JP7093703B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１には、半導体ウエハを洗浄するための基板洗浄装置が開示されている。

特開２０１２－０２３２０９号公報

しかしながら、基板の洗浄に係る処理効率の向上が求められている。

本開示の例示的実施形態は、基板の洗浄に係る処理効率が高められた基板処理装置および基板処理方法を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記基板に供給された前記処理液を受ける液受けカップと、前記液受けカップを収容し上方に開口部を有する処理室と、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部と、前記液受けカップを、前記遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記遮蔽部の上方の第２処理位置との間を移動させる駆動部と前記遮蔽部上に落下した前記処理液を下方へ落下させる処理液案内部と、を有する。

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板の洗浄に係る処理効率が高められる。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。 図２は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図３は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 図４は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置による基板処理の手順を示すフローチャートである。 図５（Ａ），図５（Ｂ），図５（Ｃ）は、従来の基板処理の手順を説明する図である。 図６（Ａ），図６（Ｂ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第１構成例について説明する図である。 図７は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第２構成例について説明する図である。 図８は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第３構成例について説明する図である。 図９（Ａ），図９（Ｂ），図９（Ｃ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第４構成例について説明する図である。 図１０（Ａ），図１０（Ｂ），図１０（Ｃ），図１０（Ｄ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第５構成例について説明する図である。 図１１（Ａ），図１１（Ｂ），図１１（Ｃ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第６構成例について説明する図である。 図１２（Ａ），図１２（Ｂ），図１２（Ｃ），図１２（Ｄ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第６構成例について説明する図である。 図１３（Ａ），図１３（Ｂ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第７構成例について説明する図である。 図１４（Ａ），図１４（Ｂ）は、一つの例示実施形態に係る基板処理装置の第７構成例について説明する図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記基板に供給された前記処理液を受ける液受けカップと、前記液受けカップを収容し上方に開口部を有する処理室と、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部と、前記液受けカップを、前記遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記遮蔽部の上方の第２処理位置との間を移動させる駆動部と、前記遮蔽部上に落下した前記処理液を下方へ落下させる処理液案内部と、を有する。

一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、基板を保持する工程と、上方に開口部を有する処理室に収容され、基板保持部に保持された基板に対して供給された処理液を受ける液受けカップを、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記遮蔽部の上方の第２処理位置との間を移動させる工程と、処理液案内部により、前記遮蔽部上に落下した前記処理液を下方へ落下させる工程と、を有する。

上記の基板処理装置および基板処理方法によれば、液受けカップが移動した際に、遮蔽部上に処理液が落下したとしても、処理液案内部が遮蔽部上に落下した処理液を下方へ落下させる。そのため、遮蔽部上に処理液が残存することを防ぐことができる。したがって、処理液が残存する場合と比較して、処理液の残存による基板の品質低下リスク等が低減し、基板処理の効率が向上する。

一つの例示的実施形態において、前記遮蔽部は、厚さ方向に複数の貫通孔を有する板状の遮蔽板を２枚重ねて構成され、前記処理液案内部は、前記２枚の遮蔽板を重ねた際に厚さ方向に貫通する貫通孔である態様とすることができる。

上記のように遮蔽板を２枚重ねるとともに重ねた際に厚さ方向に貫通する貫通孔を有している構成とすることで、処理液案内部をより簡単な構成で形成することができ、より簡単な変更で基板の処理効率が向上する。

一つの例示的実施形態において、前記遮蔽部において、前記２枚の遮蔽板のうち一方の遮蔽板を、他方の遮蔽板に対して延在方向に沿って移動させる移動部を有する態様とすることができる。

上記のように、２枚の遮蔽板のうち一方の遮蔽板を、他方の遮蔽板に対して延在方向に沿って移動させる移動部を有する構成とした場合、２枚の遮蔽板の相対位置を変更させることにより、２枚重ねた遮蔽板における貫通孔の形状を変更させることができる。そのため、基板処理の段階に応じて、より処理効率が高まるように貫通孔の形状を変更することが可能となるため、処理液案内部として処理液を落下させるとき以外にも基板処理の効率を高めることができる。

一つの例示的実施形態において、前記処理液案内部は、前記液受けカップに対して取り付けられて、前記液受けカップが前記第２処理位置に移動した際に前記遮蔽部の上面と接する水掻き部である態様とすることができる。

上記のように、処理液案内部を液受けカップが第２処理位置に移動した際に遮蔽部の上面と接する水掻き部を液受けカップに設ける構成とした場合、液受けカップの移動を利用して遮蔽部上の処理液を移動させて落下させることができる。そのため、複雑な構造を新たに設けることなく、処理液案内部を形成することができ、基板の処理効率が向上する。

一つの例示的実施形態において、前記基板保持部に保持された基板の下面を洗浄するブラシ部と、前記ブラシ部を、前記基板の洗浄を行う際の洗浄位置と、前記基板の洗浄を行わない場合に待避させる待避位置との間で移動させるブラシ移動部と、前記処理室内を、前記ブラシ部の前記待避位置側の領域と、前記基板保持部側の領域と、に区画する仕切部と、を有し、前記仕切部は、前記洗浄位置と前記待避位置との間を移動する前記ブラシ部および前記ブラシ移動部が通過可能な窓部と、前記ブラシ部が前記待避位置にあるときに、前記窓部を塞ぐカバー部と、を有する態様とすることができる。

上記のように、仕切部により、処理室内をブラシ部の前記待避位置側の領域と基板保持部側の領域とに区画する構成とすることで、基板保持部側の領域を小さくすることができる。そのため、基板保持部側で行われる排気等の基板の処理の効果を高めることができるため、基板の処理効率が向上する。また、仕切部は窓部とカバー部とを有しているため、ブラシの移動には干渉することなく、且つ、カバー部を用いて２つの領域の区画をより確実に行うことができる。

一つの例示的実施形態において、前記カバー部は、前記ブラシ部または前記ブラシ移動部に取り付けられる態様とすることができる。

カバー部がブラシ部またはブラシ移動部に取り付けられる構成とした場合、カバー部が設けられることで基板保持部の近傍が大型化することを防ぐことができる。

一つの例示的実施形態において、前記カバー部は、前記仕切部の本体側に取り付けられる態様とすることができる。

カバー部が仕切部の本体側に取り付けられる構成とした場合、ブラシ部の大型化を防ぐことができる。

別の例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記基板に供給された前記処理液を受ける液受けカップと、前記液受けカップを収容し上方に開口部を有する処理室と、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部と、前記液受けカップを、前記遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記遮蔽部に近接した第２処理位置との間を移動させる駆動部と、を有し、前記遮蔽部は、前記液受けカップが前記第２処理位置に配置されている場合に、平面視において前記液受けカップと重ならない位置に設けられ、且つ、高さ位置において前記液受けカップと同じ高さ位置に設けられる遮蔽板により構成される。

別の例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、基板を保持する工程と、上方に開口部を有する処理室に収容され、基板保持部に保持された基板に対して供給された処理液を受ける液受けカップを、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記遮蔽部に近接した第２処理位置との間を移動させる工程と、を有し、前記液受けカップが前記第２処理位置に配置されている場合に、前記遮蔽部の遮蔽板は、平面視において前記液受けカップと重ならない位置に設けられ、且つ、高さ位置において前記液受けカップと同じ高さ位置に設けられる。

上記の基板処理装置および基板処理方法によれば、遮蔽部として、液受けカップが第２処理位置に配置されている場合に、平面視において液受けカップと重ならない位置に設けられる。また、遮蔽部は、高さ位置において液受けカップと同じ高さ位置に設けられる遮蔽板により構成される。上記の構成の場合、液受けカップなどから遮蔽板に対して処理液が落下しないため、遮蔽部上に処理液が付着すること自体が防がれる。したがって、処理液が残存する場合と比較して、処理液の残存による基板の品質低下リスク等が低減し、基板処理の効率が向上する。

一つの例示的実施形態において、前記遮蔽板は、前記処理室側に取り付けられている態様とすることができる。

遮蔽板が処理室側に取り付けられている場合、液受けカップ自体を大型化することなく上記構成を実現することができる。

一つの例示的実施形態において、前記遮蔽板は、前記液受けカップ側に取り付けられている態様とすることができる。

遮蔽板が液受けカップ側に取り付けられている場合、液受けカップの移動に併せて遮蔽板自体も動くため、遮蔽板の位置変更等に必要な機構が不要となる。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、後述する制御装置４の制御部１８の制御に応じて、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

［基板処理装置の構成］
続いて、図２および図３を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、基板処理システム１の処理ユニット１６に含まれる。

基板処理装置１０は、２つの吸着パッド２１と、スピンチャック２２と、上面が開口した開口部２３ａを有する筐体２３（処理室）と、ウエハＷの上面の洗浄処理を行う第１洗浄部２４（図２参照）と、ウエハＷの下面の洗浄処理を行う第２洗浄部２５とを備える。吸着パッド２１は、半導体ウエハやガラス基板等の基板（以下、ウエハＷと記載する）の下面を水平に吸着保持する。また、スピンチャック２２は、吸着パッド２１から受け取ったウエハＷの下面を水平に吸着保持する。なお、ウエハＷの上面および下面の少なくとも一方には回路が形成されている。吸着パッド２１およびスピンチャック２２がウエハＷを保持する基板保持部として機能する。

吸着パッド２１は、例えば細長の略矩形状に形成され、ウエハＷ下面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック２２を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド２１は、当該吸着パッド２１より長い略矩形状の支持板２６によりそれぞれ支持されている。支持板２６は、駆動部２９により水平方向（図１のＸ，Ｙ軸方向）および上下方向（図１のＺ軸方向に対応）に移動自在な枠体（図示せず）によりその両端部を支持されている。

枠体の上面には、上部カップ２７（液受けカップ）が設けられる。すなわち、吸着パッド２１と上部カップ２７とは支持板２６および枠体により連結されている。そのため、吸着パッド２１と上部カップ２７とは、支持板２６を移動させる駆動部２９の駆動によって、同時に移動する。上部カップ２７の上面には、ウエハＷの直径より大きな径の開口部が形成されており、この開口部を介して基板処理装置１０の外部に設けられた搬送機構と吸着パッド２１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。上記の構造を有することにより、上部カップ２７は、筐体２３の開口部２３ａ内に収容される。

図３に示すように、スピンチャック２２は、シャフト２２１を介して駆動機構２２２に接続される。スピンチャック２２は、駆動機構２２２により回転および上下動自在となっている。

スピンチャック２２の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な、たとえば３つの昇降ピン２２３が設けられている。これにより、昇降ピン２２３と、基板処理装置１０の外部に設けられた搬送機構（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

筐体２３の底部（開口部２３ａ内の底部）には、洗浄液を排出するドレン管４０と、基板処理装置１０内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管４１とが設けられている。

第１洗浄部２４は、ウエハＷの上面を洗浄する機能を有する。第１洗浄部２４は、ブラシまたはスポンジ等から構成される第１洗浄体をウエハＷの上面に押し当てた状態で第１洗浄体を回転させることで、ウエハＷの上面を洗浄する。なお、第１洗浄部２４は、アーム７１によって水平に支持される。アーム７１には、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの上面に対して、例えば、純水などの洗浄用流体液を供給する洗浄ノズルが設けられていてもよい。アーム７１は、可動式であり、アーム７１の移動により筐体２３に対する第１洗浄部２４の位置が変更される。

第２洗浄部２５は、第２洗浄体２５１と、第２支柱部材２５２と、第２駆動部２５３とを備える。

第２洗浄体２５１は、ウエハＷの下面に押し当てられる部材であり、例えば、多数の毛束で構成されたブラシまたはスポンジなどにより構成される。

第２洗浄体２５１の下面に設けられる第２支柱部材２５２は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在し、一端部において第２洗浄体２５１を支持する。第２支柱部材２５２の他端部には、第２駆動部２５３が設けられる。第２駆動部２５３は、第２支柱部材２５２を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、第２支柱部材２５２に支持された第２洗浄体２５１を鉛直軸まわりに回転させることができる。

第２洗浄部２５は、アーム７２によって水平に支持される。アーム７２は、移動部７３に接続される。移動部７３は、鉛直方向（図１のＺ軸方向：上下方向）を軸としてアーム７２を回動させると共に、アーム７２を鉛直方向に沿って昇降させる。第２洗浄部２５は、ウエハＷの下面を洗浄するブラシ部であり、アーム７２および移動部７３が、ブラシ部を移動させるブラシ移動部に相当する。

筐体２３の開口内には、吸着パッド２１またはスピンチャック２２に保持されたウエハＷの下面に対して、例えば、純水などの洗浄用流体液（処理液）を供給する洗浄ノズル７５（処理液供給ノズル）が設けられる。洗浄ノズル７５から洗浄用流体液を供給した状態で、第２洗浄部２５をウエハＷに対して押し当てることで、ウエハＷの下面の洗浄が行われる。洗浄ノズル７５は移動機構（図示せず）により移動可能であり、第２洗浄部２５を用いた洗浄に応じて、その位置が適宜変更される。

図３では、第２洗浄部２５は、アーム７２により上部カップ２７内に入り込んでいる状態を示しているが、第２洗浄部２５がウエハＷの洗浄を行わない時間帯は、第２洗浄部２５は、上部カップ２７外に待避させる。待避位置は、図３で示す移動部７３の近傍であり、アーム７２の回動および鉛直方向への駆動により、移動部７３近傍へ移動する。

移動部７３の上方には遮蔽部８０が設けられる。遮蔽部８０は、筐体２３の開口の一部を塞ぐように形成されていて、基板処理装置１０内で下方向の気流を形成する空間を区切ることで、排気管４１による上部カップ２７より下方で飛散するミストを回収する機能を有する。そのため、遮蔽部８０は、例えば、金属などからなる板状の部材で構成され、上部カップ２７および第２洗浄部２５のアーム７２等と干渉しない位置に設けられる。遮蔽部８０は筐体２３に対して連結されていてもよいし、筐体２３とは離間した状態でその他の枠材等により支持されていてもよい。遮蔽部８０は、第１洗浄部２４および第２洗浄部２５によるウエハＷの洗浄を妨げない位置に設けられる。なお、遮蔽部８０と筐体２３との間には隙間が設けられていてもよいが、隙間は小さい方が、遮蔽部８０を挟んだ上部の空間と下部の空間とをより明確に区別することができる。

［基板処理方法］
次に、基板処理装置１０におけるウエハＷの洗浄処理（基板処理方法）について説明する。図４は、基板処理装置１０による一連の洗浄処理の手順を示すフローチャートである。

図４に示すように、基板処理装置１０では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。搬入処理では、基板処理装置１０の外部に設けられた搬送機構によりウエハＷが上部カップ２７の上方に搬送される。次に、昇降ピン２２３が上昇して、ウエハＷが昇降ピン２２３に受け渡される。その後、昇降ピン２２３が下降して、ウエハＷが吸着パッド２１に受け渡されて吸着保持される。

次に、下面洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。下面洗浄処理では、まず、ウエハＷを保持した吸着パッド２１を支持板２６および上部カップ２７とともに水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に移動させる。これにより、スピンチャック２２がウエハＷの外周部に近い場所に配置され、第２洗浄部２５がウエハＷの中央部に近い場所に配置された状態となる。

その後、移動部７３により第２洗浄部２５を上昇させることにより、第２洗浄体２５１をウエハＷの下面に押し当てる。このとき、移動部７３は、第２洗浄体２５１のウエハＷへの押し当て力が所望の値となるように、第２洗浄部２５を上昇させる。そして、洗浄ノズル７５（図１参照）からウエハＷの下面への純水の供給を開始するとともに、第２洗浄体２５１の回転を開始する。

第２洗浄部２５によるウエハＷ下面の洗浄は、吸着パッド２１によるウエハＷの移動と移動部７３による第２洗浄部２５の移動との組み合わせにより進行する。なお、その詳細については後述する。

次に、両面洗浄処理が行われる（ステップＳ１０３）。両面洗浄処理では、まず、吸着パッド２１によりウエハＷの中央部をスピンチャック２２の上方に位置させる。次に、吸着パッド２１によるウエハＷの吸着を解除し、スピンチャック２２を上昇させることにより、吸着パッド２１からスピンチャック２２へウエハＷを受け渡す。

また、アーム７１を動作させて、第１洗浄部２４をウエハＷの中央上方に位置させた後、第１洗浄部２４を下降させて第１洗浄体をウエハＷの上面に対して押し当てる。

そして、駆動機構２２２を用いてスピンチャック２２を回転させることによってウエハＷを回転させる。また、洗浄ノズル７０ａからウエハＷの上面への純水の供給を開始するとともに、第１洗浄体の回転を開始する。そして、アーム７１の移動を利用して第１洗浄体を水平方向に移動させる。これにより、ウエハＷの上面の中央領域が第１洗浄体によって洗浄される。なお、ウエハＷおよび第１洗浄体を回転させた後で、第１洗浄体をウエハＷに押し当てるようにしてもよい。

その後、第１洗浄体と第２洗浄体２５１とが平面視において重なる位置に第１洗浄体が到達すると、洗浄ノズル７５（図１参照）からウエハＷの下面への純水の供給を開始するとともに、第２洗浄体２５１の回転を開始する。第１洗浄体と第２洗浄体２５１とが平面視において重なり合った状態が維持されるように、水平移動させながら、両面の洗浄を行う。第１洗浄体および第２洗浄体２５１は、ウエハＷの内周側から外周側へ移動しながら、両面の洗浄を行う。

第１洗浄体および第２洗浄体２５１がウエハＷの外周部に到達すると、第１洗浄体および第２洗浄体２５１の回転を停止するとともに、純水の供給を停止する。また、第１洗浄体および第２洗浄体２５１をウエハＷから退避させる。

つづいて、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。乾燥処理では、スピンチャック２２を高速で回転させてウエハＷに付着している純水を振り切ることによってウエハＷを乾燥させる。

その後、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。搬出処理では、搬入処理（ステップＳ１０１）とは逆の順序でウエハＷが搬送機構に受け渡される。これにより、１枚のウエハＷについての一連の洗浄処理が終了する。

［ウエハ下面の洗浄について］
ここで、ウエハＷの下面の洗浄処理（ステップＳ１０２）での第２洗浄部２５によるウエハＷ下面の洗浄手順について、図５を参照しながら説明する。なお、図５以降では、基板処理装置１０の一部分のみを模式的に示している。

図５（Ａ）に示すように、両面洗浄処理（ステップＳ１０３）時のように、ウエハＷ下面の端部を洗浄する場合には、スピンチャック２２により支持されたウエハＷに対して第２洗浄部２５による洗浄が行われる。また、洗浄ノズル７５から純水が供給されるが、この純水の水滴Ｄは、上部カップ２７の壁面を伝って下方へ落下し、ドレン管４０（図３参照）から排出される。また、図５（Ａ）に示す両面洗浄処理時は、遮蔽部８０は上部カップ２７よりも外側に配置され、且つ、上部カップ２７と遮蔽部８０とは平面視において重ならない配置（第１処理位置）となっている。

一方、下面の洗浄処理（ステップＳ１０２）には、第２洗浄部２５により、ウエハＷの中央付近を洗浄する。そのため、ウエハＷを吸着パッド２１（図示せず）により支持した状態で、上部カップ２７とともに移動させる。このとき、ウエハＷおよび上部カップ２７は、上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、さらに、第２洗浄部２５がウエハＷ中央部を洗浄できるように、第２洗浄部２５の移動部７３（図３参照）側へ移動する。この結果、図５（Ｂ）に示すように、ウエハＷおよび上部カップ２７は、平面視においてその一部が遮蔽部８０と重なる位置（第２処理位置）へ移動し、この位置で洗浄ノズル７５から純水が供給されて第２洗浄部２５による洗浄が行われる。このとき、水滴Ｄは、上部カップ２７の壁面を伝って下方へ落下する。図５（Ｂ）に示すように、水滴Ｄは、遮蔽部８０上に落下する場合もある。

ウエハＷ下面の中央付近の洗浄が終了すると、ウエハＷは、吸着パッド２１（図示せず）により支持した状態で、上部カップ２７とともに元の位置、すなわち、図５（Ａ）に示す位置に移動する。ただし、遮蔽部８０に落下した水滴Ｄは残存するため、図５（Ｃ）に示すように、遮蔽部８０上に水滴Ｄが残ることになる。

図５（Ａ）～（Ｃ）で説明したように、基板処理装置１０では、通常の手順でウエハＷの下面洗浄を行うと、水滴Ｄが遮蔽部８０上に残ることになる。ウエハＷの洗浄工程を繰り返す、または長期間行うことにより、遮蔽部８０上に残存する水滴Ｄの量は増大する可能性がある。また、遮蔽部８０上に水滴Ｄが残存した状態で基板処理を行うと、水滴Ｄの影響を受けて所定の処理を適切に行うことができない可能性がある。

そこで、以下の実施形態では、基板処理装置１０においてウエハＷの下面洗浄を行なう際に水滴Ｄが遮蔽部８０上に残存することを防ぐための構成について説明する。

（第１構成例）
第１構成例として、遮蔽部が貫通孔を有する２枚の遮蔽板８１を組み合わせて構成する。図６（Ａ）に示すように、遮蔽板８１は、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔８２を有している。貫通孔８２は、例えば円形状とすることができるが、貫通孔８２の形状は特に限定されない。貫通孔８２の大きさは、例えば直径を１ｍｍ～３ｍｍ程度とすることができる。このような遮蔽板８１（８１Ａ，８１Ｂ）を厚さ方向に２枚積層した状態で、遮蔽部８０Ａを形成する。２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂには、複数の貫通孔８２がそれぞれ同じパターンに形成されているとする。この場合、２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの貫通孔８２同士が貫通孔８２の大きさ（面積）のうちの１／２～１／３程度重複するように、遮蔽板８１Ａ，８１Ｂを重ね合わせる。この結果、２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂにより直径が０．４ｍｍ～０．７ｍｍ程度の小径の貫通孔を有する遮蔽部８０Ａが形成される。

遮蔽部８０Ａは、上記のような小径の貫通孔を有することで、毛細管現象を利用して水滴Ｄを落下させることができる。図６（Ｂ）に示すように、ウエハＷの下面の洗浄時に上部カップ２７を伝って遮蔽部８０Ａ上に落下した水滴Ｄは、小径の貫通孔の毛細管現象により、貫通孔を伝って下方へ移動し、下側の遮蔽板８１Ｂから下方（筐体２３側）へ落下する。すなわち、遮蔽部８０Ａに形成された小径の貫通孔は、遮蔽部８０Ａに落下した水滴Ｄを下方へ案内する処理液案内部としての機能を有する。そのため、水滴Ｄが遮蔽部８０Ａ上に長時間残存することを防ぐことができる。なお、２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの組み合わせ方により、遮蔽部８０Ａに形成される貫通孔の大きさは適宜変更することができる。ただし、貫通孔の径が大きくなると、遮蔽部による遮蔽の効果が低くなる。そのため、例えば、毛細管現象により水滴Ｄが落下可能な程度の径となるように、２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂを組み合わせて遮蔽部８０Ａの貫通孔を制御することで、遮蔽部８０Ａによる遮蔽効果と、水滴Ｄの筐体２３側への落下とを両立させることができる。

（第２構成例）
第２構成例として、遮蔽部を構成する２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの相対位置を変更可能な遮蔽部８０Ｂについて説明する。

図７に示すように、遮蔽部８０Ｂでは、厚さ方向に重ねられた２枚の遮蔽板８１Ａ，８１Ｂのうち上方の遮蔽板８１Ａが移動部８３により水平方向（遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの延在方向）に沿って移動可能とされている。移動部８３は、例えば、エアシリンダにより構成することができる。遮蔽板８１Ａが、移動部８３により遮蔽板８１Ｂに対して相対移動が可能である場合には、遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの位置関係を制御する。例えば、図７に示すように水滴Ｄが遮蔽部８０Ｂ上に落下する可能性のあるときには、遮蔽部８０Ｂ上に小径の貫通孔が形成されるように、遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの位置関係を制御する。遮蔽板８１Ａ，８１Ｂを上記のこのような配置にした場合は、遮蔽部８０Ｂに形成された小径の貫通孔は、遮蔽部８０Ｂに落下した水滴Ｄを下方へ案内する処理液案内部としての機能を有する。一方、例えば、水滴Ｄが落下しないような処理の段階（例えば、乾燥処理のときなど）では、遮蔽部８０Ｂとして貫通孔が形成されないように遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの位置関係を制御することができる。したがって、水滴Ｄは筐体２３側へ適切に落下させることができると共に、遮蔽部８０Ｂによる遮蔽効果は十分に高くすることができる。

なお、移動可能とする遮蔽板は、上方の遮蔽板８１Ａに限定されず、例えば、下方の遮蔽板８１Ｂを移動可能としてもよい。遮蔽板８１Ａ，８１Ｂの位置関係を移動部８３により変化させることで、遮蔽部８０Ｂによる遮蔽効果と、水滴Ｄの筐体２３側への落下とを両立させることができる。

（第３構成例）
第３構成例として、遮蔽部自体は通常の板状の遮蔽板から構成されるが、遮蔽部上の水滴Ｄを上部カップ２７の移動に併せて落下させる構成とする場合について説明する。

図８に示すように、遮蔽部８０Ｃは、従来の遮蔽部８０と同様に貫通孔を有していない平板状の遮蔽板８４から構成される。一方、上部カップ２７には、水掻き部９０が取り付けられている。水掻き部９０は、上部カップ２７およびウエハＷが遮蔽部８０Ｃ上の所定の位置（第２処理位置）に移動した場合（第２洗浄部２５がウエハＷの下面を洗浄する場合）に、上部カップ２７の下端から遮蔽部８０Ｃの上面と接するまで延びる。水掻き部９０は、上部カップ２７の下端のうち、平面視において上部カップ２７と遮蔽部８０Ｃとが重なり得る領域に設けることができる。また、水掻き部９０の上部カップ２７の下端から下方の長さは、上部カップ２７の下端から遮蔽部８０Ｃの上面との距離と同じかそれ以上とされる。水掻き部９０は、例えば、ゴムまたは樹脂等の撥水性を有し且つ弾性を有する材料とすることができる。ただし、弾性を有していない材料であっても、遮蔽部８０Ｃ上の水滴Ｄを移動可能であれば特に限定されない。

上部カップ２７の下端に水掻き部９０が設けられている場合、図８に示すように、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｃ上に移動した際に、上部カップ２７と遮蔽部８０Ｃ上との隙間が水掻き部９０によって塞がれている。したがって、上部カップ２７の内壁を伝って遮蔽部８０Ｃ上に落下した水滴Ｄは、上部カップ２７が移動し、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｃと重ならない位置へ移動する際に、水掻き部９０によって下方の筐体２３側へ落下される。すなわち、水掻き部９０が、水滴Ｄを落下させる処理液案内部として機能する。したがって、水滴Ｄが遮蔽部８０Ｃ上に残存することが防がれる。また、遮蔽部８０Ｃの遮蔽板８４には貫通孔が設けられていないので、遮蔽部８０Ｃによる遮蔽効果は、従来と同様に高く保つことができる。

（第４構成例）
第４構成例として、第３構成例と同様に水掻き部９０を利用するが、貫通孔を有する遮蔽板を利用することで、水滴Ｄを遮蔽孔の貫通孔を経由して落下させる構成とする場合について説明する。

図９（Ａ）に示すように、遮蔽部８０Ｄは、遮蔽部８０Ａ，８０Ｂと同様に貫通孔を有している遮蔽板８１を利用する。ただし、１枚の遮蔽板８１のみから構成されている。遮蔽板８１には、小径の貫通孔８２が形成されている（図９（Ｂ）参照）。小径の貫通孔８２とは、毛細管現象により水が貫通孔内を移動可能な径であり、例えば、０．３ｍｍ～０．８ｍｍ程度とされる。貫通孔の径が小さいため、径が大きい場合と比較して、遮蔽効果の損失は抑制される。

一方、上部カップ２７には、水掻き部９０が取り付けられている。水掻き部９０は、上部カップ２７およびウエハＷが遮蔽部８０Ｄ上の所定の位置（第２処理位置）に移動した場合（第２洗浄部２５がウエハＷの下面を洗浄する場合）に、上部カップ２７の下端から遮蔽部８０Ｄの上面と接するまで延びる。水掻き部９０は、上部カップ２７の下端のうち、平面視において上部カップ２７と遮蔽部８０Ｄとが重なり得る領域に設けることができる。また、水掻き部９０の上部カップ２７の下端から下方の長さは、上部カップ２７の下端から遮蔽部８０Ｄの上面との距離と同じかそれ以上とされる。水掻き部９０は、例えば、ゴムまたは樹脂等の撥水性を有し且つ弾性を有する材料とすることができる。ただし、弾性を有していない材料であっても、遮蔽部８０Ｄ上の水滴Ｄを移動可能であれば特に限定されない。

上部カップ２７の下端に水掻き部９０が設けられているため、図９（Ａ）に示すように、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｄ上に移動した際に、上部カップ２７と遮蔽部８０Ｄ上との隙間が水掻き部９０によって塞がれている。したがって、上部カップ２７の内壁を伝って遮蔽部８０Ｄ上に落下した水滴Ｄは、水掻き部９０により移動される。具体的には、水滴Ｄは、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｄと重ならない位置へ移動する際に、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示すように、水掻き部９０の移動に伴って、遮蔽板８１の貫通孔８２を塞ぐように貫通孔８２に入り込む。貫通孔８２に入り込んだ水滴Ｄは、毛細管現象により下方に移動し、筐体２３側へ落下する。すなわち、水掻き部９０および遮蔽板８１の貫通孔８２が、水滴Ｄを落下させる処理液案内部として機能する。したがって、水滴Ｄが遮蔽部８０Ｄ上に残存することが防がれる。

第１～第４構成例で説明した基板処理装置によれば、駆動部により上部カップが移動した際に、遮蔽部上に処理液が落下したとしても、処理液案内部が遮蔽部上に落下した処理液を下方へ落下させる。そのため、遮蔽部上に処理液が残存することを防ぐことができる。したがって、処理液が残存する場合と比較して、処理液の残存による基板の品質低下リスク等が低減し、基板処理の効率が向上する。処理液が遮蔽部上に残存すると、例えば、基板処理装置内の湿度が上昇し、既定の時間内に乾燥処理が十分に行われないなど、処理後の基板の品質が低下するリスクなどが存在することが考えられる。このようなリスクがある場合には、例えば、乾燥時間を十分に確保するなど、リスクをカバーするための処理などを追加する可能性があり、基板処理の効率が低くなる可能性がある。これに対して、上記で説明したように、処理液案内部により処理液を落下させることで、処理液が遮蔽部に残存しない構成を有することにより、処理の長期化などが不要となり、基板の処理効率が向上する。

（第５構成例）
第５構成例として、遮蔽部および上部カップの形状を変更することで、遮蔽部への水滴Ｄの付着自体を回避する構成について説明する。

図１０（Ａ）に示すように、遮蔽部８０Ｅは、従来の遮蔽部８０と同様に貫通孔を有していない平板状の遮蔽板８５，８６を組み合わせて構成される。遮蔽板８５，８６は、厚さ方向に重ねられている。また、遮蔽板８５は固定されているが、上方の遮蔽板８６にはスプリング８７が取り付けられていて、弾性力により水平方向に移動可能である。

遮蔽板８５および遮蔽板８６は、いずれも、従来の遮蔽部８０を構成する遮蔽板よりも小さくされている。そして、遮蔽板８６に力がかかっていない状態では、平面視において遮蔽板８５，８６が配置される領域は、遮蔽部８０と同様の大きさとなる。したがって、遮蔽板８５，８６を組み合わせた遮蔽部８０Ｅによる遮蔽効果は、従来の遮蔽部８０と同様である。

一方、上部カップ２７は、その下端が長くされている。したがって、図１０（Ａ）に示すように、ウエハＷの中央部の洗浄を目的として、上部カップ２７を上方に引き上げた際にも、上部カップ２７の下端は遮蔽部８０Ｅよりも上側にならず、高さ方向で概略同じ位置となっている。したがって、ウエハＷの中央部に第２洗浄部２５を当接させるために上部カップ２７およびウエハＷを遮蔽部８０Ｅ側の所定の位置（第２処理位置）へ移動させると、遮蔽部８０Ｅは、上部カップ２７の下方へは行かない。図１０（Ｂ）に示すように、遮蔽部８０Ｅのうち上部カップ２７側へ突出している遮蔽板８６は、上部カップ２７の外面と当接する。ただし、遮蔽板８６はスプリング８７により支持されているので、スプリング８７が縮むことにより遮蔽板８６は水平方向へ移動する。その結果、図１０（Ｂ）に示すように、上部カップ２７と遮蔽板８６とが当接した状態で上部カップ２７の移動に伴って遮蔽部８０Ｅが変形する。すなわち、遮蔽板８５，８６の重なる面積が大きくなる結果、平面視において遮蔽部８０Ｅの占める面積が小さくなる。ただし、遮蔽板８６と上部カップ２７とが当接した状態で遮蔽部８０Ｅが変形するため、遮蔽部８０Ｅによる遮蔽効果は維持される。このように、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｅ側の所定の位置（第２処理位置）へ移動すると、遮蔽部８０Ｅの遮蔽板８５，８６は、平面視において上部カップ２７と重ならない位置に設けられる。また、遮蔽板８５，８６は、高さ位置において上部カップ２７と同じ高さ位置に設けられることになる。そのため、上部カップ２７の外面と遮蔽板８５，８６とが近接配置することになる。

その後、上部カップ２７が当初の位置へ移動すると、図１０（Ｃ）に示すように、スプリング８７が最大長となるまでは、上部カップ２７の外面と遮蔽板８６との当接が維持された状態で、上部カップ２７の移動に対して遮蔽板８６が追随する。その後、上部カップ２７がさらに水平移動すると、図１０（Ｄ）に示すように、遮蔽板８６と上部カップ２７とは離間する。そして、通常の動作と同様に、上部カップ２７は所定の位置で下方へ移動する。

このように、遮蔽部８０Ｅは、２枚の遮蔽板８５，８６の相対位置の変化によって変形可能であると共に、スプリング８７を利用して、上部カップ２７と当接した場合に、遮蔽板８５，８６の相対位置が変化するような構成とされている。また、上部カップ２７の下端が長くなっているため、ウエハＷの下面洗浄のために上部カップ２７が移動したとしても、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｅ上に移動することはない。そのため、上部カップ２７の内面に付着した水滴Ｄが遮蔽部８０Ｅ上に落下することがない。したがって、遮蔽部８０Ｅ上に水滴Ｄが残存することも防がれる。また、遮蔽板８６が移動するための機構がスプリング８７により実現されていて、遮蔽板８６を移動させるための駆動部等が用いず上記の遮蔽部８０Ｅを実現することができるため、装置の大型化等が不要である。

また、遮蔽部８０Ｅの遮蔽板８５，８６には貫通孔が設けられておらず、かつ、遮蔽部８０Ｅは上部カップ２７の移動に追随して変形するが、この変形にともなって開口が大きく設けられることは防がれる。したがって、遮蔽部８０Ｅによる遮蔽効果は、従来と同様に高く保つことができる。

（第６構成例）
第６構成例として、上部カップの形状を変更し、且つ、第５構成例の遮蔽板８６に対応する部分を上部カップ側に接続することで、第５構成例と同様に遮蔽部への水滴Ｄの付着自体を回避する構成について説明する。

図１１を参照しながら、上部カップ側の形状変更および遮蔽板について説明する。図１１（Ａ）は、上部カップに取り付ける遮蔽板８８を示している。遮蔽板８８は、遮蔽板８６と同様に、遮蔽部が占める領域の一部を覆う形状をしている。また、遮蔽板８８は、上部カップに取り付けるための開口８９を３つ有している。開口８９の配置および形状は上部カップ側の形状に対応している。図１１（Ｂ）は第６構成例における上部カップ２７Ａの平面図である。また、図１１（Ｃ）は、上部カップ２７Ａへの遮蔽板８８の取り付け方法を示している。上部カップ２７Ａは、その下端に、上部カップ２７Ａから、遮蔽部側に突出するフランジ部２７１が３つ設けられている。フランジ部２７１のそれぞれにおいて、フランジ部２７１から上方に突出する凸部２７２が設けられている。遮蔽板８８と上部カップ２７Ａとを組み合わせる際には、遮蔽板８８の３つの開口８９それぞれに対して、上部カップ２７Ａの３つのフランジ部２７１それぞれに設けられた凸部２７２を通過させる。この結果、図１１（Ｃ）に示すように、凸部２７２が遮蔽板８８の開口８９を通過する構成となる。

なお、遮蔽板８８は常時上部カップ２７Ａに対して取り付けられているのではなく、ウエハＷの下面の洗浄のために上部カップ２７Ａが移動して、遮蔽板８８の開口８９を上部カップ２７Ａの凸部２７２が貫通した際に、これらが一体化される。したがって、上部カップ２７Ａの凸部２７２が遮蔽板８８の開口８９から外れた場合には、両者は離間する。

次に、このように上部カップ２７Ａに取り付けられ得る遮蔽板８８と、筐体２３側の遮蔽板８５とによる遮蔽部８０Ｆの動作について、図１２を参照しながら説明する。なお、遮蔽部８０Ｆに用いられる遮蔽板８５は、第５構成例の遮蔽部８０Ｅで用いられた遮蔽板８５と同じである。

ウエハＷの中央部の洗浄を目的として、上部カップ２７Ａが上方に引き上げると、図１２（Ａ）に示すように、上部カップ２７Ａに設けられた凸部２７２が遮蔽板８８の開口８９（図示せず）を通過する。そのため、上部カップ２７Ａと遮蔽板８８とが一体化した状態となる。この状態で、ウエハＷの中央部に第２洗浄部２５を当接させるために、上部カップ２７ＡおよびウエハＷを遮蔽板８５側の所定の位置（第２処理位置）へ移動させる。すると、図１２（Ｂ）に示すように、遮蔽部８０Ｆのうち、上部カップ２７Ａと一体化している遮蔽板８８は、上部カップ２７Ａとともに水平方向へ移動する。その結果、図１２（Ｂ）に示すように、上部カップ２７Ａの遮蔽板８６が遮蔽板８５の上方へ移動し、遮蔽板８５，８６の重なる面積が大きくなる。その結果、平面視において遮蔽部８０Ｆの占める面積が小さくなる。ただし、遮蔽部８０Ｆによる遮蔽効果は維持される。

その後、上部カップ２７Ａが元の位置まで水平移動すると、図１２（Ｃ）に示すように、上部カップ２７Ａと遮蔽板８８とが一体化された状態で、水平移動する。その後、上部カップ２７Ａが鉛直方向（上下方向）に移動すると、図１２（Ｄ）に示すように、上部カップ２７Ａの凸部２７２が遮蔽板８８の開口８９から外れて、遮蔽板８８と上部カップ２７Ａとが離間する。遮蔽板８８はその端部が遮蔽板８５上に重なった状態となる。

このように、遮蔽部８０Ｆは、２枚の遮蔽板８５，８８の相対位置の変化によって変形可能である。この点は第５構成例と同じである。また、上部カップ２７が遮蔽部８０Ｅ側の所定の位置（第２処理位置）へ移動すると、遮蔽部８０Ｆの遮蔽板８５，８８は、平面視において上部カップ２７と重ならない位置に設けられ、且つ、高さ位置において上部カップ２７と同じ高さ位置に設けられることになる。そのため、上部カップ２７の外面と遮蔽板８５，８８とが近接配置することになる。この点についても、第５構成例と同じである。

また、第６構成例の遮蔽部８０Ｆでは、上部カップ２７Ａの移動によって、上部カップ２７Ａと遮蔽板８８とが一体化して水平移動することで、遮蔽板８５，８８の相対位置が変化するような構成とされている。また、上部カップ２７Ａの外側に遮蔽板８５，８８が配置された状態で上部カップ２７Ａが移動するため、ウエハＷの下面洗浄のために上部カップ２７Ａが移動したとしても、上部カップ２７Ａが遮蔽部８０Ｆ上に移動することはない。そのため、上部カップ２７Ａの内面に付着した水滴Ｄが遮蔽部８０Ｆ上に落下することがない。したがって、遮蔽部８０Ｆ上に水滴Ｄが残存することも防がれる。また、遮蔽板８８の移動に係る駆動部等を用いず上記の遮蔽部８０Ｆを実現することができるため、装置の大型化等が不要である。

また、遮蔽部８０Ｆの遮蔽板８５，８８には貫通孔が設けられておらず、かつ、遮蔽部８０Ｆは上部カップ２７Ａの移動に追随して変形するが、この変形にともなって開口が大きく設けられることは防がれる。したがって、遮蔽部８０Ｆによる遮蔽効果は、従来と同様に高く保つことができる。

なお、遮蔽板８８と上部カップ２７との一体化および分離を可能とする構造は、上記遮蔽板８８側の開口と上部カップ２７側の凸部２７２とを利用した構成に限定されない。例えば、開口と凸部との配置を逆にすることもできる。また、全く異なる構造を用いて遮蔽板８８と上部カップ２７との一体化および分離を実現してもよい。

第５および第６構成例で説明した基板処理装置によれば、遮蔽部として、液受けカップが第２処理位置に配置されている場合に、平面視において液受けカップと重ならない位置に設けられる。また、遮蔽部は、高さ位置において液受けカップと同じ高さ位置に設けられる遮蔽板により構成される。このような構成の場合、液受けカップなどから遮蔽板に対して処理液が落下しないため、遮蔽部上に処理液が付着すること自体が防がれる。したがって、第１～第４構成例で説明した基板処理装置と同様に、遮蔽部上に処理液が残存する場合の基板処理の効率の低下を回避することができ、基板処理の効率が向上する。

（第７構成例：筐体内の仕切部の構成例）
次に、第７構成例として、筐体内の構成変更について説明する。第７構成例として説明する筐体の構成は、第１～第６構成例で説明した遮蔽部８０Ａ～８０Ｆと組み合わせることができる。

図１３および図１４は、筐体２３および第２洗浄部２５の周囲の構造の変形例を説明する図である。まず、図１３に示すように、筐体２３内を、ウエハＷの洗浄に利用する上部カップ２７側の領域Ｒ１と、第２洗浄部２５を移動部７３側に待避した際に第２洗浄部２５が配置される領域Ｒ２と、に区画する。そして、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間に壁部９１を設ける。なお、領域Ｒ１は、第２洗浄部２５が洗浄を行う洗浄位置を含む領域であり、領域Ｒ２は、第２洗浄部２５が待避する待避位置を含む領域である。

壁部９１は、図１３（Ａ）に示すように、平面視において上部カップ２７よりも外側となるように設けられる。壁部９１は、例えば、遮蔽部（第１～第６構成例参照）から連続して形成されていてもよいし、筐体２３の底部（すなわち、処理室の底部）から延びるように形成されていてもよい。壁部９１は、室内の区画をできれば、その構造は特に限定されない。

ただし、第２洗浄部２５および第２洗浄部２５を支持するアーム７２は、回動しながら領域Ｒ１と領域Ｒ２との間を移動する。そのため、第２洗浄部２５およびアーム７２と壁部９１とが干渉する部分には、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示すように、壁部９１に窓部９２を形成する。なお、アーム７２の可動範囲等に応じて、第２洗浄部２５およびアーム７２が壁部９１と干渉する領域は変化するので、窓部９２を形成する位置も適宜変更することができる。少なくとも、第２洗浄部２５を用いたウエハＷの下面の洗浄時に、壁部９１がその動作を妨げることがないように窓部９２は形成される。

窓部９２が設けられるため、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間は連通した状態となる。ただし、第２洗浄部２５が洗浄を行わないとき、すなわち、移動部７３側に待避した際には、窓部９２が塞がれるように、アーム７２に対して支持部材９４を介してカバー部９３が取り付けられる。カバー部９３は、窓部９２の形状に対応している。また、支持部材９４は、第２洗浄部２５を移動部７３側に待避したときに、カバー部９３が窓部９２に対応する位置に配置されるように、カバー部９３を支持している。すなわち、窓部９２が設けられる壁部９１と、カバー部９３と、が領域Ｒ１と領域Ｒ２とを区画する仕切部となる。

図１４に、第２洗浄部２５を移動部７３側（領域Ｒ２側）に待避した状態を示している。図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示すように、第２洗浄部２５を移動部７３側に待避させると、カバー部９３が壁部９１の窓部９２に対応する位置に設けられる。この結果、図１４（Ｂ）等に示すように、壁部９１およびカバー部９３によって領域Ｒ１と領域Ｒ２とが区画される。

壁部９１およびカバー部９３によって、領域Ｒ１と領域Ｒ２とを区画する効果について説明する。上述したように、基板処理装置１０内には、下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管４１が設けられている。この排気管４１によって、筐体２３内の気流を排気することで、純水の噴霧等により発生したミスト・水蒸気等の排出も行われる。この排気管４１によるミスト・水蒸気の排出は、乾燥処理（ステップＳ１０４：図４参照）の際に重要となる。しかしながら、壁部９１およびカバー部９３が設けられていない場合、排気管４１は、第２洗浄部２５が待避する領域Ｒ２側の気体も外部に排出する構成となるため、乾燥処理を考慮した場合に排気効率について改善の余地があった。これに対して、壁部９１およびカバー部９３を用いて、図１４に示すように領域Ｒ１と領域Ｒ２とを区画した後に排気管４１による排気を行うことで、排気対象の空間が狭くなるため、排気効率が向上する。

このように、壁部９１およびカバー部９３によって、筐体２３内を上部カップ２７が設けられる領域Ｒ１（すなわち、ウエハＷに係る乾燥処理を行う領域）と、当該領域とは異なる領域Ｒ２（基板保持部が設けられる領域）とに区画する。このような構成の結果、領域Ｒ２において排気管４１による排気効率が高められ、基板処理効率が向上する。

なお、第７構成例では、カバー部９３が第２洗浄部２５を支持するアーム７２に取り付けられている場合について説明したが、壁部９１の窓部９２を塞ぐためのカバー部９３の取り付け位置は適宜変更することができる。したがって、洗浄に支障を与えない場合であれば、アーム７２に代えて第２洗浄部２５に取り付ける構成としてもよい。また、カバー部を仕切部の本体側、すなわち、壁部９１側に取り付けてもよい。例えば、カバー部９３に対応する構成として、壁部９１に対してスライド可能なカバー部を設けて、第２洗浄部２５を待避した際にはカバー部をスライドさせて窓部９２を閉じる構成としてもよい。このように、カバー部に係る構成は特に限定されない。

［変形例］
次に、変形例に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。

基板処理装置による基板処理の手順は上記に限定されず、適宜変更することができる。例えば、下面洗浄処理および両面洗浄処理に加えて、上面洗浄処理を別途行う構成としてもよい。

上記で説明した基板処理装置の構造・形状は適宜変更することができる。例えば、第１洗浄部および第２洗浄部の配置・構造、筐体の形状などは上記実施形態に限定されない。また、第１洗浄部および第２洗浄部がウエハの洗浄を行う際のアームの動作なども回転移動および水平移動等を組み合わせて適宜変更することができる。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…基板処理システム、１０…基板処理装置、２１…吸着パッド、２２…スピンチャック、２３…筐体、２３ａ…開口部、２４…第１洗浄部、２５…第２洗浄部、２９…駆動部、２７…上部カップ、４０…ドレン管、４１…排気管、７１，７２…アーム、７３…移動部、７５…洗浄ノズル、８０，８０Ａ～８０Ｆ…遮蔽部、８１，８１Ａ，８１Ｂ，８５，８６，８８…遮蔽板、９０…水掻き部、９１…壁部、９２…窓部、９３…カバー部。

Claims (12)

1. 基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給ノズルと、
   前記基板に供給された前記処理液を受ける液受けカップと、
   前記液受けカップを収容し上方に開口部を有する処理室と、
   前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部と、
   前記液受けカップを、前記遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記遮蔽部の上方の第２処理位置との間を移動させる駆動部と、
   前記遮蔽部上に落下した前記処理液を下方へ落下させる処理液案内部と、
   を有する基板処理装置。
2. 前記遮蔽部は、厚さ方向に複数の貫通孔を有する板状の遮蔽板を２枚重ねて構成され、
   前記処理液案内部は、前記２枚の遮蔽板を重ねた際に厚さ方向に貫通する貫通孔である、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記遮蔽部において、前記２枚の遮蔽板のうち一方の遮蔽板を、他方の遮蔽板に対して延在方向に沿って移動させる移動部を有する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理液案内部は、前記液受けカップに対して取り付けられて、前記液受けカップが前記第２処理位置に移動した際に前記遮蔽部の上面と接する水掻き部である、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記基板保持部に保持された基板の下面を洗浄するブラシ部と、
   前記ブラシ部を、前記基板の洗浄を行う際の洗浄位置と、前記基板の洗浄を行わない場合に待避させる待避位置との間で移動させるブラシ移動部と、
   前記処理室内を、前記ブラシ部の前記待避位置側の領域と、前記基板保持部側の領域と、に区画する仕切部と、を有し、
   前記仕切部は、
   前記洗浄位置と前記待避位置との間を移動する前記ブラシ部および前記ブラシ移動部が通過可能な窓部と、
   前記ブラシ部が前記待避位置にあるときに、前記窓部を塞ぐカバー部と、
   を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記カバー部は、前記ブラシ部または前記ブラシ移動部に取り付けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記カバー部は、前記仕切部の本体側に取り付けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
8. 基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給ノズルと、
   前記基板に供給された前記処理液を受ける液受けカップと、
   前記液受けカップを収容し上方に開口部を有する処理室と、
   前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部と、
   前記液受けカップを、前記遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記遮蔽部に近接した第２処理位置との間を移動させる駆動部と、
   を有し、
   前記遮蔽部は、前記液受けカップが前記第２処理位置に配置されている場合に、平面視において前記液受けカップと重ならない位置に設けられ、且つ、高さ位置において前記液受けカップと同じ高さ位置に設けられる遮蔽板により構成される、基板処理装置。
9. 前記遮蔽板は、前記処理室側に取り付けられている、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記遮蔽板は、前記液受けカップ側に取り付けられている、請求項８に記載の基板処理装置。
11. 基板を保持する工程と、
    上方に開口部を有する処理室に収容され、基板保持部に保持された基板に対して供給された処理液を受ける液受けカップを、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記遮蔽部の上方の第２処理位置との間を移動させる工程と、
    処理液案内部により、前記遮蔽部上に落下した前記処理液を下方へ落下させる工程と、
    を有する基板処理方法。
12. 基板を保持する工程と、
    上方に開口部を有する処理室に収容され、基板保持部に保持された基板に対して供給された処理液を受ける液受けカップを、前記処理室の前記開口部のうち、前記液受けカップの外側の領域を遮蔽する遮蔽部から離間した第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記遮蔽部に近接した第２処理位置との間を移動させる工程と、
    を有し、
    前記液受けカップが前記第２処理位置に配置されている場合に、前記遮蔽部の遮蔽板は、平面視において前記液受けカップと重ならない位置に設けられ、且つ、高さ位置において前記液受けカップと同じ高さ位置に設けられる、基板処理方法。

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