JP6442582B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体に関する。

半導体製造工程において、ウェハ（基板）には、露光用の被膜の成膜処理、露光処理及び現像処理などが施される。これらの処理を経て、ウェハには反りが生じる場合がある。この反りに関する計測データを取得するための技術として、特許文献１には、ステッパ露光装置の自動焦点合わせによりウェハの反り量を求める反り測定方法が開示されている。

特開平１０−１９９９４７号公報

特許文献１に記載の反り測定方法により求められる基板の反り量は、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。しかしながら、この反り測定方法では、反り量を求めている最中に露光処理を行うことができないので、スループットが低下するおそれがある。

本開示は、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。

本開示に係る基板処理装置は、基板の表面に感光性被膜を形成するための成膜部と、成膜部及び露光装置の間に介在する中継部と、基板の反りに関する計測データを取得するための反りデータ取得部と、露光装置との間でデータ通信を行うための通信部と、成膜部、中継部、反りデータ取得部及び通信部を制御するための制御部と、を備え、制御部は、基板の表面に感光性被膜を形成するように成膜部を制御する成膜制御部と、基板を露光装置に送り出すように中継部を制御する中継制御部と、成膜制御部による制御の後、中継制御部による制御の前に、反りに関する計測データを取得するように反りデータ取得部を制御する計測制御部と、反りに関する計測データを露光装置に送信するように通信部を制御する通信制御部と、を有する。

この基板処理装置では、基板の反りに関する計測データが露光装置に送信される。反りに関する計測データは、成膜後（感光性被膜の形成後）に取得される。成膜後における基板の反り状態は、露光処理の直前における基板の反り状態に近似する。このため、露光装置に送信される計測データは、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。また、反りに関する計測データは、露光装置への基板の送出前に測定される。このため、成膜後、露光装置に送り出されるのを待機する間を利用して計測データを取得できる。従って、この基板処理装置は、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

基板の裏面に粗面加工を施すための粗面加工部を更に備え、制御部は、計測制御部による制御の後、中継制御部による制御の前に、反りに関する計測データに基づいて基板の裏面に粗面加工を施すように粗面加工部を制御する加工制御部を更に有してもよい。

この場合、通信制御部及び通信部を備えることは必須ではない。すなわち基板処理装置は、基板の表面に感光性被膜を形成するための成膜部と、成膜部及び露光装置の間に介在する中継部と、基板の反りに関する計測データを取得するための反りデータ取得部と、基板の裏面に粗面加工を施すための粗面加工部と、制御部と、を備え、制御部は、基板の表面に感光性被膜を形成するように成膜部を制御する成膜制御部と、成膜制御部による制御の後に、反りに関する計測データを取得するように反りデータ取得部を制御する計測制御部と、計測制御部による制御の後に、反りに関する計測データに基づいて基板の裏面に粗面加工を施すように粗面加工部を制御する加工制御部と、加工制御部による制御の後に、基板を露光装置に送り出すように中継部を制御する中継制御部と、を有するものであってもよい。

反っている基板が露光装置の載置面上に配置された場合であっても、基板は吸着等によって強制的に平坦化される。このときに、露光装置の載置面と基板の裏面との間の滑りが悪いと、平坦化に伴う基板の歪が大きくなり、露光精度が低下するおそれがある。これに対し、基板の裏面に粗面加工を施すことで、露光装置の載置面と基板の裏面との間に生じるクーロン力を低下させ、これらの間の滑り性を向上させることができる。これにより、基板の歪に起因する露光精度の低下を抑制できる。また、基板の反りに関する計測データに基づいて粗面加工を行うことで、粗面加工の程度を適正化し、スループットの低下を抑制できる。従って、このような基板処理装置も、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

反りデータ取得部は、基板の周縁部を保持するための保持部と、保持部により保持された基板の反りに関する計測を行うための計測部と、を有してもよい。反りに関する計測値は基板の自重の影響を受けるので、基板の反り状態を求めるには、基板の自重の影響を計測値から除去する演算が必要である。計測の際に基板の周縁部を保持すると、基板の自重が計測値に及ぼす影響を推定し易い傾向がある。このため、基板の反り状態を容易に求めることができる。

計測部は、保持部により保持された基板の裏面側に配置され、裏面までの距離を計測してもよい。この場合、基板の表面に形成される凹凸パターンの影響を受けることなく反りに関する計測を行うことができるので、より高い精度で基板の反り状態を求めることができる。

反りデータ取得部は、裏面に対する付着物を検出するための裏面検査部を更に有してもよい。この場合、反りデータ取得部を付着物の探索にも兼用し、装置の小型化を図ることができる。

計測部はレーザー光を用いて裏面までの距離を計測するレーザー変位計であってもよく、裏面検査部は撮像画像を用いて付着物を検出する画像検査装置であってもよい。

反りデータ取得部は、裏面検査部による撮像箇所を変えるように基板を移送する移送部を更に有し、計測部は、移送部による基板の移送方向に交差する方向にレーザー光の照射箇所を移動させながら、当該照射箇所までの距離を計測してもよい。

この場合、移送方向に沿う方向においては、移送部により基板を移送することでレーザー光の照射箇所を移動させることができる。移送方向に交差する方向においては、計測部によってレーザー光の照射箇所を移動させることができる。これにより、基板に対するレーザー光の照射箇所をより広範囲に移動させることができる。従って、付着物の探索用の移送部を有効活用し、より広範囲に対する計測を実行できる。

制御部は、成膜制御部による制御の後、計測制御部による制御の前に、付着物を裏面検査部に探索させるように反りデータ取得部を制御する裏面検査制御部を更に有してもよい。この場合、付着物を避けるように計測部による計測箇所を設定し、より高い精度で基板の反り状態を求めることができる。

本開示に係る基板処理方法は、基板の表面に感光性被膜を形成すること、基板を露光装置に送出すること、感光性被膜を形成した後、基板を露光装置に送出する前に、基板の反りに関する計測データを取得すること、反りに関する計測データを露光装置に送信すること、を含む。

この基板処理方法では、基板の反りに関する計測データが露光装置に送信される。反りに関する計測データは、成膜後（感光性被膜の形成後）に取得される。成膜後における基板の反り状態は、露光処理の直前における基板の反り状態に近似する。このため、露光装置に送信される計測データは、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。また、反りに関する計測データは、露光装置への基板の送出前に測定される。このため、成膜後、露光装置に送り出されるのを待機する間を利用して計測データを取得できる。従って、この基板処理方法は、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

基板の反りに関する計測データを取得した後、基板を露光装置に送出する前に、反りに関する計測データに基づいて基板の裏面に粗面加工を施すことを更に含んでもよい。

この場合、反りに関する計測データを露光装置に送信することは必須ではない。すなわち基板処理方法は、基板の表面に感光性被膜を形成すること、感光性被膜を形成した後に、基板の反りに関する計測データを取得すること、反りに関する計測データを取得した後に、反りに関する計測データに基づいて基板の裏面に粗面加工を施すこと、基板の裏面に粗面加工を施した後に、基板を露光装置に送出すること、を含むものであってもよい。

反っている基板が露光装置の載置面上に配置された場合であっても、基板は吸着等によって強制的に平坦化される。このときに、露光装置の載置面と基板の裏面との間の滑りが悪いと、平坦化に伴う基板の歪が大きくなり、露光精度が低下するおそれがある。これに対し、基板の裏面に粗面加工を施すことで、露光装置の載置面と基板の裏面との間に生じるクーロン力を低下させ、これらの間の滑り性を向上させることができる。これにより、基板の歪に起因する露光精度の低下を抑制できる。また、基板の反りに関する計測データに基づいて粗面加工を行うことで、粗面加工の程度を適正化し、スループットの低下を抑制できる。従って、このような基板処理装置も、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

反りに関する計測データにより、基板の裏面が凹状となっていることが示されている場合には基板の裏面に粗面加工を施し、その他の場合には基板の裏面に粗面加工を施さなくてもよい。

裏面に反りが生じていない場合、露光装置の載置面上における基板の歪は生じ難い。裏面が凸状となっている場合には、基板の中央部が露光装置の載置面に先に到達する。このため、吸着に際して基板の周縁部の動きが拘束され難いので、基板に歪みが生じ難い。裏面が凹状となっている場合、露光装置の載置面には基板の周縁部が先に接する。このため、吸着に際して基板の周縁部の動きが拘束され易いので、基板に歪みが生じ易い。従って、裏面が凹状となっていることが示されている場合に限って粗面加工を施すことで、スループットの低下の抑制と、露光処理に及ぼす影響の低減との両立をより確実に図ることができる。

基板の反りに関する計測データに基づいて、基板の解放領域を設定すること、基板を露光装置内に搬入して吸着した後に、解放領域と、解放領域から基板の周縁までの領域との吸着を解除すること、基板の吸着領域を基板の周縁側に広げて解放領域を再吸着すること、解放領域を再吸着した後に露光処理を実行すること、を更に含んでもよい。この場合、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減できる。

本開示に係る記録媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

本開示によれば、スループットの低下を抑制しつつ、基板の反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供できる。

第一実施形態に係る基板処理システムの斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 ＢＳＩユニットの模式図である。 制御装置の機能的な構成を示すブロック図である。 基板処理方法の実行手順を示すフローチャートである。 裏面検査を実行中のＢＳＩユニットを示す模式図である。 基準検出を実行中のＢＳＩユニットを示す模式図である。 裏面までの距離計測を実行中のＢＳＩユニットを示す模式図である。 図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。 距離計測の実行手順を示す模式図である。 ウェハの吸着手順を示す模式図である。 第二実施形態に係る基板処理システムの断面図である。 粗面加工ユニットの概略構成を示す斜視図である。 制御装置の機能的な構成を示すブロック図である。 基板処理方法の実行手順を示すフローチャートである。 ウェハ搬入時の粗面加工ユニットを示す模式図である。 ウェハ裏面の中央部を研磨している粗面加工ユニットを示す模式図である。 ウェハ中央部をチャックした粗面加工ユニットを示す模式図である。 ウェハ裏面の周縁部を研磨している粗面加工ユニットを示す模式図である。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔第一実施形態〕
（基板処理システム）
第一実施形態に係る基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線又はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、極端紫外線）が挙げられる。

塗布・現像装置２（基板処理装置）は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。図１〜図４に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６と、制御部１００と、通信部２００とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。

キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を一側面１１ａ側に有する。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、下層膜形成（ＢＣＴ）モジュール１４と、レジスト膜形成（ＣＯＴ）モジュール１５と、上層膜形成（ＴＣＴ）モジュール１６と、現像処理（ＤＥＶ）モジュール１７とを有する。これらのモジュールは、床面側からＤＥＶモジュール１７、ＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１５、ＴＣＴモジュール１６の順に積層されている。

ＢＣＴモジュール１４は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵しており、ウェハＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットは、下層膜形成用の薬液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＢＣＴモジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、薬液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

図３に示すように、ＣＯＴモジュール１５は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵しており、下層膜上にレジスト膜を形成する。すなわち、ＣＯＴモジュール１５は、感光性被膜を形成するための成膜部として機能する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の薬液を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＣＯＴモジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、薬液を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ：Ｐｒｅ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｂａｋｅ）が挙げられる。

ＴＣＴモジュール１６は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵しており、レジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットは、上層膜形成用の薬液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＴＣＴモジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、薬液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

図４に示すように、ＤＥＶモジュール１７は、複数の現像ユニットＵ３と、複数の熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している。現像ユニットＵ３は、露光されたレジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＤＥＶモジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面からＴＣＴモジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面からＤＥＶモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８及びＢＳＩ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）ユニット２０を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１からＢＳＩユニット２０にウェハＷを搬送した後、そのウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。インターフェースブロック６は、ＣＯＴモジュール１５（成膜部）及び露光装置３の間に介在する中継部に相当する。

ＢＳＩユニット２０は、ウェハＷの反りに関する計測データを取得するための反りデータ取得部として機能する。図５に示すように、ＢＳＩユニット２０は、移送部３０と、保持部４０と、裏面検査部５０と、計測部６０と、基準検出部７０とを有する。

移送部３０は、スライドテーブル３１と、アクチュエータ３２とを有する。アクチュエータ３２は、例えば電動モータ等の動力源を内蔵し、水平な直状の軸線Ｌ１に沿ってスライドテーブル３１を移動させる。

保持部４０は、複数の支柱３３を介してスライドテーブル３１上に固定されており、ウェハＷの周縁部を保持するために用いられる。保持部４０は、支持板４１と、回転板４２と、アクチュエータ４３とを有する。支持板４１は水平に配置され、複数の支柱３３上に固定されている。支持板４１において複数の支柱３３に囲まれる領域には開口４１ａが形成されている。開口４１ａの内径は、ウェハＷの外径に比べ大きい。

回転板４２は支持板４１上に水平に配置されており、開口４１ａに対応する開口４２ａを有する。開口４２ａの内径は、ウェハＷの外径に比べ大きい。回転板４２は、開口４１ａ，４２ａの中心軸線まわりに回転自在となっている。アクチュエータ４３は例えば電動モータ等の動力源を内蔵し、回転板４２を回転させる。

開口４２ａの周縁部には、複数（例えば６個）の保持爪４４が形成されている。複数の保持爪４４は、開口４２ａを囲むように配置され、それぞれ開口４２ａの中心側に突出している。開口４２ａ上には、表面Ｗａを上にした状態でウェハＷが配置される。複数の保持爪４４は、開口４２ａ上に配置されたウェハＷの周縁部を支持する。なお、ウェハＷの周縁部は、例えばウェハＷの周縁から３ｍｍ以内の部分を意味する。保持部４０は、保持爪４４により支持するのみでウェハＷを保持し、保持爪４４上にウェハＷを拘束しない。

裏面検査部５０は、保持部４０の下方に配置されており、ウェハＷの裏面に対する付着物を検出するために用いられる。裏面検査部５０は撮像画像を用いて異物を検出する画像検査装置であり、照明光源５１と、撮像部５２と、複数のミラー５３，５４を有する。

照明光源５１は、保持部４０に保持されたウェハＷの裏面Ｗｂを照射する。ミラー５３，５４は、裏面Ｗｂの画像を撮像部５２に導く。撮像部５２は、ミラー５３，５４により導かれた画像を取得する。照明光源５１、撮像部５２及びミラー５３，５４は、スライドテーブル３１、支柱３３及び保持部４０の移送を妨げない位置に固定されている。従って、上記移送部３０がウェハＷを移送すると、裏面検査部５０の撮像部５２による撮像箇所が変わる。

計測部６０は、保持部４０により保持されたウェハＷの反りに関する計測を行うために用いられる。具体例として、計測部６０は、保持部４０により保持されたウェハＷの下方（裏面側）に配置され、裏面Ｗｂまでの距離を計測する。計測部６０は、スライドテーブル３１、支柱３３及び保持部４０の移送を妨げない位置に固定されている。従って、上記移送部３０がウェハＷを移送すると、計測部６０による計測箇所が変わる。

計測部６０は、例えばレーザー光を用いて裏面Ｗｂまでの距離を計測するレーザー変位計であり、レーザー光源６１と受光部６２とを有する（図１１参照）。レーザー光源６１及び受光部６２は、水平方向に沿って並置されている。レーザー光源６１及び受光部６２が並ぶ方向は、移送部３０によるウェハＷの移送方向に交差（例えば直交）している。

レーザー光源６１は、裏面Ｗｂにレーザー光を照射する。受光部６２は、レーザー光の照射箇所の反射光を取得する。計測部６０は、レーザー光源６１から裏面Ｗｂへのレーザー光の出射方向と、上記照射箇所から受光部６２への光の入射方向とを用いた三角測量により、上記照射箇所までの距離を計測する。計測部６０は、レーザー光源６１及び受光部６２の対向方向（移送部３０によるウェハＷの移送方向に直交する方向）に沿ってレーザー光の照射箇所を移動させながら、当該照射箇所までの距離を計測する。

ＢＳＩユニット２０は、計測部６０による計測値を取得する。この計測値には、ウェハＷの自重の影響が含まれている。そこでＢＳＩユニット２０は、計測部６０による計測値からウェハＷの自重による影響を除去する演算を行い、この演算結果を反りに関する計測データとして取得する。

基準検出部７０は、ウェハＷの位置決め基準を検出するために用いられる。具体例として、基準検出部７０は、ウェハＷの周縁部に設けられたノッチＷｃを位置決め基準として検出する。基準検出部７０は、光源７１及び受光部７２を有し、光源７１の出射光が受光部７２に到達しているかどうかに基づいてノッチＷｃを検出する。

通信部２００は、露光装置３との間でデータ通信を行うために用いられる。

制御部１００は１又は複数の制御用コンピュータにより構成され、塗布・現像装置２を制御するために用いられる。制御部１００は、各処理の条件設定画面を表示する表示部（不図示）と、各処理の条件を入力する入力部（不図示）と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部（不図示）とを有する。記録媒体は、塗布・現像装置２に基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録している。このプログラムが制御部１００の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリーカード等が挙げられる。制御部１００は、入力部に入力された各処理の条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて塗布・現像装置２を制御する。

図６は、プログラムの実行により実現される個々の機能を仮想的な構成要素（以下、「機能ブロック」という。）として示したブロック図である。図６に示すように、制御部１００は、機能ブロックとして、成膜制御部１１１と、現像制御部１１２と、裏面検査制御部１１３と、位置決め制御部１１４と、計測制御部１１５と、通信制御部１１６と、中継制御部１１７とを備える。

成膜制御部１１１は、ウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するようにＢＣＴモジュール１４を制御し、下層膜上にレジスト膜を形成するようにＣＯＴモジュール１５を制御し、レジスト膜上に上層膜を形成するようにＴＣＴモジュール１６を制御する。

現像制御部１１２は、露光後のレジスト膜の現像処理を行うようにＤＥＶモジュール１７を制御する。

裏面検査制御部１１３は、成膜制御部１１１による制御の後、計測制御部１１５による制御の前に、ウェハＷの裏面Ｗｂに対する付着物を裏面検査部５０に探索させるようにＢＳＩユニット２０を制御する。

位置決め制御部１１４は、計測制御部１１５による制御の前に、ウェハＷのノッチＷｃを基準検出部７０に検出させることで、ウェハＷの位置決めを行うようにＢＳＩユニット２０を制御する。

計測制御部１１５は、成膜制御部１１１による制御の後、中継制御部１１７による制御の前に、反りに関する計測データを取得するようにＢＳＩユニット２０を制御する。

通信制御部１１６は、ＢＳＩユニット２０が取得した計測データを露光装置３に送信するように通信部２００を制御する。

中継制御部１１７は、ウェハＷを受け渡しアームＡ８によって露光装置３に送り出し、ウェハＷを受け渡しアームＡ８によって露光装置３から受け入れるようにインターフェースブロック６を制御する。

（基板処理方法）
以下、図７を参照し、基板処理システム１を用いた基板処理方法について説明する。まず、成膜制御部１１１により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜、レジスト膜及び上層膜を形成する（ステップＳ１）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。

すなわち、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７がＢＣＴモジュール１４用のセルに配置し、搬送アームＡ２がＢＣＴモジュール１４内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットは、下層膜の形成用の薬液を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットは、薬液を硬化させるための加熱処理等を行う。下層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ２がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

このウェハＷを、昇降アームＡ７がＣＯＴモジュール１５用のセルに配置し、搬送アームＡ３がＣＯＴモジュール１５内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜の形成用の薬液を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、薬液を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ）等を行う。レジスト膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

このウェハＷを、昇降アームＡ７がＴＣＴモジュール１６用のセルに配置し、搬送アームＡ４がＴＣＴモジュール１６内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットは、上層膜の形成用の薬液を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットは、薬液を硬化させるための加熱処理等を行う。上層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ４がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

次に、裏面検査制御部１１３により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷの裏面Ｗｂに対する付着物を探索する（ステップＳ２）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。

すなわち、搬送アームＡ４により棚ユニットＵ１０に戻されたウェハＷを、昇降アームＡ７がＤＥＶモジュール１７用のセルに配置し、直接搬送アームＡ６が棚ユニットＵ１１に搬送する。このウェハＷを受け渡しアームＡ８がＢＳＩユニット２０内に搬入し、保持部４０上に配置する。

ＢＳＩユニット２０は、移送部３０によりウェハＷを移送して撮像箇所を変えながら、裏面検査部５０により付着物を探索する（図８参照）。裏面検査部５０の照明光源５１は、裏面Ｗｂを照明する。ミラー５３，５４は、照明光源５１により照明された箇所の画像を撮像部５２に導き、撮像部５２がこの画像を取得する。裏面検査部５０は、撮像部５２による撮像画像から付着物を検出する画像処理を実行する。

次に、位置決め制御部１１４により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷの位置決めを行う（ステップＳ３）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、付着物の探索が完了した後、基準検出部７０の光源７１及び受光部７２の間にウェハＷの周縁部を位置させるように、移送部３０がウェハＷを移送する（図９参照）。光源７１及び受光部７２の間にノッチＷｃが位置する場合を除き、光源７１からの光はウェハＷの周縁部により遮られ、受光部７２に到達しない。この状態で、アクチュエータ４３が回転板４２を回転させ、光源７１からの光が受光部７２に到達するのに応じて回転を止める（図１２（ａ）及び図１２（ｂ）参照）。これにより、ウェハＷのノッチＷｃが光源７１及び受光部７２の間に配置され、ウェハＷの位置決めがなされる。

次に、計測制御部１１５により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷの反りに関する計測データを取得する（ステップＳ４）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、保持部４０がウェハＷの周縁部を保持した状態で、移送部３０が複数の計測位置にウェハＷを移送する。ウェハＷが各計測位置に配された状態で、計測部６０は、裏面Ｗｂまでの距離を計測する（図１０参照）。

計測部６０のレーザー光源６１は裏面Ｗｂにレーザー光を照射し、計測部６０の受光部６２は照射箇所の反射光を取得する（図１１参照）。計測部６０は、レーザー光源６１から裏面Ｗｂへのレーザー光の出射方向と、照射箇所から受光部６２への光の入射方向とを用いた三角測量により、照射箇所までの距離を計測する。計測部６０は、レーザー光源６１及び受光部６２を駆動し、軸線Ｌ１（移送部３０によるウェハＷの移送方向）に直交する方向に沿ってレーザー光の照射箇所を移動させながら、当該照射箇所までの距離を計測する。軸線Ｌ１に沿ったウェハＷの移送と、軸線Ｌ１に直交する線に沿った照射箇所の移動とを組み合わせることで、軸線Ｌ１に直交する複数の計測線Ｌ２に沿って計測が行われる（図１２（ｃ）参照）。

計測線Ｌ２に沿ったデータの取得が完了すると、アクチュエータ４３が回転板４２及びウェハＷを９０°回転させる（図１２（ｄ）参照）。その後、上述の手順と同様に、移送部３０が複数の計測位置にウェハＷを移送し、ウェハＷが各計測位置に配された状態で計測部６０が裏面Ｗｂまでの距離を計測する。これにより、計測線Ｌ２に直交する複数の計測線Ｌ３に沿って計測が行われる（図１２（ｅ））参照。このように、軸線Ｌ１に沿ったウェハＷの移送と、軸線Ｌ１に直交する線に沿った照射箇所の移動とに、ウェハＷの回転を更に組み合わせることで、格子状の線に沿って計測が行われる。なお、ステップＳ２において取得された付着物を避けるように計測線Ｌ２，Ｌ３の位置を設定してもよい。

ＢＳＩユニット２０は、計測部６０による計測値からウェハＷの自重の影響を除去する演算を行い、この演算結果を反りに関する計測データとして取得する。

次に、通信制御部１１６により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷの反りに関する計測データを露光装置３に送信する（ステップＳ５）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、ＢＳＩユニット２０により取得されたウェハＷの反りに関する計測データを、通信部２００が露光装置３に送信する。

次に、中継制御部１１７により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷを露光装置３に送り出す（ステップＳ６）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、インターフェースブロック６の受け渡しアームＡ８はＢＳＩユニット２０からウェハＷを搬出し、露光装置３に送り出す（ウェハＷを露光装置３内に搬入する）。

次に、露光装置３により、ウェハＷの反りに関する計測データを受信し、その計測データに基づいて、ウェハＷの解放領域を設定する（ステップＳ７）。例えば、予め設定した閾値に比べ変位量が大きい領域を解放領域Ｒ１とする（図１３（ａ）参照）。

次に、露光装置３により、ウェハＷを吸着する（ステップＳ８、図１３（ｂ）参照）。
このとき、解放領域Ｒ１の周縁が拘束された状態で、解放領域Ｒ１が強制的に平坦化させられる場合がある。このような場合、解放領域Ｒ１は強制的に狭小化されるので、吸着の前後で解放領域Ｒ１の面積が変化する。面積の変化は、露光処理の精度（例えば露光処理により形成されるパターンの寸法精度）を低下させる。

そこで、露光装置３により、解放領域Ｒ１と、解放領域Ｒ１からウェハＷの周縁までの領域Ｒ２との吸着を解除する（ステップＳ９、図１３（ｃ）参照）。

次に、露光装置３により、ウェハＷの吸着領域Ｒ３をウェハＷの周縁側に広げて解放領域Ｒ１を再吸着する（ステップＳ１０、図１３（ｄ）〜図１３（ｆ）参照）。これにより、解放領域Ｒ１は、ウェハＷの周縁側に開放された状態で再吸着される。このため、解放領域Ｒ１の狭小化が抑制される。

次に、露光装置３により、レジスト膜の露光処理を実行する（ステップＳ１１）。次に、中継制御部１１７により塗布・現像装置２を制御し、ウェハＷを露光装置３から受け入れる（ステップＳ１２）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、インターフェースブロック６の受け渡しアームＡ８は露光処理後のウェハＷを露光装置３から受け入れ、棚ユニットＵ１１に搬送する。

次に、現像制御部１１２により塗布・現像装置２を制御し、レジスト膜の現像処理を行う（ステップＳ１３）。具体的に、塗布・現像装置２は以下のように動作する。すなわち、搬送アームＡ５は、棚ユニットＵ１１のウェハＷをＤＥＶモジュール１７内の熱処理ユニットＵ４に搬送する。熱処理ユニットＵ４は、ウェハＷの加熱処理（ＰＥＢ）を行う。ＰＥＢが完了すると、搬送アームＡ５は、ウェハＷを現像ユニットＵ３に搬送する。現像ユニットＵ３は、現像液及びリンス液をウェハＷの表面に供給することで、レジスト膜の現像処理を行う。現像処理が完了すると、搬送アームＡ５はウェハＷを再度熱処理ユニットＵ４に搬送する。熱処理ユニットＵ４は、ウェハＷの加熱処理（ＰＢ）を行う。ＰＢが完了すると、搬送アームＡ５は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が受け渡し用のセルに配置し、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内に戻す。

以上で基板処理方法が完了する。なお、ステップＳ７〜Ｓ１１は、露光装置３を制御することで実行される。この制御は、露光装置３の制御部（不図示）が行う。ステップＳ７〜Ｓ１１を露光装置３に実行させるためのプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、露光装置３の制御部に読み取られる。記録媒体としては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリーカード等が挙げられる。

以上に説明したように、塗布・現像装置２によれば、ウェハＷの反りに関する計測データが露光装置３に送信される。反りに関する計測データは、成膜後（感光性被膜の形成後）に取得される。成膜後におけるウェハＷの反り状態は、露光装置３の直前におけるウェハＷの反り状態に近似する。このため、露光装置３に送信される計測データは、ウェハＷの反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。また、反りに関する計測データは、露光装置３へのウェハＷの送出前に測定される。このため、成膜後、露光装置３に送り出されるのを待機する間を利用して計測データを取得できる。従って、塗布・現像装置２は、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハＷの反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

例えば、基板処理システム１を用いた基板処理方法において示したように、吸着に伴うウェハＷの面積の変化を抑制し、露光処理の精度を向上させることができる。

ＢＳＩユニット２０は、ウェハＷの周縁部を保持するための保持部４０と、保持部４０により保持されたウェハＷの反りに関する計測を行うための計測部６０とを有する。反りに関する計測データはウェハＷの自重の影響を受けるので、ウェハＷの反り状態を求めるには、ウェハＷの自重の影響を計測値から除去する演算が必要である。計測値を取得する際にウェハＷの周縁部を保持すると、ウェハＷの自重が計測値に及ぼす影響を推定し易い傾向がある。このため、ウェハＷの反り状態を容易に求めることができる。

計測部６０は、保持部４０により保持されたウェハＷの裏面Ｗｂ側に配置され、裏面Ｗｂまでの距離を計測する。このため、ウェハＷの表面Ｗａに形成される凹凸パターンの影響を受けることなく反りに関する計測を行うことができるので、より高い精度で基板の反り状態を求めることができる。

ＢＳＩユニット２０は、裏面Ｗｂに対する付着物を検出するための裏面検査部５０を更に有する。このため、ＢＳＩユニット２０を付着物の探索にも兼用し、装置の小型化を図ることができる。

ＢＳＩユニット２０は、裏面検査部５０による撮像箇所を変えるようにウェハＷを移送する移送部３０を更に有し、計測部６０は、移送部３０によるウェハＷの移送方向に交差する方向にレーザー光の照射箇所を移動させながら、当該照射箇所までの距離を計測する。このため、移送方向に沿う方向においては、移送部３０によりウェハＷを移送することでレーザー光の照射箇所を移動させることができる。移送方向に交差する方向においては、計測部６０によってレーザー光の照射箇所を移動させることができる。これにより、ウェハＷに対するレーザー光の照射箇所をより広範囲に移動させることができる。従って、付着物の探索用の移送部３０を有効活用し、より広範囲に対する計測を実行できる。

裏面検査制御部１１３は、計測制御部１１５による制御の前に、付着物を裏面検査部５０に探索させるようにＢＳＩユニット２０を制御する。このため、付着物を避けるように計測部６０による計測箇所を設定し、より高い精度でウェハＷの反り状態を求めることができる。

計測部６０は、ウェハＷの表面Ｗａ側に配置され、表面Ｗａまでの距離を計測するものであってもよい。ＢＳＩユニット２０は、必ずしもインターフェースブロック６に内蔵されていなくてよく、処理ブロック５のいずれかのモジュールに内蔵されていてもよい。塗布・現像装置２は、感光性被膜を形成するための成膜部と、中継部と、反りデータ取得部と、通信部と、これらを制御する制御部とを備えるものであればよいので、ＢＣＴモジュール１４、ＴＣＴモジュール１６及びＤＥＶモジュール１７は必須ではない。反りデータ取得部は、必ずしも裏面検査部５０を有するものでなくてよく、反りに関する計測データの取得に専用されるユニットであってもよい。

基板処理方法の各ステップの実行手順は適宜変更可能である。例えば、ウェハＷの位置決め（ステップＳ３）を裏面検査（ステップＳ２）に先立って実行してもよいし、ウェハＷの送出（ステップＳ６）を計測データの送信（ステップＳ５）に先立って実行してもよいし、解放領域Ｒ１の設定（ステップＳ７）をウェハＷの送出（ステップＳ６）に先立って実行してもよい。解放領域Ｒ１の設定（ステップＳ７）を計測データの送信（ステップＳ５）に先立って塗布・現像装置２において実行し、解放領域Ｒ１を反りに関する計測データとして露光装置３に送信してもよい。裏面検査（ステップＳ２）と距離計測（ステップＳ４）とを同時に実行してもよい。すなわち裏面検査制御部１１３は、計測制御部１１５による制御と同時に、付着物を裏面検査部５０に探索させるようにＢＳＩユニット２０を制御してもよい。この場合、スループットの低下をより確実に抑制できる。

〔第二実施形態〕
（基板処理システム）
図１４に示すように、第二実施形態に係る基板処理システム１Ａは、基板処理システム１の塗布・現像装置２を塗布・現像装置２Ａに置き換えたものである。塗布・現像装置２Ａは、塗布・現像装置２に粗面加工ユニット３００を付加すると共に、制御部１００を制御部１００Ａに置き換えたものである。

粗面加工ユニット３００は、ウェハＷの裏面に粗面加工を施す粗面加工部の一例である。粗面加工とは、例えば研削等により、対象面を粗面化する加工を意味する。図１５に示すように、粗面加工ユニット３００は、周縁保持機構３１０と、中心保持機構３２０と、研削機構３３０とを有する。

周縁保持機構３１０は、ウェハＷの周縁部分を保持し、水平な一直線に沿って搬送する。以下、当該一直線に沿う方向をウェハＷの搬送方向という。周縁保持機構３１０は、支持板３１１と、一対の吸着保持部３１２，３１２と、一対の桁部材３１３，３１３と、一対の搬送部３１４，３１４とを有する。支持板３１１は環状を呈し、その内径はウェハＷの外径に比べ大きい。支持板３１１の内縁部には、一対の吸着保持部３１２，３１２が設けられている。吸着保持部３１２，３１２は、ウェハＷの搬送方向に直交する方向にて互いに対向するように配置されており、それぞれ支持板３１１の中心側に張り出している。
吸着保持部３１２，３１２はウェハＷを下方から支持し、例えば真空吸着によって保持する。桁部材３１３，３１３は、ウェハＷの搬送方向に並んでおり、それぞれウェハＷの搬送方向に直交している。桁部材３１３，３１３は、それぞれ支持板３１１の外縁部を支持する。搬送部３１４，３１４は、桁部材３１３，３１３の両端部をそれぞれ支持し、ウェハＷの搬送方向に沿って搬送する。これにより、吸着保持部３１２，３１２に保持されたウェハＷが移動する。

中心保持機構３２０は、搬送部３１４，３１４の間に配置されており、ウェハＷの中心部分を保持して回転させる。中心保持機構３２０は、吸着保持部３２１と昇降・回転部３２２とを有する。吸着保持部３２１は、ウェハＷの中心部分を下方から支持し、例えば真空吸着によって保持する。昇降・回転部３２２は、吸着保持部３２１を下方から支持する。昇降・回転部３２２は、エアシリンダ又はソレノイド等の昇降用の動力源と、電動モータ等の回転用の動力源とを内蔵しており、吸着保持部３２１を昇降させ、回転させる。

研削機構３３０は、搬送方向に沿って中心保持機構３２０と並ぶように配置されており、周縁保持機構３１０又は中心保持機構３２０に保持されたウェハＷの裏面Ｗｂを研削して粗面化する。研削機構３３０は、研削板３３１と、回転駆動部３３２と、昇降部３３４と、搬送部３３５と、搬送部３３６とを有する。研削板３３１は円板状を呈し、その上面３３１ａによって対象物を研削する。回転駆動部３３２は研削板３３１を下方から支持する。回転駆動部３３２は電動モータ等の動力源３３３を有する。動力源３３３は、鉛直な軸線まわりに研削板３３１を回転させる。昇降部３３４は、回転駆動部３３２を下方から支持する。昇降部３３４は、エアシリンダ又はソレノイド等の動力源を内蔵しており、回転駆動部３３２を昇降させる。これにより、研削板３３１が昇降する。搬送部３３５は、昇降部３３４を下方から支持する。搬送部３３５は電動モータ等の動力源を内蔵しており、ウェハＷの搬送方向に沿って昇降部３３４を搬送する。これにより、研削板３３１がウェハＷの搬送方向に沿って移動する。搬送部３３６は、搬送部３３５を下方から支持する。搬送部３３６は電動モータ等の動力源を内蔵しており、ウェハＷの搬送方向に直交する方向に沿って搬送部３３５を搬送する。これにより、研削板３３１がウェハＷの搬送方向に直交する方向に沿って移動する。

図１６に示すように、制御部１００Ａは、制御部１００に加工制御部１１８を付加したものである。加工制御部１１８も、ハードウェア構成上のブロックではなく、機能ブロックである。加工制御部１１８は、ウェハＷの反りに関する計測データに基づいてウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すように粗面加工ユニット３００を制御する。

（基板処理方法）
図１７に示すように、基板処理システム１Ａを用いた基板処理方法は、上述したステップＳ１〜Ｓ４と同じステップＳ２１〜Ｓ２４と、上述したステップＳ５〜Ｓ１３と同じステップＳ２６〜Ｓ３４との間に、ステップＳ２５を含むものである。

ステップＳ２５では、ステップＳ２４において取得されたウェハＷの反りに関する計測データに基づいてウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すように、加工制御部１１８が粗面加工ユニット３００を制御する。一例として、加工制御部１１８は、反りに関する計測データにより、裏面Ｗｂが凹状となっていることが示されている場合には、裏面Ｗｂに粗面加工を施し、その他の場合には裏面Ｗｂに粗面加工を施さないように粗面加工ユニット３００を制御する。

すなわち、基板処理システム１Ａを用いた基板処理方法は、計測制御部１１５による制御の後、中継制御部１１７による制御の前に、ウェハＷの反りに関する計測データに基づいてウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すことを含む。この基板処理方法では、反りに関する計測データにより、ウェハＷの裏面Ｗｂが凹状となっていることが示されている場合にはウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施し、その他の場合にはウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施さない。

図１８に示すように、加工制御部１１８は、裏面Ｗｂに粗面加工を施す際に、まず吸着保持部３１２，３１２上にウェハＷを載置するように受け渡しアームＡ８を制御し、吸着保持部３１２，３１２によりウェハＷを吸着するように粗面加工ユニット３００を制御する。

次に、加工制御部１１８は、図１９に示すように、搬送部３１４，３１４によってウェハＷを搬送し、ウェハＷの中心部を研削板３３１上に位置させるように粗面加工ユニット３００を制御する。次に、加工制御部１１８は、回転駆動部３３２によって研削板３３１を回転させ、昇降部３３４によって研削板３３１を上昇させることで、回転する研削板３３１の上面３３１ａを裏面Ｗｂに押し当てるように粗面加工ユニット３００を制御する。
これにより、裏面Ｗｂの中央部が研削され、粗面化される。更に加工制御部１１８は、搬送部３３５及び搬送部３３６により研削板３３１を移動させるように粗面加工ユニット３００を制御する。これにより、粗面加工を施す範囲が広げられる。

次に、加工制御部１１８は、図２０に示すように、昇降部３３４により研削板３３１を下降させ、搬送部３１４，３１４によってウェハＷを搬送し、ウェハＷの中心部を吸着保持部３２１上に位置させるように粗面加工ユニット３００を制御する。次に、加工制御部１１８は、吸着保持部３１２，３１２による吸着を解除し、昇降・回転部３２２により吸着保持部３２１を上昇させ、吸着保持部３２１によりウェハＷを吸着させるように粗面加工ユニット３００を制御する。

次に、加工制御部１１８は、図２１に示すように、昇降・回転部３２２によりウェハＷを回転させるように粗面加工ユニット３００を制御する。この状態で加工制御部１１８は、回転駆動部３３２によって研削板３３１を回転させ、昇降部３３４によって研削板３３１を上昇させることで、回転する研削板３３１の上面３３１ａを裏面Ｗｂに押し当てるように粗面加工ユニット３００を制御する。これにより、裏面Ｗｂの周縁部が研削され、粗面化される。更に加工制御部１１８は、搬送部３３５により研削板３３１を移動させるように粗面加工ユニット３００を制御する。これにより、粗面加工を施す範囲が広げられる。上述したように、裏面Ｗｂの中央部は既に粗面化されているので、裏面Ｗｂの周縁部における加工範囲を広げることで、裏面Ｗｂの全域に粗面加工が施される。以上で裏面Ｗｂの粗面加工が完了する。

以上に説明したように、塗布・現像装置２Ａは、ウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すための粗面加工ユニット３００を更に備える。制御部１００Ａは、計測制御部１１５による制御の後、中継制御部１１７による制御の前に、反りに関する計測データに基づいてウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すように粗面加工ユニット３００を制御する加工制御部１１８を更に有する。

反っているウェハＷが露光装置３の載置面上に配置された場合であっても、ウェハＷは吸着等によって強制的に平坦化される。このときに、露光装置３の載置面とウェハＷの裏面Ｗｂとの間の滑りが悪いと、平坦化に伴うウェハＷの歪が大きくなり、露光精度が低下するおそれがある。これに対し、ウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施すことで、露光装置３の載置面とウェハＷの裏面Ｗｂとの間に生じるクーロン力を低下させ、これらの間の滑り性を向上させることができる。これにより、ウェハＷの歪に起因する露光精度の低下を抑制できる。また、ウェハＷの反りに関する計測データに基づいて粗面加工を行うことで、粗面加工の程度を適正化し、スループットの低下を抑制できる。従って、塗布・現像装置２Ａも、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハＷの反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

一例として、加工制御部１１８は、反りに関する計測データにより、ウェハＷの裏面Ｗｂが凹状となっていることが示されている場合にはウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施し、その他の場合にはウェハＷの裏面Ｗｂに粗面加工を施さないように粗面加工ユニット３００を制御してもよい。

裏面Ｗｂに反りが生じていない場合、露光装置３の載置面上におけるウェハＷの歪は生じ難い。裏面Ｗｂが凸状となっている場合には、ウェハＷの中央部が露光装置３の載置面に先に到達する。このため、吸着に際してウェハＷの周縁部の動きが拘束され難いので、ウェハＷに歪みが生じ難い。裏面Ｗｂが凹状となっている場合、露光装置３の載置面にはウェハＷの周縁部が先に接する。このため、吸着に際してウェハＷの周縁部の動きが拘束され易いので、ウェハＷに歪みが生じ易い。従って、裏面Ｗｂが凹状となっていることが示されている場合に限って粗面加工を施すことで、スループットの低下の抑制と、露光処理に及ぼす影響の低減との両立をより確実に図ることができる。

但し、加工制御部１１８は、裏面Ｗｂに反りが生じていない場合及び裏面Ｗｂが凸状となっている場合においても裏面Ｗｂに粗面加工を施すように粗面加工ユニット３００を制御してもよい。全ての場合において裏面Ｗｂに粗面加工を施すことで、ウェハＷの反りが露光処理に及ぼす影響を更に低減できる。なお、裏面Ｗｂに反りが生じていない場合及び裏面Ｗｂが凸状となっている場合における裏面Ｗｂの粗面化の程度が、裏面Ｗｂが凹状となっている場合における裏面Ｗｂの粗面化の程度に比べ低くなるように粗面加工ユニット３００を制御してもよい。全て場合において裏面Ｗｂの粗面化の程度が同等になるように粗面加工ユニット３００を制御してもよい。

以上、実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、塗布・現像装置２Ａのように粗面加工ユニット３００を備える構成において、通信制御部１１６及び通信部２００を備えることは必須ではない。また、基板処理システム１Ａを用いた基板処理方法においても、ウェハＷの反りに関する計測データを露光装置３に送信すること（ステップＳ２６）、及び当該計測データに応じて露光装置３におけるウェハＷの再吸着を行うこと（ステップＳ２８〜Ｓ３１）は必須ではない。通信制御部１１６及び通信部２００を備えていない場合であっても、塗布・現像装置２Ａは、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハＷの反りが露光処理に及ぼす影響を低減するのに有用である。

処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）であってもよい。

２，２Ａ…塗布・現像装置（基板処理装置）、３…露光装置、６…インターフェースブロック（中継部）、１５…ＣＯＴモジュール（成膜部）、２０…ＢＳＩユニット（反りデータ取得部）、３０…移送部、４０…保持部、５０…裏面検査部、６０…計測部、１００…制御部、１１１…成膜制御部、１１３…裏面検査制御部、１１５…計測制御部、１１６…通信制御部、１１７…中継制御部、１１８…加工制御部、３００…粗面加工ユニット、Ｒ１…解放領域、Ｒ３…吸着領域、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面。

Claims (9)

1. 基板の表面に感光性被膜を形成するための成膜部と、
   前記感光性被膜が形成された前記基板の反りに関する計測データを取得するための反りデータ取得部と、
   前記基板の裏面に粗面加工を施すための粗面加工部と、
   前記基板の表面に前記感光性被膜が形成された後、当該感光性被膜に露光処理が施される前に、前記計測データを取得するように前記反りデータ取得部を制御し、当該計測データが取得された後、当該感光性被膜に露光処理が施される前に、当該計測データに基づいて当該基板の裏面に粗面加工を施すように前記粗面加工部を制御する制御部と、を備える基板処理装置。
2. 前記粗面加工部は、
   前記基板の周縁部分を保持する周縁保持機構と、
   前記基板の中心部分を保持する中心保持機構と、
   前記基板の裏面を研削して粗面化する研削機構と、を有し、
   前記基板の裏面に粗面加工を施すように前記粗面加工部を制御する際に、前記制御部は、前記周縁保持機構が前記基板の周縁部分を保持した状態にて前記基板の裏面の中央部を前記研削機構により研削するように前記粗面加工部を制御することと、前記中心保持機構が前記基板の中心部分を保持した状態にて前記基板の裏面の周縁部を前記研削機構により研削するように前記粗面加工部を制御することと、を実行するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記中心保持機構は、前記基板の中心部分を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部とを含み、
   前記制御部は、前記研削機構が前記基板の裏面の周縁部を研削する際に、前記保持部により保持された前記基板を前記回転部により回転させるように前記粗面加工部を制御する、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記基板の裏面に反りが生じていない場合及び前記基板の裏面が凸状となっている場合には、前記基板の裏面が凹状となっている場合に比較して粗面化の程度を低くするように前記粗面加工部を制御する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記基板の裏面に反りが生じていない場合及び前記基板の裏面が凸状となっている場合には当該基板の裏面に粗面加工を施さず、前記基板の裏面が凹状となっている場合には当該基板の裏面に粗面加工を施すように前記粗面加工部を制御する、請求項４記載の基板処理装置。
6. 基板の表面に感光性被膜を形成することと、
   前記基板の表面に前記感光性被膜が形成された後、当該感光性被膜の露光処理の前に、当該基板の反りに関する計測データを取得することと、
   前記基板の反りに関する計測データが取得された後、当該基板の前記感光性被膜に露光処理が施される前に、当該計測データに基づいて当該基板の裏面に粗面加工を施すことと、を含む基板処理方法。
7. 前記基板の裏面に反りが生じていない場合及び前記基板の裏面が凸状となっている場合には、前記基板の裏面が凹状となっている場合に比較して粗面化の程度を低くする、請求項６記載の基板処理方法。
8. 前記基板の裏面に反りが生じていない場合及び前記基板の裏面が凸状となっている場合には当該基板の裏面に粗面加工を施さず、前記基板の裏面が凹状となっている場合には当該基板の裏面に粗面加工を施す、請求項７記載の基板処理方法。
9. 請求項６〜８のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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