JPH11238675A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハＷ全体にわたって均一な熱処理を施す
ことのできる熱処理装置を提供する。また、ウエハＷを
熱処理する際の温度制御を高精度に行うことのできる熱
処理装置を提供する。 【解決手段】 電力供給装置９５の電力供給量をモニタ
リングし、その変化量を通してウエハＷへの供給熱量の
過不足を見出だすと共に、この電力供給量に基づいて電
磁バルブ１００の開閉量を調節し、ウエハＷに供給され
る熱量の過不足を解消するように気体の流量を制御す
る。ウエハＷへの供給熱量を電力供給量の変化というパ
ラメーターを介して監視しているので、検出困難な加熱
気体の温度を直接測定しなくともウエハＷへの供給熱量
を正確に把握することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて半導体素子を製造する半導体製造システム内
に組み込まれる加熱装置や予備加熱装置などの熱処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、写真製版技術を用いた半導体
製造システムでは、一つのシステム内にレジスト塗布ユ
ニットや、乾燥ユニット、加熱ユニットなどの各種処理
ユニットを組み込み、これら各種処理ユニット間を順次
移動させながら一連の処理を施すようになっている。

【０００３】図９は典型的な熱処理ユニット２００の垂
直断面図である。

【０００４】この熱処理ユニット２００では、半導体ウ
エハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗは熱盤２０１の
上面上に載置され、このウエハＷは熱盤２０１から放出
される熱により熱処理される。この熱盤２０１には図示
しない加熱機構が組み込まれており、この加熱機構から
供給される熱量により熱盤２０１が加熱される。熱盤２
０１の上面上には図示しない小突起が複数個設けられて
おり、ウエハＷはこれら小突起の頂部に載置され、ウエ
ハＷの下面と熱盤２０１の上面とが接触してウエハＷの
下面に傷や埃が付着するのを防止するようになってい
る。そのため、ウエハＷの下面と熱盤２０１の上面との
間には微小な隙間が形成され、熱盤２０１上面からこの
隙間の気体を介してウエハＷ下面に熱が供給される。こ
の熱盤２０１及びウエハＷで加熱された気体は周囲のよ
り低温の気体より比重が軽いため、熱処理ユニット２０
０内を上昇し、熱盤２０１の上方に対向配置されたカバ
ー体２０２に集められ、このカバー体２０２の頂部２０
３に接続された配管２０４を介して排気されるようにな
っている。

【０００５】ところで、上記従来のような熱処理ユニッ
ト２００では、上述したように気体を介して熱を供給す
るようになっているため、熱盤２０１上面とウエハＷ下
面との間の気体を十分加熱する必要上、熱盤２０１の温
度をウエハＷの処理温度より高い温度まで加熱する必要
がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱盤２
０１で加熱された気体の流れは一様ではなく、ウエハＷ
とカバー体２０２との間に形成される空間で対流が生じ
たり、ウエハＷの上部に過加熱された気体が滞留してウ
エハＷに対して熱が不均一に作用する場合がある。

【０００７】ウエハＷに対して熱が不均一に作用する
と、熱処理が不均一になり、ウエハＷ上に形成される半
導体素子の品質がばらつくため、製造される半導体素子
の歩留まりが低下して半導体素子の製造コストが上昇す
るという問題がある。

【０００８】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、ウエハＷの全体にわたって均一な熱
処理を施すことのできる熱処理装置を提供することを目
的とする。

【０００９】また本発明は、ウエハＷを熱処理する際の
温度制御を高精度に行うことのできる熱処理装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の本発明の熱処理装置は、所定温度に
保たれ、被処理基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手
段及び被処理基板に気体を送る手段と、前記加熱手段で
消費される熱量の変化を検出する手段と、前記検出した
熱量の変化に基づいて、前記加熱手段及び被処理基板に
送る気体流量を制御する手段と、を具備する。

【００１１】請求項２記載の本発明の熱処理装置は、内
部を循環する熱媒蒸気により所定温度に維持され、被処
理基板を加熱する熱定盤と、前記熱媒を加熱する加熱器
と、前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、前
記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、前
記検出した電力量の変化に基づいて、前記熱定盤及び被
処理基板に送る気体流量を制御する手段と、を具備す
る。

【００１２】請求項３記載の本発明の熱処理装置は、内
部を循環する熱媒蒸気により所定温度に維持され、被処
理基板を加熱する熱定盤と、前記熱媒を加熱する加熱器
と、前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、前
記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、前
記熱定盤で加熱された気体の温度を検出する手段と、前
記検出した電力量の変化と前記加熱気体の温度とに基づ
いて、前記熱定盤及び被処理基板に送る気体流量を制御
する手段と、を具備する。

【００１３】請求項４記載の本発明の熱処理装置は、内
部を循環する熱媒蒸気により所定温度に維持され、被処
理基板を加熱する熱定盤と、前記熱媒を加熱する加熱器
と、前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、前
記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、前
記被処理基板の温度を検出する手段と、前記検出した電
力量の変化と前記被処理基板の温度とに基づいて、前記
熱定盤及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段
と、を具備する。

【００１４】請求項５記載の本発明の熱処理装置は、内
部を循環する熱媒蒸気により所定温度に維持され、被処
理基板を加熱する熱定盤と、前記熱媒を加熱する加熱器
と、前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、前
記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、前
記熱定盤の温度を検出する手段と、前記検出した電力量
の変化と前記熱定盤の温度とに基づいて、前記熱定盤及
び被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、を具備
する。

【００１５】請求項６記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板を加熱する熱処理盤と、前記熱処理盤を加熱す
るヒータと、前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る
手段と、前記熱処理盤の温度を検出するセンサと、前記
検出した前記熱処理盤の温度に基づいて、前記熱処理盤
及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、を具
備する。

【００１６】請求項７記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板を加熱する熱処理盤と、前記熱処理盤を加熱す
るヒータと、前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る
手段と、前記熱処理盤で加熱された気体の温度を検出す
るセンサと、前記検出した気体の温度に基づいて、前記
熱処理盤及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段
と、を具備する。

【００１７】請求項８記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板を加熱する熱処理盤と、前記熱処理盤を加熱す
るヒータと、前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る
手段と、前記被処理基板の温度を検出するセンサと、前
記検出した前記被処理基板の温度に基づいて、前記熱処
理盤及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、
を具備する。

【００１８】請求項９記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板を加熱する熱処理盤と、前記熱処理盤を加熱す
るヒータと、前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る
手段と、前記熱処理盤の温度を検出する第１のセンサ
と、前記被処理基板の温度を検出する第２のセンサと、
前記検出した前記熱処理盤の温度と前記被処理基板の温
度とに基づいて、前記被処理基板に送る気体流量を制御
する手段と、を具備する。

【００１９】請求項１０記載の本発明の熱処理装置は、
被処理基板を加熱する熱処理盤と、前記熱処理盤を加熱
するヒータと、前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送
る手段と、前記熱処理盤の温度を検出する第１のセンサ
と、前記加熱気体の温度を検出する第２のセンサと、前
記検出した前記熱処理盤の温度と前記加熱気体の温度と
に基づいて、前記被処理基板に送る気体流量を制御する
手段と、を具備する。請求項１の熱処理装置では、被処
理基板に送る気体を加熱する加熱手段で消費される熱量
の変化を検出し、この熱量の変化に基づいて、前記被処
理基板に送る気体流量を制御するようにしているので、
気体を介して被処理基板に供給される熱量の総量を調節
することができ、それにより被処理基板の全体にわたっ
て均一な熱処理を施すことができる。

【００２０】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を調節しているので、被処理基板に過不足なく熱量を作
用させることができ、被処理基板を熱処理する際の温度
制御を高精度に行うことができる。

【００２１】請求項２の熱処理装置では、内部を循環す
る熱媒蒸気により所定温度に維持される熱定盤を用い、
この熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化を検出
し、この検出した電力量の変化に基づいて、前記被処理
基板に送る気体流量を制御するようにしているので、気
体の温度を一定に維持できるとともに、気体を介して被
処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節すること
ができ、それにより被処理基板の全体にわたって均一な
熱処理を施すことができる。

【００２２】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化を介して監
視しているので、被処理基板に作用する熱量を正確に把
握、調節することができ、被処理基板を熱処理する際の
温度制御を高精度に行うことができる。

【００２３】請求項３の熱処理装置では、所定温度に維
持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費され
る電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変化に
基づいて前記被処理基板に送る気体流量を制御するよう
にしているので、気体の温度を一定に維持できるととも
に、気体を介して被処理基板に供給される熱量の総量を
正確に調節することができ、それにより被処理基板の全
体にわたって均一な熱処理を施すことができる。

【００２４】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記気体
の温度とを介して監視しているので、被処理基板に作用
する熱量を正確に把握、調節することができ、被処理基
板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行うことが
できる。

【００２５】請求項４の熱処理装置では、所定温度に維
持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費され
る電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変化と
前記被処理基板の温度とに基づいて前記被処理基板に送
る気体流量を制御するようにしているので、気体の温度
を一定に維持できるとともに、気体を介して被処理基板
に供給される熱量の総量を正確に調節することができ、
それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を
施すことができる。

【００２６】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記被処
理基板の温度とを介して監視しているので、被処理基板
に作用する熱量を正確に把握、調節することができ、被
処理基板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行う
ことができる。

【００２７】請求項５の熱処理装置では、所定温度に維
持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費され
る電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変化と
前記熱定盤の温度とに基づいて前記被処理基板に送る気
体流量を制御するようにしているので、気体の温度を一
定に維持できるとともに、気体を介して被処理基板に供
給される熱量の総量を正確に調節することができ、それ
により被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を施す
ことができる。

【００２８】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記熱定
盤の温度とを介して監視しているので、被処理基板に作
用する熱量を正確に把握、調節することができ、被処理
基板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行うこと
ができる。

【００２９】請求項６の熱処理装置では、被処理基板に
送る気体を加熱する熱処理盤の温度を検出し、この熱処
理盤の温度に基づいて前記被処理基板に送る気体流量を
制御するようにしているので、気体を介して被処理基板
に供給される熱量の総量を正確に調節することができ、
それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を
施すことができる。

【００３０】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した熱処理盤の温度により監視している
ので、被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調節す
ることができ、被処理基板を熱処理する際の温度制御を
高精度に行うことができる。請求項７の熱処理装置で
は、被処理基板に送られる加熱気体の温度を検出し、こ
の加熱気体の温度に基づいて前記被処理基板に送る気体
流量を制御するようにしているので、気体を介して被処
理基板に供給される熱量の総量を正確に調節することが
でき、それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱
処理を施すことができる。

【００３１】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した前記加熱気体の温度により監視して
いるので、被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調
節することができ、被処理基板を熱処理する際の温度制
御を高精度に行うことができる。

【００３２】請求項８の熱処理装置では、熱処理が施さ
れる被処理基板の温度を検出し、この被処理基板の温度
に基づいて前記被処理基板に送る気体流量を制御するよ
うにしているので、気体を介して被処理基板に供給され
る熱量の総量を正確に調節することができ、それにより
被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を施すことが
できる。

【００３３】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した前記被処理基板の温度により監視し
ているので、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把
握、調節することができ、前記被処理基板を熱処理する
際の温度制御を高精度に行うことができる。

【００３４】請求項９の熱処理装置では、熱処理盤の温
度と被処理基板の温度とを検出し、これら熱処理盤の温
度と被処理基板の温度とに基づいて前記被処理基板に送
る気体流量を制御するようにしているので、気体を介し
て被処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節する
ことができ、それにより被処理基板の全体にわたって均
一な熱処理を施すことができる。

【００３５】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を第１のセンサと第２のセンサとでそれぞれ検出した熱
処理盤の温度と被処理基板の温度とにより監視している
ので、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調
節することができ、前記被処理基板を熱処理する際の温
度制御を高精度に行うことができる。

【００３６】請求項１０の熱処理装置では、熱処理盤の
温度と加熱気体の温度とを検出し、これら熱処理盤の温
度と加熱気体の温度とに基づいて前記被処理基板に送る
気体流量を制御するようにしているので、気体を介して
被処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節するこ
とができ、それにより被処理基板の全体にわたって均一
な熱処理を施すことができる。

【００３７】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を第１のセンサと第２のセンサとでそれぞれ検出した熱
処理盤の温度と加熱気体の温度とにより監視しているの
で、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調節
することができ、前記被処理基板を熱処理する際の温度
制御を高精度に行うことができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。

【００３９】図１は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）を備えた半導体ウエハ（以下、
「ウエハ」という）の塗布現像処理システム１全体を示
した平面図である。

【００４０】この塗布現像処理システム１では、被処理
体としてのウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例
えば２５枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション１０と、塗布現
像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション１１と、この処理ステーション１１に隣接し
て設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを
受け渡しするためのインタフェース部１２とが一体的に
接続されている。このカセットステーション１０では、
カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向
（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配
列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜ＣＲ内に収納さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに
選択的にアクセスする。

【００４１】このウエハ搬送体２１はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション１１側の第３
の処理ユニット群Ｇ₃ の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）やイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）にもアクセスできる。

【００４２】処理ステーション１１には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の
組に亙って多段に配置されている。

【００４３】図２は上記塗布現像処理システム１の正面
図である。

【００４４】第１の処理ユニット群Ｇ₁ では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット
群Ｇ₂ では、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。

【００４５】図３は上記塗布現像処理システム１の背面
図である。

【００４６】主ウエハ搬送機構２２では、筒状支持体４
９の内側に、ウエハ搬送装置４６が上下方向（Ｚ方向）
に昇降自在に装備されている。筒状支持体４９はモータ
（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置４６はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸
（図示せず）に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置４６には、搬送基台４７の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材４８が配設されており、これらの保
持部材４８は各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡し
を可能にしている。

【００４７】また、図１に示すようにこの塗布現像処理
システム１では、５つの処理ユニット群Ｇ₁ 、Ｇ₂ 、Ｇ
₃ 、Ｇ₄ 、Ｇ₅ が配置可能であり、第１および第２の処
理ユニット群Ｇ₁ 、Ｇ₂ の多段ユニットは、システム正
面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニ
ット群Ｇ₃ の多段ユニットはカセットステーション１０
に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ₄ の多段
ユニットはインタフェース部１２に隣接して配置され、
第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。

【００４８】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ₃ では、ウエハＷを保持台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメン
トユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）
が、下から順に例えば８段に重ねられている。第４の処
理ユニット群Ｇ₄ でも、オーブン型の処理ユニット、例
えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション
・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯ
Ｌ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およ
びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から
順に、例えば８段に重ねられている。

【００４９】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン
ユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間
の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろ
ん、ランダムな多段配置としてもよい。

【００５０】図１に示すように、インタフェース部１２
では、奥行方向（Ｘ方向）は前記処理ステーション１１
と同じ寸法を有するが、幅方向（Ｙ方向）はより小さな
サイズである。このインタフェース部１２の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲとが２段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置２３が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４
は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲお
よび周辺露光装置２３にアクセスする。

【００５１】ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ₄ の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台（図示せず）にもアクセスできる。

【００５２】また塗布現像処理システム１では、既述の
如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも図１中破線で示
した第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニットを配置で
きるが、この第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニット
は、案内レール２５に沿ってＹ方向へ移動可能である。
従って、この第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。

【００５３】次に、図４及び図５につき処理ステーショ
ン１１において第３および第４の組Ｇ₃ ，Ｇ₄ の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、（ＰＯＢＡＫＥ）、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、（ＥＸＴＣＯＬ）のような熱処理ユニットの構成
および作用を説明する。

【００５４】図４および図５は、本実施形態に係る熱処
理ユニットＵの構成を示す平面図および断面図である。
なお、図５では、図解のために水平遮蔽板５５を省略し
てある。

【００５５】この熱処理ユニットの処理室５０は両側壁
５３と水平遮蔽板５５とで形成され、処理室５０の正面
側（主ウエハ搬送機構２４側）および背面側はそれぞれ
開口部５０Ａ，５０Ｂとなっている。遮蔽板５５の中心
部には円形の開口５６が形成され、この開口５６内には
内部に空洞を備え、熱媒が封入されて密閉された円板状
の熱定盤５８が載置台ＳＰとして設けられる。

【００５６】熱定盤５８には例えば３つの孔６０が設け
られ、各孔６０内には支持ピン６２が遊嵌状態で挿通さ
れており、半導体ウエハＷのローディング・アンローデ
ィング時には各指示ピン６２が熱定盤５８の表面より上
に突出または上昇して主ウエハ搬送機構２２の保持部材
４８との間でウエハＷの受け渡しを行うようになってい
る。

【００５７】熱定盤５８の外周囲には、円周方向にたと
えば２゜間隔で多数の通気孔６４を形成したリング状の
帯板からなるシャッタ６６が設けられている。このシャ
ッタ６６は、通常は熱定盤５８より下の位置に退避して
いるが、加熱処理時には図５に示すように熱定盤５８の
上面よりも高い位置まで上昇して、熱定盤５８とカバー
体６８との間にリング状の側壁を形成し、図示しない気
体供給系より供給するダウンフローの不活性ガス、例え
ば窒素ガスを通気孔６４より周方向で均等に流入させる
ようになっている。

【００５８】カバー体６８の中心部には加熱処理時にウ
エハＷ表面から発生するガスを排出するための排気口６
８ａが設けられ、この排気口６８ａに排気管７０が接続
されている。この排気管７０は、装置正面側（主ウエハ
搬送機構２２側）のダクト５３（もしくは５４）または
図示しないダクトに通じている。

【００５９】遮蔽板５５の下には、遮蔽板５５、両側壁
５３および底板７２によって機械室７４が形成されてお
り、室内には熱定盤支持板７６、シャッタアーム７８、
支持ピンアーム８０）シャッタアーム昇降駆動用シリン
ダ８２、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ８４が設け
られている。

【００６０】図４に示すように、ウエハＷの外周縁部が
載るべき熱定盤５８の表面位置に複数個たとえば４個の
ウエハＷ案内支持突起部８６が設けられている。

【００６１】また、熱定盤５８上面のウエハＷ載置部分
には図示しない小突起が複数設けられており、ウエハＷ
の下面がこれら小突起の頂部に載置される。そのためウ
エハＷ下面と熱定盤５８上面との間に微小な隙間が形成
され、ウエハＷ下面が熱定盤５８上面と直接接触するの
が避けられ、この間に塵などがある場合でもウエハＷ下
面が汚れたり、傷ついたりすることがないようになって
いる。

【００６２】また上述したように、熱定盤５８内部には
空洞が設けられており、この空洞内で熱媒を加熱するこ
とにより発生する熱媒蒸気をこの空洞内で循環させて熱
定盤５８を所定温度に維持するようになっている。

【００６３】図６は本実施形態に係る熱定盤５８とその
周辺の構造を模式的に示した垂直断面図である。この図
６に示したように、カバー体６８の下面側には円錐形の
凹部６８ｂが形成されており、この円錐の頂点にあたる
部分には排気口６８ａが設けられ、この排気口６８ａに
排気管７０の下端が接続されている。排気管７０の他端
側は図示しない排気系に接続されており、熱定盤５８で
加熱されて上昇した加熱気体が円錐形の凹部６８ｂで集
められ、前記排気口６８ａと排気管７０とを介して排気
されるようになっている。

【００６４】この図６に示すように、熱定盤５８の内部
は密閉された空洞５８ａになっており、その底部の一部
分には断面がＶ字状になるように形成された熱媒溜め５
８ｂが設けられている。この熱媒溜め５８ｂの中にはニ
クロム線などでできたヒータ９１が図６の紙面に垂直な
方向に配設されており、このヒータ９１には電力供給装
置９５から電力が供給されるようになっている。

【００６５】電力供給装置９５からヒータ９１に電力が
供給されると、ヒータ９１が発熱を開始すると、凝縮さ
れて熱媒溜め５８ｂ内に溜まった熱媒がこのヒータ９１
により加熱される。加熱された熱媒は気化蒸発して空洞
５８ａ内を循環する。熱媒蒸気が空洞５８ａ内の冷えた
部分に当接すると、熱媒蒸気はこの冷えた部分に熱量を
与えると同時に凝縮して液化する。このとき熱媒から熱
定盤５８に与えられる熱量は熱媒の気化熱であり、熱媒
の種類によって定まる値である。従って、熱媒が蒸発し
てから凝縮するまでの一連のサイクルが安定して定常状
態に達すれば熱定盤の温度をほぼ一定温度に保つことが
できるようになっている。

【００６６】熱定盤５８の周囲には通気ダクト１０１が
配設されており、その先端の通気孔６４は熱定盤５８側
面に向けて窒素ガスなどの気体を送るようになってい
る。この通気ダクト１０１の気体流動方向上流側は図示
しない気体供給系と接続されており気体供給系のダクト
１０２と通気ダクト１０１との間には電磁バルブ１００
が配設され、この電磁バルブを開閉することにより送風
系のダクト１０２から通気ダクト１０１へ流れる窒素ガ
スの流速を調節したり、ダクト１０２と通気ダクト１０
１との間を開閉したりすることができるようになってい
る。

【００６７】従って、ウエハＷの熱処理を行う際には、
上述したように一定温度に保たれた熱定盤５８の側方か
ら通気孔６４を介して室温の窒素ガスを送ると熱定盤５
８の表面で加熱されて加熱気体となり、この加熱気体が
熱定盤５８上に載置されたウエハＷに当たることにより
ウエハＷに熱量が供給されるようになっている。

【００６８】図７は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御系を図示したブロック図である。

【００６９】図７に示したように、本実施形態に係る熱
処理ユニットでは、熱定盤５８のヒータ９１に電力を供
給する電力供給装置９５及び電磁バルブ１００が制御装
置１１０に接続されている。

【００７０】次に本実施形態に係る熱処理ユニットの制
御の仕方について説明する。

【００７１】熱定盤５８については、ウエハＷの熱処理
温度より若干高い一定温度を維持するように制御する。

【００７２】本実施形態に係る熱処理ユニットでは熱定
盤５８から気体を介してウエハＷに供給される熱量を熱
定盤５８で消費される熱量変化で監視している。

【００７３】即ち、上述したように熱定盤５８では内部
の空洞５８ａ内に熱媒蒸気を循環させており空洞５８ａ
の内部壁面に熱量を与えた熱媒は凝縮されて液化し、空
洞５８ａ底部の熱媒溜め５８ｂに集められる。この熱媒
溜め５８ｂの部分にはヒータ９１が通っており、凝縮さ
れて液化した熱媒はこのヒータ９１の表面と接触する。

【００７４】すると熱媒溜め５８ｂの部分でヒータ９１
から液化した熱媒に熱量が供給され、蒸発し、再び空洞
５８ａの内部壁面に熱量を供給する。

【００７５】一方、熱定盤５８には上記通気孔６４から
室温の窒素ガスが送られ、この窒素ガスにより熱定盤５
８の表面から熱量が奪われる。

【００７６】このように、ヒータ９１に供給された電力
はシリコーンオイル等の加熱媒体を加熱した熱量とな
り、更に熱定盤５８内部の空洞５８ａ内の熱媒を蒸発さ
せ、熱定盤５８に接触する窒素ガスを加熱するための熱
量として消費される。

【００７７】従って、熱定盤５８表面から奪われる熱量
が一定で安定していれば、電力供給装置９５で加熱媒体
を加熱するのに消費される電力量も一定となり、安定す
る。反対に、熱定盤５８表面から奪われる熱量が急激に
変化すると、その変化は電力供給装置９５で加熱媒体を
加熱するのに消費される電力量の変化として現れる。

【００７８】即ち、熱定盤５８に当てられる窒素ガスの
温度が急に低下したり、流速が急に早くなると、熱定盤
５８の表面温度が急激に低下して、内部の空洞５８ａの
内側側面で凝縮される熱媒量が急増する。すると空洞５
８ａ底部の熱媒溜め５８ｂに溜まる熱媒量が増えるた
め、この熱媒と接触して蒸発熱を供給しているヒータ９
１の温度が急激に低下する。するとこのヒータ９１の温
度を所定温度に維持しようとして電力供給装置９５から
の電力供給量が急激に上昇するため、この電力供給装置
９５の電力供給量の変化を監視することにより熱定盤５
８から奪われた熱量、即ち、ウエハＷに供給される熱量
が増大することが検出される。

【００７９】実際の温度制御の方法としては、上記の機
構により、ウエハＷに供給される熱量が増大することが
検出された場合、電磁バルブ１００の開閉度を調節して
ダクト１０２から１０１へ流れる窒素ガスの流量を調節
することによりウエハＷに供給される熱量を調節する。

【００８０】即ち、気体の流量を多くすると通気孔６４
から熱定盤５８に当接し、ウエハＷに至るまでの時間が
短くなるため、窒素ガスが熱定盤５８と接触する時間も
短くなり、熱定盤５８から受け取る熱量も低下する。そ
のため、ウエハＷに供給される熱量も減少する。反対に
窒素ガスの流量を少なくすると通気孔６４から熱定盤５
８に当接し、ウエハＷに至るまでの時間が長くなり、窒
素ガスが熱定盤５８と接触する時間が短くなり、熱定盤
５８から受け取る熱量も増大するため、ウエハＷに供給
される熱量も増大する。従って、電力供給装置９５の電
力供給量の変化に応じて電磁バルブ１００の開閉度を調
節して窒素ガスの流量を調節することにより、ウエハＷ
へ供給される熱量を調節することが可能となる。

【００８１】具体的には、熱定盤５８に熱量を供給する
電力供給装置９５の供給電力量の変化量とウエハＷへの
供給熱量との関係を実測値や計算値から求め、得られた
タイムテーブルを制御装置の記憶部に予め記憶させ、ウ
エハＷへの供給熱量が最適値となるように電磁バルブ１
００の開閉量を調節する。

【００８２】なお、本実施形態では特にセンサを配設し
ていないが、ウエハＷの温度、熱定盤５８の表面温度、
ウエハＷと当接する前後の窒素ガスの温度を検出できる
センサを適切な位置に配設しておき、これらのセンサを
介して実際の温度を把握し、この検出した温度に基づい
て電磁バルブ１００の開閉量を調節するようにすれば、
更に精度が向上するので好ましい。

【００８３】次に、この熱処理ユニットをベーキングユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びクーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）として用いる場合の操作について以下に説明す
る。

【００８４】まず、載置台２０上にセットされたウエハ
カセットＣＲ内からウエハ搬送体２１によりウエハＷが
取り出され、次いでウエハ搬送体２１から主ウエハ搬送
機構２２にウエハＷが引き渡される。主ウエハ搬送機構
２２は受け取ったウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）内に搬送、セットし、ここでウエハＷにレジスト
塗布を行なう。次いで、このウエハＷをレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）内から主ウエハ搬送機構２２がウエハ
Ｗを取り出し、上記熱処理ユニット内まで搬送し、熱定
盤５８の上にウエハＷをセットする。

【００８５】一方、熱処理ユニットへの電源投入と同時
に熱定盤５８の電力供給装置９５及び循環系が作動を開
始して所定時間の後に熱定盤５８は所定の温度、即ちウ
エハＷの熱処理温度目標値より少し高い温度に維持され
る。

【００８６】この状態では制御装置１１０から電磁バル
ブ１００にはバルブを開く指示信号が送られているの
で、ダクト１０２から電磁バルブ１００を介してダクト
１０１へ室温の窒素ガスが送られ、通気孔６４から熱定
盤５８側面に向けて送られる。熱定盤５８に向けて送ら
れた窒素ガスは熱定盤５８表面に衝突し、熱定盤５８表
面と接触する。このとき熱定盤５８から窒素ガスに熱量
が移動して窒素ガスが加熱される。加熱された窒素ガス
は熱定盤５８上に載置されたウエハＷの周辺に移動し、
或いはウエハＷ周辺の気体を加熱してウエハＷに熱量を
供給する。ウエハＷの近傍を通過した加熱窒素ガスはウ
エハＷの上部に配設されたカバー体６８により捕集さ
れ、熱処理ユニットの外へ排気される。

【００８７】このとき、熱定盤５８から奪われる熱量、
即ちウエハＷに供給される熱量は電力供給装置９５の供
給電力の変化量を介してモニタリングされ、ウエハＷへ
の供給熱量が過剰或いは不十分になるおそれがある場合
には通気ダクト１０２と通気ダクト１０１との間の電磁
バルブ１００の開閉量を調節してウエハＷの過加熱や加
熱不足が起こるのを防止する。

【００８８】即ち、通気ダクト１０２，１０１から熱定
盤５８へ向けて送られる窒素ガスの温度や流速が適正で
安定している場合には、熱定盤５８表面から奪われウエ
ハＷに供給される熱量も適正で安定しているため、これ
に対応する電力供給装置９５の電力供給量は一定の値を
維持し、変動量はゼロか極く僅かである。従って、電力
供給装置９５の電力消費量をモニタリングしている制御
装置１１０はウエハＷへの供給熱量が適正であると判断
し、電磁バルブ１００の開閉状態を特に変動させること
なく現在までの窒素ガスの流速を維持させる。

【００８９】一方、通気ダクト１０２，１０１から熱定
盤５８へ送られる窒素ガスの温度や流速が異常になるな
どして熱定盤５８の表面温度が急激に変化すると、その
変化は電力供給装置９５の電力供給量の変化となって現
れる。この変化は電力供給量をモニタリングしている制
御装置１１０により直ちに発見され、この変化から判断
される事態に対応して電磁バルブを駆動させ、ウエハＷ
への供給熱量が過剰或いは不足にならないように気体の
流量を調節する。

【００９０】図８は本実施形態に係る熱処理ユニットの
電力消費量、通気ダクト１０１から熱定盤に送られる窒
素ガスの流量、及びウエハＷに作用する熱量の間の関係
を示すタイミングチャートである。

【００９１】例えば、図８（ａ）に示すように、時間ｔ
₁ 〜ｔ₂ の間電力供給装置９５の電力供給量が増大して
その許容範囲（図中一点鎖線で上下を区切った範囲）を
越えた場合には、制御装置１１０は電磁バルブ１００を
駆動して窒素ガスの流路幅を広くして熱定盤５８に送る
窒素ガスの流量を増大させる（図８（ｂ））。

【００９２】窒素ガスの流量が増大すると、通気孔６４
を出てから熱定盤５８と接触してカバー体６８の排気口
６８ａに抜けるまでの時間が短くなり、ウエハＷに供給
される熱量は減少する（図８（ｃ））。その結果、ウエ
ハＷの熱処理温度は低下して過加熱による不良品の発生
が防止される。

【００９３】反対に、所定時間電力供給装置９５の電力
供給量が減少してその許容範囲（図中一点鎖線で上下を
区切った範囲）を下回った場合には、制御装置１１０は
電磁バルブ１００を駆動して窒素ガスの流路幅を狭くし
て熱定盤５８に送る窒素ガスの流量を減少させる。

【００９４】すると通気孔６４を出てから熱定盤５８と
接触してカバー体６８の排気口６８ａに抜けるまでの時
間が長くなり、ウエハＷに供給される熱量は増大する。
その結果、ウエハＷの熱処理温度は上昇して加熱不足に
よる不良品の発生が防止される。

【００９５】このように本実施形態に係る熱処理ユニッ
トでは、ウエハＷに供給される熱量を熱定盤５８から奪
われる熱量、具体的には電力供給装置９５の電力供給量
を介してモニタリングし、この電力消費量の急激な変化
の発見を通してウエハＷに供給される熱量の過不足を見
出だす。そして電力供給装置９５の電力供給量に基づい
て、電磁バルブ１００の開閉量を調節することによりウ
エハＷに供給される熱量の過不足を解消するように気体
の流量を制御するようにしている。

【００９６】この熱処理ユニットでは、熱定盤５８から
ウエハＷに供給される熱量を電力供給装置９５の電力供
給量の変化というモニタリングし易いパラメーターを媒
介として監視しているので、一般的には検出しにくい加
熱窒素ガスの温度を直接測定するまでもなくウエハＷに
供給される熱量を正確に把握することができる。

【００９７】かくして把握したウエハＷへの供給熱量に
基づいて窒素ガスの流量を調節しているのでウエハＷに
は常に均一な熱量が供給され、ウエハＷ全体にわたって
均一な熱処理が施される。

【００９８】特に本実施形態に係る熱処理ユニットで
は、熱媒蒸気を循環させて全体を均一に加熱する熱定盤
５８を採用しており、正確な温度管理を容易に行えるの
で、ウエハＷ全体に均一な熱処理ができるとともに、ウ
エハＷを熱処理する際の温度制御を高精度に行うことが
できる。

【００９９】なお、本発明は上記の実施形態の内容に限
定されるものではない。

【０１００】例えば、上記実施形態では内部に熱媒蒸気
を循環させることにより均一に加熱される熱定盤を用い
てウエハＷを加熱する装置について説明したが、内部に
ニクロム線ヒータを内蔵し、温度センサなどにより温度
制御する熱盤を用いるものでもよい。

【０１０１】また、上記実施の形態ではウエハＷについ
ての塗布現像処理システム１を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、ＬＣＤ基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。

【０１０２】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の本
発明によれば、被処理基板に送る気体を加熱する加熱手
段で消費される熱量の変化を検出し、この熱量の変化に
基づいて、前記被処理基板に送る気体流量を制御するよ
うにしているので、気体を介して被処理基板に供給され
る熱量の総量を調節することができ、それにより被処理
基板の全体にわたって均一な熱処理を施すことができ
る。

【０１０３】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を調節しているので、被処理基板に過不足なく熱量を作
用させることができ、被処理基板を熱処理する際の温度
制御を高精度に行うことができる。

【０１０４】請求項２記載の本発明によれば、内部を循
環する熱媒蒸気により所定温度に維持される熱定盤を用
い、この熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化を検
出し、この検出した電力量の変化に基づいて、前記被処
理基板に送る気体流量を制御するようにしているので、
気体の温度を一定に維持できるとともに、気体を介して
被処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節するこ
とができ、それにより被処理基板の全体にわたって均一
な熱処理を施すことができる。

【０１０５】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化を介して監
視しているので、被処理基板に作用する熱量を正確に把
握、調節することができ、被処理基板を熱処理する際の
温度制御を高精度に行うことができる。

【０１０６】請求項３記載の本発明によれば、所定温度
に維持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費
される電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変
化に基づいて前記被処理基板に送る気体流量を制御する
ようにしているので、気体の温度を一定に維持できると
ともに、気体を介して被処理基板に供給される熱量の総
量を正確に調節することができ、それにより被処理基板
の全体にわたって均一な熱処理を施すことができる。

【０１０７】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記気体
の温度とを介して監視しているので、被処理基板に作用
する熱量を正確に把握、調節することができ、被処理基
板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行うことが
できる。

【０１０８】請求項４記載の本発明によれば、所定温度
に維持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費
される電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変
化と前記被処理基板の温度とに基づいて前記被処理基板
に送る気体流量を制御するようにしているので、気体の
温度を一定に維持できるとともに、気体を介して被処理
基板に供給される熱量の総量を正確に調節することがで
き、それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱処
理を施すことができる。

【０１０９】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記被処
理基板の温度とを介して監視しているので、被処理基板
に作用する熱量を正確に把握、調節することができ、被
処理基板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行う
ことができる。

【０１１０】請求項５記載の本発明によれば、所定温度
に維持される熱定盤を用い、この熱定盤の加熱器で消費
される電力量の変化を検出し、この検出した電力量の変
化と前記熱定盤の温度とに基づいて前記被処理基板に送
る気体流量を制御するようにしているので、気体の温度
を一定に維持できるとともに、気体を介して被処理基板
に供給される熱量の総量を正確に調節することができ、
それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を
施すことができる。

【０１１１】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を熱定盤の加熱器で消費される電力量の変化と前記熱定
盤の温度とを介して監視しているので、被処理基板に作
用する熱量を正確に把握、調節することができ、被処理
基板を熱処理する際の温度制御をより高精度に行うこと
ができる。

【０１１２】請求項６記載の本発明によれば、被処理基
板に送る気体を加熱する熱処理盤の温度を検出し、この
熱処理盤の温度に基づいて前記被処理基板に送る気体流
量を制御するようにしているので、気体を介して被処理
基板に供給される熱量の総量を正確に調節することがで
き、それにより被処理基板の全体にわたって均一な熱処
理を施すことができる。

【０１１３】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した熱処理盤の温度により監視している
ので、被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調節す
ることができ、被処理基板を熱処理する際の温度制御を
高精度に行うことができる。請求項７記載の本発明によ
れば、被処理基板に送られる加熱気体の温度を検出し、
この加熱気体の温度に基づいて前記被処理基板に送る気
体流量を制御するようにしているので、気体を介して被
処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節すること
ができ、それにより被処理基板の全体にわたって均一な
熱処理を施すことができる。

【０１１４】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した前記加熱気体の温度により監視して
いるので、被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調
節することができ、被処理基板を熱処理する際の温度制
御を高精度に行うことができる。

【０１１５】請求項８記載の本発明によれば、熱処理が
施される被処理基板の温度を検出し、この被処理基板の
温度に基づいて前記被処理基板に送る気体流量を制御す
るようにしているので、気体を介して被処理基板に供給
される熱量の総量を正確に調節することができ、それに
より被処理基板の全体にわたって均一な熱処理を施すこ
とができる。

【０１１６】また、被処理基板に供給される熱量の総量
をセンサで検出した前記被処理基板の温度により監視し
ているので、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把
握、調節することができ、前記被処理基板を熱処理する
際の温度制御を高精度に行うことができる。

【０１１７】請求項９記載の本発明によれば、熱処理盤
の温度と被処理基板の温度とを検出し、これら熱処理盤
の温度と被処理基板の温度とに基づいて前記被処理基板
に送る気体流量を制御するようにしているので、気体を
介して被処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節
することができ、それにより被処理基板の全体にわたっ
て均一な熱処理を施すことができる。

【０１１８】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を第１のセンサと第２のセンサとでそれぞれ検出した熱
処理盤の温度と被処理基板の温度とにより監視している
ので、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調
節することができ、前記被処理基板を熱処理する際の温
度制御を高精度に行うことができる。

【０１１９】請求項１０記載の本発明によれば、熱処理
盤の温度と加熱気体の温度とを検出し、これら熱処理盤
の温度と加熱気体の温度とに基づいて前記被処理基板に
送る気体流量を制御するようにしているので、気体を介
して被処理基板に供給される熱量の総量を正確に調節す
ることができ、それにより被処理基板の全体にわたって
均一な熱処理を施すことができる。

【０１２０】また、被処理基板に供給される熱量の総量
を第１のセンサと第２のセンサとでそれぞれ検出した熱
処理盤の温度と加熱気体の温度とにより監視しているの
で、前記被処理基板に作用する熱量を正確に把握、調節
することができ、前記被処理基板を熱処理する際の温度
制御を高精度に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の全体構成を示す平面図である。

【図２】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の正面図である。

【図３】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の背面図である。

【図４】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの構成
を示す平面図である。

【図５】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの断面
図である。

【図６】本発明の実施形態に係る熱定盤５８とその周辺
の構造を模式的に示した垂直断面図である。

【図７】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの制御
系を図示したブロック図である。

【図８】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの電力
消費量、熱定盤に送られる気体の流量、及びウエハＷに
作用する熱量の関係を示すタイミングチャートである。

【図９】従来の熱処理ユニットの垂直断面図である。

【符号の説明】

Ｗ ウエハ ５８ 熱定盤 ９１ ヒータ ９５ 電力供給装置 １００ 電磁バルブ １０１，１０２ 通気ダクト １１０ 制御装置

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定温度に保たれ、被処理基板を加熱す
   る加熱手段と、 前記加熱手段及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記加熱手段で消費される熱量の変化を検出する手段
   と、 前記検出した熱量の変化に基づいて、前記加熱手段及び
   被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
2. 【請求項２】 内部を循環する熱媒蒸気により所定温度
   に維持され、被処理基板を加熱する熱定盤と、 前記熱媒を加熱する加熱器と、 前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、 前記検出した電力量の変化に基づいて、前記熱定盤及び
   被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
3. 【請求項３】 内部を循環する熱媒蒸気により所定温度
   に維持され、被処理基板を加熱する熱定盤と、 前記熱媒を加熱する加熱器と、 前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、 前記熱定盤で加熱された気体の温度を検出する手段と、 前記検出した電力量の変化と前記加熱気体の温度とに基
   づいて、前記熱定盤及び被処理基板に送る気体流量を制
   御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
4. 【請求項４】 内部を循環する熱媒蒸気により所定温度
   に維持され、被処理基板を加熱する熱定盤と、 前記熱媒を加熱する加熱器と、 前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、 前記被処理基板の温度を検出する手段と、 前記検出した電力量の変化と前記被処理基板の温度とに
   基づいて、前記熱定盤及び被処理基板に送る気体流量を
   制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
5. 【請求項５】 内部を循環する熱媒蒸気により所定温度
   に維持され、被処理基板を加熱する熱定盤と、 前記熱媒を加熱する加熱器と、 前記熱定盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記加熱器が消費する電力量の変化を検出する手段と、 前記熱定盤の温度を検出する手段と、 前記検出した電力量の変化と前記熱定盤の温度とに基づ
   いて、前記熱定盤及び被処理基板に送る気体流量を制御
   する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
6. 【請求項６】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記熱処理盤を加熱するヒータと、 前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記熱処理盤の温度を検出するセンサと、 前記検出した前記熱処理盤の温度に基づいて、前記熱処
   理盤及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
7. 【請求項７】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記熱処理盤を加熱するヒータと、 前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記熱処理盤で加熱された気体の温度を検出するセンサ
   と、 前記検出した気体の温度に基づいて、前記熱処理盤及び
   被処理基板に送る気体流量を制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
8. 【請求項８】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記熱処理盤を加熱するヒータと、 前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記被処理基板の温度を検出するセンサと、 前記検出した前記被処理基板の温度に基づいて、前記熱
   処理盤及び被処理基板に送る気体流量を制御する手段
   と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
9. 【請求項９】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記熱処理盤を加熱するヒータと、 前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記熱処理盤の温度を検出する第１のセンサと、 前記被処理基板の温度を検出する第２のセンサと、 前記検出した前記熱処理盤の温度と前記被処理基板の温
   度とに基づいて、前記被処理基板に送る気体流量を制御
   する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
10. 【請求項１０】 被処理基板を加熱する熱処理盤と、 前記熱処理盤を加熱するヒータと、 前記熱処理盤及び被処理基板に気体を送る手段と、 前記熱処理盤の温度を検出する第１のセンサと、 前記加熱気体の温度を検出する第２のセンサと、 前記検出した前記熱処理盤の温度と前記加熱気体の温度
    とに基づいて、前記被処理基板に送る気体流量を制御す
    る手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。