JPH11329941A

JPH11329941A - 熱処理装置

Info

Publication number: JPH11329941A
Application number: JP13879598A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Shirakawa; 英一白川; Nobuyuki Sata; 信幸左田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-05-20
Filing date: 1998-05-20
Publication date: 1999-11-30
Anticipated expiration: 2018-05-20
Also published as: JP3325833B2

Abstract

(57)【要約】【課題】反りの大きなウエハＷが含まれている複数枚
のウエハＷを熱処理する場合であっても、そりのないウ
エハＷについては正常な熱処理を起こすことのできる熱
処理装置を提供する。【解決手段】熱定盤５８上面に水平方向に複数の温度セ
ンサＳ１〜Ｓ９を配設し、これらの温度センサＳ１〜Ｓ
９により、この熱定盤５８上にウエハＷを載置する前後
の温度変化を検出し、この検出した温度変化からウエハ
Ｗの反りの有無や反りの程度を把握する。そして、この
ウエハＷの反りの程度が許容範囲を越えている場合に
は、熱処理盤の目標温度を切り替え、後続の被処理基板
について理想的な温度状態になるように制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて半導体素子を製造する半導体製造システム内
に組み込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、写真製版技術を用いた半導体
製造システムでは、一つのシステム内にレジスト塗布ユ
ニットや、乾燥ユニット、加熱ユニットなどの各種処理
ユニットを組み込み、これら各種処理ユニット間を順次
移動させながら一連の処理を施すようになっている。

【０００３】図１３は典型的な熱処理ユニット２００の
垂直断面図である。

【０００４】この熱処理ユニット２００では、半導体ウ
エハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗは熱処理盤２０
１の上面上に載置され、このウエハＷは熱処理盤２０１
から放出される熱により熱処理される。この熱処理盤２
０１には図示しないヒータが組み込まれており、このヒ
ータから供給される熱により熱処理盤２０１が加熱され
る。そしてウエハＷは熱処理時の熱処理温度の変動によ
る影響を受けやすいため、熱処理盤２０１の温度管理は
正確に行わなければならない。そのため、熱処理盤２０
１には温度を検出するためのセンサ（図示省略）が取り
付けられており、このセンサを介して制御装置が前記ヒ
ータのオン・オフを切り換えることにより熱処理盤２０
１の温度を制御するようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハＷの
中には反りがあるものがある。この反りがあるウエハＷ
を熱処理盤に載置すると、熱処理盤全体に均一に接触せ
ず、部分的にしか接触しない。そのため、反りのないウ
エハＷと比較した場合、熱処理盤とウエハＷとが接触す
る面積が小さくなり、熱処理盤にウエハＷを載置した際
に熱処理盤表面から奪われる熱量がそりのないウエハＷ
に比べて少ない。一方、熱処理盤の温度管理は熱処理盤
に埋設した温度センサで温度を検出して行っているた
め、熱処理盤から奪われる熱量が小さいと、熱処理盤の
温度を目標温度に維持するのに必要な電気エネルギーも
少なくて済むため、ヒータへの通電時間も短くなる。

【０００６】このようなウエハＷの反りによる熱処理盤
への供給熱量の変動も、ウエハＷの反りがある程度小さ
いものであれば、熱処理盤自身の持つ熱容量により補償
されるのでウエハＷの反りが許容範囲内であれば自己修
復可能である。

【０００７】しかるに、ウエハＷの反りの程度が許容範
囲を越えるほど大きくなると、熱処理盤の温度が下がり
すぎてしまう。そしてこの場合には現在熱処理盤上に載
置されている、反りの大きなウエハＷはもとより、この
ウエハＷの後続のウエハＷを載置するまでの間に十分熱
処理盤の温度を回復できなくなり、反りのない後続のウ
エハＷまで不良品にしてしまうという問題がある。

【０００８】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものである。

【０００９】即ち、本発明の目的は、反りの大きなウエ
ハＷが含まれている複数枚のウエハＷを熱処理する場合
であっても、そりのないウエハＷについては正常な熱処
理を起こすことのできる熱処理装置を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の本発明の熱処理装置は、被処理基板
が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の
目標温度に制御する手段と、前記熱処理盤上面上の複数
位置の温度を検出する手段と、前記被処理基板を載置す
る前後の前記複数位置の温度変化に基づいて、前記目標
温度を切り替える手段と、を具備する。

【００１１】請求項２記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度
を所定の目標温度に制御する手段と、前記被処理基板の
反りを検出する手段と、前記検出した被処理基板の反り
の程度に基づいて、前記目標温度を切り替える手段と、
を具備する。

【００１２】請求項３記載の本発明の熱処理装置は、請
求項２に記載の熱処理装置であって、前記被処理基板の
反りを検出する手段が、前記被処理基板から前記熱処理
盤表面に作用する押圧力を検出する手段であることを特
徴とする。

【００１３】請求項４記載の本発明の熱処理装置は、請
求項２に記載の熱処理装置であって、前記被処理基板の
反りを検出する手段が、前記被処理基板表面と前記熱処
理盤表面との距離を検出する手段であることを特徴とす
る。

【００１４】請求項５記載の本発明の熱処理装置は、請
求項１〜４のいずれかに記載の熱処理装置であって、前
記目標温度が、被処理基板を載置した状態でこの被処理
基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理基
板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度になる
ような温度との間で切替えられることを特徴とする。請
求項６記載の本発明の熱処理装置は、被処理基板が載置
される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温
度に制御する制御機構と、前記熱処理盤上に被処理機盤
を順次搬送する搬送機構と、前記熱処理盤上面に配設さ
れた複数の温度センサと、前記温度センサで検出した、
被処理基板を載置する前後の温度変化に基づいて、前記
目標温度を切り替える手段と、を具備する。

【００１５】請求項７記載の本発明の熱処理装置は、請
求項６記載の熱処理装置であって、前記温度センサが、
前記熱処理盤の直径方向に一列に配設されていることを
特徴とする。

【００１６】請求項８記載の本発明の熱処理装置は、請
求項６記載の熱処理装置であって、前記温度センサが、
前記熱処理盤の中心を通る十文字状に配設されているこ
とを特徴とする。

【００１７】請求項９記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度
を所定の目標温度に制御する制御機構と、前記熱処理盤
上に被処理機盤を順次搬送する搬送機構と、前記熱処理
盤上面に配設された複数の圧力センサと、前記圧力セン
サで検出した、熱処理盤上面に作用する圧力に基づい
て、前記目標温度を切り替える手段と、を具備する。

【００１８】請求項１０記載の本発明の熱処理装置は、
被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温
度を所定の目標温度に制御する制御機構と、前記熱処理
盤上に被処理機盤を順次搬送する搬送機構と、前記熱処
理盤上面に配設された複数の距離測定装置と、前記距離
測定装置で測定した、熱処理盤上面と被処理機盤との距
離に基づいて、前記目標温度を切り替える手段と、を具
備する。

【００１９】請求項１１記載の本発明の熱処理装置は、
請求項６〜１０のいずれかに記載の熱処理装置であっ
て、前記目標温度が、被処理基板を載置した状態でこの
被処理基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被
処理基板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度
になるような温度との間で切替えられることを特徴とす
る。

【００２０】請求項１記載の熱処理装置では、熱処理盤
の上面上の複数位置の温度を検出する手段により、この
熱処理盤上に被処理基板を載置する前後の温度変化を検
出し、この検出した温度変化から被処理基板の反りの程
度を把握する。そして、この被処理基板の反りの程度が
許容範囲を越えている場合には、熱処理盤の目標温度を
切り替え、後続の被処理基板について理想的な状態にな
るように制御する。

【００２１】このように、いま載置している被処理基板
が異常なものか正常なものかを常に監視するとともに、
異常であると判断した場合には、後続の被処理基板に向
けて熱処理盤の温度制御を切り替える。そのため、異常
なウエハＷの発見が容易になると同時に正常な後続の被
処理基板に向けて制御を立て直すので、後続の被処理基
板への悪影響がなくなり、被害を最小限に抑えることが
できる。

【００２２】請求項２記載の熱処理装置では、被処理基
板の反りを検出し、この検出した反りの程度に基づい
て、被処理基板が異常か正常かを判断する。被処理基板
が異常な場合には後続の被処理基板に向けて熱処理盤の
温度制御を切り替える。そのため、異常なウエハＷが含
まれている場合でも、後続の被処理基板への悪影響がな
くなり、被害を最小限に抑えることができる。

【００２３】請求項３記載の熱処理装置では、請求項２
に記載の熱処理装置において、前記被処理基板の反りを
検出する手段として、前記被処理基板から前記熱処理盤
表面に作用する押圧力を検出する手段を採用する。その
ため、被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲
内か範囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【００２４】請求項４記載の熱処理装置では、請求項２
に記載の熱処理装置において、前記被処理基板の反りを
検出する手段として、前記被処理基板表面と前記熱処理
盤表面との距離を検出する手段を採用する。そのため、
被処理基板の反りの有無を直接監視することができ、そ
の程度が許容範囲内か範囲外かの判断を正確かつ迅速に
行うことができる。

【００２５】請求項５記載の熱処理装置では、請求項１
〜４のいずれかに記載の熱処理装置において、前記目標
温度として、被処理基板を載置した状態でこの被処理基
板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理基板
を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度になるよ
うな温度との間で切替えられるようにした。そのため、
被処理基板に異常が認められた場合でも後続の被処理基
板に悪影響が及ぶのが未然に防止され、被害を最小限に
くいとどめることができる。

【００２６】請求項６記載の熱処理装置では、熱処理盤
の各部に配設した温度センサにより、この熱処理盤上に
被処理基板を載置する前後の温度変化を検出し、この検
出した温度変化から被処理基板の反りの程度を把握す
る。そして、この被処理基板の反りの程度が許容範囲を
越えている場合には、熱処理盤の目標温度を切り替え、
後続の被処理基板について理想的な状態になるように制
御する。

【００２７】このように、いま載置している被処理基板
が異常なものか正常なものかを常に監視するとともに、
異常であると判断した場合には、後続の被処理基板に向
けて熱処理盤の温度制御を切り替えるため、異常なウエ
ハＷの発見が容易になると同時に、後続の被処理基板へ
の悪影響がなくなり、被害を最小限に抑えることができ
る。

【００２８】請求項７記載の熱処理装置では、請求項６
記載の熱処理装置において、前記温度センサを、前記熱
処理盤の直径方向に一列に配設した。そのため、被処理
基板の直径方向にわたって反りを発見することができ
る。

【００２９】請求項８記載の熱処理装置では、請求項６
記載の熱処理装置において、前記温度センサを、前記熱
処理盤の中心を通る十文字状に配設した。そのため、被
処理基板の縦横の二つ方向にわたって反りを発見するこ
とができる。

【００３０】請求項９記載の熱処理装置では、前記被処
理基板の反りを検出する手段として、前記熱処理盤上面
に配設された複数の圧力センサを採用する。そのため、
被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲内か範
囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【００３１】請求項１０記載の熱処理装置では、前記被
処理基板の反りを検出する手段として、前記熱処理盤上
面に配設された複数の距離測定装置を採用する。そのた
め、被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲内
か範囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【００３２】請求項１１記載の熱処理装置では、請求項
６〜１０のいずれかに記載の熱処理装置において、前記
目標温度として、被処理基板を載置した状態でこの被処
理基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理
基板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度にな
るような温度との間で切替えられるようにした。そのた
め、被処理基板に異常が認められた場合でも後続の被処
理基板に悪影響が及ぶのが未然に防止され、被害を最小
限にくいとどめることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。

【００３４】図１は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）を備えた半導体ウエハ（以下、
「ウエハ」という）の塗布現像処理システム１全体を示
した平面図である。

【００３５】この塗布現像処理システム１では、被処理
体としてのウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例
えば２５枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション１０と、塗布現
像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション１１と、この処理ステーション１１に隣接し
て設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを
受け渡しするためのインタフェース部１２とが一体的に
接続されている。このカセットステーション１０では、
カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向
（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配
列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜ＣＲ内に収納さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに
選択的にアクセスする。

【００３６】このウエハ搬送体２１はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション１１側の第３
の処理ユニット群Ｇ₃の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）やイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）にもアクセスできる。

【００３７】処理ステーション１１には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の
組に亙って多段に配置されている。

【００３８】図２は上記塗布現像処理システム１の正面
図である。

【００３９】第１の処理ユニット群Ｇ₁では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット
群Ｇ₂では、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。

【００４０】図３は上記塗布現像処理システム１の背面
図である。

【００４１】主ウエハ搬送機構２２では、筒状支持体４
９の内側に、ウエハ搬送装置４６が上下方向（Ｚ方向）
に昇降自在に装備されている。筒状支持体４９はモータ
（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置４６はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸
（図示せず）に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置４６には、搬送基台４７の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材４８が配設されており、これらの保
持部材４８は各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡し
を可能にしている。

【００４２】また、図１に示すようにこの塗布現像処理
システム１では、５つの処理ユニット群Ｇ₁、Ｇ₂、Ｇ
₃、Ｇ₄、Ｇ₅が配置可能であり、第１および第２の処
理ユニット群Ｇ₁、Ｇ₂の多段ユニットは、システム正
面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニ
ット群Ｇ₃の多段ユニットはカセットステーション１０
に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ₄の多段
ユニットはインタフェース部１２に隣接して配置され、
第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。

【００４３】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ₃では、ウエハＷを保持台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメン
トユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット（Post Exposure
Bake 以下「ＰＥＢ」と記す）が、下から順に例えば８
段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ₄でも、
オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット
（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット
（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プリベーキング
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユ
ニット（ＰＥＢ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。

【００４４】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベー
キングユニット（ＰＥＢ）およびアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的
な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラン
ダムな多段配置としてもよい。

【００４５】図１に示すように、インタフェース部１２
では、奥行方向（Ｘ方向）は前記処理ステーション１１
と同じ寸法を有するが、幅方向（Ｙ方向）はより小さな
サイズである。このインタフェース部１２の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲとが２段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置２３が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４
は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲお
よび周辺露光装置２３にアクセスする。

【００４６】ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ₄の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台（図示せず）にもアクセスできる。

【００４７】また塗布現像処理システム１では、既述の
如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも図１中破線で示
した第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニットを配置で
きるが、この第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニット
は、案内レール２５に沿ってＹ方向へ移動可能である。
従って、この第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。

【００４８】次に、図４及び図５につき処理ステーショ
ン１１において第３および第４の組Ｇ₃，Ｇ₄の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、（ＰＥＢ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、
（ＥＸＴＣＯＬ）のような熱処理ユニットの構成および
作用を説明する。

【００４９】図４および図５は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および断面図である。な
お、図５では、図解のために水平遮蔽板５５を省略して
ある。

【００５０】この熱処理ユニットの処理室５０は両側壁
５３と水平遮蔽板５５とで形成され、処理室５０の正面
側（主ウエハ搬送機構２４側）および背面側はそれぞれ
開口部５０Ａ，５０Ｂとなっている。遮蔽板５５の中心
部には円形の開口５６が形成され、この開口５６内には
円盤状の熱処理盤５８が載置台として設けられる。

【００５１】熱処理盤５８には例えば３つの孔６０が設
けられ、各孔６０内には支持ピン６２が遊嵌状態で挿通
されており、半導体ウエハＷのローディング・アンロー
ディング時には各指示ピン６２が熱処理盤５８の表面よ
り上に突出または上昇して主ウエハ搬送機構２２の保持
部材４８との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっ
ている。

【００５２】熱処理盤５８の外周囲には、円周方向にた
とえば２゜間隔で多数の通気孔６４を形成したリング状
の帯板からなるシャッタ６６が設けられている。このシ
ャッタ６６は、通常は熱処理盤５８より下の位置に退避
しているが、加熱処理時には図５に示すように熱処理盤
５８の上面よりも高い位置まで上昇して、熱処理盤５８
とカバー体６８との間にリング状の側壁を形成し、図示
しない気体供給系より送り込まれるダウンフローの空気
や窒素ガス等の不活性ガスを通気孔６４より周方向で均
等に流入させるようになっている。

【００５３】カバー体６８の中心部には加熱処理時にウ
エハＷ表面から発生するガスを排出するための排気口６
８ａが設けられ、この排気口６８ａに排気管７０が接続
されている。この排気管７０は、装置正面側（主ウエハ
搬送機構２２側）のダクト５３（もしくは５４）または
図示しないダクトに通じている。

【００５４】遮蔽板５５の下には、遮蔽板５５、両側壁
５３および底板７２によって機械室７４が形成されてお
り、室内には熱処理盤支持板７６、シャッタアーム７
８、支持ピンアーム８０、シャッタアーム昇降駆動用シ
リンダ８２、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ８４が
設けられている。

【００５５】図４に示すように、ウエハＷの外周縁部が
載るべき熱処理盤５８の表面位置に複数個たとえば４個
のウエハＷ案内支持突起部８６が設けられている。

【００５６】熱定盤５８内部には空洞が設けられてお
り、この空洞内で熱媒を加熱することにより発生する熱
媒蒸気をこの空洞内で循環させて熱定盤５８を所定温度
に維持するようになっている。

【００５７】図６は本実施形態に係る熱定盤５８とその
周辺の構造を模式的に示した垂直断面図である。この図
６に示したように、カバー体６８の下面側には円錐形の
凹部６８ｂが形成されており、この円錐の頂点にあたる
部分には排気口６８ａが設けられ、この排気口６８ａに
排気管７０の下端が接続されている。排気管７０の他端
側は図示しない排気系に接続されており、熱定盤５８で
加熱されて上昇した加熱気体が円錐形の凹部６８ｂで集
められ、前記排気口６８ａと排気管７０とを介して排気
されるようになっている。

【００５８】この図６に示すように、熱定盤５８の内部
は密閉された空洞５８ａになっており、その底部の一部
分には断面がＶ字状になるように形成された熱媒溜め５
８ｂが設けられている。この熱媒溜め５８ｂの中にはニ
クロム線などのヒータ９３が図６の紙面に垂直な方向に
配設されており、このヒータ９３には制御装置で制御さ
れた電力供給装置９５から電力が供給されるようになっ
ている。

【００５９】電力供給装置９５からヒータ９３へ電力が
供給されると、ヒータ９３が発熱を開始し、このヒータ
９３により凝縮されて熱媒溜め５８ｂ内に溜まった熱媒
が加熱される。加熱された熱媒は気化蒸発して空洞５８
ａ内を循環する。熱媒蒸気が空洞５８ａ内の冷えた部分
に当接すると、熱媒蒸気はこの冷えた部分に熱量を与え
ると同時に凝縮して液化する。このとき熱媒から熱定盤
５８に与えられる熱量は熱媒の気化熱であり、熱媒の種
類によって定まる値である。従って、熱媒が蒸発してか
ら凝縮するまでの一連のサイクルが安定して定常状態に
達すれば熱定盤の温度をほぼ一定温度に保つことができ
るようになっている。

【００６０】図７はは本実施形態に係る熱定盤５８の構
造を模式的に示した平面図である。この図７と図６に示
すように、熱定盤５８の上表面には半径方向直線状に複
数個、例えば９個の穴が設けられており、この穴の中に
はそれぞれ熱電対型センサＳ１〜Ｓ９が一つずつ配設さ
れる。これらの熱電対型センサＳ１〜Ｓ９は同じ製造ロ
ットのものであり、その温度特性は等しい。これらのセ
ンサは後述する制御装置（図示省略）に接続されてい
る。

【００６１】図８は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御系を図示したブロック図である。

【００６２】図８に示したように、本実施形態に係る熱
処理ユニットでは、熱電型センサＳ１〜Ｓ９、熱定盤５
８内に配設されたヒータ９３に電力を供給する電力供給
装置９５が制御装置１２０に接続されている。

【００６３】次に本実施形態に係る熱処理ユニットの制
御の仕方について説明する。

【００６４】本実施形態に係る熱処理ユニットでは、熱
定盤５８上面の複数の位置について、熱定盤５８にウエ
ハＷを載置する前後の温度変化を検出する。そして検出
した温度変化に基づいてウエハＷの反りの有無や反りの
程度を把握する。その反りの程度が許容範囲内の場合に
は熱定盤の温度が第１の目標温度になるように制御す
る。一方、反りの程度が許容範囲外の場合には、その
ウエハＷの定格の熱処理を中止し、後続のウエハＷのた
めの温度制御に切り替えて第２の目標温度になるように
制御する。

【００６５】まず、比較のため、反りのないウエハＷを
熱定盤５８上に載置した場合の制御について説明する。

【００６６】図９（ｂ）はＳ１〜Ｓ９の各センサで検出
した熱定盤５８上面の直径方向の温度変化を示した図で
あり、図１０は熱定盤５８上のウエハＷの有無、熱定盤
５８の温度、ヒータ電源のＯＮ／ＯＦＦ状態を示したタ
イミングチャートである。

【００６７】図１０に示したように、熱定盤５８にウエ
ハＷを載置すると、熱定盤５８の表面から熱が奪われる
ため、熱定盤５８の表面温度は急激に低下する
（ｔ₄）。

【００６８】この熱定盤５８上にウエハＷを載置する前
後で温度が変化する状態をセンサＳ１〜Ｓ９を介して熱
定盤５８の水平方向について詳細に見てみると図９
（ｂ）に示すようになる。

【００６９】反りのないウエハＷを熱定盤５８に載置し
た場合、図９（ａ）に示すようにウエハＷの下面と熱定
盤５８上面とが全面にわたって均等に当接するため、熱
定盤５８の水平方向にわたって均等に熱が奪われる。そ
のため、図９（ｂ）に示すように、Ｓ１〜Ｓ９の各セン
サで検出した熱定盤５８上面の直径方向の温度変化をみ
ると、載置前の温度Ｑ₁（°Ｃ）から載置後の温度Ｑ₂
までほぼ等しく低下しており、熱定盤５８の水平方向に
関してウエハＷの載置前後で温度変化に実質的な差異は
ない。

【００７０】このように熱定盤５８の水平方向に関して
温度変化に実質的な差異がない場合には、制御装置１２
０は現在熱定盤５８上に載置されているウエハＷには反
りがないと判断して熱定盤５８の温度が第１目標温度Ｔ
₁〜Ｔ₂（°Ｃ）になるように制御する。

【００７１】これに対して反りのあるウエハＷを熱定盤
５８上に載置した場合には、次のようになる。

【００７２】例えば、図１１（ａ）に示すようにウエハ
Ｗの断面がＳ字型になるように反っている場合には、ウ
エハＷの下面と熱定盤５８の上面とは部分的に接触する
のみである。この例ではセンサＳ１〜Ｓ２とセンサＳ６
〜Ｓ８の位置で接触する。

【００７３】このようにＳ字型に反ったウエハＷを熱定
盤５８上に載置した場合、熱定盤５８のうち、ウエハＷ
と熱定盤５８とが接触するセンサＳ１〜Ｓ２付近とセン
サＳ６〜Ｓ８付近の位置で熱定盤５８から熱量が奪わ
れ、温度が低下するがそれ以外の位置、例えばセンサＳ
３〜Ｓ４付近やＳ９付近の位置では熱定盤５８から奪わ
れる熱量がが少ないため、この部分での温度低下の程度
は低い。

【００７４】これら熱定盤５８から奪われる熱量が水平
方向で異なる場合、制御装置１２０では各センサＳ１〜
Ｓ９を介して水平方向の温度変化量を監視しており、水
平方向での温度変化量の差を常に認識している。そし
て、この温度変化量の差が許容範囲内の場合には反りの
程度は許容範囲内であると判断して、上記と同様に熱定
盤５８の温度が第１目標温度Ｔ₁〜Ｔ₂（°Ｃ）になる
ように制御する。

【００７５】一方、この温度変化量の差が許容範囲越え
た場合には、反りの程度も許容範囲を越えていると判断
して温度制御の第１目標温度を反りのない場合のＴ₁〜
Ｔ₂（°Ｃ）から第２目標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°Ｃ）切り
替える。

【００７６】なお、この場合の温度変化量の差の許容範
囲は平均値からプラスマイナス３×（シグマ）の範囲内
である。ただし（シグマ）は標準偏差を表す。ここでこ
の範囲を許容範囲にしたのは、この範囲内に９９．７％
のものが含まれるからである。

【００７７】この第２目標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°Ｃ）は、
現在熱定盤５８上に載置されているウエハＷの次に熱定
盤５８上に熱処理される予定のウエハＷである。本実施
形態に係る熱処理ユニットでは、熱処理盤５８上にウエ
ハＷを載置する前後の温度変化が熱処理盤５８の水平方
向で大きく、許容範囲を越える反りがあると認識された
場合には、このウエハＷは不良品であると判断し、この
ウエハＷ不良品への熱処理を停止する。そして、後続の
ウエハＷについて理想的な温度環境を提供できるように
制御する。このような温度環境を実現できるのが第２目
標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°Ｃ）である。

【００７８】次に、この熱処理ユニットをベーキングユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）として用いる場合の操作につ
いて以下に説明する。

【００７９】まず、載置台２０上にセットされたウエハ
カセットＣＲ内からウエハ搬送体２１によりウエハＷが
取り出され、次いでウエハ搬送体２１から主ウエハ搬送
機構２２にウエハＷが引き渡される。主ウエハ搬送機構
２２は受け取ったウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）内に搬送、セットし、ここでウエハＷにレジスト
塗布を行なう。次いで、このウエハＷをレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）内から主ウエハ搬送機構２２がウエハ
Ｗを取り出し、上記熱処理ユニット内まで搬送し、熱定
盤５８の上にウエハＷをセットする。

【００８０】一方、熱処理ユニットへの電源投入と同時
に熱定盤５８内のヒータ９３に電力を供給する電力供給
装置９５が電力を供給して所定時間の後に熱定盤５８は
所定の第１目標温度に維持される。

【００８１】このとき、熱定盤５８の上面の半径方向の
温度分布については、熱定盤５８の上面に配設された９
個の熱電対型センサＳ１〜Ｓ９により温度が検出され、
制御装置１２０内の記憶部（図示省略）に記憶されてい
る。

【００８２】次に熱定盤５８上にウエハＷが載置された
後にも上記センサＳ１〜Ｓ９により温度が検出され、先
に記憶したウエハＷ載置前の温度との間で計算して上記
センサＳ１〜Ｓ９ごとにウエハＷ載置前後の温度変化を
計算する。こうして得た温度変化の値を上記Ｓ１〜Ｓ９
の各センサ間で比較して熱定盤５８の水平方向の温度変
化のばらつきを把握する。

【００８３】この温度変化のばらつきが図９（ｂ）に示
したように小さく、上記した許容範囲（プラスマイナス
３シグマ）の範囲内であれば、反りの程度は許容範囲内
であると判断して熱定盤５８の制御目標温度を上記第１
目標温度Ｔ₁〜Ｔ₂（°Ｃ）にして制御する。

【００８４】図１０に示したように、ウエハＷを載置す
る前の段階では時間ｔ₀〜ｔ₁及びｔ₂〜ｔ₃で熱定盤
５８の温度がＴ２を下回るとヒータ電源がＯＮになり、
熱定盤の温度がＴ１を上回るとヒータ電源がＯＦＦにな
り、第１目標温度Ｔ₁〜Ｔ₂（°Ｃ）になるように制御
される。この状態で時間ｔ₄になると熱定盤５８上にウ
エハＷが載置される。

【００８５】以下、反りがないか或いは許容範囲内の小
さい反りしかない良品のウエハＷを載置した場合と、反
りが大きい不良品のウエハＷを載置する場合とに分けて
説明する。

【００８６】まず、図９（ａ）に示すようにウエハＷに
反りがない場合にはウエハＷの下面と熱定盤５８の上面
とが全体的に均等に当接するため熱定盤５８の上面から
ほぼ等しい割合で熱量が奪われる。この様子をセンサＳ
１〜Ｓ９で検出した温度変化で見ると、図９（ｂ）に示
すようになる。この図９（ｂ）に示すように、センサＳ
１〜Ｓ９のいずれについてもウエハＷを載置する前の時
点で検出した温度がほぼＱ１（°Ｃ）であったのが載置
後ほぼＱ２（°Ｃ）まで低下している。このセンサＳ１
〜Ｓ９で検出した水平方向のウエハＷ載置前後の温度変
化はいずれもＱ１−Ｑ２（°Ｃ）であり、実質的に差異
はない。

【００８７】このように熱定盤５８の水平方向の温度変
化に差がないと、検出信号を受け取った制御装置１２０
はウエハＷに反りはないと判断して、上記第１目標温度
Ｔ₁〜Ｔ₂（°Ｃ）で熱定盤５８の温度を制御する。

【００８８】この第１目標温度Ｔ₁〜Ｔ₂（°Ｃ）は、
反りのない良品のウエハＷを熱定盤５８に載置したとき
に、理想的な熱処理温度がウエハＷに作用するような温
度でる。従って、時間ｔ₄でウエハＷを載置すると熱定
盤５８の温度は一旦急激に低下した後、ヒータから供給
される熱量と熱定盤５８に蓄積されていた熱量とで昇温
され、理想的な熱処理温度に収束する。そして一連の熱
処理が行われたウエハＷが熱定盤５８上から搬送され、
次のウエハＷについて同様の処理がなされる。次に、図
１１（ａ）に示すように反りが大きい不良品のウエハＷ
を載置する場合には、図１１（ｂ）に示すように、セン
サＳ１〜Ｓ９で検出した熱定盤５８の水平方向の温度変
化にばらつきが現れる。即ち、センサＳ３、Ｓ４、Ｓ９
の付近ではウエハＷ載置前後の温度変化が小さく、セン
サＳ１、Ｓ２、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８の付近ではウエハＷ載
置前後の温度変化が大きい。

【００８９】このように熱定盤５８の水平方向でウエハ
Ｗ載置前後の温度変化に差があると、制御装置１２０は
熱定盤５８に載置されているウエハＷの反りが大きく、
不良品であると判断し、熱定盤５８の目標温度を第２目
標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°Ｃ）に切り替える。

【００９０】この第２目標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°Ｃ）に切
り替えると、図１２の実線で示したように、熱定盤５８
上にウエハＷを載置して表面温度がＴ₄を下回るまでヒ
ータ電源が投入されないため、第１目標温度Ｔ₁〜Ｔ₂
（°Ｃ）で制御した場合（図１２中点線で描いた曲線）
よりも低温側で表面温度が推移する。

【００９１】この不良品ウエハＷでは反りが大きく、熱
定盤５８と部分的にしか接触しないため、熱定盤５８上
面から奪われる熱量が小さい。そのため、この不良品ウ
エハＷが載置されている間は比較的低い温度となるよう
に温度制御される。

【００９２】また、このときの目標温度Ｔ₃〜Ｔ₄（°
Ｃ）は後続のウエハＷ（注：反りのない良品であると仮
定する。）を熱定盤５８上に載置したときに丁度理想的
な熱処理温度が得られるような温度である。そのため、
時間ｔ₈以降で、後続のウエハＷを載置したときに熱定
盤５８の温度は理想的な温度となり、後続のウエハＷへ
の悪影響が防止される。

【００９３】なお、図１２中点線で示した曲線は反りの
ないウエハＷについて第１目標温度で制御した場合の熱
定盤５８の温度変化を示し、一点鎖線で示した曲線は反
りがあるウエハＷについて第１目標温度で温度制御した
場合の熱定盤５８の温度変化を示す。

【００９４】この図１２から分かるように、第１目標温
度で制御した場合に比べ、第２目標温度で制御した場合
には低い温度で推移する。このため、後続のウエハＷに
向けて理想的な温度環境が形成される。

【００９５】以上説明したように、本発明の熱処理ユニ
ットによれば、熱定盤５８上面に水平方向に複数の温度
センサＳ１〜Ｓ９を配設し、これらの温度センサＳ１〜
Ｓ９により、この熱定盤５８上にウエハＷを載置する前
後の温度変化を検出し、この検出した温度変化からウエ
ハＷの反りの有無や反りの程度を把握する。そして、こ
のウエハＷの反りの程度が許容範囲を越えている場合に
は、熱処理盤の目標温度を切り替え、後続の被処理基板
について理想的な温度状態になるように制御する。

【００９６】このように、現在熱定盤５８上に載置して
いるウエハＷが異常なものか正常なものかを常に監視す
るとともに、異常であると判断した場合には、後続の被
処理基板に向けて熱処理盤の温度制御を切り替える。そ
のため、異常なウエハＷの発見が容易になると同時に正
常な後続の被処理基板に向けて制御を立て直すので、後
続の被処理基板への悪影響がなくなり、被害を最小限に
抑えることができる。なお、本発明は上記の実施形態の
内容に限定されるものではない。

【００９７】例えば、上記実施形態では内部に熱媒蒸気
を循環させることにより均一に加熱される熱定盤を用い
てウエハＷを加熱する装置について説明したが、内部に
ニクロム線ヒータを内蔵し、温度センサなどにより温度
制御する熱盤を用いるものでもよい。

【００９８】また、上記実施の形態ではウエハＷについ
ての塗布現像処理システム１を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、ＬＣＤ基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。

【００９９】更に、上記第１の実施形態では熱定盤５８
の直径方向に９個の温度センサＳ１〜Ｓ９を配設し、熱
処理盤５８の水平方向の一方向のみについて温度変化、
ひいては反りの程度を検出する構造としたが、これ以外
の配設の仕方、例えば、熱常磐５８の上面の中心を通る
十文字方向に複数の温度センサを配設して直交する二つ
の水平方向に関してウエハＷの反りの有無や程度を検出
できるようにしてもよい。

【０１００】また、上記実施形態では、熱定盤５８にウ
エハＷを載置する前後の温度変化のばらつきからウエハ
Ｗの反りの有無や程度を検出する構成としたが、これ以
外のパラメータを介してウエハＷの反りの有無や程度を
検出するようにすることも可能である。例えば、ウエハ
Ｗから熱定盤５８に作用する押圧力や、熱定盤５８とウ
エハＷ下面との間隙を測定する方法が挙げられる。

【０１０１】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の本
発明によれば、熱処理盤の上面上の複数位置の温度を検
出する手段により、この熱処理盤上に被処理基板を載置
する前後の温度変化を検出し、この検出した温度変化か
ら被処理基板の反りの程度を把握する。そして、この被
処理基板の反りの程度が許容範囲を越えている場合に
は、熱処理盤の目標温度を切り替え、後続の被処理基板
について理想的な状態になるように制御する。

【０１０２】このように、いま載置している被処理基板
が異常なものか正常なものかを常に監視するとともに、
異常であると判断した場合には、後続の被処理基板に向
けて熱処理盤の温度制御を切り替える。そのため、異常
なウエハＷの発見が容易になると同時に正常な後続の被
処理基板に向けて制御を立て直すので、後続の被処理基
板への悪影響がなくなり、被害を最小限に抑えることが
できる。

【０１０３】請求項２記載の本発明によれば、被処理基
板の反りを検出し、この検出した反りの程度に基づい
て、被処理基板が異常か正常かを判断する。被処理基板
が異常な場合には後続の被処理基板に向けて熱処理盤の
温度制御を切り替える。そのため、異常なウエハＷが含
まれている場合でも、後続の被処理基板への悪影響がな
くなり、被害を最小限に抑えることができる。

【０１０４】請求項３記載の本発明によれば、請求項２
に記載の熱処理装置において、前記被処理基板の反りを
検出する手段として、前記被処理基板から前記熱処理盤
表面に作用する押圧力を検出する手段を採用する。その
ため、被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲
内か範囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【０１０５】請求項４記載の本発明によれば、請求項２
に記載の熱処理装置において、前記被処理基板の反りを
検出する手段として、前記被処理基板表面と前記熱処理
盤表面との距離を検出する手段を採用する。そのため、
被処理基板の反りの有無を直接監視することができ、そ
の程度が許容範囲内か範囲外かの判断を正確かつ迅速に
行うことができる。

【０１０６】請求項５記載の本発明によれば、請求項１
〜４のいずれかに記載の熱処理装置において、前記目標
温度として、被処理基板を載置した状態でこの被処理基
板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理基板
を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度になるよ
うな温度との間で切替えられるようにした。そのため、
被処理基板に異常が認められた場合でも後続の被処理基
板に悪影響が及ぶのが未然に防止され、被害を最小限に
くいとどめることができる。

【０１０７】請求項６記載の本発明によれば、熱処理盤
の各部に配設した温度センサにより、この熱処理盤上に
被処理基板を載置する前後の温度変化を検出し、この検
出した温度変化から被処理基板の反りの程度を把握す
る。そして、この被処理基板の反りの程度が許容範囲を
越えている場合には、熱処理盤の目標温度を切り替え、
後続の被処理基板について理想的な状態になるように制
御する。

【０１０８】このように、いま載置している被処理基板
が異常なものか正常なものかを常に監視するとともに、
異常であると判断した場合には、後続の被処理基板に向
けて熱処理盤の温度制御を切り替えるため、異常なウエ
ハＷの発見が容易になると同時に、後続の被処理基板へ
の悪影響がなくなり、被害を最小限に抑えることができ
る。

【０１０９】請求項７記載の本発明によれば、請求項６
記載の熱処理装置において、前記温度センサを、前記熱
処理盤の直径方向に一列に配設した。そのため、被処理
基板の直径方向にわたって反りを発見することができ
る。

【０１１０】請求項８記載の本発明によれば、請求項６
記載の熱処理装置において、前記温度センサを、前記熱
処理盤の中心を通る十文字状に配設した。そのため、被
処理基板の縦横の二つ方向にわたって反りを発見するこ
とができる。

【０１１１】請求項９記載の本発明によれば、前記被処
理基板の反りを検出する手段として、前記熱処理盤上面
に配設された複数の圧力センサを採用する。そのため、
被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲内か範
囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【０１１２】請求項１０記載の本発明によれば、前記被
処理基板の反りを検出する手段として、前記熱処理盤上
面に配設された複数の距離測定装置を採用する。そのた
め、被処理基板の反りの有無や、その程度が許容範囲内
か範囲外かの判断を迅速に行うことができる。

【０１１３】請求項１１記載の本発明によれば、請求項
６〜１０のいずれかに記載の熱処理装置において、前記
目標温度として、被処理基板を載置した状態でこの被処
理基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理
基板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度にな
るような温度との間で切替えられるようにした。そのた
め、被処理基板に異常が認められた場合でも後続の被処
理基板に悪影響が及ぶのが未然に防止され、被害を最小
限にくいとどめることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の平面
図である。

【図２】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の側面
図である。

【図３】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の背面
図である。

【図４】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの平面
図である。

【図５】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。

【図６】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。

【図７】本発明の実施形態に係る熱定盤の平面図であ
る。

【図８】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットのブロ
ック図である。

【図９】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの温度
特性を示した図である。

【図１０】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの作
動状態を示したタイミングチャートである。

【図１１】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの温
度特性を示した図である。

【図１２】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの作
動状態を示したタイミングチャートである。

【図１３】従来の熱処理ユニットの垂直断面図である。

【符号の説明】

Ｗウエハ５８熱定盤Ｓ１〜９温度センサ１２０制御部９３ヒータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温度に制御する手段
と、前記熱処理盤上面上の複数位置の温度を検出する手段
と、前記被処理基板を載置する前後の前記複数位置の温度変
化に基づいて、前記目標温度を切り替える手段と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温度に制御する手段
と、前記被処理基板の反りを検出する手段と、前記検出した被処理基板の反りの程度に基づいて、前記
目標温度を切り替える手段と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】請求項２に記載の熱処理装置であって、前記被処理基板の反りを検出する手段が、前記被処理基
板から前記熱処理盤表面に作用する押圧力を検出する手
段であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】請求項２に記載の熱処理装置であって、前記被処理基板の反りを検出する手段が、前記被処理基
板表面と前記熱処理盤表面との距離を検出する手段であ
ることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の熱処理
装置であって、前記目標温度が、被処理基板を載置した状態でこの被処
理基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理
基板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度にな
るような温度との間で切替えられることを特徴とする熱
処理装置。
【請求項６】被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温度に制御する制御機
構と、前記熱処理盤上に被処理機盤を順次搬送する搬送機構
と、前記熱処理盤上面に配設された複数の温度センサと、前記温度センサで検出した、被処理基板を載置する前後
の温度変化に基づいて、前記目標温度を切り替える手段
と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】請求項６記載の熱処理装置であって、前記温度センサが、前記熱処理盤の直径方向に一列に配
設されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】請求項６記載の熱処理装置であって、前記温度センサが、前記熱処理盤の中心を通る十文字状
に配設されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温度に制御する制御機
構と、前記熱処理盤上に被処理機盤を順次搬送する搬送機構
と、前記熱処理盤上面に配設された複数の圧力センサと、前記圧力センサで検出した、熱処理盤上面に作用する圧
力に基づいて、前記目標温度を切り替える手段と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の温度を所定の目標温度に制御する制御機
構と、前記熱処理盤上に被処理機盤を順次搬送する搬送機構
と、前記熱処理盤上面に配設された複数の距離測定装置と、前記距離測定装置で測定した、熱処理盤上面と被処理機
盤との距離に基づいて、前記目標温度を切り替える手段
と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】請求項６〜１０のいずれかに記載の熱
処理装置であって、前記目標温度が、被処理基板を載置した状態でこの被処
理基板の熱処理温度を維持できる温度と、後続の被処理
基板を熱処理盤上に載置したときに丁度熱処理温度にな
るような温度との間で切替えられることを特徴とする熱
処理装置。