KR101760552B1

KR101760552B1 - 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR101760552B1
Application number: KR1020140088256A
Authority: KR
Inventors: 야스시 다키구치; 다로 야마모토; 히데하루 교우다; 고시 무타
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2013-07-23
Filing date: 2014-07-14
Publication date: 2017-07-21
Anticipated expiration: 2034-07-14
Also published as: JP2015023248A; US20150027492A1; US9947556B2; JP5904169B2; TWI567816B; KR20150011764A; TW201521103A

Abstract

본 발명은 기판인 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 기판 세정 장치의 소형화를 도모하고, 기판 세정 처리의 세정력을 높이는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)를 흡착 패드(2)에 유지하여 수평 방향으로 이동하고 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면측의 중앙 영역을 세정하고, 웨이퍼(W)가 스핀 척(3)에 유지되어 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리 영역을 세정하는 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치한다. 이와 같이 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치하고 있기 때문에, 세정 부재가 단독인 경우에 비해서 세정력을 높게 할 수 있다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 공통의 선회축(52)에 의해 각각 수평 방향으로 선회하도록 구성되어 있지만, 웨이퍼(W) 이면의 중앙 영역을 세정할 때에는 선회축(52)은 웨이퍼(W)에 중첩되어 위치하도록 배치된다. 선회축(52)은 웨이퍼(W)의 이동 영역을 이용하여 설치되기 때문에, 장치의 소형화가 도모된다.

Description

기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, SUBSTRATE CLEANING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판(LCD 기판)과 같은 기판의 이면을 세정하는 기술에 관한 것이다.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함)를 청정한 상태로 유지하기 위해, 각각의 제조 프로세스나 처리 프로세스의 전후에 있어서, 필요에 따라 웨이퍼를 세정하는 프로세스가 설정되어 있다.

회로 패턴의 미세화에 따른 디포커스에 대한 대책으로서, 이러한 웨이퍼의 세정을 웨이퍼 이면에 대해서도 실시할 필요성이 발생하고 있다. 디포커스란, 웨이퍼가 휘어짐에 따라서 노광시에 포커스가 흐트러지는 현상이며, 예컨대 웨이퍼 이면에 부착된 파티클이, 웨이퍼를 얹어 놓기 위한 스테이지와 웨이퍼 사이에 들어간 채로 노광이 행해지는 것에 의해 발생한다.

이러한 웨이퍼 이면의 세정에 관하여, 특허문헌 1에, 기판의 이면을 지지하여 유지하고, 브러시에 의해 기판 이면을 세정하는 기술이 제안되어 있다. 이 방법에서는, 기판 이면의 둘레 가장자리 영역을 유지하는 제1 기판 유지 수단과, 기판 이면의 중앙 영역을 유지하는 제2 기판 유지 수단 사이에서 기판을 바꿔서 지지하여 기판 이면의 세정을 행하고 있기 때문에, 기판 이면 전체에 관해 세정을 행할 수 있다. 또한 기판의 반전 동작을 행하기 위한 공간을 필요로 하지 않기 때문에, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

그러나 최근에는 액침 노광이나 더블패터닝과 같은 배선 기술이 더욱 미세화함에 따라서, 반도체 디바이스의 제조 공정에 포함되는 공정수도 증가하고 있다. 이 때문에 웨이퍼 이면에 파티클이 부착되는 리스크도 커지고 있어, 세정력을 한층 더 향상시키도록 요구되고 있다. 또한 웨이퍼 사이즈는 300 mm 사이즈로부터 450 mm 사이즈로 한층 더 대구경화하는 것이 검토되고 있으며, 가능한 한 컴팩트한 장치가 바람직하다. 이 때문에, 1대의 세정 장치에 있어서, 복수의 브러시를 이용하여 세정력을 높이면서, 장치의 소형화를 도모하는 것이 검토되고 있다.

특허문헌 2에는, 기판을 수직축 둘레로 회전시키면서, 1개의 지지 아암에 부착된 2개의 세정 브러시에 의해 기판의 상면을 세정함에 있어서, 지지 아암의 선단 블록을 원호형으로 구성하여, 수직축 둘레로 회전시키는 구조가 제안되어 있다. 이 방법은 기판의 상면의 세정이기 때문에, 기판의 중앙 영역을 세정하기 위해, 세정 브러시를 기판의 회전 중심을 통과하여 외주부에 이르도록 이동시킬 필요가 있다. 또한 지지 아암의 구동 기구는 기판의 주위를 덮는 컵의 외측에 설치되어 있기 때문에, 세정 브러시의 지지 아암의 선회 반경은 기판의 반경보다 커져, 장치의 소형화를 도모하는 것이 어렵다. 또한 세정 브러시가 기판의 회전 중심을 통과하여 외주부까지 이동하기 때문에 세정 브러시의 이동 거리가 길고, 이에 따라 처리 시간이 길어져 버린다.

특허문헌 3에는, 기능이 상이한 2개의 세정 기구를 이용하여 기판 표면을 세정하는 기술이 제안되어 있지만, 세정 기구는 각각 별개의 아암에 설치되며, 이들 아암은 웨이퍼의 외측에 설치되어 있기 때문에, 장치를 컴팩트하게 하는 것이 어렵다. 또한 세정시에는, 각각의 아암을 웨이퍼의 일단측으로부터 타단측까지 이동시키고 있기 때문에, 아암의 이동 거리(이동 시간)가 길어져 처리에 시간이 걸린다. 이와 같이 특허문헌 2 및 특허문헌 3은 기판의 이면의 세정을 행하는 것이 아니며, 이들을 이용하더라도 장치의 소형화를 도모하는 것이 어렵기 때문에, 본 발명의 과제를 해결할 수는 없다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-177541호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 평10-308370호 공보: 도 8, 도 12, 단락 0044, 단락 0058 등 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 제2002-66467호 공보

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치의 소형화를 도모하고, 기판 세정 처리의 세정력을 높일 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.

이 때문에 본 발명의 기판 세정 장치는,

원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서,

기판의 이면에서의 중앙부와는 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하여, 수평 방향으로 이동 가능한 제1 흡착 유지부와,

기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하여, 수직축 둘레로 회전하는 제2 흡착 유지부와,

서로 가로 방향으로 떨어져 설치되어, 기판이 제1 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하고, 기판이 제2 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하는 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재와,

기판의 이면을 세정할 때, 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 선회시키는 선회 기구와,

상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 승강시키기 위한 승강 기구와,

상기 세정 부재에 의해 기판의 이면을 세정할 때에 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 구비하고,

상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때에는 기판에 중첩되어 위치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 기판 세정 방법은,

원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 방법으로서,

제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 선회시키는 선회 기구를 이용하는 공정과,

제1 흡착 유지부에 의해 기판의 이면에서의 중앙부와는 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하여, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역에 접촉시키면서 선회시킴으로써 그 영역을 세정하는 공정과,

제2 흡착 유지부에 의해 기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하여, 그 제2 흡착 유지부를 수직축 둘레로 회전시킨 상태로, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉시키면서 선회시킴으로써 그 영역을 세정하는 공정을 포함하고,

상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때에는 기판에 중첩되어 위치하는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 기억 매체는,

원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 프로그램은 전술한 기판 세정 방법을 실행하도록 단계가 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 기판 세정 장치에 의하면, 제1 세정 부재와 제2 세정 부재를 설치하고 있기 때문에, 세정 부재가 단독인 경우에 비해서 세정력을 높게 할 수 있다. 또한 제1 세정 부재와 제2 세정 부재는, 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 선회하도록 구성되어 있다. 기판의 이면의 중앙부를 포함하는 영역은, 기판을 제1 기판 유지부에서 흡착 유지하여 수평 방향으로 이동시키면서 세정하지만, 상기 중앙부를 포함하는 영역을 세정할 때에는, 선회축은 기판에 중첩되어 위치하도록 배치된다. 이와 같이 선회축은 기판의 이동 영역을 이용하여 설치되기 때문에, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 세정 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 세정 장치를 나타내는 종단 측면도이다.
도 3은 세정 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 세정 장치를 나타내는 종단 측면도이다.
도 5는 세정 장치에 설치되는 에어나이프를 나타내는 사시도이다.
도 6은 웨이퍼와 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재와 회전판을 나타내는 평면도이다.
도 7은 세정 장치에서 행해지는 세정 처리를 설명하기 위한 공정도이다.
도 8은 세정 장치에서 행해지는 세정 장치를 설명하기 위한 종단 측면도이다.
도 9는 세정 장치에서 행해지는 세정 장치를 설명하기 위한 종단 측면도이다.
도 10은 세정 장치에서 행해지는 세정 장치를 설명하기 위한 종단 측면도이다.
도 11은 웨이퍼와 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재와 회전판을 나타내는 평면도이다.
도 12는 웨이퍼와 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재와 회전판을 나타내는 평면도이다.
도 13은 세정 장치에서 행해지는 세정 처리의 다른 예를 설명하기 위한 공정도이다.
도 14는 세정 장치가 삽입된 도포, 현상 장치를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도포, 현상 장치를 나타내는 사시도이다.
도 16은 도포, 현상 장치를 나타내는 종단 측면도이다.

이하에 설명하는 실시형태에서는, 기판 세정 장치(이하 세정 장치라고 함)의 일례로서 도포, 현상 장치에 설치되는 타입의 세정 장치에 관해 설명한다. 그 세정 장치에 의한 세정 공정을 포함하는 포토리소그래피 프로세스의 구체예에 관해서는 후술되며, 본 세정 장치는 예컨대 도포, 현상 장치의 출구 부근에 설치되고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼의 이면을 세정하고 나서 후속의 노광 장치를 향해서 송출하는 역할을 한다.

먼저 본 실시형태에 따른 세정 장치의 구조에 관해 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다. 도 1은 세정 장치(1)의 사시도, 도 2 및 도 4는 그 종단도, 도 3은 그 평면도를 각각 나타내고 있다.

도 1∼도 3에 나타낸 바와 같이 세정 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 흡착 유지하는 흡착 패드(2)와, 이 흡착 패드(2)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 동일하게 대략 수평으로 흡착 유지하는 스핀 척(3)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 세정 기구(5)를 구비하고 있다. 상기 흡착 패드(2)는 제1 기판 유지부를, 상기 스핀 척(3)은 제2 기판 유지부를 각각 이루고 있고, 이들 흡착 패드(2), 스핀 척(3) 및 세정 기구(5)는, 상면이 개방된 박스형의 하부컵(43)에 부착되어 있다. 예컨대 하부컵(43)은 평면에서 볼 때 장방형으로 형성되고, 서로 대향하는 측벽을 구비하고 있으며, 상기 측벽들 중 도 1을 마주보고 앞쪽과 뒤쪽의 대향하는 양 측벽(43a, 43b)이 신장되는 방향을 X 방향으로 하여 설명한다.

처음에 흡착 패드(2)에 관해 설명한다. 이 흡착 패드(2)는, 웨이퍼(W)의 이면에서의 중앙부와는 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하여, 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 세정 장치(1)는 2개의 흡착 패드(2)를 구비하고, 각각의 흡착 패드(2)는 예컨대 가늘고 긴 블록으로 구성되어 있다. 2개의 흡착 패드(2)는, 웨이퍼(W) 이면의 둘레 가장자리 근방부(제1 영역)를 대략 평행하게 지지하여 유지할 수 있도록 배치되어 있다. 흡착 패드(2)는 도시하지 않은 흡입관과 접속되어 있고, 도 3에 나타낸 흡착 구멍(2a)을 통해 웨이퍼(W)를 흡착하면서 유지하는 진공척으로서의 기능을 갖추고 있다. 각각의 흡착 패드(2)는 가늘고 긴 막대 형상의 패드 지지부(21)의 대략 중앙부에 부착되어 있고, 이들 2개의 패드 지지부(21)의 양단부가 각각 2개의 브릿지 빔(22)에 부착됨으로써 패드 지지부(21)와 브릿지 빔(22)으로 이루어진 우물정자형 빔(20)이 구성되어 있다.

2개의 브릿지 빔(22)의 양단은, 상기 하부컵(43)의 대향하는 양 측벽(43a, 43b)의 외측에, 이들 측벽(43a, 43b)을 따라서 설치된 2개의 벨트(23)에 각각 고정되어 있다. 각각의 벨트(23)는, 2개 1조로 이루어진 감아걸기축(24)에 감겨 있고, 각 감아걸기축(24)은 전술한 양 측벽(43a, 43b)과 각각 평행하게 설치된 2장의 측판(26)에 부착되어 있다. 감아걸기축(24)의 하나는 구동 기구(25)에 접속되어 있고, 감아걸기축(24)이나 벨트(23)를 통해 브릿지 빔(22)을 움직여, 전술한 우물정자형 빔(20) 전체를 도 1∼도 3에 나타낸 X 방향으로 이동시키도록 구성되어 있다.

또한 도 1에 나타낸 바와 같이 각각의 측판(26)은, 그 저면이 슬라이더(27a)와 가이드 레일(27b)을 포함하는 2조의 승강 기구(27)에 의해 지지되고, 세정 장치(1)의 도시하지 않은 케이스 바닥면에 고정되어 있다. 이들 승강 기구(27)의 하나에는 도시하지 않은 구동 기구가 설치되어 있고, 슬라이더(27a)를 가이드 레일(27b) 내에서 승강시킴으로써, 전술한 우물정자형 빔(20) 전체를 도면의 Z 방향으로 승강시킬 수 있게 되어 있다.

또한 우물정자형 빔(20) 위에는, 세정액의 분산을 억제하기 위한 도넛형의 상부컵(41)이 걸쳐 있다. 상부컵(41)의 상면에는 웨이퍼(W)보다 대구경의 개구부(41a)가 형성되어 있고, 이 개구부(41a)를 통해, 후술하는 도포, 현상 장치의 반송 기구와 흡착 패드(2) 또는 스핀 척(3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 또 우물정자형 빔(20) 위에 걸쳐 있는 상부컵(41)은, 우물정자형 빔(20)의 움직임에 따라 X 방향과 Z 방향으로 이동하도록 구성되어 있다.

다음으로 스핀 척(3)에 관해 설명한다. 스핀 척(3)은 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부(제2 영역)를 수평으로 흡착 유지하여, 수직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 스핀 척(3)은 원판형으로 형성되며, 대략 평행하게 배치된 2개의 흡착 패드(2)의 중간에 설치되어 있고, 각각의 기판 유지부(흡착 패드(2), 스핀 척(3))에 의해 지지되는 웨이퍼(W) 이면의 제1 영역과 제2 영역은 중첩되지 않게 되어 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이 스핀 척(3)은 회전 승강축(3b)을 통해 구동 기구(스핀 척 모터)(33)에 접속되어 있고, 스핀 척(3)은 이 구동 기구(33)에 의해 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 흡착 패드(2)와 마찬가지로 스핀 척(3)은 도시하지 않은 흡입관과 접속되어 있고, 도 3에 나타낸 흡착 구멍(3a)을 통해 웨이퍼(W)를 흡착하면서 유지하는 진공척으로서의 기능을 갖추고 있다.

스핀 척(3)의 측방에는, 승강 기구(32a)와 접속된 지지핀(32)이 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 승강 가능하도록 설치되어 있고, 외부의 반송 기구와의 협동 작용에 의해 반송 기구로부터 흡착 패드(2)로, 또한 스핀 척(3)으로부터 반송 기구로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 구성되어 있다.

또한 도 3 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 스핀 척(3)이나 지지핀(32)의 주위에는, 이들 기기를 둘러싸도록 에어나이프(31)가 설치되어 있다. 에어나이프(31)는 예컨대 원통형의 포위 부재로 이루어지며, 그 상단에 둘레 방향을 따라서 기체의 분사구(31a)가 형성되고, 이 분사구(31a)는 웨이퍼(W) 이면을 향해서 예컨대 압축 에어 등의 기체를 분출되도록 구성되어 있다. 예컨대 에어나이프(31)는 이중 원통으로 구성되며, 도시하지 않은 공급부로부터 공급된 기체를 이 이중 원통 사이의 중공부를 통해 분사구(31a)에 공급할 수 있도록 되어 있다. 이 에어나이프(31)는, 스핀 척(3)의 표면과 이 스핀 척(3)으로 지지되는 기판의 이면(제2 영역)을 서로 건조한 상태로 접촉시키기 위해, 스핀 척(3)에 웨이퍼(W)가 전달될 때, 웨이퍼(W) 이면의 세정액을 원통의 외측으로 불어 날려서 건조시키는 역할을 하고 있다.

여기서 웨이퍼(W)의 높이 위치에 관해 설명한다. 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)는 외부의 반송 기구로부터 흡착 패드(2)에 전달되고, 흡착 패드(2)에 유지된 상태로 도 2에 나타내는 우측 X 방향으로 이동하여, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부(제2 영역)의 세정이 행해진다. 도 2 및 도 4에서는, 웨이퍼(W)의 높이 위치가 세정 위치에 있는 상태를 나타내고 있고, 이 세정 위치에서는, 웨이퍼(W) 이면은 에어나이프(31)의 선단보다 상방측에 위치하여, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(2)에 유지된 상태로 X 방향으로 이동할 때, 웨이퍼(W) 이면이 에어나이프(31)에 간섭하지 않도록 되어 있다.

다음으로 웨이퍼(W)의 이면 세정을 행하는 세정 기구(5)에 관해 설명한다. 세정 기구(5)는, 예컨대 원판으로 이루어지며, 흡착 패드(2) 또는 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼(W)와 대향하도록 설치된 면형체를 이루는 회전판(51)과, 이 회전판(51)의 위에 설치된 복수개의 세정 부재(6)를 구비하고 있다. 상기 회전판(51)은, 그 이면측에 설치된 선회축(52)을 통해 구동 기구(53)에 의해 수직축 둘레로 회전 가능하게 구성되며, 예컨대 선회축(52)은 회전판(51)의 중심에 설치되어 있다. 따라서 평면적으로 보면 회전판(51)의 중심과 선회축(52)의 중심이 일치하고, 이 중심이 선회 중심(O1)이 된다. 이 예에서는, 회전판(51)과 선회축(52)과 구동 기구(53)에 의해 선회 기구가 형성되어 있다.

도 6에는, 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼(W)와 회전판(51)을 나타내고 있다. 이와 같이 회전판(51)은 그 반경(R1)이 웨이퍼(W)의 반경(R2)보다 작아지도록 설정되어 있다. 또한 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 포함하는 영역을 세정할 때에는, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(2)에 유지되어 우측 X 방향으로 이동하지만, 상기 선회축(52)은 이 웨이퍼(W)의 이동 영역 내에 설치되어 있다. 즉 상기 중앙부를 포함하는 영역을 세정할 때에는, 선회축(52)은 웨이퍼(W)에 중첩되어 위치하도록 배치되어 있다. 또한 평면적으로 볼 때, 회전판(51)의 선회축(52)과, 스핀 척(3)의 회전 승강축(3b)이, 상기 X 방향을 따라서 나열되도록 설치되어 있다. 또한 회전판(51)의 하방측에는 구동 기구(53)의 주위를 둘러싸도록 커버체(54)가 설치되어 있다. 이 커버체(54)는 예컨대 관형체로 이루어지며, 그 상면에는 선회축(52)이 이동할 수 있도록 개구부(54a)가 형성되어 있다.

이 예의 세정 기구(5)는 복수개, 예컨대 2개의 서로 종류가 상이한 세정 부재(6(6A, 6B))를 구비하고 있고, 한쪽의 제1 세정 부재(6A)는 세정용으로 이용되고, 다른쪽의 제2 세정 부재(6B)는 연마용으로 이용되고 있다. 여기서는 웨이퍼(W)의 이면의 연마 처리도 세정 처리의 하나로 포함시키고 있다. 이들 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 예컨대 원기둥형의 브러시로 이루어지며, 구동축(61A, 61B)을 통해, 그 세정 부재(6A, 6B)를 승강 및 수직축 둘레로 회전시키는 구동 기구(62A, 62B)에 접속되고, 이들 구동 기구(62A, 62B)는 회전판(51)의 위에 부착되어 있다. 상기 구동 기구(62A, 62B) 및 세정 부재 브러시(6A, 6B)의 측면은, 예컨대 관형의 브러시 커버(63A, 63B)에 의해 덮여 있고, 이 브러시 커버(63A, 63B)의 상면에는 세정 부재(6A, 6B)가 이동할 수 있도록 개구부(64A, 64B)가 형성되어 있다. 또 도 1에서는 브러시 커버(63A, 63B)를 생략하고 있다.

도 2는, 웨이퍼(W)가 스핀 척(3)에 유지되어 세정 위치에 있고, 제1 세정 부재(6A)가 대기 위치에 있는 상태를 나타내고 있다. 또한 도 4는, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(2)에 유지되어 세정 위치에 있고, 제1 세정 부재(6A)가 대기 위치, 제2 세정 부재(6B)가 세정 위치에 있는 상태를 나타내고 있다. 이와 같이 세정 부재(6A, 6B)가 대기 위치에 있을 때에는, 세정 위치에 있는 웨이퍼(W)의 하방측에 세정 부재(6A, 6B)의 상면이 위치하고, 웨이퍼(W)를 연마 또는 세정할 때에는, 세정 부재(6A, 6B)가 상승하여 그 세정 부재(6A, 6B)의 상면을 웨이퍼 이면에 압박하도록 되어 있다.

세정 부재(6A, 6B)는 예컨대 PVC 스폰지, 우레탄 스폰지, 나일론 섬유 등으로 이루어지며, 연마용의 제1 세정 부재(6A)와 세정용의 제2 세정 부재(6B)는, 각각 적정한 재질이 선택되어 브러시가 구성된다. 또한 제1 세정 부재(6A)와 제2 세정 부재(6B)는, 도 6에 나타낸 바와 같이 회전판(51) 상에 서로 가로 방향으로 떨어져 배치되어 있다. 그리고 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는, 웨이퍼(W)가 스핀 척(3)에 의해 유지되어 회전하고 있을 때 한 방향으로 선회함으로써, 이들 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B) 양쪽에서 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부 이외의 모든 영역을 세정할 수 있도록 배치되어 있다. 한 방향으로 선회한다는 것은, 회전판(51)의 선회축(52)으로부터 스핀 척(3)의 회전 승강축(3b)을 볼 때 좌측 및 우측 중의 한쪽, 이 예에서는 좌측에 위치하는 제1 세정 부재(6A)가 다른쪽을, 즉 이 예에서는 우측을 향하여 선회하여 이동하는 것을 말한다.

이 예에서는, 평면적으로 볼 때, 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 제1 세정 부재(6A)가 중앙에 있을 때 제2 세정 부재(6B)가 둘레 가장자리에 위치하고, 제2 세정 부재(6B)가 중앙에 있을 때 제1 세정 부재(6A)가 둘레 가장자리에 위치하도록 설치되어 있다. 둘레 가장자리에 위치한다는 것은, 상기 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 외측 가장자리를 세정(연마)할 수 있도록 세정 부재(6A, 6B)가 위치하는 것을, 중앙에 위치한다는 것은, 스핀 척의 회전 중심(O2)과 선회 중심(O1)을 연결한 선(L) 위를 세정(연마)할 수 있도록 세정 부재(6A, 6B)가 위치하는 것을 말한다. 도 6의 (a)는, 제1 세정 부재(6A)가 둘레 가장자리에 있고 제2 세정 부재(6B)가 중앙에 있는 상태를 나타내고, 도 6의 (b)는, 제1 세정 부재(6A)가 중앙에 있고 제2 세정 부재(6B)가 둘레 가장자리에 있는 상태를 나타내고 있다.

이렇게 하여 상기 좌측에 위치하는 제1 세정 부재(6A)가 상기 우측으로 향하는 선회의 개시시에는, 제2 세정 부재(6B)가 회전판(51)의 선회축(52)과 스핀 척(3)의 회전 승강축(3b)을 연결하는 직선(L) 상에 위치하고, 선회의 종료시에는, 상기 제1 세정 부재(6A)가 상기 직선(L) 상에 위치하게 된다. 또한 회전판(51)의 반경(R1)은 웨이퍼(W)의 반경(R2)보다 짧기 때문에, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 선회 반경은 웨이퍼(W)의 반경(R2)보다 짧아진다. 상기 선회 반경이란, 세정 부재(6A, 6B)의 중심과 회전판(51)의 선회 중심(O1)을 연결하는 선의 길이를 말한다.

또한 회전판(51)에는 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 세정액 노즐(55)과 블로우 노즐(56)이 설치되어 있다. 세정액 노즐(55)로부터는 제2 세정 부재(6B)에 의해 웨이퍼(W) 이면으로부터 제거된 파티클을 씻어내기 위한 세정액(예컨대 DIW)이 공급되고, 블로우 노즐(56)로부터는 세정을 끝낸 후에 웨이퍼(W) 이면에 부착되어 있는 세정액의 건조를 촉진하기 위한 예컨대 질소(N₂) 등의 기체가 공급된다.

그 밖에, 도 2 및 도 4에 나타낸 바와 같이 하부컵(43)의 저부에는, 하부컵(43) 내에 머물러 있는 세정액을 배출하기 위한 배수관(16)과, 세정 장치(1) 내의 기류를 배기하기 위한 2개의 배기관(15)이 설치되어 있다. 배기관(15)은 하부컵(43) 저부에 머물러 있는 세정액이 배기관(15)에 유입되는 것을 방지하기 위해, 하부컵(43)의 저면으로부터 상측으로 연신되어 있다. 또한 상측으로부터 뚝뚝 떨어지는 세정액이 배기관(15)에 직접 들어가지 않도록, 에어나이프(31)의 주위에 부착된 링형의 커버를 이루는 내부컵(42)에 의해 덮여 있다. 또한 도면들 중 13은 웨이퍼(W)의 세정 종료후에 웨이퍼(W) 외측 둘레 가장자리 근방에 상측으로부터 압축 에어 등을 분사하여 잔존하는 세정액의 건조를 보조하기 위한 블로우 노즐이며, 14는 세정 기구(5)에 설치된 세정액 노즐(55)과 함께 세정액을 웨이퍼(W) 이면에 공급하기 위한 세정액 노즐이다. 또 블로우 노즐(13)은, 도시하지 않은 승강 기구를 구비하여, 웨이퍼(W) 반입 반출시에는 반송중인 웨이퍼(W)나 반송 기구와 간섭하지 않도록 상측으로 후퇴하게 되어 있다.

또한, 각 벨트(23)가 설치되어 있지 않은 하부컵(43)의 측벽(43c)에는, UV 램프(12)를 수납한 램프 박스(11)가 부착되어 있다. 처리 대상인 웨이퍼(W)는, 좌측 X 방향으로부터 세정 장치(1) 내에 반입 반출되고, 그 때 UV 램프(12)의 상측을 통과하도록 구성되어 있다. UV 램프(12)는, 세정을 끝내고 반출되는 웨이퍼(W)의 이면에 자외선광을 조사하여, 웨이퍼(W) 이면에 잔존하고 있는 파티클을 수축시키는 역할을 한다.

또한 각 구동 기구(25, 53)나, UV 램프(12), 배기관(15)에 설치된 도시하지 않은 압력 조정부 등은, 도포, 현상 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(100)에 의해 제어되도록 되어 있다. 제어부(100)는, 예컨대 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖는 컴퓨터로 이루어지며, 프로그램 저장부에는 외부의 반송 장치로부터 수취한 웨이퍼(W)를 흡착 패드(2)와 스핀 척(3) 사이에서 전달하거나, 세정 기구(5)에 의해 세정하거나 하는 동작 등에 관한 단계(명령)군을 구비한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있다. 그리고, 그 컴퓨터 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써, 제어부(100)는 세정 장치(1)의 동작을 제어한다. 또, 이 컴퓨터 프로그램은, 예컨대 하드디스크, 컴팩트디스크, 광자기디스크, 메모리카드 등의 기억 기구에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.

이상에 설명한 구성에 기초하여, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 동작에 관해 도 7∼도 12를 참조하면서 설명한다. 도 7은 웨이퍼(W)의 이면 세정에 관한 공정을 설명하기 위한 평면도이며, 점선으로 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)와 그 선회 루트를 나타내고 있다. 도 8∼도 10은 세정 장치(1)의 각 동작을 설명하기 위한 종단면도이다. 또한 도 11 및 도 12는 흡착 패드(2) 또는 스핀 척(3)에 유지되어 있는 각각의 상태에서 웨이퍼(W)의 세정되는 영역을 모식적으로 나타낸 평면도이다. 또 이들 도면에서는 도시의 편의상, 커버체(54)나 브러시 커버(64), 내부컵(42), 배기관(15), UV 램프(12)나 블로우 노즐(13) 등의 기재를 필요에 따라서 적절하게 생략하고 있다.

예컨대 말굽 형상의 반송 기구(후술하는 반송 아암(F3))는 처리 대상인 웨이퍼(W)를 세정 장치(1) 내에 반입하여 상부컵(41)의 개구부(41a) 상측에서 정지시키고, 지지핀(32)은 스핀 척(3)의 하측으로부터 상승하여 반송 기구의 하측에서 대기한다. 반송 기구는 지지핀(32)의 상측으로부터 하강하여 웨이퍼(W)를 지지핀(32)에 인도하고, 세정 장치(1)의 밖으로 퇴출시킨다. 이 때 흡착 패드(2)는 웨이퍼(W)를 유지하는 면이 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 상면보다 높아지는 세정 위치에서 대기하고, 스핀 척(3)은 제1 세정 부재(6A, 6B)의 상면보다 낮은 위치까지 후퇴하고 있다. 이러한 위치 관계에 의해, 지지핀(32)이 하강하면, 웨이퍼(W)는 우선 흡착 패드(2)에 전달되고, 흡착 패드(2)에 의해, 웨이퍼(W) 이면으로부터 세정 부재(6A, 6B)를 밀어붙이더라도 움직이지 않도록 웨이퍼(W)가 흡착 유지된다(도 7의 (a), 도 8의 (a)).

이어서 도 7의 (b) 및 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부를 포함하는 영역(중앙 영역)의 연마 처리를 행한다. 상기 중앙 영역은 웨이퍼(W) 이면에서 스핀 척(3)에 의해 유지되는 영역을 포함하는 영역이다. 이 처리에서는, 연마용의 제2 세정 부재(6B)를 상승시켜 웨이퍼(W) 이면에 밀어붙이고, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 흡착 패드(2)를 우측 X 방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)를 도 8의 (a)에 나타내는 제1 위치로부터 이동시켜, 웨이퍼(W) 이면의 연마를 개시한다. 그리고 웨이퍼(W)를 미리 결정된 제2 위치(예컨대 웨이퍼(W)의 우측 단부가 회전판(51)의 우측 단부보다 약간 우측에 있는 위치)까지 반송한다. 이 때 제2 세정 부재(6B)를 구동 기구(53)에 의해 수직축 둘레로 회전시키고, 회전판(51)을 선회시킨다. 이렇게 하여 흡착 패드(2)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과 회전판(51)에 의한 제2 세정 부재(6B)의 선회 이동의 조합에 의해 웨이퍼(W) 이면의 연마가 진행된다.

도 11의 (a)는 회전판(51)의 선회의 개시 위치, 도 11의 (b)는 회전판(51)의 선회의 종료 위치를 각각 나타내고 있다. 그리고 개시 위치 및 종료 위치는, 상기 연마하고자 하는 중앙 영역 전체에 세정 부재(6B)가 골고루 미치도록 설정되고, 이렇게 하여 개시 위치로부터 종료 위치에 이르는 회전판(51)의 선회 각도가 설정된다. 이 예에서는, 선회 각도가, 예컨대 평면적으로 볼 때 선회 중심(O1)과 제1 세정 부재(6A)의 중심을 연결한 선과, 선회 중심(O1)과 제2 세정 부재(6B)의 중심을 연결한 선이 이루는 각도 θ이 되도록, 선회 개시 위치 및 종료 위치가 각각 설정되어 있다.

이와 같이 회전판(51)을 도 11의 (a)에 나타내는 위치로부터 도 11의 (b)에 나타내는 위치까지 시계 방향으로 θ도 선회시킴으로써, 도 11의 (a), (b)에 나타낸 바와 같이, 예컨대 제2 세정 부재(6B)의 중심을 위치(P1)로부터 위치(P2)까지 이동시켜 연마를 행한다. 이에 따라 제2 세정 부재(6B)에 의해, 도 11의 (b)에 좌측 위로부터 그어 내린 사선으로 채운 영역(T1)을 구석구석까지 연마할 수 있다. 제2 세정 부재(6B)를 위치(P2)까지 이동시켜 연마를 끝낸 후, 제2 세정 부재(6B)를 대기 위치까지 하강시킨다. 이 때 제1 세정 부재(6A)의 중심은 위치(P1)에 있다.

계속해서 도 7의 (c), 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W) 이면의 중앙 영역의 세정을 행한다. 이 세정에서는, 세정용의 제1 세정 부재(6A)를 상승시켜 웨이퍼(W) 이면에 밀어붙이고, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 흡착 패드(2)를 상기 제2 위치로부터 상기 제1 위치까지 좌측 X 방향으로 이동시킨다. 또한 에어나이프(31)를 작동시켜 스핀 척(3)의 표면에 세정액이 돌아 들어가 부착되는 것을 방지하고, 세정액 노즐(55)로부터 세정액을 공급한다. 그리고 제1 세정 부재(6A)를 수직축 둘레로 회전시키고, 회전판(51)을 시계 방향으로 θ도 선회시킨다. 이에 따라 제1 세정 부재(6A)의 중심은 위치(P1)로부터 위치(P2)로 이동한다.

여기서 세정이 행해지고 있는 기간중에, 웨이퍼(W)의 이면 전체는 세정액의 액막에 덮여 있고, 제1 세정 부재(6A)에 의해 제거된 파티클은, 이 웨이퍼(W) 이면으로부터 흘러내리는 세정액과 함께 하부컵(43)으로 씻겨나간다. 또한 에어나이프(31)의 분출구(31a)로부터는 웨이퍼(W) 이면을 향해 기체가 분출되고, 세정액이 에어나이프(31)의 외측을 향해 분무됨으로써, 에어나이프(31)와 대향하는 웨이퍼(W) 이면은 건조한 상태가 유지되고 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼(W) 이면을 덮는 세정액이 에어나이프(31)의 내측에까지 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 스핀 척(3)의 표면은 항상 건조 상태로 유지되고, 처리된 세정액에 의한 오염이나 워터마크의 형성을 방지하는 것이 가능해진다. 이렇게 하여 흡착 패드(2)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과, 회전판(51)에 의한 제1 세정 부재(6A)의 선회 이동의 조합에 의해, 제1 세정 부재(6A)에 의해 상기 영역(T1)이 구석구석까지 세정된다. 그리고 제1 세정 부재(6A)를 위치(P2)까지 이동시켜 세정을 끝낸 후, 제1 세정 부재(6A)를 대기 위치까지 하강시킨다.

전술한 영역(T1)의 세정을 끝냈다면, 흡착 패드(2)로부터 스핀 척(3)으로의 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 웨이퍼(W)의 전달은, 예컨대 에어나이프(31)를 작동시킨 채로, 세정 기구(5)의 이동이나 회전, 세정액의 공급을 정지시키고, 흡착 패드(2)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착을 해제하는 한편, 후퇴하고 있는 스핀 척(3)을 세정 위치의 높이 위치까지 상승시켜 웨이퍼(W)의 이면을 지지하고, 다음으로 흡착 패드(2)를 하측으로 후퇴시킴으로써 행해진다.

계속해서 도 7의 (d), (e), 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중앙부 이외의 영역(둘레 가장자리 영역)의 연마 및 세정을 행한다. 구체적으로는, 도 12의 (a)에 나타낸 바와 같이, 세정용의 제1 세정 부재(6A)가 둘레 가장자리, 연마용의 제2 세정 부재(6B)가 중앙에 각각 위치하는 선회 개시 위치까지 회전판(51)을 선회 이동시킨 후, 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)를 상승시켜 웨이퍼(W) 이면에 밀어부친다. 그리고 웨이퍼(W)를 스핀 척(3)에 의해 수직축 둘레로 회전시키면서, 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)를, 도 12의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 세정 부재(6A)가 중앙, 제2 세정 부재(6B)가 둘레 가장자리 영역에 위치할 때까지 회전판(51)을 선회시킨다. 이 때 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 각각 회전시켜, 세정액 노즐(55)로부터 세정액을 공급한다.

이와 같이 웨이퍼(W) 이면의 둘레 가장자리 영역에서는, 스핀 척(3)에 의한 웨이퍼(W)의 회전과 회전판(51)에 의한 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)의 선회 이동의 조합에 의해 연마와 세정이 동시에 진행된다. 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정 부재(6A)를 둘레 가장자리로부터 중앙을 향하여, 세정 부재(6B)를 중앙으로부터 둘레 가장자리를 향하여 서서히 이동시켜 감으로써, 세정 부재(6A) 및 세정 부재(6B)가 웨이퍼(W)에 접촉한 영역은 각각 동심원형의 궤적을 그리면서 웨이퍼(W) 이면을 이동해 간다. 이렇게 하여, 도 12의 (b) 중에 우측 위로부터 그어 내린 사선으로 채운 영역(T2)을 구석구석까지 연마 및 세정할 수 있다.

여기서 영역(T1)과 영역(T2)을 합한 영역은 도 12의 (b)에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W) 이면 전체를 포함하고 있고, 세정되지 않은 데드스페이스가 생기지 않도록 각각의 기기의 사이즈나 이동 범위가 조정되고 있다. 또한 웨이퍼(W)를 스핀 척(3)에 의해 유지하여 세정을 행하고 있는 기간 동안에, 세정액 노즐(55)뿐만 아니라, 에어나이프(31)의 좌측방에 설치되어 있는 세정액 노즐(14)로부터도 세정액을 공급하고 있다. 웨이퍼(W) 표면에 젖어 있는 영역과 건조 영역이 혼재하고 있으면 세정액을 건조시켰을 때에 워터마크가 생기는 원인이 되기 때문에, 세정액을 구석구석까지 골고루 퍼지게 하여 워터마크의 발생을 억제하기 위해서이다. 따라서 이 예에서는, 세정액 노즐(55) 및 세정액 노즐(14)에 의해 세정액 공급부가 구성되어 있다. 단, 세정액 공급부를 세정액 노즐(55) 및 세정액 노즐(14) 중 어느 하나로 구성해도 좋다.

이렇게 하여 웨이퍼(W) 이면 전체의 세정을 완료하면, 도 7의 (f) 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)의 회전을 정지시켜 하강시키고, 세정액의 공급을 정지시키고, 세정액을 털어내어 건조시키는 동작으로 이행한다. 털어내기 건조는, 스핀 척(3)을 고속으로 회전시켜 웨이퍼(W) 이면에 부착되어 있는 세정액을 털어냄으로써 행해진다. 전술한 바와 같이 구석구석까지 젖어 있는 웨이퍼(W)를 한번에 털어내어 건조시킴으로써, 워터마크의 발생이 억제된다. 이 때, 상측으로 후퇴해 있던 블로우 노즐(13)을 하강시키고, 동시에 블로우 노즐(56)을 웨이퍼(W) 둘레 가장자리에 위치시키도록 회전판(51)을 이동시켜, 웨이퍼(W) 둘레 가장자리의 상면과 하면으로부터 기체를 분사함으로써, 털어내기 건조가 촉진된다. 또, 스핀 척(3)에 유지되는 제2 영역에 관해서는 털어내기 건조를 행할 수 없지만, 에어나이프(31)에 의해 건조된 상태로 스핀 척(3)과 접촉하도록 되어 있기 때문에 워터마크가 발생하는 경우는 거의 없다.

이상에 설명한 동작에 의해 웨이퍼(W) 이면 전체의 세정과 건조를 끝냈다면, 반입시와는 반대의 동작으로 웨이퍼(W)를 반송 기구에 인도하여 반출한다. 이 때 UV 램프(12)를 점등하여 말굽 형상의 반송 기구의 하측으로부터 웨이퍼(W) 이면을 향해서 자외선을 조사한다. 이에 따라 만일 파티클이 부착되어 있는 경우라 하더라도, 예컨대 유기물은 자외선의 조사에 의해 분해되기 때문에, 이러한 타입의 파티클을 수축시켜, 디포커스 등의 영향을 작게 할 수 있다.

한편 웨이퍼(W)의 반출 동작과 병행하여, 흡착 패드(2)나 스핀 척(3)은 도 8의 (a)에 나타낸 위치까지 이동하여 다음 웨이퍼(W)의 반입을 기다린다. 그리고 도 8∼도 12를 참조하여 설명한 동작을 반복하여, 복수의 웨이퍼(W)를 순차적으로 세정한다.

전술한 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 유지하고, 그 상태 그대로 세정을 행하기 때문에, 세정 장치(1)에 더하여 웨이퍼(W)를 반전시키는 리버서를 설치할 공간이나 웨이퍼(W)의 반전 동작을 행하기 위한 공간을 필요로 하지 않는다. 그 결과, 종래 타입의 세정 장치와 비교하여, 그 세정 장치(1)가 설치되는 도포, 현상 장치를 컴팩트하게 할 수 있다. 또한 세정 장치(1)는, 2개의 기판 유지 기구(흡착 패드(2), 스핀 척(3)) 사이에서 웨이퍼(W)를 바꿔서 지지하기 때문에, 흡착 패드(2)나 스핀 척(3)에 의해 덮여 버리는 것에 의해 세정할 수 없는 데드스페이스가 생기지 않도록 할 수 있다.

또한 웨이퍼(W)의 이면을 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)에 의해 세정하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 세정 부재의 접촉 면적이 커져, 세정 부재가 단독인 경우에 비해 세정력을 높일 수 있다. 또한 제1 세정 부재(6A)와 제2 세정 부재(6B)는, 공통의 선회축(52)에 의해 각각 수평 방향으로 선회하도록 구성되고, 선회축(52)은 기판의 중앙 영역을 세정할 때에는 웨이퍼(W)에 중첩되어 위치하도록 배치되어 있다. 이와 같이 선회축(52)은 웨이퍼(W)의 이동 영역을 이용하여 설치되기 때문에, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

또한 본 발명에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 중앙 영역과 둘레 가장자리 영역으로 나누어 세정을 행하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면 전체를 한번에 세정하는 경우에 비교해서 개개의 세정 영역이 작다. 따라서 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 선회 반경을 웨이퍼(W)보다 짧게 하더라도, 웨이퍼(W)의 이면 전체를 세정할 수 있다. 이와 같이 회전판(51)의 반경이 웨이퍼(W)보다 작고, 또한 회전판(51)의 선회축(52)을 웨이퍼(W)의 이동 영역의 아래에 설치하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙 영역의 세정시에 웨이퍼(W)를 슬라이드 이동시켰을 때, 평면적으로 볼 때 웨이퍼(W)와 회전판(51)이 중첩된다. 이 때문에, 스핀 척(3)의 측방에 회전판(51)을 설치했다 하더라도, 상기 이동 영역 외에 설치 공간을 확보할 필요가 없어, 세정 장치(1)의 소형화를 더욱 도모할 수 있다.

이에 비해 웨이퍼(W)의 이면을 중앙 영역과 둘레 가장자리 영역으로 나누지 않고 세정을 행하는 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심을 통과하여 웨이퍼(W)의 외측 가장자리까지 세정 부재를 이동시켜야 한다. 따라서 웨이퍼(W)의 외측에 세정 부재의 구동 기구가 있는 경우에는, 세정 부재의 선회 반경은 웨이퍼(W)보다 커져 장치가 대형화되어 버린다.

또한 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W) 이면을 중앙 영역과 둘레 가장자리 영역으로 나누어 세정을 행하고 있어, 개개의 세정 영역이 작기 때문에, 세정 부재(6A, 6B)의 이동 거리가 짧다. 이 이동 거리는 그대로 세정 시간에 반영되기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외측 가장자리까지 브러시를 이동시키는 경우(이동 거리가 긴 경우)에 비교해서 세정 시간이 단축되므로, 작업 처리량이 높아진다.

또한 웨이퍼(W) 이면의 중앙부 이외의 둘레 가장자리 영역을 세정할 때에는, 회전판(51)의 선회축(52)으로부터 한 방향으로 제1 세정 부재(6A)가 선회하여 이동함으로써, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)가 웨이퍼(W) 이면의 상기 둘레 가장자리 영역을 세정하도록, 이들 세정 부재(6A, 6B)가 배치되어 있다. 따라서 세정 부재(6A, 6B)를 한 방향으로 선회 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면의 상기 둘레 가장자리 영역 전체가 세정되기 때문에, 세정 부재(6A, 6B)의 이동 시간이 짧아도 되어, 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

또한 제1 세정 부재(6A)가 상기 한 방향으로 향하는 선회의 개시시에는, 제2 세정 부재(6B)가 회전판(51)의 선회축(52)과 스핀 척(3)의 회전 승강축(3b)을 연결하는 직선(L) 상에 위치하고, 선회의 종료시에는, 상기 제1 세정 부재(6A)가 상기 직선(L) 상에 위치하도록 배치되어 있다. 즉 2개의 세정 부재(6A, 6B)를 동시에 이용한 세정에서, 한쪽의 세정 부재(6A(6B))를 중앙으로부터 둘레 가장자리로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면의 둘레 가장자리 영역 전체를 구석구석까지 세정할 수 있다. 이 때문에 세정 부재(6A, 6B)를 크게 선회시키지 않고 세정을 행할 수 있기 때문에, 작업 처리량의 향상에 유효하다.

또한 2개의 세정 부재(6A, 6B)를 하나씩 이용한 세정에서도, 한쪽의 세정 부재(6A)를 중앙으로부터 둘레 가장자리까지, 예컨대 시계 방향으로 이동시키면, 다른쪽의 세정 부재(6B)는 중앙에 있기 때문에, 이어서 다른쪽의 세정 부재(6B)를 중앙으로부터 둘레 가장자리까지 반시계 방향 또는 시계 방향으로 이동시킴으로써, 구석구석까지 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 영역 전체의 세정이 행해진다.

이와 같이 제1 세정 부재(6A) 및 제2 세정 부재(6B)의 배치를 생각함으로써, 회전판(51)의 선회 이동에 쓸데없는 이동이 없어지기 때문에, 처리 시간의 단축으로 이어져, 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

또한 제1 세정 부재(6A)는 세정용, 제2 세정 부재(6B)는 연마용이며, 서로 종류가 상이하기 때문에, 1대의 장치에 있어서 연마 처리와 세정 처리의 2종류의 처리를 행할 수 있기 때문에, 도포, 현상 장치에 별개의 장치로서 삽입하는 경우에 비교해서, 도포, 현상 장치 전체를 컴팩트하게 할 수 있다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 면형체인 회전판(51)에 부착되고, 이 회전판(51)의 이면측에 구동 기구(53)가 설치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 이면에 하방측이 세정액을 공급하여, 세정액이 분산되는 환경이라 하더라도, 웨이퍼(W)와 구동 기구(53) 사이에 회전판(51)이 있기 때문에, 구동 기구(53)에 대한 세정액의 부착이 방지된다. 또한 구동 기구(53)의 주위나 브러시의 구동 기구의 주위를 커버체(54) 및 브러시 커버(64)에 의해 각각 덮고 있기 때문에, 이들 구동 기구(53, 64)의 방수를 도모할 수 있다.

전술한 예에서는, 세정 방법의 일례를 든 것이며, 세정시의 세정 부재의 이동은 전술한 예에는 한정되지 않는다. 예컨대 도 13에 나타낸 바와 같이, 도 7에 나타내는 공정을 대강 실시한 후, 도 7의 공정(d), (e)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 영역의 연마 및 세정을 반복하고(도 13의 공정(a), (b)), 계속해서 웨이퍼(W)의 재세정(도 13의 공정(c))을 실시하도록 해도 좋다. 도 13의 공정(a), (b)에 관해서는 전술한 바와 같다. 또한 도 13의 공정(c)의 웨이퍼(W)의 재세정에서는, 연마용의 제2 세정 부재(6B)는 대기 위치 그대로 하고, 세정용의 제1 세정 부재(6A)만을 세정 위치까지 상승시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 스핀 척(3)에 의해 회전시켜, 그 제2 세정 부재(6A)를 회전시키면서, 그 세정 부재(6A)를 중앙으로부터 둘레 가장자리까지 선회 이동시켜, 웨이퍼(W) 이면의 둘레 가장자리 영역을 세정함으로써 행해진다. 그리고 도 13의 공정(d)에 나타낸 바와 같이, 예컨대 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 웨이퍼(W)의 외측으로 후퇴시켜 제2 세정 부재(6B)의 회전을 정지시키고, 세정액의 공급을 정지시키고 스핀 척(3)을 고속으로 회전시켜 털어내기 건조를 행한다.

또한, 웨이퍼(W)의 반입(도 7, 공정(a))→웨이퍼(W)의 중앙 영역의 연마(도 7, 공정(b))→웨이퍼(W)의 중앙 영역의 세정(도 7, 공정(c))→웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 영역의 연마 및 세정(도 13, 공정(a), (b))→웨이퍼(W)의 재세정(도 13, 공정(c))→웨이퍼(W)의 건조(도 13, 공정(d))의 순서로 각 공정을 실시하도록 해도 좋다. 각 공정에 관해서는 전술한 바와 같다.

또, 도 13의 공정(a)에서는, 반드시 세정용의 제1 세정 부재(6A)는 웨이퍼(W)에 접촉시킬 필요는 없고, 이 경우에는, 도 13의 공정(a)에서는 제2 세정 부재(6B)에 의한 연마가 행해지게 된다.

이상에서, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 서로 가로 방향으로 떨어져 설치되어, 흡착 패드(2)에 유지된 웨이퍼(W) 이면의 중앙부를 포함하는 영역을 세정하고, 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼(W) 이면의 상기 중앙부 이외의 영역에 세정하는 구성이라면 세정력을 높일 수 있다. 이 때문에, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 배치는 전술한 예에 한정되지는 않는다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 선회축(52)이 웨이퍼(W)의 이동 영역에 있으면 장치의 소형화를 도모할 수 있기 때문에, 반드시 상기 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 선회 반경을 웨이퍼(W)의 반경보다 짧게 할 필요는 없다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는, 서로 종별이 같은 것이어도 좋고, 상이한 것이어도 좋다. 종별이 동일하다는 것은 재질이나 포아 사이즈가 동일한 것을 말한다. 또한 세정 처리의 종별에 따라서는, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙 영역의 세정시에, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 웨이퍼(W) 이면에 동시에 접촉시켜 세정을 행해도 좋고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 영역의 세정시에, 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)의 한쪽을 접촉시켜 세정을 행하도록 해도 좋다.

또한 세정 부재는 웨이퍼(W) 이면에 접촉하지 않고 그 웨이퍼(W) 이면을 세정하는 것이어도 좋고, 예컨대 이류체(two fluid) 노즐이나 제트 노즐, 메가소닉 노즐 등, 세정액 등을 분무함으로써 파티클을 제거하는 타입의 세정 부재를 채택해도 좋다. 또한 실시형태에서는 회전식의 세정 부재(6A, 6B)를 예시했지만, 이것 대신에 진동식의 세정 부재(브러시)를 채택해도 좋다. 또한 세정액의 종류도 DIW에 한정되지 않고, 다른 세정액이어도 좋다. 또한 선회 기구는, 선회축에 둘레 방향을 따라서 넓어지도록 설치된 면형체를 구비하는 것이면 되며, 면형체는 원판에 한정되지는 않는다.

또한 세정 장치에 설치하는 기판 유지 기구는, 실시형태에 나타낸 바와 같이 2종류(흡착 패드(2), 스핀 척(3))에만 한정되는 것은 아니다. 예컨대 3종류 이상의 기판 유지 기구를 구비하고, 이들 기판 유지 기구의 사이에서 2회 이상 기판을 바꿔서 지지하도록 구성해도 좋다. 또한 2종류의 세정 부재(6A, 6B)에만 한정되는 것은 아니며, 예컨대 3종류 이상의 세정 부재를 설치하도록 해도 좋다. 이 때, 웨이퍼(W) 이면에 접촉하여 세정하는 타입의 세정 부재와, 웨이퍼(W) 이면에 접촉하지 않고 세정하는 타입의 세정 부재를 조합하여 설치하도록 해도 좋다.

또한 본 발명의 기판의 세정에는, 전술한 바와 같이, 세정 부재를 이용하여 기판 이면을 연마하는 처리나, 접착제로 접착된 기판끼리 박리한 후에, 이들 기판에 부착된 접착제를 제거하기 위한 세정 처리 등의 처리도 포함된다. 예컨대 상기 기판끼리 박리한 후에 기판을 세정하는 처리에 관해서 간단히 설명한다. 기판인 웨이퍼(W)의 대구경화에 따른, 웨이퍼(W)의 이면을 연마할 때의 웨이퍼(W)의 휘어짐이나 균열을 억제하기 위해, 피처리 웨이퍼를 지지 기판에 접착제로 접착하여 보강하는 것이 행해지고 있다. 이 때 웨이퍼 이면이 위가 되도록, 웨이퍼(W)의 피처리면을 아래로 향하게 하여 지지 기판에 접착되고, 웨이퍼의 피처리면이 접합면이 된다. 그리고 웨이퍼 이면을 위로 향하게 한 채로 연마를 행한 후, 피처리 웨이퍼와 지지 기판을 박리하고, 피처리 웨이퍼의 피처리면의 세정을 행한다. 피처리 웨이퍼는 피처리면이 아래로 향한 상태로 박리되기 때문에, 본 발명의 세정 장치(1)에 의해 피처리면을 아래로 향하게 한 채로, 그 피처리면의 세정이 행해진다. 따라서 이 세정 처리에서는, 피처리 웨이퍼의 피처리면이 기판의 이면에 해당한다. 예컨대 세정 부재로는, 웨이퍼에 접촉하여 세정하는 타입이나, 2유체 노즐 등의 웨이퍼와 접촉하지 않고 세정하는 타입이 이용된다.

도 14∼도 16에, 상기 세정 장치(1)가 삽입된 도포, 현상 장치의 일례를 나타낸다. 도 14, 도 15, 도 16은 각각 그 도포, 현상 장치(7)의 평면도, 사시도, 개략 종단 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(7)는, 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 직선형으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D3)에는 또한 노광 장치(D4)가 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1∼D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. 캐리어 블록(D1)은, 동일한 로트의 기판인 웨이퍼(W)를 복수매 포함하는 캐리어(C)를 도포, 현상 장치(7) 내에 반입 반출하는 역할을 가지며, 캐리어(C)의 배치대(71)와, 개폐부(72)와, 개폐부(72)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 이재(移載) 기구(73)를 구비하고 있다.

처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1∼제6 단위 블록(B1∼B6)이 아래로부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 「BCT」, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 「COT」, 노광후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 「DEV」라고 각각 표현하는 경우가 있다. 이 예에서는, 도 15에 나타낸 바와 같이 아래로부터 BCT층, COT층, DEV층이 2층씩 쌓아 올려지고, 동일한 단위 블록에서 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다.

여기서는 단위 블록 중 대표하여 COT층(E3)을, 도 14를 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)으로 향하는 반송 영역(74)의 좌우의 한쪽에는 선반 유닛(U)이 전후 방향으로 복수 배치되고, 다른쪽에는 각각 액처리 모듈인 레지스트막 형성 모듈(COT), 보호막 형성 모듈(ITC)이 전후 방향으로 나란히 설치되어 있다. 상기 레지스트막 형성 모듈(COT)은, 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성한다. 보호막 형성 모듈(ITC)은, 레지스트막 상에 정해진 처리액을 공급하여, 그 레지스트막을 보호하는 보호막을 형성한다. 선반 유닛(U)은, 가열 모듈 및 세정 장치(1)를 구비하고 있고, 상기 세정 장치(1)는 예컨대 인터페이스 블록(D3)측에 배치되어 있다. 상기 반송 영역(74)에는, 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 아암(F3)이 설치되어 있다.

다른 단위 블록(E1, E2, E5 및 E6)은, 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 상이한 것을 제외하고, 단위 블록(E3, E4)과 동일하게 구성된다. 단위 블록(E1, E2)은 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고, 단위 블록(E5, E6)은 현상 모듈을 구비한다. 도 16에서는 각 단위 블록(E1∼E6)의 반송 아암은 F1∼F6로서 나타내고 있다.

처리 블록(D2)에서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1∼E6)에 걸쳐 상하로 신장하는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 아암(75)이 설치되어 있다. 타워(T1)는, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 단위 블록(E1∼E6)의 각 높이에 설치되는 모듈은, 그 단위 블록(E1∼E6)의 각 반송 아암(F1∼F6)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 이들 모듈로는, 전달 모듈(TRS), 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈(CPL), 복수매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 소수화 처리 모듈 등이 포함되어 있다.

인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1∼E6)에 걸쳐 상하로 신장하는 타워(T2, T3, T4)를 구비하고 있다. 타워(T2)와 타워(T3)에 대해서는, 승강 가능한 인터페이스 아암(76)에 의해, 타워(T2)와 타워(T4)에 대해서는 승강 가능한 인터페이스 아암(77)에 의해, 각각 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 또한 타워(T2)와 노광 장치(D4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(78)이 설치되어 있다.

타워(T2)에는, 전달 모듈(TRS), 노광 처리전의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈, 노광 처리후의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 등이 서로 적층되어 있다. 또한 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 설치되어 있지만, 여기서는 설명을 생략한다.

이 도포, 현상 장치(7) 및 노광 장치(D4)를 포함하는 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 관해 설명한다. 웨이퍼(W)는 로트마다 캐리어(C)로부터 반출된다. 즉, 하나의 로트의 웨이퍼(W)가 전부 나온 후에 다른 로트의 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로부터 반출되도록 설정되어 있다. 또한, 캐리어(C)로부터 나오기 전에, 각 웨이퍼(W)의 반송 경로는 미리 설정되어 있고, 상기와 같이 이중화된 단위 블록 중 미리 설정된 단위 블록에 반송된다.

웨이퍼(W)는, 캐리어(C)로부터 이재 기구(73)에 의해, 처리 블록(D2)에서의 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)에 반송된다. 이 전달 모듈(TRS0)로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)으로 나누어져 반송된다.

예컨대 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중 단위 블록(E1)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)(반송 아암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈)에 대하여, 상기 TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중 단위 블록(E2)에 대응하는 전달 모듈(TRS2)에 대하여, 상기 TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은, 전달 아암(75)에 의해 행해진다.

이와 같이 나누어진 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2)→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→TRS1(TRS2)의 순으로 반송되고, 계속해서 전달 아암(75)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4)로 나누어진다.

그리고 TRS3, TRS4로 나뉘어진 웨이퍼(W)는, TRS3(TRS4)→레지스트막 형성 모듈(COT)→가열 모듈→보호막 형성 모듈(ITC)→가열 모듈→세정 장치(1)→타워(T2)의 전달 모듈(TRS)의 순으로 반송된다. 상기 전달 모듈(TRS)에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(76, 78)에 의해, 타워(T3)를 통해 노광 장치(D4)에 반입된다. 노광후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(77)에 의해 타워(T2, T4) 사이에 반송되어, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS5, TRS6)에 각각 반송된다. 그 후, 가열 모듈→현상 모듈→가열 모듈→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)에 반송된 후, 이재 기구(73)를 통해 캐리어(C)로 복귀된다.

이와 같이 세정 장치(1)는, 예컨대 단위 블록(E3, E4)의 선반 유닛(U)에 설치했지만, 도포, 현상 장치(7)에 있어서, 세정 장치(1)를 설치하는 장소는 인터페이스 블록(D3)의 타워(T2)여도 좋다. 그 경우, 예컨대 레지스트막 및 보호막을 형성한 웨이퍼(W)를 인터페이스 블록(D3)에 반송하고, 여기서 세정 처리가 행해진 후 노광 장치(D4)에 반송된다.

W : 웨이퍼 1 : 세정 장치
2 : 흡착 패드 3 : 스핀 척
3b : 회전 승강축 5 : 세정 기구
51 : 회전판 52 : 선회축
53 : 구동 기구 6A : 제1 세정 부재
6B : 제2 세정 부재 62A, 62B : 승강 기구

Claims

원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서,
상기 기판의 이면에서의 중앙부와 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하고, 수평 방향으로 이동 가능한 제1 흡착 유지부;
상기 기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하고, 수직축 둘레로 회전하는 제2 흡착 유지부;
서로 가로 방향으로 떨어져 설치되어, 상기 기판이 상기 제1 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부를 포함하는 상기 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하고, 상기 기판이 상기 제2 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하는 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재;
상기 기판의 이면을 세정할 때, 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 상기 기판의 중앙부와 둘레 가장자리 사이에서 선회시키는 선회 기구;
상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 승강시키기 위한 승강 기구; 및
상기 세정 부재에 의해 상기 기판의 이면을 세정할 때, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액 공급부
를 포함하고, 상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때, 상기 기판에 중첩되어 위치하도록 배치되며,
상기 기판이 상기 제2 흡착 유지부에 유지되어 회전하고 있는 경우, 상기 선회축으로부터 상기 제2 흡착 유지부의 회전축을 봤을 때 좌측 및 우측 중 일측에 위치하는 상기 제1 세정 부재가 타측을 향해 선회하여 이동함으로써, 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재가 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 모든 영역을 세정하도록 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 세정 부재가 상기 일측으로부터 타측을 향하는 선회의 개시시에, 상기 제2 세정 부재가 상기 선회축과 제2 흡착 유지부의 회전축을 연결하는 직선상에 위치하고, 상기 선회의 종료시에, 상기 제1 세정 부재가 상기 직선상에 위치하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서,
상기 기판의 이면에서의 중앙부와 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하고, 수평 방향으로 이동 가능한 제1 흡착 유지부;
상기 기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하고, 수직축 둘레로 회전하는 제2 흡착 유지부;
서로 가로 방향으로 떨어져 설치되어, 상기 기판이 상기 제1 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부를 포함하는 상기 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하고, 상기 기판이 상기 제2 흡착 유지부에 유지되어 있을 때, 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉하여 세정하는 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재;
상기 기판의 이면을 세정할 때, 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 상기 기판의 중앙부와 둘레 가장자리 사이에서 선회시키는 선회 기구;
상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 승강시키기 위한 승강 기구; 및
상기 세정 부재에 의해 상기 기판의 이면을 세정할 때, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액 공급부
를 포함하고, 상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때, 상기 기판에 중첩되어 위치하도록 배치되며, 상기 제1 세정 부재와 제2 세정 부재는 서로 종류가 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재의 선회 반경은 상기 기판의 반경보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 선회 기구는, 상기 선회축의 둘레 방향을 따라 넓어지도록 설치된 면형체를 구비하고,
상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재는 상기 면형체에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 세정 부재는 세정용으로서 이용되며, 상기 제2 세정 부재는 연마용으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 방법에 있어서,
제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 상기 기판의 중앙부와 둘레 가장자리 사이에서 선회시키는 선회 기구를 이용하는 공정;
제1 흡착 유지부에 의해 상기 기판의 이면에서 중앙부와 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하고, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역에 접촉시켜 선회시킴으로써 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정하는 공정; 및
제2 흡착 유지부에 의해 상기 기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하고, 상기 제2 흡착 유지부를 수직축 둘레로 회전시킨 상태로, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉시키면서 선회시킴으로써 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역을 세정하는 공정
을 포함하고, 상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때 상기 기판에 중첩되어 위치하며,
상기 기판이 상기 제2 흡착 유지부에 유지되어 회전하고 있는 경우, 상기 선회축으로부터 상기 제2 흡착 유지부의 회전축을 봤을 때 좌측 및 우측 중 일측에 위치하는 상기 제1 세정 부재가 타측을 향해 선회하여 이동함으로써, 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재가 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 모든 영역을 세정하도록 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
제7항에 있어서,
상기 제1 세정 부재가 상기 일측으로부터 타측을 향하는 선회의 개시시에, 상기 제2 세정 부재가 상기 선회축과 제2 흡착 유지부의 회전축을 연결하는 직선상에 위치하고, 선회의 종료시에, 상기 제1 세정 부재가 상기 직선상에 위치하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 방법에 있어서,
제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 공통의 선회축에 의해 각각 수평 방향으로 상기 기판의 중앙부와 둘레 가장자리 사이에서 선회시키는 선회 기구를 이용하는 공정;
제1 흡착 유지부에 의해 상기 기판의 이면에서 중앙부와 중첩되지 않는 영역을 수평으로 흡착 유지하고, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역에 접촉시켜 선회시킴으로써 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정하는 공정; 및
제2 흡착 유지부에 의해 상기 기판의 이면의 중앙부를 수평으로 흡착 유지하고, 상기 제2 흡착 유지부를 수직축 둘레로 회전시킨 상태로, 상기 기판의 이면에 세정액을 공급하면서, 또한 상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재를 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역에 접촉시키면서 선회시킴으로써 상기 중앙부 이외의 기판의 이면의 영역을 세정하는 공정
을 포함하고, 상기 선회축은, 적어도 상기 중앙부를 포함하는 기판의 이면의 영역을 세정할 때 상기 기판에 중첩되어 위치하며,
상기 제1 세정 부재와 제2 세정 부재는 서로 종류가 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 세정 부재 및 제2 세정 부재의 선회 반경은 상기 기판의 반경보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 세정 부재는 세정용으로서 이용되며, 상기 제2 세정 부재는 연마용으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
원형 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
상기 프로그램은 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 기판 세정 방법을 실행하도록 단계가 구성되는 것을 특징으로 하는 기억 매체.