CN111699544A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

热处理单元具备：热板，其载置晶圆并且对晶圆提供热；加热器，其将热板进行加热；多个温度传感器，所述多个温度传感器与热板的多个通道对应地设置，用于测定热板的温度；以及控制器，其中，控制器构成为执行以下控制：针对多个通道的每个通道计算温度偏移量并且判定该温度偏移量是否为规定的带宽内，所述温度偏移量是温度传感器的显示温度同与加热器的设定相应的理想温度的差；以及在存在温度偏移量不为带宽内的通道的情况下，将该通道确定为异常区域。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
在通过热板对基板提供热的热处理中，重要的是将热板的温度维持为规定的目标温度。例如在专利文献1所记载的技术中，设置对加热构件(相当于上述的热板)的温度进行检测的温度传感器，通过该温度传感器来检测加热构件的温度异常，由此检测问题的发生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-65126号公报
发明内容
发明要解决的问题
作为进行热处理的结构，例如考虑使温度调节器将热板按多个通道(区域)分别进行加热来对基板提供热的结构。在这样的结构中，在通过温度传感器检测到温度异常的情况下，无法确定是由于热板的哪个通道(区域)中发生的问题而产生了温度异常。
本公开是鉴于上述情况而完成的，其目的在于当在热处理中发生了温度异常的情况下能够高精度地确定发生引起该温度异常的问题的区域。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具备：热板，其载置基板并且向基板提供热；温度调节器，其将热板进行加热；多个温度传感器，所述多个温度传感器与热板的多个区域对应地设置，用于测定热板的温度；以及控制部，其中，控制部构成为执行以下控制：针对多个区域的每个区域计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的正常范围内，所述温度偏移量是温度传感器的测定温度同与温度调节器的设定相应的理想温度的差；以及基于判定结果来确定异常区域。
在本公开的一个方式所涉及的基板处理装置中，与热板的多个区域对应地分别设置有温度传感器。而且，针对多个区域的每个区域判定测定温度与理想温度的差即温度偏移量是否为正常范围内，并且基于该判定的结果来确定异常区域。像这样，针对多个区域的每个区域设置温度传感器，并且针对多个区域的每个区域判定温度偏移量是否为正常范围内，将该判定结果使用于异常区域的确定，由此能够考虑多个区域各自的温度状况(有无发生温度异常等)来确定异常区域。通过考虑各区域的温度状况，例如相比于整体只使用一个温度传感器这样的情况，能够高精度地确定引起了温度异常的异常区域(发生问题的区域)。即，根据本公开的基板处理装置，当在热处理中发生了温度异常的情况下，能够高精度地确定发生引起了该温度异常的问题的区域。
控制部可以考虑温度偏移量不为正常范围内的区域的温度偏移量以及温度偏移量为正常范围内的区域的温度偏移量这两方来确定异常区域。例如，考虑两个区域中的一个区域的测定温度比另一个区域的测定温度高且判定为仅一个区域的温度偏移量不为正常范围内的情况。在该情况下，例如估计为两个区域中的任一区域的实际温度相比于正常时的温度下降了。当设为上述的另一个区域(被判定为温度偏移量为正常范围内的区域)的实际温度下降了时，另一个区域的温度偏移量为正常范围内，另一个区域的热影响不会过度地波及到一个区域，恰当地利用温度调节器进行控制以使一个区域的温度偏移量为正常范围内，因此认为不会稳定在上述的状态(仅一个区域的温度偏移量不为正常范围内的状态)下。因而，认为另一个区域的实际温度不会下降。另一方面，当设为一个区域(被判定为温度偏移量不为正常范围内的区域)的实际温度下降时，即使在利用温度调节器进行控制以使一个区域的温度根据一个区域的测定温度而下降的情况(例如使与一个区域对应的温度调节器的输出为零的情况)下，实际温度也会因另一个区域的热影响而提升，测定温度也与该提升的量相应地上升，温度偏移量不为正常范围内的状态可能会继续。因而，在实际温度下降的情形中，在判定为一个区域的温度偏移量不为正常范围内且判定为另一个区域的温度偏移量为正常范围内的情况下，一个区域的实际温度下降，能够将该一个区域确定为异常区域。像这样，通过考虑温度偏移量不为正常范围内的区域的温度偏移量和正常范围内的区域的温度偏移量，能够恰当地确定异常区域。
控制部可以考虑与多个区域分别对应的温度调节器的输出量来确定异常区域。例如，在关于异常区域进行温度控制的情况下，有时该温度控制的影响也会波及到异常区域以外的区域，使得有时异常区域以外的区域的温度偏移量为正常范围外。在异常区域以外的温度偏移量为正常范围外的情况下，仅根据温度偏移量无法唯一地确定异常区域。在此，温度调节器的输出量根据热板的实际温度进行变化。因此，控制部通过考虑温度调节器的输出量来确定异常区域，能够恰当地确定实际温度大幅度变化的区域(即异常区域)。即，通过考虑输出量来确定异常区域，能够精度更高地确定发生了温度异常的区域。
控制部可以在多个区域中存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的区域的情况下，将该区域确定为异常区域，在不存在该区域的情况下，将温度偏移量为正常范围内的区域确定为异常区域。
例如作为由于与温度传感器有关的问题等使得温度传感器的测定温度偏离热板的实际温度的方式，考虑测定温度比实际温度高的情形(测定温度上升情形)和测定温度比实际温度低的情形(测定温度下降情形)。在测定温度上升情形中，基于该测定温度来变更温度调节器的设定(向使温度下降的方向变更)，该温度调节器所对应的区域(测定温度上升区域)的测定温度和实际温度下降。而且，由于测定温度上升区域的实际温度下降的影响还波及到其它区域，因此其它区域的测定温度和实际温度也稍微(以比测定温度上升区域小的幅度)下降。像这样，在测定温度上升情形中，相比于其它区域，在测定温度上升区域中，测定温度高并且由于实际温度下降而输出量变小。在测定温度上升情形中，测定温度上升区域和其它区域均是实际温度下降并且输出量变小，因此在多个区域中不存在与正常时的输出量的差大的区域。而且，实际温度相比于其它区域下降而可能成为异常区域的测定温度上升区域相比于其它区域而言，测定温度高并且温度偏移量大。根据以上记载，在不存在与正常时的输出量的差大的区域的情况下，将温度偏移量大的(不为正常范围内的)区域确定为异常区域，由此能够高精度地确定发生了温度异常的区域。另外，在测定温度下降情形中，当基于该测定温度来变更温度调节器的设定(向使温度提高的方向变更)时，该温度调节器所对应的区域(测定温度下降区域)的测定温度和实际温度提高。而且，由于测定温度下降区域的实际温度上升的影响还波及到其它区域，因此其它区域的测定温度和实际温度也稍微(以比测定温度下降区域小的幅度)上升。像这样，在测定温度下降情形中，相比于其它区域，在测定温度下降区域中，测定温度低并且由于实际温度上升而输出量变大。在测定温度下降情形中，可能成为异常区域的测定温度下降区域的输出量相比于其它区域明显变大。而且，其它区域的测定温度比测定温度下降区域高(即温度偏移量大)。根据以上记载，在存在输出量的差大的区域的情况下，不将温度偏移量大的区域而将与正常时的输出量的差大的区域确定为异常区域，由此能够高精度地确定发生了温度异常的区域。
控制部可以在热板的温度成为稳定状态之后开始判定温度偏移量是否为正常范围内。由此，在有意使从温度调节器施加于热板的输出量变化的升温控制时的过渡期等期间不进行温度偏移量的判定，能够将异常区域的确定限定在必要的期间(稳定状态的期间)来进行与异常区域的确定有关的处理。
控制部可以将正常范围设定为比正常运转的热板的稳定状态下的测定温度与理想温度的差可能变动的范围大。由此，在虽为正常的运转状态但测定温度大幅度变动的状态下，例如在达到稳定状态后的装置运转期间搬入基板等时，能够防止判定为温度偏移量不为正常范围内。即，通过上述的控制能够防止正常的工艺被妨碍。
也可以是，温度调节器构成为根据预先设定的指令温度将多个区域进行加热，控制部构成为还执行以下控制：通过变更与异常区域有关的指令温度来进行校正控制，以使该异常区域的温度偏移量成为正常范围内。通过变更针对温度调节器设定的指令温度，能够简易且恰当地校正异常区域的温度偏移量。
控制部可以在进行指令温度的变更后，重复进行指令温度的变更，直至成为与异常区域有关的温度调节器的输出量同与正常时的指令温度对应的温度调节器的输出量的差比规定值小的第一状态为止。例如，在半断路的温度传感器的测定温度偏离热板的实际温度这样的情况下，认为温度传感器的测定温度不准确。在这样的情况下也是，判定与实际温度对应的输出量是否正常，在不正常的情况下，重复进行变更指令温度的处理，由此能够不依赖于温度传感器的测定温度的准确性地校正温度异常。
控制部可以在成为第一状态后基于异常区域的测定温度来判定可否继续进行之后的处理。在成为第一状态并且温度异常被校正后(即实际温度准确的状态下)，判定成为异常区域的区域的温度传感器的测定温度是否准确，由此能够恰当地判定可否使用该温度传感器继续进行处理。
控制部可以在热板的温度为稳定状态的期间持续判定温度偏移量是否为正常范围内。在为稳定状态的期间，持续进行异常区域的探测，由此不需要用于探测异常区域的专用动作，能够以不会对通常的装置运转制程带来影响的方式进行异常区域的探测。
本公开的一个方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的正常范围内，所述温度偏移量是对基板提供热的热板的多个区域的测定温度与所述多个区域的理想温度的差；以及基于判定结果来确定异常区域。
在确定异常区域的工序中，可以考虑温度偏移量不为正常范围内的区域的温度偏移量和温度偏移量为正常范围内的区域的温度偏移量这两方来确定异常区域。
在确定异常区域的工序中，可以在考虑与多个区域分别对应的温度调节器的输出量来确定异常区域。
在确定异常区域的工序中，也可以是，在多个区域中存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的区域的情况下，将该区域确定为异常区域，在不存在该区域的情况下，将温度偏移量不为正常范围内的区域确定为异常区域。
可以在热板的温度成为稳定状态后，开始进行判定的工序。
可以将正常范围设定为比正常运转的热板的稳定状态下的测定温度与理想温度的差可能变动的范围大，来执行进行判定的工序。
上述基板处理方法可以还包括以下工序：通过变更将热板进行加热的温度调节器的指令温度来进行校正控制，以使异常区域的温度偏移量成为正常范围内。
在进行校正控制的工序中，可以在进行指令温度的变更后，重复进行指令温度的变更，直至成为与异常区域有关的温度调节器的输出量同与正常时的指令温度对应的温度调节器的输出量的差比规定值小的第一状态为止。
在进行校正控制的工序中，可以在成为第一状态后，基于异常区域的测定温度来判定能否继续进行之后的处理。
可以在热板的温度为稳定状态的期间，持续执行进行判定的工序。
本公开的一个方式所涉及的计算机可读取的介质存储有用于使装置执行上述的基板处理方法的程序。
发明的效果
根据本公开所涉及的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，当在热处理中发生了温度异常的情况下，能够高精度地确定发生引起了该温度异常的问题的区域。
附图说明
图1是表示基板处理系统的概要结构的立体图。
图2是沿图1中的II-II线得到的截面图。
图3是沿图2中的III-III线得到的截面图。
图4是表示热处理单元的一例的概要纵剖截面图。
图5是表示热板中的温度传感器的配置的示意图。
图6是说明温度偏移机制的图。
图7是表示各通道的温度偏移量和输出量的曲线图。
图8是控制器的硬件结构图。
图9是基板处理的流程图。
图10是校正控制的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，省略重复的说明。
〔基板处理系统〕
基板处理系统1是对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基板例如为半导体的晶圆W。感光性覆膜例如为抗蚀膜。
基板处理系统1具备涂布/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3对形成于晶圆W上的抗蚀膜进行曝光处理。具体地说，通过浸液曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量线。涂布/显影装置2在曝光装置3进行曝光处理之前进行在晶圆W的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。
(涂布/显影装置)
下面，作为基板处理装置的一例，说明涂布/显影装置2的结构。如图1～图3所示，涂布/显影装置2具备承载件块4、处理块5、接口块6以及控制器100。
承载件块4向涂布/显影装置2内导入晶圆W并且从涂布/显影装置2内导出晶圆W。例如，承载件块4能够支承晶圆W所用的多个承载件11，并且内置有交接臂A1。承载件11例如收容多张圆形的晶圆W。交接臂A1从承载件11取出晶圆W且将该晶圆W交至处理块5，并且从处理块5接受晶圆W且将该晶圆W送回承载件11内。
处理块5具有多个处理模块14、15、16、17。如图2和图3所示，处理模块14、15、16、17内置有多个液处理单元U1、多个热处理单元U2以及向这些单元搬送晶圆W的搬送臂A3。处理模块17还内置有不经由液处理单元U1和热处理单元U2地搬送晶圆W的直接搬送臂A6。液处理单元U1向晶圆W的表面涂布处理液。热处理单元U2例如内置有热板和冷却板，通过热板将晶圆W进行加热并通过冷却板将加热后的晶圆W进行冷却来进行热处理。
处理模块14通过液处理单元U1和热处理单元U2在晶圆W的表面上形成下层膜。处理模块14的液处理单元U1向晶圆W上涂布用于形成下层膜的处理液。处理模块14的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成而执行的各种热处理。
处理模块15通过液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。处理模块15的液处理单元U1在下层膜之上涂布用于形成抗蚀膜的处理液(涂布液)。处理模块15的热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成而执行的各种热处理。在后文中叙述处理模块15的液处理单元U1的详情。
处理模块16通过液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。处理模块16的液处理单元U1向抗蚀膜之上涂布用于形成上层膜的处理液。处理模块16的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成而执行的各种热处理。
处理模块17通过液处理单元U1和热处理单元U2对曝光后的抗蚀膜进行显影处理。处理模块17的液处理单元U1在向曝光完毕的晶圆W的表面上涂布显影用的处理液(显影液)后，通过清洗用的处理液(冲洗液)冲掉该处理液(显影液)，由此进行抗蚀膜的显影处理。处理模块17的热处理单元U2进行伴随显影处理而执行的各种热处理。作为热处理的具体例，列举显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘)等。
在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个层格。在架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7使晶圆W在架单元U10的层格之间升降。在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个层格。
接口块6与曝光装置3之间进行晶圆W的交接。例如，接口块6内置有交接臂A8，并且与曝光装置3连接。交接臂A8将配置于架单元U11的晶圆W交至曝光装置3，从曝光装置3接受晶圆W且将该晶圆W送回架单元U11。
控制器100控制涂布/显影装置2，使之例如按以下的过程执行涂布/显影处理。
首先，控制器100控制交接臂A1，以将承载件11内的晶圆W搬送至架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块14用的层格。
接着，控制器100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块14内的液处理单元U1和热处理单元U2，并且控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的表面上形成下层膜。之后，控制器100控制搬送臂A3，以将形成有下层膜的晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块15用的层格。
接着，控制器100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块15内的液处理单元U1和热处理单元U2，并且控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的下层膜上形成抗蚀膜。之后，控制器100控制搬送臂A3，以将晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块16用的层格。
接着，控制器100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块16内的各单元，并且控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制器100控制搬送臂A3，以将晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块17用的层格。
接着，控制器100控制直接搬送臂A6，以将架单元U10的晶圆W搬送至架单元U11，并且控制交接臂A8，以将该晶圆W送出至曝光装置3。之后，控制器100控制交接臂A8，以从曝光装置3接受被实施了曝光处理的晶圆W并且将其送回架单元U11。
接着，控制器100控制搬送臂A3，以将架单元U11的晶圆W搬送至处理模块17内的各单元，并且控制液处理单元U1和热处理单元U2，以对该晶圆W的抗蚀膜实施显影处理。之后，控制器100控制搬送臂A3，以将晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7和交接臂A1，以将该晶圆W送回承载件11内。通过以上过程，涂布/显影处理完成。
此外，基板处理装置的具体结构不限于以上所例示的涂布/显影装置2的结构。基板处理装置可以为具备用于形成覆膜的液处理单元U1(处理模块14、15、16的液处理单元U1)和能够控制该液处理单元U1的控制器100的任意的基板处理装置。
〔热处理单元〕
接着，详细地说明处理模块15的热处理单元U2。如图4所示，热处理单元U2具有壳体90、加热机构30、温度调整机构50以及控制器100(控制部)。
壳体90为收容加热机构30和温度调整机构50的处理容器。在壳体90的侧壁开设有晶圆W的搬入口91。另外，在壳体90内设置有板92，该板92将壳体90内划分为作为晶圆W的移动区域的上方区域和下方区域。
加热机构30为将晶圆W进行加热处理的结构。加热机构30具有支承台31、顶板部32、升降机构33、热板34、支承销35、升降机构36、排气管37、加热器38(温度调节器)以及温度传感器39(详细地说为多个温度传感器39a～39g(参照图5))。
支承台31为在中央部分形成有凹部的呈圆筒形状的构件。支承台31支承热板34。顶板部32为与支承台31具有相同程度的直径的圆板状的构件。顶板部32例如以被壳体90的顶部支承的状态与支承台31隔着间隙相向。顶板部32的上部与排气管37连接。排气管37进行腔室内的排气。
升降机构33为根据控制器100的控制使顶板部32升降的结构。通过升降机构33使顶板部32上升，由此成为进行晶圆W的加热处理的空间即腔室被打开的状态，通过顶板部32下降，成为腔室被关闭的状态。
热板34为呈圆形的平板(参照图5)，并且嵌合于支承台31的凹部。热板34载置晶圆W并且对该晶圆W提供热。热板34通过加热器38而被加热。热板34被加热器38按多个通道(区域)进行加热。在热板34的内部，针对上述多个通道的每个通道设置有构成为测定热板34的温度的多个温度传感器39a～39g(参照图5)。
加热器38为将热板34进行加热的温度调节器。加热器38例如由电阻发热体构成。加热器38构成为根据由控制器100设定的指令温度来将热板34的多个通道进行加热。即，针对加热器38，按多个通道设定有指令温度。各通道的指令温度设为能够通过控制器100单独地进行变更。加热器38以与热板34的实际温度相应的输出量将热板34进行加热。
多个温度传感器39a～39g以与热板34的多个通道(区域)分别一一对应的方式设置，用于测定对应的通道中的热板34的温度。多个温度传感器39a～39g可以设置于热板34的内部，也可以设置于热板34的下表面。图5是示意性地表示热板34中的多个温度传感器39a～39g的配置的一例的图。在图5所示的例子中，在呈圆形的热板34的中心附近设置有温度传感器39a，在热板34的外缘附近沿周向大致等间隔地设置有四个温度传感器39d、39e、39f、39g，在径向上的温度传感器39a与温度传感器39d之间设置有温度传感器39b，在径向上的温度传感器39a与温度传感器39f之间设置有温度传感器39c。
支承销35为以贯通支承台31和热板34的方式延伸并且从晶圆W的下方支承该晶圆W的构件。支承销35通过在上下方向上升降来将晶圆W配置于规定的位置。支承销35为与搬送晶圆W的温度调整板51之间进行晶圆W的交接的结构。支承销35例如沿周向等间隔地设置有三个。升降机构36为根据控制器100的控制使支承销35升降的结构。
温度调整机构50为在热板34与外部的搬送臂A3(参照图3)之间交接(搬送)晶圆W并且将晶圆W的温度调整为规定温度的结构。温度调整机构50具有温度调整板51和连结架52。
温度调整板51为对所载置的晶圆W进行温度调整的板，详细地说是载置通过热板34而被加热后的晶圆W并且将该晶圆W冷却为规定温度的板。温度调整板51例如由导热率高的铝、银或铜等金属构成，从防止由热引起的变形等观点出发，可以由相同的材料构成。在温度调整板51的内部形成有用于流通冷却水以及(或者)冷却气体的冷却流路(未图示)。
连结架52与温度调整板51连结，并且被由控制器100控制的驱动机构53驱动而在壳体90内移动。更详细地说，连结架52能够沿从壳体90的搬入口91延伸至加热机构30的附近的导轨(未图示)移动。连结架52沿导轨(未图示)移动，由此温度调整板51能够从搬入口91移动至加热机构30。连结架52例如由导热率高的铝、银或铜等金属构成。
控制器100构成为执行以下控制：针对热板34的多个通道的每个通道计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的正常范围内，所述温度偏移量是温度传感器39的显示温度(温度传感器39测定的测定温度)同与加热器38的设定相应的理想温度的差；以及基于判定结果来确定异常区域(例如在存在温度偏移量不为正常范围内的通道的情况下，将该通道确定为异常通道)。控制器100考虑温度偏移量不为正常范围内的区域的温度偏移量和温度偏移量为正常范围内的区域的温度偏移量这两方来确定异常区域。
控制器100考虑与多个通道分别对应的加热器38的输出量来确定异常通道。控制器100在多个通道中存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，将该通道确定为异常通道，在不存在该通道的情况下，将温度偏移量不为正常范围内的通道确定为异常通道。
在热板34的温度成为稳定状态后，控制器100开始判定温度偏移量是否为正常范围内。控制器100在热板34的温度为稳定状态的期间持续进行温度偏移量是否为上述的正常范围内的判定。
控制器100将上述的正常范围设定为正常运转的热板34的稳定状态下的、温度传感器39的显示温度与上述的理想温度的差可能变动的范围大。
控制器100构成为还执行以下控制：通过变更与异常通道有关的加热器38的指令温度来进行校正控制，以使该异常通道的温度偏移量成为正常范围内。控制器100在进行上述指令温度的变更后，重复进行指令温度的变更，直至成为与异常通道有关的加热器38的输出量同与正常时的上述指令温度对应的加热器38的输出量的差比规定值小的第一状态为止。在成为第一状态后，控制器100基于异常通道的温度传感器39的显示温度来判定可否继续进行之后的处理。
如图4所示，控制器100具有搬送控制部101、判定部102、异常通道确定部103以及校正部104来作为功能模块。
搬送控制部101控制升降机构33，以使腔室通过顶板部32的升降进行开闭。另外，搬送控制部101控制升降机构36，以通过支承销35的升降在温度调整板51与支承销35之间进行晶圆W的交接。另外，搬送控制部101控制驱动机构53，以使温度调整板51在壳体90内移动。
判定部102针对热板34的多个通道的每个通道计算温度传感器39的显示温度同与加热器38的设定相应的理想温度的差即温度偏移量，并且判定该温度偏移量是否为规定的正常范围(下面记载为“带宽”)内。判定部102以规定的时间间隔从多个温度传感器39a～39g获取显示温度。与加热器38的设定相应的理想温度为根据预先针对加热器38设定的指令温度而被假定为热板34的温度(正常状态的热板34的温度)的温度。判定部102将上述的带宽设定为比作为正常运转的热板34的稳定状态下的温度传感器39的显示温度与理想温度的差异可能变动的范围(例如根据腔室的开闭可能变动的范围)大。
判定部102在热板34的温度成为稳定状态之后开始判定温度偏移量是否为带宽内。即，当在工艺开始时的有意使施加于热板34的输出量变化的升温控制时的过渡期、降温控制时，判定部102不进行温度偏移量的判定，在热板34的温度成为稳定状态后开始该判定。判定部102在热板34的温度为稳定状态的期间持续进行温度偏移量是否为带宽内的判定。
在存在温度偏移量不为带宽内的通道的情况下，异常通道确定部103将该通道确定为异常通道。另外，异常通道确定部103考虑与多个通道分别对应的加热器38的输出量来确定异常通道。像这样，异常通道确定部103考虑温度偏移量和加热器38的输出量来确定异常通道。
具体地说，在多个通道中存在加热器38的输出量的与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，异常通道确定部103将该通道确定为异常通道(确定处理2)，在不存在该通道的情况下，将温度偏移量不在带宽内的通道确定为异常通道(确定处理1)。
参照图6的(a)来说明进行上述的确定处理1的情况下的温度偏移机制的一例。在图6的(a)中，关于两个通道(CH1、CH2)分别示出显示温度(由与CH1对应的温度传感器39a测定的测定温度以及由与CH2对应的温度传感器39b测定的测定温度)和实际温度，纵轴表示温度，横轴表示时间。在图6的(a)中，按照时间的经过示出正常状态ST1、上升第一状态ST2以及上升第二状态ST3。
在图6的(a)所示的正常状态ST1中，两个通道的显示温度和实际温度均设为400℃左右。从该状态起，例如当在温度传感器39a中发生半断路而温度传感器39a的电阻值增加时，CH1的显示温度偏离实际温度，成为430℃左右，成为仅CH1的显示温度上升的上升第一状态ST2。在这样的情况下，加热器38中的与CH1对应的指令温度向使CH1的温度降低与上升量相应的量的方向变更，因此成为CH1的显示温度和实际温度下降的上升第二状态ST3。但是，由于与CH1接近的CH2的温度产生影响，因此在上升第二状态ST3中，CH1的显示温度不会下降至原来的400℃。另外，在上升第二状态ST3中，CH1的实际温度下降的影响还波及到CH2，CH2的显示温度和实际温度也稍微(以比CH1小的幅度)下降。
在上升第二状态ST3中，相比于正常状态ST1，CH1和CH2的实际温度均下降，因此不存在根据实际温度发生变化的加热器38的输出量明显地变大的通道。另外，在上升第二状态ST3中，CH1的显示温度上升(即温度偏移量变大)，并且实际温度大幅度下降(即成为异常通道)。根据以上记载，在不存在输出量的与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，进行确定处理1，将温度偏移量不为带宽内的通道确定为异常通道，由此能够恰当地确定异常通道。
参照图6的(b)来说明进行上述的确定处理2的情况下的温度偏移机制的一例。在图6的(b)中，关于两个通道(CH1、CH2)分别示出显示温度(由与CH1对应的温度传感器39a测定的测定温度以及由与CH2对应的温度传感器39b测定的测定温度)和实际温度，纵轴表示温度，横轴表示时间。在图6的(b)中，按照时间的经过示出正常状态ST101(左侧所示的状态)、下降第一状态ST102(正中间所示的状态)以及下降第二状态ST103(右侧所示的状态)。
在图6的(b)所示的正常状态ST101中，两个通道的显示温度和实际温度均为400℃左右。从该状态起，当温度传感器39a的电阻值减少时，CH1的显示温度偏离实际温度，成为370℃左右，成为仅CH1的显示温度下降的下降第一状态ST102。在这样的情况下，加热器38中的与CH1对应的指令温度向使CH1的温度上升与下降量相应的量的方向变更，因此成为CH1的显示温度和实际温度上升的下降第二状态ST103。但是，由于与CH1接近的CH2的温度产生影响，因此在下降第二状态ST103中，CH1的显示温度不会上升至原来的400℃。另外，在下降第二状态ST103中，CH1的实际温度上升的影响也会波及到CH2，CH2的显示温度和实际温度也稍微(以比CH1小的幅度)上升。
在下降第二状态ST103中，相比于正常状态ST1，CH1的实际温度大幅度上升(成为异常通道)，与CH1对应的加热器38的输出量明显地变大。另外，在下降第二状态ST103中，CH2的显示温度比CH1的显示温度高(即CH2的温度偏移量变大)。根据以上记载，在存在输出量的与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，进行确定处理2，不将温度偏移量大的通道而将输出量大的通道确定为异常通道，由此能够恰当地确定异常通道。
参照图7来说明进行确定处理1和确定处理2的情况下的异常通道的确定。图7所示的七个通道(CH1～CH7)与图5所示的CH1～CH7对应。即，与图7所示的CH1～CH7对应的温度传感器39分别为图5所示的温度传感器39a～39g。图7所示的“CH1操作”是使CH1的实际温度上升或下降。“CH2操作”和“CH4操作”也同样是使CH2(或CH4)的实际温度上升或下降。
在图7中表示曲线图g1～g9这九个曲线图。曲线图g1～曲线图g3表示使各通道的实际温度变化了的情况下的各通道的温度偏移量。详细地说，曲线图g1表示使CH1的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的温度偏移量，曲线图g2表示使CH2的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的温度偏移量，曲线图g3表示使CH4的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的温度偏移量。另外，曲线图g4～曲线图g6表示使各通道的实际温度变化了的情况下的各通道的输出量(加热器38的输出量)和不使实际温度变化的情况下的正常时的各通道的输出量。详细地说，曲线图g4表示使CH1的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的输出量以及正常时的输出量，曲线图g5表示使CH2的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的输出量以及正常时的输出量，曲线图g6表示使CH4的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的各通道的输出量以及正常时的输出量。另外，曲线图g7～曲线图g9表示使各通道的实际温度变化了的情况下的各通道的输出差(与不使温度变化的正常时的输出差)。详细地说，曲线图g7表示使CH1的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的输出差，曲线图g8表示使CH2的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的输出差，曲线图g9表示使CH4的实际温度上升20℃的情况和下降20℃的情况下的输出差。
如图7的曲线图g1～g3所示，在使实际温度下降20℃的情况(曲线图g1～g3中用“20℃”表示的情况)下，使实际温度变化而成为异常通道的通道的温度偏移量变大。在图7所示的例子中，例如通过将带宽设为1.5℃，能够仅提取温度实际发生了变化的异常通道。另一方面，如图7的曲线图g1～g3所示，在使实际温度上升20℃的情况(曲线图g1～g3中用“-20℃”表示的情况)下，实际温度变化的通道以外的温度偏移量变大。例如，在曲线图g1中，CH1附近的(参照图5)CH2和CH3的温度偏移量变大。据此，可以说有时仅根据温度偏移量无法确定异常通道。
如图7的曲线图g4～g6所示，在使实际温度上升20℃的情况(曲线图g4～g9中用“-20℃”表示的情况)下，使实际温度变化而成为异常通道的通道的输出量变大。在该情况下，如图7的曲线图g7～g9所示，使实际温度变化而成为异常通道的通道与正常时的输出量的差也变大。在图7所示的例子中，例如将用于判定输出量与正常值的差是否为规定值以上的该规定值设为输出量的约20％，由此能够仅提取温度实际发生了变化的异常通道(参照图7的曲线图g7～g9)。
根据以上记载，在多个通道中存在输出量的与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，异常通道确定部103将该通道确定为异常通道(确定处理2)，在不存在这样的该通道的情况下，将温度偏移量不为带宽内的通道确定为异常通道(确定处理1)，由此能够高精度地确定异常通道。
校正部104通过变更与异常通道有关的加热器38的指令温度来进行校正控制，以使该异常通道的温度偏移量为正常范围内。具体地说，校正部104从被异常通道确定部103确定为异常通道的通道的温度传感器39获取热板34的温度，变更加热器38的指令温度，以使温度向改善温度异常的方向变化。校正部104在进行上述的指令温度的变更后，重复进行指令温度的变更，直至成为与异常通道有关的加热器38的输出量同与正常时的上述指令温度对应的加热器38的输出量的差比规定值小的第一状态为止。在成为上述的第一状态后，校正部104基于异常通道的温度传感器39的显示温度来判定可否继续进行之后的处理。具体地说，校正部104在从异常通道的温度传感器39获取到的显示温度接近该通道的理想温度的情况下，继续进行之后的处理，在不接近的情况下中止之后的处理。尽管成为第一状态(输出量正常并且实际温度被正确地校正而接近了理想温度)但温度传感器39的显示温度偏离理想温度即表示温度传感器39无法正常地动作，因此可以中止之后的处理。
控制器100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制器100具有图8所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、存储器122、存储装置123、输入输出端口124以及计时器125。
输入输出端口124与升降机构33、36、驱动机构53、温度传感器39以及加热器38之间进行电信号的输入输出。计时器125例如通过对固定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。存储装置123例如具有硬盘等能够由计算机读取的记录介质。记录介质记录有用于执行后述的基板处理过程的程序。记录介质可以为非易失性的半导体存储器、磁盘、光盘等能够取出的介质。存储器122暂时记录从存储装置123的记录介质加载来的程序和处理器121的运算结果。处理器121与存储器122协作地执行上述程序，由此构成上述的各功能模块。
此外，控制器100的硬件结构不一定限于由程序构成各功能模块。例如，控制器100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或将该专用的逻辑电路集成所得到的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
〔基板处理过程〕
接着，作为基板处理方法的一例，参照图9来说明热处理单元U2根据控制器100的控制执行的基板处理过程。图9所示的基板处理的顺序与其它基板处理并行地执行，并且在热板34的温度为稳定状态的期间持续执行。
在图9所示的处理中，首先执行步骤S1。在步骤S1中，控制器100判定是否存在显示温度异常的通道(异常通道)。具体地说，控制器100针对热板34的多个通道的每个通道计算温度传感器39的显示温度同与加热器38的设定相应的理想温度的差即温度偏移量，并且判定该温度偏移量是否为规定的带宽内，在存在不是带宽内的通道的情况下，判定为存在异常通道。
接着，执行步骤S2。在步骤S2中，控制器100判定是否存在输出量的上升程度大的通道。具体地说，控制器100针对多个通道判定是否存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的通道。当在步骤S2中判定为存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，执行步骤S3，在判定为不存在的情况下，执行步骤S4。
在步骤S3中，控制器100将输出量的上升程度大(输出量与正常时的输出量的差为规定值以上)的通道确定为异常通道。在步骤S4中，控制器100将判定为温度偏移量不为带宽内的通道(温度偏移通道)确定为异常通道。
接着，执行步骤S5。在步骤S5中，控制器100执行校正控制。以上是基板处理过程的一例。
接着，参照图10来详细地说明上述的基板处理过程的步骤5(校正控制)。在图10所示的处理中，首先执行步骤S51。在步骤S51中，控制器100变更与异常通道有关的加热器38的指令温度。具体地说，校正部104从被异常通道确定部103确定为异常通道的通道的温度传感器39获取热板34的温度，变更加热器38的指令温度，以使温度向改善温度异常的方向变化。
接着，执行步骤S52。在步骤S52中，控制器100判定从步骤S51中的指令温度的变更起是否经过了规定时间(是否待机了规定的稳定时间)。当在步骤S52中判定为经过了规定时间的情况下，执行步骤S53，在判定为没有经过的情况下，再次执行步骤S52。
在步骤S53中，控制器100判定是否为与异常通道有关的加热器38的输出量(当前的输出量)MV同与正常时的上述指令温度(即在步骤S51中变更前的指令温度)对应的加热器38的输出量(正常时的输出量)MV'的差比规定值小的第一状态。当在步骤S53中判定为不是第一状态的情况下，再次执行步骤S51的处理，再次变更指令温度。另一方面，当在步骤S53中判定为是第一状态的情况下，执行步骤S54。
在步骤S54中，控制器100判定从异常通道的温度传感器39获取到的显示温度PV与该通道的理想温度SV的差是否比规定值小。当在步骤S54中判定为比规定值小(即，显示温度PV接近理想温度SV)的情况下，控制器100判定为正常处理，并且继续进行之后的处理(步骤S55)。另一方面，当在步骤S54中判定为比规定值小的情况下，控制器100判定为异常处理，并且中止之后的处理(步骤S56)。以上是校正控制处理的一例。
〔作用效果〕
热处理单元U2具备载置晶圆W并且对晶圆W提供热的热板34、将热板34进行加热的加热器38、与热板34的多个通道对应地设置并且测定热板34的温度的多个温度传感器39a～39g、以及控制器100，其中，控制器100构成为执行以下控制：针对多个通道的每个通道计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的带宽内，所述温度偏移量是温度传感器39的显示温度同与加热器38的设定相应的理想温度的差；以及基于判定结果来确定异常区域(例如在存在温度偏移量不为带宽内的通道的情况下，将该通道确定为异常区域)。
在该热处理单元U2中，与热板34的多个通道对应地分别设置有温度传感器39。而且，针对多个通道的每个通道判定显示温度与理想温度的差即温度偏移量是否为带宽内，并且基于该判定的结果来确定异常通道。像这样，针对多个通道的每个通道设置温度传感器39a～39g，针对多个通道的每个通道判定温度偏移量是否为带宽内，将该判定结果使用于异常通道的确定，由此能够考虑多个通道各自的温度状况(有无发生温度异常)来确定异常通道。通过考虑各通道的温度状况，例如相比于整体只设置一个温度传感器的情况，能够高精度地确定引起了温度异常的异常通道(问题发生区域)。
控制器100可以考虑温度偏移量不为带宽内的通道的温度偏移量和温度偏移量为带宽内的通道的温度偏移量这两方来确定异常通道。例如，考虑两个通道中的一个通道的显示温度比另一个通道的显示温度高且判定为仅一个通道的温度偏移量不为带宽内的情况。在该情况下，例如估计为两个通道中的任一通道的实际温度比正常时下降了。当上述的另一个通道(被判定为温度偏移量为带宽内的通道)的实际温度下降了时，另一个通道的温度偏移量为带宽内，恰当地利用加热器38进行控制，以使另一个通道的热影响不会过度地波及到一个通道，一个通道的温度偏移量为带宽内，因此认为不会稳定在上述的状态(仅一个通道的温度偏移量不为带宽内的状态)下。因而，认为另一个通道的实际温度不会下降。另一方面，当一个通道(被判定为温度偏移量不为带宽内的通道)的实际温度下降时，即使在利用加热器38进行控制以使一个通道的温度根据一个通道的显示温度而下降的情况(使与一个通道对应的加热器38的输出例如为零的情况)下，另一个通道带来的热影响使得实际温度被提升，显示温度也与该提升的量相应地上升，温度偏移量不为带宽内的状态可能会继续。因而，在实际温度下降的情形中，当判定为一个通道的温度偏移量不为带宽内，并且判定为另一个通道的温度偏移量为带宽内的情况下，一个通道的实际温度下降，能够将该一个通道确定为异常通道。像这样，通过考虑温度偏移量不为带宽内的通道的温度偏移量以及为带宽内的通道的温度偏移量，能够恰当地确定异常通道。
控制器100考虑与多个通道分别对应的加热器38的输出量来确定异常通道。例如，在关于异常通道进行温度控制的情况下，该温度控制的影响也波及到异常通道以外的区域，有时异常通道以外的通道的温度偏移量为带宽外。在异常通道以外的通道的温度偏移量为带宽外的情况下，仅根据温度偏移量无法唯一地确定异常通道。在此，加热器38的输出量根据热板34的实际温度发生变化。因此，控制器100考虑加热器38的输出量来确定异常通道，由此能够恰当地确定实际温度大幅度发生了变化的通道(即异常通道)。即，通过考虑输出量来确定异常通道，能够精度更高地确定发生了温度异常的通道。
在多个通道中存在输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的通道的情况下，控制器100将该通道确定为异常通道，在不存在这样的该通道的情况下，将温度偏移量不为带宽内的通道确定为异常通道。
例如，作为由于与温度传感器19有关的问题等使得温度传感器19的测定温度偏离热板34的实际温度的方式，考虑显示温度比实际温度高的情形(显示温度上升情形)和显示温度比实际温度低的情形(显示温度下降情形)。在显示温度上升情形中，基于该显示温度来变更加热器38的设定(向使温度下降的方向变更)，该加热器38所对应的通道(显示温度上升通道)的显示温度和实际温度下降。而且，显示温度上升通道的实际温度下降的影响还波及到其它通道，因此其它通道的显示温度和实际温度也稍微(以比显示温度上升通道小的幅度)下降。像这样，在显示温度上升情形中，相比于其它通道，在显示温度上升通道中，显示温度变高并且由于实际温度下降而输出量变小。在显示温度上升情形中，显示温度上升通道和其它通道的实际温度均下降并且输出量变小，因此在多个通道中不存在与正常时的输出量的差大的通道。而且，实际温度相比于其它通道下降而可能成为异常通道的显示温度上升通道相比于其它通道而言，显示温度高并且温度偏移量大。根据以上记载，在不存在与正常时的输出量的差大的通道的情况下，将温度偏移量大的(不为带宽内的)通道确定为异常通道，由此能够高精度地确定发生了温度异常的通道。另外，在显示温度下降情形中，当基于该显示温度来变更加热器38的设定(向使温度提高的方向变更)时，该加热器38所对应的通道(显示温度下降通道)的显示温度和实际温度上升。而且，由于显示温度下降通道的实际温度上升的影响还波及到其它通道，因此其它通道的显示温度和实际温度也稍微(以比显示温度下降通道小的幅度)上升。像这样，在显示温度下降情形中，相比于其它通道，在显示温度下降通道中，显示温度低并且由于实际温度上升而输出量变大。在显示温度下降情形中，可能成为异常通道的显示温度下降通道的输出量相比于其它通道明显变大。而且，其它通道的显示温度比显示温度下降通道高(即温度偏移量大)。根据以上记载，在存在输出量的差大的通道的情况下，不将温度偏移量大的通道而将与正常时的输出量的差大的通道确定为异常通道，由此能够高精度地确定发生了温度异常的通道。
在热板34的温度成为稳定状态后，控制器100判定开始温度偏移量是否为正常范围内。由此，在有意使从加热器38施加于热板34的输出量变化的升温控制时的过渡期等，不进行温度偏移量的判定，能够将异常通道的确定限定在必要的期间(稳定状态的期间)来进行与异常通道的确定有关的处理。
控制器100将上述的正常范围设定为比作为正常运转的热板34的稳定状态下的、温度传感器39的显示温度与上述的理想温度的差可能变动的范围大。由此，在虽为正常的运转状态但显示温度大幅度变动的状态下，例如在达到稳定状态后的装置运转期间搬入晶圆W等时(腔室开放时)，能够防止判定为温度偏移量不为带宽内。即，通过上述的控制能够防止正常的工艺被妨碍。
加热器38构成为根据预先设定的指令温度将多个通道进行加热，控制器100构成为还执行以下控制：通过变更与异常通道有关的加热器38的指令温度来进行校正控制，以使该异常通道的温度偏移量成为正常范围内。通过变更针对加热器38设定的指令温度，能够简易且恰当地校正异常通道的温度偏移量。
控制器100在进行上述指令温度的变更后，重复进行指令温度的变更，直至成为与异常通道有关的加热器38的输出量同与正常时的上述指令温度对应的加热器38的输出量的差比规定值小的第一状态为止。例如，在半断路的温度传感器19的显示温度偏离热板34的实际温度这样的情况下，认为温度传感器19的显示温度不准确。在这样的情况下也是，判定与实际温度对应的输出量是否正常，在不正常的情况下，重复进行变更指令温度的处理，由此能够不依赖于温度传感器19的显示温度的准确性地校正温度异常。
控制器100在成为第一状态后，控制器100基于异常通道的温度传感器39的显示温度来判定可否继续进行之后的处理。在成为第一状态并且温度异常被校正后(即实际温度准确的状态下)，判定成为异常通道的通道的温度传感器19的显示温度是否准确，由此能够恰当地判定可否使用该温度传感器19继续进行处理。
控制器100在热板34的温度为稳定状态的期间持续判定温度偏移量是否为上述的正常范围内。在为稳定状态的期间，持续进行异常通道的探测，由此不需要用于探测异常通道的专用动作，能够以不会对通常的装置运转制程带来影响的方式进行异常通道的探测。
以上说明了实施方式，但本公开并不限定于上述实施方式。
例如，说明了考虑加热器38的输出量来确定异常通道的例子，但在始终能够仅根据温度偏移量来确定异常通道的情况下，可以不依赖于加热器38的输出量，仅根据温度偏移量来确定异常通道。
附图标记说明
2：涂布/显影装置(基板处理装置)；34：热板；38：加热器(温度调节器)；39a、39b、39c、39d、39e、39f、39g：温度传感器；100：控制器(控制部)；W：晶圆(基板)。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，具备：
热板，其载置基板并且向基板提供热；
温度调节器，其将所述热板进行加热；
多个温度传感器，所述多个温度传感器与所述热板的多个区域对应地设置，用于测定所述热板的温度；以及
控制部，
其中，所述控制部构成为执行以下控制：
针对所述多个区域的每个区域计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的正常范围内，所述温度偏移量是所述温度传感器的测定温度同与所述温度调节器的设定相应的理想温度的差；以及
基于判定结果来确定异常区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在考虑所述温度偏移量不为所述正常范围内的区域的所述温度偏移量以及所述温度偏移量为所述正常范围内的区域的所述温度偏移量这两方来确定所述异常区域。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部考虑与所述多个区域分别对应的所述温度调节器的输出量来确定所述异常区域。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在所述多个区域中存在所述输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的区域的情况下，将该区域确定为所述异常区域，在不存在该区域的情况下，将所述温度偏移量不为所述正常范围内的区域确定为所述异常区域。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述热板的温度成为稳定状态之后，所述控制部开始判定所述温度偏移量是否为所述正常范围内。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部将所述正常范围设定为比正常运转的所述热板的稳定状态下的所述测定温度与所述理想温度的差可能变动的范围大。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节器构成为根据预先设定的指令温度将所述多个区域进行加热，
所述控制部构成为还执行以下控制：通过变更与所述异常区域有关的所述指令温度来进行校正控制，以使该异常区域的所述温度偏移量成为所述正常范围内。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在进行所述指令温度的变更后，重复进行所述指令温度的变更，直至成为与所述异常区域有关的所述温度调节器的输出量同与正常时的所述指令温度对应的所述温度调节器的输出量的差比规定值小的第一状态。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
在成为所述第一状态后，所述控制部基于所述异常区域的所述测定温度来判定可否继续进行之后的处理。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在所述热板的温度为稳定状态的期间持续判定所述温度偏移量是否为所述正常范围内。
11.一种基板处理方法，包括以下工序：
计算温度偏移量并判定该温度偏移量是否为规定的正常范围内，所述温度偏移量是对基板提供热的热板的多个区域的测定温度与所述多个区域的理想温度的差；以及
基于判定结果来确定异常区域。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述确定异常区域的工序中，考虑所述温度偏移量不为所述正常范围内的区域的所述温度偏移量以及所述温度偏移量为所述正常范围内的区域的所述温度偏移量这两方来确定所述异常区域。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述确定异常区域的工序中，考虑与所述多个区域分别对应的温度调节器的输出量来确定所述异常区域。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述确定异常区域的工序中，在所述多个区域中存在所述输出量与正常时的输出量的差为规定值以上的区域的情况下，将该区域确定为所述异常区域，在不存在该区域的情况下，将所述温度偏移量不为所述正常范围内的区域确定为所述异常区域。
15.根据权利要求11至14中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述热板的温度成为稳定状态后，开始所述进行判定的工序。
16.根据权利要求11至15中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述正常范围设定为比正常运转的所述热板的稳定状态下的所述测定温度与所述理想温度的差可能变动的范围大，来执行所述进行判定的工序。
17.根据权利要求11至16中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：
通过变更将所述热板进行加热的温度调节器的指令温度来进行校正控制，以使所述异常区域的所述温度偏移量成为所述正常范围内。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述进行校正控制的工序中，在进行所述指令温度的变更后，重复进行所述指令温度的变更，直至成为与所述异常区域有关的所述温度调节器的输出量同与正常时的所述指令温度对应的所述温度调节器的输出量的差比规定值小的第一状态为止。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述进行校正控制的工序中，在成为所述第一状态后，基于所述异常区域的所述测定温度来判定可否继续进行之后的处理。
20.根据权利要求11至19中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述热板的温度为稳定状态的期间，持续执行所述进行判定的工序。
21.一种计算机可读取的存储介质，存储有用于使装置执行根据权利要求11至20中的任一项所述的基板处理方法的程序。
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