示すように、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の各々は、ガイド部Ｈａおよびアーム部Ｈｂを含む。ガイド部Ｈａは略円弧形状を有し、アーム部Ｈｂは長方形状を有する。ガイド部Ｈａの内周部には、ガイド部Ｈａの内方に向かうように複数（本例では３つ）の突出部ｐｒが形成される。各突出部ｐｒには、基板Ｗの下面を吸着保持するための吸着パッドｐｄが設けられる。吸着パッドｐｄの略中心には、吸引孔ｓｍが設けられる。本実施の形態では、吸着パッドｐｄの上面が基板Ｗの下面を保持する保持面ｈｆとなる。吸引孔ｓｍは、図２の吸引部１０ａに気体流路を通して接続される。吸引部１０ａは、例えばエジェクタまたはアスピレータ等により構成される。

複数の突出部ｐｒの吸着パッドｐｄ上に基板Ｗの下面周縁部が載置される。この状態で、基板Ｗの下面周縁部の複数箇所が複数の吸引孔ｓｍを通して図２の吸引部１０ａにより吸引される。それにより、基板Ｗが突出部ｐｒの保持面ｈｆに吸着保持される。

以下、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２が基板Ｗを保持する状態を第１の保持状態と呼び、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２が基板Ｗの保持を解除する状態を第１の解除状態と呼ぶ。搬送保持部Ｈ１，Ｈ２は、図２の吸引部１０ａの吸引動作および吸引動作の停止により第１の保持状態と第１の解除状態とに切り替え可能に構成される。

図２に示すように、塗布処理部２０は、吸引部２０ａ、圧力センサ２０ｂ、回転保持部（スピンチャック）２１、処理液ノズル２６およびカップ２７を含む。回転保持部２１は、回転部材２４およびモータ２５により構成される。回転保持部２１は、基板Ｗの下面を支持する支持面２２を有する。

図４に示すように、支持面２２には、複数の吸引孔２３が設けられる。吸引孔２３は、気体流路を通して図２の吸引部２０ａに接続される。図２の吸引部２０ａは、例えばエジェクタまたはアスピレータ等により構成される。吸引孔２３と図２の吸引部２０ａとを接続する気体流路には、圧力センサ２０ｂ（図２）が設けられる。図２の圧力センサ２０ｂは、吸引孔２３における吸引圧力を検出する。

回転部材２４の支持面２２上に基板Ｗが載置される。この状態で、基板Ｗの下面が図２の吸引部２０ａにより複数の吸引孔２３を通して吸引される。それにより、基板Ｗが回転部材２４の支持面２２に吸着保持される。

図２に示すように、回転部材２４は、モータ２５により上下方向の軸の周りで回転可能に構成される。処理液ノズル２６は、回転保持部２１に保持および回転される基板Ｗの上面に向かってレジスト液等の塗布液を吐出する。本実施の形態では、塗布液としてレジスト液が吐出される。それにより、基板Ｗの上面にレジスト液が塗布される。カップ２７は、塗布液等の飛散を防止するために回転保持部２１の周囲を覆うように設けられる。

図２に示すように、現像処理部３０は、吸引部３０ａ、圧力センサ３０ｂ、回転保持部（スピンチャック）３１、処理液ノズル３６およびカップ３７を含む。回転保持部３１は、回転部材３４およびモータ３５により構成される。回転保持部３１は、基板Ｗの下面を支持する支持面３２を有する。支持面３２には、図４の支持面２２と同様に、複数の吸引孔２３と同様の複数の吸引孔が形成される。

図２の現像処理部３０における吸引部３０ａ、圧力センサ３０ｂ、回転保持部３１、処理液ノズル３６およびカップ３７の構成および動作は、次の点を除いて図２の吸引部２０ａ、圧力センサ２０ｂ、回転保持部２１、処理液ノズル２６およびカップ２７の構成および動作と同様である。現像処理部３０の処理液ノズル３６は、回転保持部３１に保持および回転される基板Ｗの上面に現像液を吐出する。それにより、露光処理後の基板Ｗ上のレジスト膜が現像される。

図２に示すように、熱処理部４０は、吸引部４０ａ、圧力センサ４０ｂ、３本の昇降ピン４１および熱処理プレート４５を含む。熱処理プレート４５は、基板Ｗを加熱する加熱プレートまたは基板Ｗを冷却する冷却プレートである。昇降ピン４１は、熱処理プレート４５を上下に貫通して昇降可能に設けられる。各昇降ピン４１の上端面が基板Ｗの下面を支持する支持面４２となる。

図５に示すように、各昇降ピン４１の支持面４２には、吸引孔４３が設けられる。吸引孔４３は、図２の吸引部４０ａに気体流路を通して接続される。図２の吸引部４０ａは、例えばエジェクタまたはアスピレータ等により構成される。昇降ピン４１の吸引孔４３と図２の吸引部４０ａとを接続する気体流路には、圧力センサ４０ｂ（図２）が設けられる。図２の圧力センサ４０ｂは、吸引孔４３における吸引圧力を検出する。

基板Ｗが熱処理部４０に搬入された際に、昇降ピン４１は上昇する。昇降ピン４１の支持面４２上に基板Ｗが載置される。この状態で、基板Ｗの下面が吸引部４０ａにより各昇降ピン４１の吸引孔４３を通して吸引される。それにより、昇降ピン４１の支持面４２に基板Ｗが吸着保持される。

熱処理プレート４５の上面には、熱処理面４６が形成される。昇降ピン４１が基板Ｗを保持した状態で、昇降ピン４１が下降する。それにより、基板Ｗが熱処理面４６に載置されるとともに基板Ｗに熱処理が行われる。

以下、回転保持部２１，３１または昇降ピン４１が基板Ｗを保持する状態を第２の保持状態と呼び、回転保持部２１，３１または昇降ピン４１が基板Ｗの保持を解除する状態を第２の解除状態と呼ぶ。回転保持部２１，３１および昇降ピン４１は、それぞれ吸引部２０ａ，３０ａ，４０ａの吸引動作および吸引動作の停止により第２の保持状態と第２の解除状態とに切り替え可能に構成される。

図２の湾曲状態検出部５０は、例えば、複数の光学センサにより水平状態の基板Ｗの下面周縁部の高さおよび下面中央部の高さを検出する。それにより、基板Ｗの湾曲状態が検出される。あるいは、湾曲状態検出部５０は、基板Ｗの下面周縁部を支持する３本以上の周縁部用昇降ピンおよび基板Ｗの下面中央部を支持する中央部用昇降ピンを備えてもよい。この場合、周縁部用昇降ピンが基板Ｗの下面周縁部を支持した状態で、中央部用昇降ピンが上昇する。中央部用昇降ピンが基板Ｗに当接したときの周縁部用昇降ピンの上端の高さおよび中央部用昇降ピンの上端の高さから基板Ｗの湾曲状態が検出される。

制御装置６０は、基板搬送部１０、塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０の動作を制御する。制御装置６０の構成および動作の詳細については後述する。

（２）第１の動作例
次に、図２の基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１へ基板Ｗを移載する際の搬送保持部Ｈ１および回転保持部２１の第１の動作例を説明する。第１の動作例では、湾曲していない基板Ｗが移載される。

図６は、基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１への基板Ｗの移載時の第１の動作例を示す図である。図６の左部分には、搬送保持部Ｈ１と回転保持部２１との位置（高さ）関係の時間的変化が順に示される。白抜きの矢印は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を表す。図６の中央部には、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置（高さ）の時間的変化が直線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３で示される。図６の右部分には、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置（高さ）と搬送保持部Ｈ１の下降速度との関係が直線Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６で示される。

まず、回転保持部２１の上方の位置に搬送保持部Ｈ１により基板Ｗが搬入される。搬送保持部Ｈ１は第１の保持状態である。回転保持部２１は第２の解除状態である。搬送保持部Ｈ１は、基板Ｗの中心と回転保持部２１の回転中心とが一致するように位置決めされる。このとき、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆは、回転保持部２１の支持面２２よりも上方の位置Ｐ１にある。本例では、基板Ｗの下面の位置は搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置に等しい。

搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ１から位置Ｐ２まで下降するように、基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１が下降する。搬送保持部Ｈ１の下降開始と同時または下降開始後に塗布処理部２０の図２の吸引部２０ａによる吸引動作が開始される。それにより、回転保持部２１の支持面２２において吸引が開始される。

本例では、時点ｔ１で搬送保持部Ｈ１が下降を開始し、時点ｔ２で搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２に下降する。位置Ｐ２は、回転保持部２１の支持面２２よりも予め定められた第１の値だけ高い位置に設定される。第１の値は、例えば４ｍｍであるが、これに限定されない。時点ｔ１から時点ｔ２までの搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の時間的変化が直線Ｌ１で表される。時点ｔ１から時点ｔ２までの搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ４で表される。

搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２に下降したときに、搬送保持部Ｈ１の下降速度が低下される。この状態で、基板Ｗを保持した搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが回転保持部２１の支持面２２の位置Ｐ３まで下降する。それにより、基板Ｗの下面が回転保持部２１の支持面２２に接触する。この場合、回転保持部２１の支持面２２の複数の吸引孔２３が基板Ｗの下面により閉塞される。その結果、図２の圧力センサ２０ｂにより検出される吸引圧力が増加する。

基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、図２の圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、回転保持部２１が確実に第２の保持状態になる。この場合、基板Ｗは、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆおよび回転保持部２１の支持面２２の両方により保持される。

基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、図２の圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられる。それにより、基板Ｗの下面から搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが離間可能となる。

本例では、時点ｔ３で搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ３に下降し、時点ｔ４で搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ４に下降する。位置Ｐ４は、回転保持部２１の支持面２２よりも予め定められた第２の値だけ低い位置に設定される。第２の値は、例えば４ｍｍであるが、これに限定されない。時点ｔ２から時点ｔ４までの搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の時間的変化が直線Ｌ２で表される。時点ｔ２から時点ｔ４までの搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ５で表される。直線Ｌ５で表される下降速度は、直線Ｌ４で表される下降速度よりも低い。

搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ４に下降すると、搬送保持部Ｈ１の下降速度が上昇される。時点ｔ４以降の搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の時間的変化が直線Ｌ３で表される。時点ｔ４以降の搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ６で表される。直線Ｌ６で表される下降速度は、直線Ｌ５で表される下降速度よりも高い。

このように、第１の動作例では、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態から基板Ｗが搬送保持部Ｈ１および回転保持部２１の両方により保持された状態を経由して基板Ｗが回転保持部２１により保持される。

搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１に基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１から回転保持部２１に基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。また、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から現像処理部３０の回転保持部３１に基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１に基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。

さらに、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から熱処理部４０の昇降ピン４１に基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１に基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。この場合、基板Ｗが昇降ピン４１の支持面４２に接触したときに、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態にありかつ昇降ピン４１が第２の保持状態にある。それにより、基板Ｗが昇降ピン４１の支持面４２および搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの両方により保持される。

（３）第２の動作例
次に、図２の基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１へ基板Ｗを移載する際の搬送保持部Ｈ１および回転保持部２１の第２の動作例を説明する。第２の動作例では、下に凸に湾曲した基板Ｗが移載される。

図７は、基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１への基板Ｗの移載時の第２の動作例を示す図である。図７の左部分には、搬送保持部Ｈ１と回転保持部２１との位置（高さ）関係の時間的変化が順に示される。白抜きの矢印は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を表す。図７の中央部には、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置（高さ）の時間的変化が直線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３で示される。図７の右部分には、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置（高さ）と搬送保持部Ｈ１の下降速度との関係が直線Ｌ１４，Ｌ１５，Ｌ１６で示される。

まず、回転保持部２１の上方の位置に搬送保持部Ｈ１により基板Ｗが搬入される。搬送保持部Ｈ１は第１の保持状態である。回転保持部２１は第２の解除状態である。搬送保持部Ｈ１は、基板Ｗの中心と回転保持部２１の回転中心とが一致するように位置決めされる。このとき、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆは、回転保持部２１の支持面２２よりも上方の位置Ｐ１にある。本例では、基板Ｗの下面中央部の位置は搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置よりも低い。

搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ１から下降するように、基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１が下降する。搬送保持部Ｈ１の下降開始と同時または下降開始後に、塗布処理部２０の図２の吸引部２０ａによる吸引動作が開始される。それにより、回転保持部２１の支持面２２において吸引が開始される。

本例では、時点ｔ１１で搬送保持部Ｈ１が下降を開始し、時点ｔ１２ａで搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２ａに下降する。位置Ｐ２ａは、基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１に保持された基板Ｗの下面中央部が回転保持部２１の支持面２２よりも予め定められた第３の値だけ高い位置にあるように設定される。この場合、図２の湾曲状態検出部５０により検出された湾曲状態に基づいて、基板Ｗが水平姿勢にある状態で、基板Ｗの下面周縁部の高さと基板Ｗの下面中央部の高さとの差が予め算出される。また、算出された差が第３の値に加算されることにより、加算値が得られる。位置Ｐ２ａは、回転保持部２１の支持面２２の位置Ｐ３よりも加算値だけ高い位置に設定される。第３の値は、例えば６ｍｍであるが、これに限定されない。時点ｔ１１から時点ｔ１２ａまでの搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の変化が直線Ｌ１１で表される。時点ｔ１１から時点ｔ１２ａまでの搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ１４で表される。

搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２ａに下降したときに、搬送保持部Ｈ１の下降速度が低下される。この状態で、基板Ｗを保持した搬送保持部Ｈ１がさらに下降する。それにより、基板Ｗの下面中央部が回転保持部２１の支持面２２に接触する。このとき、基板Ｗが湾曲しているため、回転保持部２１の支持面２２の複数の吸引孔２３の一部は、基板Ｗの下面で閉塞されない。この状態で、基板Ｗを保持した搬送保持部Ｈ１がさらに下降する。それにより、基板Ｗの形状が平坦な状態に変形する。この場合、回転保持部２１の支持面２２の複数の吸引孔２３が基板Ｗの下面により閉塞される。その結果、圧力センサ２０ｂにより検出される吸引圧力が増加する。

基板Ｗが回転保持部２１の支持面２２に接触した状態で、図２の圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、回転保持部２１が確実に第２の保持状態になる。この場合、基板Ｗは、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆおよび回転保持部２１の支持面２２の両方により保持される。

本例では、時点ｔ１３で基板Ｗを保持した搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが回転保持部２１の支持面２２の位置Ｐ３まで下降する。それにより、湾曲した基板Ｗが一時的に平坦となる。その結果、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超える。このとき、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられる。したがって、基板Ｗの下面からが搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが離間可能となる。また、時点ｔ１３で、搬送保持部Ｈ１の下降速度が上昇される。

本例では、時点ｔ１２ａから時点ｔ１３までの搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の時間的変化が直線Ｌ１２で表される。時点ｔ１２ａから時点ｔ１３までの搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ１５で表される。直線Ｌ１５で表される下降速度は、直線Ｌ１４で表される下降速度よりも低い。時点ｔ１３以降の搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆの位置の時間的変化が直線Ｌ１３で表される。時点ｔ１３以降の搬送保持部Ｈ１の下降速度が直線Ｌ１６で表される。直線Ｌ１６で表される下降速度は、直線Ｌ１５で表される下降速度よりも高い。

このように、第２の動作例では、湾曲した基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態から基板Ｗが搬送保持部Ｈ１および回転保持部２１の両方により保持された状態を経由して基板Ｗが回転保持部２１により保持される。

基板Ｗが上に凸に湾曲している場合にも、搬送保持部Ｈ１の下降開始時または下降開始後に、回転保持部２１の支持面２２において吸引が開始される。また、基板Ｗの下面中央部が回転保持部２１の支持面２２の位置Ｐ３よりも予め定められた第３の値だけ上方の位置に下降したときに搬送保持部Ｈ１の下降速度が低下される。この場合、図２の湾曲状態検出部５０により検出された湾曲状態に基づいて、基板Ｗが水平姿勢にある状態で、基板Ｗの下面中央部の高さと基板Ｗの下面周縁部の高さとの差が予め算出される。また、第３の値から算出された差が減算されることにより、減算値が得られる。位置Ｐ２ａは、回転保持部２１の支持面２２の位置Ｐ３（高さ）よりも減算値だけ高い位置に設定される。基板Ｗの下面中央部が回転保持部２１の支持面２２に接触した後、図２の圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、回転保持部２１が確実に第２の保持状態になる。この場合、基板Ｗは、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆおよび回転保持部２１の支持面２２の両方により保持される。

基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で図２の圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、塗布処理部２０の図２の吸引部２０ａによる吸引動作が停止される。このとき、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられる。それにより、基板Ｗの下面から搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが離間可能になる。

搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１から回転保持部２１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。また、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から現像処理部３０の回転保持部３１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。

さらに、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から熱処理部４０の昇降ピン４１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から塗布処理部２０の回転保持部２１に湾曲した基板Ｗを移載する場合の動作と同様である。この場合、基板Ｗの下面中央部が昇降ピン４１の支持面４２に接触する。基板Ｗが昇降ピン４１の支持面４２に接触した状態で、図２の圧力センサ４０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、昇降ピン４１が確実に第２の保持状態になる。この場合、基板Ｗは、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆおよび昇降ピン４１の支持面４２の両方により保持される。

（４）制御装置の機能的な構成
図８は、図２の制御装置６０の機能的な構成を示すブロック図である。制御装置６０は、位置情報記憶部６１、搬送制御部６２、位置判定部６３、吸引動作制御部６４および吸引圧力判定部６５を含む。制御装置６０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置により構成される。ＣＰＵがＲＯＭまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより、制御装置６０の各構成要素の機能が実現される。なお、制御装置６０の一部またはすべての構成要素が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。

位置情報記憶部６１には、図２の回転保持部２１，３１および昇降ピン４１の支持面２２，３２，４２の位置（高さ）が記憶される。搬送制御部６２は、パルス信号を搬送駆動部１４に与えることにより搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の移動を制御する。図６の第１の動作例および図７の第２の動作例では、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の保持面ｈｆが回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から下降するように搬送駆動部１４を制御する。また、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の下降速度が上昇および低下されるように搬送駆動部１４を制御する。この場合、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の位置（高さ）は、パルス信号におけるパルス数により特定される。搬送制御部６２は、パルス信号におけるパルス数に基づいて搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の保持面ｈｆの現在位置（高さ）を位置判定部６３に与える。

搬送制御部６２および位置判定部６３には、湾曲状態検出部５０から基板Ｗの湾曲状態を示す湾曲情報が与えられる。本実施の形態では、湾曲情報は、水平姿勢にある基板Ｗの下面周縁部の位置（高さ）と下面中央部の位置（高さ）との差を含む。この場合、基板Ｗの下面周縁部の位置（高さ）と下面中央部の位置（高さ）との差が０の場合、基板Ｗは湾曲していない。

基板Ｗが湾曲していない場合、位置判定部６３は、位置情報記憶部６１に記憶される回転保持部２１の支持面２２の位置および搬送制御部６２により与えられる現在の位置に基づいて、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の保持面ｈｆの位置を判定する。また、基板Ｗが湾曲している場合、位置判定部６３は、位置情報記憶部６１に記憶される回転保持部２１の支持面２２の位置、搬送制御部６２により与えられる現在の位置および湾曲状態検出部５０により与えられる湾曲情報に基づいて、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２の位置および搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２に保持された基板Ｗの下面中央部の位置を判定する。搬送制御部６２は、位置判定部６３の判定結果に基づいて搬送駆動部１４を制御することにより搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度を上昇または低下させる。

吸引動作制御部６４は、位置判定部６３の判定結果に基づいて、塗布処理部２０の吸引部２０ａ、現像処理部３０の吸引部３０ａまたは熱処理部４０の吸引部４０ａの吸引動作および吸引動作の停止をそれぞれ制御する。それにより、回転保持部２１，３１または昇降ピン４１が第２の解除状態と第２の保持状態との間で切り替えられる。

吸引圧力判定部６５は、基板Ｗが回転保持部２１、回転保持部３１または昇降ピン４１上に支持された状態で、圧力センサ２０ｂ，３０ｂ，４０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたか否かを判定する。

また、吸引動作制御部６４は、位置判定部６３の判定結果および吸引圧力判定部６５の判定結果に基づいて、基板搬送部１０の吸引部１０ａの吸引動作および吸引動作の停止を制御する。それにより、搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２が第１の保持状態と第１の解除状態との間で切り替えられる。

（５）制御装置６０の制御例
以下、図８の制御装置６０による図６の第１の動作例における制御を説明する。図９は、図８の制御装置６０による第１の動作例の制御を示すフローチャートである。

搬送制御部６２は、搬送駆動部１４により搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆを回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から下降させる（ステップＳ１）。また、吸引動作制御部６４は、吸引部１０ａにより回転保持部２１における吸引を開始させる（ステップＳ２）。位置判定部６３は、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２まで下降したか否かを判定する（ステップＳ３）。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２まで下降していない場合、ステップＳ３の判定が繰り返し行われる。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２まで下降した場合、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を低下させる（ステップＳ４）。

吸引圧力判定部６５は、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたか否かを判定する（ステップＳ５）。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えていない場合、ステップＳ５の判定が繰り返し行われる。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、吸引動作制御部６４は、搬送保持部Ｈ１を第１の保持状態から第１の解除状態に切り替える（ステップＳ６）。

位置判定部６３は、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ４まで下降したか否かを判定する（ステップＳ７）。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ４まで下降していない場合、ステップＳ７の判定が繰り返し行われる。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ４まで下降した場合、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を上昇させる（ステップＳ８）。

次に、図８の制御装置６０による図７の第２の動作例における制御を説明する。図１０は、図８の制御装置６０による第２の動作例の制御を示すフローチャートである。

搬送制御部６２は、搬送駆動部１４により搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆを回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から下降させる（ステップＳ１１）。また、吸引動作制御部６４は、吸引部１０ａにより回転保持部２１における吸引を開始させる（ステップＳ１２）。

位置判定部６３は、搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２ａまで下降したか否かを判定する（ステップＳ１３）。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２ａまで下降していない場合、ステップＳ１３の判定が繰り返し行われる。搬送保持部Ｈ１の保持面ｈｆが位置Ｐ２ａまで下降した場合、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を低下させる（ステップＳ１４）。

吸引圧力判定部６５は、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたか否かを判定する（ステップＳ１５）。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えていない場合、ステップＳ１５の判定が繰り返し行われる。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力が予め定められたしきい値を超えた場合、吸引動作制御部６４は、搬送保持部Ｈ１を第１の保持状態から第１の解除状態に切り替える（ステップＳ１６）。このとき、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を上昇させる（ステップＳ１７）。

（６）搬送保持部Ｈ１の下降速度の低下位置および上昇位置の決定方法の例
図６の位置Ｐ２および位置Ｐ４は、予め決定されていてもよいが、１番目の基板Ｗの移載時に以下の方法により決定されてもよい。ここで、１番目の基板Ｗとは、例えば、図１のキャリア８１に収容された複数の基板Ｗのうち１番目に取り出される基板である。ここでは、搬送保持部Ｈ１が基板Ｗを保持しているときの動作について説明するが、搬送保持部Ｈ２が基板Ｗを保持しているときの動作も同様である。下記と同様の動作により、図７の位置Ｐ２ａが決定されてもよい。

まず、搬送制御部６２は、搬送駆動部１４にパルス信号を与えることにより１番目の基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１を回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から一定の速度で下降させる。また、吸引動作制御部６４は、吸引部１０ａにより回転保持部２１における吸引を開始させる。

吸引圧力判定部６５は、１番目の基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えたか否かを判定する。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えた場合、吸引動作制御部６４は、搬送保持部Ｈ１を第１の保持状態から第１の解除状態に切り替える。

このとき、搬送制御部６２は、吸引圧力がしきい値を超えたときのパルス信号のパルス数から所定数を減算することにより得られるパルス数を位置Ｐ２に対応する第１のパルス数として位置情報記憶部６１に記憶する。また、搬送制御部６２は、吸引圧力がしきい値を超えたときのパルス信号のパルス数に所定数を加算することにより得られるパルス数を位置Ｐ４に対応する第２のパルス数として位置情報記憶部６１に記憶する。

一の基板Ｗに後続する各基板Ｗについては、以下の動作および制御が行われる。

搬送制御部６２は、搬送駆動部１４にパルス信号を与えることにより後続する基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１を回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から下降させる。また、吸引動作制御部６４は、吸引部１０ａにより回転保持部２１における吸引を開始させる。

位置判定部６３は、搬送制御部６２により与えられるパルス信号のパルス数が位置情報記憶部６１に記憶された第１のパルス数に達したか否かを判定する。パルス信号のパルス数が第１のパルス数に達すると、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を低下させる。

吸引圧力判定部６５は、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えたか否かを判定する。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えた場合、吸引動作制御部６４は、搬送保持部Ｈ１を第１の保持状態から第１の解除状態に切り替える。

位置判定部６３は、搬送制御部６２により与えられるパルス信号のパルス数が位置情報記憶部６１に記憶された第２のパルス数に達したか否かを判定する。パルス信号のパルス数が第２のパルス数に達すると、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を上昇させる。

また、パルス信号のパルス数の代わりに例えばタイマにより計測される時間に基づいて以下の方法で図６の位置Ｐ２および位置Ｐ４が決定されてもよい。

まず、搬送制御部６２は、１番目の基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１を回転保持部２１の上方の位置Ｐ１から下降させる。この場合、タイマが搬送保持部Ｈ１の下降開始からの経過時間を計測する。

吸引圧力判定部６５は、１番目の基板Ｗが搬送保持部Ｈ１により保持された状態で、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えたか否かを判定する。圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えた場合、タイマは、吸引圧力がしきい値を超えたときの経過時間から所定時間を減算することにより得られる時間を位置Ｐ２に対応する第１の経過時間として位置情報記憶部６１に記憶する。また、タイマは、吸引圧力がしきい値を超えたときの経過時間に所定時間を加算することにより得られる時間を位置Ｐ４に対応する第２の経過時間として位置情報記憶部６１に記憶する。

一の基板Ｗに後続する各基板Ｗについては、以下の動作および制御が行われる。搬送制御部６２は、後続する基板Ｗを保持する搬送保持部Ｈ１を回転保持部２１の上方の位置から下降させる。この場合、タイマが搬送保持部Ｈ１の下降開始からの経過時間を計測する。

位置判定部６３は、タイマにより計測された経過時間が位置情報記憶部６１に記憶された第１の経過時間に達したか否かを判定する。計測された経過時間が第１の経過時間に達すると、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を低下させる。

圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えた場合、位置判定部６３は、タイマにより計測された経過時間が位置情報記憶部６１に記憶された第２の経過時間に達したか否かを判定する。計測された経過時間が第２の経過時間に達すると、搬送制御部６２は、搬送保持部Ｈ１の下降速度を上昇させる。

（７）実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗが基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１に移載される際に、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１および回転保持部２１の両方により保持された後に、搬送保持部Ｈ１による基板Ｗの保持が解除される。この場合、基板Ｗが回転保持部に接触するときの衝撃による基板Ｗの位置ずれおよび基板Ｗの振動による基板Ｗの位置ずれが防止される。

また、基板Ｗが基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１から塗布処理部２０の回転保持部２１に移載される際に、回転保持部２１の支持面２２における吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたときに、搬送保持部Ｈ１が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられる。それにより、基板Ｗが回転保持部２１により確実に保持された後に搬送保持部Ｈ１による基板Ｗの保持が解除される。その結果、搬送保持部Ｈ１から回転保持部２１への基板Ｗの移載時における基板Ｗの位置ずれが確実に防止される。

また、搬送保持部Ｈ１に保持された基板Ｗは、搬送保持部Ｈ１の下降速度が低下された状態で回転保持部２１の支持面２２に接触する。それにより、基板Ｗを搬送保持部Ｈ１から回転保持部２１に移載するときの衝撃が低減される。

さらに、基板Ｗが搬送保持部Ｈ１から離れた後に搬送保持部Ｈ１の下降速度が上昇される。それにより、基板Ｗの搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上する。

また、基板Ｗが湾曲している場合でも、搬送保持部Ｈ１の下降速度が低下された状態で、搬送保持部Ｈ１に保持された基板Ｗの下面中央部が回転保持部２１の支持面２２に接触する。それにより、基板Ｗを搬送保持部Ｈ１から回転保持部２１に移載するときの衝撃が低減される。その結果、回転保持部２１の支持面２２上での基板Ｗの位置ずれがさらに防止される。

また、基板Ｗが湾曲している場合でも、搬送保持部Ｈ１が第１の解除状態になったときに搬送保持部Ｈ１の下降速度が上昇するため、基板Ｗの搬送処理の時間が削減される。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上する。

基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ２から回転保持部２１の支持面２２への基板Ｗの移載時にも、上記と同様の効果が得られる。また、基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から塗布処理部２０の現像処理部３０の回転保持部２１への基板Ｗへの移載時にも、上記と同様の効果が得られる。さらに、基板搬送部１０の搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２から熱処理部４０の昇降ピン４１への基板Ｗへの移載時にも、上記と同様の効果が得られる。

（８）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０が圧力センサ２０ｂ，３０ｂ，４０ｂをそれぞれ含み、制御装置６０が吸引圧力判定部６５を含むが、本発明はこれに限定されない。塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０が圧力センサ２０ｂ，３０ｂ，４０ｂを含まず、制御装置６０が吸引圧力判定部６５を含まなくてもよい。この場合、例えば、搬送保持部Ｈ１により保持される基板Ｗの下面が回転保持部２１、回転保持部３１または昇降ピン４１の支持面２２，３２，４２に接触した後でかつ所定の時間が経過したときに搬送保持部Ｈ１または搬送保持部Ｈ２が第１の保持状態から第１の解除状態に切り替えられてもよい。

（ｂ）上記実施の形態においては、塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０において上記実施の形態の移載動作が行われるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０のいずれかにおいて上記実施の形態の移載動作が行われなくてもよい。例えば、熱処理部４０において基板Ｗの位置ずれが生じないかまたは位置ずれが問題にならない場合には、熱処理部４０において上記実施の形態の移載動作が行われなくてもよい。

（ｃ）上記実施の形態の移載動作は、基板搬送部１０から塗布処理部２０、現像処理部３０および熱処理部４０への基板Ｗの移載に適用されるが本発明はこれに限定されない。上記実施の形態の移載動作は、基板搬送部１０から周辺露光装置における回転保持部への基板Ｗの移載、基板搬送部１０から膜厚計における回転保持部への基板Ｗの移載、基板搬送部１０から外観検査機における回転保持部への基板Ｗの移載、基板搬送部１０から基板形状測定機における回転保持部への基板Ｗの移載、または基板搬送部１０から基板受け渡し部における３本以上の支持ピンへの基板Ｗの移載に適用されてもよい。

（ｄ）上記実施の形態においては、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が変化するように構成されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗを移載する際の衝撃または振動が問題にならない場合、およびスループットの向上が要求されない場合等においては、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が一定であってもよい。

（ｅ）上記実施の形態においては、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２として、吸引により基板Ｗの下面周縁部を吸着保持する吸着保持型の搬送保持部が用いられるが、本発明はこれに限定されない。搬送保持部Ｈ１，Ｈ２として、例えば基板の外周部を機械的に保持するエッジ保持型の搬送保持部が用いられてもよい。

（ｆ）上記実施の形態において、昇降ピン４１は３本であるが、本発明はこれに限定されない。昇降ピン４１は３本以上で構成されてもよい。

（ｇ）上記実施の形態においては、インデクサブロックＩＤと処理ブロックＰＲとの境界に湾曲状態検出部５０が設けられるが、他の位置に設けられてもよい。また、基板Ｗの湾曲状態が予め既知の場合または基板Ｗが湾曲していない場合には、湾曲状態検出部５０が設けられなくてもよい。

（ｈ）上記実施の形態においては、平坦な基板Ｗの移載時には、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の保持面ｈｆが回転保持部２１の支持面２２より下方の位置Ｐ４に低下したときに搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が上昇されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、図７の例と同様に、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えたときに搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が上昇されてもよい。

（ｉ）上記実施の形態においては、湾曲した基板Ｗの移載時に、圧力センサ２０ｂにより検出された吸引圧力がしきい値を超えたときに搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が上昇されるが、本発明はこれに限定されない。湾曲した基板Ｗの移載時にも、図６の例と同様に、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の保持面ｈｆが回転保持部２１の支持面２２より下方の位置Ｐ４に低下したときに搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が上昇されてもよい。

（ｊ）上記実施の形態では、少なくとも２番目以降の基板Ｗの移載時に、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が低下および上昇するが、本発明はこれに限定されない。搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が一定であってもよい。また、搬送保持部Ｈ１，Ｈ２の下降速度が曲線的に低下および上昇してもよい。

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
上記実施の形態においては、回転保持部２１，３１または昇降ピン４１が基板支持部の例であり、塗布処理部２０、現像処理部３０または熱処理部４０が基板処理部の例であり、位置Ｐ２または位置Ｐ２ａが第１の位置の例であり、位置Ｐ４が第２の位置の例である。

２…搬送保持部，１０…基板搬送部，１１…移動部材，１２…回転部材，１３…支持部材，１４…搬送駆動部，２０…塗布処理部，３０…現像処理部，２１，３１…回転保持部，２２，３２…支持面，２３，３３…吸引孔，２４，３４…回転部材，２５，３５…モータ，２６，３６…処理液ノズル，２７，３７…カップ，４０…熱処理部，４１…昇降ピン，４２…支持面，４３…吸引孔，４５…熱処理プレート，４６…熱処理面，１０ａ，２０ａ，３０ａ，４０ａ…吸引部，２０ｂ，３０ｂ，４０ｂ…圧力センサ，５０…湾曲状態検出部，６０…制御装置，６１…位置情報記憶部，６２…搬送制御部，６３…位置判定部，６４…吸引動作制御部，６５…吸引圧力判定部，７０…基板搬送部，８０…キャリア載置部，８１…キャリア，９０…基板搬送部，１００…基板処理装置，２００…露光装置，Ｈ１…搬送保持部，Ｈ２…搬送保持部，Ｈａ…ガイド部，Ｈｂ…アーム部，ＰＲ…処理ブロック，Ｗ…基板，ｈｆ…保持面，ｐｄ…吸着パッド，ｐｒ…突出部，ｓｍ…吸引孔

Claims (18)

1. 基板を保持して搬送する搬送保持部を含む基板搬送部と、
   前記搬送保持部により搬送された基板を支持する基板支持部を含む基板処理部と、
   前記搬送保持部を前記基板支持部の上方の位置から下降させることにより、前記搬送保持部により保持された基板を前記基板支持部に移載するように、前記基板搬送部および前記基板処理部を制御する制御部とを備え、
   前記搬送保持部は、基板を保持する第１の保持状態と基板の保持を解除する第１の解除状態とに切り替え可能に構成され、
   前記基板支持部は、基板を吸引により保持する第２の保持状態と、基板の吸引を解除する第２の解除状態とに切り替え可能に構成され、
   前記制御部は、基板を前記第１の保持状態で保持する前記搬送保持部が前記基板支持部の上方の位置から下降し、前記搬送保持部が前記第１の保持状態にあるときに前記基板支持部が前記第２の解除状態から前記第２の保持状態に切り替えられることにより前記基板支持部が前記搬送保持部により保持された基板を前記第２の保持状態で保持した後に、前記搬送保持部が前記第１の解除状態に切り替わるように、前記基板搬送部および前記基板処理部を制御する、基板処理装置。
2. 前記基板処理部は、前記基板支持部による基板の吸引圧力を検出する圧力センサを含み、
   前記制御部は、前記搬送保持部が前記第１の保持状態で基板を保持するとともに前記基板支持部が前記第２の保持状態で基板を保持する状態で前記圧力センサにより検出された前記吸引圧力が予め定められたしきい値を超えたときに、前記搬送保持部を前記第１の保持状態から前記第１の解除状態に切り替えるように前記基板搬送部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板支持部は、基板の下面を支持する支持面を有し、
   前記搬送保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、
   前記制御部は、前記基板支持部の上方の位置から前記搬送保持部の下降を開始させ、前記搬送保持部の前記保持面が前記基板支持部の前記支持面よりも予め定められた第１の値だけ高い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させる、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記搬送保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、
   前記制御部は、一の基板を保持する前記搬送保持部を前記基板支持部の上方の位置から下降させ、前記吸引圧力が前記しきい値を超えたときの前記搬送保持部の前記保持面の位置よりも高い第１の位置を決定しかつ記憶し、前記一の基板に後続する基板を保持する前記搬送保持部を前記基板支持部の上方の位置から下降させる場合に、前記搬送保持部の前記保持面が前記記憶された第１の位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させる、請求項２記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記搬送保持部の前記保持面が前記基板支持部の前記支持面よりも予め定められた第２の値だけ低い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させる、請求項３または４に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記一の基板を保持する前記搬送保持部の下降時に、前記吸引圧力が前記しきい値を超えたときの前記搬送保持部の前記保持面の位置よりも低い第２の位置を決定しかつ記憶し、前記後続する基板を保持する前記搬送保持部の下降時に、前記搬送保持部の前記保持面が前記記憶された第２の位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させる、請求項４記載の基板処理装置。
7. 基板の湾曲状態を検出する湾曲状態検出部をさらに備え、
   前記基板支持部は、基板の下面を支持する支持面を有し、
   前記制御部は、前記基板支持部の上方の位置から前記搬送保持部の下降を開始させ、前記湾曲状態検出部により検出された基板の湾曲状態に基づいて、前記搬送保持部に保持された基板の下面中央部が前記基板支持部の前記支持面よりも予め定められた第３の値だけ高い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させる、請求項１または２に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記基板支持部が前記第２の保持状態にありかつ前記搬送保持部が前記第１の解除状態になったときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させる、請求項３、４または７に記載の基板処理装置。
9. 前記基板支持部は、基板の下面を保持して回転させるように構成された回転保持部である、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記基板支持部は、基板の下面を支持するとともに上下方向に移動可能に構成された３本以上の昇降ピンである請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 基板を搬送保持部により第１の保持状態で保持させるステップと、
    前記第１の保持状態で基板を保持する前記搬送保持部を基板支持部の上方の位置から下降させるステップと、
    前記搬送保持部が前記第１の保持状態にあるときに前記基板支持部を基板の吸引による第２の保持状態に切り替えることにより、前記搬送保持部により前記第１の保持状態で保持された基板を前記基板支持部により前記第２の保持状態で保持させるステップと、
    基板が前記搬送保持部により前記第１の保持状態で保持されかつ前記基板支持部により前記第２の保持状態で保持された後に、前記搬送保持部を解除状態に切り替えるステップとを含む、基板移載方法。
12. 基板が前記搬送保持部により前記第１の保持状態で保持されるとともに前記基板支持部により前記第２の保持状態で保持された状態で前記基板支持部による基板の吸引圧力を圧力センサにより検出するステップをさらに備え、
    前記搬送保持部を解除状態に切り替えるステップは、前記圧力センサにより検出された圧力が予め定められたしきい値を超えたときに、前記搬送保持部を前記前記解除状態に切り替えることを含む、請求項１１に記載の基板移載方法。
13. 基板を保持する前記搬送保持部の保持面が前記基板支持部の支持面よりも予め定められた第１の値だけ高い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させるステップをさらに含む、請求項１１または１２に記載の基板移載方法。
14. 一の基板を保持する前記搬送保持部を前記基板支持部の上方の位置から下降させ、前記吸引圧力が前記しきい値を超えたときの前記搬送保持部の前記保持面の位置よりも高い第１の位置を決定しかつ記憶するステップと、
    前記一の基板に後続する基板を保持する前記搬送保持部を前記基板支持部の上方の位置から下降させる場合に、前記搬送保持部の前記保持面が前記記憶された第１の位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させるステップとをさらに含む、請求項１２記載の基板移載方法。
15. 前記搬送保持部の前記保持面が前記基板支持部の前記支持面よりも予め定められた第２の値だけ低い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させるステップをさらに含む、請求項１３または１４に記載の基板移載方法。
16. 前記一の基板を保持する前記搬送保持部の下降時に、前記吸引圧力が前記しきい値を超えたときの前記搬送保持部の前記保持面の位置よりも低い第２の位置を決定しかつ記憶するステップと、
    前記後続する基板を保持する前記搬送保持部の下降時に、前記搬送保持部の前記保持面が前記記憶された第２の位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させるステップとをさらに含む、請求項１４記載の基板移載方法。
17. 湾曲状態検出部により基板の湾曲状態を検出するステップと、
    前記基板の湾曲状態に基づいて、前記搬送保持部に保持された基板の下面中央部の高さが前記基板支持部の支持面よりも予め定められた第３の値だけ高い位置に下降したときに前記搬送保持部の下降速度を低下させるステップとをさらに含む、請求項１１または１２に記載の基板移載方法。
18. 前記基板支持部が前記第２の保持状態にありかつ前記搬送保持部が第１の解除状態になったときに前記搬送保持部の下降速度を上昇させるステップをさらに含む、請求項１３、１４または１７に記載の基板移載方法。

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