JP7003260B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
以下、第1実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1~図3に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール15の熱処理ユニットU2について図4~図8を参照して詳細に説明する。図4及び図5に示されるように、熱処理ユニットU2は、筐体90と、温度調整機構50と、加熱機構30と、吸引部70(図5参照)と、コントローラ100(制御部)とを有する。なお、図4及び図5については、いずれも熱処理ユニットU2の一部の構成を示すものであり、熱処理ユニットU2の全ての構成を示すものではない。
第2配管75d~75fは、その一端がバルブ74a~74cに接続されると共に、その他端が第2吸着孔34d~34f内をとおり第2吸着孔34d~34fの上端(ウェハWと対向する部分)にまで到達している。すなわち、第2配管75dはバルブ74a及び第2吸着孔34dの上端を連絡するように延びており、第2配管75eはバルブ74b及び第2吸着孔34eの上端を連絡するように延びており、第2配管75fはバルブ74c及び第2吸着孔34fの上端を連絡するように延びている。なお、第2配管75d~75fは、その他端が第2吸着孔34d~34fの入り口(下端)までしか延びていない構成(第2吸着孔34d~34f内に第2配管75d~75fが通っていない構成)であってもよい。
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ100の制御に応じて熱処理ユニットU2が実行する基板処理手順を、図9~図12を参照して説明する。
図10は粗推定処理を示すフローチャートである。図10に示されるように、粗推定制御では、コントローラ100は、最初に、ウェハWを支持する支持ピン35の降下が開始されるように、昇降機構36を制御すると共に(ステップS11)、各グループ(同時に吸引力を付与する第2吸着孔34d~34fに対応する第2配管74d~75fのグループ)毎に、吸引が開始されるように、バルブ74a~74cを制御する(ステップS12)。コントローラ100は、異なるグループに属する第2配管75d~75fにおける吸引が同時に行われないように、バルブ74a~74cを制御する。
図11は本推定処理を示すフローチャートである。図11に示されるように、本推定制御では、コントローラ100は、最初に、ウェハWを支持する支持ピン35の降下が開始されるように、昇降機構36を制御すると共に(ステップS31)、各第2吸着孔34d~34fに対応する第2配管75d~75f毎に吸引が開始されるように、バルブ74a~74cを制御する(ステップS33)。コントローラ100は、複数の第2吸着孔34d~34fの吸引が同時に行われないように、バルブ74a~74cを制御する。
図12は吸着制御処理を示すフローチャートである。図12に示されるように、吸着制御では、コントローラ100は、最初にウェハWの反り情報を取得する(ステップS51)。つづいて、コントローラ100は、反り情報に基づいて、各第1吸着孔34a~34cについて、吸着処理を行う順序と、吸着量とを決定する(ステップS52)。具体的には、コントローラ100は、ウェハWの各領域の高さ情報に基づいて、熱板34との距離が近いウェハWの領域から順に吸着が行われるように、吸着順序を決定する。また、コントローラ100は、ウェハWの各領域の高さ情報に基づいて、熱板34との離間距離が長いウェハWの領域ほど吸引量が大きくなるように、吸引量を決定する。最後に、コントローラ100は、決定した吸着順序及び吸引量で処理が行われるように、バルブ74a~74cを制御する。
従来の手法では、事前にウェハWの反り情報を把握することなくプロセス処理を行っている。この場合、例えば図13に示されるように、中央に向かって凸反りを有する凸形状のウェハWを処理する場合に、フラットなウェハであれば温度調整プレート51と干渉しない位置であっても、ウェハWの外端が温度調整プレート51に干渉してしまうそれがある(図13(a)参照)。また、熱板34にウェハWを載置する際においては、通常、ウェハWが十分に熱板34に近づいた状態となってからウェハWの降下速度を低下させる。図13(b)に示されるような凸形状のウェハWを用いると、フラットなウェハWを用いている場合において通常の降下速度とされるタイミング(すなわち、ウェハWが熱板34に近づいていないタイミング)であっても、熱板34に到達してしまうことがあり、この場合には、ウェハWと熱板34との接触速度が大きくなり、熱板34上でウェハWの位置がずれてしまうおそれがある。このように、ウェハWの反り情報を把握せずにプロセス処理を行った場合には、フラットなウェハと同様に適切な処理を行うことが難しい場合があった。このことから、ウェハWの反り情報を事前に把握することが求められている。
以下、第2実施形態について図15及び図16を参照しつつ説明する。なお、第2実施形態の説明においては、第1実施形態と異なる点について主に説明し、第1実施形態と同様の説明を省略する。
Claims (10)
- 処理対象の基板を載置可能に構成された載置部と、
前記載置部に前記基板が載置されるように、前記基板及び前記載置部の少なくともいずれか一方を昇降可能に構成された昇降部と、
前記載置部に前記基板が吸着されるように、前記基板の裏面の複数の領域に対して吸引力を付与する複数の吸引部と、
前記基板が前記載置部に近づくことに応じた、前記複数の吸引部それぞれにおける圧力変化に基づいて、前記基板の反り情報を推定する制御部と、を備え、
前記昇降部は、前記載置部に対して前記基板を近づけるように前記基板を昇降させ、
前記制御部は、
前記吸引部の圧力変化量が所定値以上か否かを判定し、該圧力変化量が所定値以上の場合に、前記昇降部から前記基板の高さ情報を取得し、該高さ情報に基づいて前記基板の反り量を推定し、
前記複数の吸引部それぞれが、互いに異なるタイミングにおいて吸引力の付与を行うように、前記複数の吸引部を制御する第1制御と、
前記第1制御に先んじて、前記複数の吸引部のうち吸引力の相互干渉を起こさない2つ以上の吸引部からなるグループ毎に、前記複数の吸引部を制御する第2制御と、を行う、基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記複数の吸引部毎の、前記圧力変化量が所定値以上となるタイミングの違いに応じて、前記基板の反り形状を推定する、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記第2制御において、前記基板の裏面の互いに隣接する領域に対して吸引力を付与する2つの吸引部については、互いに異なるグループとする、請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板の反り量を推定した後に、前記吸引部の容積を増加させるよう前記吸引部を制御する、請求項1~3のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記基板の反り情報に基づいて、前記複数の吸引部それぞれの吸引タイミングを決定し、決定した該吸引タイミングで吸引力の付与を行うように、前記複数の吸引部を制御する、請求項1~4のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記基板の反り情報に基づいて、前記複数の吸引部それぞれの吸引量を決定し、決定した該吸引量で吸引力の付与を行うように、前記複数の吸引部を制御する、請求項5記載の基板処理装置。 - 前記載置部は、前記基板を加熱する熱板であり、
前記制御部は、
前記基板の反り情報に基づいて、前記熱板における温度分布を調節する、請求項1~6のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記昇降部は、前記載置部に対して前記基板を近づけるように前記基板を昇降させ、
前記制御部は、
前記基板の反り情報に基づいて、前記昇降部の昇降量及び昇降速度の少なくともいずれか一方を制御する、請求項1~7のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 載置部に載置される基板の複数の領域に対して吸引力を付与することと、
前記基板が前記載置部に近づくことに応じて変化する、前記吸引力の付与に係る圧力の変化に基づいて、前記基板の反り情報を推定することと、を含み、
前記吸引力の付与に係る圧力の変化量が所定値以上か否かを判定し、該圧力の変化量が所定値以上の場合に、前記基板の高さ情報を取得し、該高さ情報に基づいて前記基板の反り量を推定し、
前記複数の領域にて、互いに異なるタイミングにおいて吸引力の付与を行う第1制御と、
前記第1制御に先んじて、吸引力の相互干渉を起こさない2つ以上の領域からなるグループ毎に、吸引力の付与を行う第2制御と、を行う、基板処理方法。 - 請求項9記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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