JP6964176B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。

熱板によって基板に熱を付与する熱処理では、熱板の温度を所定の目標温度に維持することが重要となる。例えば特許文献１に記載された技術では、加熱部材（上述した熱板に相当）の温度を検出する温度センサを設け、該温度センサによって加熱部材の温度異常を検出することにより、不具合の発生を検出している。

特開２０１７−６５１２６号公報

熱処理を行う構成として、例えば、熱板が複数のチャネル（領域）毎にそれぞれ温調器に加熱されて基板に熱を付与する構成が考えられる。このような構成では、温度センサによって温度異常を検出した場合において、熱板のどのチャネル（領域）で発生した不具合によって温度異常が発生しているのかを特定することができない。

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、熱処理において温度異常が発生している場合に、該温度異常を引き起こしている不具合の発生領域を精度よく特定することを目的とする。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を載置すると共に基板に熱を付与する熱板と、熱板を加熱する温調器と、熱板の複数の領域に対応して設けられ、熱板の温度を測定する複数の温度センサと、制御部と、を備え、制御部は、複数の領域毎に、温度センサの測定温度と、温調器の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、判定結果に基づいて異常領域を特定することと、を実行するように構成されている。

本開示の一態様に係る基板処理装置では、熱板の複数の領域に対応してそれぞれ温度センサが設けられている。そして、複数の領域毎に、測定温度と理想温度との差異である温度シフト量が正常範囲内であるか否かが判定され、該判定の結果に基づき異常領域が特定される。このように、複数の領域毎に温度センサが設けられ、複数の領域毎に温度シフト量が正常範囲内であるか否かが判定され、該判定結果が異常領域の特定に用いられることにより、複数の領域それぞれにおける温度状況（温度異常の発生有無等）を考慮して異常領域を特定することができる。各領域の温度状況を考慮することにより、例えば全体で１つしか温度センサが用いられていないような場合と比較して、温度異常を引き起こしている異常領域（不具合の発生領域）を精度よく特定することができる。すなわち、本開示の基板処理装置によれば、熱処理において温度異常が発生している場合に、該温度異常を引き起こしている不具合の発生領域を精度よく特定することができる。

制御部は、温度シフト量が正常範囲内でない領域の温度シフト量、及び、温度シフト量が正常範囲内である領域の温度シフト量の双方を考慮して、異常領域を特定してもよい。例えば、２つの領域のうち一方の領域の測定温度が他方の領域の測定温度よりも高く、一方の領域についてのみ温度シフト量が正常範囲内でないと判定された場合を考える。この場合、例えば２つの領域のいずれか一方において実温度が正常時よりも低下していると推定される。上述した他方の領域（温度シフト量が正常範囲内であると判定されている領域）において実温度が低下しているとすると、他方の領域の温度シフト量は正常範囲内であり、他方の領域の熱影響が一方の領域に過度に及ぼされることはなく、一方の領域の温度シフト量が正常範囲内となるように温調器による制御が適切に行われるため、上述した状態（一方の領域の温度シフト量のみが正常範囲内でない状態）で安定することはないと考えられる。よって、他方の領域において実温度が低下していることはないと考えられる。一方で、一方の領域（温度シフト量が正常範囲内でないと判定されている領域）において実温度が低下しているとすると、一方の領域の測定温度に応じて一方の領域の温度を低下させるべく温調器による制御を行った場合（一方の領域に対応する温調器の出力を例えばゼロにした場合）であっても、他方の領域による熱影響で実温度が引き上げられ、その引き上げられた分に応じて測定温度も上がり、温度シフト量が正常範囲内でない状態が継続されることがあり得る。よって、実温度が低下しているケースにおいて一方の領域の温度シフト量が正常範囲内でないと判定され、他方の領域の温度シフト量が正常範囲内であると判定されている場合には、一方の領域において実温度が低下しており、該一方の領域を異常領域と特定することができる。このように、温度シフト量が正常範囲内でない領域の温度シフト量及び正常範囲内である領域の温度シフト量を考慮することによって、適切に異常領域を特定することができる。

制御部は、複数の領域それぞれに対応する温調器の出力量を考慮して、異常領域を特定してもよい。例えば異常領域について温度制御を行った場合に、該温度制御の影響が異常領域以外の領域にも及び、異常領域以外の領域の温度シフト量が正常範囲外となる場合がある。異常領域以外について温度シフト量が正常範囲外となっている場合においては、温度シフト量のみから異常領域を一意に特定することができない。ここで、温調器の出力量は熱板の実温度に応じて変化する。このため、制御部が温調器の出力量を考慮して異常領域を特定することにより、実温度が大きく変化している領域（すなわち異常領域）を適切に特定することができる。すなわち、出力量を考慮して異常領域を特定することによって、より精度よく、温度異常が発生している領域を特定することができる。

制御部は、複数の領域に、出力量の正常時との差分が所定値以上となっている領域が存在する場合には、該領域を異常領域として特定し、存在しない場合には、温度シフト量が正常範囲内でない領域を異常領域として特定してもよい。

例えば温度センサに関する不具合等を理由として温度センサの測定温度が熱板の実温度から乖離する態様として、測定温度が実温度よりも高くなるケース（測定温度上昇ケース）と、測定温度が実温度よりも低くなるケース（測定温度低下ケース）とが考えられる。測定温度上昇ケースでは、該測定温度に基づいて温調器の設定が変更（温度を低下させる方向に変更）され、該温調器が対応する領域（測定温度上昇領域）の測定温度及び実温度が低下することとなる。そして、測定温度上昇領域における実温度低下の影響が他の領域にも及ぶことにより、他の領域の測定温度及び実温度も少し（測定温度上昇領域よりは小さい幅で）低下することとなる。このように、測定温度上昇ケースでは、測定温度上昇領域において、他の領域よりも、測定温度が高くなり、且つ、実温度が低下することによって出力量が小さくなる。測定温度上昇ケースでは、測定温度上昇領域及び他の領域のいずれも、実温度が低下しており出力量が小さくなっているため、複数の領域において正常時との出力量の差分が大きくなる領域は存在しない。そして、実温度が他の領域よりも低下し異常領域となりうる測定温度上昇領域は、他の領域よりも測定温度が高く温度シフト量が大きい。以上のことから、正常時との出力量の差分が大きくなる領域が存在しない場合に、温度シフト量が大きい（正常範囲内でない）領域を異常領域として特定することにより、温度異常が発生している領域を精度よく特定することができる。また、測定温度低下ケースでは、該測定温度に基づいて温調器の設定が変更（温度を上げる方向に変更）されると、該温調器が対応する領域（測定温度低下領域）の測定温度及び実温度が上がることとなる。そして、測定温度低下領域における実温度上昇の影響が他の領域にも及ぶことにより、他の領域の測定温度及び実温度も少し（測定温度低下領域よりは小さい幅で）上がることとなる。このように、測定温度低下ケースでは、測定温度低下領域において、他の領域よりも、測定温度が低くなり、且つ、実温度が上がることによって出力量が大きくなる。測定温度低下ケースでは、異常領域となりうる測定温度低下領域の出力量が他の領域と比較して突出して大きくなる。そして、他の領域の測定温度が測定温度低下領域よりも高い（すなわち温度シフト量が大きい）。以上のことから、出力量の差分が大きくなる領域が存在する場合に、温度シフト量が大きい領域ではなく正常時との出力量の差分が大きい領域を異常領域として特定することにより、温度異常が発生している領域を精度よく特定することができる。

制御部は、熱板の温度が定常状態となった後に、温度シフト量が正常範囲内であるか否かの判定を開始してもよい。これにより、温調器から熱板に加わる出力量が意図的に変化される昇温制御時の過渡期等において温度シフト量の判定が行われることがなく、異常領域の特定が必要な期間（定常状態の期間）に限定して異常領域の特定に係る処理を行うことができる。

制御部は、正常範囲を、正常に稼働する熱板の定常状態における、測定温度と理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定してもよい。これにより、例えば定常状態に到達後の装置稼働中において基板が搬入される際等、正常な稼働状態でありながら測定温度が大きく変動する状態において、温度シフト量が正常範囲内でないと判定されることを防止することができる。すなわち、上述した制御によって正常なプロセスが妨げられることを防止することができる。

温調器は、予め設定された指令温度に応じて複数の領域を加熱するように構成されており、制御部は、異常領域に係る指令温度を変更することによって、該異常領域の温度シフト量が正常範囲内となるように補正制御を行うことを更に実行するように構成されていてもよい。温調器に設定される指令温度を変更することによって、異常領域の温度シフト量を簡易且つ適切に補正することができる。

制御部は、指令温度の変更後において、異常領域に係る温調器の出力量と、正常時の指令温度に対応する温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、指令温度の変更を繰り返してもよい。例えば、半断線した温度センサの測定温度が熱板の実温度から乖離しているような場合には、温度センサの測定温度が正確でないことが考えられる。このような場合においても、実温度に対応した出力量が正常となっているか否かを判定し、正常となっていない場合には指令温度を変更する処理を繰り返すことにより、温度センサの測定温度の正確性によらずに温度異常を補正することができる。

制御部は、第１状態となった後において、異常領域の測定温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定してもよい。第１状態となり温度異常が補正された後（すなわち実温度が正確である状態）において、異常領域となっていた領域の温度センサの測定温度が正確か否かを判定することによって、当該温度センサを用いて継続して処理することが可能か否かを適切に判定することができる。

制御部は、温度シフト量が正常範囲内であるか否かの判定を、熱板の温度が定常状態である間、継続的に行ってもよい。定常状態である間、継続的に異常領域の検知が行われることによって、異常領域の検知のための専用動作が不要となり、通常の装置稼働レシピに影響を与えることなく異常領域の検知を行うことができる。

本開示の一態様に係る基板処理方法は、基板に熱を付与する熱板の複数の領域の測定温度と、該複数の領域の理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定する工程と、判定結果に基づいて異常領域を特定する工程と、を含む。

異常領域を特定する工程では、温度シフト量が正常範囲内でない領域の温度シフト量、及び、温度シフト量が正常範囲内である領域の温度シフト量の双方を考慮して、異常領域を特定してもよい。

異常領域を特定する工程では、複数の領域それぞれに対応する温調器の出力量を考慮して、異常領域を特定してもよい。

異常領域を特定する工程では、複数の領域に、出力量の正常時との差分が所定値以上である領域が存在する場合には、該領域を異常領域として特定し、存在しない場合には、温度シフト量が正常範囲内でない領域を異常領域として特定してもよい。

熱板の温度が定常状態となった後に、判定する工程を開始してもよい。

正常範囲を、正常に稼働する熱板の定常状態における、測定温度と理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定して、判定する工程を実行してもよい。

上記基板処理方法は、熱板を加熱する温調器の指令温度を変更することによって、異常領域の温度シフト量が正常範囲内となるように補正制御を行う工程を更に含んでいてもよい。

補正制御を行う工程では、指令温度の変更後において、異常領域に係る温調器の出力量と、正常時の指令温度に対応する温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、指令温度の変更を繰り返してもよい。

補正制御を行う工程では、第１状態となった後において、異常領域の測定温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定してもよい。

熱板の温度が定常状態である間、継続的に判定する工程を実行してもよい。

本開示の一態様に係るコンピュータ読み取り可能な媒体は、上述した基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶している。

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体によれば、熱処理において温度異常が発生している場合に、該温度異常を引き起こしている不具合の発生領域を精度よく特定することができる。

基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 熱処理ユニットの一例を示す概略縦断面図である。 熱板における温度センサの配置を示す模式図である。 温度シフトメカニズムを説明する図である。 各チャネル毎の温度シフト量と出力量とを示すグラフである。 コントローラのハードウェア構成図である。 基板処理のフローチャートである。 補正制御のフローチャートである。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（塗布液）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１についての詳細は後述する。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔熱処理ユニット〕
続いて、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２について詳細に説明する。図４に示すように、熱処理ユニットＵ２は、筐体９０と、加熱機構３０と、温度調整機構５０と、コントローラ１００（制御部）とを有する。

筐体９０は、加熱機構３０及び温度調整機構５０を収容する処理容器である。筐体９０の側壁にはウェハＷの搬入口９１が開口されている。また、筐体９０内には、筐体９０内をウェハＷの移動領域である上方領域と、下方領域とに区画する床板９２が設けられている。

加熱機構３０は、ウェハＷを加熱処理する構成である。加熱機構３０は、支持台３１と、天板部３２と、昇降機構３３と、熱板３４と、支持ピン３５と、昇降機構３６と、排気ダクト３７と、ヒータ３８（温調器）と、温度センサ３９（詳細には、複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇ（図５参照））とを有する。

支持台３１は、中央部分に凹部が形成された円筒形状を呈する部材である。支持台３１は、熱板３４を支持する。天板部３２は、支持台３１と同程度の直径の円板状の部材である。天板部３２は、例えば筐体９０の天井部分に支持された状態で、支持台３１と隙間を介して対向する。天板部３２の上部には排気ダクト３７が接続されている。排気ダクト３７は、チャンバ内の排気を行う。

昇降機構３３は、コントローラ１００の制御に応じて天板部３２を昇降させる構成である。昇降機構３３によって天板部３２が上昇させられることにより、ウェハＷの加熱処理を行う空間であるチャンバが開かれた状態となり、天板部３２が下降させられることにより、チャンバが閉じられた状態となる。

熱板３４は、円形状を呈する平板であり（図５参照）、支持台３１の凹部に嵌合されている。熱板３４は、ウェハＷを載置すると共に該ウェハＷに熱を付与する。熱板３４は、ヒータ３８によって加熱される。熱板３４は、複数のチャネル（領域）毎にヒータ３８によって加熱される。熱板３４の内部には、上述した複数のチャネル毎に、熱板３４の温度を測定するように構成された複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇ（図５参照）が設けられている。

ヒータ３８は、熱板３４を加熱する温調器である。ヒータ３８は例えば抵抗発熱体から構成されている。ヒータ３８は、コントローラ１００によって設定された指令温度に応じて、熱板３４の複数のチャネルを加熱するように構成されている。すなわち、ヒータ３８には、複数のチャネル毎に指令温度が設定されている。各チャネルの指令温度は、コントローラ１００によって個別に変更可能とされている。ヒータ３８は、熱板３４の実温度に応じた出力量で、熱板３４を加熱する。

複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇは、それぞれ、熱板３４の複数のチャネル（領域）に一対一で対応して設けられおり、対応するチャネルにおける熱板３４の温度を測定する。複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇは、熱板３４の内部に設けられていてもよいし、熱板３４の下面に設けられていてもよい。図５は、熱板３４における複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇの配置の一例を模式的に示した図である。図５に示す例では、円形状を呈する熱板３４の中心付近に温度センサ３９ａが設けられており、熱板３４の外縁付近において周方向に略等間隔で４つの温度センサ３９ｄ，３９ｅ，３９ｆ，３９ｇが設けられており、径方向における温度センサ３９ａと温度センサ３９ｄとの間に温度センサ３９ｂが設けられており、径方向における温度センサ３９ａと温度センサ３９ｆとの間に温度センサ３９ｃが設けられている。

支持ピン３５は、支持台３１及び熱板３４を貫通するように延びウェハＷを下方から支持する部材である。支持ピン３５は、上下方向に昇降することにより、ウェハＷを所定の位置に配置する。支持ピン３５は、ウェハＷを搬送する温度調整プレート５１との間でウェハＷの、受け渡しを行う構成である。支持ピン３５は、例えば周方向等間隔に３本設けられている。昇降機構３６は、コントローラ１００の制御に応じて支持ピン３５を昇降させる構成である。

温度調整機構５０は、熱板３４と外部の搬送アームＡ３（図３参照）との間でウェハＷを受け渡す（搬送する）と共に、ウェハＷの温度を所定温度に調整する構成である。温度調整機構５０は、温度調整プレート５１と、連結ブラケット５２とを有する。

温度調整プレート５１は、載置されたウェハＷの温度調整を行うプレートであり、詳細には、熱板３４により加熱されたウェハＷを載置し該ウェハＷを所定温度に冷却するプレートである。温度調整プレート５１は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されており、熱による変形を防止する観点等から同一の材料で構成されていてもよい。温度調整プレート５１の内部には、冷却水及び（又は）冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されている。

連結ブラケット５２は、温度調整プレート５１に連結されると共に、コントローラ１００によって制御される駆動機構５３によって駆動させられ、筐体９０内を移動する。より詳細には、連結ブラケット５２は、筐体９０の搬入口９１から加熱機構３０の近傍にまで延びるガイドレール（不図示）に沿って移動可能とされている。連結ブラケット５２がガイドレール（不図示）に沿って移動することにより、温度調整プレート５１が搬入口９１から加熱機構３０まで移動可能となっている。連結ブラケット５２は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されている。

コントローラ１００は、熱板３４の複数のチャネル毎に、温度センサ３９の表示温度（温度センサ３９が測定する測定温度）と、ヒータ３８の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、判定結果に基づいて異常領域を特定すること（例えば、温度シフト量が正常範囲内でないチャネルが存在する場合に、該チャネルを異常チャネルとして特定すること）と、を実行するように構成されている。コントローラ１００は、温度シフト量が正常範囲内でない領域の温度シフト量、及び、温度シフト量が正常範囲内である領域の温度シフト量の双方を考慮して、異常領域を特定する。

コントローラ１００は、複数のチャネルそれぞれに対応するヒータ３８の出力量を考慮して、異常チャネルを特定する。コントローラ１００は、複数のチャネルに、出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在する場合には、該チャネルを異常チャネルとして特定し、存在しない場合には、温度シフト量が正常範囲内でないチャネルを異常チャネルとして特定する。

コントローラ１００は、熱板３４の温度が定常状態となった後に、温度シフト量が正常範囲内であるか否かの判定を開始する。コントローラ１００は、温度シフト量が上述した正常範囲内であるか否かの判定を、熱板３４の温度が定常状態である間、継続的に行う。

コントローラ１００は、上述した正常範囲を、正常に稼働する熱板３４の定常状態における、温度センサ３９の表示温度と上述した理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定する。

コントローラ１００は、異常チャネルに係るヒータ３８の指令温度を変更することによって、該異常チャネルの温度シフト量が正常範囲内となるように補正制御を行うことを更に実行するように構成されている。コントローラ１００は、上記指令温度の変更後において、異常チャネルに係るヒータ３８の出力量と、正常時の上記指令温度に対応するヒータ３８の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、指令温度の変更を繰り返す。コントローラ１００は、第１状態となった後において、異常チャネルにおける温度センサ３９の表示温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定する。

図４に示すように、コントローラ１００は、機能モジュールとして、搬送制御部１０１と、判定部１０２と、異常チャネル特定部１０３と、補正部１０４とを有する。

搬送制御部１０１は、天板部３２の昇降によってチャンバが開閉するように、昇降機構３３を制御する。また、搬送制御部１０１は、支持ピン３５の昇降によって温度調整プレート５１と支持ピン３５との間でウェハＷの受け渡しが行われるように、昇降機構３６を制御する。また、搬送制御部１０１は、温度調整プレート５１が筐体９０内を移動するように、駆動機構５３を制御する。

判定部１０２は、熱板３４の複数のチャネル毎に、温度センサ３９の表示温度と、ヒータ３８の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲（以下、「バンド幅」と記載）内であるか否かを判定する。判定部１０２は、所定の時間間隔で、複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇから表示温度を取得する。ヒータ３８の設定に応じた理想温度とは、予めヒータ３８に設定されている指令温度に応じて熱板３４の温度（正常な状態の熱板３４の温度）として想定される温度である。判定部１０２は、上述したバンド幅を、正常に稼働する熱板３４の定常状態における、温度センサ３９の表示温度と理想温度との差異として変動し得る範囲（例えば、チャンバの開閉によって変動し得る範囲）よりも広く設定する。

判定部１０２は、熱板３４の温度が定常状態となった後に、温度シフト量がバンド幅内であるか否かの判定を開始する。すなわち、判定部１０２は、プロセスの開始時において意図的に熱板３４に加わる出力量が変化される昇温制御時の過渡期や降温制御時において、温度シフト量の判定を行わず、熱板３４の温度が定常状態となった後に当該判定を開始する。判定部１０２は、温度シフト量がバンド幅内であるか否かの判定を、熱板３４の温度が定常状態である間、継続的に行う。

異常チャネル特定部１０３は、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルが存在する場合に、該チャネルを異常チャネルとして特定する。また、異常チャネル特定部１０３は、複数のチャネルそれぞれに対応するヒータ３８の出力量を考慮して、異常チャネルを特定する。このように、異常チャネル特定部１０３は、温度シフト量及びヒータ３８の出力量を考慮して異常チャネルを特定している。

具体的には、異常チャネル特定部１０３は、複数のチャネルに、ヒータ３８の出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在する場合には、該チャネルを異常チャネルとして特定し（特定処理２）、存在しない場合には、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルを異常チャネルとして特定する（特定処理１）。

上述した特定処理１を行う場合の温度シフトメカニズムの一例について、図６（ａ）を参照して説明する。図６（ａ）では２つのチャネル（ＣＨ１、ＣＨ２）についてそれぞれ、表示温度（ＣＨ１に対応する温度センサ３９ａで測定される測定温度、及び、ＣＨ２に対応する温度センサ３９ｂで測定される測定温度）と実温度とが示されており、縦軸が温度、横軸が時間を示している。図６（ａ）には、時間の経過に沿って、正常状態ＳＴ１、上昇第１状態ＳＴ２、及び上昇第２状態ＳＴ３を示している。

図６（ａ）に示す正常状態ＳＴ１では、双方のチャネル共に表示温度と実温度とが４００℃前後とされている。この状態から、例えば温度センサ３９ａにおいて半断線が発生し温度センサ３９ａの抵抗値が増加すると、ＣＨ１の表示温度が実温度から乖離して４３０℃前後となり、ＣＨ１の表示温度のみが上昇した上昇第１状態ＳＴ２となる。このような場合には、ヒータ３８におけるＣＨ１に対応する指令温度がＣＨ１の温度を上昇分だけ低下させる方向に変更されるため、ＣＨ１の表示温度及び実温度が低下した上昇第２状態ＳＴ３となる。ただし、ＣＨ１に近接するＣＨ２の温度が影響するため、上昇第２状態ＳＴ３においては、ＣＨ１の表示温度は元の４００℃までは低下しない。また、上昇第２状態ＳＴ３においては、ＣＨ１の実温度低下の影響がＣＨ２にも及ぶこととなり、ＣＨ２の表示温度及び実温度も少し（ＣＨ１よりは小さい幅で）低下する。

上昇第２状態ＳＴ３では、正常状態ＳＴ１と比べて、ＣＨ１及びＣＨ２共に実温度が低下しているため、実温度に応じて変化するヒータ３８の出力量が突出して大きくなるチャネルは存在しない。また、上昇第２状態ＳＴ３では、ＣＨ１の表示温度が上昇しており（すなわち温度シフト量が大きくなっており）、且つ、実温度が大きく低下している（すなわち異常チャネルとなっている）。以上のことから、出力量の正常時との差分が所定値以上であるチャネルが存在しない場合には、特定処理１を行い、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルを異常チャネルとして特定することによって、異常チャネルを適切に特定することができる。

上述した特定処理２を行う場合の温度シフトメカニズムの一例について、図６（ｂ）を参照して説明する。図６（ｂ）では２つのチャネル（ＣＨ１、ＣＨ２）についてそれぞれ、表示温度（ＣＨ１に対応する温度センサ３９ａで測定される測定温度、及び、ＣＨ２に対応する温度センサ３９ｂで測定される測定温度）と実温度とが示されており、縦軸が温度、横軸が時間を示している。図６（ｂ）には、時間の経過に沿って、正常状態ＳＴ１０１（左に示した状態）、低下第１状態ＳＴ１０２（真ん中に示した状態）、及び低下第２状態ＳＴ１０３（右に示した状態）を示している。

図６（ｂ）に示す正常状態ＳＴ１０１では、双方のチャネル共に表示温度と実温度とが４００℃前後とされている。この状態から、温度センサ３９ａの抵抗値が減少すると、ＣＨ１の表示温度が実温度から乖離して３７０℃前後となり、ＣＨ１の表示温度のみが低下した低下第１状態ＳＴ１０２となる。このような場合には、ヒータ３８におけるＣＨ１に対応する指令温度がＣＨ１の温度を低下分だけ上昇させる方向に変更されるため、ＣＨ１の表示温度及び実温度が上昇した低下第２状態ＳＴ１０３となる。ただし、ＣＨ１に近接するＣＨ２の温度が影響するため、低下第２状態ＳＴ１０３においては、ＣＨ１の表示温度は元の４００℃までは上昇しない。また、低下第２状態ＳＴ１０３においては、ＣＨ１の実温度上昇の影響がＣＨ２にも及ぶこととなり、ＣＨ２の表示温度及び実温度も少し（ＣＨ１よりは小さい幅で）上昇する。

低下第２状態ＳＴ１０３では、正常状態ＳＴ１と比べて、ＣＨ１の実温度が大きく上昇し（異常チャネルとなっており）、ＣＨ１に対応するヒータ３８の出力量が突出して大きくなっている。また、低下第２状態ＳＴ１０３では、ＣＨ２の表示温度がＣＨ１の表示温度よりも高くなっている（すなわちＣＨ２の温度シフト量が大きくなっている）。以上のことから、出力量の正常時との差分が所定値以上であるチャネルが存在する場合には、特定処理２を行い、温度シフト量が大きいチャネルではなく出力量が大きいチャネルを異常チャネルとして特定することによって、異常チャネルを適切に特定することができる。

特定処理１及び特定処理２を行う場合の異常チャネルの特定について、図７を参照して説明する。図７に示す７つのチャネル（ＣＨ１〜ＣＨ７）は、図５に示すＣＨ１〜ＣＨ７に対応している。すなわち、図７に示すＣＨ１〜ＣＨ７に対応する温度センサ３９は、それぞれ、図５に示す温度センサ３９ａ〜３９ｇである。図７に示す「ＣＨ１操作」とは、ＣＨ１の実温度を上昇又は低下させることをいう。「ＣＨ２操作」及び「ＣＨ４操作」についても同様に、ＣＨ２（又はＣＨ４）の実温度を上昇又は低下させることをいう。

図７には、グラフｇ１〜ｇ９の９つのグラフを示している。グラフｇ１〜グラフｇ３は、各チャネルの実温度を変化させた場合の各チャネルの温度シフト量を示している。詳細には、グラフｇ１はＣＨ１の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの温度シフト量を示しており、グラフｇ２はＣＨ２の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの温度シフト量を示しており、グラフｇ３はＣＨ４の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの温度シフト量を示している。また、グラフｇ４〜グラフｇ６は、各チャネルの実温度を変化させた場合の各チャネルの出力量（ヒータ３８の出力量）、及び実温度を変化させない場合の正常時の各チャネルの出力量を示している。詳細には、グラフｇ４はＣＨ１の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの出力量並びに正常時の出力量を示しており、グラフｇ５はＣＨ２の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの出力量並びに正常時の出力量を示しており、グラフｇ６はＣＨ４の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の各チャネルの出力量並びに正常時の出力量を示している。また、グラフｇ７〜グラフｇ９は、各チャネルの実温度を変化させた場合の各チャネルの出力差分（温度を変化させない正常時との出力差分）を示している。詳細には、グラフｇ７はＣＨ１の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の出力差分を示しており、グラフｇ８はＣＨ２の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の出力差分を示しており、グラフｇ９はＣＨ４の実温度を２０℃上昇させた場合及び２０℃低下させた場合の出力差分を示している。

図７のグラフｇ１〜ｇ３に示すように、実温度を２０℃低下させた場合（グラフｇ１〜ｇ３中において「２０℃」で示される場合）では、実温度を変化させて異常チャネルとしたチャネルの温度シフト量が大きくなっている。図７に示す例では、例えば、バンド幅を１．５℃とすることによって、実際に温度が変化している異常チャネルのみを抽出することができる。一方で、図７のグラフｇ１〜ｇ３に示すように、実温度を２０℃上昇させた場合（グラフｇ１〜ｇ３中において「−２０℃」で示される場合）では、実温度を変化させたチャネル以外の温度シフト量が大きくなっている。例えばグラフｇ１では、ＣＨ１に近傍する（図５参照）、ＣＨ２及びＣＨ３の温度シフト量が大きくなっている。このことから、温度シフト量のみから異常チャネルを特定することができない場合があると言える。

図７のグラフｇ４〜ｇ６に示すように、実温度を２０℃上昇させた場合（グラフｇ４〜ｇ９中において「−２０℃」で示される場合）では、実温度を変化させて異常チャネルとしたチャネルの出力量が大きくなっている。この場合には、図７のグラフｇ７〜ｇ９に示すように、正常時との出力量の差分についても、実温度を変化させて異常チャネルとしたチャネルが大きくなる。図７に示す例では、例えば出力量の正常値との差分が所定位以上となっているか否かを判定するための当該所定値を、出力量の２０％程度とすることによって、実際に温度が変化している異常チャネルのみを抽出することができる（図７のグラフｇ７〜ｇ９参照）。

以上のことから、異常チャネル特定部１０３が、複数のチャネルに、出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在する場合には、該チャネルを異常チャネルとして特定し（特定処理２）、存在しない場合には、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルを異常チャネルとして特定する（特定処理１）ことにより、高精度に異常チャネルを特定することができる。

補正部１０４は、異常チャネルに係るヒータ３８の指令温度を変更することによって、該異常チャネルの温度シフト量が正常範囲内となるように補正制御を行う。具体的には、補正部１０４は、異常チャネル特定部１０３によって異常チャネルとして特定されたチャネルの温度センサ３９から熱板３４の温度を取得し、温度異常を改善する方向に温度変化するようにヒータ３８の指令温度を変更する。補正部１０４は、上述した指令温度の変更後において、異常チャネルに係るヒータ３８の出力量と、正常時の上記指令温度に対応するヒータ３８の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、指令温度の変更を繰り返す。補正部１０４は、上述した第１状態となった後において、異常チャネルにおける温度センサ３９の表示温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定する。具体的には、補正部１０４は、異常チャネルの温度センサ３９から取得した表示温度が、当該チャネルの理想温度に近接している場合には以降の処理を継続し、近接していない場合には以降の処理を中止する。第１状態となった（出力量が正常となり実温度が正しく補正されて理想温度に近づいた）にも関わらず温度センサ３９の表示温度が理想温度から乖離しているということは、すなわち温度センサ３９が正常に動作できないことを示しているため、その後の処理を中止してもよい。

コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図８に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。

入出力ポート１２４は、昇降機構３３，３６、駆動機構５３、温度センサ３９、及びヒータ３８との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔基板処理手順〕
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて熱処理ユニットＵ２が実行する基板処理手順を、図９を参照して説明する。図９に示す基板処理のシーケンスは、その他の基板処理と並行して実行され、熱板３４の温度が定常状態である間、継続的に実行される。

図９に示す処理では、最初にステップＳ１が実行される。ステップＳ１では、コントローラ１００が、表示温度が異常となっているチャネル（異常チャネル）が存在するか否かを判定する。具体的には、コントローラ１００は、熱板３４の複数のチャネル毎に、温度センサ３９の表示温度と、ヒータ３８の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定のバンド幅内であるか否かを判定し、バンド幅内でないチャネルが存在する場合に、異常チャネルが存在すると判定する。

つづいて、ステップＳ２が実行される。ステップＳ２では、コントローラ１００が、出力量の上昇度合いが大きいチャネルが存在するか否かを判定する。具体的には、コントローラ１００は、複数のチャネルに、出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在するか否かを判定する。ステップＳ２において出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在すると判定した場合にはステップＳ３が実行され、存在しないと判定した場合にはステップＳ４が実行される。

ステップＳ３では、コントローラ１００が、出力量の上昇度合が大きい（出力量の正常時との差分が所定値以上となっている）チャネルを異常チャネルとして特定する。ステップＳ４では、コントローラ１００が、温度シフト量がバンド幅内でないと判定したチャネル（温度シフトチャネル）を異常チャネルとして特定する。

つづいて、ステップＳ５が実行される。ステップＳ５では、コントローラ１００が補正制御を実行する。以上が基板処理手順の一例である。

次に、上述した基板処理手順のステップ５（補正制御）について、図１０を参照して詳細に説明する。図１０に示す処理では、最初にステップＳ５１が実行される。ステップＳ５１では、コントローラ１００が、異常チャネルに係るヒータ３８の指令温度を変更する。具体的には、補正部１０４は、異常チャネル特定部１０３によって異常チャネルとして特定されたチャネルの温度センサ３９から熱板３４の温度を取得し、温度異常を改善する方向に温度変化するようにヒータ３８の指令温度を変更する。

つづいて、ステップＳ５２が実行される。ステップＳ５２では、コントローラ１００が、ステップＳ５１における指令温度の変更から所定時間が経過しているか（所定の安定時間だけ待機したか）否かを判定する。ステップＳ５２において所定時間が経過していると判定した場合にはステップＳ５３が実行され、経過していないと判定した場合には再度ステップＳ５２が実行される。

ステップＳ５３では、コントローラ１００が、異常チャネルに係るヒータ３８の出力量（現在の出力量）ＭＶと、正常時の上記指令温度（すなわちステップＳ５１において変更する前の指令温度）に対応するヒータ３８の出力量（正常時の出力量）ＭＶ´との差異が所定値より小さい第１状態となっているか否かを判定する。ステップＳ５３において第１状態となっていないと判定した場合には再度ステップＳ５１の処理が実行され、再度指令温度が変更される。一方で、ステップＳ５３において第１状態となっていると判定した場合にはステップＳ５４が実行される。

ステップＳ５４では、コントローラ１００が、異常チャネルの温度センサ３９から取得した表示温度ＰＶと、当該チャネルの理想温度ＳＶとの差異が所定値より小さいか否かを判定する。ステップＳ５４において所定値より小さい（すなわち表示温度ＰＶが理想温度ＳＶに近接する）と判定した場合には、コントローラ１００が正常処理と判定しその後の処理を継続する（ステップＳ５５）。一方で、ステップＳ５４において所定値より小さくないと判定した場合には、コントローラ１００が異常処理と判定しその後の処理を中止する（ステップＳ５６）。以上が補正制御処理の一例である。

〔作用効果〕
熱処理ユニットＵ２は、ウェハＷを載置すると共にウェハＷに熱を付与する熱板３４と、熱板３４を加熱するヒータ３８と、熱板３４の複数のチャネルに対応して設けられ、熱板３４の温度を測定する複数の温度センサ３９ａ〜３９ｇと、コントローラ１００と、を備え、コントローラ１００は、複数のチャネル毎に、温度センサ３９の表示温度と、ヒータ３８の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定のバンド幅内であるか否かを判定することと、判定結果に基づいて異常領域を特定すること（例えば、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルが存在する場合に、該チャネルを異常領域として特定すること）と、を実行するように構成されている。

当該熱処理ユニットＵ２では、熱板３４の複数のチャネルに対応してそれぞれ温度センサ３９が設けられている。そして、複数のチャネル毎に、表示温度と理想温度との差異である温度シフト量がバンド幅内であるか否かが判定され、該判定の結果に基づき異常チャネルが特定される。このように、複数のチャネル毎に温度センサ３９ａ〜３９ｇが設けられ、複数のチャネル毎に温度シフト量がバンド幅内であるか否かが判定され、該判定結果が異常チャネルの特定に用いられることにより、複数のチャネルそれぞれにおける温度状況（温度異常の発生有無）を考慮して異常チャネルを特定することができる。各チャネルの温度状況を考慮することにより、例えば全体で１つしか温度センサが設けられていないような場合と比較して、温度異常を引き起こしている異常チャネル（不具合発生領域）を精度よく特定することができる。

コントローラ１００は、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルの温度シフト量、及び、温度シフト量がバンド幅内であるチャネルの温度シフト量の双方を考慮して、異常チャネルを特定してもよい。例えば、２つのチャネルのうち一方のチャネルの表示温度が他方のチャネルの表示温度よりも高く、一方のチャネルについてのみ温度シフト量がバンド幅内でないと判定された場合を考える。この場合、例えば２つのチャネルのいずれか一方において実温度が正常時よりも低下していると推定される。上述した他方のチャネル（温度シフト量がバンド幅内であると判定されているチャネル）において実温度が低下しているとすると、他方のチャネルの温度シフト量はバンド幅内であり、他方のチャネルの熱影響が一方のチャネルに過度に及ぼされることはなく、一方のチャネルの温度シフト量がバンド幅内となるようにヒータ３８による制御が適切に行われるため、上述した状態（一方のチャネルの温度シフト量のみがバンド幅内でない状態）で安定することはないと考えられる。よって、他方のチャネルにおいて実温度が低下していることはないと考えられる。一方で、一方のチャネル（温度シフト量がバンド幅内でないと判定されているチャネル）において実温度が低下しているとすると、一方のチャネルの表示温度に応じて一方のチャネルの温度を低下させるべくヒータ３８による制御を行った場合（一方のチャネルに対応するヒータ３８の出力を例えばゼロにした場合）であっても、他方のチャネルによる熱影響で実温度が引き上げられ、その引き上げられた分に応じて表示温度も上がり、温度シフト量がバンド幅内でない状態が継続されることがあり得る。よって、実温度が低下しているケースにおいて一方のチャネルの温度シフト量がバンド幅内でないと判定され、他方のチャネルの温度シフト量がバンド幅内であると判定されている場合には、一方のチャネルにおいて実温度が低下しており、該一方のチャネルを異常チャネルと特定することができる。このように、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルの温度シフト量及びバンド幅内であるチャネルの温度シフト量を考慮することによって、適切に異常チャネルを特定することができる。

コントローラ１００は、複数のチャネルそれぞれに対応するヒータ３８の出力量を考慮して、異常チャネルを特定する。例えば異常チャネルについて温度制御を行った場合に、該温度制御の影響が異常チャネル以外の領域にも及び、異常チャネル以外のチャネルの温度シフト量がバンド幅外となる場合がある。異常チャネル以外について温度シフト量がバンド幅外となっている場合においては、温度シフト量のみから異常チャネルを一意に特定することができない。ここで、ヒータ３８の出力量は熱板３４の実温度に応じて変化する。このため、コントローラ１００がヒータ３８の出力量を考慮して異常チャネルを特定することにより、実温度が大きく変化しているチャネル（すなわち異常チャネル）を適切に特定することができる。すなわち、出力量を考慮して異常チャネルを特定することによって、より精度よく、温度異常が発生しているチャネルを特定することができる。

コントローラ１００は、複数のチャネルに、出力量の正常時との差分が所定値以上となっているチャネルが存在する場合には、該チャネルを異常チャネルとして特定し、存在しない場合には、温度シフト量がバンド幅内でないチャネルを異常チャネルとして特定する。

例えば温度センサ１９に関する不具合等を理由として温度センサ１９の測定温度が熱板３４の実温度から乖離する態様として、表示温度が実温度よりも高くなるケース（表示温度上昇ケース）と、表示温度が実温度よりも低くなるケース（表示温度低下ケース）とが考えられる。表示温度上昇ケースでは、該表示温度に基づいてヒータ３８の設定が変更（温度を低下させる方向に変更）され、該ヒータ３８が対応するチャネル（表示温度上昇チャネル）の表示温度及び実温度が低下することとなる。そして、表示温度上昇チャネルにおける実温度低下の影響が他のチャネルにも及ぶことにより、他のチャネルの表示温度及び実温度も少し（表示温度上昇チャネルよりは小さい幅で）低下することとなる。このように、表示温度上昇ケースでは、表示温度上昇チャネルにおいて、他のチャネルよりも、表示温度が高くなり、且つ、実温度が低下することによって出力量が小さくなる。表示温度上昇ケースでは、表示温度上昇チャネル及び他のチャネルのいずれも、実温度が低下しており出力量が小さくなっているため、複数のチャネルにおいて正常時との出力量の差分が大きくなるチャネルは存在しない。そして、実温度が他のチャネルよりも低下し異常チャネルとなりうる表示温度上昇チャネルは、他のチャネルよりも表示温度が高く温度シフト量が大きい。以上のことから、正常時との出力量の差分が大きくなるチャネルが存在しない場合に、温度シフト量が大きい（バンド幅内でない）チャネルを異常チャネルとして特定することにより、温度異常が発生しているチャネルを精度よく特定することができる。また、表示温度低下ケースでは、該表示温度に基づいてヒータ３８の設定が変更（温度を上げる方向に変更）されると、該ヒータ３８が対応するチャネル（表示温度低下チャネル）の表示温度及び実温度が上がることとなる。そして、表示温度低下チャネルにおける実温度上昇の影響が他のチャネルにも及ぶことにより、他のチャネルの表示温度及び実温度も少し（表示温度低下チャネルよりは小さい幅で）上がることとなる。このように、表示温度低下ケースでは、表示温度低下チャネルにおいて、他のチャネルよりも、表示温度が低くなり、且つ、実温度が上がることによって出力量が大きくなる。表示温度低下ケースでは、異常チャネルとなりうる表示温度低下チャネルの出力量が他のチャネルと比較して突出して大きくなる。そして、他のチャネルの表示温度が表示温度低下チャネルよりも高い（すなわち温度シフト量が大きい）。以上のことから、出力量の差分が大きくなるチャネルが存在する場合に、温度シフト量が大きいチャネルではなく正常時との出力量の差分が大きいチャネルを異常チャネルとして特定することにより、温度異常が発生しているチャネルを精度よく特定することができる。

コントローラ１００は、熱板３４の温度が定常状態となった後に、温度シフト量が正常範囲内であるか否かの判定を開始する。これにより、ヒータ３８から熱板３４に加わる出力量が意図的に変化される昇温制御時の過渡期等において温度シフト量の判定が行われることがなく、異常チャネルの特定が必要な期間（定常状態の期間）に限定して異常チャネルの特定に係る処理を行うことができる。

コントローラ１００は、上述した正常範囲を、正常に稼働する熱板３４の定常状態における、温度センサ３９の表示温度と上述した理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定する。これにより、例えば定常状態に到達後の装置稼働中においてウェハＷが搬入される際（チャンバが開放される際）等、正常な稼働状態でありながら表示温度が大きく変動する状態において、温度シフト量がバンド幅内でないと判定されることを防止することができる。すなわち、上述した制御によって正常なプロセスが妨げられることを防止することができる。

ヒータ３８は予め設定された指令温度に応じて複数のチャネルを加熱するように構成されており、コントローラ１００は、異常チャネルに係るヒータ３８の指令温度を変更することによって、該異常チャネルの温度シフト量が正常範囲内となるように補正制御を行うことを更に実行するように構成されている。ヒータ３８に設定される指令温度を変更することによって、異常チャネルの温度シフト量を簡易且つ適切に補正することができる。

コントローラ１００は、上記指令温度の変更後において、異常チャネルに係るヒータ３８の出力量と、正常時の上記指令温度に対応するヒータ３８の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、指令温度の変更を繰り返す。例えば、半断線した温度センサ１９の表示温度が熱板３４の実温度から乖離しているような場合には、温度センサ１９の表示温度が正確でないことが考えられる。このような場合においても、実温度に対応した出力量が正常となっているか否かを判定し、正常となっていない場合には指令温度を変更する処理を繰り返すことにより、温度センサ１９の表示温度の正確性によらずに温度異常を補正することができる。

コントローラ１００は、コントローラ１００は、第１状態となった後において、異常チャネルにおける温度センサ３９の表示温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定する。第１状態となり温度異常が補正された後（すなわち実温度が正確である状態）において、異常チャネルとなっていたチャネルの温度センサ１９の表示温度が正確か否かを判定することによって、当該温度センサ１９を用いて継続して処理することが可能か否かを適切に判定することができる。

コントローラ１００は、温度シフト量が上述した正常範囲内であるか否かの判定を、熱板３４の温度が定常状態である間、継続的に行う。定常状態である間、継続的に異常チャネルの検知が行われることによって、異常チャネルの検知のための専用動作が不要となり、通常の装置稼働レシピに影響を与えることなく異常チャネルの検知を行うことができる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、ヒータ３８の出力量を考慮して異常チャネルを特定する例を説明したが、常に温度シフト量のみから異常チャネルを特定することができる場合には、ヒータ３８の出力量によらずに温度シフト量のみから異常チャネルを特定してもよい。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、３４…熱板、３８…ヒータ（温調器）、３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅ，３９ｆ，３９ｇ…温度センサ、１００…コントローラ（制御部）、Ｗ…ウェハ（基板）。

Claims (27)

1. 基板を載置すると共に基板に熱を付与する熱板と、
   前記熱板を加熱する温調器と、
   前記熱板の複数の領域に対応して設けられ、前記熱板の温度を測定する複数の温度センサと、
   制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記複数の領域毎に、前記温度センサの測定温度と、前記温調器の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、
   判定結果に基づいて異常領域を特定することと、を実行するように構成されており、
   前記制御部は、前記温度シフト量が前記正常範囲内でない領域の前記温度シフト量、及び、前記温度シフト量が前記正常範囲内である領域の前記温度シフト量の双方を考慮して、前記異常領域を特定する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記複数の領域それぞれに対応する前記温調器の出力量を考慮して、前記異常領域を特定する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記複数の領域に、前記出力量の正常時との差分が所定値以上となっている領域が存在する場合には、該領域を前記異常領域として特定し、存在しない場合には、前記温度シフト量が前記正常範囲内でない領域を前記異常領域として特定する、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記熱板の温度が定常状態となった後に、前記温度シフト量が前記正常範囲内であるか否かの判定を開始する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記正常範囲を、正常に稼働する前記熱板の定常状態における、前記測定温度と前記理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記温調器は、予め設定された指令温度に応じて前記複数の領域を加熱するように構成されており、
   前記制御部は、
   前記異常領域に係る前記指令温度を変更することによって、該異常領域の前記温度シフト量が前記正常範囲内となるように補正制御を行うことを更に実行するように構成されている、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記指令温度の変更後において、前記異常領域に係る前記温調器の出力量と、正常時の前記指令温度に対応する前記温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、前記指令温度の変更を繰り返す、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記第１状態となった後において、前記異常領域の前記測定温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定する、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記制御部は、前記温度シフト量が前記正常範囲内であるか否かの判定を、前記熱板の温度が定常状態である間、継続的に行う、請求項１〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。
10. 基板を載置すると共に基板に熱を付与する熱板と、
    前記熱板を加熱する温調器と、
    前記熱板の複数の領域に対応して設けられ、前記熱板の温度を測定する複数の温度センサと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の領域毎に、前記温度センサの測定温度と、前記温調器の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、
    判定結果に基づいて異常領域を特定することと、を実行するように構成されており、
    前記制御部は、前記熱板の温度が定常状態となった後に、前記温度シフト量が前記正常範囲内であるか否かの判定を開始する、基板処理装置。
11. 基板を載置すると共に基板に熱を付与する熱板と、
    前記熱板を加熱する温調器と、
    前記熱板の複数の領域に対応して設けられ、前記熱板の温度を測定する複数の温度センサと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の領域毎に、前記温度センサの測定温度と、前記温調器の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、
    判定結果に基づいて異常領域を特定することと、を実行するように構成されており、
    前記制御部は、前記正常範囲を、正常に稼働する前記熱板の定常状態における、前記測定温度と前記理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定する、基板処理装置。
12. 基板を載置すると共に基板に熱を付与する熱板と、
    前記熱板を加熱する温調器と、
    前記熱板の複数の領域に対応して設けられ、前記熱板の温度を測定する複数の温度センサと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の領域毎に、前記温度センサの測定温度と、前記温調器の設定に応じた理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定することと、
    判定結果に基づいて異常領域を特定することと、を実行するように構成されており、
    前記温調器は、予め設定された指令温度に応じて前記複数の領域を加熱するように構成されており、
    前記制御部は、
    前記異常領域に係る前記指令温度を変更することによって、該異常領域の前記温度シフト量が前記正常範囲内となるように補正制御を行うことを更に実行するように構成されている、基板処理装置。
13. 前記制御部は、前記指令温度の変更後において、前記異常領域に係る前記温調器の出力量と、正常時の前記指令温度に対応する前記温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、前記指令温度の変更を繰り返す、請求項１２記載の基板処理装置。
14. 基板に熱を付与する熱板の複数の領域の測定温度と、該複数の領域の理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定する工程と、
    判定結果に基づいて異常領域を特定する工程と、を含み、
    前記異常領域を特定する工程では、前記温度シフト量が前記正常範囲内でない領域の前記温度シフト量、及び、前記温度シフト量が前記正常範囲内である領域の前記温度シフト量の双方を考慮して、前記異常領域を特定する、基板処理方法。
15. 前記異常領域を特定する工程では、前記複数の領域それぞれに対応する温調器の出力量を考慮して、前記異常領域を特定する、請求項１４記載の基板処理方法。
16. 前記異常領域を特定する工程では、前記複数の領域に、前記出力量の正常時との差分が所定値以上である領域が存在する場合には、該領域を前記異常領域として特定し、存在しない場合には、前記温度シフト量が前記正常範囲内でない領域を前記異常領域として特定する、請求項１５記載の基板処理方法。
17. 前記熱板の温度が定常状態となった後に、前記判定する工程を開始する、請求項１４〜１６のいずれか一項記載の基板処理方法。
18. 前記正常範囲を、正常に稼働する前記熱板の定常状態における、前記測定温度と前記理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定して、前記判定する工程を実行する、請求項１４〜１７のいずれか一項記載の基板処理方法。
19. 前記熱板を加熱する温調器の指令温度を変更することによって、前記異常領域の前記温度シフト量が前記正常範囲内となるように補正制御を行う工程を更に含む、請求項１４〜１８のいずれか一項記載の基板処理方法。
20. 前記補正制御を行う工程では、前記指令温度の変更後において、前記異常領域に係る前記温調器の出力量と、正常時の前記指令温度に対応する前記温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、前記指令温度の変更を繰り返す、請求項１９記載の基板処理方法。
21. 前記補正制御を行う工程では、前記第１状態となった後において、前記異常領域の前記測定温度に基づいて、以降の処理の継続可否を判定する、請求項２０記載の基板処理方法。
22. 前記熱板の温度が定常状態である間、継続的に前記判定する工程を実行する、請求項１４〜２１のいずれか一項記載の基板処理方法。
23. 基板に熱を付与する熱板の複数の領域の測定温度と、該複数の領域の理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定する工程と、
    判定結果に基づいて異常領域を特定する工程と、を含み、
    前記熱板の温度が定常状態となった後に、前記判定する工程を開始する、基板処理方法。
24. 基板に熱を付与する熱板の複数の領域の測定温度と、該複数の領域の理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定する工程と、
    判定結果に基づいて異常領域を特定する工程と、を含み、
    前記正常範囲を、正常に稼働する前記熱板の定常状態における、前記測定温度と前記理想温度との差異として変動し得る範囲よりも広く設定して、前記判定する工程を実行する、基板処理方法。
25. 基板に熱を付与する熱板の複数の領域の測定温度と、該複数の領域の理想温度との差異である温度シフト量を算出し、該温度シフト量が所定の正常範囲内であるか否かを判定する工程と、
    判定結果に基づいて異常領域を特定する工程と、を含み、
    前記熱板を加熱する温調器の指令温度を変更することによって、前記異常領域の前記温度シフト量が前記正常範囲内となるように補正制御を行う工程を更に含む、基板処理方法。
26. 前記補正制御を行う工程では、前記指令温度の変更後において、前記異常領域に係る前記温調器の出力量と、正常時の前記指令温度に対応する前記温調器の出力量との差異が所定値より小さい第１状態となるまで、前記指令温度の変更を繰り返す、請求項２５記載の基板処理方法。
27. 請求項１４〜２６のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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