JP6430177B2 - バフ処理モジュール、及び、処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、バフ処理モジュール、及び、処理装置に関するものである。

近年、処理対象物（例えば半導体ウェハなどの基板、又は基板の表面に形成された各種の膜）に対して各種処理を行うために処理装置が用いられている。処理装置の一例としては、処理対象物の研磨処理等を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、処理対象物の研磨処理を行うための研磨ユニット、処理対象物の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ処理対象物を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された処理対象物を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で処理対象物の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって処理対象物を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。

また、ＣＭＰ装置は、処理対象物に対してバフ処理を行うためのバフ処理ユニットを備える場合がある。バフ処理ユニットは、処理対象物を設置するバフテーブルと、処理対象物よりも小径のバフパッドが取り付けられたバフヘッドと、を備え、バフパッドを処理対象物に接触させて相対運動させることによって処理対象物に対してバフ処理を行う。ここで、バフ処理状態の均一化を図るためにはバフパッドの処理対象物への接触状態の制御が必要となる。

この点、従来技術では、弾性部材を用いてパッドを処理対象物に押圧する技術が開示されている。すなわち、従来技術では、パッドを弾性部材に取り付けて、弾性部材の端部を保持し、弾性部材のパッドが取り付けられていない側に空間を形成する。そして、従来技術は、空間に流体を注入して弾性部材を処理対象物側へ撓ませることによって、パッドを処理対象物に押圧していた。

特開２００１−２３７２０６号公報

しかしながら、従来技術では、パッドの処理対象物への接触状態の精密な制御には課題がある。

すなわち、従来技術は、弾性部材に隣接する空間に流体を注入して弾性部材を処理対象物側へ撓ませることによって、パッドを処理対象物に押圧する。ここで、従来技術は、弾性部材の撓んだ部分（空間の膨らんだ部分）の側面の支持がなく、したがって、空間に流体を注入してパッドを処理対象物に押圧しながらパッドを回転させたり揺動させたりした際に、パッドの位置が処理対象物の面方向に沿って位置ずれするおそれがある。パッドの位置がずれると、位置ずれによりパッドによれやねじれが生じ、パッドの破損や接触状態の不均一化、パッドと処理対象物との接触位置のずれが生じ、その結果、パッドと処理対象物との接触によって行われる処理の精度が悪くなるおそれがある。

そこで、本願発明は、バフ処理におけるバフパッドの処理対象物への接触状態の精密な制御が可能なバフヘッドを提供し、処理対象物に対するバフ処理の均一性を向上させることを課題とする。

本願発明のバフ処理モジュールの一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、処理対象物を保持するバフテーブルと、前記処理対象物に接触して相対運動することによって前記処理対象物に対してバフ処理を行うためのバフパッドが取り付けられるバフヘッドと、を備え、前記バフヘッドは、前記バフパッドが取り付けられる弾性部材と、前記弾性部材へ流体を供給することによって前記バフパッドの前記処理対象物への接触力を調整可能な押圧機構と、前記弾性部材の側面の全体を取り囲むガイド部材と、を備える、ことを特徴とする。

また、バフ処理モジュールの一形態において、前記ガイド部材は、前記弾性部材へ流体を供給した状態において前記弾性部材の側面の全体を取り囲む、ことができる。

また、バフ処理モジュールの一形態において、前記弾性部材は、前記流体の供給量に応じて容積が変わる袋体を含み、前記袋体は、前記流体が相互に連通しない複数の空間を含み、前記押圧機構は、前記複数の空間へ前記流体を独立して供給可能であってもよい。

また、バフ処理モジュールの一形態において、前記複数の空間は、同心円状に配置されていてもよい。

また、バフ処理モジュールの一形態において、前記弾性部材の前記処理対象物と接触する側の面に取り付けられるサポート部材、をさらに備え、前記バフパッドは、前記サポート部材を介して前記弾性部材に取り付けられてもよい。

また、バフ処理モジュールの一形態において、前記バフパッドは、前記処理対象物よりも小径であり、前記バフテーブルを回転させることができる駆動機構と、前記バフヘッドを保持し、前記バフヘッドを回転させるとともに前記処理対象物の板面に沿って揺動させることができるバフアームと、をさらに備える、ことができる。

また、本願発明の処理装置の一形態は、前記処理対象物に対して研磨処理を行う研磨モジュールと、前記処理対象物に対してバフ処理を行う上記のいずれかのバフ処理モジュールと、前記処理対象物に対して洗浄処理を行う洗浄モジュールと、前記処理対象物に対して乾燥処理を行う乾燥モジュールと、を備える。

かかる本願発明によれば、パッドを処理対象物に接触させて行う処理の精度を向上させることができる。

図１は、本実施形態の処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３Ａは、洗浄ユニットの平面図であり、図３Ｂは、洗浄ユニットの側面図である。 図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。 図５は、第１実施形態のバフヘッドの構成を示す図である。 図６は、第２実施形態のバフヘッドの他の実施形態の構成を示す図である。 図７は、第３実施形態のバフヘッドの他の実施形態の構成を示す図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る処理装置、及び、処理方法、が図面に基づいて説明される。

＜処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、処理対象物に対して各種処理を行う処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、処理装置に電源を供給する電源供給部と、処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数の処理対象物（例えば、ウェハ（基板））をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨
ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、処理装置の長手方向に沿って配列される。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド（研磨具）１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を噴射して研磨面上のスラリや研磨生成物、及びドレッシングによる研磨パッド残渣を除去するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給された状態で、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨パッド１０の研磨面に押圧されて研磨される。

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂ
のトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ここではロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。なお、研磨ユニット３、ロール洗浄室１９０、ペン洗浄室１９２、乾燥室１９４、及びバフ処理室３００の各室間の圧力バランスは、乾燥室１９４＞ロール洗浄室１９０及びペン洗浄室１９２＞バフ処理室３００≧研磨ユニット３とすることができる。研磨ユニットでは研磨液を使用しており、バフ処理室についてもバフ処理液として研磨液を使用することがある。よって、上記のような圧力バランスにすることで、特に研磨液中の砥粒と言ったパーティクル成分の洗浄及び乾燥室への流入を防止することが可能であり、よって洗浄及び乾燥室の清浄度維持が可能となる。

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７Ａ，２０７Ｂが設けられている。

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに
応じて適宜選択し得る。また、本実施形態では、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂを備える例を示すが、これに限らず一方のバフ処理モジュールのみを備えていてもよい。また、本実施形態では、バフ処理室３００の他に、ウェハＷを洗浄するモジュールとしてロール洗浄モジュール、及び、ペン洗浄モジュールを挙げて説明したが、これに限らず、２流体ジェット洗浄（２ＦＪ洗浄）又はメガソニック洗浄を行うこともできる。２流体ジェット洗浄は、高速気体に乗せた微小液滴（ミスト）を２流体ノズルからウェハＷに向けて噴出させて衝突させ、微小液滴のウェハＷ表面への衝突で発生した衝撃波を利用してウェハＷ表面のパーティクル等を除去（洗浄）するものである。メガソニック洗浄は、洗浄液に超音波を加え、洗浄液分子の振動加速度による作用力をパーティクル等の付着粒子に作用させて除去するものである。以下、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、上側バフ処理モジュール３００Ａのみ説明する。

＜バフ処理モジュール＞
図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷに接触して相対運動することによってウェハＷに対してバフ処理を行うためのバフパッドバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、バフ処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。図４に示すように、バフパッド５０２は、ウェハＷよりも小径である。例えばウェハＷがΦ３００ｍｍである場合、バフパッド５０２は好ましくはΦ１００ｍｍ以下、より好ましくはΦ６０〜１００ｍｍであることが望ましい。これはバフパッドの径が大きいほどウェハとの面積比が小さくなるため、ウェハのバフ処理速度は増加する。一方で、ウェハ処理速度の面内均一性については、逆にバフパッドの径が小さくなるほど、面内均一性が向上する。これは、単位処理面積が小さくなるためであり、図４に示すような、バフパッド５０２をバフアーム６００によりウェハＷの面内で揺動等の相対運動をさせることでウェハ全面処理を行う方式において有利となる。なお、バフ処理液は、ＤＩＷ（純水）、洗浄薬液、及び、スラリのような研磨液、の少なくとも１つを含む。バフ処理の方式としては主に２種類あり、１つは処理対象であるウェハ上に残留するスラリや研磨生成物の残渣といった汚染物をバフパッドとの接触時に除去する方式、もう１つは上記汚染物が付着した処理対象を研磨等により一定量除去する方式である。前者においては、バフ処理液は洗浄薬液やＤＩＷ、後者においては研磨液が好ましい。但し、後者においては、上記処理での除去量は例えば１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ以下であることが、ＣＭＰ後の被処理面の状態（平坦性や残膜量）の維持にとっては望ましく、この場合、通常のＣＭＰほどの除去速度が必要ない場合がある。そのような場合、適宜研磨液に対して希釈等の処理を行うことで処理速度の調整を行っても良い。また、バフパッド５０２は、例えば発泡ポリウレタン系のハードパッド、スウェード系のソフトパッド、又は、スポンジなどで形成される。バフパッドの種類は処理対象物の材質や除去すべき汚染物の状態に対して適宜選択すれば良い。例えば汚染物が処理対象物表面に埋まっている場合は、より汚染物に物理力を作用させやすいハードパッド、すなわち硬度や剛性の高いパッドをバフパッドとして使用しても良い。一方で処理対象物が例えばＬｏｗ−ｋ膜等の機械的強度の小さな材料である場合、被処理面のダメージ低減のために、ソフトパッドを使用しても良い。また、バフ処理液がスラリのような研磨液の場合、処理対象物の除去速度や汚染物の除去効率、ダメージ発生の有無は単にバフパッドの硬度や剛性だけでは決まらないため、適宜選択しても良い。また、これらのバフパッドの表面には、例えば同心円状溝やＸＹ溝、渦巻き溝、放射状溝といった溝形状が施されていても良い。更に、バフパッドを貫通する穴を少なくとも１つ以上バフパッド内に設け、本穴を通してバフ処理液を供給しても良い。また、バフパッドを例えばＰＶＡスポンジのような、バフ処理液が浸透可能なスポンジ状の材料を使用し
ても良い。これらにより、バフパッド面内でのバフ処理液の流れ分布の均一化やバフ処理で除去された汚染物の速やかな排出が可能となる。

バフテーブル４００は、ウェハＷを吸着する機構を有し、ウェハＷを保持する。また、バフテーブル４００は、駆動機構４１０によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。また、バフテーブル４００は、駆動機構４１０によって、ウェハＷに角度回転運動、又は、スクロール運動をさせるようになっていてもよい。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷに対向する面に取り付けられる。バフヘッド５００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｂ周りに回転できるようになっている。また、バフヘッド５００は、図示していない駆動機構によってバフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧できるようになっている。バフアーム６００は、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの半径もしくは直径の範囲内で移動可能である。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするための部材である。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。また、ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によってドレッサ８２０にスクロール運動をさせるようになっていてもよい。ドレッサ８２０は、表面にダイヤモンドの粒子が電着固定された、又は、ダイヤモンド砥粒がバフパッドとの接触面の全面もしくは一部に配置された、ダイヤドレッサ、樹脂製のブラシ毛がバフパッドとの接触面の全面もしくは一部に配置されたブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともにバフヘッド５００を回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。なお、コンディショニング条件は、コンディショニング荷重を８０Ｎ以下とすることが好ましい。また、コンディショニング荷重は、パッド５０２の寿命の観点を考慮すると、４０Ｎ以下であることがより好ましい。また、パッド５０２及びドレッサ８２０の回転数は、５００ｒｐｍ以下での使用が望ましい。

なお、本実施形態は、ウェハＷの処理面及びドレッサ８２０のドレス面が水平方向に沿って設置される例を示すが、これに限定されない。例えば、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷの処理面及びドレッサ８２０のドレス面が鉛直方向に沿って設置されるように、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０を配置することができる。この場合、バフアーム６００及びバフヘッド５００は、鉛直方向に配置されたウェハＷの処理面に対してバフパッド５０２を接触させてバフ処理を行い、鉛直方向に配置されたドレッサ８２０のドレス面に対してバフパッド５０２を接触させてコンディショニング処理を行うことができるように配置される。また、バフテーブル４００もしくはドレステーブル８１０のいずれか一方が鉛直方向に配置され、バフアーム６００に配置されたバフパッド５０２が各テーブル面に対して垂直になるようバフアーム６００の全部もしくは一部が回転しても良い。

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設
けられる。制御装置５は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置５は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及び、バフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリ等の研磨液を選択的に供給できるようになっている。

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、研磨液供給源７３４に接続された研磨液配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。研磨液配管７３２には、研磨液配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、研磨液配管７３２、の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５０２の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置５は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び、開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリ等の研磨液のいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともにバフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷにバフ処理を行うことができる。なお、バフ処理における条件であるが、基本的には本処理はメカニカル作用によるディフェクト除去であるものの、一方でウェハＷへのダメージの低減を考慮して、圧力は３ｐｓｉ以下、好ましくは２ｐｓｉ以下が望ましい。また、ウェハＷ及びヘッド５００の回転数は、バフ処理液の面内分布を考慮して１０００ｒｐｍ以下であることが望ましい。また、バフヘッド５００の移動速度は、３００ｍｍ／ｓｅｃ以下である。しかしながら、ウェハＷ及びヘッド５００の回転数及びバフヘッド５００の移動距離により、最適な移動速度の分布は異なるため、ウェハＷ面内でバフヘッド５００の移動速度は可変であることが望ましい。この場合の移動速度の変化方式としては、例えばウェハＷ面内での移動距離を複数の区間に分割し、それぞれの区間に対して移動速度を設定できる方式が望ましい。また、バフ処理液流量としては、ウェハＷ及びヘッド５００が高速回転時も十分な処理液のウェハ面内分布を保つためには大流量が良い。しかしその一方で、処理液流量増加は処理コストの増加を招くため、流量としては１０００ｍｌ／ｍｉｎ以下、好ましくは５００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることが望ましい。

ここで、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。

バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリ等の研磨液を介在させることによりウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、汚染物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３における主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又は主研磨後のモフォロジー改善、を実現することができる。

バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハＷ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。

＜バフヘッドの第１実施形態＞
次に、バフヘッド５００の詳細について説明する。図５は、第１実施形態のバフヘッド５００の構成を示す図である。図５は、バフヘッド５００の縦断面を模式的に示している。図５に示すように、バフヘッド５００は、ベース部材５１０、弾性部材５２０、押圧機構５３０、及び、ガイド部材５４０、を備える。

弾性部材５２０は、ベース部材５１０のウェハＷ側の面に取り付けられる。また、弾性部材５２０のウェハＷ側の面には、バフパッド５０２が取り付けられる。押圧機構５３０は、弾性部材５２０と連通しており、弾性部材５２０へ流体（例えば、空気、Ｎ_２など）を供給することによってバフパッド５０２のウェハＷへの接触力を調整可能な部材である。弾性部材５２０は、例えば、エアバッグのように、押圧機構５３０による流体の供給量に応じて容積が変わる袋体を含んでいる。

ガイド部材５４０は、弾性部材５２０の側面５２２の全体を取り囲むリング状の部材である。具体的には、ガイド部材５４０は、弾性部材５２０へ流体を供給した状態で弾性部材５２０の側面５２２の全体を取り囲むリング状の部材である。さらに具体的には、ガイド部材５４０は、弾性部材５２０へ流体を供給してバフパッド５０２をウェハＷに押圧した状態で弾性部材５２０の側面５２２の全体を取り囲むリング状の部材である。なお、ガイド部材５４０は、リング状の形状には限られない。ガイド部材５４０は、例えば、弾性部材５２０へ流体を供給した状態で弾性部材５２０の側面５２２の全体を適当な間隔を空けて取り囲む複数の部材で形成されていてもよい。

本実施形態では、図５に示すように、バフヘッド５００には、ベース部材５１０、弾性部材５２０、及び、バフパッド５０２の中央を貫通するバフ処理液流路５５０が形成されている。バフ処理液流路５５０は、上述の液供給配管７４０に連通する。バフ処理液流路５５０を設けることによって、バフヘッド５００を介してウェハＷの処理面にバフ処理に用いる各種の処理液を供給することができる。しかし、処理液の供給は、バフヘッド５００の内部からに限らず、バフヘッド５００の外部から行うこともできる。この場合、ベース部材５１０、弾性部材５２０、及び、バフパッド５０２には、バフ処理液流路５５０が形成されていなくてもよい。なお、弾性部材５２０の側面５２２とは、弾性部材５２０の面のうち、ベース部材５１０に取り付けられている面、バフ処理液流路５５０に対向する面、及び、バフパッド５０２が取り付けられている面、を除いた面のことである。

本実施形態のように、ガイド部材５４０を設けることによって、パッドを処理対象物に接触させて行う処理の精度を向上させることができる。すなわち、弾性部材５２０に流体を注入してバフパッド５０２をウェハＷに押圧しながらバフパッド５０２を回転させたり揺動させたりした際に、バフパッド５０２の位置がウェハＷの面方向に沿って位置ずれするおそれがある。この場合、バフパッド５０２のよれやねじれによるバフパッド５０２の破損やバフパッド５０２のウェハＷとの接触状態の不均一化が生じてしまい、結果として、バフ処理におけるバフパッド面内ひいてはウェハＷ面内におけるバフ処理状態の不均一性（例えばバフ洗浄ではディフェクトの除去性能の不均一性、バフ研磨では処理対象物の除去量の面内分布の不均一性）に繋がる。

これに対して、本実施形態では、ガイド部材５４０を設けており、ガイド部材５４０が弾性部材５２０の側面５２２全体を支持するので、弾性部材５２０を加圧してバフ処理を行う際のバフパッド５０２の横ずれを防止することができる。バフパッド５０２の横ずれを防止することができるので、バフヘッド５００は、バフパッド５０２とウェハＷとを所望の位置で接触させることが可能であり、また上記のバフパッドのよれやねじれによる破損や、接触状態の不均一化を回避することが可能である。その結果、ウェハＷ面内でのバフ処理状態の均一性が向上する。

本実施形態のようにバフパッド５０２を保持するバフヘッドの機構としては、バフパッド５０２がウェハＷの処理面、又は、ドレッサ８２０のドレス面に追従するようにジンバル機構を設けることも考えられる。しかしながら、本実施形態では、弾性部材５２０を加圧によってバフパッド５０２をウェハＷに押圧する構造を採用しているので、ジンバル機能を設けなくてもよく、バフヘッド５００の構造を簡素化することができる。

なお、一例として、ガイド部材５４０の内径は、弾性部材５２０の外径に対して＋３ｍｍ以内とすることができる。これにより、弾性部材５２０が加圧された際の横方向膨張によるガイド部材５４０への擦れ及び擦れによる弾性部材５２０の上下動阻害を防止することができる。また、ガイド部材５４０のウェハＷとの対向面５４２は、ウェハＷの処理面とは非接触になるようにすることができる。例えば、ガイド部材５４０は、バフ処理を行っている際にガイド部材５４０の対向面５４２とウェハＷとの間の距離が１〜３ｍｍ（バフパッド５０２の厚み以下）となるように、ベース部材５１０に取り付けられる。また、ガイド部材５４０は、薬液を用いたバフケミカル処理による腐食を抑制するため、及び、ウェハＷと仮に接触した場合でもウェハＷにダメージを与え難くするために、例えば樹脂材料(ＰＰＳやＰＥＥＫ、フッ素系樹脂等)で形成することができる。

＜バフヘッドの第２実施形態＞
次に、バフヘッド５００の他の実施形態について説明する。図６は、第２実施形態のバフヘッド５００の他の実施形態の構成を示す図である。図６は、バフヘッド５００の縦断面を模式的に示している。図６のバフヘッド５００は、図５に示したバフヘッド５００と比べて、サポート部材（例えば、サポート板５６０）を追加した点が異なる。その他の構成は図５に示したバフヘッド５００と同様であるので、説明を省略する。

図６に示すように、弾性部材５２０のウェハＷ側の面には、サポート板５６０が取り付けられ、サポート板５６０のウェハＷ側の面にはバフパッド５０２が取り付けられる。言い換えると、バフパッド５０２は、サポート板５６０を介して弾性部材５２０のウェハＷ側の面に取り付けられる。この場合の弾性部材５２０とサポート板５６０との固定、及び、サポート板５６０とバフパッド５０２との固定については、粘着剤による固定の他にも、弾性部材５２０やバフパッド５０２の外周部に例えばリング状の固定部位を予め形成しておき、本部位を固定する方法も挙げられる。本方法では、本部位をリング状の押え板や
サポート板５６０側に設けた収納部にスライドさせることで、固定が可能となる。

この実施形態では、サポート板５６０の中央には、バフ処理液流路５５０を形成するための穴が形成される。また、この実施形態においても、ガイド部材５４０は、弾性部材５２０へ流体を供給した状態で弾性部材５２０の側面５２２の全体を取り囲むリング状の部材である。具体的には、ガイド部材５４０は、弾性部材５２０へ流体を供給してバフパッド５０２をウェハＷに押圧した状態で弾性部材５２０の側面５２２の全体を取り囲むリング状の部材である。

本実施形態によれば、図５のバフヘッド５００と同様の効果を奏するとともに、サポート板５６０を設けることによって、弾性部材５２０とバフパッド５０２との密着性を向上することができる。これによって、バフパッド５０２を回転させたり揺動させたりした際のねじれによってバフパッド５０２と弾性部材５２０との間で剥がれが生じるのを抑制することができる。サポート板５６０の厚みは、弾性部材５２０を加圧した時のメンブレン膨張が阻害されるのを防止するために、例えば、１ｍｍ程度とすることができる。また、サポート板５６０は、ＳＵＳ等の金属製で形成してもよいし、薬液を用いたバフケミカル処理によって腐食が生じる可能性がある場合は樹脂材料(ＰＰＳやＰＥＥＫ、フッ素系樹脂等)で形成してもよい。また、サポート板５６０は、弾性部材５２０及びバフパッド５０２に対して粘着剤で固定する場合はこれら部材との粘着性があることが好ましい。なお、本実施形態では、サポート部材の一例としてサポート板５６０を示したが、サポート部材の形状は板状には限定されない。

＜バフヘッドの第３実施形態＞
次に、バフヘッド５００の他の実施形態について説明する。図７は、第３実施形態のバフヘッド５００の他の実施形態の構成を示す図である。図７Ａは、バフヘッド５００の縦断面を模式的に示しており、図７Ｂは、弾性部材５２０を模式的に示す平面図である。本実施形態は、図６のバフヘッド５００と比べて弾性部材５２０の袋体の内部が複数の空間に分割されている点が異なる。その他の構成は図６に示したバフヘッド５００と同様であるので、説明を省略する。

図７に示すように、弾性部材５２０の袋体は、流体が相互に連通しない複数の空間５２４，５２６を含む。具体的には、弾性部材５２０の袋体は、例えば同心円状に配置された、バフ処理液流路５５０に近い側の内周空間５２４と、内周空間５２４の外側に位置する外周空間５２６と、を備える。この場合、押圧機構５３０は、複数の空間５２４，５２６へ流体を独立して供給可能になっている。押圧機構５３０は、例えば、内周空間５２４と外周空間５２６の流体の供給量を独立して制御することによって、バフパッド５０２の外周側の押圧力と内周側の押圧力を個別に制御することができる。その結果、本実施形態のバフヘッド５００によれば、バフパッド５０２面内におけるウェハＷへの押圧分布を制御することができるので、ウェハＷの処理面におけるバフ処理の均一化を実現することができる。

なお、図７の例では、弾性部材５２０の袋体が２つの空間５２４，５２６に仕切られている例を示したが、空間の数はこれには限られない。例えば、弾性部材５２０の袋体は、同心円状に配置された３以上の複数の空間に仕切られていてもよい。また、図７の例では、弾性部材５２０の袋体が同心円状の内周空間５２４と外周空間５２６とに仕切られる例を示したが、空間の仕切り方はこれには限られない。

３ 研磨ユニット
４ 洗浄ユニット
５ 制御装置
１０ 研磨パッド
１９０ ロール洗浄室
１９２ ペン洗浄室
２０１Ａ 上側ロール洗浄モジュール
２０１Ｂ 下側ロール洗浄モジュール
２０２Ａ 上側ペン洗浄モジュール
２０２Ｂ 下側ペン洗浄モジュール
３００ バフ処理室
３００Ａ 上側バフ処理モジュール
３００Ｂ 下側バフ処理モジュール
４００ バフテーブル
４１０ 駆動機構
５００ バフヘッド
５０２ バフパッド
５１０ ベース部材
５２０ 弾性部材
５２２ 側面
５２４ 内周空間
５２６ 外周空間
５３０ 押圧機構
５４０ ガイド部材
５４２ 対向面
５５０ バフ処理液流路
５６０ サポート板
６００ バフアーム
Ｗ ウェハ

Claims (12)

1. 処理対象物を保持するバフテーブルと、
   前記処理対象物に接触して相対運動することによって前記処理対象物に対してバフ処理を行うためのバフパッドが取り付けられるバフヘッドと、を備え、
   前記バフヘッドは、
   前記バフパッドが取り付けられる弾性部材と、前記弾性部材へ流体を供給することによって前記バフパッドの前記処理対象物への接触力を調整可能な押圧機構と、前記弾性部材の側面の全体を取り囲むガイド部材と、を備え、
   前記弾性部材は、前記流体の供給量に応じて容積が変わる袋体を含み、
   前記袋体は、前記流体が相互に連通しない複数の空間を含み、
   前記押圧機構は、前記複数の空間へ前記流体を独立して供給可能である、
   ことを特徴とするバフ処理モジュール。
2. 請求項１のバフ処理モジュールにおいて、
   前記ガイド部材は、前記弾性部材へ流体を供給した状態において前記弾性部材の側面の全体を取り囲む、
   バフ処理モジュール。
3. 請求項１又は２のバフ処理モジュールにおいて、
   前記複数の空間は、同心円状に配置されている、
   バフ処理モジュール。
4. 請求項１〜３のいずれか１項のバフ処理モジュールにおいて、
   前記弾性部材の前記処理対象物と接触する側の面に取り付けられるサポート部材、をさらに備え、
   前記バフパッドは、前記サポート部材を介して前記弾性部材に取り付けられる、
   バフ処理モジュール。
5. 請求項１〜４のいずれか１項のバフ処理モジュールにおいて、
   前記バフパッドは、前記処理対象物よりも小径であり、
   前記バフテーブルを回転させることができる駆動機構と、
   前記バフヘッドを保持し、前記バフヘッドを回転させるとともに前記処理対象物の板面に沿って揺動させることができるバフアームと、をさらに備える、
   バフ処理モジュール。
6. 前記処理対象物に対して研磨処理を行う研磨モジュールと、
   前記処理対象物に対してバフ処理を行う請求項１〜５のいずれか１項のバフ処理モジュールと、
   前記処理対象物に対して洗浄処理を行う洗浄モジュールと、
   前記処理対象物に対して乾燥処理を行う乾燥モジュールと、
   を備える、処理装置。
7. 処理対象物を保持するバフテーブルと、
   前記処理対象物に接触して相対運動することによって前記処理対象物に対してバフ処理を行うためのバフパッドが取り付けられるバフヘッドと、を備え、
   前記バフヘッドは、
   前記バフパッドが取り付けられる弾性部材と、前記弾性部材へ流体を供給することによって前記バフパッドの前記処理対象物への接触力を調整可能な押圧機構と、前記弾性部材の側面の全体を取り囲むガイド部材と、
   前記弾性部材および前記バフパッドを貫通する、前記処理対象物に処理液を供給するためのバフ処理液流路と、
   を備え、
   前記弾性部材は、前記流体の供給量に応じて容積が変わる袋体を含み、
   前記袋体は、前記流体が相互に連通しない複数の空間を含み、
   前記押圧機構は、前記複数の空間へ前記流体を独立して供給可能である、
   ことを特徴とするバフ処理モジュール。
8. 請求項７のバフ処理モジュールにおいて、
   前記ガイド部材は、前記弾性部材へ流体を供給した状態において前記弾性部材の側面の全体を取り囲む、
   バフ処理モジュール。
9. 請求項７のバフ処理モジュールにおいて、
   前記複数の空間は、同心円状に配置されている、
   バフ処理モジュール。
10. 請求項７〜９のいずれか１項のバフ処理モジュールにおいて、
    前記弾性部材の前記処理対象物と接触する側の面に取り付けられるサポート部材、をさらに備え、
    前記バフパッドは、前記サポート部材を介して前記弾性部材に取り付けられる、
    バフ処理モジュール。
11. 請求項７〜１０のいずれか１項のバフ処理モジュールにおいて、
    前記バフパッドは、前記処理対象物よりも小径であり、
    前記バフテーブルを回転させることができる駆動機構と、
    前記バフヘッドを保持し、前記バフヘッドを回転させるとともに前記処理対象物の板面に沿って揺動させることができるバフアームと、をさらに備える、
    バフ処理モジュール。
12. 前記処理対象物に対して研磨処理を行う研磨モジュールと、
    前記処理対象物に対してバフ処理を行う請求項７〜１１のいずれか１項のバフ処理モジュールと、
    前記処理対象物に対して洗浄処理を行う洗浄モジュールと、
    前記処理対象物に対して乾燥処理を行う乾燥モジュールと、
    を備える、処理装置。