TWI567816B - Substrate cleaning device, substrate cleaning method and memory media - Google Patents

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Yasushi Takiguchi
Taro Yamamoto
Hideharu Kyouda
Koshi Muta
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Tokyo Electron Ltd
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Description

基板洗淨裝置、基板洗淨方法及記憶媒體
本發明，係關於洗淨例如半導體晶圓或液晶顯示用之玻璃基板(LCD基板)這樣的基板之背面的技術。
在半導體裝置之製造工程中，係為了將例如半導體晶圓(以下稱為晶圓)保持於潔淨狀態，而在各個製造製程或處理製程之前後，因應所需設置有洗淨晶圓之製程。
像這樣的晶圓之洗淨，係伴隨著電路圖案之微細化，作為失焦對策，即使對晶圓背面也必須實施。失焦，係一種因晶圓彎曲，於曝光時聚焦變形之現象，例如因附著於晶圓背面之微粒進入至用於載置晶圓之平台與晶圓之間而直接進行曝光予以產生。
關於像這樣的晶圓背面之洗淨，係在專利文獻1中，提出一種支撐基板之背面並予以保持，藉由刷子來洗淨基板背面的技術。由於該手法係在保持基板背面之周緣區域的第1基板保持手段與保持基板背面之中央區域 的第2基板保持手段之間轉接基板而進行基板背面之洗淨，因此，可針對基板背面全面進行洗淨。又，由於不需要用於進行基板之反轉動作的空間，因此，可達成裝置之小型化。
然而，近年來，隨著液浸曝光或雙重圖案這樣的配線技術更微細化，亦增加半導體裝置之製造工程所包含的工程數。因此，微粒附著於晶圓背面之風險亦變大，從而尋求更進一步之洗淨力的提升。又，有研究探討出晶圓尺寸從300mm尺寸更向450mm尺寸之大口徑化，而儘可能為小型裝置較理想。為此，研究探討在1台洗淨裝置中，使用複數個刷子提高洗淨力，並同時達成裝置之小型化。
在專利文獻2中，係提出一種在一邊使基板繞垂直軸旋轉，一邊藉由安裝於1根支撐臂的2個清潔刷來洗淨基板上面時，將支撐臂之前端塊構成為圓弧狀，並繞垂直軸旋轉的構造。由於該手法係洗淨基板之上面，因此，為了洗淨基板之中央區域，而必須使清潔刷通過基板之旋轉中心移動至外周部。又，由於支撐臂之驅動機構係被設置於覆蓋基板周圍之罩杯的外側，因此，清潔刷之支撐臂的旋轉半徑會變得比基板之半徑更大，從而難以達成裝置之小型化。且，由於清潔刷係通過基板之旋轉中心移動至外周部，因此，會導致清潔刷之移動距離變長，伴隨於此，處理時間會變長。
在專利文獻3中，雖提出一種使用功能不同 之2個洗淨具來洗淨基板表面的技術，但由於洗淨具分別被設置於個別之支臂，且該些支臂被設置於晶圓之外方，因此，難以將裝置小型化。又，在洗淨時，係使各個支臂從晶圓之一端側移動至另一端側，因此，支臂之移動距離(移動時間)會變長，從而對於處理費時。如此一來，專利文獻2及專利文獻3無法進行基板背面之洗淨，且即使使用該些亦難以達成裝置之小型化，因此，無法解決本發明之課題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-177541號公報
[專利文獻2]日本特開平10-308370號公報：圖8、圖12、第0044段、第0058段等
[專利文獻3]日本特開2002-66467號公報
[發明之揭示]
本發明，係有鑑於對這樣之情事進行研究者，其目的係提出一種可達成洗淨基板背面之基板洗淨裝置的小型化，並且提高基板洗淨處理之洗淨力的技術。
因此，本發明之基板洗淨裝置，係屬於洗淨圓形之基板背面的基板洗淨裝置，其特徵係，具備有：第1吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，且在水平方向移動自如；第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之中央部，並繞垂直軸旋轉；第1洗淨構件及第2洗淨構件，相互在橫方向分離而設置，在基板被保持於第1吸附保持部時，接觸於包含前述中央部之基板背面的區域而施予洗淨，在基板被保持於第2吸附保持部時，接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域而施予洗淨；旋轉機構，在洗淨基板背面時，藉由共同的旋轉軸，使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉；升降機構，用於使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件升降；及洗淨液供給部，在藉由前述洗淨構件洗淨基板背面時，對基板背面供給洗淨液，前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，配置成位於與基板重疊。
又，本發明之基板洗淨方法，係屬於洗淨圓形之基板背面的基板洗淨方法，其特徵 係，包含有：使用旋轉機構之工程，該旋轉機構係藉由共同的旋轉軸，使第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉；藉由第1吸附保持部，一邊水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，並對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於包含前述中央部之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程；及在藉由第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面的中央部，並使該第2吸附保持部沿垂直軸旋轉的狀態下，一邊對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程；前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，位於與基板重疊。
且，本發明之記憶媒體，係屬於儲存有洗淨圓形之基板背面之基板洗淨裝置所使用之程式的記憶媒體，其特徵係，上述程式，係為了執行前述之基板洗淨方法，而組成步驟。
根據本發明之基板洗淨裝置，由於設置有第1洗淨構件與第2洗淨構件，因此，相較於單獨之洗淨構件 的情況，更可提高洗淨力。又，第1洗淨構件與第2洗淨構件，係構成為藉由共同之旋轉軸，分別在水平方向旋轉。包含基板背面之中央部的區域，雖係一邊藉由第1基板保持部吸附保持基板並使其在水平方向移動一邊進行洗淨，但在洗淨包含前述中央部之區域時，旋轉軸係被配置成位於與基板重疊。如此一來，由於旋轉軸係利用基板之移動區域而設置，因此，可達成裝置之小型化。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧洗淨裝置
2‧‧‧吸附盤
3‧‧‧旋轉夾盤
3b‧‧‧旋轉升降軸
5‧‧‧洗淨機構
51‧‧‧旋轉板
52‧‧‧旋轉軸
53‧‧‧驅動機構
6A‧‧‧第1洗淨構件
6B‧‧‧第2洗淨構件
62A、62B‧‧‧升降機構
[圖1]表示本發明之洗淨裝置的立體圖。
[圖2]表示洗淨裝置的縱剖面側視圖。
[圖3]表示洗淨裝置的平面圖。
[圖4]表示洗淨裝置的縱剖面側視圖。
[圖5]表示設置於洗淨裝置之氣刀的立體圖。
[圖6]表示晶圓與第1洗淨構件及第2洗淨構件與旋轉板的平面圖。
[圖7]用於說明藉由洗淨裝置所進行之洗淨處理的工程圖。
[圖8]用於說明藉由洗淨裝置所進行之洗淨裝置的縱剖面側視圖。
[圖9]用於說明藉由洗淨裝置所進行之洗淨裝置的縱剖面側視圖。
[圖10]用於說明藉由洗淨裝置所進行之洗淨裝置的 縱剖面側視圖。
[圖11]表示晶圓與第1洗淨構件及第2洗淨構件與旋轉板的平面圖。
[圖12]表示晶圓與第1洗淨構件及第2洗淨構件與旋轉板的平面圖。
[圖13]用於說明藉由洗淨裝置所進行之洗淨處理之其他例的工程圖。
[圖14]表示組入有洗淨裝置之塗佈、顯像裝置的平面圖。
[圖15]表示塗佈、顯像裝置的立體圖。
[圖16]表示塗佈、顯像裝置的縱剖面側視圖。
[用於實施發明之最佳形態]
在以下說明之實施形態中，針對設置於塗佈、顯像裝置之類型的洗淨裝置，當作基板洗淨裝置(以下稱為洗淨裝置)之一例予以說明。關於包含該洗淨裝置之洗淨工程的光微影製程的具體例雖如後述，但本洗淨裝置係設置於例如塗佈、顯像裝置之出口附近，且具有在洗淨形成光阻膜之晶圓背面後，朝向後續之曝光裝置送出之作用。
首先，參照圖1~圖4，說明本實施形態之洗淨裝置之構造。圖1係表示洗淨裝置1之立體圖，圖2及圖4係表示其縱剖面圖，第3圖係表示其平面圖。
如圖1~圖3所示，洗淨裝置1，係具備有：吸附盤2，大致水平地吸附保持晶圓W；旋轉夾盤3，從該吸附盤2接收晶圓W，而同樣地大致水平地進行吸附保持；及洗淨機構5，洗淨晶圓W之背面。前述吸附盤2係形成第1基板保持部，前述旋轉夾盤3係形成第2基板保持部，該些吸附盤2、旋轉夾盤3及洗淨機構5，係安裝於上面呈開口之箱狀的下罩杯43。例如下罩杯43，係具備有於平面視圖下形成為長方形狀而彼此對向的側壁，在該些中，將朝向圖1之前方側與裏側之對向之2側壁43a、43b所延伸的方向當作X方向而進行說明。
首先，說明吸附盤2。該吸附盤2，係構成為水平地吸附保持晶圓W背面之不與中央部重疊的區域，且在水平方向移動自如。洗淨裝置1係具備有2個吸附盤2，各個吸附盤2係例如由細長之塊體所構成。2個吸附盤2，係配置成可以大致平行支撐保持晶圓W背面之周緣附近部分(第1區域)。吸附盤2，係與未圖示之吸引管連接，具備有作為經由圖3所示之吸附孔2a一邊吸附晶圓W一邊保持之真空吸盤的功能。各個吸附盤2係安裝於細長棒狀之墊支撐部21的大致中央部，該些2根墊支撐部21之兩端部係藉由各別安裝於2根橋桁部22的方式，構成由墊支撐部21與橋桁部22所形成之井桁20。
2根橋桁部22之兩端係各別被固定於2根皮帶23，該皮帶係沿著該些側壁43a、43b而鋪設於前述下罩杯43對向之2側壁43a、43b的外側。各個皮帶23係 捲繞於由2個1組所構成之捲軸24，各捲軸24係安裝於2片側板26，該側板係各別平行地配置於上述之2側壁43a、43b。捲軸24之一個，係構成為連接於驅動機構25，並經由捲軸24或皮帶23使橋桁部22移動，從而使上述之井桁20全體在如圖1~圖3所示之X方向移動自如。
又，如圖1所示，各個側板26，係藉由由滑動器27a和導引軌27b所構成之2組升降機構27支撐該底面，且固定於洗淨裝置1之未圖示的殼體底面。在該些升降機構27之一個，設置有未圖示之驅動機構，藉由在導引軌27b內使滑動器27a升降的方式，能夠使前述井桁20全體在圖中之Z方向升降。
且，在井桁20上，跨設有用以抑制洗淨液飛散之甜甜圈狀的上罩杯41。在上罩杯41之上面，係設置有比晶圓W更大口徑之開口部41a，且經由該開口部41a，可在後述之塗佈、顯像裝置之搬送機構與吸附盤2或旋轉夾盤3之間進行晶圓W之收授。並且，被跨設於井桁20上之上罩杯41，係構成為隨著井桁20之動作而在X方向與Z方向移動。
接著，說明旋轉夾盤3。旋轉夾盤3，係構成為水平地吸附保持晶圓W背面之中央部(第2區域)，並繞垂直軸旋轉自如。旋轉夾盤3，係形成為圓板狀，且被設置於所大致平行配置之2個吸附盤2的中間，而由各個基板保持部(吸附盤2、旋轉夾盤3)所支撐之晶圓W 背面的第1區域與第2區域為不重疊。如圖2所示，旋轉夾盤3，係經由旋轉升降軸3b連接於驅動機構(旋轉夾盤馬達)33，旋轉夾盤3，係構成為藉由該驅動機構33旋轉及升降自如。又，與吸附盤2相同，旋轉夾盤3亦與未圖示之吸引管連接，具備有作為經由圖3所示之吸附孔3a一邊吸附晶圓W一邊保持之真空吸盤的功能。
在旋轉夾盤3之側方，以可支撐晶圓W背面而予以升降的方式，設置有與升降機構32a連接之支撐銷32，藉由與外部之搬送機構之共同動作，能夠將晶圓W從搬送機構收授至吸附盤2，或是將晶圓W從旋轉夾盤3收授至搬送機構。
且，如圖3及圖5所示，在旋轉夾盤3或支撐銷32之周圍，係以包圍該些機器的方式設置有氣刀31。氣刀31，係例如由圓筒狀之包圍構件所構成，在其上端沿著圓周方向形成有氣體之噴射口31a，該噴射口31a係構成為朝向晶圓W背面噴出例如壓縮氣體等之氣體。例如氣刀31，係由雙重圓筒所構成，經由該雙重圓筒間之中空部，能夠對噴射口31a供給從未圖示之供給部所供給的氣體。該氣刀31，係為了在旋轉夾盤3之表面與以該旋轉夾盤3所支撐之基板背面(第2區域)互相乾燥之狀態下接觸，而在晶圓W被收授到旋轉夾盤3時，具有朝向圓筒之外側吹散晶圓W背面之洗淨液而使其乾燥之作用。
在此，說明晶圓W之高度位置。如後述，晶圓W，係從外部之搬送機構被收授至吸附盤2，在保持於 吸附盤2之狀態下，在圖2所示之右X方向移動，進行晶圓W背面之中央部(第2區域)的洗淨。在圖2及圖4中，係表示晶圓W之高度位置位於洗淨位置之狀態，在該洗淨位置中，晶圓W背面係於比氣刀31之前端更往上方側，於晶圓W被保持於吸附盤2之狀態下，在X方向移動時，晶圓W背面不會干涉氣刀31。
接下來，說明進行晶圓W背面洗淨的洗淨機構5。洗淨機構5，係例如由圓板所構成，且具備有：旋轉板51，形成面狀體，且設置為與被保持於吸附盤2或旋轉夾盤3的晶圓W對向；及複數個洗淨構件6，設置於該旋轉板51上。前述旋轉板51，係構成為經由設置於其背面側之旋轉軸52，藉由驅動機構53繞著垂直軸旋轉自如，例如旋轉軸52係被設置於旋轉板51之中心。因此，從平面方向觀之，旋轉板51之中心與旋轉軸52之中心為一致，該中心會成為旋轉中心O1。在該例中，係藉由旋轉板51與旋轉軸52與驅動機構53，形成有旋轉機構。
在圖6中，係表示保持於旋轉夾盤3之晶圓W與旋轉板51。如此一來，旋轉板51，係被設定為其半徑R1小於晶圓W之半徑R2。又，如後述，在洗淨包含晶圓W背面之中央部的區域時，晶圓W雖係被保持於吸附盤2而在右X方向移動，但前述旋轉軸52係被設置於該晶圓W之移動區域內。亦即，在洗淨包含前述中央部的區域時，旋轉軸52係配置成位於與晶圓W重疊。且，從平面方向觀之，旋轉板51之旋轉軸52與旋轉夾盤3之 旋轉升降軸3b，係沿著前述X方向並排而設置。且，在旋轉板51之下方側，係以包圍驅動機構53之周圍的方式設置有覆蓋體54。該覆蓋體54，係例如由筒狀體所構成，在其上面形成有開口部54a，以使旋轉軸52可移動。
該例之洗淨機構5，係具備有複數個例如2個類別彼此不同的洗淨構件6(6A、6B)，一方之第1洗淨構件6A係使用於洗淨用，另一方之第2洗淨構件6B係使用於研磨用。在此，晶圓W之背面的研磨處理亦包含於洗淨處理之一個。該些第1及第2洗淨構件6A、6B，係例如由圓柱狀之刷子所構成，經由驅動軸61A、61B，與使該洗淨構件6A、6B升降及繞垂直軸旋轉的驅動機構62A、62B連接，該些驅動機構62A、62B係安裝於旋轉板51上。前述驅動機構62A、62B及洗淨構件刷子6A、6B之側面，係例如被筒狀之刷蓋體63A、63B覆蓋，在該刷蓋體63A、63B之上面，係形成有開口部64A、64B，以使洗淨構件6A、6B可移動。另外，在圖1中，係省略刷蓋體63A、63B。
圖2，係表示晶圓W被保持於旋轉夾盤3而位於洗淨位置，第1洗淨構件6A位於待機位置的狀態。又，圖4，係表示晶圓W被保持於吸附盤2而位於洗淨位置，第1洗淨構件6A位於待機位置、第2洗淨構件6B位於洗淨位置的狀態。如此一來，在洗淨構件6A、6B位於待機位置時，洗淨構件6A、6B之上面係位於晶圓W之 下方側(晶圓W係位於洗淨位置)，在研磨或洗淨晶圓W時，洗淨構件6A、6B會上升，而能夠將該洗淨構件6A、6B之上面推壓至晶圓背面。
洗淨構件6A、6B，係例如由PVC海綿、氨基甲酸乙酯海綿、尼龍纖維等所構成，研磨用之第1洗淨構件6A與洗淨用之第2洗淨構件6B，係分別選擇適當的材質從而構成刷子。又，第1洗淨構件6A與第2洗淨構件6B，係如圖6所示，於旋轉板51上相互在橫方向分離而配置。且，第1及第2洗淨構件6A、6B，係在晶圓W被旋轉夾盤3保持而旋轉時於一方向進行旋轉，藉此，配置成可透過該些第1及第2洗淨構件6A、6B兩者來洗淨晶圓W背面之除了中央部以外之所有的區域。於一方向進行旋轉，係指從旋轉板51之旋轉軸52觀看旋轉夾盤3之旋轉升降軸3b，左側及右側中的一方側，該例係位於左側之第1洗淨構件6A朝向另一方側，該例係朝向右側旋轉而移動。
在該例中，從平面方向觀之，係設置成：對於保持在旋轉夾盤3之晶圓W，第1洗淨構件6A位於中央時，第2洗淨構件6B係位於周緣，在第2洗淨構件6B位於中央時，第1洗淨構件6A係位於周緣。位於周緣，係指洗淨構件6A、6B位於可洗淨(研磨)被保持於前述旋轉夾盤3之晶圓W的外緣，位於中央，係指洗淨構件6A、6B位於可洗淨(研磨)連結了旋轉夾盤之旋轉中心O2與旋轉中心O1之線L上。圖6(a)，係表示第1洗 淨構件6A位於周緣，第2洗淨構件6B位於中央之狀態，圖6(b)，係表示第1洗淨構件6A位於中央，第2洗淨構件61B位於周緣之狀態。
如此一來，在位於前述左側之第1洗淨構件6A朝向前述右側開始旋轉時，第2洗淨構件6B係位於連結了旋轉板51之旋轉軸52與旋轉夾盤3之旋轉升降軸3b的直線L上，在旋轉結束時，前述第1洗淨構件6A係位於前述直線L上。且，因為旋轉板51之半徑R1比晶圓W之半徑R2短，故，第1及第2洗淨構件6A、6B之旋轉半徑會變得比晶圓W之半徑R2短。前述旋轉半徑，係指連結洗淨構件6A、6B之中心與旋轉板51之旋轉中心O1之線的長度。
又，在旋轉板51，係如圖3及圖4所示，設置有洗淨液噴嘴55與吹氣噴嘴56。自洗淨液噴嘴55供給用於以第2洗淨構件6B洗掉從晶圓W背面所去除之微粒的洗淨液(例如DIW)，自吹氣噴嘴56供給用於促進在結束洗淨之後附著於晶圓W背面之洗淨液之乾燥之例如氮(N2)等的氣體。
其他，如圖2及圖4所示，在下罩杯43之底部，係設置有：排液管16，用於排出積存於下罩杯43內之洗淨液；及2個排氣管15，用於對洗淨裝置1內的氣流進行排氣。排氣管15，係為了防止積存於下罩杯43底部之洗淨液流入排氣管15，而從下罩杯43之底面延伸至上方。又，以使從上方滴落之洗淨液不直接進入排氣管 15的方式，藉由內罩杯42覆蓋，內罩杯42係形成安裝於氣刀31周圍之環狀的蓋體。又，圖中之13，係用於輔助在晶圓W之洗淨結束之後自上方對晶圓W外周緣附近噴吹壓縮氣體等而殘留之洗淨液乾燥的吹氣噴嘴，14係用於與設置於洗淨機構5之洗淨液噴嘴55一起對晶圓W背面供給洗淨液的洗淨液噴嘴。另外，吹氣噴嘴13，係具備有未圖示之升降機構，在晶圓W搬入搬出時，以不與搬運中之晶圓W或搬送機構干涉的方式，退避至上方。
又，在未鋪設各皮帶23之下罩杯43的側壁43c，安裝有收納UV燈12之燈箱11。處理對象之晶圓W，係由左X方向被搬入搬出至洗淨裝置1內，此時，構成為通過UV燈12之上方。UV燈12，係具有對完成洗淨而被搬出之晶圓W背面照射紫外光，從而使殘留於晶圓W背面之微粒收縮的作用。
又，各驅動機構25、53或UV燈12、設置於排氣管15之未圖示的壓力調整部等，係藉由控制塗佈、顯像裝置全體之動作的控制部100予以控制。控制部100，係由具有例如未圖示之程式儲存部的電腦所構成，在程式儲存部儲存有電腦程式，該電腦程式具備有關於在吸附盤2與旋轉夾盤3之間收授從外部之搬運裝置所接收的晶圓W，或者藉由洗淨機構5進行洗淨之動作等的步驟(命令)群。且，藉由該電腦程式被讀出至控制部100的方式，控制部100控制洗淨裝置1之動作。另外，該電腦 程式，係在被收納於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等之記憶機構的狀態下，儲存於程式儲存部。
根據以上所說明之構成，參閱圖7~圖12說明洗淨晶圓W背面的動作。圖7，係用於說明晶圓W之背面洗淨之工程的平面圖，以虛線表示第1及第2洗淨構件6A、6B與其旋轉路徑。圖8~圖10，係用於說明洗淨裝置1之各動作的縱剖面圖。又，圖11及圖12，係示意地表示在被保持於吸附盤2或旋轉夾盤3的各個狀態中，晶圓W被洗淨之區域的平面圖。另外，在該些圖中，為了便於圖示，因應所需而適當省略覆蓋體54或刷蓋體64、內罩杯42、排氣管15、UV燈12或吹氣噴嘴13等之記載。
例如馬蹄形狀之搬送機構(後述之搬送臂F3)，係將處理對象之晶圓W搬入至洗淨裝置1內而在上罩杯41之開口部41a上方停止，支撐銷32係從旋轉夾盤3之下方上昇而在搬送機構的下方待機。搬送機構，係從支撐銷32之上方下降並將晶圓W交給支撐銷32，退出至洗淨裝置1外。此時，吸附盤2，係在保持晶圓W之面高於第1及第2洗淨構件6A、6B之上面的洗淨位置待機，旋轉夾盤3係退避至低於第1洗淨構件6A、6B之上面的位置。藉由像這樣的位置關係，當支撐銷32下降時，晶圓W會首先被收授至吸附盤2，藉由吸附盤2，以即使從晶圓W背面推壓洗淨構件6A、6B亦不動的方式，吸附保持晶圓W(圖7(a)、圖8(a))。
接下來，如圖7(b)、圖8(b)所示，進行 包含晶圓W背面之中央部之區域(中央區域)的研磨處理。前述中央區域，係指包含在晶圓W背面被旋轉夾盤3予以保持之區域的區域。在該處理中，係藉由使研磨用之第2洗淨構件6B上升而推壓至晶圓W背面，並且使吸附保持晶圓W的吸附盤2移動至右X方向的方式，使晶圓W從圖8(a)所示之第1位置移動，從而開始研磨晶圓W背面。且，將晶圓W搬送至事先決定之第2位置(例如晶圓W之右端係位於比旋轉板51之右端稍微往右側的位置)。此時，藉由驅動機構53使第2洗淨構件6B繞垂直軸旋轉，並且使旋轉板51旋轉。如此一來，藉由吸附盤2之晶圓W之移動與旋轉板51之第2洗淨構件6B之旋轉移動的組合，進行晶圓W背面之研磨。
圖11(a)係表示旋轉板51之旋轉的開始位置，圖11(b)係表示旋轉板51之旋轉的結束位置。且，開始位置及結束位置，係設定成洗淨構件6B遍布於前述進行研磨的中央區域全體，如此一來，設定從開始位置起至結束位置之旋轉板51的旋轉角度。在該例中，旋轉角度，係以形成角θ的方式分別設定旋轉開始位置及結束位置，該角θ係例如從平面方向觀之，由連結了旋轉中心O1與第1洗淨構件6A之中心的線和連結了旋轉中心O1與第2洗淨構件6B之中心的線所構成。
如此一來，藉由使旋轉板51從圖11(a)所示之位置以順時針旋轉的方式旋轉θ度至圖11(b)所示之位置，如圖11(a)、(b)所示，使例如第2洗淨構 件6B之中心從位置P1移動至位置P2，從而進行研磨。藉此，藉由第2洗淨構件6B，能夠研磨圖11(b)中以左上斜線所塗畫之區域T1的四處。在使第2洗淨構件6B移動至位置P2並結束研磨之後，使第2洗淨構件6B下降至待機位置。此時，第1洗淨構件6A之中心，係位於位置P1。
接下來，如圖7(c)、圖9(a)所示，進行晶圓W背面之中央區域之洗淨。在該洗淨中，係使洗淨用之第1洗淨構件6A上升而推壓至晶圓W背面，並且使吸附保持晶圓W的吸附盤2從前述第2位置往左X方向移動至前述第1位置。又，使氣刀31動作而防止洗淨液回流附著於旋轉夾盤3之表面，並且藉由洗淨液噴嘴55來供給洗淨液。且，使第1洗淨構件6A繞垂直軸旋轉，並且使旋轉板51以順時針旋轉θ度。藉此，第1洗淨構件6A之中心，係從位置P1移動至位置P2。
在此，進行洗淨之期間中，晶圓W之背面全體係被洗淨液之液膜覆蓋，以第1洗淨構件6A所去除之微粒係與從該晶圓W背面流落之洗淨液一起被流沖至下罩杯43。又，從氣刀31之噴出口31a朝向晶圓W背面噴出氣體，洗淨液朝向氣刀31之外側吹散，藉此，與氣刀31對向之晶圓W背面會保持乾燥的狀態。藉由像這樣的構成，可防止覆蓋晶圓W背面之洗淨液回流至氣刀31之內側。其結果，旋轉夾盤3之表面，係經常維持乾燥狀態，可防止由於處理之洗淨液所造成之污染或水印之形 成。如此一來，藉由吸附盤2之晶圓W之移動與旋轉板51之第1洗淨構件6A之旋轉移動的組合，可透過第1洗淨構件6A洗淨前述區域T1的四處。且，在使第1洗淨構件6A移動至位置P2並結束研磨之後，使第1洗淨構件6A下降至待機位置。
當結束上述區域T1之洗淨時，進行將晶圓W從吸附盤2收授至旋轉夾盤3。晶圓W之收授，係例如使氣刀31動作，直接停止洗淨機構5之移動或旋轉、洗淨液之供給，解除藉由吸附盤2吸附晶圓W，另一方面，使退避之旋轉夾盤3上升至洗淨位置之高度位置而支撐晶圓W之背面，接著藉由使吸附盤2退避至下方的方式予以進行。
接下來，如圖7(d)、(e)、圖9(b)所示，進行晶圓W之除了中央部以外之區域(周緣區域)的研磨及洗淨。具體而言，如圖12(a)所示，使旋轉板51旋轉移動至洗淨用之第1洗淨構件6A位於周緣、研磨用之第2洗淨構件6B位於中央的旋轉開始位置之後，使第1洗淨構件6A及第2洗淨構件6B上升而推壓至晶圓W背面。且，一邊藉由旋轉夾盤3使晶圓W繞垂直軸旋轉，一邊使第1洗淨構件6A及第2洗淨構件6B，如圖12(b)所示，使旋轉板51旋轉至第1洗淨構件6A位於中央、第2洗淨構件6B位於周緣區域。此時，分別使第1及第2洗淨構件6A、6B旋轉，且從洗淨液噴嘴55供給洗淨液。
如此一來，在晶圓W背面之周緣區域中，係藉由吸附盤3之晶圓W之旋轉與旋轉板51之第1洗淨構件6A及第2洗淨構件6B之旋轉移動的組合，同時進行研磨與洗淨。藉由一邊使晶圓W旋轉，一邊使洗淨構件6A從周緣朝向中央、使洗淨構件6B從中央朝向周緣慢慢移動的方式，洗淨構件6A及洗淨構件6B抵接於晶圓W之區域係一邊分別描畫出同心圓狀之軌跡，一邊移動晶圓W背面。如此一來，能夠研磨及洗淨在圖12(b)中以右上斜線所塗畫之區域T2的四處。
在此，組合區域T1和區域T2之區域，係如圖12(b)所示，包含晶圓W背面全體，以不產生無法洗淨之無效空間的方式，調整各機器之尺寸或移動範圍。又，在以旋轉夾盤3保持晶圓W而進行洗淨的期間中，不僅洗淨液噴嘴55，亦從被設置於氣刀31之左側方的洗淨液噴嘴14供給洗淨液。當晶圓W表面濕潤之區域和乾燥之區域混合時，因為在使洗淨液乾燥之際，造成產生水印之原因，故抑制洗淨液遍及四處產生水印。因此，在該例中，係藉由洗淨液噴嘴55及洗淨液噴嘴14構成洗淨液供給部。但是，亦可藉由洗淨液噴嘴55及洗淨液噴嘴14之任一方來構成洗淨液供給部。
如此一來，當完成晶圓W背面全體之洗淨時，則如圖7(f)及圖10所示，使第1洗淨構件6A及第2洗淨構件6B之旋轉停止而下降，並停止洗淨液之供給，移至洗淨液之甩乾處理動作。甩乾處理，係藉由以高 速使吸附盤3旋轉從而甩掉附著於晶圓W背面之洗淨液的方式予以進行。如前述，藉由一口氣甩乾四處濕潤之晶圓W而使其乾燥的方式，可抑制水印之產生。此時，使退避至上方之吹氣噴嘴13下降，同時以使吹氣噴嘴56位於晶圓W周緣部的方式，使旋轉板51移動，且藉由從晶圓W周緣部之上面與下面噴吹氣體的方式，促進甩乾處理。另外，雖無法針對保持於吸附盤3之第2區域進行甩乾處理，但在藉由氣刀31予以乾燥之狀態下，因與吸附盤3接觸，因此，幾乎不會產生水印。
藉由以上說明之動作，完成晶圓W背面全體之洗淨與乾燥後，以與搬入時相反的動作將晶圓W交給搬運機構而搬出。此時，點亮UV燈12，並從馬蹄形狀之搬運機構之下方朝向晶圓W背面照射紫外線。藉此，即使萬一附著有微粒之情況下，例如有機物仍因紫外線之照射而被分解，因此，能夠使像這樣之類型之微粒收縮，從而減少失焦等之影響。
另一方面，與晶圓W之搬出動作並行，吸附盤2或旋轉夾盤3，係移動至圖8(a)所示之位置，等待下一個晶圓W之搬入。且，參閱圖8~圖12重複所說明之動作，依序洗淨複數個晶圓W。
根據上述之實施形態，因支撐晶圓W之背面而予以保持，且直接在如此之狀態下進行洗淨，因此，除了洗淨裝置1之外，不需要設置反轉晶圓W之倒轉機的空間或用於進行晶圓W之反轉動作的空間。其結果，相 較於以往類型之洗淨裝置，能夠使設置有該洗淨裝置1之塗佈、顯像裝置小型化。又，因為洗淨裝置1，係在2個基板保持機構(吸附盤2、旋轉夾盤3)之間轉接晶圓W，因此，能夠不產生因被吸附盤2或旋轉夾盤3覆蓋而導致無法洗淨之無效空間。
又，藉由第1洗淨構件6A與第2洗淨構件6B來洗淨晶圓W之背面，因此，晶圓W與洗淨構件之接觸面積會變大，相較於單獨之洗淨構件，可提高洗淨力。且，第1洗淨構件6A與第2洗淨構件6B，係構成為藉由共同的旋轉軸52各別在水平方向旋轉，旋轉軸52係在洗淨基板之中央區域時，配置成位於與晶圓W重疊。如此一來，旋轉軸52係利用晶圓W之移動區域而設置，因此，可達成裝置之小型化。
且，在本發明中，係將晶圓W之背面分成中央區域與周緣區域而進行洗淨，因此，相較於一口氣洗淨晶圓W之背面全體之情況，每個洗淨區域較小。因此，即使將第1及第2洗淨構件6A、6B之旋轉半徑設成為較晶圓W短，亦可洗淨晶圓W之背面全面。如此一來，由於旋轉板51之半徑小於晶圓W且在晶圓W之移動區域的下方設置有旋轉板51之旋轉軸52，因此，在洗淨晶圓W之背面的中央區域之際，使晶圓W滑行移動時，從平面方向觀之，晶圓W與旋轉板51會重疊。因此，即使在旋轉夾盤3之側方設置了旋轉板51，亦不需在除了前述移動區域之外確保設置空間，從而更能夠達成洗淨裝置1之 小型化。
對此，在不將晶圓W之背面分成中央區域與周緣區域而進行洗淨的情況下，係必需通過晶圓W之中心使洗淨構件移動至晶圓W之外緣。因此，在晶圓W之外側具有洗淨構件之驅動機構的情況下，洗淨構件之旋轉半徑係大於晶圓W，而導致裝置大型化。
又，如上述，由於將晶圓W背面分成中央區域與周緣區域而進行洗淨，各個洗淨區域小，因此，洗淨構件6A、6B之移動距離短。由於該移動距離係直接反映於洗淨時間，故相較於使刷子從晶圓W之中心移動至外緣的情況(移動距離長時)，洗淨時間會縮短，因此，生產率會變高。
且，在洗淨晶圓W背面之除了中央部以外的周緣區域時，第1洗淨構件6A係從旋轉板51之旋轉軸52而在一方向旋轉移動，藉此，以使第1及第2洗淨構件6A、6B可洗淨晶圓W背面之前述周緣區域的方式，配置該些洗淨構件6A、6B。因此，藉由使洗淨構件6A、6B在一方向旋轉移動的方式，洗淨晶圓W背面之前述周緣區域全體，因此，從而能夠縮短洗淨構件6A、6B的移動時間，並達成生產率之提升。
且，被配置為：在第1洗淨構件6A朝向前述一方向開始旋轉時，第2洗淨構件6B係位於連結旋轉板51之旋轉軸52與旋轉夾盤3之旋轉升降軸3b的直線L上，在旋轉結束時，前述第1洗淨構件6A係位於前述直 線L上。亦即，在同時使用了2個洗淨構件6A、6B的洗淨中，藉由使一方之洗淨構件6A(6B)從中央移動至周緣的方式，可均勻地洗淨晶圓W背面之周緣區域全體。因此，不用使洗淨構件6A、6B以較大的方式旋轉，就能夠進行洗淨，故對於生產率之提升是有效的。
又，即使在逐一使用了2個洗淨構件6A、6B之洗淨中，當使一方之洗淨構件6A從中央以例如順時針移動至周緣時，由於另一方之洗淨構件6B係位於中央，因此，接下來藉由使另一方之洗淨構件6B從中央以逆時針或順時針移動至周緣的方式，均勻地進行晶圓W之周緣區域全體之洗淨。
如此一來，藉由調整第1洗淨構件6A及第2洗淨構件6B之配置，而使旋轉板51之旋轉移動沒有白費移動，因此，可縮短處理時間，從而達成生產率之提高。
且，第1洗淨構件6A係洗淨用，第2洗淨構件6B係研磨用，由於彼此類別不同，故在1台之裝置中，可進行研磨處理與洗淨處理之2種類的處理，因此，相較於在塗佈、顯像裝置組入各別之裝置，更可使塗佈、顯像裝置全體小型化。又，第1及第2洗淨構件6A、6B，係安裝於呈面狀的旋轉板51，在該旋轉板51之背面側設置有驅動機構53。因此，即使為下方側對晶圓W之背面供給洗淨液而洗淨液飛散之環境，亦在晶圓W與驅動機構53之間存在有旋轉板51，因此，可防止洗淨液附著至驅動機構53。且，因為是藉由覆蓋體54及刷蓋體64 分別覆蓋驅動機構53之周圍或刷子之驅動機構之周圍，因此，可達成該些驅動機構53、64之防水。
在上述例中，係列舉洗淨手法之一例者，洗淨時之洗淨構件的移動並不限於上述例子。例如如圖13所示，亦可在實施了整個圖7所示之工程後，更與圖7之(d)、(e)相同，重複晶圓W之周緣區域的研磨及洗淨(圖13之工程(a)、(b))，接下來，實施晶圓W之再洗淨(圖13之工程(c))。關於圖13之工程(a)、(b)，係如上述。又，在圖13之工程(c)之晶圓W的再洗淨中，係將研磨用之第2洗淨構件6B維持於待機位置，而僅使洗淨用之第1洗淨構件6A上升至洗淨位置。且，一邊藉由旋轉夾盤3使晶圓W旋轉並使第2洗淨構件6A旋轉，一邊使該洗淨構件6A從中央旋轉移動至周緣從而洗淨晶圓W背面之周緣區域，藉此，來予以進行。且，如圖13之工程(d)所示，例如使第1及第2洗淨構件6A、6B退避至晶圓W之外方並停止第2洗淨構件6B之旋轉，停止洗淨液之供給，並且以高速使旋轉夾盤3旋轉而進行甩乾處理。
又，亦可以晶圓W之搬入(圖7、工程(a))→晶圓W之中央區域之研磨(圖7、工程(b))→晶圓W之中央區域之洗淨(圖7、工程(c))→晶圓W之周緣區域之研磨及洗淨(圖13、工程(a)、(b))→晶圓W之再洗淨(圖13、工程(c))→晶圓W之乾燥(圖13、工程(d))之順序來實施各工程。關於各工程，係 如上述。
另外，在圖13之工程(a)中，係不一定要使洗淨用之第1洗淨構件6A與晶圓W接觸，在該情況下，圖13之工程(a)係藉由第2洗淨構件6B進行研磨。
在上述中，第1及第2洗淨構件6A、6B，係只要是相互在橫方向分離而設置，予以洗淨包含被保持於吸附盤2之晶圓W背面之中央部的區域，並在被保持於旋轉夾盤3之晶圓W背面之除了前述中央部以外的區域進行洗淨之構成，則可提高洗淨力。因此，第1及第2洗淨構件6A、6B之配置，係不限於上述例子。又，第1及第2洗淨構件6A、6B之旋轉軸52，係只要位於晶圓W之移動區域，則可達成裝置之小型化，因此，不一定要使前述第1及第2洗淨構件6A、6B之旋轉半徑小於晶圓W之半徑。且，第1及第2洗淨構件6A、6B亦可為類別彼此相同者，亦可為類別彼此不同者。類別相同，係指材質或孔徑尺寸相同。又，亦可根據洗淨處理之類別，在洗淨晶圓W背面之中央區域時，使第1及第2洗淨構件6A、6B同時與晶圓W背面接觸並進行洗淨，或亦可在洗淨晶圓W之周緣區域時，使第1洗淨構件6A，6B之一方接觸並進行洗淨。
又，洗淨構件，係亦可為不與晶圓W背面接觸而洗淨該晶圓W背面者，亦可採用例如二流體噴嘴或噴射噴嘴、機械式噴嘴等、藉由噴吹洗淨液等來去除微粒之類型之洗淨構件。且，在實施形態中雖例示了旋轉式之 洗淨構件6A、6B，但亦可採用振動式之洗淨構件(刷子)來代替此。且，洗淨液之種類亦不限定於DIW，亦可為其他洗淨液。又，旋轉機構，係只要具備在旋轉軸沿著圓周方向擴展而設之面狀體即可，面狀體係不限於圓板。
且，設置於洗淨裝置之基板保持機構，係並不限定於如實施形態所示般僅2種類(吸附盤2、旋轉夾盤3)者。亦可構成為具備例如3種類以上之基板保持機構，而在該些基板保持機構之間轉接基板2次以上。又，不限定於僅2種類之洗淨構件6A、6B，亦可設置例如3種類以上之洗淨構件。此時，亦可組合設置接觸於晶圓W背面而進行洗淨之類型的洗淨構件與不接觸於晶圓W背面而進行洗淨之類型的洗淨構件。
且，在本發明之基板的洗淨中，係如上述，亦包含有使用洗淨構件研磨基板背面之處理或在剝離了被黏著劑接合之基板彼此後，用於去除附著於該些基板之黏著劑之洗淨處理等的處理。簡單地說明例如在剝離了前述基板彼此後，洗淨基板之處理。為了抑制隨著作為基板之晶圓W的大口徑化造成研磨晶圓W背面時之晶圓W的翹曲或破裂，而進行利用黏著劑將被處理晶圓黏貼於支撐基板來加以補強。此時，以使晶圓背面呈上的方式，使晶圓W之被處理面朝向下接合於支撐基板，晶圓之被處理面成為接合面。且，在使晶圓背面朝向上而直接進行研磨之後，剝離被處理晶圓與支撐基板，進行被處理晶圓之被處理面的洗淨。由於被處理晶圓係在被處理面朝下的狀態被 剝離，因此，利用本發明之洗淨裝置1使被處理面朝向下而直接進行該被處理面之洗淨。因此，在該洗淨處理中，被處理晶圓之被處理面係相當於基板之背面。例如作為洗淨構件，係使用接觸於晶圓而進行洗淨之類型者或2流體噴嘴等之不與晶圓接觸而進行洗淨之類型者。
在圖14~圖16中，表示組入有上述之洗淨裝置1之塗佈、顯像裝置的一例。圖14、圖15、圖16，係分別為該塗佈、顯像裝置7之平面圖、立體圖、概略縱剖面側視圖。該塗佈、顯像裝置7，係被構成直線狀地連接載體區塊D1、處理區塊D2及介面區塊D3。介面區塊D3，係更連接有曝光裝置D4。在之後的說明中，係將區塊D1~D3之排列方向設成為前後方向。載體區塊D1，係具有將載體C(該載體C係包含複數片同一批次之基板的晶圓W)搬入搬出至塗佈、顯像裝置7的作用，且具備有載體C之載置台71、開關部72及經由開關部72而用於從載體C搬送晶圓W之移載機構73。
處理區塊D2，係構成為從下方依序疊層在晶圓W進行液處理的第1~第6單位區塊B1~B6。為了方便說明，會有下述各情況，將在晶圓W形成下層側之反射防止膜之處理稱作「BCT」，將在晶圓W形成光阻膜之處理稱作「COT」，將在曝光後之晶圓W形成光阻圖案之處理稱作「DEV」。在該例中，係如圖15所示，從下方起各層積2層BCT層、COT層、DEV層，且於相同之單位區塊相互平行地進行晶圓W之搬送及處理。
在此，係參閱圖14說明單位區塊中為代表的COT層E3。在從載體區塊D1朝向介面區塊D3之搬送區域74左右的一方側，係於前後方向配置有複數個棚架單元U，在另一方側，於前後方向各別排列且設置有作為液處理模組之光阻膜形成模組COT、保護膜形成模組ITC。前述光阻膜形成模組COT，係對晶圓W供給光阻劑從而形成光阻膜。保護膜形成模組ITC，係在光阻膜上供給預定之處理液，從而形成保護該光阻膜之保護膜。棚架單元U，係具備有加熱模組及洗淨裝置1，前述洗淨裝置1係配置於例如介面區塊D3側。在前述搬送區域74，設有作為晶圓W之搬送機構的搬送臂F3。
其他單位區塊E1、E2、E5及E6，係除了供給至晶圓W之藥液不同以外，與單元區塊E3、E4之構成相同。單位區塊E1、E2，係具備反射防止膜形成模組以代替光阻膜形成模組COT，單位區塊E5、E6係具備顯像模組。在圖16中，各單位區塊E1~E6之搬送臂，係表示為F1~F6。
在處理區塊D2中之載體區塊D1側，係設置有塔柱T1與升降自如之收授臂部75，該塔柱T1係橫跨各單位區塊E1~E6而上下延伸，該收授臂部75係用於對塔柱T1進行晶圓W之收授。塔柱T1，係由互相疊層之複數個模組所構成，而被設置在單位區塊E1~E6之各高度的模組，係可在該單位區塊E1~E6之各搬送臂F1~F6之間收授晶圓W。作為該些模組，係包含有：收授模組 TRS、進行晶圓W之溫度調整的調溫模組CPL、暫時保管複數片晶圓W的緩衝模組及使晶圓W之表面疏水化的疏水化處理模組等。
介面區塊D3，係具備有橫跨單位區塊E1~E6而上下延伸之塔柱T2、T3、T4。對於塔柱T2與塔柱T3，係藉由升降自如之介面臂76來進行晶圓W之收授；對於塔柱T2與塔柱T4，係藉由升降自如之介面臂77來進行晶圓W之收授。又，在塔柱T2與曝光裝置D4之間，設置有用於進行晶圓W之收授的介面臂78。
在塔柱T2，係互相疊層有收授模組TRS、收納曝光處理前之複數片晶圓W的緩衝模組、收納曝光處理後之複數片晶圓W的緩衝模組及進行晶圓W之溫度調整的調溫模組等。又，在塔柱T3、T4亦分別設置有模組，但在此省略說明。
針對由該塗佈、顯像裝置7及曝光裝置D4所構成之系統之晶圓W的搬送路徑，進行簡單地說明。晶圓W，係依照各批次從載體C被搬出。亦即，設定為一個批次之晶圓W全部被搬出後，其他批次之晶圓W係從載體C搬出。又，從載體C搬出之前，各晶圓W的搬送路徑已事先設定，如上述，被搬送至雙重化之單位區塊中所事先設定的單位區塊。
晶圓W，係藉由移載機構73從載體C被搬送至處理區塊D2中之塔柱T1的收授模組TRS0。晶圓W從該收授模組TRS0，被分配而搬送至單位區塊E1、E2。
例如將晶圓W收授至單位區塊E1時，對於塔柱T1之收授模組TRS中對應於單位區塊E1之收授模組TRS1(可藉由搬送臂F1進行晶圓W之收授的收授模組)，從前述TRS0收授晶圓W。又，將晶圓W收授至單位區塊E2時，對於塔柱T1之收授模組TRS中對應於單位區塊E2之收授模組TRS2，從前述TRS0收授晶圓W。該些晶圓W之收授，係藉由收授臂部75予以進行。
如此一來，被分配的晶圓W，係以TRS1(TRS2)→反射防止膜形成模組→加熱模組→TRS1(TRS2)的順序被搬送，接著藉由收授臂部75，分配至對應於單位區塊E3的收授模組TRS3與對應於單位區塊E4的收授模組TRS4。
且，被分配至TRS3、TRS4的晶圓W，係以TRS3(TRS4)→光阻膜形成模組COT→加熱模組→保護膜形成模組ITC→加熱模組→洗淨裝置1→塔柱T2之收授模組TRS的順序被搬送。被搬送至前述收授模組TRS的晶圓W，係藉由介面臂76、78，經由塔柱T3被搬入到曝光裝置D4。曝光後的晶圓W，係藉由介面臂77被搬送於塔柱T2、T4間，且分別被搬送至對應於單位區塊E5、E6之塔柱T2的收授模組TRS5、TRS6。然後，被搬送至加熱模組→顯像模組→加熱模組→塔柱T1之收授模組TRS之後，經由移載機構73返回至載體C。
如此一來，洗淨裝置1，雖係例如設置於單位區塊E3、E4之棚架單元U，但在塗佈、顯像裝置7中設 置洗淨裝置1之位置係亦可為介面區塊D3之塔柱T2。在該情況下，例如將形成了光阻膜及保護膜的晶圓W搬送至介面區塊D3，在此進行洗淨處理之後，搬送到曝光裝置D4。
1‧‧‧洗淨裝置
2‧‧‧吸附盤
3‧‧‧旋轉夾盤
5‧‧‧洗淨機構
6A‧‧‧第1洗淨構件
6B‧‧‧第2洗淨構件
11‧‧‧燈箱
12‧‧‧UV燈
13‧‧‧吹氣噴嘴
14‧‧‧洗淨液噴嘴
20‧‧‧井桁
21‧‧‧墊支撐部
22‧‧‧橋桁部
23‧‧‧皮帶
24‧‧‧捲軸
25‧‧‧驅動機構
26‧‧‧側板
27‧‧‧升降機構
27a‧‧‧滑動器
27b‧‧‧導引軌
31‧‧‧氣刀
32‧‧‧支撐銷
41‧‧‧上罩杯
41a‧‧‧開口部
42‧‧‧內罩杯
43‧‧‧下罩杯
43a‧‧‧側壁
43b‧‧‧側壁
43c‧‧‧側壁
51‧‧‧旋轉板
54‧‧‧覆蓋體

Claims (12)

  1. 一種基板洗淨裝置，係屬於洗淨圓形之基板背面的基板洗淨裝置，其特徵係，具備有：第1吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，且在水平方向移動自如；第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之中央部，並繞垂直軸旋轉；第1洗淨構件及第2洗淨構件，相互在橫方向分離而設置，在基板被保持於第1吸附保持部時，接觸於包含前述中央部之基板背面的區域而施予洗淨，在基板被保持於第2吸附保持部時，接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域而施予洗淨；旋轉機構，在洗淨基板背面時，藉由共同的旋轉軸，使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉；升降機構，用於使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件升降；及洗淨液供給部，在藉由前述洗淨構件洗淨基板背面時，對基板背面供給洗淨液，前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，配置成位於與基板重疊，在基板被保持於前述第2吸附保持部而旋轉時，從前述旋轉軸觀看第2吸附保持部之旋轉軸，位於左側及右側中之一方側的第1洗淨構件係朝向另一方側旋轉而移動， 藉此，以使第1洗淨構件及第2洗淨構件來洗淨除了前述中央部以外之基板背面之全部區域的方式，配置有第1洗淨構件及第2洗淨構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨裝置，其中，構成為：在前述第1洗淨構件從前述一方側朝向另一方側開始旋轉時，第2洗淨構件係位於連結前述旋轉軸與第2吸附保持部之旋轉軸的直線上，在旋轉結束時，前述第1洗淨構件係位於前述直線上。
  3. 一種基板洗淨裝置，係屬於洗淨圓形之基板背面的基板洗淨裝置，其特徵係，具備有：第1吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，且在水平方向移動自如；第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之中央部，並繞垂直軸旋轉；第1洗淨構件及第2洗淨構件，相互在橫方向分離而設置，在基板被保持於第1吸附保持部時，接觸於包含前述中央部之基板背面的區域而施予洗淨，在基板被保持於第2吸附保持部時，接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域而施予洗淨；旋轉機構，在洗淨基板背面時，藉由共同的旋轉軸，使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉；升降機構，用於使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件升降；及 洗淨液供給部，在藉由前述洗淨構件洗淨基板背面時，對基板背面供給洗淨液，前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，配置成位於與基板重疊，前述第1洗淨構件與第2洗淨構件，係彼此類別不同。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板洗淨裝置，其中，前述第1洗淨構件及第2洗淨構件之旋轉半徑，係小於基板之半徑。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板洗淨裝置，其中，前述旋轉機構，係具備有在旋轉軸沿著圓周方向擴展而設的面狀體，前述第1洗淨構件與第2洗淨構件，係設置於前述面狀體。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板洗淨裝置，其中，前述第1洗淨構件，係使用於作為洗淨用，前述第2洗淨構件，係使用於作為研磨用。
  7. 一種基板洗淨方法，係屬於洗淨圓形之基板背面的基板洗淨方法，其特徵係，包含有：使用旋轉機構之工程，該旋轉機構係藉由共同的旋轉軸，使第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉； 一邊藉由第1吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，並對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於包含前述中央部之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程；及在藉由第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面的中央部，並使該第2吸附保持部繞垂直軸旋轉的狀態下，一邊對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程，前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，位於與基板重疊，在基板被保持於前述第2吸附保持部而旋轉時，從前述旋轉軸觀看第2吸附保持部之旋轉軸，位於左側及右側中之一方側的第1洗淨構件係朝向另一方側旋轉而移動，藉此，以使第1洗淨構件及第2洗淨構件來洗淨除了前述中央部以外之基板背面之全部區域的方式，配置有第1洗淨構件及第2洗淨構件。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板洗淨方法，其中，構成為：在前述第1洗淨構件從前述一方側朝向另一方側開始旋轉時，第2洗淨構件係位於連結前述旋轉軸與第2吸附保持部之旋轉軸的直線上，在旋轉結束時，前述第1洗淨構件係位於前述直線上。
  9. 一種基板洗淨方法，係屬於洗淨圓形之基板背面的 基板洗淨方法，其特徵係，包含有：使用旋轉機構之工程，該旋轉機構係藉由共同的旋轉軸，使第1洗淨構件及第2洗淨構件分別在水平方向旋轉；一邊藉由第1吸附保持部，水平地吸附保持基板背面之不與中央部重疊的區域，並對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於包含前述中央部之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程；及在藉由第2吸附保持部，水平地吸附保持基板背面的中央部，並使該第2吸附保持部繞垂直軸旋轉的狀態下，一邊對前述基板背面供給洗淨液，且一邊使前述第1洗淨構件及第2洗淨構件接觸於除了前述中央部以外之基板背面的區域一邊使其旋轉，藉此，洗淨該區域的工程，前述旋轉軸，係在至少洗淨包含前述中央部之基板背面的區域時，位於與基板重疊，前述第1洗淨構件與第2洗淨構件，係彼此類別不同。
  10. 如申請專利範圍第7~9項中任一項之基板洗淨方法，其中，前述第1洗淨構件及第2洗淨構件之旋轉半徑，係小於基板之半徑。
  11. 如申請專利範圍第7~9項中任一項之基板洗淨方法，其中， 前述第1洗淨構件，係使用於作為洗淨用，前述第2洗淨構件，係使用於作為研磨用。
  12. 一種記憶媒體，係儲存了使用於洗淨圓形之基板背面之基板洗淨裝置的程式，其特徵係，前述程式，係編入有步驟，以便執行申請專利範圍第7~9項中任一項之基板洗淨方法。
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