JP6578040B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板に対して各種処理をするための基板処理装置に関するものである。

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。洗浄ユニットとしては、半導体基板に洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄し、洗浄後の洗浄部材を表面が粗い修正部材１５の平面に擦り付けて自己洗浄するものが開示されている（特許文献１参照）。

ところで、基板処理装置には、バフ処理モジュールが設けられる場合がある。このバフ処理モジュールは、基板に対してバフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を施すものである。バフ研磨処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間にスラリーを介在させることによりウェハの処理面を研磨除去する処理である。一方、バフ洗浄処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。

バフパッドによってバフ研磨処理及びバフ洗浄処理を継続すると、バフパッドの表面は目詰まりを起こし、研磨性能や洗浄性能が低下してしまう。このため、バフパッドの性能を復活させるべく、ドレス処理（目立て）と呼ばれるコンディショニングを行う必要がある。このコンディショニングは、コンディショニング部で行われる。コンディショニング部は、ドレステーブルと、ドレステーブルに設置されたドレッサと、を備える。ドレステーブルは、駆動機構によって回転できるようになっている。ドレッサは、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

バフ処理モジュールは、バフパッドのコンディショニングを行う際には、バフパッドがドレッサに対向する位置になるまでバフアームを旋回させる。バフ処理モジュールは、ドレステーブルを所定の回転軸周りに回転させるとともにバフヘッドを回転させ、バフパッドをドレッサに押し付けることによって、バフパッドのドレス処理（コンディショニング）が行われる。

特開平９−９２６３３号公報

しかしながら上述した従来技術には、以下のような問題点があった。すなわち、従来技術は、バフパッドとドレッサとを相対運動させることによりバフパッドを洗浄するだけであるので、ある程度の洗浄処理は可能であるが、これだけではバフパッドを十分に洗浄することができない場合がある。

そこで、本願発明は、バフパッドの洗浄力を強化したバフ処理モジュールを提供すること、を目的とする。

本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、第１手段は、処理対象物を設置するためのバフテーブルと、前記処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを保持するバフヘッドと、前記バフヘッドを支持して揺動するバフアームと、前記バフパッドをドレスするためのドレッサと、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間に配置された、前記バフパッドを洗浄するためのブラシ洗浄機構と、を備える。

第２手段は、第１手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、という構成を採っている。

第３手段は、第２手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置され、前記バフヘッドが回転することによって、前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、という構成を採っている。

第４手段は、第１から３手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、という構成を採っている。

第５手段は、第４手段の構成に加え、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、という構成を採っている。

第６手段は、第１から５手段の何れかの構成に加え、前記ドレッサの近傍に台座を設け、当該台座に前記ブラシ洗浄機構を配置した、という構成を採っている。

第７手段は、第１から６手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、という構成を採っている。

第８手段は、第１から第７手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドに向けて処理液を噴射する処理液噴出口を備えている、という構成を採っている。

第９手段は、第１から第８手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの表面には中央部から外周部まで連続する溝が形成され、前記バフパッドの中央部には処理液が流出する処理液流出口が設けられており、前記処理液は、前記バフパットが前記ドレッサに当接した状態で前記処理液流出口から流出する、という構成を採っている。

第１０手段は、第９手段の構成に加え、バフパッドの最外周部近傍において前記処理液の流量を抑制する流量抑制部を備える、という構成を採っている。

第１１手段は、第１から第１０手段の何れかの構成に加え、前記ドレッサの表面にはドレッサ溝が形成されている、という構成を採っている。

第１２手段は、第１１手段の構成に加え、前記ドレッサ溝は、放射状または螺旋状である、という構成を採っている。

第１３手段は、第８手段の構成に加え、前記処理液噴出口には、処理液の流量及び圧力の少なくとも何れか一方を調整する調整弁が接続されている、という構成を採っている。

第１４手段は、第１から第１３手段の何れかの構成に加え、前記バフパッドの近傍に、処理液の飛散を防止するバフパッドカバーを備えた、という構成を採っている。

第１５手段は、第１４手段の構成に加え、前記バフアームの少なくとも一部が、前記バフパッドカバーの一部の機能を担っている、という構成を採っている。

第１６手段は、第１から第１５手段の何れかの構成に加え、前記処理液は、ＤＩＷ、薬液及びスラリーからなる群から選択される少なくとも１つの液体又はこの液体と圧縮空気との混合体である、という構成を採っている。

第１７手段は、第１６手段の構成に加え、前記各液体の供給は切替可能である、という構成を採っている。

第１８手段は、第９から第１７手段の何れかの構成に加え、前記処理液に代えて或いは処理液と共に、超音波洗浄流体によってバフパッドの洗浄を行う、という構成を採っている。

第１９手段は、第１から第１８手段の何れかのバフ処理モジュールを備える基板処理装置、という構成を採っている。

第２０手段は、処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄方法であって、前記バフパッドを保持するバフヘッドをバフアームによって支持して揺動し、前記処理対象物を設置するためのバフテーブルと前記バフパッドをドレスするためのドレッサとの間に配置されたブラシ洗浄機構によって前記バフパッドを洗浄する、という構成を採っている。

第２１手段は、第２０手段の構成に加え、前記ブラシ洗浄機構によって前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄する、という構成を採っている。

第２２手段は、第２１手段の構成に加え、前記バフヘッドを回転し、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置された前記ブラシ洗浄機構によって、前記バフパッドの全面を洗浄する、という構成を採っている。

第２３手段は、第２０から第２２手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、という構成を採っている。

第２４手段は、第２０から第２３手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構は、ロータリーアクチュエータによって回転移動するか、又はシリンダによって直線移動する、という構成を採っている。

第２５手段は、第２０から第２４手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、という構成を採っている。

第２６手段は、第２０から第２５手段の何れかの構成に加え、前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、前記ブラシ洗浄機構に設けられた処理液噴出口から処理液を噴射しながら行う、という構成を採っている。

かかる本願発明によれば、技術的効果の一例として、バフパッドの洗浄力を強化することができる。

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３（ａ）は、洗浄ユニットの平面図であり、図３（ｂ）は、洗浄ユニットの側面図である。 図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。 図５は、バフテーブルとドレステーブルとの位置関係及びバフアームの揺動を説明するための図である。 図６は、図５に開示したバフテーブルとドレステーブルにおける処理プロセスを示す図である。 図７は、図６に開示した処理プロセスを示すバフテーブル、ドレステーブル及びバフヘッドの動作を説明する図である。 図８は、バフパッドの洗浄を説明するための図であり、図８（Ａ）はバフパッドがドレッサに押し付けられた状態を示し、図８（Ｂ）ドレッサに形成されているドレッサ溝の形状を示す平面図であり、図８（Ｃ)は異なる形状のドレッサ溝を示す平面図である。 図９は、ブラシ洗浄機構を備えたバフ処理モジュールを示しており、図９（Ａ)は全体概要図であり、図９（Ｂ)はブラシ洗浄機構の詳細図である。 図１０は、ドレステーブルの近傍に設けられた台座とブラシ洗浄機構を示す図であり、図１０（Ａ）は平面図を示し、図１０（Ｂ）は一部を断面とした側面図を示す。 図１１は、バフヘッドに設けられたバフヘッドカバーを示す図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置及びコンディショニング部について、図面に基づいて説明する。
＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理装置に電源を供給する電源供給部と、基板処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセッ
トが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及
びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列される。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨さ
れたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下
側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。以下、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、上側バフ処理モジュール３００Ａのみ説明する。

＜バフ処理モジュール＞
図４は、上側バフ処理モジュール３００Ａの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。

バフテーブル４００は、ウェハＷを吸着する機構を有する。また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷに対向する面に取り付けられている。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。図示しない制御装置は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタ
イミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及びバフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及びスラリー配管７３２の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５００の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともに、バフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷに対してバフ処理を行うことができる。なお、本実施形態のバフパッドは、処理対象であるウェハよりも相当に小さな直径を有している。これは、バフ処理において高い平坦性を実現できるからである。

ここで、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリーを介在させることにより、ウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３における主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又は主研磨後のモフォロジー改善、を実現することができる。

また、バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハＷ表面の汚染物を除去した
り、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするためのものである。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０の上に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００をも回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。

＜コンディショニング部＞
次に、各種図面に基づいて、コンディショニング部８００及びバフパッド５０２に対する洗浄処理における具体的プロセスについて説明する。図５は、ウェハＷを保持しているバフテーブル４００と、バフパッド５０２をコンディショニングするためのドレッサ８２０を支持しているドレッサテーブル８１０を示している。これらドレッサ８２０およびドレッサテーブル８１０並びに他の構成要素により、コンディショニング部８００が形成されている。

コンディショニング部８００はバフテーブル４００に隣接配置されており、その位置はバフアーム６００の揺動中心Ｌに関して、バフテーブル４００と概ね同じ半径位置である。このため、バフアーム６００が揺動（図５では反時計まわりに揺動）した場合に、バフパッド５０２がコンディショニング部８００におけるドレッサ８２０の上方に位置決めできるようになっている。コンディショニング部８００においては、ドレステーブル８１０が回転して、バフパッド５０２の回転との複合作用により、バフパッド５０２の表面がドレス処理されるようになっている。

また、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間には、ブラシ洗浄機構９６０が設けられている。このブラシ洗浄機構９６０は、バフパッド５０２の表面をブラッシング洗浄するためのものである。バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間にブラシ洗浄機構９６０を設けたのは、ここがバフアーム６００の揺動によってバフパッド５０２が移動する経路となるからである。ブラシ洗浄機構９６０の具体的な構造及び作用については後述する。

図６及び図７は、バフ洗浄及びそれに関連する具体的なプロセスを説明するための図である。図６のうち、上段はバフテーブル４００でのプロセスを示し、下段はドレステーブル８１０でのプロセスを示している。これら各プロセスは同時並行的に行われる。また、図中の丸印はバフパッド５０２の位置を示している。例えば、バフ洗浄処理の時はバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置しており、その後のパッドリンス処理の際にはドレステーブル８１０に移動する。なお、図７において、バフヘッド５００の一部は、説明の便宜上断面図としている。また、本実施形態で用いられるバフヘッド５００には、半球状の凹凸面からなるジンバル機構が設けられ、バフヘッド５００が僅かに首振りできるようになっている。

先ず、バフテーブル４００においてウェハＷに対してバフ洗浄処理（ステップＳ１１)
が行われる。このとき、言うまでもなくバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置している。バフ洗浄処理では、液供給配管７４０からバフ洗浄のための処理液が供給され、バフアーム及びバフヘッド回転軸６０１（図５参照）の内部を通って、バフパッド５０２の中央部に供給される。それと同時に、回転するバフパッド５０２がウェハＷに押し付けられた状態でバフアーム６００が揺動し、バフテーブル４００と共に回転するウェハＷの表面を洗浄処理するようになっている（図７（Ａ）参照）。バフパッド５０２は次のプロセスでドレッサ８２０の上方に移動して、以後ドレス関連処理が行われるが、これについては後述する。

バフテーブル４００においては、ウェハリンス処理（ステップＳ１２)が行われる。こ
のウェハリンス処理は、ＤＩＷによってウェハＷを洗浄する処理である。ウェハＷのウェハリンス処理が完了すると、次にウェハＷはバフテーブル４００から取り出されて（ステップＳ１３)、次の工程へ搬送される。その後、バフテーブル４００はＤＩＷでバフテー
ブルリンス処理によって洗浄が行われる（ステップＳ１４）。これによりバフテーブルにおける一連のプロセスが完了し、次に処理するための新しいウェハＷが取り込まれ（ステップＳ１５)、上述の各処理プロセスが繰り返される。

一方、ドレステーブル８１０において、上記プロセスと並行して、バフパッド５０２のドレス処理が行われる。バフ洗浄（ステップＳ１１)に用いられたバフパッド５０２（図
７（Ａ）参照）は、ドレッサ８２０の上方に移動する。この時、バフパッド５０２は鉛直下方を向いている。そして、バフパッド５０２の斜め下方に配置されたバフパッド洗浄機構８３０から洗浄液（ＤＩＷ）が噴射され、バフパッド５０２の表面がパッドリンス処理（ステップＳ２２)される（図７（Ｂ）参照）。パッドリンス処理の間、バフパッド５０
２は回転しており、全面が均等に洗浄される。なお、バフパッドの洗浄に使う洗浄液として、超音波洗浄液を用いることも可能である。

次に、バフヘッド５００が降下してドレッサ８２０に当接して、バフパッド５０２に対するドレス処理（ステップＳ２３）が行われる（図７（Ｃ）参照）。ドレス処理は、バフパッド５０２の中央部に処理液が供給されている状態で行われる。ドレス処理の間は、バフパッド５０２及びドレッサ８２０が共に回転している。なお、ドレス処理は、バフパッド５０２の回転中心とドレッサ８２０の回転中心とがずれた状態で行われる。これは、バフパッド５０２とドレッサ８２０の特定部位同士が摺動し続けることを防止するための対策である。

ドレス処理が行われた後は、バフヘッド５００がブラシ洗浄機構の上方に移動し、ドレス処理後のバフパッドがブラッシング処理（ステップＳ２４）される（図７（Ｄ）参照）。また、ドレス処理（ステップＳ２３)に使用されたドレッサ８２０は、その近傍に設け
られたドレッサ洗浄機構（図示略）から噴射される洗浄液（ＤＩＷ）によって、ドレスリンス処理（ステップＳ２１)が行われる。ドレスリンス処理の間，ドレステーブル８１０
は回転しており、ドレッサ８２０の表面を均一に洗浄できるようになっている。

なお、上述の説明ではバフパッド５０２が鉛直下方を向いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バフパッド５０２が鉛直上方を向いている場合や、水平方向を向いている場合でも、本発明を適用することは可能である。

次に、図８に基づいて、ドレス処理（図６ステップＳ２３)の際のバフパッド５０２の
洗浄について詳述する。バフパッド５０２は上述したように、ドレス処理によって表面のドレッシング（目立て）が行われる。その際に、バフパッド５０２はドレッサの表面に接触した状態とされる。バフパッドの表面には、中心部から外周部に連続する溝が形成され
ている。そして、バフパッド５０２の中央部の処理液流出口５０３から処理液が流出する。流出した処理液は、バフパッド５０２の回転によって生じる遠心力及び吐出圧力により、バフパッド５０２の溝を通って外部に排出される。このため、溝に蓄積された堆積物も処理液と共に外部に排出される。上記に加え、処理液を高圧で流出させれば、溝の内部を処理液が勢いよく流れ、更に効果的に溝の内部を洗浄することが可能である。

バフパッドに形成する溝の形状は様々なものが考えられる。例えば、単純な直線状の溝を円周方向に沿って放射状に形成したり、螺旋状の溝を形成することも考えられる。また、格子状の溝を形成した場合でも、この溝がバフパッド５０２の最外周部まで連続していれば、堆積物を外部に排出することは可能である。また、溝の断面形状や断面積は、その長手方向に沿って一定である必要はない。特に、バフパッド５０２は高速回転するものであるため、溝の構造に何ら工夫を施さない場合、処理液が広範囲に飛散してしまうこともある。これを回避するために、バフパッド５０２の最外周部近傍において溝に流量抑制部を形成して、因みに、図８（Ａ）においては、説明の便宜上、バフヘッド５００の回転軸６０１の内部に処理液の流路が形成され、この処理液がバフパッド５０２の中央部の処理液流出口５０３に滞留している状態を示している。そしてさらに、処理液がバフパッド５０２とドレッサ８２０の境界領域にも滞留している状態を示している。

図８（Ｂ）及び図８（Ｃ)は、ドレッサ８２０Ａ，８２０Ｂの表面に形成されたドレッ
サ溝８２１Ａ，８２１Ｂを示している。図８（Ｂ）のドレッサ溝８２１Ａは放射状の溝である。このような放射状の溝であれば、遠心力によって円滑に処理液が排出される。この時、バフパッド５０２の溝から剥離した堆積物が比較的大きなサイズであっても、ドレッサ８２０Ａのドレッサ溝８２１Ａを容易に通過できる。このため、バフパッド５０２の溝のみで堆積物を排出する場合と比較し、排出効果を高めることができる。

図８（Ｃ）は、ドレッサ８２０Ｂに形成された螺旋状のドレッサ溝８２１Ｂを示している。螺旋状のドレッサ溝８２１Ｂは、回転方向と回転速度を適切に設定することで、放射状のドレッサ溝８２１Ａよりも堆積物の排出効果を高めることができる場合がある。なお、ドレッサ溝は、放射状の溝と螺旋状の溝を組み合わせたような構造であってもよい。また、本実施形態では、約１０°の角度毎に合計３６本の溝を形成しているが、これは一例であって、溝の数をもっと少なくしても良いし、もっと多くしてもよい。

図９は、ドレッサテーブル８１０の近傍に、ブラシ洗浄機構９６０を設けた実施形態を示している。図９（Ａ）において、ブラシ洗浄機構９６０は、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間の領域に配置されている。このため、バフヘッド５００及びバフパッド５０２が、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間を通過する際に、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄機構９６０と接触して（図７（Ｄ）参照）、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄される。なお、ブラシ洗浄機構は、バフパッド５０２の移動の妨げになる場合もある。このため、ブラシ洗浄機構を昇降させたり、バフパッドの移動経路から水平方向に退避させるような機構を設けてもよい。本実施形態は、ブラシ洗浄機構９６０を設けることによって、ドレッサ８２０を用いてバフパッド５０２を洗浄することに加えて、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２を洗浄することができる。その結果、本実施形態によれば、バフパッド５０２の洗浄力を強化することができる。

本実施形態のブラシ洗浄機構９６０は、バフパッド５０２の少なくとも半径分程度をカバーできる寸法であればよい。これは、バフパッド５０２自体が回転しており、バフパッド５０２が１回転することで全面がブラシ洗浄機構９６０と接触することができるからである。但し、ブラシ洗浄機構９６０がバフパッド５０２の直径分をカバーするように、ブラシ洗浄機構９６０の寸法、位置を設定してもよい。

図９（Ｂ）は、ブラシ洗浄機構９６０の詳細図である。この図に示すように、ブラシ洗浄機構９６０は、ブラシ部９６１と、このブラシ部９６１を支持する本体部９６３とを備えている。そして本体部９６３の内部には液体流通路９６５が形成されている。また、本体部９６３の上面には、ブラシ部材９６１の隙間から液体を噴出されるための液体噴出口９６７が形成されている。そして、この液体噴出口９６７は液体流通路９６５に連通している。このため、液体流通路９６５に高圧の液体が供給されると、液体噴出口９６７から液体（洗浄液）９６９が噴出する。

また、図１０は、ドレステーブル８１０の近傍に台座９７０を設け、その台座９７０にブラシ洗浄機構９６０を設けた例を示している。図に示すように、台座９７０はドレステーブル８１０の外周部に沿うように、円弧状の部分を有しており、所定の角度範囲にわたってドレステーブル８１０に近接している。台座９７０の表面は、ドレッサ８２０のほぼ同一面となるように位置決めされている。これは、バフヘッド５００にはジンバル機構が設けられており、台座９７０とドレッサ８２０の高さが異なると、バフヘッド５００が傾いてしまうからである。

そして、この台座９７０には、ブラシ洗浄機構手段が固定されている。ブラシ洗浄機構９６０は、台座９７０の表面からブラシ部９６１が突出するようになっており、このブラシ部がバフパッド５０２の表面と接触してブラシ洗浄する。ブラシ洗浄機構９６０は、一例ではあるが、ドレステーブル８１０の半径方向に平行な方向に延びている。このような、ブラシ洗浄機構９６０と台座９７０が設けられている場合にも、バフテーブル４００とドレステーブル８１０との間をバフパッド５０２が移動することで、バフパッド５０２の表面がブラシ洗浄機構９６０によって洗浄される。

次に、図１１に基づいて、飛散防止用のカバーの変形例について説明する。図１１に示す例では、バフヘッド５００にバフヘッドカバー９１０が取り付けられている。すなわち、バフヘッド５００の所定箇所に有底円筒形状のバフヘッドカバー９１０が、開口を下方に向けて設けられている。バフヘッドカバー９１０は、その下端部がドレッサ８２０の表面よりも僅かに高い位置となるように、その寸法及び形状が決定されている。また、バフヘッドカバー９１０の内径は、ドレッサ８２０の直径よりも大きくなっている。このため、バフパッド５０２とドレッサ８２０との境界から流出した処理液が遠心力で飛散しても、このバフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。特に、バフヘッドカバー９１０はバフアームと共に揺動するので、常にバフパッド及びドレッサから飛散する処理液や洗浄液を受け止めることができる。また、バフヘッドカバー９１０は、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２の表面を洗浄する際の洗浄液の飛散防止用のカバーの役割も兼用する。すなわち、ブラシ洗浄機構９６０によってバフパッド５０２の表面を洗浄する際に、液体噴出口９６７から噴出した液体（洗浄液）９６９がバフパッド５０２から飛散しても、バフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。

なお、以上の説明では、様々な特徴点について説明した。これらの特徴点を併せ持つ発明も本出願が想定する発明ではある。しかし一方で、各特徴点がそれぞれ単独でも発明として成立する場合がある。このため、本発明の技術思想の範囲としては、上記各特徴点それぞれが単独で規定する範囲のみならず、これらの特徴点の任意の組み合わせによって規定される範囲も本発明の想定する範囲である。

３００ バフ処理モジュール
４００ バフテーブル
５００ バフヘッド
５０２ バフパッド
５０３ 液体流出口
６００ バフアーム
６０１ 回転軸
８００ コンディショニング部
８１０ ドレステーブル
８２０，８２０Ａ，８２０Ｂ ドレッサ
８２１Ａ，８２１Ｂ ドレッサ溝
９１０ バフヘッドカバー
９６０ ブラシ洗浄機構
９６１ ブラシ部
９６３ 本体部
９６５ 液体流通路
９６７ 液体噴出口
９７０ 台座
１０００ 基板処理装置
Ｌ バフアームの揺動中心
Ｗ ウェハ

Claims (19)

1. 処理対象物を設置するためのバフテーブルと、
   前記処理対象物に対して所定の処理を行うためのバフパッドを保持するバフヘッドと、
   前記バフヘッドを支持して揺動するバフアームと、
   前記バフパッドをドレスするためのドレッサと、
   前記バフテーブルと前記ドレッサとの間に配置された、前記バフパッドを洗浄するためのブラシ洗浄機構と、を備え、
   前記バフパッド表面に洗浄液を供給してリンス処理するバフパッド洗浄機構が前記ドレッサの近傍に配置されている、
   バフ処理モジュール。
2. 前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、
   請求項１に記載のバフ処理モジュール。
3. 前記ブラシ洗浄機構は、前記バフテーブルと前記ドレッサとの間を移動する前記バフパッドの半径部分に接触できるように配置され、前記バフヘッドが回転することによって、前記バフパッドの全面を洗浄可能になっている、
   請求項２に記載のバフ処理モジュール。
4. 前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドの移動経路に対して進入退避可能である、請求項１から３の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。
5. 前記ブラシ洗浄機構は、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、請求項４に記載のバフ処理モジュール。
6. 前記ドレッサの近傍に台座を設け、当該台座に前記ブラシ洗浄機構を配置した、請求項
   １から５の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
7. 前記ブラシ洗浄機構による洗浄は、ドレス処理の前、ドレス処理中及びドレス処理後の少なくとも何れかの段階で行う、請求項１から６の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
8. 前記ブラシ洗浄機構は、前記バフパッドに向けて洗浄液を噴射する液体噴出口を備えている、請求項１から７の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
9. 前記バフパッド洗浄機構は、洗浄液としてＤＩＷ又は超音波洗浄流体を用いる、請求項１から８の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
10. 前記バフパッドの表面には中央部から外周部まで連続する溝が形成され、前記バフパッドの中央部には処理液が流出する処理液流出口が設けられており、
    前記処理液は、前記バフパッドが前記ドレッサに当接した状態で前記処理液流出口から流出する、請求項１から９の何れか１項のバフ処理モジュール。
11. 前記バフパッドの溝は、バフパッドの最外周部近傍において前記処理液の流量を抑制する流量抑制部を備える、請求項１０に記載のバフ処理モジュール。
12. 前記ドレッサの表面にはドレッサ溝が形成されている、請求項１から１１の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。
13. 前記ドレッサ溝は、放射状または螺旋状である、請求項１２に記載のバフ処理モジュール。
14. 前記処理液流出口から流出する前記処理液の圧力は調整可能である、請求項１０に記載のバフ処理モジュール。
15. 前記バフパッドの近傍に、処理液の飛散を防止するバフヘッドカバーを備えた、請求項１から１４の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
16. 前記バフアームの少なくとも一部が、前記バフヘッドカバーの一部の機能を担っている、請求項１５に記載のバフ処理モジュール。
17. 前記処理液は、ＤＩＷ、薬液及びスラリーからなる群から選択される少なくとも１つの液体又はこの液体と圧縮空気との混合体である、請求項１０、１１、１４の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
18. 前記各液体の供給は切替可能である、請求項１７に記載のバフ処理モジュール。
19. 請求項１から１８の何れか一項に記載のバフ処理モジュールを備える、基板処理装置。

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