JPH07142377A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH07142377A JPH07142377A JP31253893A JP31253893A JPH07142377A JP H07142377 A JPH07142377 A JP H07142377A JP 31253893 A JP31253893 A JP 31253893A JP 31253893 A JP31253893 A JP 31253893A JP H07142377 A JPH07142377 A JP H07142377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- cooling
- support
- cooled
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱処理された後に冷却処理される被処理体
の温度を管理して、製品歩留まりの向上及びスループッ
トの向上を図る。 【構成】 加熱処理されたウエハWを載置する冷却手段
としての載置台12に、載置台12の上面に出没可能に
突出してウエハWを支持する支持体14を設けると共
に、冷却水供給源18と接続する供給通路16を設け
る。支持体14にて支持されるウエハWの温度を温度セ
ンサ30にて検出し、その検出信号をCPU40に伝達
する。CPU40からの制御信号に基いて昇降シリンダ
19を収縮動作させて支持体14を載置台12内に収納
してウエハWを載置台12上に載置する。これにより、
加熱処理されたウエハWを所定温度まで待機した後、冷
却することができ、ウエハWの急激冷却による割れ等を
防止することができる。
の温度を管理して、製品歩留まりの向上及びスループッ
トの向上を図る。 【構成】 加熱処理されたウエハWを載置する冷却手段
としての載置台12に、載置台12の上面に出没可能に
突出してウエハWを支持する支持体14を設けると共
に、冷却水供給源18と接続する供給通路16を設け
る。支持体14にて支持されるウエハWの温度を温度セ
ンサ30にて検出し、その検出信号をCPU40に伝達
する。CPU40からの制御信号に基いて昇降シリンダ
19を収縮動作させて支持体14を載置台12内に収納
してウエハWを載置台12上に載置する。これにより、
加熱処理されたウエハWを所定温度まで待機した後、冷
却することができ、ウエハWの急激冷却による割れ等を
防止することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、加熱処理された被処
理体の温度を検出して適宜処理を行う処理装置に関する
ものである。
理体の温度を検出して適宜処理を行う処理装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターン
を縮小してフォトレジストに転写し、これを露光処理し
た後に現像処理している。
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターン
を縮小してフォトレジストに転写し、これを露光処理し
た後に現像処理している。
【0003】このような処理を行う場合、被処理体とし
ての半導体ウエハを搬入・搬出するインターフェイス部
を介して塗布・現像装置と露光装置とを接続してなる処
理システムが使用されている。この処理システムにおい
て、半導体ウエハは、塗布・現像装置において、表面へ
のレジストの密着性を良くするために疎水化処理された
後、所定温度に冷却され、その後、レジスト塗布された
後に加熱処理される。そして、半導体ウエハはインター
フェイス部に搬送されて露光装置に受け渡され、露光処
理された後、再び塗布・現像装置に搬送されて現像処理
が施される。
ての半導体ウエハを搬入・搬出するインターフェイス部
を介して塗布・現像装置と露光装置とを接続してなる処
理システムが使用されている。この処理システムにおい
て、半導体ウエハは、塗布・現像装置において、表面へ
のレジストの密着性を良くするために疎水化処理された
後、所定温度に冷却され、その後、レジスト塗布された
後に加熱処理される。そして、半導体ウエハはインター
フェイス部に搬送されて露光装置に受け渡され、露光処
理された後、再び塗布・現像装置に搬送されて現像処理
が施される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の装
置において、ウエハは例えば約90℃の高温度に加熱さ
れた後に冷却部にて約20〜25℃程度の常温又は室温
まで急激に冷却されると、ウエハWに亀裂や割れが生じ
ることがあり、歩留まりの低下をきたすという問題があ
った。特にガラス質状のウエハにおいては、この現象が
生じやすいため、温度管理に細心の注意を払う必要があ
った。
置において、ウエハは例えば約90℃の高温度に加熱さ
れた後に冷却部にて約20〜25℃程度の常温又は室温
まで急激に冷却されると、ウエハWに亀裂や割れが生じ
ることがあり、歩留まりの低下をきたすという問題があ
った。特にガラス質状のウエハにおいては、この現象が
生じやすいため、温度管理に細心の注意を払う必要があ
った。
【0005】また、レジスト塗布後にインターフェイス
部を介して露光装置に搬送されるウエハは、インターフ
ェイス部で待機した後、露光装置に搬送されるのである
が、この場合、ウエハはインターフェイス部で所定温度
に冷却された後、露光装置に搬送する必要があり、所定
温度まで冷却されないウエハWを露光装置に搬送する
と、露光処理が不十分となり、ウエハの品質低下及び歩
留まりの低下を招くという問題があった。
部を介して露光装置に搬送されるウエハは、インターフ
ェイス部で待機した後、露光装置に搬送されるのである
が、この場合、ウエハはインターフェイス部で所定温度
に冷却された後、露光装置に搬送する必要があり、所定
温度まで冷却されないウエハWを露光装置に搬送する
と、露光処理が不十分となり、ウエハの品質低下及び歩
留まりの低下を招くという問題があった。
【0006】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、加熱処理された後に冷却処理される被処理体の温度
を管理して、製品歩留まりの向上及びスループットの向
上を図れるようにした処理装置を提供するものである。
で、加熱処理された後に冷却処理される被処理体の温度
を管理して、製品歩留まりの向上及びスループットの向
上を図れるようにした処理装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、加熱処理された被処
理体を冷却する冷却手段と、この冷却手段の上面に突出
して上記被処理体を支持する支持体と、上記支持体にて
支持される上記被処理体の温度を検出する温度検出手段
と、この温度検出手段からの信号に基いて上記被処理体
の温度が所定温度になった際に上記支持体の駆動部に信
号を伝達する制御手段とを具備してなることを特徴とす
るものである。
に、この発明の第1の処理装置は、加熱処理された被処
理体を冷却する冷却手段と、この冷却手段の上面に突出
して上記被処理体を支持する支持体と、上記支持体にて
支持される上記被処理体の温度を検出する温度検出手段
と、この温度検出手段からの信号に基いて上記被処理体
の温度が所定温度になった際に上記支持体の駆動部に信
号を伝達する制御手段とを具備してなることを特徴とす
るものである。
【0008】また、この発明の第2の処理装置は、熱処
理された被処理体を冷却する冷却手段と、この冷却手段
により冷却される被処理体の温度を検出する温度検出手
段と、この温度検出手段からの信号に基いて上記被処理
体を搬送する搬送手段の駆動部又は警報等の表示手段に
信号を伝達する制御部とを具備してなることを特徴とす
るものである。
理された被処理体を冷却する冷却手段と、この冷却手段
により冷却される被処理体の温度を検出する温度検出手
段と、この温度検出手段からの信号に基いて上記被処理
体を搬送する搬送手段の駆動部又は警報等の表示手段に
信号を伝達する制御部とを具備してなることを特徴とす
るものである。
【0009】この発明において、上記温度検出手段は、
加熱処理された後に冷却処理される被処理体の温度を検
出するものであれば、接触式の温度センサであっても差
し支えないが、好ましくは非接触式の温度センサ、例え
ば放射式温度センサである方がよい。
加熱処理された後に冷却処理される被処理体の温度を検
出するものであれば、接触式の温度センサであっても差
し支えないが、好ましくは非接触式の温度センサ、例え
ば放射式温度センサである方がよい。
【0010】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、加熱処理された被処理体を冷却手段にて直ちに
冷却する前に、冷却手段の上面に突出する支持体にて支
持して所定温度に下降するまで待機させ、この間、温度
検出手段にて被処理体の温度を検出して被処理体が所定
温度に達した時点で、その信号を制御手段に伝達し、駆
動手段からの信号によって支持体の駆動部を駆動させて
支持体を下降させ、被処理体を冷却手段上に載置させて
冷却することができる。したがって、被処理体は急激に
冷却されることがないので、温度差による割れが生じる
ことがなく、加熱処理後の処理工程へ搬送されて処理す
ることができる。
よれば、加熱処理された被処理体を冷却手段にて直ちに
冷却する前に、冷却手段の上面に突出する支持体にて支
持して所定温度に下降するまで待機させ、この間、温度
検出手段にて被処理体の温度を検出して被処理体が所定
温度に達した時点で、その信号を制御手段に伝達し、駆
動手段からの信号によって支持体の駆動部を駆動させて
支持体を下降させ、被処理体を冷却手段上に載置させて
冷却することができる。したがって、被処理体は急激に
冷却されることがないので、温度差による割れが生じる
ことがなく、加熱処理後の処理工程へ搬送されて処理す
ることができる。
【0011】また、冷却手段上に載置された被処理体の
温度を温度検出手段にて検出し、その検出信号を制御手
段に伝達し、検出温度が所定温度に達した場合には直ぐ
に制御手段からの信号によって被処理体の搬送手段の駆
動部を駆動させて被処理体を所定の処理工程に搬送する
ことができ、また、被処理体の温度が一定時間経過して
も所定温度に達しない場合には制御手段からの信号によ
って警報等の表示手段が駆動して被処理体の異常を知ら
せることができる。したがって、冷却手段上に載置され
る被処理体の温度を管理して被処理体の待機時間の短縮
を図ることができると共に、被処理体の異常状態を知ら
せることができ、スループットの向上を図ることができ
る。
温度を温度検出手段にて検出し、その検出信号を制御手
段に伝達し、検出温度が所定温度に達した場合には直ぐ
に制御手段からの信号によって被処理体の搬送手段の駆
動部を駆動させて被処理体を所定の処理工程に搬送する
ことができ、また、被処理体の温度が一定時間経過して
も所定温度に達しない場合には制御手段からの信号によ
って警報等の表示手段が駆動して被処理体の異常を知ら
せることができる。したがって、冷却手段上に載置され
る被処理体の温度を管理して被処理体の待機時間の短縮
を図ることができると共に、被処理体の異常状態を知ら
せることができ、スループットの向上を図ることができ
る。
【0012】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を、半導体
ウエハの処理システムに適用した場合について説明す
る。
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を、半導体
ウエハの処理システムに適用した場合について説明す
る。
【0013】上記処理システムは、図1に示すように、
被処理体としての半導体ウエハW(以下にウエハとい
う)を搬入・搬出するインターフェイス部3を介してレ
ジスト塗布・現像装置1と露光装置2とを接続してな
る。
被処理体としての半導体ウエハW(以下にウエハとい
う)を搬入・搬出するインターフェイス部3を介してレ
ジスト塗布・現像装置1と露光装置2とを接続してな
る。
【0014】上記塗布・現像装置1は、ウエハWの表面
を疎水化処理するアドヒージョン部4と、ウエハWを所
定温度に冷却する冷却部5と、ウエハWの表面にレジス
トを塗布するレジスト塗布部6と、ウエハWを加熱して
プリベーク又はポストベークを行うベーク部7及びウエ
ハWを現像処理する現像部8等を一体的に集合化して作
業効率の向上を図っている。
を疎水化処理するアドヒージョン部4と、ウエハWを所
定温度に冷却する冷却部5と、ウエハWの表面にレジス
トを塗布するレジスト塗布部6と、ウエハWを加熱して
プリベーク又はポストベークを行うベーク部7及びウエ
ハWを現像処理する現像部8等を一体的に集合化して作
業効率の向上を図っている。
【0015】この場合、上記ベーク部7は、ウエハWを
載置して加熱する熱板(図示せず)の少くともウエハW
の載置面は、粗面に形成し、加熱終了後、ウエハWを熱
板から引き離す(持ち上げる,剥離する)時に、静電気
が発生してウエハWが帯電しないように構成しておく。
載置して加熱する熱板(図示せず)の少くともウエハW
の載置面は、粗面に形成し、加熱終了後、ウエハWを熱
板から引き離す(持ち上げる,剥離する)時に、静電気
が発生してウエハWが帯電しないように構成しておく。
【0016】また、塗布・現像装置1の中央部には、長
手方向に沿ってウエハ搬送路10が設けられ、このウエ
ハ搬送路10に各処理部4〜8が正面を向けて配設さ
れ、ウエハ搬送体11が各処理部4〜8とウエハWの受
渡しを行うためにウエハ搬送路10上を移動し得るよう
になっている。
手方向に沿ってウエハ搬送路10が設けられ、このウエ
ハ搬送路10に各処理部4〜8が正面を向けて配設さ
れ、ウエハ搬送体11が各処理部4〜8とウエハWの受
渡しを行うためにウエハ搬送路10上を移動し得るよう
になっている。
【0017】上記のように構成される処理システムにお
いて、ウエハWはアドヒージョン部4で疎水化処理され
た後冷却部5で所定温度に冷却される他、レジスト塗布
後にベーク部7で加熱処理され、その後に冷却部5で所
定温度に冷却される。この場合、ウエハWは冷却用温調
水を循環供給する載置台上に載置されて所定の温度に冷
却される。また、レジスト塗布部6で表面上にレジスト
が塗布された後に加熱されたウエハWは、インターフェ
イス部3の中間受渡し台20上で冷却された後、露光装
置2に搬送されて露光処理される。そして、露光処理さ
れたウエハWは、再びインターフェイス部3を介して塗
布・現像装置1に搬送され、現像部8にて現像処理され
る。
いて、ウエハWはアドヒージョン部4で疎水化処理され
た後冷却部5で所定温度に冷却される他、レジスト塗布
後にベーク部7で加熱処理され、その後に冷却部5で所
定温度に冷却される。この場合、ウエハWは冷却用温調
水を循環供給する載置台上に載置されて所定の温度に冷
却される。また、レジスト塗布部6で表面上にレジスト
が塗布された後に加熱されたウエハWは、インターフェ
イス部3の中間受渡し台20上で冷却された後、露光装
置2に搬送されて露光処理される。そして、露光処理さ
れたウエハWは、再びインターフェイス部3を介して塗
布・現像装置1に搬送され、現像部8にて現像処理され
る。
【0018】◎第一実施例 第一実施例はこの発明の処理装置を上記処理システムの
冷却部5の冷却装置に適用した場合である。上記冷却装
置は、図2に示すように、ウエハWを載置して冷却する
冷却手段としての載置台12と、この載置台12に設け
られた貫通孔13内を貫通すると共に載置台12の上面
に出没可能に構成され突出してウエハWを上端で支持す
る3本の支持体14と、載置台12の上方に配置される
カバー15とで主要部が構成されている。
冷却部5の冷却装置に適用した場合である。上記冷却装
置は、図2に示すように、ウエハWを載置して冷却する
冷却手段としての載置台12と、この載置台12に設け
られた貫通孔13内を貫通すると共に載置台12の上面
に出没可能に構成され突出してウエハWを上端で支持す
る3本の支持体14と、載置台12の上方に配置される
カバー15とで主要部が構成されている。
【0019】この場合、載置台12内部には冷却水の供
給通路16が設けられており、この供給通路16に配管
17を介して冷却水供給源18が接続されている。ま
た、支持体14は昇降シリンダ19(駆動部)に連結さ
れて上下動する昇降板19a上に立設されており、昇降
シリンダ19の駆動によって上下動する昇降板19aと
共に上下動して載置台12の上面に出没し得るようにな
っている。このように構成される支持体14は、載置台
12上に突出した状態でウエハWを支持することがで
き、ウエハWは支持体14が下降して載置台12の貫通
孔13内に収納した状態では載置台12上に突出する3
本のプロキシミティピン14a上に支持される。この
際、ウエハWと載置台12上面との間隔は約0.3mmで
ある。
給通路16が設けられており、この供給通路16に配管
17を介して冷却水供給源18が接続されている。ま
た、支持体14は昇降シリンダ19(駆動部)に連結さ
れて上下動する昇降板19a上に立設されており、昇降
シリンダ19の駆動によって上下動する昇降板19aと
共に上下動して載置台12の上面に出没し得るようにな
っている。このように構成される支持体14は、載置台
12上に突出した状態でウエハWを支持することがで
き、ウエハWは支持体14が下降して載置台12の貫通
孔13内に収納した状態では載置台12上に突出する3
本のプロキシミティピン14a上に支持される。この
際、ウエハWと載置台12上面との間隔は約0.3mmで
ある。
【0020】一方、カバー15の内側面には温度センサ
30(温度検出手段)が取付けられており、この温度セ
ンサ30によって上記支持体14にて支持されるウエハ
Wの表面温度を検出し得るようになっている。この温度
センサ30としてはウエハW表面から放射される赤外光
等の放射量を測定することによって温度を検出する放射
温度計が使用される。なお、温度センサ30は必ずしも
カバー15の内側面に取付ける必要はなく、載置台12
側に取付けるようにしてもよい。例えば、ウエハWの周
辺下方に配置し、ウエハWの裏面側から温度を測定する
ようにしてもよい。このように構成される温度センサ3
0によって検出される測定値は検出信号として制御手段
である中央演算処理装置40(CPU)に伝達され、こ
のCPU40にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持体14の駆動部の昇降シリン
ダ19に伝達されるようになっている。具体的には、温
度センサ30によってウエハWの表面温度が低下して所
定温度例えば60℃に達したとき、CPU40から下降
開始可の制御信号が昇降シリンダ19に伝達されて昇降
シリンダ19が収縮動作して支持体14を下降し、ウエ
ハWを載置台12上に載置するようになっている。
30(温度検出手段)が取付けられており、この温度セ
ンサ30によって上記支持体14にて支持されるウエハ
Wの表面温度を検出し得るようになっている。この温度
センサ30としてはウエハW表面から放射される赤外光
等の放射量を測定することによって温度を検出する放射
温度計が使用される。なお、温度センサ30は必ずしも
カバー15の内側面に取付ける必要はなく、載置台12
側に取付けるようにしてもよい。例えば、ウエハWの周
辺下方に配置し、ウエハWの裏面側から温度を測定する
ようにしてもよい。このように構成される温度センサ3
0によって検出される測定値は検出信号として制御手段
である中央演算処理装置40(CPU)に伝達され、こ
のCPU40にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持体14の駆動部の昇降シリン
ダ19に伝達されるようになっている。具体的には、温
度センサ30によってウエハWの表面温度が低下して所
定温度例えば60℃に達したとき、CPU40から下降
開始可の制御信号が昇降シリンダ19に伝達されて昇降
シリンダ19が収縮動作して支持体14を下降し、ウエ
ハWを載置台12上に載置するようになっている。
【0021】次に、上記冷却装置の動作態様について説
明する。まず、ベーク部7で約90℃以上の温度で加熱
処理されたウエハWは、ウエハ搬送体11によってベー
ク部7から取出された後、冷却部5に搬送されて載置台
12上に突出している支持体14にて支持される。ウエ
ハ搬送体11は支持体14にウエハWを受渡した後、冷
却部5から後退する。支持体14にて支持されたウエハ
Wは自然温度下、あるいは図示しないN2ガス供給部か
ら供給されるN2ガス雰囲気下に晒されている。この状
態で、ウエハWの温度は温度センサ30によって間欠的
あるいは連続的に検出され、ウエハWの温度が60℃ま
で降温すると、CPU40から下降開始可の制御信号が
昇降シリンダ19に伝達されて昇降シリンダ19が収縮
動作し、昇降シリンダ19の収縮動作に伴って昇降板1
9aと共に支持体14が下降して貫通孔13内に収納し
てウエハWを載置台12上すなわちプロキシミティピン
14a上に載置する。載置台12上に載置されたウエハ
Wは載置台12に設けられた供給通路16に供給される
冷却水によって所定温度(具体的には23℃)まで冷却
される。ウエハWが所定温度まで冷却されると、昇降シ
リンダ19が伸長動作して支持体14を上昇させて載置
台12上に突出してウエハWを支持する。この状態でウ
エハ搬送体11が冷却部5内に進入してウエハWを受取
った後、ウエハWを冷却部5から取出して次の処理工程
に搬送する。
明する。まず、ベーク部7で約90℃以上の温度で加熱
処理されたウエハWは、ウエハ搬送体11によってベー
ク部7から取出された後、冷却部5に搬送されて載置台
12上に突出している支持体14にて支持される。ウエ
ハ搬送体11は支持体14にウエハWを受渡した後、冷
却部5から後退する。支持体14にて支持されたウエハ
Wは自然温度下、あるいは図示しないN2ガス供給部か
ら供給されるN2ガス雰囲気下に晒されている。この状
態で、ウエハWの温度は温度センサ30によって間欠的
あるいは連続的に検出され、ウエハWの温度が60℃ま
で降温すると、CPU40から下降開始可の制御信号が
昇降シリンダ19に伝達されて昇降シリンダ19が収縮
動作し、昇降シリンダ19の収縮動作に伴って昇降板1
9aと共に支持体14が下降して貫通孔13内に収納し
てウエハWを載置台12上すなわちプロキシミティピン
14a上に載置する。載置台12上に載置されたウエハ
Wは載置台12に設けられた供給通路16に供給される
冷却水によって所定温度(具体的には23℃)まで冷却
される。ウエハWが所定温度まで冷却されると、昇降シ
リンダ19が伸長動作して支持体14を上昇させて載置
台12上に突出してウエハWを支持する。この状態でウ
エハ搬送体11が冷却部5内に進入してウエハWを受取
った後、ウエハWを冷却部5から取出して次の処理工程
に搬送する。
【0022】上記のように、加熱処理されたウエハWを
載置台12上に直接載置して直ちに低温になるように急
激に冷却する前に、一旦支持体14にて支持して降温さ
せ所定温度に達した後に載置台12上に載置して冷却す
ることにより、ウエハWは急激に冷却されることがな
く、ウエハWに熱的歪による亀裂やひび割れが生じるの
を防止することができる。
載置台12上に直接載置して直ちに低温になるように急
激に冷却する前に、一旦支持体14にて支持して降温さ
せ所定温度に達した後に載置台12上に載置して冷却す
ることにより、ウエハWは急激に冷却されることがな
く、ウエハWに熱的歪による亀裂やひび割れが生じるの
を防止することができる。
【0023】◎第二実施例 第二実施例は上記インターフェイス部3に、この発明の
処理装置を適用した場合である。上記インターフェイス
部3は、図1、図3及び図4に示すように、ウエハ搬送
路10の端部に面して昇降自在で冷却可能な中間受渡し
台20と、この中間受渡し台20の両側に配設される2
個のウエハWを一時収納し待機させるためのバッファ用
キャリア21と、中間受渡し台20の前に、X,Y方向
(水平方向),Z方向(垂直方向)及びθ方向(回転方
向)に移動自在な受渡し用の搬送機構22と、この搬送
機構22における中間受渡し台20と反対側に配設され
る受渡し台23上に配置される搬入用載置台24a及び
搬出用載置台24bとで構成されている。この場合、搬
送機構22は、Y方向に配置されたガイドレール22a
に沿って移動自在な駆動部22bと、この駆動部22b
に昇降自在に取付けられる昇降部22cと、昇降部22
c上に回転自在に起立する支軸22fの上端に取付けら
れる搬送基台22dと、搬送基台22dの上部にX,Y
及びθ方向に移動可能に装着されるウエハ搬送用ピンセ
ット22eとで構成されている。
処理装置を適用した場合である。上記インターフェイス
部3は、図1、図3及び図4に示すように、ウエハ搬送
路10の端部に面して昇降自在で冷却可能な中間受渡し
台20と、この中間受渡し台20の両側に配設される2
個のウエハWを一時収納し待機させるためのバッファ用
キャリア21と、中間受渡し台20の前に、X,Y方向
(水平方向),Z方向(垂直方向)及びθ方向(回転方
向)に移動自在な受渡し用の搬送機構22と、この搬送
機構22における中間受渡し台20と反対側に配設され
る受渡し台23上に配置される搬入用載置台24a及び
搬出用載置台24bとで構成されている。この場合、搬
送機構22は、Y方向に配置されたガイドレール22a
に沿って移動自在な駆動部22bと、この駆動部22b
に昇降自在に取付けられる昇降部22cと、昇降部22
c上に回転自在に起立する支軸22fの上端に取付けら
れる搬送基台22dと、搬送基台22dの上部にX,Y
及びθ方向に移動可能に装着されるウエハ搬送用ピンセ
ット22eとで構成されている。
【0024】上記のように構成されるインターフェイス
部3において、上記中間受渡し台20には、上記第一実
施例と同様に、ウエハWを支持する3本の支持体14が
中間受渡し台20の上面に対して出没可能に設けられて
おり、また、中間受渡し台20には、冷却水の供給通路
16が設けられており、この供給通路16に配管17を
介して冷却水供給源18が接続されている。そして、中
間受渡し台20の上面には支持体14によって支持され
るウエハWの温度をウエハWの裏面側から検出する温度
センサ30が取付けられている。この温度センサ30に
よって検出される測定値は検出信号としてCPU40に
伝達され、このCPU40にて予め記憶されたデータと
比較演算処理された制御信号が搬送機構22の駆動部2
2bに伝達されるか、あるいは、ブザー等の警報手段5
0に伝達されるようになっている。例えば、中間載置台
20上に載置されるウエハWが冷却手段によって所定温
度例えば30℃以下に冷却されると、CPU40から搬
送開始可の制御信号が搬送機構22の駆動部22bに伝
達され、搬送機構22が駆動してピンセット22eが中
間受渡し台20上のウエハWを受取って所定の場所例え
ば搬出用載置台24bにウエハWを搬送すると同時に、
露光装置2に対してウエハWの搬送タイミング制御信号
を伝達する。また、中間受渡し台12上のウエハWが所
定時間例えば1分間経過しても一定温度以下にならない
ときには、何らかの異常が生じたとしてCPU40から
異常発生時の制御信号が警報手段50に伝達されて警報
手段50による警報(例えばブザーあるいはアラーム
等)が発せられると同時に、装置の駆動を停止する。
部3において、上記中間受渡し台20には、上記第一実
施例と同様に、ウエハWを支持する3本の支持体14が
中間受渡し台20の上面に対して出没可能に設けられて
おり、また、中間受渡し台20には、冷却水の供給通路
16が設けられており、この供給通路16に配管17を
介して冷却水供給源18が接続されている。そして、中
間受渡し台20の上面には支持体14によって支持され
るウエハWの温度をウエハWの裏面側から検出する温度
センサ30が取付けられている。この温度センサ30に
よって検出される測定値は検出信号としてCPU40に
伝達され、このCPU40にて予め記憶されたデータと
比較演算処理された制御信号が搬送機構22の駆動部2
2bに伝達されるか、あるいは、ブザー等の警報手段5
0に伝達されるようになっている。例えば、中間載置台
20上に載置されるウエハWが冷却手段によって所定温
度例えば30℃以下に冷却されると、CPU40から搬
送開始可の制御信号が搬送機構22の駆動部22bに伝
達され、搬送機構22が駆動してピンセット22eが中
間受渡し台20上のウエハWを受取って所定の場所例え
ば搬出用載置台24bにウエハWを搬送すると同時に、
露光装置2に対してウエハWの搬送タイミング制御信号
を伝達する。また、中間受渡し台12上のウエハWが所
定時間例えば1分間経過しても一定温度以下にならない
ときには、何らかの異常が生じたとしてCPU40から
異常発生時の制御信号が警報手段50に伝達されて警報
手段50による警報(例えばブザーあるいはアラーム
等)が発せられると同時に、装置の駆動を停止する。
【0025】したがって、インターフェイス部3におい
て、温度センサ30によってウエハWの温度を管理し、
ウエハWが所定温度に達した時点で搬送機構22によっ
て直ちに次工程の処理部にウエハWを搬送することがで
きるので、待機時間を最小限に減少でき処理のスループ
ットの向上を図ることができる。また、インターフェイ
ス部3の中間受渡し台20上で待機するウエハWが一定
時間経過しても、所定温度に冷却されない場合には、ウ
エハW自体あるいはウエハWの処理に異常が生じたとし
て警報を発することができるので、装置の安全な稼働を
行うことができる。
て、温度センサ30によってウエハWの温度を管理し、
ウエハWが所定温度に達した時点で搬送機構22によっ
て直ちに次工程の処理部にウエハWを搬送することがで
きるので、待機時間を最小限に減少でき処理のスループ
ットの向上を図ることができる。また、インターフェイ
ス部3の中間受渡し台20上で待機するウエハWが一定
時間経過しても、所定温度に冷却されない場合には、ウ
エハW自体あるいはウエハWの処理に異常が生じたとし
て警報を発することができるので、装置の安全な稼働を
行うことができる。
【0026】なお、上記実施例では、この発明の処理装
置を半導体ウエハの処理システムに適用する場合につい
て説明したが、半導体ウエハ以外のLCD基板等につい
ても同様に適用することができることは勿論である。
置を半導体ウエハの処理システムに適用する場合につい
て説明したが、半導体ウエハ以外のLCD基板等につい
ても同様に適用することができることは勿論である。
【0027】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
【0028】1)請求項1に記載の処理装置によれば、
加熱処理された被処理体を冷却手段にて冷却する前に、
所定温度になるまで待機させて所定温度まで温度が低下
した時点で冷却するので、被処理体は急激に冷却されて
割れるようなことがなく、加熱処理後の処理工程へ搬送
されて処理することができ、歩留まりの向上を図ること
ができる。
加熱処理された被処理体を冷却手段にて冷却する前に、
所定温度になるまで待機させて所定温度まで温度が低下
した時点で冷却するので、被処理体は急激に冷却されて
割れるようなことがなく、加熱処理後の処理工程へ搬送
されて処理することができ、歩留まりの向上を図ること
ができる。
【0029】2)請求項2に記載の処理装置によれば、
冷却手段上に載置された被処理体の温度を温度検出手段
にて検出し、検出温度が所定温度に達した場合には制御
手段からの信号によって被処理体の搬送手段の駆動部を
駆動させて被処理体を所定の処理工程に搬送し、また、
被処理体の温度が一定時間経過しても所定温度に達しな
い場合には制御手段からの信号によって警報等の表示手
段を駆動して被処理体の異常を知らせることができるの
で、冷却手段上に載置される被処理体の温度を管理して
被処理体の待機時間の短縮を図ることができると共に、
被処理体の異常状態を知らせることができ、スループッ
トの向上を図ることができる。
冷却手段上に載置された被処理体の温度を温度検出手段
にて検出し、検出温度が所定温度に達した場合には制御
手段からの信号によって被処理体の搬送手段の駆動部を
駆動させて被処理体を所定の処理工程に搬送し、また、
被処理体の温度が一定時間経過しても所定温度に達しな
い場合には制御手段からの信号によって警報等の表示手
段を駆動して被処理体の異常を知らせることができるの
で、冷却手段上に載置される被処理体の温度を管理して
被処理体の待機時間の短縮を図ることができると共に、
被処理体の異常状態を知らせることができ、スループッ
トの向上を図ることができる。
【図1】この発明の処理装置を適用する半導体ウエハの
処理システムを示す概略平面図である。
処理システムを示す概略平面図である。
【図2】この発明の処理装置の第一実施例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図3】処理システムにおけるインターフェイス部の斜
視図である。
視図である。
【図4】この発明の処理装置の第二実施例を示す概略構
成図である。
成図である。
12 載置台(冷却手段) 14 支持体 16 供給通路 18 冷却水供給源 19 昇降シリンダ(駆動部) 20 中間受渡し台(冷却手段) 22 搬送機構 22b 駆動部 30 温度センサ 40 CPU(制御手段) 50 警報手段
Claims (2)
- 【請求項1】 加熱処理された被処理体を冷却する冷却
手段と、この冷却手段の上面に突出して上記被処理体を
支持する支持体と、上記支持体にて支持される上記被処
理体の温度を検出する温度検出手段と、この温度検出手
段からの信号に基いて上記被処理体の温度が所定温度に
なった際に上記支持体の駆動部に信号を伝達する制御手
段とを具備してなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 熱処理された被処理体を冷却する冷却手
段と、この冷却手段により冷却される被処理体の温度を
検出する温度検出手段と、この温度検出手段からの信号
に基いて上記被処理体を搬送する搬送手段の駆動部又は
警報等の表示手段に信号を伝達する制御部とを具備して
なることを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31253893A JPH07142377A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31253893A JPH07142377A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07142377A true JPH07142377A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=18030436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31253893A Pending JPH07142377A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07142377A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175976A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 |
JP2009021596A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Semes Co Ltd | プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。 |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP31253893A patent/JPH07142377A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175976A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 |
JP2009021596A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Semes Co Ltd | プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。 |
JP2013051422A (ja) * | 2007-07-11 | 2013-03-14 | Semes Co Ltd | プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990826 |