JP2023074282A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】研磨処理の時間を短くすることが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１において、インデクサブロックＢ１、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３およびインターフェースブロックＢ５は、この順番で水平方向に直線状に配置される。塗布ブロックＢ３は、基板Ｗの表面にレジストを塗布する塗布ユニットＰＲを有し、研磨ブロックＢ２は、基板Ｗの裏面を研磨する研磨ユニット２２を有する。研磨ユニット２２は、基板Ｗを水平姿勢に保持した状態で基板を回転させる保持回転部と、基板Ｗを加熱する加熱手段と、砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削方式により基板Ｗの裏面を研磨する研磨具と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板の裏面を研磨処理する基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。ここで基板の裏面とは、電子回路が形成された側の面（デバイス面）である基板の表面に対して、電子回路が形成されていない側の面をいう。

基板の裏面を研磨する研磨装置は、保持回転部と、研磨ヘッドとを備える。保持回転部は、基板を水平姿勢で保持した状態で基板を回転する。研磨装置は、研磨液を供給し、更に、回転する基板の裏面に研磨ヘッドを接触させて基板を研磨する（例えば、特許文献１参照）。

また、他の研磨装置として、基板に対して乾式の化学機械研削（Chemo-Mechanical Grinding：ＣＭＧ）を行う研磨装置がある（例えば、特許文献２参照）。この研磨装置は、保持回転部と、合成砥石とを備える。合成砥石は、研磨剤（砥粒）を樹脂結合剤で固定することで形成される。この研磨装置は、合成砥石を基板に接触させて基板を研磨する。また、基板の裏面の汚染物および接触痕等を除去するための研磨具を備えた基板処理装置がある（例えば、特許文献３参照）。

特許文献４には、研削ヘッドを備えた研削装置が記載されている。研削ヘッドは、ヘッド本体と円環状砥石を備えている。円環状砥石は、ヘッド本体の下面に配置される。ヘッド本体の下面には、円環状砥石の中心の中空部に対応して、凹部が設けられる。凹部の内面には、吸引流路に連通する吸引孔が設けられる。

特許第６１６２４１７号公報 特許第６７７９５４０号公報 特許第６７４００６５号公報 特開２０２１－０５３７３８号公報

しかし、このような構成を備えた従来装置は、次の問題を有する。すなわち、近年、基板（例えばウエハ）の裏面の基板平坦度に起因したＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）露光装置のデフォーカス（いわゆるピンぼけ）の問題がある。平坦度が良くない原因の１つは、スクラッチであると考えられている。そのため、スクラッチを削り取るために、特許文献２の合成砥石を研磨具として採用することが検討されている。ここで、研磨処理は時間がかかるので、研磨処理の時間を短くしたいという要望がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、研磨処理の時間を短くすることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、を備え、前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、前記処理ブロックは、水平方向に直線状に配置された塗布ブロックと研磨ブロックとを含み、前記塗布ブロックは、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、前記研磨ブロックは、前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、前記研磨ユニットは、前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、前記基板を加熱する加熱手段と、砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とするものである。

本発明に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、研磨ユニット（保持回転部、研磨具および加熱手段）並びに塗布ユニットを備える。研磨具は、砥粒が分散された樹脂体を有する。研磨具は、回転する基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により基板の裏面を研磨する。この研磨を行うときに、基板は、加熱されている。基板が加熱されると、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。また、研磨ユニットおよび塗布ユニットによって、基板の表面にレジストが塗布されると共に、基板の裏面が研磨される。そのため、レジストが塗布された基板の平坦度を良好にすることができ、それにより、露光装置のデフォーカスの問題を解消することができる。

また、上述の基板処理装置は、更に、制御部を備え、前記制御部は、研磨を行うときに、前記加熱手段による前記基板の加熱温度を制御することによって研磨レートを調整することが好ましい。基板の加熱温度を上下させることで、研磨レートを上下させることができる。

また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、更に、前記基板に対する前記研磨具の接触圧力、前記研磨具の移動速度、前記研磨具の回転速度、および前記基板の回転速度のうちの少なくとも１つを制御することにより、前記研磨レートを調整することが好ましい。例えば、研磨レートを維持しつつ基板の加熱温度を上げることで、基板に対する研磨具の接触圧力を下げることができる。これにより、接触圧力による基板の負荷を抑えることができる。すなわち、基板Ｗを押し過ぎてしまうことを防止することができる。

また、上述の基板処理装置において、前記保持回転部は、上下方向に延びる回転軸周りに回転可能なスピンベースと、前記スピンベースの上面に、前記回転軸を囲むようにリング状に設けられ、前記基板の側面を挟み込むことで前記基板を前記スピンベースの上面から離間して保持するように構成された３本以上の保持ピンと、を備え、前記加熱手段の一例は、前記スピンベースの上面に設けられた第１ヒータである。スピンベースの上面に設けられた第１ヒータによって、基板を加熱することができる。

また、上述の基板処理装置において、前記保持回転部は、上下方向に延びる回転軸周りに回転可能なスピンベースと、前記スピンベースの上面に、前記回転軸を囲むようにリング状に設けられ、前記基板の側面を挟み込むことで前記基板を前記スピンベースの上面から離間して保持するように構成された３本以上の保持ピンと、を備え、前記加熱手段の一例は、前記スピンベースの上面に開口して前記スピンベースの中心部に設けられ、前記基板と前記スピンベースとの隙間において、前記基板の中心側から前記基板の外縁に気体が流れるように、加熱された気体を吐出する気体吐出口である。

気体吐出口からの加熱気体によって、基板を加熱することができる。また、基板のデバイス面（表面）はスピンベースと対向する。気体吐出口から気体が吐出されると、基板の外縁とスピンベースとの隙間から外部に気体が噴出される。そのため、例えば研磨屑や液体が基板のデバイス面に付着することを防止する。すなわち、基板のデバイス面を保護することができる。

また、上述の基板処理装置において、前記加熱手段の一例は、前記研磨具を加熱する第２ヒータである。研磨具を加熱すると、研磨具を介して基板を加熱することができる。また、研磨具と基板の裏面との界面を効果的に加熱することができる。

また、上述の基板処理装置において、前記加熱手段の一例は、前記基板の裏面上に加熱された水を供給する加熱水供給ノズルである。加熱された水によって、基板を加熱することができる。また、加熱された水によって、基板の裏面から研磨屑を洗い流すことができる。

また、上述の基板処理装置において、前記処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ブロックを含み、前記塗布ブロックと前記研磨ブロックと前記現像ブロックは、水平方向に直線状に配置されることが好ましい。

また、本発明に係る基板処理装置は、基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、を備え、前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、前記処理ブロックは、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、前記インターフェースブロックは、前記塗布ユニットでレジストが塗布された前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、前記研磨ユニットは、前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、前記基板を加熱する加熱手段と、砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とするものである。

また、上述の基板処理装置において、前記処理ブロックは、塗布ブロックと現像ブロックとを備え、前記塗布ブロックは、前記塗布ユニットを有し、前記現像ブロックは、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ユニットを有し、前記現像ブロックは、前記塗布ブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置されることが好ましい。

また、本発明に係る基板処理装置は、基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、を備え、前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、前記処理ブロックは、上下方向に積層された塗布層と研磨層とを含み、前記塗布層は、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、前記研磨層は、前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、前記研磨ユニットは、前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、前記基板を加熱する加熱手段と、砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とするものである。

また、上述の基板処理装置において、前記処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像層を含み、前記現像層、前記塗布層および前記研磨層は、上下方向に積層されることが好ましい。

また、上述の基板処理装置において、前記インデクサブロックと前記処理ブロックの間に配置された中間ブロックを更に備え、前記中間ブロックは、バッファ群と基板搬送ロボットを備え、前記バッファ群は、上下方向に配置された複数の基板バッファであって、前記基板を各々載置する前記複数の基板バッファを備え、前記基板搬送ロボットは、前記複数の基板バッファの間で前記基板を搬送し、前記インデクサブロックは、前記バッファ群を介して、前記処理ブロックとの間で前記基板を搬送することが好ましい。これにより、インデクサブロック側において、基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。

また、本発明に係る基板処理装置は、基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有する第１処理ブロックと、前記基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有する第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックまたは前記第２処理ブロックに水平方向に連結し、外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、を備え、前記第１処理ブロック、前記インデクサブロック、および前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、前記研磨ユニットは、前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、前記基板を加熱する加熱手段と、砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とするものである。

また、上述の基板処理装置において、前記第２処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ユニットを含み、前記インターフェースブロックは、前記第２処理ブロックに水平方向に連結することが好ましい。

本発明に係る基板処理装置によれば、研磨処理の時間を短くすることができる。

実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。 研磨ユニットを示す側面図である。 （ａ）は、保持回転部を示す平面図であり、（ｂ）は、保持回転部を一部拡大して示す縦断面図である。 研磨ユニットの研磨機構を示す図である。 検査ユニットを示す図である。 （ａ）～（ｄ）は、反転ユニットを説明するための図である。 実施例１に係る研磨処理装置の動作を示すフローチャートである。 （ａ）は、エッチング工程前の状態の基板を模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）は、エッチング工程後（裏面研磨工程前）の基板を模式的に示す縦断面図であり、（ｃ）は、裏面研磨工程後の基板を模式的に示す縦断面図である。 ウエットエッチング工程の詳細を示すフローチャートである。 基板の加熱温度と研磨レートの関係を示す図である。 基板の洗浄工程の詳細を示すフローチャートである。 実施例２に係る基板処理装置の横断面図である。 実施例２に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例３に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例３に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例３に係る基板処理装置（研磨層）の横断面図である。 （ａ）は、塗布層の横断面図であり、（ｂ）は、現像層の横断面図である。 実施例３の変形例に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例４に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例４に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例４に係る基板処理装置の上層の横断面図である。 実施例４に係る基板処理装置の下層の横断面図である。 実施例４の変形例に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例５に係る研磨ユニットの研磨機構の好ましい構成を示す図である。 実施例５に係る研磨ヘッドの縦断面図である。 実施例５に係る研磨ヘッドの底面図である。 実施例６に係る研磨ヘッドの縦断面図である。 実施例６に係る研磨ヘッドの底面図である。 実施例７に係る研磨ヘッドの縦断面図である。 実施例７に係る研磨ヘッドの底面図である。 実施例８に係る基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 実施例９に係る、基板の加熱温度と、研磨具の接触圧力（押し圧）の関係を示す図である。 実施例１０に係る研磨ユニットを示す側面図である。 実施例１０に係る液処理ユニットを示す側面図である。 （ａ）、（ｂ）は、変形例に係る研磨具を加熱するヒータを示す図である。 変形例に係る加熱手段の組合せと基板の加熱温度の関係を示す図である。 変形例に係る基板処理装置の縦断面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。図２は、実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。図３は、実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。

（１）基板処理装置１の構成
図１～図３を参照する。基板処理装置１は、インデクサブロックＢ１、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４、およびインターフェースブロックＢ５を備える。なお、インターフェースブロックＢ５は、以下適宜、「ＩＦブロックＢ５」と呼ばれる。インデクサブロックＢ１、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４、およびＩＦブロックＢ５は、この順番で水平方向に直線状に配置される。なお、ブロックは領域（エリア）と呼ばれる。

研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３、および現像ブロックＢ４は、２層構造である。すなわち、研磨ブロックＢ２は、２つの研磨層１４Ａ，１４Ｂを備える。塗布ブロックＢ３は、２つの塗布層１４１Ａ，１４１Ｂを備える。現像ブロックＢ４は、２つの現像層１５３Ａ，１５３Ｂを備える。

基板処理装置１は、図２に示すように、４つの反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４、４つの基板載置部ＰＳ１～ＰＳ４および４つの基板バッファＢＦ１～ＢＦ４を備える。４つの反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４は各々、基板Ｗの表裏を反転させる。また、各基板載置部ＰＳ１～ＰＳ４は、基板を載置する。

反転ユニットＲＶ１および基板載置部ＰＳ１は、インデクサブロックＢ１と上側の研磨層１４Ａとの間に配置される。反転ユニットＲＶ２および基板載置部ＰＳ２は、インデクサブロックＢ１と下側の研磨層１４Ｂとの間に配置される。反転ユニットＲＶ３および基板載置部ＰＳ３は、上側の研磨層１４Ａと上側の塗布層１４１Ａの間に配置される。反転ユニットＲＶ４および基板載置部ＰＳ４は、下側の研磨層１４Ｂと下側の塗布層１４１Ｂの間に配置される。４つの反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４の詳細は後述する。

各基板バッファＢＦ１～ＢＦ４は、１または複数の基板Ｗを載置できるように１または複数の基板載置部を備える。基板バッファＢＦ１は、上側の塗布層１４１Ａと上側の現像層１５３Ａとの間に配置される。基板バッファＢＦ２は、下側の塗布層１４１Ｂと下側の現像層１５３Ｂとの間に配置される。基板バッファＢＦ３は、上側の現像層１５３ＡとＩＦブロックＢ５の間に配置される。基板バッファＢＦ４は、下側の現像層１５３ＢとＩＦブロックＢ５の間に配置される。なお、図２において、図示の便宜上、反転ユニットＲＶ１、基板載置部ＰＳ１および基板バッファＢＦ１などを基板搬送ロボットＴＲ１などよりも手前に示している。

（１－１）インデクサブロックＢ１の構成
インデクサブロックＢ１は、例えば４つ（複数）のキャリア載置台３とインデクサロボットＩＲ１を備える。４つのキャリア載置台３は、ハウジング５の外側の面に配置される。４つのキャリア載置台３は各々、キャリアＣを載置するものである。キャリアＣは、複数の基板Ｗを収納する。キャリアＣ内の各基板Ｗはデバイス面を上側（上向き）にした水平姿勢である。キャリアＣは、例えば、フープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、オープンカセットが用いられる。基板Ｗはシリコン基板であり、例えば円板状に形成される。

インデクサロボットＩＲ１は、各キャリア載置台３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、また、キャリアＣに基板Ｗを収納する。言い換えると、インデクサロボットＩＲ１は、キャリア載置台３に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗを出し入れする。インデクサロボットＩＲ１は、ハウジング５の内部に配置される。また、インデクサロボットＩＲ１は、各キャリア載置台３に載置されたキャリアＣ、反転ユニットＲＶ１および基板載置部ＰＳ１の間で基板Ｗを搬送する。

インデクサロボットＩＲ１は、２つのハンド７、進退駆動部９、昇降回転駆動部１１、および水平駆動部１２を備えている。２つのハンド７は各々、基板Ｗを保持する。また、２つのハンド７は各々、進退駆動部９に進退可能に取り付けられている。進退駆動部９は、２つのハンド７を同時に進退させるができる。また、進退駆動部９は、２つのハンド７を個々に進退させることができる。昇降回転駆動部１１は、進退駆動部９を昇降および回転させることで、２つのハンド７を昇降および回転させる。すなわち、昇降回転駆動部１１は、進退駆動部９を上下方向（Ｚ方向）に移動することができると共に、進退駆動部９を鉛直軸ＡＸ１周りに回転させることができる。

水平駆動部１２は、Ｙ方向に延びるガイドレール１２Ａを備える。水平駆動部１２は、昇降回転駆動部１１を４つのキャリア載置台３が並んだＹ方向に移動させる。これにより、水平駆動部１２は、２つのハンド７をＹ方向に移動させることができる。進退駆動部９、昇降回転駆動部１１および水平駆動部１２は各々、電動モータを備える。

なお、インデクサロボットＩＲ１は、進退駆動部９、昇降回転駆動部１１および水平駆動部１２に代えて、スカラ型の多関節アームおよび昇降駆動部を備えていてもよい。この場合、多関節アームの先端部には、１または複数のハンド７が設けられ、多関節アームの基端部は、昇降駆動部に取り付けられる。昇降駆動部は、多関節アームを上下方向（Ｚ方向）に昇降させる。多関節アームと昇降駆動部は各々、電動モータを備える。昇降駆動部は、Ｙ方向に移動されるように構成されていてもよい。あるいは、昇降駆動部は、Ｙ方向に移動されずに、ハウジングの床または内側壁に固定されていてもよい。

（１－２）研磨ブロックＢ２の構成
研磨ブロックＢ２は、上下方向に積層された２つの研磨層１４Ａ，１４Ｂを備えている。研磨層１４Ａは、研磨層１４Ｂとほぼ同様の構成を備える。そのため、上側の研磨層１４Ａを代表して説明する。上側の研磨層１４Ａは、搬送スペース１６、基板搬送ロボットＴＲ１、および例えば８つ（複数）の処理ユニットＵ１～Ｕ４を備えている。

４つの処理ユニットＵ１～Ｕ４は各々、２段で構成される（図３参照）。処理ユニットＵ１は、検査ユニット２０である。処理ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４は各々、研磨ユニット２２である。処理ユニットＵ１～Ｕ４の個数および種類は適宜変更可能である。

基板搬送ロボットＴＲ１は、搬送スペース１６に配置される。搬送スペース１６は、平面視でＸ方向に延びるように構成される。処理ユニットＵ１，Ｕ３は、搬送スペース１６に沿ってＸ方向に並んで配置される。また、処理ユニットＵ２，Ｕ４は、搬送スペース１６に沿ってＸ方向に並んで配置される。搬送スペース１６は、処理ユニットＵ１，Ｕ３と処理ユニットＵ２，Ｕ４の間に配置される。

基板搬送ロボットＴＲ１は、２つの反転ユニットＲＶ１，ＲＶ３、２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ３および８つの処理ユニットＵ１～Ｕ４の間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＴＲ１は、２つのハンド２３、進退駆動部２５、回転駆動部２７、水平駆動部２９および昇降駆動部３０を備える。

２つのハンド２３は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド２３は各々、進退駆動部２５に進退可能に取り付けられる。進退駆動部２５は、２つのハンド２３を進退させる。回転駆動部２７は、鉛直軸ＡＸ２周りに進退駆動部２５を回転させる。これにより、２つのハンド２３の向きを変えることができる。水平駆動部２９は、回転駆動部２７をＸ方向に移動させる。また、昇降駆動部３０は、水平駆動部２９をＺ方向に昇降させる。２つのハンド２３は、水平駆動部２９および昇降駆動部３０により、ＸＺ方向に移動される。進退駆動部２５、回転駆動部２７、水平駆動部２９および昇降駆動部３０は各々、電動モータを備える。

（１－２－１）研磨ユニット２２
図４は、研磨ユニット２２を示す図である。研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面を研磨する。研磨ユニット２２は、保持回転部３５、研磨機構３７および基板厚み測定装置３９を備える。保持回転部３５は、本発明の保持回転部に相当する。

保持回転部３５は、基板Ｗの裏面を上向きにした水平姿勢の１枚の基板Ｗを保持し、保持した基板Ｗを回転させる。ここで基板Ｗの裏面とは、電子回路が形成された側の面（デバイス面）である基板Ｗの表面に対して、電子回路が形成されていない側の面をいう。保持回転部３５に保持された基板Ｗのデバイス面は下向きである。

保持回転部３５は、スピンベース４１、６本の保持ピン４３、ホットプレート４５、および気体吐出口４７を備える。スピンベース４１は円板状に形成され、水平姿勢で配置される。スピンベース４１の中心には、上下方向に延びる回転軸ＡＸ３が通過する。スピンベース４１は、回転軸ＡＸ３周りに回転可能である。

図５（ａ）は、保持回転部３５のスピンベース４１と６本の保持ピン４３を示す平面図である。６本の保持ピン４３は、スピンベース４１の上面に設けられる。６本の保持ピン４３は、回転軸ＡＸ３を囲むようにリング状に設けられる。また、６本の保持ピン４３は、スピンベース４１の外縁側に等間隔に設けられる。６本の保持ピン４３は、スピンベース４１および後述するホットプレート４５から離して基板Ｗを載置する。更に、６本の保持ピン４３は、基板Ｗの側面を挟み込むように構成されている。すなわち、６本の保持ピン４３は、スピンベース４１の上面から離間して基板Ｗを保持することができる。

６本の保持ピン４３は、回転動作する３本の保持ピン４３Ａと、回転動作しない３本の保持ピン４３Ｂに分けられる。３本の保持ピン４３Ａは、上下方向に延びる回転軸ＡＸ４周りに回転可能である。各保持ピン４３Ａが回転軸ＡＸ４周りに回転することで、３本の保持ピン４３Ａは、基板Ｗを保持し、保持した基板Ｗを解放する。各保持ピン４３Ａの回転軸ＡＸ４周りの回転は、例えば磁石による磁気的な吸引力または反発力によって行われる。保持ピン４３の数は、６本に限定されず、３本以上であればよい。基板Ｗの保持は、回転動作する保持ピン４３Ａと回転動作しない保持ピン４３Ｂを含む３本以上の保持ピン４３で行ってもよい。

スピンベース４１の上面には、ホットプレート４５が設けられている。ホットプレート４５は、例えばニクロム線を有する電熱器を内部に備える。ホットプレート４５は、ドーナツ状かつ円板状に形成される。ホットプレート４５は、基板Ｗを輻射熱で加熱する。また、ホットプレート４５は、後述する気体吐出口４７から吐出される気体も加熱するので、その気体を介して基板Ｗを加熱する。基板Ｗの温度は、非接触の温度センサ４６により測定される。温度センサ４６は、基板Ｗが発する赤外線を検出する検出素子を備える。なお、ホットプレート４５は、本発明の加熱手段に相当する。また、実施例１において、研磨ユニット２２は、後述するヒータ３４７、３５４（図４参照）を備えていない。

スピンベース４１の下面には、シャフト４９が設けられる。回転機構５１は、電動モータを有する。回転機構５１は、シャフト４９を回転軸ＡＸ３周りに回転させる。すなわち、回転機構５１は、スピンベース４１に設けられた６本の保持ピン４３（具体的には３本の保持ピン４３Ａ）で保持された基板Ｗを回転軸ＡＸ３周りに回転させる。

図４と図５（ｂ）を参照する。気体吐出口４７は、スピンベース４１の上面に開口してスピンベース４１の中心部分に設けられる。スピンベース４１の中心部には、上方が開口する流路５３が設けられている。また、流路５３には、複数のスペーサ５５を介して、吐出部材５７が設けられる。気体吐出口４７は、吐出部材５７と流路５３との隙間によって形成されたリング状の開口で構成される。

気体供給管５９は、回転軸ＡＸ３に沿ってシャフト４９および回転機構５１を貫通するように設けられる。気体配管６１は、気体供給源６３から気体供給管５９に気体（例えば窒素などの不活性ガス）を送る。気体配管６１には、開閉弁Ｖ１が設けられる。開閉弁Ｖ１は、気体の供給およびその停止を行う。開閉弁Ｖ１が開状態のとき、気体吐出口４７から気体が吐出される。開閉弁Ｖ１が閉状態のとき、気体吐出口４７から気体が吐出されない。気体吐出口４７は、基板Ｗとスピンベース４１との隙間において、基板Ｗの中心側から基板Ｗの外縁に気体が流れるように、気体を吐出する。

次に、薬液、リンス液および気体を供給するための構成を説明する。研磨ユニット２２は、第１薬液ノズル６５、第２薬液ノズル６７、第１洗浄液ノズル６９、第２洗浄液ノズル７１、リンス液ノズル７３、および気体ノズル７５を備えている。

第１薬液ノズル６５には、第１薬液供給源７７からの第１薬液を送るための薬液配管７８が接続される。第１薬液は例えばフッ酸（ＨＦ）である。薬液配管７８には、開閉弁Ｖ２が設けられる。開閉弁Ｖ２は、第１薬液の供給およびその停止を行う。開閉弁Ｖ２が開状態のとき、第１薬液ノズル６５から第１薬液が供給される。また、開閉弁Ｖ２が閉状態のとき、第１薬液ノズル６５からの第１薬液の供給が停止する。

第２薬液ノズル６７には、第２薬液供給源８０からの第２薬液を送るための薬液配管８１が接続される。第２薬液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）の混合液、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム：Tetramethylammonium hydroxide）、または希釈アンモニア熱水（Ｈｏｔ－ｄＮＨ_４ＯＨ）である。薬液配管８１には、開閉弁Ｖ３が設けられる。開閉弁Ｖ３は、第２薬液の供給およびその停止を行う。なお、第１薬液および第２薬液は、本発明のエッチング液に相当する。

第１洗浄液ノズル６９には、第１洗浄液供給源８３からの第１洗浄液を送るための洗浄液配管８４が接続される。第１洗浄液は、例えばＳＣ２またはＳＰＭである。ＳＣ２は、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水との混合液である。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）の混合液である。洗浄液配管８４には、開閉弁Ｖ４が設けられる。開閉弁Ｖ４は、第１洗浄液の供給およびその停止を行う。

第２洗浄液ノズル７１には、第２洗浄液供給源８６からの第２洗浄液を送るための洗浄液配管８７が接続される。第２洗浄液は、例えばＳＣ１である。ＳＣ１は、アンモニアと過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）と水との混合液である。洗浄液配管８７には、開閉弁Ｖ５が設けられる。開閉弁Ｖ５は、第２洗浄液の供給およびその停止を行う。

リンス液ノズル７３には、リンス液供給源８９からのリンス液を送るためのリンス液配管９０が接続される。リンス液は、例えば、ＤＩＷ（Deionized Water）等の純水または炭酸水である。リンス液配管９０には、開閉弁Ｖ６が設けられる。開閉弁Ｖ６は、リンス液の供給およびその停止を行う。

気体ノズル７５には、気体供給源９２からの気体を送るための気体配管９３が接続される。気体は、窒素などの不活性ガスである。気体配管９３には、開閉弁Ｖ７が設けられる。開閉弁Ｖ７は、気体の供給およびその停止を行う。

第１薬液ノズル６５は、ノズル移動機構９５によって水平方向に移動される。ノズル移動機構９５は電動モータを備える。ノズル移動機構９５は、予め設定された鉛直軸（図示しない）周りに第１薬液ノズル６５を回転させてもよい。また、ノズル移動機構９５は、Ｘ方向およびＹ方向に第１薬液ノズル６５を移動させてもよい。また、ノズル移動機構９５は、第１薬液ノズル６５を上下方向（Ｚ方向）に移動させてもよい。第１薬液ノズル６５と同様に、５つのノズル６７，６９，７１，７３，７５は各々、ノズル移動機構（図示しない）によって移動されてもよい。

次に、研磨機構３７の構成について説明する。研磨機構３７は、基板Ｗの裏面を研磨するものである。図６は、研磨機構３７を示す側面図である。研磨機構３７は、研磨具９６と研磨具移動機構（ヘッド駆動機構）９７を備える。研磨具移動機構９７は、取り付け部材９８、シャフト１００およびアーム１０１を備える。

研磨具（研削具）９６は、乾式の化学機械研削（Chemo-Mechanical Grinding：ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨するものである。研磨具９６は、円柱状に形成される。研磨具９６は、砥粒が分散された樹脂体を有する。換言すると、研磨具９６は、砥粒（研磨剤）を樹脂結合剤で固定して形成されたものである。砥粒として、例えば、酸化セリウムまたはシリカなどの酸化物が用いられる。砥粒の平均粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。樹脂体および樹脂結合剤として、例えば、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂などの熱硬化樹脂が用いられる。また、樹脂体および樹脂結合剤として、例えばエチルセルロースなどの熱可塑性樹脂が用いられてもよい。この場合、熱可塑性樹脂が軟化しないように研磨が行われる。

ここで、化学機械研削（ＣＭＧ）について説明する。ＣＭＧは、次のような原理で研削されると考えられている。すなわち、酸化セリウムなどの砥粒と対象物との接触により発生する砥粒近傍での局所的な高温および高圧は、砥粒と対象物間で固相反応を生じさせ、ケイ酸塩類を生成させる。その結果、対象物の表層が柔らかくなり、柔らかくなった表層が砥粒によって機械的に除去される。なお、研磨には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）という方式がある。この方式は、対象物に接触させるパッド（Pad）にスラリー溶液を供給し、スラリー溶液に含まれる砥粒をパッドの表面の凹凸に保持させて化学機械研磨する方式である。本発明は、ＣＭＧの方式を採用する。

研磨具９６は、例えばネジにより、取り付け部材９８に対して着脱可能である。取り付け部材９８は、シャフト１００の下端に固定される。シャフト１００には、プーリ１０２が固定されている。シャフト１００の上端側はアーム１０１に収容される。すなわち、研磨具９６および取り付け部材９８は、シャフト１００を介してアーム１０１に取り付けられる。

アーム１０１内には、電動モータ１０４およびプーリ１０６が配置される。電動モータ１０４の回転出力軸にはプーリ１０６が連結される。２つのプーリ１０２，１０６には、ベルト１０８がかけられる。電動モータ１０４によりプーリ１０６が回転する。プーリ１０６の回転は、ベルト１０８によってプーリ１０２およびシャフト１００に伝えられる。これにより、研磨具９６は鉛直軸ＡＸ５周りに回転する。

更に、研磨具移動機構９７は、昇降機構１１０を備える。昇降機構１１０は、ガイドレール１１１、エアシリンダ１１３および電空レギュレータ１１５を備える。アーム１０１の基端部は、ガイドレール１１１に昇降可能に接続する。ガイドレール１１１は、アーム１０１を上下方向に案内する。エアシリンダ１１３は、アーム１０１を昇降させる。電空レギュレータ１１５は、後述する主制御部１６５からの電気信号に基づいて設定された圧力の空気などの気体をエアシリンダ１１３に供給する。なお、昇降機構１１０は、エアシリンダ１１３に代えて電動モータで駆動されるリニアアクチュエータを備えていてもよい。

更に、研磨具移動機構９７は、アーム回転機構１１７を備える。アーム回転機構１１７は、電動モータを備える。アーム回転機構１１７は、アーム１０１および昇降機構１１０を鉛直軸ＡＸ６周りに回転させる。すなわち、アーム回転機構１１７は、研磨具９６を鉛直軸ＡＸ６周りに回転させる。

研磨ユニット２２は、基板厚み測定装置３９を備える。基板厚み測定装置３９は、保持回転部３５で保持された基板Ｗの厚みを測定する。基板厚み測定装置３９は、基板Ｗに対して透過性を有する波長域（例えば１１００ｎｍ～１９００ｎｍ）の光を、光ファイバーを通じて、光源からミラーおよび基板Ｗに照射するように構成されている。また、基板厚み測定装置３９は、ミラーによる反射光、基板Ｗの上面で反射した反射光、および基板Ｗの下面で反射した反射光を干渉させた戻り光を受光素子で検出するように構成されている。そして、基板厚み測定装置３９は、戻り光の波長と光強度の関係を示す分光干渉波形を生成し、この分光干渉波形を波形解析して、基板Ｗの厚みを測定するように構成されている。基板厚み測定装置３９は既知の装置である。基板厚み測定装置３９は、図示しない移動機構によって、基板外の待機位置と基板Ｗの上方の測定位置との間で移動されるように構成されてもよい。

（１－２－２）検査ユニット２０
図７は、検査ユニット２０を示す側面図である。検査ユニット２０は、ステージ１２１、ＸＹ方向移動機構１２２、カメラ１２４、照明１２５、レーザ走査型共焦点顕微鏡１２７、および昇降機構１２８、および検査制御部１３０を備えている。

ステージ１２１は、裏面が上向きかつ水平姿勢に基板Ｗを支持する。ステージ１２１は、円板状のベース部材１３１と、例えば６本の支持ピン１３２とを備える。６本の支持ピン１３２は、ベース部材１３１の中心軸ＡＸ７周りにリング状に設けられる。また、６本の支持ピン１３２は、周方向に等間隔に配置される。このような構成により、６本の支持ピン１３２は、ベース部材１３１から基板Ｗを離間した状態で、基板Ｗの外縁を支持することができる。また、ＸＹ方向移動機構１２２は、ステージ１２１をＸＹ方向（水平方向）に移動させる。ＸＹ方向移動機構１２２は、例えば、電動モータで各々駆動される２つのリニアアクチュエータを備える。

カメラ１２４は、基板Ｗの裏面を撮影する。カメラ１２４は、ＣＣＤ（charge-coupled device）またはＣＭＯＳ（complementary metal-oxide semiconductor）などのイメージセンサを備える。照明１２５は、基板Ｗの裏面に光を照射する。これにより、例えば、基板Ｗの裏面に生じたスクラッチを観察し易くすることができる。

レーザ走査型共焦点顕微鏡１２７は、以下、「レーザ顕微鏡１２７」と呼ばれる。レーザ顕微鏡１２７は、レーザ光源、対物レンズ１２７Ａ、結像レンズ、光センサ、および共焦点ピンホールを有するコンフォーカル光学系を備える。レーザ顕微鏡１２７は、レーザ光源をＸＹ方向（水平方向）にスキャンすることにより平面画像を取得する。更に、レーザ顕微鏡１２７は、観察対象に対して対物レンズ１２７ＡをＺ方向（高さ方向）に移動させながら平面画像を取得する。その結果、レーザ顕微鏡１２７は、三次元形状を含む三次元画像（複数の平面画像）を取得する。なお、レーザ顕微鏡１２７は、三次元形状測定装置と呼ばれる。

レーザ顕微鏡１２７は、基板Ｗの裏面に生じた任意のスクラッチの三次元画像を取得する。例えば、後述する制御部は、取得した三次元画像のスクラッチの三次元形状からスクラッチの深さを測定する。昇降機構１２８は、上下方向（Ｚ方向）にレーザ顕微鏡１２７を昇降させる。昇降機構１２８は、電動モータで駆動されるリニアアクチュエータで構成される。

（１－２－３）反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４
図８（ａ）～図８（ｄ）は、反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４を説明するための図である。基板処理装置１は、４つの反転ユニットＲＶ１～ＲＶ４を備える（図２参照）。反転ユニットＲＶ１は３つの反転ユニットＲＶ２～ＲＶ４の各々と同様に構成される。そのため、反転ユニットＲＶ１を代表して説明する。

反転ユニットＲＶ１は、支持部材１３５、載置部材１３７Ａ，１３７Ｂ、挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂ、スライド軸１４０、および複数の電動モータ（図示しない）を備えている。左右の支持部材１３５には、それぞれ載置部材１３７Ａ，１３７Ｂが設けられている。また、左右のスライド軸１４０には、それぞれ挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂが設けられている。複数の電動モータは、支持部材１３５およびスライド軸１４０を駆動させる。なお、載置部材１３７Ａ，１３７Ｂと挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂは互いに干渉しない位置に設けられている。

図８（ａ）を参照する。載置部材１３７Ａ，１３７Ｂには、例えばインデクサロボットＩＲ１によって搬送された基板Ｗが載置される。図８（ｂ）を参照する。左右のスライド軸１４０は水平軸ＡＸ８に沿って互いに近づく。これにより、挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂは、２枚の基板Ｗを挟持する。図８（ｃ）を参照する。その後、左右の載置部材１３７Ａ，１３７Ｂは、互いに離れながら下降する。その後、挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂは、水平軸ＡＸ８周りに１８０°回転する。これにより、各基板Ｗは、反転される。

図８（ｄ）を参照する。その後、左右の載置部材１３７Ａ，１３７Ｂは、互いに近づきながら上昇する。その後、左右のスライド軸１４０は水平軸ＡＸ８に沿って互いに離れる。これにより、挟持部材１３９Ａ，１３９Ｂによる２枚の基板Ｗの挟持が開放されると共に、２枚の基板Ｗは、載置部材１３７Ａ，１３７Ｂに載置される。図８（ａ）～図８（ｄ）では、反転ユニットＲＶ１は２枚の基板Ｗを反転できるが、反転ユニットＲＶ１は、３枚以上の基板Ｗを反転できるように構成されてもよい。

（１－３）塗布ブロックＢ３の構成
図１～図３を参照する。塗布ブロックＢ３は、上下方向に積層された２つの塗布層１４１Ａ，１４１Ｂを備えている。上側の塗布層１４１Ａは、下側の塗布層１４１Ｂとほぼ同様に構成される。そのため、上側の塗布層１４１Ａを代表して説明する。上側の塗布層１４１Ａは、搬送スペース１４３、基板搬送ロボットＴＲ２、例えば４つ（複数）の液処理ユニットＵ１１、および複数の処理ユニットＵ１２を備える。

基板搬送ロボットＴＲ２は、搬送スペース１４３に設けられる。基板搬送ロボットＴＲ２は、研磨層１４Ａの基板搬送ロボットＴＲ１と同様に構成される。上側の塗布層１４１Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ２は、反転ユニットＲＶ３、基板載置部ＰＳ３、基板バッファＢＦ１、４つの液処理ユニットＵ１１および複数の処理ユニットＵ１２の間で基板Ｗを搬送する。

図１に示すように、４つの液処理ユニットＵ１１と複数の処理ユニットＵ１２は、搬送スペース１４３を挟み込むように配置される。図３に示すように、４つの液処理ユニットＵ１１は、水平方向（Ｘ方向）に２個、かつ上下方向（Ｚ方向）に２段で配置される。また、例えば、塗布層１４１Ａが１５個の処理ユニットＵ１２を備える場合、１５個の処理ユニットＵ１２は、水平方向（Ｘ方向）に３個、かつ上下方向（Ｚ方向）に５段で配置される。

図１、図３に示すように、液処理ユニットＵ１１は、保持回転部１４５、ノズル１４７およびノズル移動機構１４９を備える。保持回転部１４５は、基板Ｗを水平姿勢で保持した状態で、鉛直軸周りに基板Ｗを回転するように構成される。保持回転部１４５は、基板Ｗの下面を吸着して保持し、あるいは、基板Ｗの端面を水平方向に挟み込むことで基板Ｗを保持する。保持回転部１４５は、基板Ｗを回転するために電動モータを備える。ノズル１４７は、例えばレジスト液または反射防止膜を形成するための薬液を吐出する。ノズル１４７には、開閉弁が設けられた配管が接続される。ノズル移動機構１４９は、ノズル１４７を任意の位置に移動させるものである。ノズル移動機構１４９は、例えば電動モータで駆動するリニアアクチュエータを備える。

液処理ユニットＵ１１として、例えば、基板Ｗの表面にレジストを塗布する塗布ユニットＰＲが用いられる。これに加えて、液処理ユニットＵ１１として、例えば、反射防止膜を形成する塗布ユニットＢＡＲＣが用いられてもよい。図３において、塗布層１４１Ａの下段には、２つの塗布ユニットＢＡＲＣが配置される。また、塗布層１４１Ａの上段には、２つの塗布ユニットＰＲが配置される。

処理ユニットＵ１２として、例えば、冷却部ＣＰおよび加熱処理部ＰＡＢが用いられる。冷却部ＣＰは基板Ｗを冷却する。加熱処理部ＰＡＢは、塗布後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。加熱処理部ＰＡＢ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ（後述）、およびポストベーク部ＰＢ（後述）は各々、冷却機能を有する。基板Ｗを加熱する場合、処理ユニットＵ１２および後述する処理ユニットＵ２２は各々、例えば、基板Ｗを載置するプレート１５１と、ヒータ（例えば電熱器）とを備える。基板Ｗを冷却する場合、処理ユニットＵ１２および後述する処理ユニットＵ２２は各々、プレート１５１と、例えば水冷式の循環機構またはペルチェ素子とを備える。

（１－４）現像ブロックＢ４の構成
図１～図３を参照する。現像ブロックＢ４は、上下方向に積層された２つの現像層１５３Ａ，１５３Ｂを備えている。上側の現像層１５３Ａは、下側の現像層１５３Ｂとほぼ同様に構成される。そのため、上側の現像層１５３Ａを代表して説明する。上側の現像層１５３Ａは、搬送スペース１５５、基板搬送ロボットＴＲ３、例えば４つ（複数）の液処理ユニットＵ２１、および複数の処理ユニットＵ２２を備える。これらの構成１５５、ＴＲ３、Ｕ２１、Ｕ２２は、塗布層１４１Ａの構成１４３，ＴＲ２，Ｕ１１，Ｕ１２と同様に配置される。

基板搬送ロボットＴＲ３は、研磨層１４Ａの基板搬送ロボットＴＲ１と同様に構成される。上側の現像層１５３Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ３は、２つの基板バッファＢＦ１，ＢＦ３、４つの液処理ユニットＵ２１および複数の処理ユニットＵ２２の間で基板Ｗを搬送する。

液処理ユニットＵ２１として、現像ユニットＤＥＶが用いられる。現像ユニットＤＥＶは、露光装置ＥＸＰで露光された基板Ｗに現像処理を行う。現像ユニットＤＥＶは、液処理ユニットＵ１１と同様に、保持回転部１４５、ノズル１４７およびノズル移動機構１４９を備える。ノズル１４７は、基板Ｗに対して現像液を吐出する。

また、処理ユニットＵ２２として、例えば、冷却部ＣＰ、ポストベーク部ＰＢおよびエッジ露光部ＥＥＷが用いられる。ポストベーク部ＰＢは、現像処理後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの周縁部を露光する。

（１－５）インターフェースブロック（ＩＦブロック）Ｂ５の構成
ＩＦブロックＢ５は、外部の露光装置ＥＸＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。ＩＦブロックＢ５は、３台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６、複数の裏面洗浄ユニットＢＳＳ、複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢ、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰを備える。

３台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６は各々、水平駆動部１２を備えていない点以外は、インデクサロボットＩＲ１を同様に構成される。２台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５は、Ｙ方向に沿って配置される。現像ブロックＢ４と基板搬送ロボットＴＲ６は、２台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５を挟むように配置される。

基板搬送ロボットＴＲ４は、２つの基板バッファＢＦ３，ＢＦ４、複数の裏面洗浄ユニットＢＳＳ（矢印ＡＲ１側）、複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＡＲ１側）、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの間で基板Ｗを搬送する。

基板搬送ロボットＴＲ５は、２つの基板バッファＢＦ３，ＢＦ４、複数の裏面洗浄ユニットＢＳＳ（矢印ＡＲ２側）、複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＡＲ２側）、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＴＲ６は、外部の露光装置ＥＸＰ、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの間で基板Ｗを搬送する。

裏面洗浄ユニットＢＳＳは、基板Ｗの裏面に供給される洗浄液およびブラシにより基板Ｗの裏面を洗浄する。裏面洗浄ユニットＢＳＳは、保持回転部１５７、ノズル１５９、ブラシ１６１、およびブラシ移動機構１６３を備える（図３参照）。保持回転部１５７は、基板Ｗの上方から、表面が上向きの基板Ｗを保持する。保持回転部１５７は、水平姿勢の基板Ｗの外縁を保持することで基板Ｗを保持する。保持回転部１５７で保持される基板Ｗの裏面は下向きである。

ノズル１５９は、基板Ｗの裏面に洗浄液を供給する。ブラシ１６１は、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のスポンジブラシが用いられる。ブラシ移動機構１６３は、図６の研磨具移動機構９７と同様に、水平方向および上下方向にブラシ１６１を移動させる。ブラシ移動機構１６３は、洗浄液が供給され、かつ回転する基板Ｗの裏面にブラシ１６１を接触させることで、基板Ｗの裏面を洗浄する。なお、保持回転部１５７およびブラシ移動機構１６３は、電動モータを備える。

露光後ベーク処理部ＰＥＢは、露光後の基板Ｗに対して熱処理を行う。基板載置部ＰＳ９と３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、上下方向に積層される。また、基板載置部ＰＳ９と３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、平面視で、３台の基板搬送ロボットＴＲ４～ＴＲ６の間に配置される。基板載置部ＰＳ９は、基板Ｗを載置する。各載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、基板Ｗを載置すると共に、冷却部ＣＰのように基板Ｗを冷却する。

なお、各処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ２１，Ｕ２２の個数および種類は適宜変更可能である。また、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、基板載置部ＰＳ１～ＰＳ４，ＰＳ９および載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの個数は適宜変更可能である。

なお、下側の研磨層１４Ｂにおいて、研磨層１４Ｂの基板搬送ロボットＴＲ１は、２つの反転ユニットＲＶ２，ＲＶ４、２つの基板載置部ＰＳ２，ＰＳ４および８つ（４個×２段）の処理ユニットＵ１～Ｕ４の間で基板Ｗを搬送する。下側の塗布層１４１Ｂにおいて、塗布層１４１Ｂの基板搬送ロボットＴＲ２は、反転ユニットＲＶ４、基板載置部ＰＳ４、基板バッファＢＦ２、４つの液処理ユニットＵ１１および複数の処理ユニットＵ１２の間で基板Ｗを搬送する。また、下側の現像層１５３Ｂにおいて、現像層１５３Ｂの基板搬送ロボットＴＲ３は、２つの基板バッファＢＦ２，ＢＦ４、４つの液処理ユニットＵ２１および複数の処理ユニットＵ２２の間で基板Ｗを搬送する。

（１－６）基板処理装置１の制御に関する構成
図１に戻る。基板処理装置１は、主制御部１６５と記憶部（図示しない）を備えている。主制御部１６５は、各構成を制御する。主制御部１６５は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つまたは複数のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラム等が記憶されている。主制御部１６５は、研磨ブロックＢ２の検査ユニット２０の検査制御部１３０と通信可能に接続されている。

なお、研磨ブロックＢ２および塗布ブロックＢ３，あるいは研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３および現像ブロックＢ４は、本発明の、基板に所定の処理を行う処理ブロックに相当する。

（２）基板処理装置１の動作
次に、図１等を参照しながら、基板処理装置１の動作を説明する。図示しないキャリア搬送装置は、４つのキャリア載置台３のいずれか１つにキャリアＣを搬送する。この際、基板Ｗは、表面が上向きの状態でキャリアＣに収納されている。

インデクサブロックＢ１のインデクサロボットＩＲ１は、キャリア載置台３に搬送されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを反転ユニットＲＶ１に基板Ｗを搬送する。反転ユニットＲＶ１は、基板Ｗの裏面が上向きになるように基板Ｗを反転する。

研磨ブロックＢ２の上側の研磨層１４Ａは、基板Ｗの裏面を研磨する。研磨層１４Ａにおける裏面研磨の詳細は後述する。研磨層１４Ａの基板搬送ロボットＴＲ１は、裏面研磨が行われた基板Ｗを反転ユニットＲＶ３に搬送する。その後、反転ユニットＲＶ３は、基板Ｗの表面が上向きになるように基板Ｗを反転する。

その後、塗布ブロックＢ３の上側の塗布層１４１Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ２は、反転ユニットＲＶ３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。この際、塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成する。その後、基板搬送ロボットＴＲ２は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢ、基板バッファＢＦ１の順番に搬送する。この際、塗布ユニットＰＲは、基板Ｗの表面にレジストを塗布する。具体的に、塗布ユニットＰＲは、反射防止膜上にレジスト膜を形成する。

その後、現像ブロックＢ４の上側の現像層１５３Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ３は、基板バッファＢＦ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、エッジ露光部ＥＥＷ、基板バッファＢＦ３の順番に搬送する。

その後、ＩＦブロックＢ５の例えば基板搬送ロボットＴＲ４は、基板バッファＢＦ３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの順番に搬送する。その後、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ６は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを外部の露光装置ＥＸＰに搬出する。その後、露光装置ＥＸＰは、例えばＥＵＶ光を照射して、基板Ｗの表面に塗布されたレジストを露光する。この際、基板Ｗの裏面は、研磨ユニット２２により研磨されているので、デフォーカスの問題を解消することができる。

その後、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ６は、外部の露光装置ＥＸＰから、露光処理された基板Ｗを搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、例えば基板搬送ロボットＴＲ４は、基板載置部ＰＳ９から露光処理された基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、基板バッファＢＦ３の順番に搬送する。なお、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ５は、基板搬送ロボットＴＲ４と同様に基板Ｗを搬送する。

その後、現像ブロックＢ４の現像層１５３Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ３は、基板バッファＢＦ３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＢＰ、基板バッファＢＦ１の順番に搬送する。この際、現像ユニットＤＥＶは、基板Ｗに現像処理を行う。

その後、塗布ブロックＢ３の塗布層１４１Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ２は、基板バッファＢＦ１から基板載置部ＰＳ３に基板Ｗを搬送する。その後、研磨ブロックＢ２の研磨層１４Ａの基板搬送ロボットＴＲ１は、基板載置部ＰＳ３から基板載置部ＰＳ１に基板Ｗを搬送する。その後、インデクサブロックＢ１のインデクサロボットＩＲ１は、基板載置部ＰＳ１から現像処理が行われた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、キャリア載置台３に載置されたキャリアＣに戻す。その後、図示しないキャリア搬送装置は、処理後の基板Ｗを収容するキャリアＣを次の目的地に搬送する。

（２－１）研磨ブロックＢ２（研磨層１４Ａ，１４Ｂ）の動作
次に、図９を参照しながら、研磨ブロックＢ２の研磨層１４Ａによる裏面研磨の詳細を説明する。研磨層１４Ｂは、研磨層１４Ａと同様に動作する。インデクサブロックＢ１のインデクサロボットＩＲ１は、反転ユニットＲＶ１に基板Ｗを搬送する。この際、基板Ｗのデバイス面は上向きであると共に、基板Ｗの裏面は下向きである。

〔ステップＳ０１〕基板Ｗの反転
インデクサロボットＩＲ１によって載置部材１３７Ａ，１３７Ｂに１枚または２枚の基板Ｗが載置されると、図８（ａ）～図８（ｄ）に示すように、反転ユニットＲＶ１は、１枚または２枚の基板Ｗを反転する。これにより、基板Ｗの裏面は、上向きになる。

基板搬送ロボットＴＲ１は、反転ユニットＲＶ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを２つの検査ユニット２０の一方に搬送する。図７に示す検査ユニット２０のステージ１２１には、裏面が上向きの基板Ｗが載置される。

〔ステップＳ０２〕スクラッチ観察
検査ユニット２０は、基板Ｗの裏面を検査する。検査ユニット２０は、スクラッチ、パーティクル、その他の突起を検出する。本実施例では、特に、基板Ｗの裏面に形成されたスクラッチを検出する場合について説明する。

図７に示す検査ユニット２０において、照明１２５は、基板Ｗの裏面に向けて光を照射する。カメラ１２４は、光が照射された基板Ｗの裏面を撮影して観察画像を取得する。カメラ１２４による撮影は、ＸＹ方向移動機構１２２により基板Ｗが載置されたステージ１２１を移動させながら行ってもよい。取得した観察画像には大小のスクラッチが写り込んでいる。検査制御部１３０は、観察画像に対して画像処理を行って、反射光が相対的に強い部分、すなわち予め設定された閾値より大きい輝度を有する部分を研磨対象であるとして、１つまたは複数のスクラッチを抽出する。また、検査制御部１３０は、スクラッチの長さに基づいて、研磨対象のスクラッチを抽出してもよい。

また、検査ユニット２０は、スクラッチを検出したときに、スクラッチの深さを測定する。例えば、複数のスクラッチを検出（抽出）したときは、検査ユニット２０は、その内の代表的な１つまたは複数のスクラッチの深さを測定する。スクラッチの深さの測定について説明する。

昇降機構１２８（図７）は、レーザ顕微鏡１２７を予め設定された高さ位置に下降させる。これに加えて、ＸＹ方向移動機構１２２は、レーザ顕微鏡１２７の対物レンズ１２７Ａの下方に、測定対象のスクラッチが位置するように、ステージ１２１を移動させる。ステージ１２１の移動は、観察画像において抽出されたスクラッチの座標に基づき行われる。レーザ顕微鏡１２７は、対物レンズ１２７Ａからレーザ光をスクラッチ（全体または一部）とその周辺に対して照射しつつ、対物レンズ１２７Ａを通じて反射光を収集する。その結果、レーザ顕微鏡１２７は、三次元形状を含む三次元画像を取得する。

検査制御部１３０は、三次元画像に対して画像処理を行い、スクラッチの深さを測定する。図１０（ａ）は、エッチング工程の前における基板Ｗの状態を説明するための縦断面図である。この図１０（ａ）において、例えば、基板Ｗの裏面には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、ポリシリコン等の薄膜ＦＬが形成されているものとする。また、図１０（ａ）の左側のスクラッチＳＨ１は、ベアシリコンＢＳｉまで達しているものとする。この場合、検査制御部１３０は、レーザ顕微鏡１２７によって得られた三次元画像から、スクラッチＳＨ１の深さ（値ＤＰ１）を測定する。

スクラッチ等の観察を行った後、基板搬送ロボットＴＲ１は、検査ユニット２０のステージ１２１から６つの研磨ユニット２２（Ｕ２～Ｕ４）のいずれか１つに基板Ｗを搬送する。研磨ユニット２２の保持回転部３５には、裏面が上向きの基板Ｗが載置される。その後、図示しない磁石は、図５（ａ）に示す３本の保持ピン４３Ａを回転軸ＡＸ４周りに回転させる。これにより、３本の保持ピン４３Ａは、基板Ｗを保持する。ここで、基板Ｗは、スピンベース４１およびホットプレート４５から離間した状態で保持される。

ここで、次のウエットエッチング工程の前に、基板厚み測定装置３９は、基板Ｗの厚みを測定する。図１０（ａ）に示されるような、基板Ｗの厚みＴＫ１が取得される。

〔ステップＳ０３〕ウエットエッチング
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、ポリシリコン膜等の薄膜が基板Ｗの裏面に形成されていると、研磨具９６による基板Ｗの裏面研磨を良好に行うことができない。これらの膜は、デバイスの製造工程で意図せずに形成されてしまう膜もあれば、基板Ｗの反り抑制のために意図的に形成される膜もある。そこで、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面に第１薬液（エッチング液）を供給することで、基板Ｗの裏面に形成された膜ＦＬを除去する。

図１１は、ステップＳ０３のウエットエッチング工程の詳細を説明するためのフローチャートである。まず、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の除去処理が行われる（ステップＳ２１）。

ここで、スピンベース４１の中心部に設けられた気体吐出口４７は、気体を吐出する。すなわち、気体吐出口４７は、基板Ｗとスピンベース４１との隙間において、基板Ｗの中心側から基板の外縁に気体が流れるように気体を吐出する。基板Ｗのデバイス面（表面）はスピンベース４１と対向する。気体吐出口４７から気体が吐出されると、基板Ｗの外縁とスピンベース４１との隙間から外部に気体が噴出される。例えば研磨屑、第１薬液などの液体が基板Ｗのデバイス面に付着することを防止する。すなわち、デバイス面を保護することができる。また、ベルヌーイの効果により、基板Ｗをスピンベース４１に吸着しようとする力が働く。

ノズル移動機構９５は、基板外の待機位置から基板Ｗの上方の任意の処理位置に、第１薬液ノズル６５を移動させる。保持回転部３５は、基板Ｗを水平姿勢に保持した状態で基板Ｗを回転させる。その後、第１薬液ノズル６５から、回転する基板Ｗの裏面に第１薬液（例えばフッ酸）を供給する。これにより、基板Ｗの裏面に形成された酸化シリコン膜および窒化シリコン膜を除去することができる。

なお、第１薬液は、第１薬液ノズル６５を水平移動させながら供給されてもよい。また、第１薬液ノズル６５からの第１薬液の供給を停止した後、第１薬液ノズル６５は、基板外の待機位置に移動される。

その後、リンス処理が行われる（ステップＳ２２）。すなわち、リンス液ノズル７３から、回転される基板Ｗの中心にリンス液（例えば、ＤＩＷまたは炭酸水）が供給される。これにより、基板Ｗの裏面上に残る第１薬液が基板外に洗い流される。その後、乾燥処理が行われる（ステップＳ２３）。すなわち、リンス液ノズル７３からのリンス液の供給を停止する。そして、保持回転部３５は、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥させる。この際、基板Ｗの上方に移動させた気体ノズル７５から基板Ｗの裏面に気体を供給してもよい。なお、乾燥処理は、基板Ｗを高速回転させずに気体ノズル７５からの気体の供給で行ってもよい。

ステップＳ２１～Ｓ２３の後、ポリシリコン膜の除去処理を行う（ステップＳ２４）。第２薬液ノズル６７は、基板外の待機位置から基板Ｗの上方の任意の処理位置に移動される。保持回転部３５は、予め設定された回転速度で基板Ｗを回転させる。その後、第２薬液ノズル６７から、回転する基板Ｗの裏面に第２薬液（例えば、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）の混合液）を供給する。これにより、基板Ｗの裏面に形成されたポリシリコン膜を除去することができる。

第２薬液は、第２薬液ノズル６７を水平方向に移動させながら供給されてもよい。また、第２薬液ノズル６７からの第２薬液の供給を停止した後、第２薬液ノズル６７は、基板外の待機位置に移動される。

その後、第１薬液の場合（ステップＳ２２，Ｓ２３）と略同様に、リンス処理（ステップＳ２５）が行われ、その後、乾燥処理（ステップＳ２６）が行われる。保持回転部３５は、基板Ｗの回転を停止する。

〔ステップＳ０４〕基板Ｗの裏面研磨
ウエットエッチング工程の後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面を研磨する。この研磨は、検査ユニット２０によって基板Ｗの裏面に、特にスクラッチが検出されたときに行われる。具体的に説明する。

保持回転部３５は、水平姿勢に保持した状態で基板Ｗを回転させる。研磨機構３７のアーム回転機構１１７（図６）は、鉛直軸ＡＸ６周りに研磨具９６およびアーム１０１を回転させる。これにより、基板外の待機位置から基板Ｗの上方の予め設定された位置に研磨具９６を移動させる。また、研磨機構３７の電動モータ１０４は、研磨具９６を鉛直軸ＡＸ５（シャフト１００）周りに回転させる。

また、ホットプレート４５は、通電により発熱して基板Ｗを加熱する。基板Ｗの温度は、非接触の温度センサ４６に監視されている。主制御部１６５は、温度センサ４６により検出された基板Ｗの温度に基づき、ホットプレート４５による発熱を調整する。基板Ｗの加熱温度は、高い研磨レートを得るために常温（例えば、２５℃）よりも高い温度に調整される。但し、研磨具９６の熱的劣化を避けるために１００℃以下に調整されることが好ましい。

その後、電空レギュレータ１１５は電気信号に基づく圧力の気体をエアシリンダ１１３に供給する。これにより、エアシリンダ１１３は、研磨具９６およびアーム１０１を下降させ、回転する基板Ｗの裏面に研磨具９６を接触させる。研磨具９６は、予め設定された接触圧力で基板Ｗの裏面に押し付けられる。これにより、研磨が実行される。研磨が実行されるとき、研磨機構３７のアーム回転機構１１７（図６）は、鉛直軸ＡＸ６周りに研磨具９６およびアーム１０１を揺動させる。すなわち、研磨具９６は、例えば、基板Ｗの裏面の中心側の位置と外縁側の位置の間の往復運動が繰り返される。

なお、基板Ｗの厚み方向（Ｚ方向）の研磨量に関して、スクラッチが存在していても基板Ｗが予め設定された平坦度を満たせば、研磨は不要のように思われる。しかし、スクラッチのエッジが例えば露光装置のステージに新たな傷を作るおそれがある。そのため、研磨は、予め設定された大きさのスクラッチがなくなるまで行われる。

図１０（ａ）に示すように、レーザ顕微鏡１２７により、スクラッチＳＨ１の深さ（値ＤＰ１）が取得された。そのため、研磨ユニット２２は、レーザ顕微鏡１２７によって測定されたスクラッチＳＨ１の深さ（値ＤＰ１）に対応する厚みが削り取られるまで基板Ｗの裏面を研磨する。スクラッチＳＨ１の深さに対応する厚みは、値ＤＰ１である。基板Ｗの厚みが値ＴＫ２（＝ＴＫ１－ＤＰ１）になるまで、研磨が行われる。基板Ｗの厚みは、定期的に基板厚み測定装置３９によって測定されている。主制御部１６５は、基板厚みの測定値と目標値（例えば値ＴＫ２）とを比較して、測定値が目標値に達していなければ、研磨を続行するように制御する。

なお、図１０（ｂ）は、エッチング工程（ステップＳ０３）の後の状態を示す図である。エッチング工程によって、膜ＦＬが除去されると、スクラッチＳＨ１の深さが浅くなる。そのため、上下方向の研磨量は少なくなるが、基板Ｗの厚みが値ＴＫ２まで研磨が行われることは変わらない。図１０（ｃ）は、研磨工程（ステップＳ０４）の後の状態を示す図である。なお、図１０（ａ）に示すスクラッチＳＨ２は、ベアシリコンまで達しない。このようなスクラッチは、例えば酸化シリコン膜などの膜ＦＬを除去すると共に取り除かれる。

基板Ｗは、ホットプレート４５によって加熱されている。図１２は、基板Ｗの加熱温度と研磨レートの関係を示す図である。研磨具９６の接触圧力および基板Ｗの回転速度などは、一定である。ここで、例えば基板Ｗの温度が常温（例えば２５℃）の場合に比べて、基板Ｗの温度ＴＭ２を高くすれば、研磨レートが高くなる。そのため、ホットプレート４５によって基板Ｗを加熱することで、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。

研磨ユニット２２は、研磨を行うときに、ホットプレート４５による基板Ｗの加熱温度を制御することによって研磨レートを調整してもよい。基板Ｗの加熱温度を上下させることで、研磨レートを上下させることができる。研磨レートは、研磨前に調整してもよいし、研磨中に調整してもよい。例えば、基板Ｗの中心側と基板Ｗの外縁側との間で、基板Ｗの温度を変化させることにより、基板Ｗの中心側と基板Ｗの外縁側との間で研磨レートを異ならせることができる。なお、研磨具９６は、基板Ｗの待機位置に移動される。

〔ステップＳ０５〕基板Ｗの洗浄
基板Ｗの裏面研磨の後、基板Ｗの裏面を洗浄する。これにより、基板Ｗの裏面上に残っている研磨屑（粉塵）を取り除くと共に、金属、有機物およびパーティクルを取り除く。図１３は、ステップＳ０５の洗浄工程の詳細を示すフローチャートである。

まず、基板Ｗの裏面に第１洗浄液を供給する（ステップＳ３１）。具体的に説明する。保持回転部３５は、基板Ｗを保持した状態を継続している。また、保持回転部３５は、気体吐出口４７から気体を吐出させることで、基板Ｗのデバイス面を保護した状態を継続している。第１洗浄液ノズル６９は、基板外の待機位置から基板Ｗの上方の任意の処理位置に移動される。保持回転部３５は、基板Ｗを回転させる。その後、第１洗浄液ノズル６９から、回転する基板Ｗの裏面に第１洗浄液（例えばＳＣ２またはＳＰＭ）を供給させる。第１洗浄液は、第１洗浄液ノズル６９を水平方向に移動させながら供給されてもよい。

第１洗浄液が供給されて洗浄処理が行われた後、リンス処理が行われる（ステップＳ３２）。すなわち、リンス液ノズル７３から、回転される基板Ｗの中心にリンス液（ＤＩＷまたは炭酸水）が供給される。これにより、基板Ｗの裏面上に残る第１洗浄液が洗い流される。その後、乾燥処理が行われる（ステップＳ３３）。すなわち、リンス液ノズル７３からのリンス液の供給を停止する。そして、保持回転部３５は、基板Ｗを高速回転させることで、基板Ｗを乾燥させる。この際、基板Ｗの上方に移動させた気体ノズル７５から基板Ｗの裏面に気体を供給してもよい。なお、乾燥処理は、基板Ｗを高速回転させずに気体ノズル７５からの気体の供給で行ってもよい。

ステップＳ３１～Ｓ３３の後、第２洗浄液を供給する（ステップＳ３４）。すなわち、第２洗浄液ノズル７１は、基板外の待機位置から基板Ｗの上方の任意の処理位置に移動されている。保持回転部３５は、予め設定された回転速度で基板Ｗを回転させる。その後、第２洗浄液ノズル７１から、回転する基板Ｗの裏面に第２洗浄液（例えばＳＣ１）を供給する。

第２洗浄液は、第２洗浄液ノズル７１を水平方向に移動させながら供給されてもよい。第２洗浄液ノズル７１からの第２洗浄液の供給を停止した後、第２洗浄液ノズル７１は、基板外の待機位置に移動される。

その後、第１洗浄液の場合（ステップＳ３２，Ｓ３３）と略同様に、リンス処理（ステップＳ３５）が行われ、その後、乾燥処理（ステップＳ３６）が行われる。保持回転部３５は、基板Ｗの回転を停止する。本実施例の研磨ユニット２２は洗浄機能を有するので、研磨屑を洗浄した基板Ｗを研磨ユニット２２から搬出することができる。

〔ステップＳ０６〕基板Ｗの反転
基板搬送ロボットＴＲ１は、研磨ユニット２２から基板Ｗを取り出し、その基板を反転ユニットＲＶ３に搬送する。このとき、基板Ｗの裏面は上向きであり、基板Ｗのデバイス面は下向きである。基板搬送ロボットＴＲ１によって、載置部材１３７Ａ，１３７Ｂに１枚または２枚の基板Ｗが載置されると、図８（ａ）～図８（ｄ）に示すように、反転ユニットＲＶ３は、１枚または２枚の基板Ｗを反転する。これにより、基板Ｗの裏面は、下向きになる。

その後、塗布層１４１Ａの基板搬送ロボットＴＲ２は、反転ユニットＲＶ３から基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、塗布層１４１Ａによってレジストが塗布される。

本実施例によれば、基板処理装置１において、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３および現像ブロックＢ４は、水平方向に配置される。このような基板処理装置１は、研磨ユニット２２（保持回転部３５、研磨具９６およびホットプレート４５）並びに塗布ユニットＰＲを備える。研磨具９６は、砥粒が分散された樹脂体を有する。研磨具９６は、回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する。この研磨を行うときに、基板Ｗは、加熱されている。基板Ｗが加熱されると、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。

また、研磨ユニット２２および塗布ユニットＰＲによって、基板Ｗの表面にレジストが塗布されると共に、基板Ｗの裏面が研磨される。そのため、レジストが塗布された基板の平坦度を良好にすることができ、それにより、露光装置のデフォーカスの問題を解消することができる。

また、基板Ｗを検査する検査ユニット２０は、基板Ｗの裏面を研磨する前に、基板Ｗの裏面に形成されたスクラッチを検出する。また、研磨ユニット２２は、スクラッチが検出されたときに、基板Ｗの裏面を研磨する。これにより、検出されたスクラッチ、すなわち選ばれたスクラッチを削り取ることができる。

また、検査ユニット２０は、スクラッチが検出されたときに、スクラッチの深さを測定する。研磨ユニット２２は、検査ユニット２０によって測定されたスクラッチの深さに対応する厚みが削り取られるまで基板Ｗの裏面を研磨する。これにより、スクラッチの深さが認識されるので、基板Ｗの厚み方向の研磨量を適切にすることができる。

また、基板処理装置１によれば、回転する基板Ｗの裏面に研磨具９６を接触させて、化学機械研磨方式（ＣＭＧ）により基板Ｗの裏面を研磨する。ここで、基板Ｗの裏面に膜ＦＬが形成されていると、その膜ＦＬが原因で研磨を良好に行うことができないことが分かった。そのため、研磨処理の前にエッチング処理を行って、基板Ｗの裏面に形成された膜ＦＬを除去する。これにより、研磨処理を良好に行うことができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１４は、実施例２に係る基板処理装置１の横断面図である。図１５は、実施例２に係る基板処理装置１の右側面図である。

実施例１では、基板処理装置１は、研磨ユニット２２を有する研磨ブロックＢ２を備えていた。この点、実施例２では、基板処理装置１は、研磨ブロックＢ２を備えず、ＩＦブロックＢ５が研磨ユニット２２を備えている。

図１４、図１５を参照する。基板処理装置１は、インデクサブロックＢ１、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４およびＩＦブロックＢ５を備える。インデクサブロックＢ１、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４およびＩＦブロックＢ５は、この順番で水平方向に直線状に配置される。現像ブロックＢ４は、塗布ブロックＢ３とＩＦブロックＢ５との間に配置される。なお、塗布ブロックＢ３および現像ブロックＢ４は、本発明の処理ブロックに相当する。

現像ブロックＢ４の２つの現像層１５３Ａ，１５３Ｂの各々は、処理ユニットＵ２２として、冷却部ＣＰ、ポストベーク部ＰＢおよびエッジ露光部ＥＥＷに加えて、複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢを備える。また、基板処理装置１は、４つの基板バッファＢＦ１，ＢＦ２，ＢＦ７，ＢＦ８、２つの反転ユニットＲＶ７，ＲＶ８および基板載置部ＰＳ１１，ＰＳ１２を備える。２つの反転ユニットＲＶ７，ＲＶ８および後述する反転ユニットＲＶ９は、図８（ａ）～図８（ｄ）に示す反転ユニットＲＶ１と同様に構成される。

基板バッファＢＦ７は、インデクサブロックＢ１と上側の塗布層１４１Ａとの間に設けられる。基板バッファＢＦ８は、インデクサブロックＢ１と下側の塗布層１４１Ｂとの間に設けられる。また、反転ユニットＲＶ７および基板載置部ＰＳ１１は、上側の現像層１５３ＡとＩＦブロックＢ５との間に配置される。反転ユニットＲＶ８および基板載置部ＰＳ１２は、下側の現像層１５３ＢとＩＦブロックＢ５との間に配置される。

ＩＦブロックＢ５は、３台の基板搬送ロボットＴＲ４～ＴＲ６、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰを備える。更に、ＩＦブロックＢ５は、例えば２つ（複数）の検査ユニット２０、例えば６個（複数）の研磨ユニット２２および例えば２つ（複数）の反転ユニットＲＶ９を備える。例えば、１つの検査ユニット２０と３つの研磨ユニット２２の積層体が基板搬送ロボットＴＲ４側および基板搬送ロボットＴＲ５側の各々に配置される。

図１４において、現像ブロックＢ４とＩＦブロックＢ５が並ぶ方向（Ｘ方向）に延び、この方向に直交する水平方向（Ｙ方向）の装置１の幅の中央を通過する中心線ＣＬがあるとする。矢印ＡＲ１側の研磨ユニット２２等の第１の積層体と中心線ＣＬは、基板搬送ロボットＴＲ４を挟むように配置される。矢印ＡＲ２側の研磨ユニット２２等の第２の積層体と中心線ＣＬは、基板搬送ロボットＴＲ５を挟むように配置される。

基板搬送ロボットＴＲ４は、２つの反転ユニットＲＶ７，ＲＶ８、反転ユニットＲＶ９（矢印ＡＲ１側）、３つの基板載置部ＰＳ９，ＰＳ１１，ＰＳ１２、３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、検査ユニット２０（矢印ＡＲ１側）および３つの研磨ユニット２２（矢印ＡＲ１側）の間で基板Ｗを搬送する。また、基板搬送ロボットＴＲ５は、２つの反転ユニットＲＶ７，ＲＶ８、反転ユニットＲＶ９（矢印ＡＲ２側）、３つの基板載置部ＰＳ９，ＰＳ１１，ＰＳ１２、３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、検査ユニット２０（矢印ＡＲ２側）および３つの研磨ユニット２２（矢印ＡＲ２側）の間で基板Ｗを搬送する。

（３）基板処理装置１の動作
次に、図１４、図１５を参照しながら、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。キャリアＣは、４つのキャリア載置台３のいずれかに載置されている。この際、基板Ｗは、表面が上向きの状態でキャリアＣに収納されている。

インデクサブロックＢ１において、インデクサロボットＩＲ１は、キャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを例えば基板バッファＢＦ７に搬送する。その後、塗布ブロックＢ３の上側の塗布層１４１Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ２は、基板バッファＢＦ７から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣおよび塗布ユニットＰＲなどに搬送する。その後、基板搬送ロボットＴＲ２は、反射防止膜およびレジスト膜がこの順番で形成された基板Ｗを基板バッファＢＦ１に搬送する。

その後、現像ブロックＢ４の上側の現像層１５３Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ３は、基板バッファＢＦ１から基板Ｗを取り出して、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷおよび反転ユニットＲＶ７の順番で搬送する。

その後、ＩＦブロックＢ５を通じて露光装置ＥＸＰに基板Ｗは搬送される。ここにおける動作は、図９に示すフローチャートのように行われる。具体的に説明する。

反転ユニットＲＶ７は、基板Ｗの裏面が上向きになるように、基板Ｗを反転させる（ステップＳ０１）。その後、ＩＦブロックＢ５において、例えば基板搬送ロボットＴＲ４は、反転ユニットＲＶ７から基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを検査ユニット２０、研磨ユニット２２および反転ユニットＲＶ９の順番に搬送する。ここで、検査ユニット２０は、基板Ｗの裏面におけるスクラッチを検出し、そのスクラッチの深さを測定する（ステップＳ０２）。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面に対してウエットエッチング処理を行う（ステップＳ０３）。

その後、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５で基板Ｗが加熱されながら、回転する基板Ｗに研磨具９６を接触させて、化学機械研磨（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する（ステップＳ０４）。裏面研磨は、スクラッチの深さに基づき、そのスクラッチが削り取られるまで行われる。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面を洗浄する（ステップＳ０５）。その後、反転ユニットＲＶ９は、基板Ｗの表面が上向きになるように、基板を反転させる（ステップＳ０６）。基板搬送ロボットＴＲ４は、反転ユニットＲＶ９から載置兼冷却部Ｐ－ＣＰに、表面が上向きの基板Ｗを搬送する。

その後、ＩＦブロックＢ５において、基板搬送ロボットＴＲ６は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを外部の露光装置ＥＸＰに搬出する。その後、露光装置ＥＸＰは、例えばＥＵＶ光を照射して、基板Ｗの表面に塗布されたレジストを露光する。

その後、ＩＦブロックＢ５において、基板搬送ロボットＴＲ６は、外部の露光装置ＥＸＰから、露光処理された基板Ｗを搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、例えば基板搬送ロボットＴＲ４は、基板載置部ＰＳ９から例えば基板載置部ＰＳ１１に露光処理された基板Ｗを搬送する。

その後、現像ブロックＢ４の現像層１５３Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ３は、基板載置部ＰＳ１１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＢＰ、基板バッファＢＦ１の順番に搬送する。

その後、塗布ブロックＢ３の塗布層１４１Ａにおいて、基板搬送ロボットＴＲ２は、基基板バッファＢＦ１から基板バッファＢＦ７に基板Ｗを搬送する。その後、インデクサブロックＢ１において、インデクサロボットＩＲ１は、基板バッファＢＦ７から現像処理が行われた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、キャリア載置台３に載置されたキャリアＣに戻す。

本実施例によれば、実施例１と同様に効果を有する。すなわち、基板処理装置１において、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４およびＩＦブロックＢ５は、水平方向に配置される。このような基板処理装置１において、ＩＦブロックＢ５は、研磨ユニット２２（保持回転部３５、研磨具９６およびホットプレート４５）を備える。また、塗布ブロックＢ３は、塗布ユニットＰＲを備える。研磨具９６は、砥粒が分散された樹脂体を有する。研磨具９６は、回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する。この研磨を行うときに、基板Ｗは、加熱されている。基板Ｗが加熱されると、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。

また、研磨ユニット２２および塗布ユニットＰＲによって、基板Ｗの表面にレジストが塗布されると共に、基板Ｗの裏面が研磨される。そのため、レジストが塗布された基板の平坦度を良好にすることができ、それにより、露光装置のデフォーカスの問題を解消することができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図１６は、実施例３に係る基板処理装置１の縦断面図である。図１７は、実施例３に係る基板処理装置１の右側面図である。図１８は、実施例３に係る基板処理装置１（例えば研磨層Ｌ３）の横断面図である。図１９（ａ）は、実施例３に係る例えば塗布層Ｌ１の横断面図である。図１９（ｂ）は、実施例３に係る例えば現像層Ｌ５の横断面図である。

実施例１では、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３および現像ブロックＢ４は、水平方向に並んで配置された。この点、実施例３では、単一の処理ブロックＢ８において、塗布層Ｌ１，Ｌ２、研磨層Ｌ３，Ｌ４および現像層Ｌ５，Ｌ６は、上下方向に積層して配置される。

（４）基板処理装置１の構成
図１６～図１８を参照する。基板処理装置１は、インデクサブロックＢ１、中間ブロックＢ７、処理ブロックＢ８およびＩＦブロックＢ５を備える。インデクサブロックＢ１、中間ブロックＢ７、処理ブロックＢ８およびＩＦブロックＢ５は、この順番で水平方向に直線状に配置される。

（４－１）インデクサブロックＢ１の構成
インデクサブロックＢ１は、実施例１のインデクサブロックＢ１とほぼ同様に構成される。インデクサブロックＢ１は、例えば４つ（複数）のキャリア載置台３、およびインデクサロボットＩＲ１を備える。インデクサロボットＩＲ１は、各キャリア載置台３に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗを出し入れする。また、インデクサロボットＩＲ１は、各キャリア載置台３に載置されたキャリアＣ、および後述する基板バッファＢＦ１１の間で基板Ｗを搬送する。また、インデクサロボットＩＲ１は、後述するバッファ群Ｇ１（基板バッファＢＦ１１を含む）を介して、処理ブロックＢ８との間で基板Ｗを搬送する。

（４－２）中間ブロックＢ７の構成
中間ブロックＢ７は、タワー状のバッファ群Ｇ１、および２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９を備える（図１８参照）。バッファ群Ｇ１は、平面視で、２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９の間に配置される（図１８参照）。また、バッファ群Ｇ１は、平面視で、インデクサロボットＩＲ１と後述する搬送スペース１６７，１６９，１７１の間に配置される。

バッファ群Ｇ１は、７つの基板バッファＢＦ１１，ＢＦ１３，ＢＦ１４，ＢＦ１５，ＢＦ１６，ＢＦ２１，ＢＦ２２、および反転ユニットＲＶ３１を備える（図１７参照）。これらは、上下方向に配置される。７つの基板バッファＢＦ１１，ＢＦ１３～ＢＦ１６，ＢＦ２１，ＢＦ２２は、１または複数の基板Ｗを載置する。反転ユニットＲＶ３１および後述する反転ユニットＲＶ３２は、図８に示す反転ユニットＲＶ１と同様に構成される。

２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９は、ＩＦブロックＢ５の例えば基板搬送ロボットＴＲ４と同様に構成される。また、２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９は各々、７つの基板バッファＢＦ１１，ＢＦ１３，ＢＦ１４，ＢＦ１５，ＢＦ１６，ＢＦ２１，ＢＦ２２、および反転ユニットＲＶ３１の間で基板Ｗを搬送することができる。

（４－３）処理ブロックＢ８の構成
処理ブロックＢ８は、基板Ｗに所定の処理を行う。処理ブロックＢ８は、例えば６個（複数）の処理層Ｌ１～Ｌ６を備える。すなわち、処理ブロックＢ８は、２つの塗布層Ｌ１，Ｌ２、２つの研磨層Ｌ３，Ｌ４および２つの現像層Ｌ５，Ｌ６を備える。６つの処理層Ｌ１～Ｌ６は、上下方向に積層される。塗布層Ｌ１は、塗布層Ｌ２と同様に構成される。研磨層Ｌ３は、研磨層Ｌ４と同様に構成される。現像層Ｌ５は、現像層Ｌ６と同様に構成される。そのため、塗布層Ｌ１、研磨層Ｌ３、および現像層Ｌ５を代表して説明する。

（４－３－１）塗布層Ｌ１（Ｌ２）の構成
図１９（ａ）を参照する。塗布層Ｌ１は、搬送スペース１６７、基板搬送ロボットＴＲ１０、複数の液処理ユニットＵ１１、および処理ユニットＵ１２を備える。基板搬送ロボットＴＲ１０は、搬送スペース１６７に配置される。また、基板搬送ロボットＴＲ１０および後述する基板搬送ロボットＴＲ１１，ＴＲ１２は、図１に示す基板搬送ロボットＴＲ１と同様に構成される。

図１７、図１９（ａ）を参照する。塗布層Ｌ１の基板搬送ロボットＴＲ１０は、基板バッファＢＦ１３、例えば４つ（複数）の液処理ユニットＵ１１（塗布層Ｌ１内）、および複数の処理ユニットＵ１２（塗布層Ｌ１内）の間で基板Ｗを搬送する。なお、塗布層Ｌ２の基板搬送ロボットＴＲ１０は、基板バッファＢＦ１４、例えば４つ（複数）の液処理ユニットＵ１１（塗布層Ｌ２内）、および複数の処理ユニットＵ１２（塗布層Ｌ２内）の間で基板Ｗを搬送する。

液処理ユニットＵ１１として、例えば、基板Ｗの表面にレジストを塗布する塗布ユニットＰＲが用いられる（図１７参照）。また、これに加えて、液処理ユニットＵ１１として、例えば、反射防止膜を形成（塗布）する塗布ユニットＢＡＲＣが用いられてもよい。処理ユニットＵ１２として、例えば、冷却部ＣＰ，加熱処理部ＰＡＢ、およびエッジ露光部ＥＥＷが用いられる（図１９（ａ）参照）。

（４－３－２）研磨層Ｌ３（Ｌ４）の構成
図１８を参照する。研磨層Ｌ３は、搬送スペース１６９、基板搬送ロボットＴＲ１１、例えば８つ（複数）の処理ユニットＵ３１を備える。基板搬送ロボットＴＲ１１は、搬送スペース１６９に配置される。

図１７、図１８を参照する。研磨層Ｌ３の基板搬送ロボットＴＲ１１は、２つの基板バッファＢＦ１５，ＢＦ１７、８つの処理ユニットＵ３１（研磨層Ｌ３内）の間で基板Ｗを搬送する。なお、研磨層Ｌ４の基板搬送ロボットＴＲ１１は、２つの基板バッファＢＦ１６，ＢＦ１８、８つの処理ユニットＵ３１（研磨層Ｌ４内）の間で基板Ｗを搬送する。８個の処理ユニットＵ３１として、２つの検査ユニット２０と６個の研磨ユニット２２が用いられる。

（４－３－３）現像層Ｌ５（Ｌ６）の構成
図１９（ｂ）を参照する。現像層Ｌ５は、搬送スペース１７１、基板搬送ロボットＴＲ１２、例えば４つ（複数）の液処理ユニットＵ２１、および複数の処理ユニットＵ２２を備える。基板搬送ロボットＴＲ１２は、搬送スペース１７１に配置される。

図１７、図１９（ｂ）を参照する。現像層Ｌ５の基板搬送ロボットＴＲ１２は、２つの基板バッファＢＦ１９，ＢＦ２１、４つの液処理ユニットＵ２１（現像層Ｌ５内）、および複数の処理ユニットＵ２２（現像層Ｌ５内）の間で基板Ｗを搬送する。なお、現像層Ｌ６の基板搬送ロボットＴＲ１２は、２つの基板バッファＢＦ２０，ＢＦ２２、４つの液処理ユニットＵ２１（現像層Ｌ６内）、および複数の処理ユニットＵ２２（現像層Ｌ６内）の間で基板Ｗを搬送する。

液処理ユニットＵ２１として、現像ユニットＤＥＶが用いられる。また、処理ユニットＵ２２として、例えば、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、冷却部ＣＰ、およびポストベーク部ＰＢが用いられる。

（４－４）ＩＦブロックＢ５の構成
図１６～図１８を参照する。ＩＦブロックＢ５は、３台の基板搬送ロボットＴＲ４～ＴＲ６に加えて、タワー状のバッファ群Ｇ２を備える。バッファ群Ｇ２は、平面視で、２台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５の間に配置される。また、バッファ群Ｇ２は、平面視で、搬送スペース１６７，１６９，１７１と基板搬送ロボットＴＲ６の間に配置される。

バッファ群Ｇ２は、４つの基板バッファＢＦ１７，ＢＦ１８，ＢＦ１９，ＢＦ２０、反転ユニットＲＶ３２、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰを備える（図１７参照）。これらは、上下方向に配置される。４つの基板バッファＢＦ１７～ＢＦ２０は、１または複数の基板Ｗを載置する。

２台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５は各々、４つの基板バッファＢＦ１７，ＢＦ１８，ＢＦ１９，ＢＦ２０、反転ユニットＲＶ３２、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができる。また、基板搬送ロボットＴＲ６は、露光装置ＥＸＰ、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができる。

（５）基板処理装置１の動作
次に、図１６～図１９（ｂ）を参照しながら、実施例３の基板処理装置１の動作を説明する。キャリアＣは、４つのキャリア載置台３のいずれかに載置されている。この際、基板Ｗは、表面が上向きの状態でキャリアＣに収納されている。

インデクサブロックＢ１において、インデクサロボットＩＲ１は、載置台３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、バッファ群Ｇ１の基板バッファＢＦ１１に搬送する。中間ブロックＢ７において、２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９の一方は、基板バッファＢＦ１１から基板バッファＢＦ１３（または基板バッファＢＦ１４）に基板Ｗを搬送する（図１７、図１８参照）。なお、この説明では、基板搬送ロボットＴＲ８が中間ブロックＢ７における基板搬送を行う。

下側の塗布層Ｌ１において、基板搬送ロボットＴＲ１０は、基板バッファＢＦ１３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。その後、基板搬送ロボットＴＲ１０は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢ、エッジ露光部ＥＥＷおよび基板バッファＢＦ１３の順番に基板Ｗを搬送する。

なお、基板搬送ロボットＴＲ８により基板バッファＢＦ１４に基板Ｗが搬送された場合、上側の塗布層Ｌ２は、下側の塗布層Ｌ１と同様に、基板Ｗの表面にレジストを塗布する。塗布層Ｌ２は、レジスト塗布された基板Ｗを基板バッファＢＦ１４に搬送する。

中間ブロックＢ７において、基板搬送ロボットＴＲ８は、基板バッファＢＦ１３（または基板バッファＢＦ１４）から反転ユニットＲＶ３１に、レジストが塗布された基板Ｗを搬送する。その後、反転ユニットＲＶ３１は、裏面が上向きになるように基板Ｗを反転させる。その後、基板搬送ロボットＴＲ８は、反転ユニットＲＶ３１から基板バッファＢＦ１５（または基板バッファＢＦ１６）に基板Ｗを搬送する。

その後、研磨層Ｌ３（Ｌ４）は、図９のフローチャートのステップＳ０２（スクラッチ観察）～ステップＳ０５（基板の洗浄）の動作を行う。動作の概略を説明する。下側の研磨層Ｌ３において、基板搬送ロボットＴＲ１１は、基板バッファＢＦ１５から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、検査ユニット２０および研磨ユニット２２の順番に搬送する。その際、検査ユニット２０は、基板Ｗの裏面におけるスクラッチを検出し、そのスクラッチの深さを測定する（ステップＳ０２）。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面に対してウエットエッチングを行う（ステップＳ０３）。

その後、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５で基板Ｗを加熱しながら、回転する基板Ｗに研磨具９６を接触させて、化学機械研磨（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する（ステップＳ０４）。裏面研磨は、スクラッチの深さに基づき、そのスクラッチが削り取られるまで行われる。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面を洗浄する（ステップＳ０５）。その後、下側の研磨層Ｌ３の基板搬送ロボットＴＲ１１は、研磨ユニット２２から基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを、バッファ群Ｇ２の基板バッファＢＦ１７に搬送する。

なお、基板搬送ロボットＴＲ８により基板バッファＢＦ１６に基板Ｗが搬送された場合、上側の研磨層Ｌ４は、下側の研磨層Ｌ３と同様に、基板Ｗの裏面を研磨する。研磨層Ｌ４は、裏面研磨された基板Ｗをバッファ群Ｇ２の基板バッファＢＦ１８に搬送する。

その後、ＩＦブロックＢ５において、２台の基板搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ５の一方は、基板バッファＢＦ１７（または基板バッファＢＦ１８）から反転ユニットＲＶ３２に基板Ｗを搬送する。なお、この説明では、基板搬送ロボットＴＲ４がバッファ群Ｇ２内の２つの高さ位置における基板搬送を行う。反転ユニットＲＶ３２は、表面が上向きになるように基板Ｗを反転させる。その後、基板搬送ロボットＴＲ４は、反転ユニットＲＶ３２から３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰのいずれかに、表面が上向きの基板Ｗを搬送する。

その後、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ６は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰから基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを外部の露光装置ＥＸＰに搬出する。露光装置ＥＸＰは、基板Ｗに対して露光処理を行う。その後、基板搬送ロボットＴＲ６は、露光装置ＥＸＰから、露光処理が行われた基板Ｗを搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ４は、基板載置部ＰＳ９から基板バッファＢＦ１９（または基板バッファＢＦ２０）に基板Ｗを搬送する。

その後、下側の現像層Ｌ５において、基板搬送ロボットＴＲ１２は、基板バッファＢＦ１９から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、および基板バッファＢＦ２１の順番に搬送する。

なお、基板搬送ロボットＴＲ４により基板バッファＢＦ２０に基板Ｗが搬送された場合、上側の現像層Ｌ６は、下側の現像層Ｌ５と同様に、基板Ｗに対して現像処理を行う。現像層Ｌ６は、現像処理が行われた基板Ｗを基板バッファＢＦ２２に搬送する。

その後、中間ブロックＢ７において、基板搬送ロボットＴＲ８は、基板バッファＢＦ２１（または基板バッファＢＦ２２）から基板バッファＢＦ１１に基板Ｗを搬送する。その後、インデクサブロックＢ１において、インデクサロボットＩＲ１は、基板バッファＢＦ１１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、キャリア載置台３に載置されたキャリアＣに戻す。

本実施例によれば、実施例１と同様に効果を有する。すなわち、基板処理装置１の処理ブロックＢ８において、研磨層Ｌ３，Ｌ４、塗布層Ｌ１，Ｌ２および現像層Ｌ５，Ｌ６は、上下方向に積層される。このような基板処理装置１は、研磨ユニット２２（保持回転部３５、研磨具９６およびホットプレート４５）並びに塗布ユニットＰＲを備える。研磨具９６は、砥粒が分散された樹脂体を有する。研磨具９６は、回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する。この研磨を行うときに、基板Ｗは、加熱されている。基板Ｗが加熱されると、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。

また、研磨ユニット２２および塗布ユニットＰＲによって、基板Ｗの表面にレジストが塗布されると共に、基板Ｗの裏面が研磨される。そのため、レジストが塗布された基板の平坦度を良好にすることができ、それにより、露光装置のデフォーカスの問題を解消することができる。

また、インデクサブロックＢ１と処理ブロックＢ８の間には、中間ブロックＢ７が配置される。中間ブロックＢ７は、バッファ群Ｇ１と２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９を備える。バッファ群Ｇ１は、上下方向に配置された複数の基板バッファ（例えば符号ＢＦ１３，ＢＦ１５）を備える。２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９は各々、バッファ群Ｇ１の複数の基板バッファ（例えば符号ＢＦ１３，ＢＦ１５）間で基板Ｗを搬送するので、インデクサブロックＢ１側において、基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。

（６）実施例３の変形例
上述の説明では、基板Ｗは、塗布層Ｌ１（Ｌ２）に搬送された後に、研磨層Ｌ３（Ｌ４）に搬送された。これにより、研磨層Ｌ３（Ｌ４）は、塗布層Ｌ１（Ｌ２）でレジスト塗布された基板Ｗの裏面を研磨した。この点、基板Ｗは、研磨層Ｌ３（Ｌ４）に搬送された後に、塗布層Ｌ１（Ｌ２）に搬送されてもよい。これにより、塗布層Ｌ１（Ｌ２）は、研磨層Ｌ３（Ｌ４）で裏面研磨された基板Ｗの表面にレジストを塗布する。この場合、基板バッファ（例えば符号ＢＦ１３）および反転ユニットＲＶ３１，ＲＶ３２などの配置および個数は適宜変更される。

また、上述の説明では、処理ブロックＢ８は、２つの研磨層Ｌ３，Ｌ４を備えていた。この点、研磨ユニット２２は、図１４、図１５に示すように、ＩＦブロックＢ５に設けられてもよい。処理層Ｌ１～Ｌ６を積み重ねる順番は適宜変更してもよい。

また、上述の説明では、図１８に示すように、中間ブロックＢ７は、２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９を備えていた。この点、中間ブロックＢ７は、２台の基板搬送ロボットＴＲ８，ＴＲ９の一方だけを備えるようにしてもよい。

また、上述の説明では、例えば図１６に示すように、インデクサブロックＢ１と処理ブロックＢ８の間には、中間ブロックＢ７が配置された。この点、図２０に示すように、インデクサブロックＢ１は、処理ブロックＢ８に直接連結してもよい。この場合、例えば、インデクサブロックＢ１と４つの処理層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ５，Ｌ６の各々との間には、基板バッファＢＦ２４が設けられる。また、インデクサブロックＢ１と２つの研磨層Ｌ３，Ｌ４の間には、反転ユニットＲＶ３１が設けられてもよい。

次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１～３と重複する説明は省略する。図２１は、実施例４に係る基板処理装置１の縦断面図である。図２２は、実施例４に係る基板処理装置１の右側面図である。図２３は、実施例４に係る基板処理装置１の上層の横断面図である。図２４は、実施例４に係る基板処理装置１の下層の横断面図である。

実施例１では、処理ブロック（研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３および現像ブロックＢ４）は、インデクサブロックＢ１とＩＦブロックＢ５の間に配置されていた。この点、実施例４では、第１処理ブロックＢ９と第２処理ブロックＢ１０は、インデクサブロックＢ１を挟み込むように配置される。

（７）基板処理装置１の構成
図２１～図２４を参照する。基板処理装置１は、インデクサブロックＢ１、第１処理ブロックＢ９、第２処理ブロックＢ１０およびＩＦブロックＢ５を備える。第１処理ブロックＢ９、インデクサブロックＢ１、第２処理ブロックＢ１０、およびＩＦブロックＢ５は、この順番で水平方向に直線状に配置される。

（７－１）インデクサブロックＢ１の構成
インデクサブロックＢ１は、４つのキャリア載置台１７３，１７４、２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２および２台のインデクサロボットＩＲ２，ＩＲ３を備える。４つのキャリア載置台１７３，１７４は、水平方向（Ｙ方向）に２個かつ、上下方向（Ｚ方向）に２段で配置される。４つのキャリア載置台１７３，１７４は、ハウジング５の外側の側面に配置される。また、４つのキャリア載置台１７３，１７４は、第１処理ブロックＢ９の上方に配置される。

２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２は各々、１または複数の基板Ｗを載置する。２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２は、上下方向に配置される。２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２は、ハウジング５の内部に配置される。

２台のインデクサロボットＩＲ２，ＩＲ３は、Ｙ方向に並んで配置される。２台のインデクサロボットＩＲ２，ＩＲ３は、基板搬送ロボットＴＲ４と同様に構成される。２台のインデクサロボットＩＲ２，ＩＲ３は各々、各キャリア載置台１７３，１７４に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗを出し入れする。

また、インデクサロボットＩＲ２は、２つのキャリア載置台１７３のキャリアＣおよび２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２の間で基板Ｗを搬送する。これに対し、インデクサロボットＩＲ３は、２つのキャリア載置台１７４のキャリアＣおよび２つの基板バッファＢＦ３１，ＢＦ３２の間で基板Ｗを搬送する。

（７－２）第１処理ブロックＢ９の構成
第１処理ブロックＢ９は、１つの研磨層１７５を備える。研磨層１７５は、搬送スペース１７７、基板搬送ロボットＴＲ１４、および例えば８個（複数）の処理ユニットＵ３２を備える。

基板搬送ロボットＴＲ１４は、搬送スペース１７７に配置される。基板搬送ロボットＴＲ１４および後述する２台の基板搬送ロボットＴＲ１５，ＴＲ１６は各々、図１に示す基板搬送ロボットＴＲ１と同様に構成される。基板搬送ロボットＴＲ１４は、基板バッファＢＦ３１および８個の処理ユニットＵ３２の間で基板を搬送する。８個の処理ユニットＵ３２として、例えば、２つの反転ユニットＲＶ４１，ＲＶ４２、２つの検査ユニット２０、および４個の研磨ユニット２２が用いられる。

（７－３）第２処理ブロックＢ１０の構成
第２処理ブロックＢ１０は、塗布層１７９と現像層１８０を備える。塗布層１７９と現像層１８０は、上下方向に積層される。現像層１８０は、塗布層１７９の上に配置される。

塗布層１７９は、搬送スペース１８１、基板搬送ロボットＴＲ１５、例えば４個（複数）の液処理ユニットＵ１１および複数の処理ユニットＵ１２を備える。基板搬送ロボットＴＲ１５は、搬送スペース１８１に配置される。基板搬送ロボットＴＲ１５は、基板バッファＢＦ３１，ＢＦ４、４個の液処理ユニットＵ１１、および複数の処理ユニットＵ１２の間で基板Ｗを搬送する。

４個の液処理ユニットＵ１１として、例えば２つの塗布ユニットＰＲと２つの塗布ユニットＢＡＲＣが用いられる（図２２、図２４参照）。複数の処理ユニットＵ１２として、例えば、冷却部ＣＰ、加熱処理部ＰＡＢ、およびエッジ露光部ＥＥＷが用いられる（図２４参照）。

現像層１８０は、搬送スペース１８２、基板搬送ロボットＴＲ１６、例えば４個の液処理ユニットＵ２１、および複数の処理ユニットＵ２２を備える。基板搬送ロボットＴＲ１６は、搬送スペース１８２に配置される。基板搬送ロボットＴＲ１６は、基板バッファＢＦ３２，ＢＦ３、４個の液処理ユニットＵ２１、および複数の処理ユニットＵ２２の間で基板Ｗを搬送する。

４個の液処理ユニットＵ２１として、例えば、４つの現像ユニットＤＥＶが用いられる（図２２、図２３参照）。複数の処理ユニットＵ２２として、例えば、冷却部ＣＰおよびポストベーク部ＰＢが用いられる（図２３参照）。

（７－４）ＩＦブロックＢ５の構成
ＩＦブロックＢ５は、第２処理ブロックＢ１０に水平方向に連結する。また、ＩＦブロックＢ５は、外部の露光装置ＥＸＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。実施例４のＩＦブロックＢ５は、図１に示すＩＦブロックＢ５とほぼ同様に構成される。すなわち、ＩＦブロックＢ５は、３台の基板搬送ロボットＴＲ４～ＴＲ６、複数の裏面洗浄ユニットＢＳＳ、複数の露光後ベーク処理ユニットＰＥＢ、基板載置部ＰＳ９および３つの載置兼冷却部Ｐ－ＣＰを備える。なお、ＩＦブロックＢ５は、必要により裏面洗浄ユニットＢＳＳを備えていなくてもよい。

（８）基板処理装置１の動作
図２１～図２４を参照しながら、実施例４の基板処理装置１の動作を説明する。この説明では、裏面研磨を行った後にレジスト塗布を行う。キャリアＣは、４つのキャリア載置台１７３，１７４のいずれかに載置されている。この際、基板Ｗは、表面が上向きの状態でキャリアＣに収納されている。

インデクサブロックＢ１において、例えばインデクサロボットＩＲ２は、キャリア載置台１７３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを基板バッファＢＦ３１に搬送する。その後、第１処理ブロックＢ９の研磨層１７５において、基板搬送ロボットＴＲ１４は、基板バッファＢＦ３１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反転ユニットＲＶ４１に搬送する。その後、反転ユニットＲＶ４１は、裏面が上向きになるように基板Ｗを反転させる。

その後、研磨層１７５は、図９のフローチャートのステップＳ０２（スクラッチ観察）～ステップＳ０５（基板の洗浄）の動作を行う。動作の概略を説明する。研磨層１７５の基板搬送ロボットＴＲ１４は、反転ユニットＲＶ４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、検査ユニット２０および研磨ユニット２２の順番に搬送する。その際、検査ユニット２０は、基板Ｗの裏面におけるスクラッチを検出し、そのスクラッチの深さを測定する（ステップＳ０２）。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面に対してウエットエッチングを行う（ステップＳ０３）。

その後、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５で基板Ｗを加熱しながら、回転する基板Ｗに研磨具９６を接触させて、化学機械研磨（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する（ステップＳ０４）。裏面研磨は、スクラッチの深さに基づき、そのスクラッチが削り取られるまで行われる。その後、研磨ユニット２２は、基板Ｗの裏面を洗浄する（ステップＳ０５）。その後、基板搬送ロボットＴＲ１４は、研磨ユニット２２から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、反転ユニットＲＶ４２、および基板バッファＢＦ３１の順番に搬送する。その際、反転ユニットＲＶ４２は、表面が上向きになるように基板Ｗを反転させる。

第２処理ブロックＢ１０の塗布層１７９において、基板搬送ロボットＴＲ１５は、基板バッファＢＦ３１から裏面研磨された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣ、および加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。その後、基板搬送ロボットＴＲ１５は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢ、エッジ露光部ＥＥＷ、および基板バッファＢＦ４の順番に搬送する。この際、塗布ユニットＰＲは、基板Ｗの表面にレジストを塗布する。

ＩＦブロックＢ５において、例えば基板搬送ロボットＴＲ４は、基板バッファＢＦ４からレジスト塗布された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、および載置兼冷却部Ｐ－ＣＰの順番で搬送する。その後、ＩＦブロックＢ５の基板搬送ロボットＴＲ６は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを外部の露光装置ＥＸＰに搬出する。露光装置ＥＸＰは、レジスト塗布された基板Ｗに対して露光処理を行う。基板搬送ロボットＴＲ６は、露光装置ＥＸＰから、露光処理された基板Ｗを搬入し、その基板を基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、基板搬送ロボットＴＲ４は、基板載置部ＰＳ９から基板バッファＢＦ３に基板Ｗを搬送する。

第２処理ブロックＢ１０の現像層１８０において、基板搬送ロボットＴＲ１６は、基板バッファＢＦ３から、露光処理された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、および基板バッファＢＦ３２の順番に搬送する。

インデクサブロックＢ１において、インデクサロボットＩＲ２は、基板バッファＢＦ３２から基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを、キャリア載置台１７３に載置されたキャリアＣに戻す。

本実施例によれば、実施例１と同様に効果を有する。すなわち、基板処理装置１において、第１処理ブロックＢ９、インデクサブロックＢ１および第２処理ブロックＢ１０は、この順番で水平方向に直線状に配置される。このような基板処理装置１は、研磨ユニット２２（保持回転部３５、研磨具９６およびホットプレート４５）並びに塗布ユニットＰＲを備える。研磨具９６は、砥粒が分散された樹脂体を有する。研磨具９６は、回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削（ＣＭＧ）方式により基板Ｗの裏面を研磨する。この研磨を行うときに、基板Ｗは、加熱されている。基板Ｗが加熱されると、研磨レートを上げることができる。そのため、研磨処理の時間を短くすることができる。

（９）実施例４の変形例
図２２に示す基板処理装置１のＩＦブロックＢ５は、塗布ユニットＰＲを有する第２処理ブロックＢ１０に水平方向に連結した。この点、図２５に示すように、ＩＦブロックＢ５は、研磨ユニット２２を有する第１処理ブロックＢ９に水平方向に連結してもよい。この場合、現像層１８０は、第２処理ブロックＢ１０でなく、第１処理ブロックＢ９に設けられる。図２５において、研磨層１７５と現像層１８０は、上下方向に積層される。現像層１８０は、研磨層１７５の上に配置される。

図２５に示す基板処理装置１の動作を簡単に説明する。この説明では、レジスト塗布を行った後に裏面研磨を行う。まず、基板Ｗは、キャリア載置台１７３のキャリアＣから第２処理ブロックＢ１０の塗布層１７９に搬送される。塗布層１７９は、基板Ｗの表面にレジストを塗布する。その後、基板Ｗは、第１処理ブロックＢ９の研磨層１７５に搬送される。研磨層１７５は、図９のフローチャートのように、レジスト塗布された基板Ｗの裏面を研磨する。

その後、基板Ｗは、ＩＦブロックＢ５を介して露光装置ＥＸＰに搬出される。露光装置ＥＸＰは、基板Ｗに対して露光処理を行う。その後、基板Ｗは、ＩＦブロックＢ５を介して、第１処理ブロックＢ９の現像層１８０に搬送される。現像層１８０は、露光処理された基板Ｗに対して露光処理を行う。その後、基板Ｗは、キャリア載置台１７３のキャリアＣに戻される。

（１０）研磨ヘッド２０１
ここで、図２６を参照して、上述した研磨機構３７について、好ましい構成（実施例５）について説明する。図２６は、研磨ユニットの研磨機構の好ましい構成を示す図である。実施例１～４と重複する説明は省略する。

この研磨機構３７Ａは、次の点において、上述した研磨機構３７と構成が相違する。

取付部材９８には、研磨ヘッド２０１が取り付けられている。研磨ヘッド２０１は、研磨具９６を備えている。

取付部材９８が取り付けられているシャフト１００は、内部に気体供給配管２０３と、吸引配管２０５とを備えている。気体供給配管２０３と吸引配管２０５とは、シャフト１００内に並設されている。気体供給配管２０３と吸引配管２０５とは、シャフト１００内に挿通されている。気体供給配管２０３と吸引配管２０５は、ロータリジョイント２０７に連通接続されている。ロータリジョイント２０７は、固定側ボディ２０９と、回転側ボディ２１１とを備えている。固定側ボディ２０９は、アーム１０１に固定されている。回転側ボディ２１１は、シャフト１００に取り付けられている。ロータリジョイント２０７は、アーム１０１に固定された固定側ボディ２０９と、シャフト１００とともに回転する回転側ボディ２１１との間において、少なくとも二流体を流通させることができる。

ロータリジョイント２０７から延出されている気体供給配管２０３は、一端側が気体供給源２１３に連通接続されている。気体供給源２１３は、気体を供給する。気体は、不活性ガスが好ましい。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。気体供給配管２０３は、流量調整弁２１５と、開閉弁２１７とを備えている。流量調整弁２１５は、気体供給配管２０３を流通する気体の流量を調整する。開閉弁２１７は、気体供給配管２０３における気体の流通を許容または遮断する。

ロータリジョイント２０７から延出されている吸引配管２０５は、一端側が吸引源２１９に連通接続されている。吸引源２１９は、吸引配管２０５の内部を吸引する。吸引源２１９は、気体を吸引する。吸引源２１９は、例えば、吸引ポンプや、クリーンルームに設けられている吸引のためのユーティリティである。吸引配管２０５は、開閉弁２２１を備えている。開閉弁２２１は、吸引配管２０５における気体の流通を許容または遮断する。

上述した開閉弁２１７，２２１と、流量調整弁２１５とは、主制御部１６５により操作される。なお、流量調整弁２１５及び開閉弁２１７は制御弁と呼ばれる。

ここで、図２７及び図２８を参照する。図２７は、実施例５に係る研磨ヘッドの縦断面図である。図２８は、実施例５に係る研磨ヘッドの底面図である。

研磨ヘッド２０１は、研磨具９６と、ヘッド本体２２３と、カバー２２５とを備えている。ヘッド本体２２３は、下面に研磨具９６が取り付けられている。ヘッド本体２２３は、第１の流路２２７と、第２の流路２２９とを形成されている。第１の流路２２７と第２の流路２２９とは、互いに連通していない。第１の流路２２７と第２の流路２２９とは、ヘッド本体２２３の上面と外周面とを連通接続している。第１の流路２２７は、例えば、ヘッド本体２２３の外周面における三箇所に開口部２３１が形成されている。第２の流路２２９は、例えば、ヘッド本体２２３の外周面における三箇所に開口部２３３が形成されている。第１の流路２２７と第２の流路２２９とは、平面視にて、鉛直軸ＡＸ５を通る直線を基準として線対称となるように形成されていることが好ましい。

カバー２２５は、ヘッド本体２２３に取り付けられている。カバー２２５は、ヘッド本体２２３の外周面に取り付けられている。カバー２２５は、例えば、水平に延出された部分から外方に向かって傾斜した形状を呈する。換言すると、カバー２２５は、台形状を呈する。カバー２２５の下端は、研磨具９６の下面より高い位置にある。研磨具９６が摩耗しても、カバー２２５が基板Ｗと干渉しないようにするためである。カバー２２５は、第１のカバー２２５ａと、第２のカバー２２５ｂとを備えている。第１のカバー２２５ａと、第２のカバー２２５ｂとは、平面視において、鉛直軸ＡＸ５を通る直線を基準として線対称となるように形成されている。

第１のカバー２２５ａは、開口部２３１の側方を覆う。第２のカバー２２５ｂは、開口部２３３の側方を覆う。第１のカバー２２５ａの下部は、噴射口２３５を構成する。第２のカバー２２５ｂの下部は、吸引口２３７を構成する。噴射口２３５は、研磨具９６の外周面のうち、半周に沿って設けられている。吸引口２３７は、研磨具９６の外周面のうち、半周に沿って設けられている。吸引口２３７は、平面視において、鉛直軸ＡＸ５を通る直線を基準として噴射口２３５と線対称となるように形成されている。

研磨ヘッド２０１は、第１の流路２２７が気体供給配管２０３の他端側に連通接続されている。研磨ヘッド２０１は、第２の流路２２９が吸引配管２０５の他端側に連通接続されている。換言すると、噴射口２３５は、気体供給源２１３と連通する。吸引口２３７は、吸引源２１９と連通する。

上記のように構成された研磨ユニット２２は、例えば、次のようにして基板Ｗの研磨を行う。なお、アーム１０１などの動作については、上述した通りである。

主制御部１６５は、気体の供給及び吸引に係る操作を行う。具体的には、主制御部１６５は、流量調整弁２１５を予め所定の供給流量に設定しておく。この所定の供給流量は、吸引配管２０５から吸引される流量を超えない範囲で設定されることが好ましい。主制御部１６５は、研磨処理を開始するタイミングに合わせて、あるいは若干早いタイミングで、開閉弁２１７，２２１を開放する。これにより、気体供給配管２０３には所定の供給流量で窒素ガスが供給され、吸引配管２０５からは気体が吸引される。

本実施例によると、鉛直軸ＡＸ５周りに回転する研磨具９６による研磨で基板Ｗの裏面において生じた粉塵は、遠心力により、研磨具９６の外周側にも粉塵が押し出される。そこには、噴射口２３５から窒素ガスが噴射される。これにより基板Ｗの裏面に付着していた粉塵が基板Ｗの裏面から離脱する。その粉塵を吸引口２３７で吸引する。したがって、基板Ｗの裏面に粉塵が残留し難くなるので、研磨に伴う粉塵の除去率を高めることができる。

さらに、本実施例では、平面視で研磨具９６の外周面を線対称に分割し、それぞれを噴射口２３５と吸引口２３７としている。したがって、研磨具９６の外周面における窒素ガスの供給と吸引とのバランスを良好に維持できる。そのため、粉塵を良好に除去できる。

また、本実施例によると、噴射口２３５から窒素ガスの流量を吸引による流量を超えないように設定している。このため、噴射口２３５からの窒素ガスの噴射に起因して粉塵が吸引口２３７から吸引されず、周囲に飛散することを防止できる。

なお、主制御部１６５は、流量調整弁２１５を操作して、窒素ガスの流量を時間的に変動させることが好ましい。この場合の流量は、窒素ガスを供給しない流量０も含む。これにより、噴射口２３５から噴射される窒素ガスの流量に強弱が生じる。換言すると、窒素ガスの供給が一定ではなく不連続または間欠的になる。また、主制御部１６５は、流量調整弁２１５を操作することなく一定としつつ、開閉弁２１７の開閉を操作するようにしてもよい。これにより、噴射口２３５からの窒素ガスの噴射が不連続または間欠的に行われる。

連続的に窒素ガスを噴射すると、粉塵が基板Ｗの裏面に押圧され、円滑に吸引除去できないことがある。そこで、主制御部１６５は、流量調整弁２１５や開閉弁２１７を操作して、研磨ヘッド２０１からの窒素ガスの噴射を非連続とする。非連続で間欠的に窒素ガスを噴射すると、窒素ガスによる押圧力が一時的に弱まる状態が生じるので、粉塵を離脱させやすくできる。

以下、図面を参照して本発明の実施例６について説明する。なお、研磨ヘッド２０１Ａを除く構成は、上述した実施例と同じである。

図２９及び図３０を参照する。図２９は、実施例６に係る研磨ヘッドの縦断面図である。図３０は、実施例６に係る研磨ヘッドの底面図である。

研磨ヘッド２０１Ａは、研磨具９６Ａと、ヘッド本体２２３Ａと、カバー２２５Ａとを備えている。ヘッド本体２２３Ａは、下面に研磨具９６Ａが取り付けられている。ヘッド本体２２３Ａは、第１の流路２４１と、第２の流路２４３とが形成されている。第１の流路２４１と、第２の流路２４３とは、互いに連通していない。第１の流路２４１は、ヘッド本体２２３Ａの下面に開口部２４５が形成されている。第１の流路２４１は、鉛直軸ＡＸ５にほぼ一致する。第２の流路２４３は、ヘッド本体２２３Ａの上面と外周面とを連通接続している。第２の流路２４３は、例えば、ヘッド本体２２３Ａの外周面における四箇所の開口部２４７が形成されている。第２の流路２４３は、例えば、ヘッド本体２２３Ａの上面にも四箇所で連通している。第２の流路２４３は、平面視で開口部２４７の位置関係が等角度となることが好ましい。これにより均等に吸引を行わせることができる。

カバー２２５Ａは、ヘッド本体２２３Ａに取り付けられている。カバー２２５Ａは、ヘッド本体２２３Ａの外周面に取り付けられている。カバー２２５Ａは、例えば、水平に演出された部分から下方に向かって垂下した形状を呈する。カバー２２５Ａの下端は、研磨具９６の下面より高い位置にある。カバー２２５Ａの下部は、吸引口２４８を構成する。

研磨具９６Ａは、中央に貫通穴２４９が形成されている。研磨具９６Ａは、平面視にて環状を呈する。平面視では、貫通穴２４９は、鉛直軸ＡＸ５とほぼ重なる。貫通穴２４９は、平面視で第１の流路２４１と重なる。貫通穴２４９は、第１の流路２４１と連通する。貫通穴２４９のうち、研磨具９６Ａの下面に連通した開口が噴射口２５１である。

研磨ヘッド２０１Ａは、第１の流路２４１が気体供給配管２０３の他端側に連通接続されている。研磨ヘッド２０１Ａは、第２の流路２４３が吸引配管２０５の他端側に連通接続されている。換言すると、噴射口２５１は、気体供給源２１３と連通する。吸引口２４８は、吸引源２１９と連通する。

本実施例によると、研磨具９６Ａの中央から噴射された窒素ガスは、基板Ｗの裏面で研磨具９６Ａの外周に向かう。したがって、粉塵を含む窒素ガスを吸引口２４８で効率的に吸引できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例７について説明する。なお、研磨ヘッド２０１Ｂを除く構成は、上述した実施例と同じである。

図３１及び図３２を参照する。図３１は、実施例７に係る研磨ヘッドの縦断面図である。図３２は、実施例７に係る研磨ヘッドの底面図である。

研磨ヘッド２０１Ｂは、研磨具９６Ｂと、ヘッド本体２２３Ｂと、カバー２２５Ａとを備えている。ヘッド本体２２３Ｂは、下面に研磨具９６Ｂが取り付けられている。ヘッド本体２２３Ｂは、第１の流路２４１と、第２の流路２４３とが形成されている。第１の流路２４１と、第２の流路２４３とは、上述した実施例６と同じである。ヘッド本体２２３Ｂは、縁部２５３が形成されている。縁部２５３は、ヘッド本体２２３Ｂの下面のうち縁部分が下方に突出して形成されている。この縁部２５３には、研磨部９６Ｂが取り付けられている。

研磨具９６Ｂは、多孔質部材で構成されている。研磨具９６Ｂは、多数の小孔が形成されている。研磨具９６Ｂは、多数の孔が互いに連通接続されている。第１の流路２４１から供給された窒素ガスは、研磨具９６Ｂの多数の小孔を通って下面から基板Ｗの裏面に噴射される。換言すると、研磨具９６Ｂの下面は、噴射口２５５を構成する。

カバー２２５Ａは、上述した実施例６と同様の構成であり、その下部が吸引口２４８を構成している。

本実施例によると、多孔質部材からなる研磨具９６Ｂに窒素ガスを供給し、その下面のほぼ全面に相当する噴射口２５５から粉塵に窒素ガスを噴射できる。したがって、効率的に粉塵を外周に押し出すことができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例８を説明する。なお、実施例１～７と重複する説明は省略する。図３３は、実施例８に係る研磨処理装置の動作を示すフローチャートである。

実施例１では、基板Ｗの裏面研磨（ステップＳ０４）が行われた後に、スクラッチ観察を行わなかった。この点、実施例８では、研磨後のスクラッチの観察を行う（図３３のステップＳ５１）。

なお、図３３に示すステップＳ０１～Ｓ０６は、図９に示すステップＳ０１～Ｓ０６とほぼ同じ動作が行われる。基板Ｗの洗浄工程（ステップＳ０５）の後、基板搬送ロボットＴＲ１は、研磨ユニット２２から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを２つの検査ユニット２０の一方のステージ１２１に搬送する。

〔ステップＳ５１〕研磨後のスクラッチ観察
検査ユニット２０は、特に、基板Ｗの裏面に形成されたスクラッチを再度検出する。すなわち、ステップＳ０２の動作と同様に、検査ユニット２０は、カメラ１２４および照明１２５によって観察画像を取得する。検査制御部１３０は、取得した観察画像に対して画像処理を行い、研磨対象のスクラッチを抽出する。研磨対象のスクラッチを抽出できなかったときは、主制御部１６５は、再研磨が必要でないと判断して、ステップＳ０６に進む。

これに対し、研磨対象のスクラッチが検出されたときは、主制御部１６５は、再研磨が必要であると判断する。そして、検査ユニット２０は、その研磨対象のスクラッチの深さを測定する。すなわち、レーザ顕微鏡１２７は、研磨対象のスクラッチを含む三次元画像を取得する。検査制御部１３０は、取得した三次元画像に対して画像処理を行い、研磨対象のスクラッチの深さを測定する（図１０（ｂ）の値ＤＰ３）。

その後、基板搬送ロボットＣＲは、検査ユニット２０のステージ１２１から研磨ユニット２２の保持回転部３５に基板Ｗを搬送する。搬送後、基板Ｗは、保持回転部３５によって保持され、気体吐出口４７から気体が吐出される。その後、基板厚み測定装置３９は、基板Ｗの上方に移動され、基板Ｗの厚みを測定する（図１０（ｂ）の値ＴＫ３）。ステップＳ０４に戻る。

ステップＳ０４において、研磨ユニット２２は、検査ユニット２０が研磨対象のスクラッチを抽出したときは、再度、基板Ｗの裏面研磨を実行する。研磨は、スクラッチの深さに対応する厚み（値ＤＰ３）が削り取られるまで行われる。換言すると、研磨は、基板Ｗの厚みが、図１０（ｂ）に示す値ＴＫ２（＝ＴＫ３－ＤＰ３）まで行われる。

本実施例によれば、研磨が必要な研磨対象のスクラッチがなくなるまで研磨が実施されるので、スクラッチのエッジが例えば露光装置ＥＸＰのステージに新たな傷を作ることを防止することができる。

また、本実施例において、研磨対象のスクラッチが存在する場合、ウエットエッチング工程（ステップＳ０３）を行っていない。この点、必要により、ウエットエッチングを行ってもよい。

次に、図面を参照して本発明の実施例９を説明する。なお、実施例１～８と重複する説明は省略する。

図３４は、基板Ｗの加熱温度と、研磨具９６の接触圧力（押し圧）の関係を示す図である。図３４は、研磨レートを一定にしたときの図である。図３４において、基板Ｗの温度が常温（例えば２５℃）でかつ所定の接触圧力Ｐ１である場合に、所定の研磨レートＲＡが得られたとする。基板Ｗを加熱すると研磨レートが上がる。そのため、研磨レートＲＡを維持しつつ、常温よりも温度を上げれば（例えば温度ＴＭ２）、接触圧力Ｐ１よりも低い接触圧力Ｐ２することができる。すなわち、研磨レートＲＡが一定である場合、基板Ｗの温度を上げれば、接触圧力を下げることができる。

本実施例によれば、研磨ユニット２２は、基板Ｗの加熱温度に加えて、基板Ｗに対する研磨具９６の接触圧力を制御することにより、研磨レートを調整することができる。例えば、研磨レートを維持しつつ基板Ｗの加熱温度を上げることで、基板Ｗに対する研磨具９６の接触圧力を下げることができる。これにより、接触圧力による基板Ｗの負荷を抑えることができる。すなわち、基板Ｗを押し過ぎてしまうことを防止することができる。

なお、研磨レートの調整は、基板Ｗの加熱温度と、研磨具９６の接触圧力の関係に限られない。すなわち、研磨レートの調整は、基板Ｗの加熱温度と、研磨具９６の移動速度との関係により行ってもよい。また、研磨レートの調整は、基板Ｗの加熱温度と、鉛直軸ＡＸ６周りの研磨具９６の移動速度（揺動の速度）との関係により行ってもよい。研磨レートの調整は、基板Ｗの加熱温度と、鉛直軸ＡＸ５周りの研磨具９６の回転速度との関係により行ってもよい。研磨レートの調整は、基板Ｗの加熱温度と、基板Ｗの回転速度との関係により行ってもよい。

すなわち、研磨ユニット２２は、基板Ｗの加熱温度に加えて、基板Ｗに対する研磨具９６の接触圧力、研磨具９６の移動速度、研磨具９６の回転速度、および基板Ｗの回転速度のうちの少なくとも１つを制御することにより、研磨レートを調整してもよい。

次に、図面を参照して本発明の実施例１０を説明する。なお、実施例１～９と重複する説明は省略する。

図１において、実施例１では、処理ユニットＵ１が検査ユニット２０であり、各処理ユニットＵ２～Ｕ４は、研磨ユニット２２であった。実施例１０では、各処理ユニットＵ２，Ｕ３は、研磨ユニット３４１であり、処理ユニットＵ４は、液処理ユニット３４３であってもよい。なお、処理ユニットＵ１が検査ユニット２０である。

すなわち、実施例１０の各研磨層１４Ａ，１４Ｂは、２段の検査ユニット２０と、２段×２の研磨ユニット３４１と、２段の液処理ユニット３４３とを備える。換言すると、各研磨層１４Ａ，１４Ｂは、８つの処理ユニットＵ１～Ｕ４を備える。図３５は、実施例１０に係る研磨ユニット３４１を示す図である。図３６は、実施例１０に係る液処理ユニット３４３を示す図である。

研磨ユニット３４１と液処理ユニット３４３は、図４に示す研磨ユニット２２の構成を２つに分けたようなものである。なお、液処理ユニット３４３は、保持回転部３５と同様に構成された第２保持回転部３４５を備える。また、研磨ユニット３４１は、リンス液ノズル７３、リンス液供給源８９およびリンス液配管９０を備えていてもよい。

各研磨層１４Ａ，１４Ｂの動作は、図９または図３３に示すフローチャートに基づいて行われる。ただし、例えば、研磨ユニット３４１と液処理ユニット３４３との間において、基板Ｗの搬送が行われる。例えば図９のステップＳ０２～Ｓ０５の間において、基板Ｗは、基板搬送ロボットＴＲ１によって、検査ユニット２０、液処理ユニット３４３（ウエットエッチング工程）、研磨ユニット３４１、液処理ユニット３４３（基板Ｗの洗浄工程）の順番に搬送される。

本実施例によれば、実施例１と同様の効果を有する。また、図４の研磨ユニット２２の構成を２つに分けたようなものであるので、研磨ユニット３４１および液処理ユニット３４３の各々をコンパクトに構成することができる。

なお、液処理ユニット３４３のウエットエッチング工程（ステップＳ０３）に係る構成を研磨ユニット３４１に設けてもよい。また、液処理ユニット３４３の基板Ｗの洗浄工程（ステップＳ０５）に係る構成を研磨ユニット３４１に設けてもよい。また、実施例１０において、研磨ユニット３４１は、後述するヒータ３４７、３５４（図３５参照）を備えていない。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各実施例では、カバー２２５，２２５Ａに形成された広い開口を備えた吸引口２３７，２４８から吸引を行っている。しかしながら、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、ヘッド本体２２３（２２３Ａ，２２３Ｂ）の開口部２３３，２４７に配管の一端側を連通させ、配管の他端側を研磨面に臨ませた配管構造を採用してもよい。

（２）上述した各実施例では、噴射口から窒素ガスを噴射するように構成している。しかしながら、本発明は、気体が窒素ガスに限定されるものではない。例えば、気体としては、アルゴンガスを用いてもよい。

（３）上述した各実施例では、気体供給配管２０３と、吸引配管２０５とを並行して配置している。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。例えば、二重管をシャフト１００に挿通して、気体供給及び吸引として用いる構成を採用してもよい。

（４）上述した各実施例では、主制御部１６５が流量調整弁２１５を操作して、窒素ガスの流量を時間的に変動させたが、本発明はこのような操作を必須とするものではない。つまり、研磨処理の間中、窒素ガスの流量を一定に維持するようにしてもよい。

（５）上述した各実施例では、研磨ヘッド２０１，２０１Ａ，２０１Ｂが取付部材９８に着脱可能に取り付けられる構成とした。しかしながら、研磨ヘッド２０１，２０１Ａ，２０１Ｂは、取付部材９８に半固定とされ、研磨具９６，９６Ａ，９６Ｂだけが着脱可能で、容易に交換可能な構成としてもよい。

（６）上述した各実施例および各変形例では、研磨ユニット２２は、加熱手段としてホットプレート４５を備えた。研磨ユニット２２は、ホットプレート４５に代えて、気体吐出口４７から加熱気体を吐出するように構成されてもよい。気体吐出口４７からの加熱気体によって、基板を加熱することができる。この場合、例えば、研磨ユニット２２は、気体配管６１の外側から、気体配管６１を通過する気体を加熱するヒータ３４７（図４、図３５参照）を備えていてもよい。この場合、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５を備えていなくてもよい。また、基板Ｗは、ホットプレート４５と、気体吐出口４７から吐出される加熱気体の両方によって加熱されてもよい。気体吐出口４７は、本発明の加熱手段に相当する。

（７）上述した各実施例および各変形例では、研磨ユニット２２は、加熱手段としてホットプレート４５を備えた。この点、図３７（ａ）、図３７（ｂ）に示すように、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５に代えて、研磨具９６を加熱するヒータ３４９（３５２）を備えていてもよい。または、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５およびヒータ３４９（３５２）を備えていてもよい。図３７（ａ）において、取り付け部材９８は、下面が凹んだ容器のように構成される。その取り付け部材９８の研磨具９６（鉛直軸ＡＸ５）を囲う中空筒状部３５０にリング状のヒータ３４９が設けられる。ヒータ３４９は研磨具９６を加熱する。研磨具９６を加熱すると、研磨具９６を介して基板Ｗを加熱することができる。また、研磨具９６と基板Ｗの裏面との界面を効果的に加熱することができる。

また、図３７（ｂ）に示すように、ヒータ３５２は、取り付け部材９８に内蔵され、シャフト１００と研磨具９６の間に配置されていてもよい。なお、各ヒータ３４９，３５２は、例えばニクロム線などの電熱器によって加熱してもよい。また、各ヒータ３４９，３５２は、配管を備えて、その配管に加熱気体または加熱液体を通すことで加熱してもよい。各ヒータ３４９，３５２は、本発明の加熱手段に相当する。

（８）上述した各実施例（実施例５～７を除く）および各変形例では、研磨具９６を用いて、乾式の化学機械研削方式により基板Ｗの裏面を研磨した。この点、研磨具９６を用いて、液体を基板Ｗの裏面上に供給しながら、化学機械研削方式により基板Ｗの裏面を研磨してもよい。例えば、リンス液ノズル７３（図４、図３５）から基板Ｗの裏面上かつ、研磨具９６の近くに加熱された純水（例えばＤＩＷ）を供給してもよい。加熱された純水によって、基板Ｗを加熱することができる。また、加熱された純水によって、基板Ｗの裏面から研磨屑を洗い流すことができる。例えば、研磨ユニット２２（３４１）は、リンス液配管９０の外側から、リンス液配管９０を通過する純水を加熱するヒータ３５４を備えていてもよい。また、基板Ｗは、ホットプレート４５を用いて加熱せず、リンス液ノズル７３からの加熱された純水によって加熱されてもよい。この場合、研磨ユニット２２は、ホットプレート４５を備えていなくてもよい。なお、リンス液ノズル７３は、本発明の加熱手段に相当する。

なお、基板Ｗは、ホットプレート４５、加熱気体を吐出する気体吐出口４７、研磨具９６を加熱するヒータ３４９（またはヒータ３５２）、基板Ｗの裏面に加熱された純水を供給するリンス液ノズル７３の少なくとも１つによって加熱されてもよい。

また、研磨ユニット２２は、これらの加熱手段を備えて、加熱手段を組み合わせることで、基板Ｗの加熱温度を制御してもよい。例えば、ホットプレート４５のみで加熱していたとする（図３８の符号Ｈ１）。更に加熱したい場合、ホットプレート４５に加え、加熱された気体を吐出する気体吐出口４７によって、基板Ｗを加熱してもよい（図３８の符号Ｈ１＋符号Ｈ２）。また、更に加熱したい場合、ホットプレート４５および気体吐出口４７に加えて、研磨具９６を加熱するヒータ３４９（またはヒータ３５２）によって、基板Ｗを加熱してもよい（図３８の符号Ｈ１＋符号Ｈ２＋符号Ｈ３）。この状態から加熱を抑えたい場合、ホットプレート４５のみによって、基板Ｗを加熱してもよい（符号Ｈ１）。

（９）上述した各実施例および各変形例では、基板厚み測定装置３９は、ウエットエッチング工程（ステップＳ０３）の前に、基板Ｗの厚みを測定した。この点、ウエットエッチング工程（ステップＳ０３）と基板Ｗの裏面研磨工程（ステップＳ０４）の間に、基板厚み測定装置３９は、基板Ｗの厚みを測定してもよい。この場合、スクラッチ観察工程（ステップＳ０２）がステップＳ０３，Ｓ０４の間に移動されてもよい。

（１０）上述した各実施例および各変形例において、基板Ｗに対する研磨具９６の接触圧力は、例えばロードセルによって検出されてもよい。また、研磨具９６の移動速度は、研磨具９６の鉛直軸ＡＸ６周りの角度を検出するロータリエンコーダで検出されてもよい。また、研磨具９６の回転速度は、研磨具９６の鉛直軸ＡＸ５周りの角度を検出するロータリエンコーダで検出されてもよい。また、基板Ｗの回転速度は、基板Ｗの回転軸ＡＸ３周りの角度を検出するロータリエンコーダで検出されてもよい。これらの検出結果に基づいて主制御部１６５が各構成を制御してもよい。

（１１）上述した各実施例および各変形例において、保持回転部３５は、裏面が上向きの基板Ｗを水平姿勢に保持した。また、保持回転部３５のスピンベース４１は、基板Ｗの下方に配置された。この点、保持回転部３５は、上下逆さに配置されていてもよい。すなわち、保持回転部３５のスピンベース４１は、基板Ｗの上方に配置される（図３の保持回転部１５７参照）。また、保持回転部３５は、裏面が下向きの基板Ｗを水平姿勢に保持する。この場合、裏面が下向きの基板Ｗに対して、基板Ｗの下側から研磨具９６を接触させる。

（１２）上述した各実施例および各変形例において、ウエットエッチング工程としてステップＳ２１～Ｓ２６まで実行していた（図１１）。６個のステップＳ２１～Ｓ２６のうち、ステップＳ２１～Ｓ２３のみを実行するようにしてもよい。また、６個のステップＳ２１～Ｓ２６のうち、ステップＳ２４～Ｓ２６のみを実行するようにしてもよい。

（１３）上述した各実施例および各変形例において、基板Ｗの洗浄工程としてステップＳ３１～Ｓ３６を実行していた（図１３）。６個のステップＳ３１～Ｓ３６のうち、ステップＳ３１～Ｓ３３のみを実行するようにしてもよい。また、６個のステップＳ３１～Ｓ３６のうち、ステップＳ３４～Ｓ３６のみを実行するようにしてもよい。

（１４）上述した実施例１の基板処理装置１において、インデクサブロックＢ１、研磨ブロックＢ２、塗布ブロックＢ３、現像ブロックＢ４、およびＩＦブロックＢ５の順番に水平方向に配置された。また、研磨ブロックＢ２で裏面研磨された後、塗布ブロックＢ３は、その基板Ｗの表面にレジストを塗布した。これらの点に関して、図３９に示すように、インデクサブロックＢ１、塗布ブロックＢ３、研磨ブロックＢ２、現像ブロックＢ４、およびＩＦブロックＢ５の順番に水平方向に直線状に配置されていてもよい。また、塗布ブロックＢ３でレジスト塗布がされた後、研磨ブロックＢ２は、基板Ｗの裏面を研磨してもよい。

（１５）上述した各実施例および各変形例において、露光装置ＥＸＰは、ＥＵＶ光を照射する光源を備えていた。この光源は、ＥＵＶ光以外の波長の光（例えばＡｒＦ光（１９３ｎｍ），ＫｒＦ光（２４８ｎｍ））を照射してもよい。

１ … 基板処理装置
Ｂ１ … インデクサブロック
Ｂ２ … 研磨ブロック
Ｂ３ … 塗布ブロック
Ｂ４ … 現像ブロック
Ｂ５ … インターフェースブロック（ＩＦブロック）
Ｂ７ … 中間ブロック
Ｂ８ … 処理ブロック
Ｂ９ … 第１処理ブロック
Ｂ１０ … 第２処理ブロック
３，１７３，１７４ … キャリア載置台
ＩＲ１～ＩＲ３ … インデクサロボット
ＴＲ１～ＴＲ１６ … 基板搬送ロボット
Ｕ１～Ｕ４，Ｕ３１，Ｕ３２ … 処理ユニット
Ｕ１１，Ｕ１２，Ｕ２１，Ｕ２２ … 処理ユニット
２０ … 検査ユニット
２２，３４１ … 研磨ユニット
３５ … 保持回転部
４１ … スピンベース
４３ … 保持ピン
４５ … ホットプレート
４７ … 気体吐出口
７３ … リンス液ノズル
９６ … 研磨具
１２７ … レーザ走査型共焦点顕微鏡（レーザ顕微鏡）
ＰＲ … 塗布ユニット
Ｌ１，Ｌ２ … 塗布層
Ｌ３，Ｌ４ … 研磨層
Ｌ５，Ｌ６ … 現像層
Ｇ１ … バッファ群
ＢＦ１１，ＢＦ１３～ＢＦ１６，ＢＦ２１，ＢＦ２２ … 基板バッファ
３４７，３４９，３５２，３５４ … ヒータ

Claims (15)

1. 基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、
   前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、
   外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、
   を備え、
   前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、
   前記処理ブロックは、水平方向に直線状に配置された塗布ブロックと研磨ブロックとを含み、
   前記塗布ブロックは、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、
   前記研磨ブロックは、前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、
   前記研磨ユニットは、
   前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、
   前記基板を加熱する加熱手段と、
   砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   更に、制御部を備え、
   前記制御部は、研磨を行うときに、前記加熱手段による前記基板の加熱温度を制御することによって研磨レートを調整することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、更に、前記基板に対する前記研磨具の接触圧力、前記研磨具の移動速度、前記研磨具の回転速度、および前記基板の回転速度のうちの少なくとも１つを制御することにより、前記研磨レートを調整することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記保持回転部は、上下方向に延びる回転軸周りに回転可能なスピンベースと、
   前記スピンベースの上面に、前記回転軸を囲むようにリング状に設けられ、前記基板の側面を挟み込むことで前記基板を前記スピンベースの上面から離間して保持するように構成された３本以上の保持ピンと、を備え、
   前記加熱手段は、前記スピンベースの上面に設けられた第１ヒータであることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記保持回転部は、上下方向に延びる回転軸周りに回転可能なスピンベースと、
   前記スピンベースの上面に、前記回転軸を囲むようにリング状に設けられ、前記基板の側面を挟み込むことで前記基板を前記スピンベースの上面から離間して保持するように構成された３本以上の保持ピンと、を備え、
   前記加熱手段は、前記スピンベースの上面に開口して前記スピンベースの中心部に設けられ、前記基板と前記スピンベースとの隙間において、前記基板の中心側から前記基板の外縁に気体が流れるように、加熱された気体を吐出する気体吐出口であることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記加熱手段は、前記研磨具を加熱する第２ヒータであることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記加熱手段は、前記基板の裏面上に加熱された水を供給する加熱水供給ノズルであることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ブロックを含み、
   前記塗布ブロックと前記研磨ブロックと前記現像ブロックは、水平方向に直線状に配置されることを特徴とする基板処理装置。
9. 基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、
   前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、
   外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、
   を備え、
   前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、
   前記処理ブロックは、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、
   前記インターフェースブロックは、前記塗布ユニットでレジストが塗布された前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、
   前記研磨ユニットは、
   前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、
   前記基板を加熱する加熱手段と、
   砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記処理ブロックは、塗布ブロックと現像ブロックとを備え、
    前記塗布ブロックは、前記塗布ユニットを有し、
    前記現像ブロックは、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ユニットを有し、
    前記現像ブロックは、前記塗布ブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置されることを特徴とする基板処理装置。
11. 基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、
    前記基板に所定の処理を行う処理ブロックと、
    外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、
    を備え、
    前記インデクサブロック、前記処理ブロック、および前記インターフェースブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、
    前記処理ブロックは、上下方向に積層された塗布層と研磨層とを含み、
    前記塗布層は、前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有し、
    前記研磨層は、前記基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有し、
    前記研磨ユニットは、
    前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、
    前記基板を加熱する加熱手段と、
    砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置において、
    前記処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像層を含み、
    前記現像層、前記塗布層および前記研磨層は、上下方向に積層されることを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項１１または１２に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサブロックと前記処理ブロックの間に配置された中間ブロックを更に備え、
    前記中間ブロックは、バッファ群と基板搬送ロボットを備え、
    前記バッファ群は、上下方向に配置された複数の基板バッファであって、前記基板を各々載置する前記複数の基板バッファを備え、
    前記基板搬送ロボットは、前記複数の基板バッファの間で前記基板を搬送し、
    前記インデクサブロックは、前記バッファ群を介して、前記処理ブロックとの間で前記基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
14. 基板の裏面を研磨する研磨ユニットを有する第１処理ブロックと、
    前記基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置台を備え、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアに対して前記基板を出し入れするインデクサブロックと、
    前記基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットを有する第２処理ブロックと、
    前記第１処理ブロックまたは前記第２処理ブロックに水平方向に連結し、外部の露光装置に対して前記基板の搬入および搬出を行うインターフェースブロックと、
    を備え、
    前記第１処理ブロック、前記インデクサブロック、および前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に直線状に配置され、
    前記研磨ユニットは、
    前記基板を水平姿勢に保持した状態で前記基板を回転させる保持回転部と、
    前記基板を加熱する加熱手段と、
    砥粒が分散された樹脂体を含み、加熱されつつ回転する前記基板の裏面に接触して、化学機械研削方式により前記基板の裏面を研磨する研磨具と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記第２処理ブロックは、更に、前記露光装置で露光された前記基板に現像処理を行う現像ユニットを含み、
    前記インターフェースブロックは、前記第２処理ブロックに水平方向に連結することを特徴とする基板処理装置。
    

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