JP2021109281A - バフ処理モジュール、及び、基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対するバフ処理の均一性を向上させる。【解決手段】バフ処理モジュールは、基板を支持するための支持面を有するバフテーブルと、前記基板に接触して相対運動することによって前記基板をバフ処理するためのバフパッドを取り付け可能なバフヘッドと、を備える。そして、前記バフテーブルは、内部に圧力室を有し、前記支持面を通じて前記基板の板面に圧力を作用させるための袋体と、前記圧力室内に流体を供給可能な流体供給機構と、前記袋体が所定の変形量を超えて変形することを制限する変形制限機構と、を有する。【選択図】図５

Description

本発明は、バフ処理モジュール、及び、基板処理装置に関する。

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。

また、基板処理装置は、基板に対してバフ処理を行うためのバフ処理ユニットを備える場合がある。このバフ処理ユニットは、基板を設置するバフテーブルと、基板よりも小径のバフパッドが取り付けられるバフヘッドと、を備え、バフパッドを基板に接触させて相対運動させることによって基板に対してバフ処理を行う（例えば特許文献１参照）。

また、バフ処理ユニットとしては、バフヘッドにおけるバフパッドが取り付けられる部材を弾性部材により構成し、弾性部材へ流体を供給することによってバフパッドの基板への接触力を調整可能なものが提案されている（例えば特許文献２参照）。

特開２０１６−８１９６０号公報 特開２０１６−４３４７３号公報

バフ処理ユニットでは、バフ処理状態の均一化を図るために、バフパッドと基板との接触状態の均一性が求められる。ここで、上記した特許文献１に記載の装置では、一定の押し付け力でバフパッドを基板に押し付ける。この場合、基板の縁部からバフパッドを一部飛び出させて基板の縁部をバフ処理する際に、基板とバフパッドとの接触面積が小さくなるため、基板とバフパッドとの接触圧力が大きくなってしまう。また、上記した特許文献２に記載の装置では、基板の縁部からバフパッドを一部飛び出させて基板の縁部をバフ処理する際に、弾性部材の変形に伴うバフパッドの変形、または弾性部材内の流体圧力の変動が生じるおそれがある。さらに、特許文献２に記載の装置では、弾性部材および流体供給機構がバフヘッドに設けられている。しかし、バフヘッドは、上下移動機構、アーム揺動機構、ヘッド回転機構、バフ処理用の薬液供給機構など、多くの機構を備えるため、弾性部材および流体供給機構を組み込むとバフヘッドの機構が複雑となる。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、基板に対するバフ処理の均一性を向上させることを目的の１つとする。

本発明の一実施形態によれば、バフ処理モジュールが提案され、前記バフ処理モジュールは、基板を支持するための支持面を有するバフテーブルと、前記基板に接触して相対運動することによって前記基板をバフ処理するためのバフパッドを取り付け可能なバフヘッドと、を備える。そして、前記バフテーブルは、内部に圧力室を有し、前記支持面を通じて前記基板の板面に圧力を作用させるための袋体と、前記圧力室内に流体を供給可能な流体供給機構と、前記袋体が所定の変形量を超えて変形することを制限する変形制限機構と、を有する。

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３Ａは、洗浄ユニットの平面図であり、図３Ｂは、洗浄ユニットの側面図である。 図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。 図５は、第１実施形態のバフテーブルの構成を示す図である。 図６は、第２実施形態のバフテーブルの構成を示す図であり、圧力室への流体供給流路を示す図である。 図７は、第２実施形態のバフテーブルの構成を示す図であり、吸着孔への負圧の導入流路を示す図である。 図８は、圧力室への流体の供給口と、支持面の吸着孔との一例を示す図である。

以下に、本発明の実施形態に係る基板処理装置、及び、基板処理方法が、図面に基づいて説明される。なお、以下では、処理対象である基板として、丸形のウェハを用いて説明を行うが、基板は角形などであってもよい。また、添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。

＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板に対して各種処理を行う基板処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット（研磨モジュール）３と、洗浄ユニット（洗浄モジュールおよび乾燥モジュール）４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、処理装置に電源を供給する電源供給部と、処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数の基板（ウェハ）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、処理装置の長手方向に沿って配列される。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド（研磨具）１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を噴射して研磨面上のスラリや研磨生成物、及びドレッシングによる研磨パッド残渣を除去するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０
が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給された状態で、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨パッド１０の研磨面に押圧されて研磨される。

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

＜洗浄ユニット＞
図３（Ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（Ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ここではロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。なお、
研磨ユニット３、ロール洗浄室１９０、ペン洗浄室１９２、乾燥室１９４、及びバフ処理室３００の各室間の圧力バランスは、乾燥室１９４＞ロール洗浄室１９０及びペン洗浄室１９２＞バフ処理室３００≧研磨ユニット３とすることができる。研磨ユニットでは研磨液を使用しており、バフ処理室についてもバフ処理液として研磨液を使用することがある。よって、上記のような圧力バランスにすることで、特に研磨液中の砥粒と言ったパーティクル成分の洗浄及び乾燥室への流入を防止することが可能であり、よって洗浄及び乾燥室の清浄度維持が可能となる。

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７Ａ，２０７Ｂが設けられている。

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（Ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下
側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。また、本実施形態では、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂを備える例を示すが、これに限らず一方のバフ処理モジュールのみを備えていてもよい。また、本実施形態では、バフ処理室３００の他に、ウェハＷを洗浄するモジュールとしてロール洗浄モジュール、及び、ペン洗浄モジュールを挙げて説明したが、これに限らず、２流体ジェット洗浄（２ＦＪ洗浄）又はメガソニック洗浄を行うこともできる。２流体ジェット洗浄は、高速気体に乗せた微小液滴（ミスト）を２流体ノズルからウェハＷに向けて噴出させて衝突させ、微小液滴のウェハＷ表面への衝突で発生した衝撃波を利用してウェハＷ表面のパーティクル等を除去（洗浄）するものである。メガソニック洗浄は、洗浄液に超音波を加え、洗浄液分子の振動加速度による作用力をパーティクル等の付着粒子に作用させて除去するものである。

＜バフ処理モジュール＞
次に、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、ウェハＷに対してバフ処理を施すことができるように構成されている。バフ処理の方式としては主に２種類あり、１つは処理対象であるウェハ上に残留するスラリや研磨生成物の残渣といった汚染物をバフパッドとの接触時に除去する方式（「バフ洗浄処理」ともいう）、もう１つは上記汚染物が付着した処理対象を研磨等により一定量除去する方式（「バフ研磨処理」ともいう）である。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂでは、バフ洗浄処理とバフ研磨処理との少なくとも一方が行われる。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、以下、上側バフ処理モジュール３００Ａのみ説明する。

図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷ
に接触して相対運動することによってウェハＷに対してバフ処理を行うためのバフパッドバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、バフ処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。

バフテーブル４００は、支持面４０１上にウェハＷが載置され、載置されたウェハＷを保持する。バフテーブル４００は、駆動機構４１０によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。また、バフテーブル４００は、駆動機構４１０によって、ウェハＷに角度回転運動、又は、スクロール運動をさせるようになっていてもよい。

バフヘッド５００には、ウェハＷに対向する面にバフパッド５０２が取り付けられる。図４に示すように、バフパッド５０２は、ウェハＷよりも小径である。例えばウェハＷがΦ３００ｍｍである場合、バフパッド５０２は好ましくはΦ１００ｍｍ以下、より好ましくはΦ６０〜１００ｍｍであることが望ましい。これはバフパッドの径が大きいほどウェハとの面積比が小さくなるため、ウェハのバフ処理速度は増加する。一方で、ウェハ処理速度の面内均一性については、逆にバフパッドの径が小さくなるほど、面内均一性が向上する。これは、単位処理面積が小さくなるためであり、図４に示すような、バフパッド５０２をバフアーム６００によりウェハＷの面内で揺動等の相対運動をさせることでウェハ全面処理を行う方式において有利となる。また、バフパッド５０２は、例えば発泡ポリウレタン系のハードパッド、スウェード系のソフトパッド、又は、スポンジなどで形成される。バフパッドの種類は処理対象物の材質や除去すべき汚染物の状態に対して適宜選択すればよい。例えば汚染物が処理対象物表面に埋まっている場合は、より汚染物に物理力を作用させやすいハードパッド、すなわち硬度や剛性の高いパッドをバフパッドとして使用してもよい。一方で処理対象物が例えばＬｏｗ−ｋ膜等の機械的強度の小さな材料である場合、被処理面のダメージ低減のために、ソフトパッドを使用してもよい。また、バフ処理液がスラリのような研磨液の場合、処理対象物の除去速度や汚染物の除去効率、ダメージ発生の有無は単にバフパッドの硬度や剛性だけでは決まらないため、適宜選択してもよい。また、これらのバフパッドの表面には、例えば同心円状溝やＸＹ溝、渦巻き溝、放射状溝といった溝形状が施されていてもよい。更に、バフパッドを貫通する穴を少なくとも１つ以上バフパッド内に設け、本穴を通してバフ処理液を供給してもよい。また、バフパッドとして、例えばＰＶＡスポンジのような、バフ処理液が浸透可能なスポンジ状の材料を使用してもよい。これらにより、バフパッド面内でのバフ処理液の流れ分布の均一化やバフ処理で除去された汚染物の速やかな排出が可能となる。

図４に示すように、バフヘッド５００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｂ周りに回転できるようになっている。バフヘッド５００は、図示していない駆動機構によってバフパッド５０２を上下移動させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に接触させるようになっている。本実施形態では、バフパッド５０２は、バフ処理を施す際に、予め定められた上下方向位置に移動され、ウェハＷと接触している間、その上下方向位置が固定される。なお、バフヘッド５００には、ウェハＷとバフパッド５０２とが接触している間にバフパッド５０２をウェハＷに向けて付勢するバネなどの付勢部材が設けられていてもよい。

バフアーム６００は、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの半径もしくは直径の範囲内で移動可能である。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするた
めの部材である。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。また、ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によってドレッサ８２０にスクロール運動をさせるようになっていてもよい。ドレッサ８２０は、表面にダイヤモンドの粒子が電着固定された、又は、ダイヤモンド砥粒がバフパッドとの接触面の全面もしくは一部に配置された、ダイヤドレッサ、樹脂製のブラシ毛がバフパッドとの接触面の全面もしくは一部に配置されたブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともにバフヘッド５００を回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。なお、コンディショニング条件は、コンディショニング荷重を８０Ｎ以下とすることが好ましい。また、コンディショニング荷重は、パッド５０２の寿命の観点を考慮すると、４０Ｎ以下であることがより好ましい。また、パッド５０２及びドレッサ８２０の回転数は、５００ｒｐｍ以下での使用が望ましい。

なお、本実施形態は、ウェハＷの処理面（バフテーブル４００の支持面４０１）及びドレッサ８２０のドレス面が水平方向に沿って設置される例を示すが、これに限定されない。例えば、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷの処理面及びドレッサ８２０のドレス面が鉛直方向に沿って設置されるように、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０を配置することができる。この場合、バフアーム６００及びバフヘッド５００は、鉛直方向に配置されたウェハＷの処理面に対してバフパッド５０２を接触させてバフ処理を行い、鉛直方向に配置されたドレッサ８２０のドレス面に対してバフパッド５０２を接触させてコンディショニング処理を行うことができるように配置される。また、バフテーブル４００もしくはドレステーブル８１０のいずれか一方が鉛直方向に配置され、バフアーム６００に配置されたバフパッド５０２が各テーブル面に対して垂直になるようバフアーム６００の全部もしくは一部が回転してもよい。

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（図４では、ＤＩＷと表示）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設
けられる。制御装置５は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（図４では、Ｃｈｅｍｉと表示）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置５は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及び、バフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリ等の研磨液（図４では、Ｓｌｕｒｒｙと表示）を選択的に供給できるようになっている。

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁
７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、研磨液供給源７３４に接続された研磨液配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。研磨液配管７３２には、研磨液配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、研磨液配管７３２、の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５０２の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置５は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び、開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリ等の研磨液のいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともにバフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面と接触する予め定めた上下方向位置に移動させ、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷにバフ処理を行うことができる。なお、バフ処理における条件であるが、基本的には本処理はメカニカル作用によるディフェクト除去であるものの、一方でウェハＷへのダメージの低減を考慮して、圧力は３ｐｓｉ以下、好ましくは２ｐｓｉ以下が望ましい。また、ウェハＷ及びヘッド５００の回転数は、バフ処理液の面内分布を考慮して１０００ｒｐｍ以下であることが望ましい。また、バフヘッド５００の移動速度は、３００ｍｍ／ｓｅｃ以下である。しかしながら、ウェハＷ及びバフヘッド５００の回転数及びバフヘッド５００の移動距離により、最適な移動速度の分布は異なるため、ウェハＷ面内でバフヘッド５００の移動速度は可変であることが望ましい。この場合の移動速度の変化方式としては、例えばウェハＷ面内での移動距離を複数の区間に分割し、それぞれの区間に対して移動速度を設定できる方式が望ましい。また、バフ処理液流量としては、ウェハＷ及びバフヘッド５００が高速回転時も十分な処理液のウェハ面内分布を保つためには大流量が良い。しかしその一方で、処理液流量増加は処理コストの増加を招くため、流量としては１０００ｍｌ／ｍｉｎ以下、好ましくは５００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることが望ましい。

＜バフテーブルの第１実施形態＞
次に、バフテーブル４００の詳細について説明する。図５は、第１実施形態のバフテーブル４００の構成を示す図である。図５は、バフテーブル４００の縦断面を模式的に示している。なお、図５では、バフヘッド５００及びバフパッド５０２についても併せて模式的に示している。図５に示すように、バフテーブル４００は、ベース部材４０８、袋体４２０、流体供給機構４５０、及び、変形制限機構４８０、を備える。

袋体４２０は、ベース部材４０８のバフヘッド５００側の面に取り付けられる。袋体４２０は、内部に圧力室４２４を画定する。なお、本実施形態では、袋体４２０は、ベース部材４０８側の端部が開口端となっており、この開口端がベース部材４０８に取り付けられてベース部材４０８と共に内部に圧力室４２４を画定するものとした。しかし、こうした例に限定されず、袋体４２０は、供給口４２５に通じる開口を有する袋状に構成されて単独で内部に圧力室４２４を画定しもよい。袋体４２０は、一例として、ポリウレタンなどの樹脂、又はゴムなどの材料で形成することができる。また、本実施形態では、袋体４２０は、薄いフィルム状の部材で形成されるものとしたが、比較的肉厚な弾性部材などとされてもよい。

袋体４２０のバフヘッド５００側の面は、支持面４０１を画定し、ウェハＷが取り付けられる。ただし、袋体４２０は、支持面４０１を通じてウェハＷに圧力を作用させることができるものであればよく、袋体４２０に直接にウェハＷが取り付けられることに限定されず、袋体４２０とウェハＷとの間には、既知の保護フィルムまたはその他別部材が介在してもよい。また、本実施形態では、袋体４２０にはウェハＷの側面を取り囲むガイド体４１８が設けられている。ガイド体４１８は、支持面４０１からバフヘッド５００側に突出してウェハＷの側面を取り囲む。ガイド体４１８は、ウェハＷの側面全体を取り囲むリング状部材であってもよいし、リング状の一部が切り欠かれた形状の部材、または、ウェハＷの側面に沿って配置される複数の突起状部材であってもよい。ガイド体４１８の支持面４０１からの高さは、ウェハＷの厚さよりも小さいことが好ましい。なお、図５に示す例では、ガイド体４１８は、袋体４２０と同一部材で形成されているが、ガイド体４１８は袋体４２０と別部材で形成されて袋体４２０に取り付けられることにより形成されてもよい。このようにウェハＷの側面を覆うガイド体４１８が設けられることにより、バフ処理中にウェハＷがバフテーブル４００から落ちることを防止できる。なお、本実施形態では、袋体４２０にガイド体４１８が設けられるものとしたが、こうした例に限定されず、ガイド体４１８に代えて、袋体４２０の側面を覆う側面ガイド４３０がウェハＷの側面を取り囲むように構成されてもよい。また、ベーステーブル４００は、こうしたガイド体４１８を備えなくてもよい。

流体供給機構４５０は、袋体４２０内の圧力室４２４に形成された供給口４２５を通じて、圧力室４２４へ流体（例えば、空気、窒素、超純水など）を供給することができる。なお、図５では、圧力室４２４には、流体供給機構４５０から１つの供給口を通じて流体が供給されているが、圧力室４２４には複数の供給口を通じて流体が供給されてもよい。また、圧力室４２４は、例えば同心円状など複数の領域に区画されてもよく、流体供給機構４５０はそれぞれの領域に対して個別に流体を供給可能に構成されてもよい。流体供給機構４５０は、制御装置５と通信して制御される。本実施形態では、圧力室４２４内の圧力を検出する圧力センサ４６０が設けられており、制御装置５は、圧力センサ４６０により検出される圧力が所定圧力となるように流体供給機構４５０を制御する。ここで、所定圧力としては、ウェハＷとバフパッド５０２とが接触するのに適した圧力など、ウェハＷやバフパッド５０２などに基づいて予め決められた圧力とすることができる。なお、圧力室４２４が複数の領域に区画されている場合、制御装置５は、それぞれの領域の圧力を検出して、各領域がそれぞれの目標圧力となるように流体供給機構４５０を制御してもよい。

変形制限機構４８０は、袋体４２０が所定の変形量を超えて変形することを制限するように構成されている。具体的には、本実施形態では、変形制限機構４８０として、袋体４２０における支持面４０１側の内面とベース部材４０８とを接続する複数の紐状部材が設けられている。複数の紐状部材のそれぞれは、所定長さであり、袋体４２０がベース部材４０８から所定距離（最大変化量）より離れることを防止する。なお、こうした紐状部材に代えて、または加えて、袋体４２０における支持面４０１側の内面とベース部材４０８とを接続する複数の弾性部材が設けられてもよい。複数の弾性部材は、袋体４２０への外部からの不要な荷重を逃がすとともに、袋体４２０の一部が過度に広がることを防止する。こうした変形制限機構４８０により、ベーステーブル４００に支持されたウェハＷとバフパッド５０２とが接触するときに、袋体４２０の一部が過度に変形することを防止でき、支持面４０１が過度に傾斜することなどを防止できる。

また、本実施形態では、バフテーブル４００は、袋体４２０の側面全体を取り囲む側面ガイド４３０を備えている。具体的には、側面ガイド４３０は、袋体４２０へ流体を供給した状態で袋体４２０の側面の全体を取り囲むリング状の部材である。なお、側面ガイド４３０は、リング状の形状には限られない。側面ガイド４３０は、例えば、袋体４２０へ
流体を供給した状態で袋体４２０の側面の全体を適当な間隔を空けて取り囲む複数の部材で形成されていてもよい。側面ガイド４３０は、例えば樹脂材料(ＰＰＳやＰＥＥＫ、フッ素系樹脂等)で形成することができる。こうした側面ガイド４３０によって、袋体４２０の膨張および収縮をガイドすることができると共に、袋体４２０のねじれによる損傷などを防止できる。

以上説明したバフテーブル４００によれば、流体供給機構４５０から袋体４２０の圧力室４２４内に流体が供給され、袋体４２０から支持面４０１を通じてウェハＷの板面に圧力が作用する。こうした構成により、ウェハＷとバフパッド５０２とが接触するときに、ウェハＷとバフパッド５０２との接触圧力を圧力室４２４内の圧力とすることができ、ウェハＷとバフパッド５０２との接触圧力を一定にしてバフ処理の均一性を向上させることができる。例えば、ウェハＷの縁部をバフ処理するためにバフパッド５０２の一部をウェハＷの縁部から外側に突出させてバフパッド５０２とウェハＷとを接触させるときを考える。この場合、バフパッド５０２をウェハＷに向けて一定の押し付け力で押し付けると、バフパッド５０２とウェハＷとの接触面積が小さいため、バフパッド５０２とウェハＷとの接触圧力はバフパッド５０２の全面がウェハＷと接触しているときと比較して大きくなる。これに対して、本実施形態のバフテーブル４００によれば、ウェハＷは、袋体４２０内の圧力によってバフパッド５０２と接触するため、ウェハＷとバフパッド５０２との接触圧力を一定にしてバフ処理の均一性を向上させることができる。そして、本実施形態のバフテーブル４００によれば、袋体４２０が所定の変形量を超えて変形することを制限する変形制限機構４８０が設けられているので、バフ処理中に袋体４２０が過度に変形することを防止することができ、ウェハＷがバフテーブル４００から落ちることなどを防止することができる。

しかも、本実施形態のバフ処理モジュールでは、バフヘッド５００ではなくバフテーブル４００に袋体４２０を設けている。これにより、上下移動機構、揺動機構、回転機構、およびバフ処理液供給機構など、多くの機構を備えるバフヘッド５００に袋体を設ける場合に比して、装置が複雑となることを回避することができる。

＜バフテーブルの第２実施形態＞
次に、バフテーブル４００の他の実施形態について説明する。図６および図７は、第２実施形態のバフテーブル４００Ａの構成を示す図である。図６および図７は、バフテーブル４００Ａの縦断面を模式的に示しており、図６は、圧力室４２４Ａへの流体供給流路を示しており、図７は、吸着孔４９２への負圧導入流路を示している。第２実施形態のバフテーブル４００Ａにおいて、第１実施形態のバフテーブル４００と同様の点は説明を省略する。

本実施形態では、袋体４２０Ａは、第１実施形態の袋体４２０と同様に、内部に圧力室４２４Ａを画定する。図６に示すように、圧力室４２４Ａには、流体供給機構４５０からの流体が供給されるように構成されている。本実施形態では、圧力室４２４Ａには、複数の供給口４２５が形成されており、複数の供給口４２５を通じて流体が圧力室４２４Ａ内に供給される。なお、第１実施形態で説明したのと同様に、圧力室４２４Ａは、例えば同心円状など複数の領域に区画されてもよい。

袋体４２０Ａには、支持面４０１に貫通する複数の吸着孔４９２が形成されている。なお、図６および図７では、４つの吸着孔４９２が示されているが、吸着孔４９２は、１つ〜３つ、または５つ以上設けられてもよい。袋体４２０Ａの支持面４０１裏側（内側）には、袋体４２０Ａの変形に伴って変位する変位部材４８２が取り付けられている。特に図７に示すように、第２実施形態では、変位部材４８２は、袋体４２０Ａにおける吸着孔４９２が設けられた部分に取り付けられており、変位部材４８２は、吸着孔４９２に連通す
る連通孔４８２ａを画定する。また、変位部材４８２は、外側に突出するフランジ部４８２ｂを有する。

特に図７に示すように、ベース部材４０８には、変位部材４８２と接触して変位部材４８２と共に負圧導入流路を画定する流路区画部材４８３が設けられている。図６および図７に示すように、本実施形態では、変位部材４８２および流路区画部材４８３は、袋体４２０Ａ内を、流体供給機構４５０からの流体が満たされる圧力室４２４Ａと、負圧が導入される負圧導入流路とに区画する。流路区画部材４８３と変位部材４８２との隙間は、Ｏリングなどの封止部材４８８によって封止されるとよい。

流路区画部材４８３は、ベース部材４０８に対して固定されており、袋体４２０Ａが変形すると、流路区画部材４８３に対して変位部材４８２は摺動する。本実施形態では、流路区画部材４８３は、変位部材４８２のベース部材４０８から離れる向きの移動を最大変位量で制限する第１突起４８４を有している。変位部材４８２は、フランジ部４８２ｂが第１突起４８４と干渉するため、第１突起４８４を超えて図６および図７中上方に移動することはできず、袋体４２０Ａは、最大変形量よりも広がって変形することが制限される。また、本実施形態では、流路区画部材４８３は、変位部材４８２のベース部材４０８に近づく向きの移動を最小変位量で制限する第２突起４８６を有している。変位部材４８２は、フランジ部４８２ｂが第２突起４８６と干渉するため、第２突起４８６を超えて図６および図７中下方に移動することはできず、袋体４２０Ａは、最小変形量よりも縮んで変形することが制限される。このように本実施形態では、流路区画部材４８３における第１突起４８４および第２突起４８６が、変位部材４８２の変位を制限する変位制限機構として機能する。第２実施形態では、変位部材４８２、および流路区画部材４８３における第１突起４８４および第２突起４８６が、第１実施形態における変形制限機構４８０に相当する。

図７に示すように、ベース部材４０８には、負圧導入機構４９０に接続された負圧導入流路が形成されている。負圧導入流路は、流路区画部材４８３によって画定される領域内に連通する。これにより、負圧導入機構４９０は、ベース部材４０８の負圧導入経路、変位部材４８２と流路区画部材４８３とによって区画される負圧領域、および、変位部材４８２の連通孔４８２ａを通じて、吸着孔４９２に負圧を導入することができる。このように吸着孔４９２に負圧を導入することにより、ウェハＷを支持面４０１に吸着保持することができる。

図８は、圧力室４２４Ａへの流体の供給口４２５と、支持面４０１の吸着孔４９２との一例を示す図である。図８は、バフテーブル４００を支持面４０１に対して垂直な方向から示している。なお、図６に示すように流体の供給口４２５は袋体４２０Ａの下方に位置するものであり、図８における流体の供給口４２５（黒丸）は、支持面４０１に垂直な方向から見た場所を示すものである。また、図８は、図６および図７に示す例と、供給口４２５と吸着孔４９２の数が異なっている。図８に示すように、圧力室４２４Ａへの流体の供給口４２５（図中、黒丸）は、互いに異なる位置に設けられるとよい。これにより、複数の供給口４２５から圧力室４２４Ａ内に流体を供給することができ、圧力室４２４Ａ内の圧力をより均一にすることができる。また、複数の供給口４２５は、支持面４０１の吸着孔４９２と異なる位置に配置されるとよい。例えば、供給口４２５は、所定数の吸着孔４９２の中央に対応する位置に配置されるとよい。こうすることにより、袋体４２０Ａ内の圧力室４２４Ａへの流体導入流路と、吸着孔４９２への負圧導入流路との設計を容易にすることができる。

以上説明した第２実施形態のバフテーブル４００によれば、支持面４０１に形成された吸着孔４９２を通じてウェハＷに負圧を作用させて吸着保持することができる。また、第
１実施形態のバフテーブル４００と同様に、流体供給機構４５０から袋体４２０Ａの圧力室４２４Ａ内に流体を供給して、ウェハＷの板面に圧力を作用させることができる。これにより、ウェハＷとバフパッド５０２との接触圧力を一定にしてバフ処理の均一性を向上させることができる。そして、袋体４２０Ａが変形に伴って変位する変位部材４８２が流路区画部材４８３の第１突起４８４と第２突起４８６とによって変位が制限され、袋体４２０Ａの過度な変形を制限することができ、ウェハＷがバフテーブル４００から落ちることなどを防止することができる。

＜変形例＞
第２実施形態では、変位部材４８２は、吸着孔４９２が形成されている部分に取り付けられて、吸着孔４９２に連通する連通孔４８２ａを画定するものとした。しかしながら、こうした例に限定されず、変位部材４８２は、吸着孔４９２が形成されていない部分に取り付けられてもよい。こうした場合にも、変位部材４８２の変位を制限するように、流路区画部材４８３の第１突起４８４または第２突起４８６のような変位制限部材を設けることで、袋体４２０Ａの過度な変形を制限することができる。

また、第２実施形態では、流路区画部材４８３は、袋体４２０Ａが広がる方向の変位部材４８２の変位を制限する第１突起４８４と、袋体４２０Ａが縮む方向の変位部材４８２の変位を制限する第２突起４８６とを有するものとした。しかし、流路区画部材４８３が第１突起４８４を有さず、変位部材４８２が流路画定部材４８３の上面（天面）と接触することにより、袋体４２０Ａが広がる方向の変位部材４８２の変位が制限されるものとしてもよい。また、流路画定部材４８３が第２突起４８６を有さず、変位部材４８２がベース部材４０８の表面と接触することにより、変位部材４８２の変位が制限されるものとしてもよい。

本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、バフ処理モジュールが提案され、前記バフ処理モジュールは、基板を支持するための支持面を有するバフテーブルと、前記基板に接触して相対運動することによって前記基板をバフ処理するためのバフパッドを取り付け可能なバフヘッドと、を備え、前記バフテーブルは、内部に圧力室を有し、前記支持面を通じて前記基板に圧力を作用させるための袋体と、前記圧力室内に流体を供給可能な流体供給機構と、前記袋体が所定の変形量を超えて変形することを制限する変形制限機構と、を有する。
形態１によれば、基板に対するバフ処理の均一性を向上させることができる。

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記圧力室内の圧力を検出する圧力センサと、前記圧力センサにより検出される圧力が所定圧力となるように前記流体供給機構を制御する制御部と、を更に備える。
形態２によれば、圧力室内の圧力を所定圧力にして基板とバフパッドとを接触させることができる。

［形態３］形態３によれば、形態１または２において、前記変形制限機構は、前記袋体の内側に取り付けられて当該袋体の変形に伴って変位する変位部材と、前記変位部材の変位を制限する変位制限部材と、を有する。
形態３によれば、袋体の内側に取り付けられた変位部材の変位が変位制限部材によって制限されることにより、袋体の変形が制限される。

［形態４］形態４によれば、形態３において、前記支持面には吸着孔が形成されており、前記バフテーブルは、前記吸着孔に負圧を導入可能な負圧導入機構を備え、前記変位部材は、前記吸着孔に連通する連通孔を画定する。
形態４によれば、支持面の吸着孔に導入される負圧の流路を画定する部材を、変位部材
とすることができる。

［形態５］形態５によれば、形態４において、前記変位部材と前記変位制限部材との隙間を封止する封止部材を更に備える。
形態５によれば、変位部材と変位制限部材との隙間から負圧または流体が漏れることを防止できる。

［形態６］形態６によれば、形態１から５において、前記変形制限機構は、前記袋体が最大変化量よりも広がることを制限すると共に、前記袋体が最小変化量よりも狭まることを制限する。
形態６によれば、袋体が過度に広がること、及び過度に収縮することを防止することができる。

［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記袋体には、前記流体供給機構が流体を供給するための複数の供給口が前記支持面に垂直な方向から見て互いに異なる位置に設けられている。
形態７によれば、複数の供給口から流体を袋体の圧力室内に供給することができ、圧力室内の圧力の均一化を図ることができる。

［形態８］形態８によれば、形態７において、前記支持面には吸着孔が形成されており、前記バフテーブルは、前記吸着孔に負圧を導入可能な負圧導入機構を備え、前記複数の供給口は、前記支持面に垂直な方向から見て前記吸着孔と異なる位置に設けられている。

［形態９］形態９によれば、形態１から８において、前記バフテーブルは、前記基板の側面を取り囲むためのガイド体を更に備える。
形態９によれば、基板がバフテーブルから落ちることを防止できる。

［形態１０］形態１０によれば、基板処理装置が提案され、前記基板処理装置は、前記基板に対して研磨処理を行う研磨モジュールと、前記基板に対してバフ処理を行う形態１から９の何れかに記載のバフ処理モジュールと、前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄モジュールと、前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥モジュールと、を備える。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

３ 研磨ユニット
４ 洗浄ユニット
５ 制御装置
１０ 研磨パッド
１９０ ロール洗浄室
１９２ ペン洗浄室
２０１Ａ 上側ロール洗浄モジュール
２０１Ｂ 下側ロール洗浄モジュール
２０２Ａ 上側ペン洗浄モジュール
２０２Ｂ 下側ペン洗浄モジュール
３００ バフ処理室
３００Ａ 上側バフ処理モジュール
３００Ｂ 下側バフ処理モジュール
４００、４００Ａ バフテーブル
４０１ 支持面
４１０ 駆動機構
４１８ ガイド体
４２０、４２０Ａ 袋体
４２４、４２４Ａ 圧力室
４２５ 供給口
４３０ 側面ガイド
４５０ 流体供給機構
４６０ 圧力センサ
４８０、４８０Ａ 変形制限機構
４８２ 変位部材
４８２ａ 連通孔
４８２ｂ フランジ部
４８３ 変位制限部材
４８４ 第１突起
４８６ 第２突起
４８８ 封止部材
４９２ 吸着孔
５００ バフヘッド
５０２ バフパッド
Ｗ ウェハ
１０００ 基板処理装置

Claims (10)

1. 基板を支持するための支持面を有するバフテーブルと、
   前記基板に接触して相対運動することによって前記基板をバフ処理するためのバフパッドを取り付け可能なバフヘッドと、
   を備え、
   前記バフテーブルは、
   内部に圧力室を有し、前記支持面を通じて前記基板の板面に圧力を作用させるための袋体と、
   前記圧力室内に流体を供給可能な流体供給機構と、
   前記袋体が所定の変形量を超えて変形することを制限する変形制限機構と、
   を有する、
   バフ処理モジュール。
2. 前記圧力室内の圧力を検出する圧力センサと、
   前記圧力センサにより検出される圧力が所定圧力となるように前記流体供給機構を制御する制御部と、
   を更に備える、請求項１に記載のバフ処理モジュール。
3. 前記変形制限機構は、前記袋体の内側に取り付けられて当該袋体の変形に伴って変位する変位部材と、前記変位部材の変位を制限する変位制限部材と、を有する、請求項１または２に記載のバフ処理モジュール。
4. 前記支持面には吸着孔が形成されており、
   前記バフテーブルは、前記吸着孔に負圧を導入可能な負圧導入機構を備え、
   前記変位部材は、前記吸着孔に連通する連通孔を画定する、
   請求項３に記載のバフ処理モジュール。
5. 前記変位部材と前記変位制限部材との隙間を封止する封止部材を更に備える、請求項４に記載のバフ処理モジュール。
6. 前記変形制限機構は、前記袋体が最大変化量よりも広がることを制限すると共に、前記袋体が最小変化量よりも狭まることを制限する、請求項１から５の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。
7. 前記袋体には、前記流体供給機構が流体を供給するための複数の供給口が前記支持面に垂直な方向から見て互いに異なる位置に設けられている、
   請求項１から６の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。
8. 前記支持面には吸着孔が形成されており、
   前記バフテーブルは、前記吸着孔に負圧を導入可能な負圧導入機構を備え、
   前記複数の供給口は、前記支持面に垂直な方向から見て前記吸着孔と異なる位置に設けられている、
   請求項７に記載のバフ処理モジュール。
9. 前記バフテーブルは、前記基板の側面を取り囲むためのガイド体を更に備える、請求項１から８の何れか１項に記載のバフ処理モジュール。
10. 前記基板に対して研磨処理を行う研磨モジュールと、
    前記基板に対してバフ処理を行う請求項１から９の何れか１項に記載のバフ処理モジュ
    ールと、
    前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄モジュールと、
    前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥モジュールと、
    を備える、基板処理装置。
    

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