JP3231659B2 - 自動研磨装置 - Google Patents
自動研磨装置Info
- Publication number
- JP3231659B2 JP3231659B2 JP11153797A JP11153797A JP3231659B2 JP 3231659 B2 JP3231659 B2 JP 3231659B2 JP 11153797 A JP11153797 A JP 11153797A JP 11153797 A JP11153797 A JP 11153797A JP 3231659 B2 JP3231659 B2 JP 3231659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- station
- index table
- device pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 445
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 252
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 88
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 65
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N Methyl ethyl ketone Natural products CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000011001 backwashing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の研磨装置、
特に半導体デバイスパターンが形成された半導体ウエハ
の表面を高度に平坦化処理する装置に関する。
特に半導体デバイスパターンが形成された半導体ウエハ
の表面を高度に平坦化処理する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６２−１０２５４３に記載されて
いるウエハに配線構造を形成する製造方法を図１７
（ａ），（ｂ）に示す。この方法は、シリコン基板５０
上の表面の平坦な層間絶縁膜５１に配線溝５２を形成
し、配線溝５２を埋め込むように金属膜５３を成長し
（図１７（ａ））、さらに層間絶縁膜５１上の金属膜５
３を化学機械研磨法（以後、ＣＭＰ法と呼ぶ）により選
択的に除去することで、配線溝５２に選択的に金属を埋
め込む配線５３ａを製造するものである（図１７
（ｂ））。このような配線の製造方法の場合には、いか
に精度良く金属膜を薄膜化し、研磨していくかが非常に
重要である。
いるウエハに配線構造を形成する製造方法を図１７
（ａ），（ｂ）に示す。この方法は、シリコン基板５０
上の表面の平坦な層間絶縁膜５１に配線溝５２を形成
し、配線溝５２を埋め込むように金属膜５３を成長し
（図１７（ａ））、さらに層間絶縁膜５１上の金属膜５
３を化学機械研磨法（以後、ＣＭＰ法と呼ぶ）により選
択的に除去することで、配線溝５２に選択的に金属を埋
め込む配線５３ａを製造するものである（図１７
（ｂ））。このような配線の製造方法の場合には、いか
に精度良く金属膜を薄膜化し、研磨していくかが非常に
重要である。
【０００３】図１８は、従来の配線構造の研磨装置（Ｃ
ＭＰ装置）の一例を示す。従来のＣＭＰ装置は、半導
体デバイスパターンの形成された半導体ウエハをＣＭＰ
装置に搬入・搬出するためのウエハ搬送系６１，ポリ
ウエレタンシート等の研磨パッド６３が張られた回転大
口径研磨定盤６２，ウエハ搬送系６１からウエハｗを
受け取り、研磨パッド６３上にウエハ面を押し付ける回
転ウエハ保持ヘッド６４，研磨パッド６３に１００〜
５００μｍ程度のダイヤモンド微粒子を電着させた回転
円盤を用いて研磨パッド６３の表面を目立てする研磨パ
ッドコンディショナ６５，純水にシリカ粒子を分散さ
せたスラリ（研磨液）の供給部６６からなる。このＣＭ
Ｐ装置では、ウエハ直径の２倍以上の研磨定盤６２に張
られた研磨パッド６３が上向面であり、ウエハの研磨面
が下向面となっている。研磨スラリはパイプ６６ａを通
じて研磨パッド６３上に直接滴下され、上向きとなって
いる研磨パッド６３上に液膜となって保持されてウエハ
表面に至る。また、下向きとなっている研磨パッドコン
ディショナが、研磨パッド面に下降することで研磨パッ
ド表面を目立てする方式となっている。
ＭＰ装置）の一例を示す。従来のＣＭＰ装置は、半導
体デバイスパターンの形成された半導体ウエハをＣＭＰ
装置に搬入・搬出するためのウエハ搬送系６１，ポリ
ウエレタンシート等の研磨パッド６３が張られた回転大
口径研磨定盤６２，ウエハ搬送系６１からウエハｗを
受け取り、研磨パッド６３上にウエハ面を押し付ける回
転ウエハ保持ヘッド６４，研磨パッド６３に１００〜
５００μｍ程度のダイヤモンド微粒子を電着させた回転
円盤を用いて研磨パッド６３の表面を目立てする研磨パ
ッドコンディショナ６５，純水にシリカ粒子を分散さ
せたスラリ（研磨液）の供給部６６からなる。このＣＭ
Ｐ装置では、ウエハ直径の２倍以上の研磨定盤６２に張
られた研磨パッド６３が上向面であり、ウエハの研磨面
が下向面となっている。研磨スラリはパイプ６６ａを通
じて研磨パッド６３上に直接滴下され、上向きとなって
いる研磨パッド６３上に液膜となって保持されてウエハ
表面に至る。また、下向きとなっている研磨パッドコン
ディショナが、研磨パッド面に下降することで研磨パッ
ド表面を目立てする方式となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記ＣＭＰ装置による
ときにはウエハおよび研磨定盤の回転速度の増加と研磨
圧力の増加により、金属膜の研磨速度を大きくすること
ができるが、金属膜表面への傷の発生を抑制するには低
圧力・高速回転が望ましい。しかしながら、このＣＭＰ
装置では大口径の研磨定盤を回転する必要があり、低圧
力・高速回転の研磨条件（例えば、定盤回転速度＝３０
０ｒｐｍ，研磨圧力＝０．１ｋｇ／ｃｍ2）を達成する
ことは不可能であった。また、研磨パッドが上向きとな
っているため研磨パッド上に研磨パッドコンディショナ
からのダイヤモンド粒子が脱落しやすい構造となってお
り、滑落ダイヤモンド粒子により金属膜に傷を発生させ
る場合があった。
ときにはウエハおよび研磨定盤の回転速度の増加と研磨
圧力の増加により、金属膜の研磨速度を大きくすること
ができるが、金属膜表面への傷の発生を抑制するには低
圧力・高速回転が望ましい。しかしながら、このＣＭＰ
装置では大口径の研磨定盤を回転する必要があり、低圧
力・高速回転の研磨条件（例えば、定盤回転速度＝３０
０ｒｐｍ，研磨圧力＝０．１ｋｇ／ｃｍ2）を達成する
ことは不可能であった。また、研磨パッドが上向きとな
っているため研磨パッド上に研磨パッドコンディショナ
からのダイヤモンド粒子が脱落しやすい構造となってお
り、滑落ダイヤモンド粒子により金属膜に傷を発生させ
る場合があった。
【０００５】また、ウエハ表面を平坦化処理する場合
に、従来は、第１の研磨定盤と、第２の研磨定盤との２
基の研磨定盤を用いて２段処理により行われていた。す
なわち、第１の研磨定盤は硬質の研磨布が貼られたもの
であり、粗研磨による平坦化処理に用いられ、第２の研
磨定盤は軟質の研磨布が貼られたものであり、仕上げ処
理に用いられる。実際の研磨に際しては、両研磨定盤を
回転駆動しつつ、まず第１の研磨定盤にウエハを押付
け、ウエハの銅薄膜表面を粗研磨して平坦化した後、第
２の研磨定盤に平坦化されたウエハの表面を押し付けて
仕上げ処理を行っていた。
に、従来は、第１の研磨定盤と、第２の研磨定盤との２
基の研磨定盤を用いて２段処理により行われていた。す
なわち、第１の研磨定盤は硬質の研磨布が貼られたもの
であり、粗研磨による平坦化処理に用いられ、第２の研
磨定盤は軟質の研磨布が貼られたものであり、仕上げ処
理に用いられる。実際の研磨に際しては、両研磨定盤を
回転駆動しつつ、まず第１の研磨定盤にウエハを押付
け、ウエハの銅薄膜表面を粗研磨して平坦化した後、第
２の研磨定盤に平坦化されたウエハの表面を押し付けて
仕上げ処理を行っていた。
【０００６】第１及び第２の研磨定盤は、前述のように
研磨するウエハの大きさに比してはるかに大型であり、
ウエハの平坦化並びに仕上げ処理に２基の大型の研磨定
盤を用いたのでは、限られた工場内のスペースを大きく
専有することとなって、空間の利用効率が低下する。殊
に、最近のウエハの大型化に伴い研磨定盤も益々大型化
に向かう傾向にあり、研磨定盤の設置スペース確保の問
題は、いずれ深刻な問題になってくることが予想され
る。さらには、大型の研磨定盤の全体に研磨液をゆき渡
らせる必要から大量の研磨液を要し、これがランニング
コストを上昇させ、使用済の研磨液の処分が大きな環境
問題となっていた。また、２基の研磨定盤を用いること
の今一つの問題は、両研磨定盤間にウエハを移し替える
ための時間的ロスの問題である。
研磨するウエハの大きさに比してはるかに大型であり、
ウエハの平坦化並びに仕上げ処理に２基の大型の研磨定
盤を用いたのでは、限られた工場内のスペースを大きく
専有することとなって、空間の利用効率が低下する。殊
に、最近のウエハの大型化に伴い研磨定盤も益々大型化
に向かう傾向にあり、研磨定盤の設置スペース確保の問
題は、いずれ深刻な問題になってくることが予想され
る。さらには、大型の研磨定盤の全体に研磨液をゆき渡
らせる必要から大量の研磨液を要し、これがランニング
コストを上昇させ、使用済の研磨液の処分が大きな環境
問題となっていた。また、２基の研磨定盤を用いること
の今一つの問題は、両研磨定盤間にウエハを移し替える
ための時間的ロスの問題である。
【０００７】すなわち、ウエハの研磨には研磨液（スラ
リ）を用い、研磨液を供給しつつチャックに加わえたウ
エハを研磨定盤に押し付けて研磨が行われるが、第１研
磨定盤から第２研磨定盤に移行させるためにはウエハを
第１研磨定盤側のチャックから外し、さらに第２研磨定
盤側のチャックに付け替えなければならない。この付け
替えに時間がかかると半導体ウエハに付着した研磨液が
乾燥し、これがウエハ上の傷となり、また、ウエハがエ
ッチングされるという問題を生ずる。さらに、従来はチ
ャッキングしたウエハを下向きにして大径の研磨定盤に
押し付けるという方式であったため、ウエハの研磨面を
全く観察することができず、研磨状況を把握することが
できなかった。
リ）を用い、研磨液を供給しつつチャックに加わえたウ
エハを研磨定盤に押し付けて研磨が行われるが、第１研
磨定盤から第２研磨定盤に移行させるためにはウエハを
第１研磨定盤側のチャックから外し、さらに第２研磨定
盤側のチャックに付け替えなければならない。この付け
替えに時間がかかると半導体ウエハに付着した研磨液が
乾燥し、これがウエハ上の傷となり、また、ウエハがエ
ッチングされるという問題を生ずる。さらに、従来はチ
ャッキングしたウエハを下向きにして大径の研磨定盤に
押し付けるという方式であったため、ウエハの研磨面を
全く観察することができず、研磨状況を把握することが
できなかった。
【０００８】本発明の目的は、インデックステーブルを
用い、ウエハ搬入，研磨並びに搬出を同時並行に行い、
あわせて上記、従来のＣＭＰ装置の保有する問題点を一
挙に解消しうる半導体装置の製造方法及びウエハの自動
研磨装置を提供することにある。
用い、ウエハ搬入，研磨並びに搬出を同時並行に行い、
あわせて上記、従来のＣＭＰ装置の保有する問題点を一
挙に解消しうる半導体装置の製造方法及びウエハの自動
研磨装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る自動研磨装置は、インデックステーブ
ルとポリッシングヘッドとを有する自動研磨装置であっ
て、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上
のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバ
イスパターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送
りが与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ス
テーションを有し、前記研磨ステーションは、インデッ
クステーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパタ
ーン面を研磨処理する領域であり、 さらに前記インデッ
クステーブルは、複数のホルダを有し、各ホルダは、イ
ンデックステーブル上に搬入されデバイスパターン面を
上向きにウエハを吸着保持するものであり、研磨ステー
ションにて下方に設置されている回転駆動部とクラッチ
接続されることで該ホルダは一方向に回転駆動され、ポ
リッシングヘッドによる研磨処理中のウエハを回転駆動
するものであり、 更に前記ホルダはバキュームチャック
であり、チャック洗浄手段を有し、該チャック洗浄手段
は、インデックステーブル上へのデバイスパターン形成
ウエハの搬入に先立ち、インデックステーブルの下方に
設置されている配管とクラッチ接続されることで純水を
バキュムチャックの吸着面より噴出させて上方より回転
円盤を押し当てることでデバイスパターン形成ウエハの
裏面を吸着すべきバキュームチャックの吸着面を洗浄す
るものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデック
ッステーブル上方に設置され、ウエハ面と平行対向する
回転研磨面を有し、研磨面は、研磨ステーションに搬入
されてきたウエハのデバイスパターン形成面を上方から
研磨するものである。
め、本発明に係る自動研磨装置は、インデックステーブ
ルとポリッシングヘッドとを有する自動研磨装置であっ
て、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上
のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバ
イスパターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送
りが与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ス
テーションを有し、前記研磨ステーションは、インデッ
クステーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパタ
ーン面を研磨処理する領域であり、 さらに前記インデッ
クステーブルは、複数のホルダを有し、各ホルダは、イ
ンデックステーブル上に搬入されデバイスパターン面を
上向きにウエハを吸着保持するものであり、研磨ステー
ションにて下方に設置されている回転駆動部とクラッチ
接続されることで該ホルダは一方向に回転駆動され、ポ
リッシングヘッドによる研磨処理中のウエハを回転駆動
するものであり、 更に前記ホルダはバキュームチャック
であり、チャック洗浄手段を有し、該チャック洗浄手段
は、インデックステーブル上へのデバイスパターン形成
ウエハの搬入に先立ち、インデックステーブルの下方に
設置されている配管とクラッチ接続されることで純水を
バキュムチャックの吸着面より噴出させて上方より回転
円盤を押し当てることでデバイスパターン形成ウエハの
裏面を吸着すべきバキュームチャックの吸着面を洗浄す
るものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデック
ッステーブル上方に設置され、ウエハ面と平行対向する
回転研磨面を有し、研磨面は、研磨ステーションに搬入
されてきたウエハのデバイスパターン形成面を上方から
研磨するものである。
【００１０】また本発明に係る自動研磨装置は、インデ
ックステーブルとポリッシングヘッドとを有する自動研
磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なく
とも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ
定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して所定角
度毎の転回送りが与えられるものであり、少なくとも１
個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステーション
は、インデックステーブル上に搬入されてきたウエハの
デバイスパターン面を研磨処理する領域であり、 さらに
前記インデックステーブルは、複数のホルダを有し、各
ホルダは、インデックステーブル上に搬入されデバイス
パターン面を上向きにウエハを吸着保持するものであ
り、研磨ステーションにて下方に設置されている回転駆
動部とクラッチ接続されることで該ホルダは一方向に回
転駆動され、ポリッシングヘッドによる研磨処理中のウ
エハを回転駆動するものであり、 更に前記ホルダはバキ
ュームチャックであり、インデックステーブルの下方に
設置されている配管とクラッチ接続されることで、バキ
ュームチャックにデバイス形成ウエハの裏面を吸着する
ための真空が与えられ、かつホルダ周辺部に純水を供給
するものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデッ
クッステーブル上方に設置され、ウエハ面と平行対向す
る回転研磨面を有し、研磨面は、研磨ステーションに搬
入されてきたウエハのデバイスパターン形成面を上方か
ら研磨するものである。
ックステーブルとポリッシングヘッドとを有する自動研
磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なく
とも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ
定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して所定角
度毎の転回送りが与えられるものであり、少なくとも１
個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステーション
は、インデックステーブル上に搬入されてきたウエハの
デバイスパターン面を研磨処理する領域であり、 さらに
前記インデックステーブルは、複数のホルダを有し、各
ホルダは、インデックステーブル上に搬入されデバイス
パターン面を上向きにウエハを吸着保持するものであ
り、研磨ステーションにて下方に設置されている回転駆
動部とクラッチ接続されることで該ホルダは一方向に回
転駆動され、ポリッシングヘッドによる研磨処理中のウ
エハを回転駆動するものであり、 更に前記ホルダはバキ
ュームチャックであり、インデックステーブルの下方に
設置されている配管とクラッチ接続されることで、バキ
ュームチャックにデバイス形成ウエハの裏面を吸着する
ための真空が与えられ、かつホルダ周辺部に純水を供給
するものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデッ
クッステーブル上方に設置され、ウエハ面と平行対向す
る回転研磨面を有し、研磨面は、研磨ステーションに搬
入されてきたウエハのデバイスパターン形成面を上方か
ら研磨するものである。
【００１１】また本発明に係る自動研磨装置は、インデ
ックステーブルと、ポリッシングヘッドと、パッドコン
ディショナ手段と、パッドクリーニング手段とを有する
自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、
少なくとも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそ
れぞれ定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して
所定角度毎の転回送りが与えられるものであり、少なく
とも１個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステー
ションは、インデックステーブル上に搬入されてきたウ
エハのデバイスパターン面を研磨処理する領域であり、
前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あり、 前記パッドコンディショナ手段と前記パッドクリ
ーニング手段とは、インデックステーブルの研磨ステー
ションの後退位置に設けられ、 前記パッドコンディショ
ナ手段は、研磨ステーションに下向きに設置されたポリ
ッシングヘッドの研磨面の目立てを行うものであり、 前
記パッドクリーニング手段は、目立て後のポリッシング
ヘッドに残留する研磨粉や砥粉を除去するものであり、
研磨ステーションの後退位置にポリッシングヘッドが後
退移動することで研磨面のコンディショニングとクリー
ニングとを行うものである。
ックステーブルと、ポリッシングヘッドと、パッドコン
ディショナ手段と、パッドクリーニング手段とを有する
自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、
少なくとも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそ
れぞれ定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して
所定角度毎の転回送りが与えられるものであり、少なく
とも１個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステー
ションは、インデックステーブル上に搬入されてきたウ
エハのデバイスパターン面を研磨処理する領域であり、
前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あり、 前記パッドコンディショナ手段と前記パッドクリ
ーニング手段とは、インデックステーブルの研磨ステー
ションの後退位置に設けられ、 前記パッドコンディショ
ナ手段は、研磨ステーションに下向きに設置されたポリ
ッシングヘッドの研磨面の目立てを行うものであり、 前
記パッドクリーニング手段は、目立て後のポリッシング
ヘッドに残留する研磨粉や砥粉を除去するものであり、
研磨ステーションの後退位置にポリッシングヘッドが後
退移動することで研磨面のコンディショニングとクリー
ニングとを行うものである。
【００１２】また本発明に係る自動研磨装置は、インデ
ックステーブルとポリッシングヘッドとを有する自動研
磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なく
とも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ
定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して所定角
度毎の転回送りが与えられるものであり、少なくとも１
個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステーション
は、インデックステーブル上に搬入されてきたウエハの
デバイスパターン面を研磨処理する領域であり、 前記ポ
リッシングヘッドは、インデックッステーブル上方に設
置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有し、研
磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエハのデ
バイスパターン形成面を上方から研磨するものであり、
さらにインデックステーブル上に設置されたレールをガ
イドとして往復運動する前記ポリッシングヘッドは、ダ
イアフラムを介して高圧空気による加圧で三次元方向に
揺動可能であり、ポリッシングヘッドの往復運動中も研
磨面は、研磨処理中のデバイスパターン形成ウエハに対
して平行の姿勢が保持されるものである。
ックステーブルとポリッシングヘッドとを有する自動研
磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なく
とも２枚以上のデバイスパターン形成ウエハをそれぞれ
定位置のデバイスパターン面を上向きに保持して所定角
度毎の転回送りが与えられるものであり、少なくとも１
個所の研磨ステーションを有し、前記研磨ステーション
は、インデックステーブル上に搬入されてきたウエハの
デバイスパターン面を研磨処理する領域であり、 前記ポ
リッシングヘッドは、インデックッステーブル上方に設
置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有し、研
磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエハのデ
バイスパターン形成面を上方から研磨するものであり、
さらにインデックステーブル上に設置されたレールをガ
イドとして往復運動する前記ポリッシングヘッドは、ダ
イアフラムを介して高圧空気による加圧で三次元方向に
揺動可能であり、ポリッシングヘッドの往復運動中も研
磨面は、研磨処理中のデバイスパターン形成ウエハに対
して平行の姿勢が保持されるものである。
【００１３】またローディングステーションと、アンロ
ーディングステーションとを有し、 ローディングステー
ションと、アンローディングステーションとは、所定角
度毎の転回送りが与えられるインデックステーブルの停
止位置に割り当てられたものであり、 ローディングステ
ーションではインデックステーブル上にデバイスパター
ン面を上向きにウエハの周縁を保持して搬入する領域で
あり、 アンローディングステーションは、研磨処理後の
ウエハの周縁を保持してインデックステーブル上から搬
出する領域である。
ーディングステーションとを有し、 ローディングステー
ションと、アンローディングステーションとは、所定角
度毎の転回送りが与えられるインデックステーブルの停
止位置に割り当てられたものであり、 ローディングステ
ーションではインデックステーブル上にデバイスパター
ン面を上向きにウエハの周縁を保持して搬入する領域で
あり、 アンローディングステーションは、研磨処理後の
ウエハの周縁を保持してインデックステーブル上から搬
出する領域である。
【００１４】またアンロードステーションにデバイスパ
ターン形成ウエハの表面洗浄手段を有し、 ウエハ表面洗
浄手段は、インデックステーブルの転回送りされてきた
研磨終了後のウエハのパターン形成面を洗浄するもので
ある。
ターン形成ウエハの表面洗浄手段を有し、 ウエハ表面洗
浄手段は、インデックステーブルの転回送りされてきた
研磨終了後のウエハのパターン形成面を洗浄するもので
ある。
【００１５】また研磨ステーションとは、一次研磨ステ
ーションと二次研磨ステーションとであり、 一次研磨ス
テーションと二次研磨ステーションとは、一定角度毎の
転回送りが与えられるインデックステーブルの停止位置
に割り付けられたものであり、それぞれポリッシングヘ
ッドを有し、 一次研磨ステーションは、ウエハのデバイ
スパターン形成面を粗研磨して平坦化するステーション
であり、 二次研磨ステーションは、平坦化処理後のウエ
ハのデバイスパターン形成面を仕上げするものである。
ーションと二次研磨ステーションとであり、 一次研磨ス
テーションと二次研磨ステーションとは、一定角度毎の
転回送りが与えられるインデックステーブルの停止位置
に割り付けられたものであり、それぞれポリッシングヘ
ッドを有し、 一次研磨ステーションは、ウエハのデバイ
スパターン形成面を粗研磨して平坦化するステーション
であり、 二次研磨ステーションは、平坦化処理後のウエ
ハのデバイスパターン形成面を仕上げするものである。
【００１６】またポリッシングヘッドは、回転軸心に給
液孔を有し、 給液孔は、研磨液を研磨面に供給するもの
である。
液孔を有し、 給液孔は、研磨液を研磨面に供給するもの
である。
【００１７】また研磨終了時に回転ポリッシンングヘッ
ドの中心部から供給される研磨液を洗浄水に切替て、デ
バイスパターン形成ウエハ表面から研磨液を取り除くも
のである。
ドの中心部から供給される研磨液を洗浄水に切替て、デ
バイスパターン形成ウエハ表面から研磨液を取り除くも
のである。
【００１８】またデバイスパターン形成ウエハの表面検
知手段を有し、 ウエハ表面検知手段は光照射によるデバ
イスパターン形成面の表面性状の変化から研磨処理の終
了時期を検知するものである。
知手段を有し、 ウエハ表面検知手段は光照射によるデバ
イスパターン形成面の表面性状の変化から研磨処理の終
了時期を検知するものである。
【００１９】またデバイスパターン形成ウエハ上のレー
ザ照射面をエアブローして加工液を部分的に排除するも
のである。
ザ照射面をエアブローして加工液を部分的に排除するも
のである。
【００２０】
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に本発明による自動研磨装置
を、半導体ウエハの一次研磨と、二次研磨との二段階研
磨によって表面を平坦化処理する装置に適用した例につ
いてその実施形態を説明する。
を、半導体ウエハの一次研磨と、二次研磨との二段階研
磨によって表面を平坦化処理する装置に適用した例につ
いてその実施形態を説明する。
【００２２】図１，２において、本発明による研磨装置
においては、インデックステーブル１を有し、インデッ
クステーブル１の周上にローディングステーションＳ1
と、一次研磨ステーションＳ2と、二次研磨ステーショ
ンＳ3と、アンローディングステーションＳ4とが設定さ
れたものである。インデックステーブル１は、ウエハを
保持させる複数のホルダ２を同心上に有し、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4に順次転回送りが与えられ、各ステーショ
ンＳ1〜Ｓ4は、インデックステーブル１の停止位置に割
り付けられたものである。
においては、インデックステーブル１を有し、インデッ
クステーブル１の周上にローディングステーションＳ1
と、一次研磨ステーションＳ2と、二次研磨ステーショ
ンＳ3と、アンローディングステーションＳ4とが設定さ
れたものである。インデックステーブル１は、ウエハを
保持させる複数のホルダ２を同心上に有し、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4に順次転回送りが与えられ、各ステーショ
ンＳ1〜Ｓ4は、インデックステーブル１の停止位置に割
り付けられたものである。
【００２３】ローディングステーションＳ1は、インデ
ックステーブル１上にウエハを搬入する領域であり、ア
ンローディングステーションＳ4は、テーブル１上から
ウエハを搬出する領域である。この実施形態において、
一次研磨ステーションＳ2は、インデックステーブル１
上に搬入されたウエハの表面を平坦化処理する領域であ
り、二次研磨ステーションＳ3は、平坦化処理後のウエ
ハの表面を仕上げ処理する領域である。
ックステーブル１上にウエハを搬入する領域であり、ア
ンローディングステーションＳ4は、テーブル１上から
ウエハを搬出する領域である。この実施形態において、
一次研磨ステーションＳ2は、インデックステーブル１
上に搬入されたウエハの表面を平坦化処理する領域であ
り、二次研磨ステーションＳ3は、平坦化処理後のウエ
ハの表面を仕上げ処理する領域である。
【００２４】インデックステーブル１の上面は、回転中
心を含んで９０°の間隔で隔壁１ａより４区画され、そ
れぞれの区画にホルダ２を装備したものである。図３に
おいて、インデックステーブル１はステッピングモータ
３で駆動されて回転角９０°ずつ転回し、インデックス
テーブル１の停止位置に割付けられたステーションに順
次ホルダ２を移送する。ホルダ２は、ウエハを保持する
ものであり、この実施形態ではウエハを吸着するバキュ
ームチャック４を上面に有している。一方、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4には、それぞれホルダ２を駆動するモータ
５が設置されている。ホルダ２は、ベアリング１ａを介
してインデックステーブル１に支持されており、電磁ク
ラッチ６を有し、電磁クラッチ６でモータ５に接続する
ことによって、モータ５と連動し、各ステーションに移
送されてきたホルダ２は、それぞれのモータ５の回転速
度で一方向に回転駆動される。
心を含んで９０°の間隔で隔壁１ａより４区画され、そ
れぞれの区画にホルダ２を装備したものである。図３に
おいて、インデックステーブル１はステッピングモータ
３で駆動されて回転角９０°ずつ転回し、インデックス
テーブル１の停止位置に割付けられたステーションに順
次ホルダ２を移送する。ホルダ２は、ウエハを保持する
ものであり、この実施形態ではウエハを吸着するバキュ
ームチャック４を上面に有している。一方、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4には、それぞれホルダ２を駆動するモータ
５が設置されている。ホルダ２は、ベアリング１ａを介
してインデックステーブル１に支持されており、電磁ク
ラッチ６を有し、電磁クラッチ６でモータ５に接続する
ことによって、モータ５と連動し、各ステーションに移
送されてきたホルダ２は、それぞれのモータ５の回転速
度で一方向に回転駆動される。
【００２５】ホルダ２には、インデックステーブル１と
一体となったスリーブ１ｂが外装されている。バキュー
ムチャック４の真空引きの経路は、ホルダ２内に形成さ
れ、ホルダ２の胴部に環状に開口し、開口は、スリーブ
１ｂにシールされるとともに、スリーブ１ｂのポート１
ｃで外部配管４ａに受けられる。配管４ａは、真空ポン
プ（図示略）に通じ、配管４ａには切替バルブ１ｅが介
装されている。なお、ポート１ｃは電磁チャックの機能
を有し、ポート１ｃの電磁チャックは、ホルダ２が研磨
ステーションＳ2又はＳ3に達したときに動作し、外部配
管４ａをバキュームチャック４に連通させ、真空ポンプ
の駆動により、外部配管４ａを通じてバキュームチャッ
ク４を脱気させる。なお、インデックステーブル１の転
回移動中は、ポート１ｃは閉じられ、ホルダ２側のバキ
ュームチャック４の真空引き経路は、外部配管４ａから
隔離される。なお、後に説明するように、バキュームチ
ャック４の逆洗を行うときには、切替バルブ１ｅを純水
等の洗浄液供給配管に接続し、洗浄液をバキュームチャ
ック４に給水して逆噴射させる。
一体となったスリーブ１ｂが外装されている。バキュー
ムチャック４の真空引きの経路は、ホルダ２内に形成さ
れ、ホルダ２の胴部に環状に開口し、開口は、スリーブ
１ｂにシールされるとともに、スリーブ１ｂのポート１
ｃで外部配管４ａに受けられる。配管４ａは、真空ポン
プ（図示略）に通じ、配管４ａには切替バルブ１ｅが介
装されている。なお、ポート１ｃは電磁チャックの機能
を有し、ポート１ｃの電磁チャックは、ホルダ２が研磨
ステーションＳ2又はＳ3に達したときに動作し、外部配
管４ａをバキュームチャック４に連通させ、真空ポンプ
の駆動により、外部配管４ａを通じてバキュームチャッ
ク４を脱気させる。なお、インデックステーブル１の転
回移動中は、ポート１ｃは閉じられ、ホルダ２側のバキ
ュームチャック４の真空引き経路は、外部配管４ａから
隔離される。なお、後に説明するように、バキュームチ
ャック４の逆洗を行うときには、切替バルブ１ｅを純水
等の洗浄液供給配管に接続し、洗浄液をバキュームチャ
ック４に給水して逆噴射させる。
【００２６】さらにバキュームチャック４には、その外
周のシールリング２９から、純水が供給される。ホルダ
２内には、純水の供給経路を有し、純水の供給経路に
は、ポンプ１ｆに汲み上げられて外部配管４ｂから供給
された純水がスリーブ１ｂのポート１ｄを通じて給水さ
れる。ポート１ｄは、電磁クラッチの機能を有し、ポー
ト１ｄの電磁クラッチは、先のポート１ｃの電磁クラッ
チと同じようにホルダ２がステーションＳ2又はＳ3に達
したときにのみ動作して外部配管４ｂをホルダ２内の純
水供給経路に連通させるものである。
周のシールリング２９から、純水が供給される。ホルダ
２内には、純水の供給経路を有し、純水の供給経路に
は、ポンプ１ｆに汲み上げられて外部配管４ｂから供給
された純水がスリーブ１ｂのポート１ｄを通じて給水さ
れる。ポート１ｄは、電磁クラッチの機能を有し、ポー
ト１ｄの電磁クラッチは、先のポート１ｃの電磁クラッ
チと同じようにホルダ２がステーションＳ2又はＳ3に達
したときにのみ動作して外部配管４ｂをホルダ２内の純
水供給経路に連通させるものである。
【００２７】以下に各ステーションＳ1〜Ｓ4の構成を説
明する。 （１）ローディングステーションＳ1 ローディングステーションＳ1には、ロボットアーム７
と、ウエハ裏面洗浄手段８とチャック洗浄手段９とを装
備している。ロボットアーム７は、ウエハキャリア１０
からウエハｗを一枚ずつ取り出し、これをピンクランプ
１１下に搬送する。ピンクランプ１１は、クランプのウ
エハ裏面洗浄処理後、インデックステーブル１上にウエ
ハｗを搬入するものであり、ウエハｗの周縁を保持する
ために、数本のピンを同一円周上の位置で拡縮可能に配
列している。ウエハ裏面洗浄手段８は、ピンクランプ１
１に保持されたウエハｗの裏面を洗浄するものである。
ウエハ裏面洗浄手段８は、例えばブラシである。その構
造を図４に示す。
明する。 （１）ローディングステーションＳ1 ローディングステーションＳ1には、ロボットアーム７
と、ウエハ裏面洗浄手段８とチャック洗浄手段９とを装
備している。ロボットアーム７は、ウエハキャリア１０
からウエハｗを一枚ずつ取り出し、これをピンクランプ
１１下に搬送する。ピンクランプ１１は、クランプのウ
エハ裏面洗浄処理後、インデックステーブル１上にウエ
ハｗを搬入するものであり、ウエハｗの周縁を保持する
ために、数本のピンを同一円周上の位置で拡縮可能に配
列している。ウエハ裏面洗浄手段８は、ピンクランプ１
１に保持されたウエハｗの裏面を洗浄するものである。
ウエハ裏面洗浄手段８は、例えばブラシである。その構
造を図４に示す。
【００２８】図４において、ブラシ８ａ，８ｂの対がブ
ラシホルダ１２の両端に上向きに取付けられ、各々のブ
ラシ軸に装着された遊星歯車１３を中心歯車１４に噛合
させ、ブラシホルダ１２を中心歯車１４にて回転駆動す
ることにより、各々のブラシ８ａ，８ｂを自転させなが
ら公転させるようにしたものである。このブラシ８ａ，
８ｂをピンクランプ１１に保持させたウエハｗの裏面に
押し当て、洗浄水を供給しながら回転させてウエハ裏面
の異物を除去する。
ラシホルダ１２の両端に上向きに取付けられ、各々のブ
ラシ軸に装着された遊星歯車１３を中心歯車１４に噛合
させ、ブラシホルダ１２を中心歯車１４にて回転駆動す
ることにより、各々のブラシ８ａ，８ｂを自転させなが
ら公転させるようにしたものである。このブラシ８ａ，
８ｂをピンクランプ１１に保持させたウエハｗの裏面に
押し当て、洗浄水を供給しながら回転させてウエハ裏面
の異物を除去する。
【００２９】チャック洗浄手段９は、ウエハｗを吸着保
持させるホルダ２のバキュームチャック４を洗浄するも
のである。チャック洗浄手段９は、ウエハｗの搬入に先
立って、ホルダ２上に進出し、ホルダ２上に下降してバ
キュームチャック４の吸着面を払拭する。
持させるホルダ２のバキュームチャック４を洗浄するも
のである。チャック洗浄手段９は、ウエハｗの搬入に先
立って、ホルダ２上に進出し、ホルダ２上に下降してバ
キュームチャック４の吸着面を払拭する。
【００３０】図５にチャック洗浄手段９の一例を示す。
図５において、チャック洗浄手段９は、例えば、回転軸
１５の軸端に円盤状のチャック洗浄部１６を有するもの
である。チャック洗浄部１６は、円形のセラミックリン
グであり、ウエブ面には洗浄水の供給孔１７が開口され
ている。チャック洗浄部１６を回転駆動し、供給孔１７
を通して洗浄水を注水しながらチャック洗浄部１６をバ
キュームチャック４の吸着面に押し付けてバキュームチ
ャック４の吸着面を洗浄する。この洗浄によって、チャ
ック４の保持面上にスラッジがあれば、これを破断，洗
浄し、ウエハｗにデンプルの発生を防止する。
図５において、チャック洗浄手段９は、例えば、回転軸
１５の軸端に円盤状のチャック洗浄部１６を有するもの
である。チャック洗浄部１６は、円形のセラミックリン
グであり、ウエブ面には洗浄水の供給孔１７が開口され
ている。チャック洗浄部１６を回転駆動し、供給孔１７
を通して洗浄水を注水しながらチャック洗浄部１６をバ
キュームチャック４の吸着面に押し付けてバキュームチ
ャック４の吸着面を洗浄する。この洗浄によって、チャ
ック４の保持面上にスラッジがあれば、これを破断，洗
浄し、ウエハｗにデンプルの発生を防止する。
【００３１】バキュームチャック４の吸着面及びウエハ
ｗの裏面を洗浄した後、ピンクランプ１１上のウエハｗ
をローディングステーションＳ1のホルダ２上に搬入
し、バキュームチャック４の吸着面にウエハｗを吸着さ
せる。ウエハｗの搬入後、インデックステーブル１を一
定の回転角度（９０°）転回させ、搬入されたウエハｗ
をまず、一次研磨ステーションＳ2へ移行させ、ローデ
ィングステーションＳ1に移行してきた次のホルダ２に
対しては、新たなウエハの搬入に備える。
ｗの裏面を洗浄した後、ピンクランプ１１上のウエハｗ
をローディングステーションＳ1のホルダ２上に搬入
し、バキュームチャック４の吸着面にウエハｗを吸着さ
せる。ウエハｗの搬入後、インデックステーブル１を一
定の回転角度（９０°）転回させ、搬入されたウエハｗ
をまず、一次研磨ステーションＳ2へ移行させ、ローデ
ィングステーションＳ1に移行してきた次のホルダ２に
対しては、新たなウエハの搬入に備える。
【００３２】 （２）一次研磨ステーションＳ2 一次研磨ステーションＳ2には、図６に示すようにポリ
ッシングヘッド１８と、パッドコンディショナ手段１９
と、パッドクリーニング手段２０とを装備している。ポ
リッシングヘッド１８は、図７に示すように、加圧シリ
ンダ２１と、ベースプレート２２と、研磨布張り付板２
３との組立体からなり、研磨面に硬質の研磨布２４を有
している。加圧シリンダ２１を支えるスピンドル２５に
よって上方から垂下され、図６に示すように退避位置か
ら一次研磨ステーションＳ2のバキュームチャック４上
に進出し、バキュームチャック４上に吸着されたウエハ
ｗ上に下降し、研磨布２４をウエハｗの表面に押し付
け、粗研磨によって平坦化処理する。粗研削工程は、ウ
エハｗを保持するホルダ２を高速で回転させ、ポリッシ
ングヘッド１８を一方向に回転駆動し、その回転中心の
給液孔１８ａより、研磨液（スラリ）を研磨布２４に供
給しつつ行う。これによって研磨液は、研磨布２４の外
周方向に一様に分散し、ホルダ２の高速回転が可能とな
る。
ッシングヘッド１８と、パッドコンディショナ手段１９
と、パッドクリーニング手段２０とを装備している。ポ
リッシングヘッド１８は、図７に示すように、加圧シリ
ンダ２１と、ベースプレート２２と、研磨布張り付板２
３との組立体からなり、研磨面に硬質の研磨布２４を有
している。加圧シリンダ２１を支えるスピンドル２５に
よって上方から垂下され、図６に示すように退避位置か
ら一次研磨ステーションＳ2のバキュームチャック４上
に進出し、バキュームチャック４上に吸着されたウエハ
ｗ上に下降し、研磨布２４をウエハｗの表面に押し付
け、粗研磨によって平坦化処理する。粗研削工程は、ウ
エハｗを保持するホルダ２を高速で回転させ、ポリッシ
ングヘッド１８を一方向に回転駆動し、その回転中心の
給液孔１８ａより、研磨液（スラリ）を研磨布２４に供
給しつつ行う。これによって研磨液は、研磨布２４の外
周方向に一様に分散し、ホルダ２の高速回転が可能とな
る。
【００３３】なお、ウエハｗは、図８に示すようにバキ
ュームチャック４の吸着孔２６にクランプされている
が、バキュームチャック４には、吸着孔２６の開口領域
の外側に、環状溝として上面に開口された水シール室２
７を有し、水シール室２７は、バキュームチャック４の
側面に開口した通水溝２８に通じ、通水溝２８は、固定
側であるシールリング２９の内壁に開口した給水孔３０
に連通させ、給水孔３０内に洗浄水を圧入し、これを水
シール室２７より溢流させている。これによって研磨液
がウエハｗの下面に回り込んで研磨中にウエハ保持面に
固着するのを防いでいる。あわせて、バキュームチャッ
ク４の吸着孔２６への研磨液の進入は防止される。
ュームチャック４の吸着孔２６にクランプされている
が、バキュームチャック４には、吸着孔２６の開口領域
の外側に、環状溝として上面に開口された水シール室２
７を有し、水シール室２７は、バキュームチャック４の
側面に開口した通水溝２８に通じ、通水溝２８は、固定
側であるシールリング２９の内壁に開口した給水孔３０
に連通させ、給水孔３０内に洗浄水を圧入し、これを水
シール室２７より溢流させている。これによって研磨液
がウエハｗの下面に回り込んで研磨中にウエハ保持面に
固着するのを防いでいる。あわせて、バキュームチャッ
ク４の吸着孔２６への研磨液の進入は防止される。
【００３４】図７において、ポリッシングヘッド１８
は、ベースプレート２２の張出し縁２２ａが加圧シリン
ダ２１の鍔部分２１ａに支えられ、研磨布２４は、研磨
布張り付板２３を介してベースプレート２２に保持され
ているものである。加圧シリンダ２１内の加圧室３１内
にはダイヤフラム３２が張り渡され、スピンドル２５内
を通じて加圧室３１内に高圧空気が圧入され、その圧力
によってベースプレート２２は、三次元方向に揺動可能
に支えられ、下面の研磨布２４は、ウエハｗの表面に対
して平行の姿勢に保持される。
は、ベースプレート２２の張出し縁２２ａが加圧シリン
ダ２１の鍔部分２１ａに支えられ、研磨布２４は、研磨
布張り付板２３を介してベースプレート２２に保持され
ているものである。加圧シリンダ２１内の加圧室３１内
にはダイヤフラム３２が張り渡され、スピンドル２５内
を通じて加圧室３１内に高圧空気が圧入され、その圧力
によってベースプレート２２は、三次元方向に揺動可能
に支えられ、下面の研磨布２４は、ウエハｗの表面に対
して平行の姿勢に保持される。
【００３５】ポリッシングヘッドの揺動による微動機能
は本発明の自動研磨装置において極めて重要である。す
なわち、ポリッシングヘッドはインデックステーブル上
に設置されたレールをガイドとして往復運動するわけで
あるが、ポリッシングヘッド部が完全剛体で形成されて
いた場合、レールとウエハ表面との完全平行性が要求さ
れる。この平行性が崩れていた場合、ポリッシングヘッ
ドの送りとともに研磨圧力が変化し、ウエハ面内で研磨
が不均一となってしまう。本発明では、高圧空気による
研磨布への加圧で研磨布面が微動に揺動する機構を具備
していることで構造的遊びを持たせているのである。回
転トルクは、加圧シリンダ２１からベースプレート２２
に伝えられる。なお、図９に示すようにポリッシングヘ
ッド１８の周囲をフード３３で覆い、ウエハの研磨加工
中及び加工完了後は、フード３３の内面に沿って洗浄水
ｆを流しつづけることにより、飛散した研磨液の固化、
ひいては研磨液の固形物の落下によるウエハｗの破損を
防止できる。
は本発明の自動研磨装置において極めて重要である。す
なわち、ポリッシングヘッドはインデックステーブル上
に設置されたレールをガイドとして往復運動するわけで
あるが、ポリッシングヘッド部が完全剛体で形成されて
いた場合、レールとウエハ表面との完全平行性が要求さ
れる。この平行性が崩れていた場合、ポリッシングヘッ
ドの送りとともに研磨圧力が変化し、ウエハ面内で研磨
が不均一となってしまう。本発明では、高圧空気による
研磨布への加圧で研磨布面が微動に揺動する機構を具備
していることで構造的遊びを持たせているのである。回
転トルクは、加圧シリンダ２１からベースプレート２２
に伝えられる。なお、図９に示すようにポリッシングヘ
ッド１８の周囲をフード３３で覆い、ウエハの研磨加工
中及び加工完了後は、フード３３の内面に沿って洗浄水
ｆを流しつづけることにより、飛散した研磨液の固化、
ひいては研磨液の固形物の落下によるウエハｗの破損を
防止できる。
【００３６】一方、図６において、ウエハｗの研磨によ
ってポリッシングヘッド１８の研磨布２４に生ずる目づ
まり，目の不揃いは、パッドコンディショナ手段１９に
よって修正する。パッドコンディショナ手段１９は、回
転するパッドコンディショニングディスク３４を有し、
このディスク３４を回転させながらポリッシングヘッド
１８の研磨布２４に押し付けて目立て（ドレスアップ）
を行う。
ってポリッシングヘッド１８の研磨布２４に生ずる目づ
まり，目の不揃いは、パッドコンディショナ手段１９に
よって修正する。パッドコンディショナ手段１９は、回
転するパッドコンディショニングディスク３４を有し、
このディスク３４を回転させながらポリッシングヘッド
１８の研磨布２４に押し付けて目立て（ドレスアップ）
を行う。
【００３７】なお、研磨布２４を目立てするときには、
図７において、加圧シリンダ２１内にさらに高圧空気を
圧入し、ダイヤフラム３２を通じてベースプレート２２
の張出し縁２２ａを加圧シリンダ２１の鍔部分２１ａに
ポリシング圧力より強い所定圧で圧着すれば、研磨布２
４を取り付けたベースプレート２２は、加圧シリンダ２
１に固定して研磨布２４が安定する。研磨布２４の目立
て後は、パットクリーニング手段２０としてのブラシを
回転しつつ進退動させ、研磨布２４の表面に付着してい
る脱落砥粒や研磨粉などを除去して次のウエハの粗研磨
に備え、インデックステーブル１を一定角度（９０°）
転回させて粗研磨による平坦化処理が終了したウエハｗ
を二次研磨ステーションＳ3に移行させる。
図７において、加圧シリンダ２１内にさらに高圧空気を
圧入し、ダイヤフラム３２を通じてベースプレート２２
の張出し縁２２ａを加圧シリンダ２１の鍔部分２１ａに
ポリシング圧力より強い所定圧で圧着すれば、研磨布２
４を取り付けたベースプレート２２は、加圧シリンダ２
１に固定して研磨布２４が安定する。研磨布２４の目立
て後は、パットクリーニング手段２０としてのブラシを
回転しつつ進退動させ、研磨布２４の表面に付着してい
る脱落砥粒や研磨粉などを除去して次のウエハの粗研磨
に備え、インデックステーブル１を一定角度（９０°）
転回させて粗研磨による平坦化処理が終了したウエハｗ
を二次研磨ステーションＳ3に移行させる。
【００３８】（３）二次研磨ステーションＳ3 図１，２において、二次研磨ステーションＳ3において
は、一次研磨による平坦化処理されたウエハ表面の面粗
度をさらに小さくすることを目的として研磨処理が行わ
れる。研磨液は、一次研磨処理に用いた研磨液とは異な
り、仕上げ研磨処理に適したものを用いるのが一般的で
ある。二次研磨ステーションＳ3においても一次研磨ス
テーションＳ2と同様にポリッシングヘッド３５のほか
にパッドコンディショナ手段３６及びパットクリーニン
グ手段３７を備えている。二次研磨ステーションＳ3に
移送されてきたウエハｗは、ポリッシングヘッド３５に
て表面仕上げ処理が行われるほか、パッドコンディショ
ナ手段３６及びパットクリーニング手段３７によるポリ
ッシングヘッド３５の研磨布のコンディショニング並び
にクリーニングの処理を行う点は、一次研磨ステーショ
ンＳ2での処理と、処理の操作としては全く同じであ
る。
は、一次研磨による平坦化処理されたウエハ表面の面粗
度をさらに小さくすることを目的として研磨処理が行わ
れる。研磨液は、一次研磨処理に用いた研磨液とは異な
り、仕上げ研磨処理に適したものを用いるのが一般的で
ある。二次研磨ステーションＳ3においても一次研磨ス
テーションＳ2と同様にポリッシングヘッド３５のほか
にパッドコンディショナ手段３６及びパットクリーニン
グ手段３７を備えている。二次研磨ステーションＳ3に
移送されてきたウエハｗは、ポリッシングヘッド３５に
て表面仕上げ処理が行われるほか、パッドコンディショ
ナ手段３６及びパットクリーニング手段３７によるポリ
ッシングヘッド３５の研磨布のコンディショニング並び
にクリーニングの処理を行う点は、一次研磨ステーショ
ンＳ2での処理と、処理の操作としては全く同じであ
る。
【００３９】二次研磨ステーションＳ3に設置されたポ
リッシングヘッド３５に用いられる研磨布は、一次研磨
ステーションＳ2のポリッシングヘッド１８に用いられ
た研磨布の硬度に比して軟質であり、仕上げ処理は、平
坦化処理よりも長い時間をかけて研磨加工が行われる場
合が一般的である。仕上げ処理が完了すると、インデッ
クステーブル１は一定角度転回し、ウエハｗはアンロー
ディングステーションＳ4に移送される。
リッシングヘッド３５に用いられる研磨布は、一次研磨
ステーションＳ2のポリッシングヘッド１８に用いられ
た研磨布の硬度に比して軟質であり、仕上げ処理は、平
坦化処理よりも長い時間をかけて研磨加工が行われる場
合が一般的である。仕上げ処理が完了すると、インデッ
クステーブル１は一定角度転回し、ウエハｗはアンロー
ディングステーションＳ4に移送される。
【００４０】（４）アンローディングステーションＳ4 図１，２において、アンローディングステーションＳ4
には、ウエハ表面洗浄手段３８と、ロボットアーム３９
とを装備している。ウエハ表面洗浄手段３８は、例えば
ウエハｗの表面を洗浄するブラシである。
には、ウエハ表面洗浄手段３８と、ロボットアーム３９
とを装備している。ウエハ表面洗浄手段３８は、例えば
ウエハｗの表面を洗浄するブラシである。
【００４１】洗浄時にはウエハｗを保持するホルダ２を
回転させ、回転するウエハｗ上にウエハ表面洗浄手段３
８を押し付けて洗浄する。ウエハ表面洗浄手段３８は、
図１０に示すような回転する円板状のブラシを用いるこ
とができ、ブラシの使用時に退避位置からホルダ２の上
方に移動させてウエハｗの洗浄を行う。洗浄後、逆圧力
をかけてバキュームチャック４内から水とエアを噴出
し、ホルダ２上からウエハを脱着する。ロボットアーム
３９は、ホルダ２上からピンクランプ４０により取り出
されたウエハｗをコンベア４１上に移すものであり、コ
ンベア４１は、研磨されたウエハｗを次工程へ搬出させ
る。一方、インデックステーブル１は一定角度（９０
°）転回し、ウエハｗが取外されたホルダ２をローディ
ングステーションＳ1に移し、次のウエハの搬入に備え
る。
回転させ、回転するウエハｗ上にウエハ表面洗浄手段３
８を押し付けて洗浄する。ウエハ表面洗浄手段３８は、
図１０に示すような回転する円板状のブラシを用いるこ
とができ、ブラシの使用時に退避位置からホルダ２の上
方に移動させてウエハｗの洗浄を行う。洗浄後、逆圧力
をかけてバキュームチャック４内から水とエアを噴出
し、ホルダ２上からウエハを脱着する。ロボットアーム
３９は、ホルダ２上からピンクランプ４０により取り出
されたウエハｗをコンベア４１上に移すものであり、コ
ンベア４１は、研磨されたウエハｗを次工程へ搬出させ
る。一方、インデックステーブル１は一定角度（９０
°）転回し、ウエハｗが取外されたホルダ２をローディ
ングステーションＳ1に移し、次のウエハの搬入に備え
る。
【００４２】以上の実施形態においては、ローディング
ステーションＳ1にウエハを搬入し、以後、インデック
ステーブルを一定角度（９０°）づつ転回させてウエハ
を順次一次研磨ステーションＳ2，二次研磨ステーショ
ンＳ3を経由させて平坦化処理，仕上げ処理を行い、ア
ンローディングステーションＳ4から外部へ搬出しつつ
次々に搬入されたウエハの平坦化処理と仕上げ処理を同
じインデックステーブル１上で行うものである。本発明
においては、インデックステーブル１に備えたホルダ２
のバキュームチャック４にウエハｗを吸着させ、その上
方からポリッシングヘッド１８，３５を圧下して平坦化
処理並びに仕上げ処理を行うため、ウエハの直径よりも
小さいポリッシングヘッドを用いることによりウエハの
研磨面は常に観測可能であり、ウエハ表面の性状，研磨
厚みを計測しつつ、ホルダ２の回転速度，ポリシング圧
を自由に設定することができ、ひいてはウエハｗの１つ
づつについて、最適の加工条件を設定して研磨加工を行
うことができる。
ステーションＳ1にウエハを搬入し、以後、インデック
ステーブルを一定角度（９０°）づつ転回させてウエハ
を順次一次研磨ステーションＳ2，二次研磨ステーショ
ンＳ3を経由させて平坦化処理，仕上げ処理を行い、ア
ンローディングステーションＳ4から外部へ搬出しつつ
次々に搬入されたウエハの平坦化処理と仕上げ処理を同
じインデックステーブル１上で行うものである。本発明
においては、インデックステーブル１に備えたホルダ２
のバキュームチャック４にウエハｗを吸着させ、その上
方からポリッシングヘッド１８，３５を圧下して平坦化
処理並びに仕上げ処理を行うため、ウエハの直径よりも
小さいポリッシングヘッドを用いることによりウエハの
研磨面は常に観測可能であり、ウエハ表面の性状，研磨
厚みを計測しつつ、ホルダ２の回転速度，ポリシング圧
を自由に設定することができ、ひいてはウエハｗの１つ
づつについて、最適の加工条件を設定して研磨加工を行
うことができる。
【００４３】さらに、一次研磨ステーションＳ2での平
坦化処理と、二次研磨ステーションＳ3での仕上げ処理
との処理時間に長短があったとしても、両処理の研磨開
始時間をずらせて処理終了時間を合致させることによっ
て、研磨後，洗浄までの時間を短縮し、また、研磨後，
研磨液のウエハへの乾燥固着を防ぐことが可能となる。
坦化処理と、二次研磨ステーションＳ3での仕上げ処理
との処理時間に長短があったとしても、両処理の研磨開
始時間をずらせて処理終了時間を合致させることによっ
て、研磨後，洗浄までの時間を短縮し、また、研磨後，
研磨液のウエハへの乾燥固着を防ぐことが可能となる。
【００４４】本発明において、図８に示すように、ウエ
ハを吸着保持するホルダ２の吸着保持面の大きさは、少
なくともウエハの外径よりも小さく設定されている。し
たがって、ローディングステーションＳ1へのウエハの
搬入およびアンローディングステーションＳ4からのウ
エハの搬出は、ピンクランプによって行われるが、ホル
ダの吸着保持面の外径がウエハの外径よりも小さいと、
ウエハは、ホルダの外縁に張り出して保持されることに
なるため、ローディングステーションのホルダ上にウエ
ハを搬入するとき、あるいは、アンローディングステー
ションからウエハを搬出するときにも、ウエハの張り出
し部分をピンクランプで保持してホルダへの搬出並びに
ホルダからの搬出を無理なくできる。
ハを吸着保持するホルダ２の吸着保持面の大きさは、少
なくともウエハの外径よりも小さく設定されている。し
たがって、ローディングステーションＳ1へのウエハの
搬入およびアンローディングステーションＳ4からのウ
エハの搬出は、ピンクランプによって行われるが、ホル
ダの吸着保持面の外径がウエハの外径よりも小さいと、
ウエハは、ホルダの外縁に張り出して保持されることに
なるため、ローディングステーションのホルダ上にウエ
ハを搬入するとき、あるいは、アンローディングステー
ションからウエハを搬出するときにも、ウエハの張り出
し部分をピンクランプで保持してホルダへの搬出並びに
ホルダからの搬出を無理なくできる。
【００４５】図１１は、ウエハの表面平坦化処理の仕上
げ完了を検知するウエハ表面検知手段４２を装備した例
を示す図である。ウエハ表面検知手段４２は、光源４３
と、光度計４４とを有している。光源４３より発した一
定強度のレーザ光をハーフミラー４５で反射させて研磨
処理中のウエハ表面に垂直に入射し、その反射光の強度
を光度計４４で連続的に検出する。ウエハｗ上に形成さ
れている金属膜がすべて研磨除去されて地膜（例えばシ
リコン酸化膜）が表面に露出すると、金属の反射から下
地膜の反射へと変化する。このウエハ上の反射率の変化
による反射光の強度を検出することで、金属膜研磨の完
了を検知することができる。この実施形態においては、
ウエハに対して光源を垂直に入射する例を示したが、ウ
エハ面に対して任意の角度で入射してもよく、また、光
の反射に限らず、ウエハの表面の温度変化を測定して仕
上げ研磨の完了時点を知ることができる。
げ完了を検知するウエハ表面検知手段４２を装備した例
を示す図である。ウエハ表面検知手段４２は、光源４３
と、光度計４４とを有している。光源４３より発した一
定強度のレーザ光をハーフミラー４５で反射させて研磨
処理中のウエハ表面に垂直に入射し、その反射光の強度
を光度計４４で連続的に検出する。ウエハｗ上に形成さ
れている金属膜がすべて研磨除去されて地膜（例えばシ
リコン酸化膜）が表面に露出すると、金属の反射から下
地膜の反射へと変化する。このウエハ上の反射率の変化
による反射光の強度を検出することで、金属膜研磨の完
了を検知することができる。この実施形態においては、
ウエハに対して光源を垂直に入射する例を示したが、ウ
エハ面に対して任意の角度で入射してもよく、また、光
の反射に限らず、ウエハの表面の温度変化を測定して仕
上げ研磨の完了時点を知ることができる。
【００４６】以上実施形態においては、インデックステ
ーブル上で、研磨処理として粗研磨と、仕上げ研磨を行
う例を説明したが、本発明において粗研磨と、仕上げ研
磨とは必ずしも１度ずつの研磨処理を行う場合に限ら
ず、研磨処理に３以上をステーションを割り当てて２回
以上の粗研磨又は２回以上の仕上げ研磨を行うことがで
きる。もっとも、本発明は、少くとも１回の粗研磨処理
又は仕上げ研磨処理にのみ用いることもできる。ローデ
ィングステーションとアンローディングステーションは
共用でき、また、ステーションの区画は、２つ以上であ
ればよい。また、インデックステーブルは、９０°毎の
転回送りに限るものではない。
ーブル上で、研磨処理として粗研磨と、仕上げ研磨を行
う例を説明したが、本発明において粗研磨と、仕上げ研
磨とは必ずしも１度ずつの研磨処理を行う場合に限ら
ず、研磨処理に３以上をステーションを割り当てて２回
以上の粗研磨又は２回以上の仕上げ研磨を行うことがで
きる。もっとも、本発明は、少くとも１回の粗研磨処理
又は仕上げ研磨処理にのみ用いることもできる。ローデ
ィングステーションとアンローディングステーションは
共用でき、また、ステーションの区画は、２つ以上であ
ればよい。また、インデックステーブルは、９０°毎の
転回送りに限るものではない。
【００４７】〔実施例〕以下に本発明の実施例を示す。
図１２は、ＭＯＳＦＥＴが形成されたシリコン基板１０
１上の多層配線構造を示す。
図１２は、ＭＯＳＦＥＴが形成されたシリコン基板１０
１上の多層配線構造を示す。
【００４８】多層配線は、（１）ＭＯＳＦＥＴと上層配
線を接続するためのタングステン・コンタクトプラグ部
１０２、（２）ＣＭＯＳ回路ブロック内を接続するアル
ミ・ローカル配線部１０３、（３）低誘電率有機膜に銅
を埋め込んだ銅・グローバル配線部１０４から構成され
る。ここでは、まずＭＯＳＦＥＴ間の素子分離には、Ｃ
ＭＰ法を利用してシリコン基板１０１に形成された溝に
シリコン酸化膜を埋め込んだ平坦化素子分離構造が採用
されている。さらに、ＭＯＳＦＥＴ上にはＢＰＳＧ膜１
０５を成長するが、このＢＰＳＧ膜１０５もＣＭＰ法で
平坦化されている。この平坦化されたＢＰＳＧ膜１０５
にはＭＯＳＦＥＴの拡散層およびゲート電極に至るコン
タクトホールが形成されており、ここではシリカ粒子を
酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い、Ｗ−ＣＭＰ法
を利用したタングステン・コンタクトプラグが形成され
ている。このタングステンコンタクトプラグ上には、第
１シリコン酸化膜１０６に形成された第１配線溝にアル
ミの埋め込まれた第１埋め込みアルミ配線が形成されて
いる。さらに、その上層の第２シリコン酸化膜１０７に
形成された第１スルーホールと第２配線溝に一括してア
ルミの埋め込まれた第２埋め込みアルミ配線が形成され
ている。これら埋め込みアルミ配線は、配線溝あるいは
配線溝とスルーホールとに高温スパッタ法でアルミの埋
め込み成膜を行い、シリカ粒子やアルミナ粒子を酸化剤
水溶液に分散させたスラリを用いたＡｌ−ＣＭＰ法で埋
め込み平坦化を行う。さらに、第２シリコン酸化膜１０
７上の低誘電率有機膜１０８に形成された第２スルーホ
ールと第３配線溝に銅の埋め込まれた第３埋め込み銅配
線と、第３スルーホールと第４配線溝に銅の埋め込まれ
た第４埋め込み銅配線が形成されている。これら埋め込
み銅配線は、配線溝あるいは配線溝とスルーホールとに
ＭＯＣＶＤ法で銅の埋め込み成膜を行い、シリカ粒子や
アルミナ粒子を酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い
たＣｕ−ＣＭＰ法で埋め込み平坦化を行う。
線を接続するためのタングステン・コンタクトプラグ部
１０２、（２）ＣＭＯＳ回路ブロック内を接続するアル
ミ・ローカル配線部１０３、（３）低誘電率有機膜に銅
を埋め込んだ銅・グローバル配線部１０４から構成され
る。ここでは、まずＭＯＳＦＥＴ間の素子分離には、Ｃ
ＭＰ法を利用してシリコン基板１０１に形成された溝に
シリコン酸化膜を埋め込んだ平坦化素子分離構造が採用
されている。さらに、ＭＯＳＦＥＴ上にはＢＰＳＧ膜１
０５を成長するが、このＢＰＳＧ膜１０５もＣＭＰ法で
平坦化されている。この平坦化されたＢＰＳＧ膜１０５
にはＭＯＳＦＥＴの拡散層およびゲート電極に至るコン
タクトホールが形成されており、ここではシリカ粒子を
酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い、Ｗ−ＣＭＰ法
を利用したタングステン・コンタクトプラグが形成され
ている。このタングステンコンタクトプラグ上には、第
１シリコン酸化膜１０６に形成された第１配線溝にアル
ミの埋め込まれた第１埋め込みアルミ配線が形成されて
いる。さらに、その上層の第２シリコン酸化膜１０７に
形成された第１スルーホールと第２配線溝に一括してア
ルミの埋め込まれた第２埋め込みアルミ配線が形成され
ている。これら埋め込みアルミ配線は、配線溝あるいは
配線溝とスルーホールとに高温スパッタ法でアルミの埋
め込み成膜を行い、シリカ粒子やアルミナ粒子を酸化剤
水溶液に分散させたスラリを用いたＡｌ−ＣＭＰ法で埋
め込み平坦化を行う。さらに、第２シリコン酸化膜１０
７上の低誘電率有機膜１０８に形成された第２スルーホ
ールと第３配線溝に銅の埋め込まれた第３埋め込み銅配
線と、第３スルーホールと第４配線溝に銅の埋め込まれ
た第４埋め込み銅配線が形成されている。これら埋め込
み銅配線は、配線溝あるいは配線溝とスルーホールとに
ＭＯＣＶＤ法で銅の埋め込み成膜を行い、シリカ粒子や
アルミナ粒子を酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い
たＣｕ−ＣＭＰ法で埋め込み平坦化を行う。
【００４９】このように、ＭＯＳＦＥＴの形成されたシ
リコン基板１０１上の多層配線の形成には、メタルＣＭ
Ｐ法を用いたＷ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＷＳ
ｉX，ＴｉＳｉX等の金属の埋め込み平坦化が多用されて
いるわけである。また、平坦化素子分離形成やＢＰＳＧ
膜表面の表面平坦化にも、酸化膜ＣＭＰ法が適用されて
いるわけである。ここでは、本発明による自動研磨装置
を用いて、低誘電率有機膜１０８に埋め込み銅配線形成
する場合の実施例を詳細に説明する。
リコン基板１０１上の多層配線の形成には、メタルＣＭ
Ｐ法を用いたＷ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＷＳ
ｉX，ＴｉＳｉX等の金属の埋め込み平坦化が多用されて
いるわけである。また、平坦化素子分離形成やＢＰＳＧ
膜表面の表面平坦化にも、酸化膜ＣＭＰ法が適用されて
いるわけである。ここでは、本発明による自動研磨装置
を用いて、低誘電率有機膜１０８に埋め込み銅配線形成
する場合の実施例を詳細に説明する。
【００５０】まず、図１３に示すように下地配線上の厚
さ１μｍ程度の低誘電率有機膜１０８、たとえばポリイ
ミドやベンゾシクロブテンに深さ０．５μｍの配線溝と
その底部から下地配線層に至る深さ０．５μｍ程度のス
ルーホールに、厚さ１０〜３０ｎｍ程度のＴｉＮやＴｉ
の導電性密着膜１０９をコリメートスパッタ法で成膜し
た。次に、図１４に示すように、成長基板温度を１７０
℃〜２５０℃としたＭＯＣＶＤ法で０．８μｍ厚の銅膜
１１０を成長し、銅膜／導電性密着膜／低誘電率有機膜
間の密着性向上と銅膜の結晶成長を目的とした２５０℃
〜４００℃、１０分間程度の真空結晶化アニールを行っ
た。この真空結晶化アニールにより銅膜１１０の比抵抗
は２．２μΩｃｍから１．８−１．９μΩｃｍにまで低
減した。かかる銅膜１１０には、図１３のような下地配
線溝の粗密度に対応した表面凹凸がある。すなわち、配
線溝幅が銅の成長膜厚の半分倍以下（ここでは、０．４
μｍ）の幅の狭い配線溝Ｈ1には、両側の配線溝側壁か
らの銅膜の成長が合わさることで、配線溝が完全に埋め
込まれる。一方、幅の広い配線溝Ｈ2の場合、両側の配
線溝側壁からの銅膜の成長が合わさらないため、銅膜表
面は凹状となる。このような下地配線溝幅に依存した表
面段差が銅膜表面に存在する。
さ１μｍ程度の低誘電率有機膜１０８、たとえばポリイ
ミドやベンゾシクロブテンに深さ０．５μｍの配線溝と
その底部から下地配線層に至る深さ０．５μｍ程度のス
ルーホールに、厚さ１０〜３０ｎｍ程度のＴｉＮやＴｉ
の導電性密着膜１０９をコリメートスパッタ法で成膜し
た。次に、図１４に示すように、成長基板温度を１７０
℃〜２５０℃としたＭＯＣＶＤ法で０．８μｍ厚の銅膜
１１０を成長し、銅膜／導電性密着膜／低誘電率有機膜
間の密着性向上と銅膜の結晶成長を目的とした２５０℃
〜４００℃、１０分間程度の真空結晶化アニールを行っ
た。この真空結晶化アニールにより銅膜１１０の比抵抗
は２．２μΩｃｍから１．８−１．９μΩｃｍにまで低
減した。かかる銅膜１１０には、図１３のような下地配
線溝の粗密度に対応した表面凹凸がある。すなわち、配
線溝幅が銅の成長膜厚の半分倍以下（ここでは、０．４
μｍ）の幅の狭い配線溝Ｈ1には、両側の配線溝側壁か
らの銅膜の成長が合わさることで、配線溝が完全に埋め
込まれる。一方、幅の広い配線溝Ｈ2の場合、両側の配
線溝側壁からの銅膜の成長が合わさらないため、銅膜表
面は凹状となる。このような下地配線溝幅に依存した表
面段差が銅膜表面に存在する。
【００５１】かかる銅膜を本発明による自動研磨装置で
研磨する。まず、ローディングステーションＳ1では、
銅膜１１０の成長面を上向きに２４枚程度の８インチ・
シリコンウエハが収納されたウエハキャリアからウエハ
を一枚ずつ取り出し、ピンクランプ下に搬送する。ピン
クランプでウエハの周縁を保持し、ウエハ裏面洗浄ブラ
シでウエハ裏面を洗浄する。このウエハ裏面洗浄と同時
に、多孔質アルミナからなるバキュームチャックの吸着
面の洗浄がチャック洗浄部により行われている。チャッ
ク洗浄手段では、吸着面上のスラッジを除去して吸着面
の平坦性を確保する。このバキュームチャック洗浄時に
はチャック洗浄部から洗浄液が供給されるが、バキュー
ムチャックから吸着面への逆洗を同時に行って多孔質ア
ルミナの微細孔壁に析出した研磨剤等の固体微粒子（ス
ラッジ）も取り除くことができる。
研磨する。まず、ローディングステーションＳ1では、
銅膜１１０の成長面を上向きに２４枚程度の８インチ・
シリコンウエハが収納されたウエハキャリアからウエハ
を一枚ずつ取り出し、ピンクランプ下に搬送する。ピン
クランプでウエハの周縁を保持し、ウエハ裏面洗浄ブラ
シでウエハ裏面を洗浄する。このウエハ裏面洗浄と同時
に、多孔質アルミナからなるバキュームチャックの吸着
面の洗浄がチャック洗浄部により行われている。チャッ
ク洗浄手段では、吸着面上のスラッジを除去して吸着面
の平坦性を確保する。このバキュームチャック洗浄時に
はチャック洗浄部から洗浄液が供給されるが、バキュー
ムチャックから吸着面への逆洗を同時に行って多孔質ア
ルミナの微細孔壁に析出した研磨剤等の固体微粒子（ス
ラッジ）も取り除くことができる。
【００５２】かかるウエハ裏面洗浄とバキュームチャッ
ク面洗浄により固体微粒子を完全に除去することは非常
に重要である。すなわち、ウエハとバキュームチャック
間に固体異物が存在すると、吸着されたウエハの表面が
局部的に凸状に変形する。このウエハを平坦化研磨する
と局所的凸部も平坦化されるが、ウエハをバキュームチ
ャックから外した際にディンプル（局所的凹部）となっ
てしまうからである。バキュームチャックの吸着面およ
びウエハの裏面の洗浄時間は３０秒から６０秒程度であ
るが、この洗浄時間に制限はない。洗浄液としては純水
あるいは純水を電気分解した電解イオン水を用いるが洗
浄液種に限定はなく、例えば、純水にセルロース等の水
溶性有機高分子分散水溶液を用いて、ウエハ裏面に有機
高分子層を吸着させて親水性処理してもよい。この基板
裏面の親水性処理によりスラッジの乾燥固着を抑制でき
る効果もある。また、アルコール，メチルエチルケト
ン，有機アミンを用いることもできる。
ク面洗浄により固体微粒子を完全に除去することは非常
に重要である。すなわち、ウエハとバキュームチャック
間に固体異物が存在すると、吸着されたウエハの表面が
局部的に凸状に変形する。このウエハを平坦化研磨する
と局所的凸部も平坦化されるが、ウエハをバキュームチ
ャックから外した際にディンプル（局所的凹部）となっ
てしまうからである。バキュームチャックの吸着面およ
びウエハの裏面の洗浄時間は３０秒から６０秒程度であ
るが、この洗浄時間に制限はない。洗浄液としては純水
あるいは純水を電気分解した電解イオン水を用いるが洗
浄液種に限定はなく、例えば、純水にセルロース等の水
溶性有機高分子分散水溶液を用いて、ウエハ裏面に有機
高分子層を吸着させて親水性処理してもよい。この基板
裏面の親水性処理によりスラッジの乾燥固着を抑制でき
る効果もある。また、アルコール，メチルエチルケト
ン，有機アミンを用いることもできる。
【００５３】ウエハ裏面洗浄とバキュームチャックの吸
着面の洗浄後、ピンクランプ上のウエハをローディング
ステーションＳ1のホルダ上に搬入し、バキュームチャ
ックの吸着面にウエハを銅膜形成面を上向きに吸着させ
る。ウエハの搬入後、インデックステーブルを一角度
（９０°）回転させ、搬入されたウエハをまず一次研磨
ステーションＳ2へ移動させる。ポリッシングヘッド
は、研磨布をウエハ上の銅膜表面に０．０１〜０．４ｋ
ｇ／ｃｍ2程度の圧力で押しつけて平坦化処理を行う。
着面の洗浄後、ピンクランプ上のウエハをローディング
ステーションＳ1のホルダ上に搬入し、バキュームチャ
ックの吸着面にウエハを銅膜形成面を上向きに吸着させ
る。ウエハの搬入後、インデックステーブルを一角度
（９０°）回転させ、搬入されたウエハをまず一次研磨
ステーションＳ2へ移動させる。ポリッシングヘッド
は、研磨布をウエハ上の銅膜表面に０．０１〜０．４ｋ
ｇ／ｃｍ2程度の圧力で押しつけて平坦化処理を行う。
【００５４】この一次研磨工程による粗研磨では、ウエ
ハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ程度の速度で
回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転するポリッシン
グヘッドをウエハ上に０．１〜５ｃｍ／秒の速度で往復
させる。この際、研磨布の中心より研磨液（スラリ）を
ウエハ上に供給しつつ行う。この際、往復速度は常に一
定とする必要はなく、ウエハ中心部に長く研磨布が存在
するように可変速移動させることも可能である。研磨布
の直径はウエハの直径と同程度以下である。下限値はな
いがあまり小さくなると研磨布とウエハとの接触面積が
小さくなり、また研磨布の周速が小さくなることから銅
膜の研磨速度が著しく遅く実用的でない。従って、研磨
布の直径として少なくともウエハの半径以上が望まし
い。研磨布としては、発泡ポリウレタンやポリプロピレ
ン等の高分子シートに溝を形成したものを用いた。研磨
布に形成された溝は研磨液の給液孔１８ａのある中心か
ら螺旋状あるいは放射状に形成されており、研磨布中心
から外周部に向って効率よく研磨液が供給されるよう工
夫されている。なお、溝の断面形状に制限はないがＶ字
型が望ましく、溝縁が丸め加工されているとさらに望ま
しい。
ハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ程度の速度で
回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転するポリッシン
グヘッドをウエハ上に０．１〜５ｃｍ／秒の速度で往復
させる。この際、研磨布の中心より研磨液（スラリ）を
ウエハ上に供給しつつ行う。この際、往復速度は常に一
定とする必要はなく、ウエハ中心部に長く研磨布が存在
するように可変速移動させることも可能である。研磨布
の直径はウエハの直径と同程度以下である。下限値はな
いがあまり小さくなると研磨布とウエハとの接触面積が
小さくなり、また研磨布の周速が小さくなることから銅
膜の研磨速度が著しく遅く実用的でない。従って、研磨
布の直径として少なくともウエハの半径以上が望まし
い。研磨布としては、発泡ポリウレタンやポリプロピレ
ン等の高分子シートに溝を形成したものを用いた。研磨
布に形成された溝は研磨液の給液孔１８ａのある中心か
ら螺旋状あるいは放射状に形成されており、研磨布中心
から外周部に向って効率よく研磨液が供給されるよう工
夫されている。なお、溝の断面形状に制限はないがＶ字
型が望ましく、溝縁が丸め加工されているとさらに望ま
しい。
【００５５】銅膜の研磨液としては、１０〜１００ｎｍ
のシリカ粒子を１０〜２０ｗｔ％程度酸化剤水溶液に分
散させたものを用いた。研磨液にはアンモニアを微量添
加して弱アルカリ性としたが、ＨＮＯ3，燐酸，クエン
酸，酢酸やシュウ酸を微量添加した酸性研磨液を用いて
もよい。酸化剤としては、過酸化水素水やヨウ化カリウ
ム水溶液であるが、その種類に限定はない。また、研磨
剤としてアルミナ粒子，過酸化マンガン粒子，酸化セリ
ウム粒子等を用いてもよい。本発明による自動研磨装置
では、研磨液供給管内壁や研磨液廃液管内壁にはテフロ
ンコーティング等の酸・アルカリ耐性処理が施されてい
る。さらに、各ステーションＳ1〜Ｓ4はアクリル等の衝
壁で仕切られており、少なくともステーションＳ2とＳ3
には局所排気がなされ、酸あるいはアルカリ性研磨液の
蒸気が滞留しない構造となっている。さらに、研磨中に
はポリッシングヘッドの周囲をフードで覆い、ウエハの
研磨加工中および加工完了後は、フードの内壁に洗浄水
を流し続けることで、飛散した研磨液の固化や研磨液の
液体成分の蒸発を防いでいる。洗浄水としては純水を用
いるのが一般的であるが、研磨液自体をフード内壁に流
すことも可能である。さらに、水シール室からの洗浄水
をバキュームチャック外側から供給することで、研磨中
にウエハ裏面に研磨液が侵入することを防いでいる。
のシリカ粒子を１０〜２０ｗｔ％程度酸化剤水溶液に分
散させたものを用いた。研磨液にはアンモニアを微量添
加して弱アルカリ性としたが、ＨＮＯ3，燐酸，クエン
酸，酢酸やシュウ酸を微量添加した酸性研磨液を用いて
もよい。酸化剤としては、過酸化水素水やヨウ化カリウ
ム水溶液であるが、その種類に限定はない。また、研磨
剤としてアルミナ粒子，過酸化マンガン粒子，酸化セリ
ウム粒子等を用いてもよい。本発明による自動研磨装置
では、研磨液供給管内壁や研磨液廃液管内壁にはテフロ
ンコーティング等の酸・アルカリ耐性処理が施されてい
る。さらに、各ステーションＳ1〜Ｓ4はアクリル等の衝
壁で仕切られており、少なくともステーションＳ2とＳ3
には局所排気がなされ、酸あるいはアルカリ性研磨液の
蒸気が滞留しない構造となっている。さらに、研磨中に
はポリッシングヘッドの周囲をフードで覆い、ウエハの
研磨加工中および加工完了後は、フードの内壁に洗浄水
を流し続けることで、飛散した研磨液の固化や研磨液の
液体成分の蒸発を防いでいる。洗浄水としては純水を用
いるのが一般的であるが、研磨液自体をフード内壁に流
すことも可能である。さらに、水シール室からの洗浄水
をバキュームチャック外側から供給することで、研磨中
にウエハ裏面に研磨液が侵入することを防いでいる。
【００５６】かかる一次研磨ステーションでの研磨処理
によって、図１５に示すように銅膜１１０の表面段差が
なくなり平坦となる。一例として、低誘電率有機膜上に
成長した０．８μｍ厚の銅膜を０．２μｍ程度にまで、
研磨することで表面を平坦化した。一次研磨ステーショ
ンでの研磨時間の研磨が終了すると、まずポリッシング
ヘッドの圧力を無加重とし、さらに研磨布の中心部から
供給されている研磨液を純水に切り替えて銅膜上から研
磨液を素早く取り除く。研磨液には銅をエッチングする
作用もあるため、この純水供給処理は重要である。な
お、この際洗浄液である純水も研磨布中心から供給され
るため、効率良くウエハ上の銅膜から研磨液を除去する
ことを可能としている。この純水洗浄工程は１０〜３０
秒程度である。
によって、図１５に示すように銅膜１１０の表面段差が
なくなり平坦となる。一例として、低誘電率有機膜上に
成長した０．８μｍ厚の銅膜を０．２μｍ程度にまで、
研磨することで表面を平坦化した。一次研磨ステーショ
ンでの研磨時間の研磨が終了すると、まずポリッシング
ヘッドの圧力を無加重とし、さらに研磨布の中心部から
供給されている研磨液を純水に切り替えて銅膜上から研
磨液を素早く取り除く。研磨液には銅をエッチングする
作用もあるため、この純水供給処理は重要である。な
お、この際洗浄液である純水も研磨布中心から供給され
るため、効率良くウエハ上の銅膜から研磨液を除去する
ことを可能としている。この純水洗浄工程は１０〜３０
秒程度である。
【００５７】その後、ポリッシングヘッドはウエハから
引き離され、ポリッシングヘッドはパッドコンディショ
ナ手段により、研磨布表面の目立てを行う。パッドコン
ディショナは、回転するパッドコンディショニングディ
スクを有し、このディスクを回転させながら研磨布に押
しあてる。パッドコンディショニングディスクの表面に
は、５０〜５００μｍ径のダイヤモンド微粒子が電着さ
れ、あるいはガラス中に埋め込まれており、このダイヤ
モンドヤスリで研磨布の目立てを行う。この際、研磨布
の中心部から研磨液あるいは純水を供給する。今回、ダ
イヤモンド微粒子はパッドコンディショニングディスク
の外周１ｃｍ幅の帯状に形成されているものを用いた
が、全面に形成されているものを用いてもよい。ここで
の特徴は研磨布が下向きでダイヤモンド電着面が上向き
となっていることで、仮にダイヤモンド粒子がディスク
より脱落したとしても研磨布上に残留しにくい。さら
に、パッドコンディショニング終了後、パッドクリーニ
ング手段で研磨布表面を自動洗浄することで、研磨布表
面の清浄度を保つ。
引き離され、ポリッシングヘッドはパッドコンディショ
ナ手段により、研磨布表面の目立てを行う。パッドコン
ディショナは、回転するパッドコンディショニングディ
スクを有し、このディスクを回転させながら研磨布に押
しあてる。パッドコンディショニングディスクの表面に
は、５０〜５００μｍ径のダイヤモンド微粒子が電着さ
れ、あるいはガラス中に埋め込まれており、このダイヤ
モンドヤスリで研磨布の目立てを行う。この際、研磨布
の中心部から研磨液あるいは純水を供給する。今回、ダ
イヤモンド微粒子はパッドコンディショニングディスク
の外周１ｃｍ幅の帯状に形成されているものを用いた
が、全面に形成されているものを用いてもよい。ここで
の特徴は研磨布が下向きでダイヤモンド電着面が上向き
となっていることで、仮にダイヤモンド粒子がディスク
より脱落したとしても研磨布上に残留しにくい。さら
に、パッドコンディショニング終了後、パッドクリーニ
ング手段で研磨布表面を自動洗浄することで、研磨布表
面の清浄度を保つ。
【００５８】このパッドコンディショニング処理を行っ
ている際、インデックステーブルは９０°回転されて、
ウエハｗは二次研磨ステーションＳ3に移行される。こ
の回転より、ローディングステーションからは一次研磨
ステーションＳ2に新たなウエハが供給されてくる。
ている際、インデックステーブルは９０°回転されて、
ウエハｗは二次研磨ステーションＳ3に移行される。こ
の回転より、ローディングステーションからは一次研磨
ステーションＳ2に新たなウエハが供給されてくる。
【００５９】二次研磨ステーションＳ3においても、一
次研磨ステーションと同様に、研磨中にはポリッシング
ヘッド周囲をフードで覆い、ウエハの研磨加工中フード
の内壁に洗浄水を流し続けることで、飛散した研磨液の
固化や研磨液の液体成分の蒸発を防いでいる。さらに、
水シール室からの洗浄水をバキュームチャック外側から
供給することで、研磨中にウエハ裏面に研磨液が侵入す
ることを防いでいる。
次研磨ステーションと同様に、研磨中にはポリッシング
ヘッド周囲をフードで覆い、ウエハの研磨加工中フード
の内壁に洗浄水を流し続けることで、飛散した研磨液の
固化や研磨液の液体成分の蒸発を防いでいる。さらに、
水シール室からの洗浄水をバキュームチャック外側から
供給することで、研磨中にウエハ裏面に研磨液が侵入す
ることを防いでいる。
【００６０】二次研磨ステーションＳ3のポリッシング
ヘッドには、軟質の研磨布が張られている。例えば、気
泡密度の高い発泡ポリウレタンシートやポリエステル等
の化学繊維型の研磨布を用いる。この二次研磨工程にお
いても、ウエハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ
程度の速度で回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転す
るポリッシングヘッドをウエハ上に０．１〜５ｃｍ／秒
の速度で往復させて、銅膜１１０を研磨により薄膜化し
てゆく。ポリッシングヘッドの中心から供給される研磨
液には、０．１〜１ｗｔ％のセルロース等の水溶性有機
高分子と５〜１０ｗｔ％のシリカ粒子を溶解させた酸化
剤水溶液を用いた。水溶性有機高分子は研磨後銅膜表面
に吸着して銅表面を親水性化することで、研磨剤粒子の
乾燥・固着を抑制する効果を有している。ここでは、二
次研磨ステーションＳ3で研磨布と研磨液種を一次研磨
ステーションと変える場合を示したが、これらの研磨部
材を変更せずに、研磨圧力をさらに低下させポリッシン
グヘッドの回転速度を上げる等の研磨条件の変更を行う
こともできる。
ヘッドには、軟質の研磨布が張られている。例えば、気
泡密度の高い発泡ポリウレタンシートやポリエステル等
の化学繊維型の研磨布を用いる。この二次研磨工程にお
いても、ウエハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ
程度の速度で回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転す
るポリッシングヘッドをウエハ上に０．１〜５ｃｍ／秒
の速度で往復させて、銅膜１１０を研磨により薄膜化し
てゆく。ポリッシングヘッドの中心から供給される研磨
液には、０．１〜１ｗｔ％のセルロース等の水溶性有機
高分子と５〜１０ｗｔ％のシリカ粒子を溶解させた酸化
剤水溶液を用いた。水溶性有機高分子は研磨後銅膜表面
に吸着して銅表面を親水性化することで、研磨剤粒子の
乾燥・固着を抑制する効果を有している。ここでは、二
次研磨ステーションＳ3で研磨布と研磨液種を一次研磨
ステーションと変える場合を示したが、これらの研磨部
材を変更せずに、研磨圧力をさらに低下させポリッシン
グヘッドの回転速度を上げる等の研磨条件の変更を行う
こともできる。
【００６１】二次研磨ステーションＳ3には、ウエハ表
面のレーザ光の反射率の変化を検出する光度計が具備さ
れている。なお、ウエハ上のレーザ光入射位置には高圧
窒素ガス，高圧空気あるいは純水が吹きつけられてお
り、ウエハ上の研磨液を押しのけるように工夫がなされ
ている。ここでは、配線溝領域以外の低誘電率有機膜上
の銅膜が完全に研磨されて反射率が低下した時点を研磨
終了点とした。このように、本発明による自動研磨装置
では、ポリッシングヘッドがウエハ径よりも小さくかつ
ウエハ上を揺動運動することから、ウエハの表面性状を
常にモニタすることで研磨の終点検出を可能ならしめて
いるのである。なお、パッドコンディショナ手段及びパ
ッドクリーニング手段によるポリッシングヘッドの研磨
布のコンディショニング並びにクリーニングの処理を行
う点は、一次研磨ステーションでの処理と同じである。
面のレーザ光の反射率の変化を検出する光度計が具備さ
れている。なお、ウエハ上のレーザ光入射位置には高圧
窒素ガス，高圧空気あるいは純水が吹きつけられてお
り、ウエハ上の研磨液を押しのけるように工夫がなされ
ている。ここでは、配線溝領域以外の低誘電率有機膜上
の銅膜が完全に研磨されて反射率が低下した時点を研磨
終了点とした。このように、本発明による自動研磨装置
では、ポリッシングヘッドがウエハ径よりも小さくかつ
ウエハ上を揺動運動することから、ウエハの表面性状を
常にモニタすることで研磨の終点検出を可能ならしめて
いるのである。なお、パッドコンディショナ手段及びパ
ッドクリーニング手段によるポリッシングヘッドの研磨
布のコンディショニング並びにクリーニングの処理を行
う点は、一次研磨ステーションでの処理と同じである。
【００６２】二次研磨ステーションでの研磨処理によ
り、図１６に示すように有機膜１０８の配線溝に銅の埋
め込まれた銅配線１１１が得られる。
り、図１６に示すように有機膜１０８の配線溝に銅の埋
め込まれた銅配線１１１が得られる。
【００６３】アンローディングステーションＳ4におい
ては、ウエハを保持するバキュームチャックからなるホ
ルダを５０ｒｐｍ程度の速度で回転させ、回転するウエ
ハに同じく５０ｒｐｍ程度で回転するウエハ表面洗浄手
段のブラシを押しつけて洗浄する。洗浄液としては、純
水あるいはそれを電気分解した電解イオン水を用いる。
洗浄後、バキュームチャックの吸着面に空気と純水との
逆圧力をかけてウエハを解放する。ロボットアームでウ
エハをコンベア上に移し、コンベアは銅膜の研磨された
ウエハを次工程であるスクラブ洗浄装置へと速やかに移
送する。
ては、ウエハを保持するバキュームチャックからなるホ
ルダを５０ｒｐｍ程度の速度で回転させ、回転するウエ
ハに同じく５０ｒｐｍ程度で回転するウエハ表面洗浄手
段のブラシを押しつけて洗浄する。洗浄液としては、純
水あるいはそれを電気分解した電解イオン水を用いる。
洗浄後、バキュームチャックの吸着面に空気と純水との
逆圧力をかけてウエハを解放する。ロボットアームでウ
エハをコンベア上に移し、コンベアは銅膜の研磨された
ウエハを次工程であるスクラブ洗浄装置へと速やかに移
送する。
【００６４】以上、実施例に示した自動研磨装置におい
ては、ウエハのローディングステーションＳ1における
ウエハ搬入処理、一次研磨ステーションＳ2における銅
膜の平坦化研磨処理、二次研磨ステーションＳ3におけ
る銅膜の除去仕上げ処理、アンローディングステーショ
ンＳ4でのウエハ搬出処理を同時並行に行い、かつイン
デックステーブルの一定方向への回転で複数のウエハを
同時に次段の工程に速やかに送ることを可能としてい
る。最も効率良く本発明の自動研磨装置を運転するに
は、一次研磨ステーションと二次研磨ステーションの研
磨時間がほぼ同じになるようにそれぞれの研磨条件を設
定することが望ましい。少なくとも、一次研磨処理の終
了時と二次研磨処理との終了時とが一致するよう各々の
研磨処理開始時のタイミング調整をする必要がある。
ては、ウエハのローディングステーションＳ1における
ウエハ搬入処理、一次研磨ステーションＳ2における銅
膜の平坦化研磨処理、二次研磨ステーションＳ3におけ
る銅膜の除去仕上げ処理、アンローディングステーショ
ンＳ4でのウエハ搬出処理を同時並行に行い、かつイン
デックステーブルの一定方向への回転で複数のウエハを
同時に次段の工程に速やかに送ることを可能としてい
る。最も効率良く本発明の自動研磨装置を運転するに
は、一次研磨ステーションと二次研磨ステーションの研
磨時間がほぼ同じになるようにそれぞれの研磨条件を設
定することが望ましい。少なくとも、一次研磨処理の終
了時と二次研磨処理との終了時とが一致するよう各々の
研磨処理開始時のタイミング調整をする必要がある。
【００６５】本実施例では、低誘電率有機膜上の銅膜を
研磨する場合について述べたが、シリコン酸化膜上のア
ルミ膜やタングステン膜の研磨に適用できることも自明
である。さらに、ＢＰＳＧ膜やシリコン酸化膜の表面平
坦化にも適用できる。この場合には、一次研磨ステーシ
ョンと二次研磨ステーションとに硬質研磨布とシリカ粒
子分散研磨液を用い、両ステーションで同時並行に平坦
化研磨を行うことも可能である。
研磨する場合について述べたが、シリコン酸化膜上のア
ルミ膜やタングステン膜の研磨に適用できることも自明
である。さらに、ＢＰＳＧ膜やシリコン酸化膜の表面平
坦化にも適用できる。この場合には、一次研磨ステーシ
ョンと二次研磨ステーションとに硬質研磨布とシリカ粒
子分散研磨液を用い、両ステーションで同時並行に平坦
化研磨を行うことも可能である。
【００６６】
【発明の効果】以上のように本発明によるときには、イ
ンデックステーブルに割り付けられた各ステーションに
て同時並行にウエハの研磨，インデックステーブル上へ
のウエハの搬入並びにインデックステーブルからのウエ
ハの搬出を行って、ウエハの研磨作業を能率よく行うこ
とができ、また、ウエハの研磨による性状変化を常時監
視しつつ研磨することができるため、粗研磨と仕上げ研
磨とを同じインデックステーブル上で順次に行う場合に
おいて、粗研磨と仕上げ研磨との研磨終了の時機を一致
させることができ、これによって、研磨処理後、ウエハ
を待機されることがなく、ひいては、研磨液の乾燥固化
によってウエハの品質を低下させることがない。本発明
によれば、研磨装置の設置に広いスペースを必要とせ
ず、各ウエハに対して全く同じ条件で研磨処理を行うこ
とができ、高品質で均一な製品に仕上げることができ
る。本発明によれば、各種ガラス，Ｓｉ，ＳｉＯ2，各
種セラミックス，アルチック，ガリウムヒ素，インジウ
ムリン，サファイアなどの研磨処理に広く適用すること
ができる。
ンデックステーブルに割り付けられた各ステーションに
て同時並行にウエハの研磨，インデックステーブル上へ
のウエハの搬入並びにインデックステーブルからのウエ
ハの搬出を行って、ウエハの研磨作業を能率よく行うこ
とができ、また、ウエハの研磨による性状変化を常時監
視しつつ研磨することができるため、粗研磨と仕上げ研
磨とを同じインデックステーブル上で順次に行う場合に
おいて、粗研磨と仕上げ研磨との研磨終了の時機を一致
させることができ、これによって、研磨処理後、ウエハ
を待機されることがなく、ひいては、研磨液の乾燥固化
によってウエハの品質を低下させることがない。本発明
によれば、研磨装置の設置に広いスペースを必要とせ
ず、各ウエハに対して全く同じ条件で研磨処理を行うこ
とができ、高品質で均一な製品に仕上げることができ
る。本発明によれば、各種ガラス，Ｓｉ，ＳｉＯ2，各
種セラミックス，アルチック，ガリウムヒ素，インジウ
ムリン，サファイアなどの研磨処理に広く適用すること
ができる。
【図１】本発明の一実施形態を略示的に示す平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施形態を示す図である。
【図３】インデックステーブルの断面図である。
【図４】ウエハ裏面洗浄手段を示す図である。
【図５】チャック洗浄手段を示す図である。
【図６】一次研磨ステーションの設備を示す図である。
【図７】ポリッシングヘッドを示す図である。
【図８】バキュームチャックの構造を示す図である。
【図９】ポリッシングヘッドを覆うフードを設けた例で
ある。
ある。
【図１０】ウエハ表面洗浄手段を示す図である。
【図１１】ウエハ表面洗浄手段を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例による半導体ウエハの研磨
処理工程を示す図である。
処理工程を示す図である。
【図１３】本発明の一実施例による半導体ウエハの研磨
処理工程を示す図である。
処理工程を示す図である。
【図１４】本発明の一実施例による半導体ウエハの研磨
処理工程を示す図である。
処理工程を示す図である。
【図１５】本発明の一実施例による半導体ウエハの研磨
処理工程を示す図である。
処理工程を示す図である。
【図１６】本発明の一実施例による半導体ウエハの研磨
処理工程を示す図である。
処理工程を示す図である。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、ウエハの配線構造を示す
図である。
図である。
【図１８】図１７のウエハを平坦化処理する従来の研磨
処理の一例を示す図である。
処理の一例を示す図である。
１ インデックステーブル １ａ 衝壁 ２ ホルダ ３ ステッピングモータ ４ バキュームチャック ４ａ，４ｂ 外部配管 ５ モータ ６ 電磁クラッチ ７ ロボットアーム ８ ウエハ裏面洗浄手段 ８ａ，８ｂ ブラシ ９ チャック洗浄手段 １０ ウエハキャリア １１ ピンクランプ １２ ブラシホルダ １３ 遊星歯車 １４ 中心歯車 １５ 回転軸 １６ チャック洗浄部 １７ 供給孔 １８ ポリッシングヘッド １８ａ 給液孔 １９ パッドコンディショナ手段 ２０ パッドクリーニング手段 ２１ 加圧シリンダ ２１ａ 鍔部分 ２２ ベースプレート ２２ａ 張出し縁 ２３ 研磨布張り付板 ２４ 研磨布 ２５ スピンドル ２６ 吸着孔 ２７ 水シール室 ２８ 通水溝 ２９ シールリング ３０ 給水孔 ３１ 加圧室 ３２ ダイヤフラム ３３ フード ３４ パッドコンディショニングディスク ３５ ポリッシングヘッド ３６ パッドコンディショナ手段 ３７ パッドクリーニング手段 ３８ ウエハ表面洗浄手段 ３９ ロボットアーム ４０ ピンクランプ ４１ コンベア ４２ ウエハ表面検知手段 ４３ 光源 ４４ 光度計 ４５ ハーフミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−120182（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−288242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−162468（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−153273（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193033（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−219570（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36667（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190518（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283177（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−276225（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−267354（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−372364（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−275582（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−216016（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−86172（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/00 B24B 37/04
Claims (11)
- 【請求項１】 インデックステーブルとポリッシングヘ
ッドとを有する自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上のデ
バイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバイス
パターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送りが
与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ステー
ションを有し、前記研磨ステーションは、インデックス
テーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパターン
面を研磨処理する領域であり、さらに前記インデックステーブルは、複数のホルダを有
し、各ホルダは、インデックステーブル上に搬入されデ
バイスパターン面を上向きにウエハを吸着保持するもの
であり、研磨ステーションにて下方に設置されている回
転駆動部とクラッチ接続されることで該ホルダは一方向
に回転駆動され、ポリッシングヘッドによる研磨処理中
のウエハを回転駆動するものであり、 更に前記ホルダはバキュームチャックであり、チャック
洗浄手段を有し、該チャック洗浄手段は、インデックス
テーブル上へのデバイスパターン形成ウエハの搬入に先
立ち、インデックステーブルの下方に設置されている配
管とクラッチ接続されることで純水をバキュムチャック
の吸着面より噴出させて上方より回転円盤を押し当てる
ことでデバイスパターン形成ウエハの裏面を吸着すべき
バキュームチャックの吸着面を洗浄するものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あることを特徴とする自動研磨装置。 - 【請求項２】 インデックステーブルとポリッシングヘ
ッドとを有する自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上のデ
バイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバイス
パターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送りが
与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ステー
ションを有し、前記研磨ステーションは、インデックス
テーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパターン
面を研磨処理する領域であり、さらに前記インデックステーブルは、複数のホルダを有
し、各ホルダは、インデックステーブル上に搬入されデ
バイスパターン面を上向きにウエハを吸着保持するもの
であり、研磨ステーションにて下方に設置されている回
転駆動部とクラッチ接続されることで該ホルダは一方向
に回転駆動され、ポリッシングヘッドによる研磨処理中
のウエハを回転駆動するものであり、 更に前記ホルダはバキュームチャックであり、インデッ
クステーブルの下方に設置されている配管とクラッチ接
続されることで、バキュームチャックにデバイス形成ウ
エハの裏面を吸着するための真空が与えられ、かつホル
ダ周辺部に純水を供給するものであり、 前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あることを特徴とする自動研磨装置。 - 【請求項３】 インデックステーブルと、ポリッシング
ヘッドと、パッドコンディショナ手段と、パッドクリー
ニング手段とを有する自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上のデ
バイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバイス
パターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送りが
与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ステー
ションを有し、前記研磨ステーションは、インデックス
テーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパターン
面を研磨処理する領域であり、 前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あり、 前記パッドコンディショナ手段と前記パッドクリーニン
グ手段とは、インデックステーブルの研磨ステーション
の後退位置に設けられ、 前記パッドコンディショナ手段は、研磨ステーションに
下向きに設置されたポリッシングヘッドの研磨面の目立
てを行うものであり、 前記パッドクリーニング手段は、目立て後のポリッシン
グヘッドに残留する研磨粉や砥粉を除去するものであ
り、研磨ステーションの後退位置にポリッシングヘッド
が後退移動することで研磨面のコンディショニングとク
リーニングとを行うものである ことを特徴とする自動研
磨装置。 - 【請求項４】 インデックステーブルとポリッシングヘ
ッドとを有する自動研磨装置であって、 前記インデックステーブルは、少なくとも２枚以上のデ
バイスパターン形成ウエハをそれぞれ定位置のデバイス
パターン面を上向きに保持して所定角度毎の転回送りが
与えられるものであり、少なくとも１個所の研磨ステー
ションを有し、前記研磨ステーションは、インデックス
テーブル上に搬入されてきたウエハのデバイスパターン
面を研磨処理する領域であり、 前記ポリッシングヘッドは、インデックッステーブル上
方に設置され、ウエハ面と平行対向する回転研磨面を有
し、研磨面は、研磨ステーションに搬入されてきたウエ
ハのデバイスパターン形成面を上方から研磨するもので
あり、 さらにインデックステーブル上に設置されたレールをガ
イドとして往復運動する前記ポリッシングヘッドは、ダ
イアフラムを介して高圧空気による加圧で三次元方向に
揺動可能であり、ポリッシングヘッドの往復運動中も研
磨面は、研磨処理中のデバイスパターン形成ウエハに対
して平行の姿勢が保持される ことを特徴とする自動研磨
装置。 - 【請求項５】 ローディングステーションと、アンロー
ディングステーションとを有し、 ローディングステーションと、アンローディングステー
ションとは、所定角度毎の転回送りが与えられるインデ
ックステーブルの停止位置に割り当てられたものであ
り、 ローディングステーションではインデックステーブル上
にデバイスパターン面を上向きにウエハの周縁を保持し
て搬入する領域であり、 アンローディングステーションは、研磨処理後のウエハ
の周縁を保持してインデックステーブル上から搬出する
領域であることを特徴とする請求項１，２，３又は４に
記載の自動研磨装置。 - 【請求項６】 アンロードステーションにデバイスパタ
ーン形成ウエハの表面洗浄手段を有し、 ウエハ表面洗浄手段は、インデックステーブルの転回送
りされてきた研磨終了後のウエハのパターン形成面を洗
浄するものであることを特徴とする請求項１又は３に記
載の自動研磨装置。 - 【請求項７】 研磨ステーションとは、一次研磨ステー
ションと二次研磨ステーションとであり、 一次研磨ステーションと二次研磨ステーションとは、一
定角度毎の転回送りが与えられるインデックステーブル
の停止位置に割り付けられたものであり、それぞれポリ
ッシングヘッドを有し、一次研磨 ステーションは、ウエハのデバイスパターン形
成面を粗研磨して平坦化するステーションであり、 二次研磨ステーションは、平坦化処理後のウエハのデバ
イスパターン形成面を仕上げすることを特徴とする請求
項１，３又は６に記載の自動研磨装置。 - 【請求項８】 ポリッシングヘッドは、回転軸心に給液
孔を有し、 給液孔は、研磨液を研磨面に供給するものであることを
特徴とする請求項４に記載の自動研磨装置。 - 【請求項９】 研磨終了時に回転ポリッシンングヘッド
の中心部から供給される研磨液を洗浄水に切替て、デバ
イスパターン形成ウエハ表面から研磨液を取り除くこと
を特徴とする請求項７に記載の自動研磨装置。 - 【請求項１０】 デバイスパターン形成ウエハの表面検
知手段を有し、 ウエハ表面検知手段は光照射によるデバイスパターン形
成面の表面性状の変化から研磨処理の終了時期を検知す
るものであることを特徴とする請求項７に記載の自動研
磨装置。 - 【請求項１１】 デバイスパターン形成ウエハ上のレー
ザ照射面をエアブローして加工液を部分的に排除するこ
とを特徴とする請求項１０に記載の自動研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153797A JP3231659B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 自動研磨装置 |
| KR1019980015184A KR100332718B1 (ko) | 1997-04-28 | 1998-04-28 | 고평탄도로기판을연마할수있는자동연마장치 |
| US09/066,760 US6379230B1 (en) | 1997-04-28 | 1998-04-28 | Automatic polishing apparatus capable of polishing a substrate with a high planarization |
| GB9809104A GB2324750B (en) | 1997-04-28 | 1998-04-28 | Automatic polishing apparatus for polishing a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153797A JP3231659B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 自動研磨装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000393048A Division JP3507794B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303152A JPH10303152A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3231659B2 true JP3231659B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=14563880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153797A Expired - Lifetime JP3231659B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 自動研磨装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6379230B1 (ja) |
| JP (1) | JP3231659B2 (ja) |
| KR (1) | KR100332718B1 (ja) |
| GB (1) | GB2324750B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180018975A (ko) * | 2016-08-12 | 2018-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 시스템 및 기판 연마 방법 |
Families Citing this family (80)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168683B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-01-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers |
| US6250994B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads |
| JP3045233B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-29 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
| WO2000037217A1 (en) * | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Lam Research Corporation | Method for cleaning an abrasive surface |
| JP4808278B2 (ja) * | 1999-01-06 | 2011-11-02 | 株式会社東京精密 | 平面加工装置及び方法 |
| JP2003007661A (ja) * | 1999-01-06 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
| JP4553868B2 (ja) * | 1999-01-06 | 2010-09-29 | 株式会社東京精密 | 平面加工装置 |
| US6387188B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-05-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Pad conditioning for copper-based semiconductor wafers |
| JP4127926B2 (ja) | 1999-04-08 | 2008-07-30 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング方法 |
| US6620257B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-09-16 | Hoya Corporation | Scrub cleaning method for substrate and manufacturing method for information recording medium |
| JP2001018169A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP3675237B2 (ja) | 1999-07-09 | 2005-07-27 | 株式会社東京精密 | 平面加工装置 |
| US6340326B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-01-22 | Lam Research Corporation | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers |
| US6705930B2 (en) | 2000-01-28 | 2004-03-16 | Lam Research Corporation | System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques |
| JP3510177B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-03-22 | 株式会社東京精密 | ウェハ研磨装置 |
| JP3556148B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-08-18 | 株式会社東京精密 | ウェハ研磨装置 |
| JP2001274122A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェハ研磨装置 |
| US6358126B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6991524B1 (en) * | 2000-07-07 | 2006-01-31 | Disc Go Technologies Inc. | Method and apparatus for reconditioning digital discs |
| US6585572B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
| US6640155B2 (en) | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
| US7481695B2 (en) | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
| US6652357B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
| WO2002017381A2 (en) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for preventing damage to wafers in a sequential multiple steps polishing process |
| US6471566B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-10-29 | Lam Research Corporation | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same |
| US6443815B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
| JP4108941B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2008-06-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法 |
| US6588007B1 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of endpoint system to match individual processing stations within a tool |
| US6387807B1 (en) | 2001-01-30 | 2002-05-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Method for selective removal of copper |
| US6561881B2 (en) * | 2001-03-15 | 2003-05-13 | Oriol Inc. | System and method for chemical mechanical polishing using multiple small polishing pads |
| US6942545B2 (en) * | 2001-04-20 | 2005-09-13 | Oriol, Inc. | Apparatus and method for sequentially polishing and loading/unloading semiconductor wafers |
| US20020162996A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-07 | Chia-Lin Hsu | Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices |
| US6575818B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-06-10 | Oriol Inc. | Apparatus and method for polishing multiple semiconductor wafers in parallel |
| JP2003092274A (ja) | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 加工装置および方法、この装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
| KR100419004B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2004-02-14 | 주식회사 실트론 | 반도체 폴리싱 장치에서의 웨이퍼 마운팅 및 디마운팅 장치 |
| US6827633B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-12-07 | Ebara Corporation | Polishing method |
| US6780083B2 (en) * | 2002-04-19 | 2004-08-24 | Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for the chemical mechanical polishing of the surface of circular flat workpieces, in particular semi-conductor wafers |
| KR100472959B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 |
| DE10338682B4 (de) * | 2002-09-25 | 2010-03-18 | Georg Weber | Vorrichtung zum Bearbeiten von im wesentlichen flachen Werkstücken |
| JP2004165424A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Ekc Technology Inc | 研磨剤組成物とそれによる研磨方法 |
| US20040192178A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Barak Yardeni | Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads |
| KR100512179B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 |
| KR20040110391A (ko) * | 2003-06-19 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP4698144B2 (ja) | 2003-07-31 | 2011-06-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4464113B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-05-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工装置 |
| US7118451B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP apparatus and process sequence method |
| JP5108215B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2012-12-26 | 日本碍子株式会社 | 柱状構造体の位置決め方法及び装置 |
| TW200744790A (en) * | 2005-09-09 | 2007-12-16 | Inopla Inc | Apparatus and method for polishing objects using object cleaners |
| US7198548B1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing apparatus and method with direct load platen |
| CN100400237C (zh) * | 2005-10-10 | 2008-07-09 | 广东科达机电股份有限公司 | 除屑抛光磨头及砖体抛光机 |
| JP2007111283A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Timothy Tamio Nemoto | 歯冠研磨装置 |
| JP4838614B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-14 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 |
| US20090061743A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Stephen Jew | Method of soft pad preparation to reduce removal rate ramp-up effect and to stabilize defect rate |
| JP5444596B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-03-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9238293B2 (en) * | 2008-10-16 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad edge extension |
| DE102008063228A1 (de) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Peter Wolters Gmbh | Vorrichtung zur beidseitigen schleifenden Bearbeitung flacher Werkstücke |
| EP2260976B1 (de) * | 2009-06-10 | 2011-08-10 | Supfina Grieshaber GmbH & Co. KG | Planschleifmaschine und Verfahren zur Einrichtung einer Planschleifmaschine |
| US9254547B2 (en) | 2010-03-31 | 2016-02-09 | Applied Materials, Inc. | Side pad design for edge pedestal |
| CN102528643A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨设备及其研磨单元 |
| US8844106B2 (en) * | 2011-11-10 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same |
| JP5877719B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-03-08 | 株式会社ディスコ | 搬送方法 |
| CN102729133A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-10-17 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 晶圆研磨装置与晶圆研磨方法 |
| JP6239354B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2017-11-29 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| US10226853B2 (en) * | 2013-01-18 | 2019-03-12 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads |
| JP6341639B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2018-06-13 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| US9583377B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-02-28 | Lam Research Corporation | Installation fixture for elastomer bands |
| JP6138063B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-05-31 | 株式会社東京精密 | ウェハ研磨装置 |
| JP6357861B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-07-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
| JP6348028B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2018-06-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| CN107206567B (zh) * | 2014-11-23 | 2020-12-29 | M丘比德技术公司 | 晶片针钉卡盘制造和修理 |
| JP6540198B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-07-10 | 株式会社ジェイテクト | 複合研削盤及び複合研削方法 |
| JP6641197B2 (ja) | 2016-03-10 | 2020-02-05 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置および研磨方法 |
| JP6792363B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| EP3396707B1 (en) * | 2017-04-28 | 2021-11-03 | Ebara Corporation | Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate |
| US10651057B2 (en) | 2017-05-01 | 2020-05-12 | Ebara Corporation | Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate |
| TWI706813B (zh) * | 2017-05-02 | 2020-10-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102135060B1 (ko) * | 2017-05-10 | 2020-07-20 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법 |
| JP7096674B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-07-06 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置及び研削研磨方法 |
| JP7240931B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-03-16 | 株式会社荏原製作所 | 熱交換器の洗浄装置、および研磨装置 |
| KR20200130545A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982003038A1 (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-16 | Hatano Kouichi | One-pass type automatic plane multi-head grinding polishing and cleaning machine |
| JPS5919671A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-02-01 | Disco Abrasive Sys Ltd | ポリツシング装置 |
| JPS60155358A (ja) | 1984-01-23 | 1985-08-15 | Disco Abrasive Sys Ltd | 半導体ウエ−ハの表面を研削する方法及び装置 |
| JPS61109656A (ja) | 1984-10-30 | 1986-05-28 | Disco Abrasive Sys Ltd | 表面研削装置 |
| JPS61219570A (ja) | 1985-03-26 | 1986-09-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62162468A (ja) | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Rohm Co Ltd | ウエハ用研削装置 |
| DE3771857D1 (de) * | 1986-12-08 | 1991-09-05 | Sumitomo Electric Industries | Flaechenschleifmaschine. |
| JPH01153273A (ja) | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの研磨方法 |
| JP2640698B2 (ja) | 1991-07-31 | 1997-08-13 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの自動洗浄装置 |
| JPH05190518A (ja) | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 表面研磨装置 |
| JP3153018B2 (ja) | 1992-10-08 | 2001-04-03 | 富士通株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
| JP3341369B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2002-11-05 | ソニー株式会社 | 半導体ウエハの裏面研削装置 |
| US5554064A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-10 | Intel Corporation | Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication |
| JPH07193033A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | 半導体表面研磨方法及び研磨装置 |
| JP3450485B2 (ja) | 1994-02-21 | 2003-09-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JPH07276225A (ja) | 1994-04-07 | 1995-10-24 | Rohm Co Ltd | 被研磨材の表面平坦化方法 |
| JP3313505B2 (ja) | 1994-04-14 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 研磨加工法 |
| US5651724A (en) | 1994-09-08 | 1997-07-29 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
| JP3417751B2 (ja) | 1995-02-13 | 2003-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| EP0738561B1 (en) | 1995-03-28 | 2002-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection and monitoring for chemical mechanical polishing operations |
| KR100487590B1 (ko) | 1995-08-21 | 2005-08-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| JPH0970751A (ja) | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| US5611943A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-18 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads |
| US5804507A (en) | 1995-10-27 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing |
| US5792709A (en) | 1995-12-19 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | High-speed planarizing apparatus and method for chemical mechanical planarization of semiconductor wafers |
| JP3111892B2 (ja) | 1996-03-19 | 2000-11-27 | ヤマハ株式会社 | 研磨装置 |
| US5904611A (en) | 1996-05-10 | 1999-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus |
| JPH1076464A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Canon Inc | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
| JPH1086048A (ja) | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置 |
| US5718619A (en) | 1996-10-09 | 1998-02-17 | Cmi International, Inc. | Abrasive machining assembly |
| US5893795A (en) | 1997-07-11 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for moving a cassette |
| JP3076291B2 (ja) | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
| US6168683B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-01-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP11153797A patent/JP3231659B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-28 US US09/066,760 patent/US6379230B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-28 GB GB9809104A patent/GB2324750B/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-28 KR KR1019980015184A patent/KR100332718B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180018975A (ko) * | 2016-08-12 | 2018-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 시스템 및 기판 연마 방법 |
| KR102559647B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2023-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 시스템 및 기판 연마 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10303152A (ja) | 1998-11-13 |
| KR100332718B1 (ko) | 2002-09-18 |
| GB2324750B (en) | 2002-04-10 |
| GB9809104D0 (en) | 1998-07-01 |
| GB2324750A (en) | 1998-11-04 |
| KR19980081811A (ko) | 1998-11-25 |
| US6379230B1 (en) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3231659B2 (ja) | 自動研磨装置 | |
| US7402520B2 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
| US7108589B2 (en) | Polishing apparatus and method | |
| JP4838614B2 (ja) | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 | |
| JP5123329B2 (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 | |
| JPH11156711A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2004327561A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JPH10286756A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 | |
| CN101459124A (zh) | 化学机械研磨方法及晶片清洗方法 | |
| JP2011165994A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置 | |
| JP3507794B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2009285738A (ja) | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 | |
| JP2011124249A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 | |
| US6572453B1 (en) | Multi-fluid polishing process | |
| JP2007027488A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP2011155095A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置およびそれに用いる仮置台定盤 | |
| JP2003251555A (ja) | ポリッシング方法 | |
| US20050181708A1 (en) | Removal of embedded particles during chemical mechanical polishing | |
| JP2002036080A (ja) | 基板エッジ研磨装置 | |
| US20220297258A1 (en) | Substrate polishing simultaneously over multiple mini platens | |
| JP2001287142A (ja) | 基板エッジ研磨装置 | |
| JP2004296596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20030053292A (ko) | 반도체 웨이퍼 연마장치 | |
| CN115674004A (zh) | 晶圆清洗及研磨方法 | |
| JPH10335275A (ja) | ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |