JP2022033206A - 熱処理装置、熱処理装置の管理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 title description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 46
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 18
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 99
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000002693 Multiple Abnormalities Diseases 0.000 description 1
- 108091007369 NEUR proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009118 appropriate response Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N5/00—Computing arrangements using knowledge-based models
- G06N5/04—Inference or reasoning models
- G06N5/045—Explanation of inference; Explainable artificial intelligence [XAI]; Interpretable artificial intelligence
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
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- H05B1/0227—Applications
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Evolutionary Computation (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
Description
また特許文献2には、熱板に設けた複数の温度検出値の温度検出値を質量とみなし、温度の重心を求めることにより、熱板上のパーティクルによるウエハの乗り上げ、ウエハの反りなどによるウエハの中心の異常な浮きを検出する手法が記載されている。
運転条件として設定される複数種の物理量を夫々検出する複数種の物理量検出部と、
前記複数種の物理量検出部により夫々検出された複数種の物理量検出値の各種の物理量検出値ごとに得られた時系列の検出値群が入力層に入力され、ニューラルネットワークにより、複数の異常モードの各々について発生している発生確率を求める状態推定部と、
前記状態推定部により推定された異常モードの発生確率に応じて、取るべき対応処理を複数の対応処理の中から選択する選択部と、を備え、
前記複数種の物理量検出値のうちの一種の物理量検出値は、載置板の温度を検出する物理量検出部である温度検出部により検出された温度検出値であることを特徴とする。
少なくとも前記基板を載置板上に載置した後の時間帯において、運転条件として設定される複数種の物理量を夫々検出する工程と、
この工程にて検出された複数種の物理量検出値の各種の物理量検出値ごとに得られた時系列の検出値群が入力層に入力され、ニューラルネットワークにより、複数の異常モードの各々について発生している発生確率を求める工程と、
前記異常モードの発生確率に応じて、取るべき対応処理を複数の対応処理の中から選択する工程と、を含み、
前記複数種の物理量検出値のうちの一種の物理量検出値は、載置板の温度を検出する物理量検出部である温度検出部により検出された温度検出値であることを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、本発明である熱処理装置の管理方法を実行するようにステップ群が組まれたことを特徴とする。
熱処理部2は、処理容器の一部を構成する蓋部21と、蓋部21と共に処理容器を構成する基台部22とを備えている。基台部22は、ウエハWが配置される上部側の雰囲気と下部側の機構部分の配置領域とを区画する区画板13に設けられ、上面が開口する扁平な筒状体として構成されている。処理容器は、蓋部21を昇降させる開閉機構21aにより開閉可能に構成されている。
電力供給部34は、例えば交流電源部、スイッチング素子などを含み、電力指令値に対応するデューティー比により交流電圧の位相を制御するように構成されている。
更に熱板3には、表面に開口する複数の吸引孔36が設けられており、各吸引孔36には吸引路37が接続されている。各吸引路37は上流側で合流して吸引機構38に接続されている。各吸引路37にはバルブ(吸引バルブ)V1が接続され、各吸引路37が合流している合流路には、吸引圧を検出する圧力計である吸引圧検出部39が設けられている。吸引孔36は、ウエハWに反りがある場合に、ウエハWの下面を吸引することによりウエハWを平坦化するためのものであり、例えば熱板3の中心部に設けられ、更にウエハWの外周部に近い位置において周方向に複数設けられる。なお、図2においてギャップピン30及び吸引孔37のレイアウトは便宜上のものであり、実機の一例として示したものではない。またウエハWは、図示の便宜上ギャップピン30から離した状態で示している。
この実施形態においては、電力指令値をニューラルネットワーク5の入力値の一つとして取り扱っていることから、電力指令値は物理量検出値の一つであり、調節部332は、物理量検出部に相当する。電力指令値は、装置の運転条件として設定される物理量である温度の検出値に応じて変わってくことから、即ちヒータ31の発熱量に応じて変わってくることから、物理量検出値として取り扱うことができ、従って調節部332は、物理量検出部であると言える。
なお、電力検出部を設けてヒータ3の供給電力を検出し、その電力検出値を電力指令値に代えてあるいは電力検出値と共にニューラルネットワーク5の入力値の一つとして用いてもよい。また電力検出部は物理量検出部に相当し、電力検出値は物理量検出値に相当する。
警告としては、例えば異常モードの発生確率をオペレータが確認して処理を継続するか否かの判断を検討することを熱処理装置の操作画面に表示したり、あるいは警告音を発生したり、例えば警告灯を点灯するなどといった警告を挙げることができる。
隠れ層52のノードの数については、ニューラルネットワーク5に対して学習を行わせている段階で、例えば初めは少なくしたところ製作者の意図している結果が得られず、ノード数を増やして再学習を行わせ、意図している結果が得られたときに、そのノード数に決定される。
xj´=(xi-x[min])/(x[max]-x[min]) … (1)
但し、x[max]、x[min]は夫々x1~x10の最大値、最小値である。
xj´=(xi-x[ave])/σ … (2)
但し、x[ave]は、x1~x10の平均値、σは標準偏差である。
(1)及び(2)式の分母は時系列データの分布を表す指標であり、従って前処理は、時系列データの分布における各データの位置を示す指標、例えば0と1との間で表される指標を求める処理であるといえる。
入力層51及び隠れ層52の各ノードの上において、「1」を丸で囲んだ部位は、バイアスb1(1)、b1(2)を出力する部位である。
実際のニューラルネットワーク5においては、既述のように入力層51のノードの数は各物理量の検出値の時系列データの合計値に相当し、出力層53のノードの数は、事象モードの数に相当する。また隠れ層52のノードの数は、学習の段階で適切な数に設定される。
図8に記載している対応処理のレベルは、既述のように左側からレベル1、レベル2、レベル3、レベル4の順序で並んでおり、右に行くほど対応処理のレベルが高くなっている。これら4個のレベル1~4(4個の対応処理)は、レベルの数値の大きいものほど、各異常モードの発生確率が高い。また互に異なる異常モードの間で、同じレベルでありながら発生確率が異なっているのは、発生確率が小さく設定されている異常モードほど(例えば「処理停止」のレベルでは、「ウエハ反り」よりも「熱板割れ」の発生確率が小さい)、ウエハの処理に対して推定される異常の影響が大きいと言うことができる。
複数の異常モードの各々の発生確率に対応して複数の対応処理を選択できる条件が成立した場合には、当該複数の対応処理のうち最も高いレベル(数値の大きいレベル)の対応処理を選択する。
具体的な一例を挙げると、例えばウエハ反りの発生確率が40%、ウエハ乗り上げの発生確率が25%、VACソレノイド故障の発生確率が8%、熱板割れの発生確率が35%であったとする。この場合、ウエハ反りの発生確率から選択される対応処理は処理継続+警告(レベル2)であり、ウエハ乗り上げの発生確率から選択される対応処理も同じく処理継続+警告(レベル2)であり、VACソレノイド故障の発生確率から選択される対応処理は処理継続(レベル1)であり、熱板割れの発生確率から選択さえる対応処理は、処理停止(レベル4)である。このように複数の対応処理を選択できる条件が成立した場合には、レベルが高い対応処理である処理停止(レベル4)が選択される。
図8に示したテーブル及びこのテーブルを用いて対応処理を選択するソフトウェアは対応処理選択部42を構成する。
対応処理については、既述の例に限られるものではなく、例えば吸引圧検出部39などの物理量検出部そのものの動作の確認、ヒータ31に電力を供給する回路の点検などの処理であってもよい。
即ち、ウエハ反り、ウエハ乗り上げ、熱板割れ、VACバルブ故障が生じたときには、既述の時系列データの並び(入力層の入力値の並び)は、各異常モードに特有のものとなる。そして熱板割れ及び/またはVACバルブ故障が発生している状態の場合と、ウエハ反りあるいはウエハ乗り上げの状態に加わって、熱板割れ及び/またはVACバルブ故障が発生している状態の場合とでは、既述の時系列データの並びも異なってくる。
また複数の異常モードの各々の発生確率に対応して複数の対応処理を選択できる条件が成立した場合には、当該複数の対応処理のうち最も高いレベルの対応処理を選択するようにしているため、即ちいわば安全サイドの観点から対応処理を決定しているため、生産効率の低下を未然に抑えることができる。
また熱処理装置は、吸引孔36を備えていない構成、即ちバキュームチャックを備えていない構成であってもよく、この場合には、例えば温度検出値の時系列データと電力指令値(あるいは電力検出値)の時系列データとがニューラルネットワーク5の入力データとして使用される。
なお、上述の実施形態では熱板3が載置板を兼用しているが、本発明は、例えば石英からなる載置板の下方側に加熱ランプを配置し、加熱ランプから載置板を透過した赤外線によりウエハを加熱するタイプの熱処理装置であっても適用ができる。また熱処理の対象となる基板としては、ウエハに限らず液晶パネル用のガラス基板であってもよい。
12 ウエハ移載機構
2 熱処理部
21 蓋部
22 基台部
25 ガス供給路
26 排気路
27 排気圧検出部
29 流量検出部
3 熱板
30 突起部
31(31a~31c) ヒータ
32 電力制御回路
33 出力部
35(35a~35c) 温度センサー
36 吸引孔
37 吸引路
39 吸引圧検出部
4 状態監視部
41 状態推定部
42 対応処理選択部
5 ニューラルネットワーク
51 入力層
52 隠れ層
53 出力層
Claims (1)
- 処理容器内に配置されると共にその表面に基板と当該表面との接触を避けるための複数の突起部が設けられ、加熱部により加熱される載置板を備え、前記載置板上に基板を載置して当該基板を加熱処理する熱処理装置において、
運転条件として設定される複数種の物理量を夫々検出する複数種の物理量検出部と、
前記複数種の物理量検出部により夫々検出された複数種の物理量検出値の各種の物理量検出値ごとに得られた時系列の検出値群が入力層に入力され、ニューラルネットワークにより、複数の異常モードの各々について発生している発生確率を求める状態推定部と、
前記状態推定部により推定された異常モードの発生確率に基づいて、取るべき対応処理を複数の対応処理の中から選択する選択部と、を備え、
前記複数種の物理量検出値のうちの一種の物理量検出値は、載置板の温度を検出する物理量検出部である温度検出部により検出された温度検出値であることを特徴とする熱処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017126648 | 2017-06-28 | ||
JP2017126648 | 2017-06-28 | ||
JP2018049783A JP7003759B2 (ja) | 2017-06-28 | 2018-03-16 | 熱処理装置、熱処理装置の管理方法及び記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018049783A Division JP7003759B2 (ja) | 2017-06-28 | 2018-03-16 | 熱処理装置、熱処理装置の管理方法及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022033206A true JP2022033206A (ja) | 2022-02-28 |
JP2022033206A5 JP2022033206A5 (ja) | 2022-03-09 |
JP7238955B2 JP7238955B2 (ja) | 2023-03-14 |
Family
ID=64738907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021207355A Active JP7238955B2 (ja) | 2017-06-28 | 2021-12-21 | 熱処置装置の状態監視装置、熱処理装置の管理方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11201068B2 (ja) |
JP (1) | JP7238955B2 (ja) |
KR (2) | KR102467605B1 (ja) |
CN (1) | CN109148330B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10535538B2 (en) * | 2017-01-26 | 2020-01-14 | Gary Hillman | System and method for heat treatment of substrates |
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CN109148330B (zh) | 2024-05-03 |
KR20220155961A (ko) | 2022-11-24 |
TW202249529A (zh) | 2022-12-16 |
US20190006208A1 (en) | 2019-01-03 |
CN109148330A (zh) | 2019-01-04 |
KR102467605B1 (ko) | 2022-11-16 |
KR20190001932A (ko) | 2019-01-07 |
JP7238955B2 (ja) | 2023-03-14 |
US11201068B2 (en) | 2021-12-14 |
KR102567712B1 (ko) | 2023-08-18 |
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