JP4319756B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板例えばレジストが塗布された半導体ウェハを加熱処理する、或いは冷却処理する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスでは、フォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。)の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像処理する。これによりウェハ上に所定パターンのレジスト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理することにより所定パターンの回路が形成される。
【0003】
このようなレジスト膜を形成する工程では、ウェハ上にレジスト膜を均一な厚さに形成することが重要な課題の1つとなっている。ウェハ上にレジスト膜を均一な厚さに形成するためには、レジストが塗布されたウェハを加熱処理する際の温度を正確に制御することが重要である。
【0004】
化学増幅型レジストの場合、レジストパターンは現像前の熱処理の間に増幅する。このパターンを均一かつ一定にするためには、現像前のウェハの温度(熱処理温度)正確に制御することが重要である。
【0005】
一般に、ウェハを加熱処理する加熱処理装置は、ウェハを保持する保持板の裏面に発熱素子を配置したホットプレートを有する。このような加熱処理装置では、保持板の温度を正確に制御するために、保持板表面、即ち処理位置の温度の検出する必要がある。一般には、処理位置の温度を直接検出することがきでないため、保持板内に温度センサを埋め込み、温度センサにより検出された温度に応じて処理位置の温度を固定されたオフセット値として推定している。そして、この推定された温度に基づいて保持板の裏面に配置された発熱素子の発熱量を制御している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の加熱処理装置では、処理位置と温度センサが埋め込まれた位置との間に、保持板を構成する材料あるいはプロキシミティーの空間が介在する物理的距離があり、しかも加熱処理装置に搬入されるウェハの温度履歴が一様でないため、正確に温度制御ができない、という問題がある。
【0007】
例えば、あるウェハは加熱処理装置内へすぐに搬入されるが、別のウェハは加熱処理装置の直前で長時間待たされてから加熱処理装置内へ搬入される。このような場合、それぞれのウェハの温度履歴が異なることになる。本発明者等の考察によると、ウェハの温度履歴が異なると、保持板内に埋め込まれた温度センサが同じ温度を検出した場合でも、保持板表面の実際の温度が異なる。このため、ある温度履歴の場合には、所望の処理温度に達するまでに長時間を要し、このことはウェハを所望の処理温度で処理する時間を短くすることになる。このようにウェハを所望の処理温度で処理する時間が短いと、レジストの膜厚が安定せず、ウェハ上にレジスト膜を均一な厚さに形成することはできない。
【0008】
本発明の目的は、基板を保持する保持板表面の温度をより正確に推定することができる処理装置を提供することにある。
【0009】
本発明の目的は、基板の温度履歴とは無関係に、短時間で保持板表面が所望の処理温度に達し、基板を所望の処理温度で処理する時間を長くすることができる処理装置を提供することにある。
【0010】
本発明の別の目的は、保持板内に配置された温度センサが基板の熱処理に対して悪影響を与えることが少ない処理装置を提供することにある。
【0011】
かかる課題を解決するため、本発明の第1の観点は、基板を熱処理する装置において、第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持する保持板と、前記第2の面側から熱エネルギを供給する供給部と、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さの第1の位置に配置され、前記第1の位置の第1の温度を検出する第1の温度センサと、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さとは異なる第2の深さの第2の位置に配置され、前記第2の位置の第2の温度を検出する第2の温度センサと、前記検出された第1の温度及び前記検出された第2の温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記第1の面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記供給部から前記第1の面へ供給される熱エネルギを制御する制御部とを具備する。
【0012】
本発明の第2の観点は、基板を冷却処理する装置において、第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持する保持板と、前記第2の面側から冷却エネルギを供給する供給部と、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さの第1の位置に配置され、前記第1の位置の第1の温度を検出する第1の温度センサと、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さとは異なる第2の深さの第2の位置に配置され、前記第2の位置の第2の温度を検出する第2の温度センサと、前記検出された第1の温度及び前記検出された第2の温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記第1の面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記供給部から前記第1の面へ供給される冷却エネルギを制御する制御部とを具備する。
【0013】
本発明の第3の観点は、基板を熱処理する装置において、第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持し、前記第2の面から前記第1の面に向けて所定の深さの穴が設けられた保持板と、前記第2の面側から熱エネルギを供給する供給部と、前記穴内の第1の位置に配置され、前記第1の位置の第1の温度を検出する第1の温度センサと、前記穴内の前記第1の位置とは異なる第2の位置に配置され、前記第2の位置の第2の温度を検出する第2の温度センサと、前記検出された第1の温度及び前記検出された第2の温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記第1の面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記供給部から前記第1の面へ供給される熱エネルギを制御する制御部とを具備する。
【0014】
本発明の第4の観点は、基板を処理する装置において、第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持する保持板と、前記第2の面側からエネルギを供給する手段と、前記保持板内の、前記第1の面からそれぞれ異なる深さの位置の温度を検出する手段と、前記検出された温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記第1の面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記供給する手段から前記第1の面へ供給されるエネルギを制御する制御手段とを具備し、前記制御手段が、第1の期間の間、前記異なる深さの位置で検出された各温度に基づいて前記供給されるエネルギを制御し、前記第1の期間の後は、前記異なる深さの位置で検出された各温度のうち1つの位置で検出された温度に基づいて前記供給されるエネルギを制御する。
【0015】
本発明の第5の観点は、保持板の裏面側から熱エネルギを供給し、前記保持板の表面に保持された基板を熱処理する方法において、前記保持板の表面から第1の深さの第1の位置の第1の温度を検出する工程と、前記保持板の表面から前記第1の深さとは異なる第2の深さの第2の位置の第2の温度を検出する工程と、前記検出された第1の温度及び前記検出された第2の温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記表面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記保持板の裏面側から前記表面へ供給される熱エネルギを制御する工程とを具備する。
【0016】
本発明では、保持板内の異なる深さの位置における温度を検出し、これらの検出された温度に基づいて保持板表面の温度を推定しているので、より正確に保持板表面の温度を推定することができる。さらに、このようなに正確に推定された温度に基づいて保持板に供給される熱または冷却エネルギを制御しているので、基板の熱履歴とは無関係に、保持板表面が短時間で所望の処理温度に達し、基板を所望の処理温度で処理する時間を長くすることができる。これにより、例えばウェハ上にレジスト膜を均一な厚さに形成することができる。
【0017】
また、本発明では、保持板内に第2の面から第1の面に向けて設けられた穴内に2つの温度センサを配置するようにしたので、保持板内に配置されたこれらの温度センサが基板の熱処理に対して悪影響を与えることが少なくなる。
【0018】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図1に示すように、このレジスト塗布現像システム1は、半導体ウェハに化学増幅型レジストを塗布し、現像するシステムシステムにおいて、カセットステーション10、処理ステーション11及びインターフェイス部12を一体に接続した構成を有している。カセットステーション10では、ウエハWが(カセットC単位で複数枚、たとえば25枚単位で)外部からレジスト塗布現像システム1に搬入され、またレジスト塗布現像システム1から外部に搬出される。また、カセットCに対してウエハWが搬出・搬入される。処理ステーション11では、塗布現像処理工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部12では、このレジスト塗布現像システム1に隣接して設けられる露光装置13との間でウエハWが受け渡される。
【0020】
カセットステーション10では、図1に示すように、載置部となるカセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に複数個(たとえば4個)のカセットCが、それぞれのウエハW出入口を処理ステーション11側に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置される。このカセットC配列方向(X方向)およびカセットC内に収容されたウエハWのウエハW配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウエハ搬送装置21が、搬送路21aに沿って移動自在であり、各カセットCに選択的にアクセスする。
【0021】
ウエハ搬送装置21は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション11側の第3の処理装置群G3の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)およびエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0022】
処理ステーション11では、図1に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置22が設けられ、その周りに処理室としての各種処理装置が1組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を構成している。このレジスト塗布現像システム1においては、5つの処理装置群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構成であり、第1および第2の処理装置群G1、G2はシステム正面側に配置され、第3の処理装置群G3はカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理装置群G4はインターフェイス部12に隣接して配置され、さらに破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置22は、θ方向に回転自在でZ方向に移動可能に構成されており、各処理装置との間でウエハWの受け渡しが可能とされている。
【0023】
第1の処理装置群G1では、図2に示すように、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理装置、たとえばレジスト液塗布装置(COT)および現像処理装置(DEV)が下から順に2段に重ねられている。そして第1の処理装置群G1と同様に、第2の処理装置群G2においても、2台のスピンナ型処理装置、たとえばレジスト液塗布装置(COT)および現像処理装置(DEV)が下から順に2段に重ねられている。
【0024】
第3の処理装置群G3では、図3に示すように、ウエハWを載置台(図示せず)に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置、たとえば冷却処理を行う冷却処理装置(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン装置(AD)、位置合わせを行うアライメント装置(ALIM)、エクステンション装置(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベークを行う加熱処理装置(PREBAKE)およびポストベークを行う加熱処理装置(POBAKE)が下から順に、たとえば8段に重ねられている。
【0025】
同様に、第4の処理装置群G4では、ウエハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置、たとえば冷却処理を行う冷却処理装置(COL)、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理装置(EXTCOL)、エクステンション装置(EXT)、アドヒージョン装置(AD)、プリベークを行う加熱処理装置(PREBAKE)およびポストベークを行う加熱処理装置(POBAKE)が下から順に、たとえば8段に重ねられている。
【0026】
インターフェイス部12では、図1に示すように、奥行き方向(X方向)については、上記処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図1および図2に示すように、このインターフェイス部12の正面側には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には周辺露光装置24が配設されている。
【0027】
インターフェイス部12の中央部には、ウエハ搬送装置25が設けられている。ウエハ搬送装置25は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置24にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送装置25は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション11側の第4の処理装置群G4に属するエクステンション装置(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0028】
図4に示すように、カセットステーション10の上部にはフィルタ26が、処理ステーション11の上部にはフィルタ27が、インタフェース部12の上部にはフィルタ28がそれぞれ取り付けられている。これらのフィルタは上部空間29を共有している。この上部空間29はダクト(図示を省略)を介して下方の空調装置(図示を省略)に連通し、アンモニアを除去し、湿度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空間29に供給されるようになっている。清浄空気は、上部空間29から各フィルタを通って下方に向けて吹き出され、これにより清浄空気のダウンフローが各部10、11、12に形成されるようになっている。
【0029】
図5及び図6に示すように、上記の加熱処理装置(PREBAKE)のほぼ中央には、ウェハWを加熱処理するためのホットプレート31が配置されている。このホットプレート31では、例えばウェハWより少し大きな直径で円形状の保持板32の裏面側に、例えばこの保持板32とほぼ同形状の発熱素子33が保持板32と密着するように配置されている。発熱素子33は、例えば電流が流されることで発熱する抵抗体により構成され、後述する制御部によりこの電流値が制御されることで加熱処理のための温度が制御されるようになっている。
【0030】
ホットプレート31の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴34が設けられている。これら貫通穴34には、それぞれ、ウェハWの受け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン35が出没可能に介挿されている。これら支持ピン35は、保持板32の裏面側に配置された結合部材36により、保持板32の裏面側で一体に結合されている。結合部材36は、保持板32の裏面側に配置された昇降機構37に接続されている。昇降機構37の昇降動作により、支持ピン35は保持板32の表面から突き出たり、没したりする。支持ピン35は、保持板32の表面から突き出た状態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行う。搬送装置22からウェハWを受け取った支持ピン35は、下降して保持板32内に没し、これによりウェハWが保持板32の表面に密着し、ウェハWの加熱処理が行われるようになっている。
【0031】
図7にも示すように、保持板32及び発熱素子33のほほ中央には、保持板32の裏面から表面に向けて所定の深さの有底の穴38が設けられている。穴38の底部と保持板32の表面との間の距離は、例えば3mm〜5mm程度とされている。この穴38の底部(穴38内で保持板32の表面に最も近い位置)には、例えば熱電対である第1の温度センサ39が配置されている。この穴38内の第1の温度センサ39から3mm〜5mm程度離れた位置には、例えば熱電対である第2の温度センサ40が配置されている。従って、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40は、保持板32の表面及び裏面とほぼ垂直な一線上に位置するように、保持板32内に配置されている。また、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40は、例えば穴38内の側壁に取り付けられている。これにより、より正確に保持板32の温度を計測できるようになる。また、例えば、穴38の底部に配置された第1の温度センサ39と保持板32の表面との間の距離と、第1の温度センサ39と第2の温度センサ40と距離とをほぼ等しくすることで、後述する保持板32の表面の温度の推定をより簡単に行うことができる。
【0032】
保持板32の上方には、保持板32により保持されるウェハWを覆うように、蓋体41が配置されている。蓋体41は、図示を省略した昇降機構により昇降可能とされている。該装置内では、蓋体41が上昇し蓋体41が開いた状態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行い、蓋体41が下降し蓋体41が閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハWの加熱処理が行われるようになっている。
【0033】
蓋体41は、そのほぼ中央に向かって上向きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板32により保持されたウェハWのほほ中央に対応する位置に排気口42が設けられている。排気口42には、真空ポンプ等の排気装置43が接続され、密閉空間内の排気が行われるようになっている。
【0034】
また、ホットプレート31の周囲には、ホットプレート31を取り囲むようにシャッター部材44が出没可能に配置されている。シャッター部材44は、ホットプレート31の裏面に配置された昇降機構45により昇降されるようになっている。さらに、シャッター部材44の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出するための噴出孔46が多数設けられている。噴出孔46は噴出孔46へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置47に接続されている。保持板32上にウェハWを保持し、ウェハWを加熱処理するとき、シャッター部材44がホットプレート31表面から突き出て、噴出孔46から保持板32上に保持されたウェハWの表面に向けて高温ガスが噴出されるようになっている。
【0035】
図8に示すように、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40は、制御部48に電気的に接続され、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40による検出結果としての電気信号が制御部48へ送出されるようになっている。発熱素子33と電源49との間には、電流調整部50が介挿されており、電流調節部50は制御部48に電気的に接続されている。制御部48は、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40による検出結果に基づいて、保持板32表面の温度を推定し、この推定した温度に基づいて、電流調節部50を介して発熱素子33へ流れる電流を制御することで、保持板32に供給される熱エネルギを制御し、保持板32上のウェハWの加熱処理温度を制御している。
【0036】
ここで、従来の加熱処理装置では、図9に示すように、裏面に発熱素子102が埋め込まれた保持板101内に温度センサ100が埋め込まれている。ウェハWが保持される保持板101表面の処理位置と温度センサ100が埋め込まれた位置(コントロールポイント)とでは、温度差を生じる。
【0037】
静的なシステムでは、このような温度差は容易に補償可能である。しかし、加熱処理装置に搬入されるウェハの温度履歴が一様でない動的なシステムでは、このような温度差の補償は困難である。図10に示すように、例えばウェハWが加熱処理装置の直前で長時間待たされてから加熱処理装置内へ搬入された場合には保持板101内でカーブ”A”のような温度勾配となる。即ち、処理位置とコントロールポイントとの間の温度差は僅かである。一方、ウェハWが冷えたまま加熱処理装置内へすぐに搬入された場合には保持板101内でカーブ”B”のような温度勾配となる。
【0038】
つまり、実際にはユーザ側では何の認識もないまま、ウェハWの熱履歴に応じて温度のカーブがコントロールポイントを中心として回転している。従って、処理位置とコントロールポイントとの間の温度差を補償するためのオフセットが一定でないにもかかわらず、実際に温度を検出しているコントロールポイントではこの点は認識されず、結局、カーブ”B”から”カーブ”A”の状態になるまで発熱素子102から特別のエネルギが供給されず、カーブ”B”から”カーブ”A”の状態になるまでに長時間を要することになる。
【0039】
これに対して、本発明では、図7に示したように、保持板32内の異なる深さの位置にそれぞれ第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40を配置したので、処理位置の温度をほぼ正確に推定することが可能となる。制御部48では、図11に示すように、第1の温度センサ39により検出される第1のコントロールポイントの温度と第2の温度センサ40により検出される第2のコントロールポイントの温度とを使うことにより、処理位置の温度を推定している。このような処理位置の推定は、様々な方法により算出可能であり、例えばソフトウェアを使って予め作成されている温度表を参照する方法を用いることができる。このように推定される温度のカーブ(例えばカーブ”A”から”カーブ”B”)は、ウェハWの熱履歴に応じて処理位置を中心として回転している。従って、処理位置の温度をほぼ正確に推定することが可能となり、所望の処理温度に迅速に到達することが可能となる。
【0040】
従って、図12に示すように、従来の加熱処理装置では、ウェハが保持板に載置されてから所定時間後に、保持板表面が推定される所望の処理温度(セットポイント)に達し、発熱素子による加熱が非常に弱まる。しかし、実際には図12の実線で示すように、保持板表面はセットポイントに達していないため、保持板が実際のセットポイントに達するまでに相当の時間を要することになる。よって、ウェハを所望の処理温度で加熱処理する時間が短くなり、レジストの膜厚が安定しない。
【0041】
これに対して、本発明の加熱処理装置では、ウェハが保持板に載置されてから所定時間後に、図12の点線で示すように、保持板表面がほぼ正確に推定される所望の処理温度(セットポイント)に達するので、ウェハを所望の処理温度で加熱処理する時間が長くなり、レジストの膜厚が安定する。
【0042】
また、本発明の加熱処理装置では、このようにオフセットを可変する制御を行わない場合でも、オペレータやプロセスエンジニアが保持板表面の温度をほぼ正確に観測できる、という効果を得ることができる。
【0043】
更に、上述した実施形態では、ホットプレート31を取り囲むように配置されたシャッター部材44から保持板32により保持されたウェハWの表面に向けて高圧ガスを噴出し、保持板32により保持されたウェハWのほほ中央に対応する位置に排気口42を設け、全ての高圧ガスがウェハWのほぼ中央を通って排気されるように構成したので、ウェハWのほぼ中央付近が熱的な平均点となる。そして、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40を保持板32により保持されるウェハWのほぼ中心に位置するように、保持板32内に配置したので、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40は系内の平均的な温度を検出することが可能となる。
【0044】
本発明は加熱処理装置ばかりでなく、例えば図3に示した冷却処理を行う冷却処理装置(COL)にも適用可能である。以下に、その適用例を示す。
【0045】
図13に示すように、上記の冷却処理装置(COL)のほぼ中央には、ウェハWを冷却処理するためのクーリングプレート51が配置されている。このクーリングプレート51では、例えばウェハWより少し大きな直径で円形状の保持板52の裏面側に、例えばこの保持板52とほぼ同形状の冷却素子53が保持板52と密着するように配置されている。冷却素子53は、例えば素子内にベルチェ素子を縦横に配置して構成される。この冷却素子53では、例えばベルチェ素子に流れる電流値を制御することで温度制御が可能である。
【0046】
クーリングプレート51の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴54が設けられている。これら貫通穴54には、それぞれ、ウェハWの受け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン55が出没可能に介挿されている。これら支持ピン55は、保持板52の裏面側に配置された結合部材56により、保持板52の裏面側で一体に結合されている。結合部材56は、保持板52の裏面側に配置された昇降機構57に接続されている。
【0047】
クーリングプレート51の一方側には、保持板52表面に保持されたウェハWに向けて冷却ガスを噴出する噴出孔が多数設けられた噴出部材59が配置されている。一方、クーリングプレート51の他方側には、冷却ガスを排気する排気孔が多数設けられた排気部材61が配置されている。従って、冷却ガスは保持板52表面に保持されたウェハW上を、クーリングプレート51の一方側から他方側へ流れる。
【0048】
図14にも示すように、保持板52の中央から噴出部材59側にずれた位置には、保持板52の裏面から表面に向けて所定の深さの有底の穴62が設けられている。この穴62の底部には、例えば熱電対である第1の温度センサ63が配置されている。この穴62内の第1の温度センサ63から図中下方向へ離れた位置には、例えば熱電対である第2の温度センサ64が配置されている。
【0049】
図15に示すように、第1の温度センサ63及び第2の温度センサ64は、制御部48に電気的に接続され、第1の温度センサ63及び第2の温度センサ64による検出結果としての電気信号が制御部48へ送出されるようになっている。冷却素子53と電源49との間には、電流調整部65が介挿されており、電流調節部65は制御部48に電気的に接続されている。制御部48は、第1の温度センサ63及び第2の温度センサ64による検出結果に基づいて、保持板52表面の温度を推定し、この推定した温度に基づいて、電流調節部65を介して冷却素子53へ流れる電流を制御することで、保持板52に供給される熱エネルギを制御し、保持板52上のウェハWの冷却処理温度を制御している。
【0050】
このように構成された冷却処理装置では、上述した本発明に係る加熱処理装置と同様に、制御部48が第1の温度センサ63及び第2の温度センサ64による検出結果に基づいて、保持板52上のウェハWの冷却処理温度を制御している。従って、図16に示すように、従来の冷却処理装置では、ウェハが保持板に載置されてから所定時間後に、保持板表面が推定される所望の処理温度(セットポイント)まで下降し、冷却素子による冷却が非常に弱まる。しかし、実際には図16の実線で示すように、保持板表面はセットポイントに達していないため、保持板が実際のセットポイントまで下降するのに相当の時間を要することになる。よって、ウェハを冷却処理する時間が長くなり、スループットが悪化する。
【0051】
これに対して、本発明の冷却処理装置では、ウェハが保持板に載置されてから所定時間後に、図16の点線で示すように、保持板表面がほぼ正確に推定される所望の処理温度(セットポイント)まで下降するので、ウェハを冷却処理する時間が短くなり、スループットの向上を図ることができる。
【0052】
上述した実施形態では、温度センサーを2つ設けた例を示したが、図17に示すように、第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40に加えてこれらとは異なる高さの位置に第3の温度センサ66を設けてもよい。これにより、更に正確に保持板32の表面の温度を推定することが可能となる。温度センサは、4つ以上設けても勿論よい。しかし、このように温度センサが複数になると、制御部による制御の負担が増大する。そこで、図18に示すように、制御部48が、例えば保持板32表面が所望の処理温度に達すと予想される期間を少なくとも越える第1の期間の間(ステップ1801)、複数の温度センサ39、40で検出された各温度に基づいて保持板32へ供給される熱エネルギを制御し(ステップ1802)、第1の期間の後は、1つの温度センサ、好ましくは第1の温度センサ39により検出された温度に基づいて保持板へ供給される熱エネルギを制御する(ステップ1803)ようにしてもよい。
【0053】
また、図19に示すように、保持板32内に第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40を配置するために設けられた穴38内に、好ましくは保持板32と同一の材料の装填部材67を装填するようにしてもよい。これにより、保持板32に設けられた穴38がウェハWの熱処理に対して悪影響を与えることが少なくなる。
【0054】
更に、上記の実施の形態においては、基板にウェハWを用いた例について説明したが、本発明はかかる例には限定されず、例えばLCD基板を使用する例についても適用が可能である。
【0055】
以上説明した実施形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものにおいて、本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく、本発明の精神と請求項に述べる範囲で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【0056】
【発明の効果】
以上説明したように、基板の熱履歴とは無関係に、保持板表面が短時間で所望の処理温度に達し、基板を所望の処理温度で処理する時間を長くすることができる。また、保持板内に配置された温度センサが基板の熱処理に対して悪影響を与えることが少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像システムを示す平面図である。
【図2】 図1に示したレジスト塗布現像システムの正面図である。
【図3】 図1に示したレジスト塗布現像システムの背面図である。
【図4】 図1に示したレジスト塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図である。
【図5】 図3に示した加熱処理装置を示す正面図である。
【図6】 図5に示した加熱処理装置の平面図である。
【図7】 図5に示した加熱処理装置の一部拡大正面図である。
【図8】 図5に示した加熱処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図9】 従来の加熱処理装置の一部拡大正面図である。
【図10】 従来の加熱処理装置における保持板内の温度勾配を示す図である。
【図11】 加熱処理装置における保持板内の温度勾配を示す図である。
【図12】 加熱処理装置における保持板表面の温度の経時的変化を示す図である。
【図13】 図3に示した冷却処理装置を示す正面図である。
【図14】 図13に示した冷却処理装置の一部拡大正面図である。
【図15】 図13に示した冷却処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図16】 冷却処理装置における保持板内の温度勾配を示す図である。
【図17】 他の実施形態に係る加熱処理装置の一部拡大正面図である。
【図18】 別の実施形態に係る加熱処理装置における制御系の動作を示すフローチャートである。
【図19】 更に別の実施形態に係る加熱処理装置の一部拡大正面図である。
【符号の説明】
PREBAKE 加熱処理装置
31 ホットプレート
32 保持板
33 発熱素子
34 貫通穴
35 支持ピン
36 結合部材
37 昇降機構
38 穴
39 第1の温度センサ
40 第2の温度センサ
41 蓋体
42 排気口
43 排気装置
44 シャッター部材
45 昇降機構
46 噴出孔
47 高温ガス供給装置
48 制御部
49 電源
50 電流調整部
Claims (2)
- 基板を処理する装置において、
第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持する保持板と、
前記第2の面側からエネルギを供給する手段と、
前記保持板内の、前記第1の面からそれぞれ異なる深さの位置の温度を検出する手段と、
前記検出された温度に基づいて、前記保持板内の温度カーブを推定すると共に、前記温度カーブに基づく前記第1の面の推定温度が前記基板の処理温度となるように、前記供給する手段から前記第1の面へ供給されるエネルギを制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段が、第1の期間の間、前記異なる深さの位置で検出された各温度に基づいて前記供給されるエネルギを制御し、前記第1の期間の後は、前記異なる深さの位置で検出された各温度のうち1つの位置で検出された温度に基づいて前記供給されるエネルギを制御することを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記第1の期間が、基板を熱処理するための所望の温度に達すると推定される期間を越える期間であることを特徴とする処理装置。
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