JP2016055398A - バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、バフパッド洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ドレス処理に使用されたバフパッドを効果的に洗浄できるバフ処理モジュール、該バフ処理モジュールを備える基板処理装置、及びバフパッド洗浄方法を提供する。【解決手段】バフヘッド５００に保持されたバフパッド５０２と、当該バフパッド５０２の表面を洗浄する洗浄機構とを備える、上側バフ処理モジュール３００Ａ及び下側バフ処理モジュールを含むバフ処理モジュールであって、バフパッド５０２の表面には溝が形成されており、洗浄機構は高圧洗浄流体を噴射して溝内の堆積物を除去するアトマイザ９５０を含む。【選択図】図５

Description

本発明は、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、バフパッド洗浄方法に関するものである。

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。洗浄ユニットとしては、半導体基板に洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄し、洗浄後の洗浄部材を表面が粗い修正部材１５の平面に擦り付けて自己洗浄するものが開示されている（特許文献１参照）。

ところで、基板処理装置には、バフ処理モジュールが設けられる場合がある。このバフ処理モジュールは、基板に対してバフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を施すものである。バフ研磨処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間にスラリーを介在させることによりウェハの処理面を研磨除去する処理である。一方、バフ洗浄処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。

バフパッドによってバフ研磨処理及びバフ洗浄処理を継続すると、バフパッドの表面は目詰まりを起こし、研磨性能や洗浄性能が低下してしまう。このため、バフパッドの性能を復活させるべく、ドレス処理（目立て）と呼ばれるコンディショニングを行う必要がある。このコンディショニングは、コンディショニング部で行われる。コンディショニング部は、ドレステーブルと、ドレステーブルに設置されたドレッサと、を備える。ドレステーブルは、駆動機構によって回転できるようになっている。ドレッサは、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

添付の図１２は、バフパッドではなく、研磨ユニットに用いられるドレッサ３３Ａを示す図である。この研磨ユニットでは、大口径の研磨パッド１０に対して、小径のドレッサ３３Ａが用いられている。ドレス処理に際しては、処理液供給ノズル３２Ａによって処理液が研磨パッド１０の中央部に滴下され、ドレッサ３３Ａが研磨パッド１０の半径を往復することで、研磨パッド１０の回転運動との複合作用により、研磨パッド１０の全面がドレス処理されるのである。ところで、研磨パッド１０には、処理液としてスラリーのような粘度の高い液体が用いられる場合が多く、研磨パッド１０の表面に形成された溝に処理液の固形成分が固着・堆積してしまう。このような汚れは、ドレス処理だけでは除去することはできない。このため、アトマイザ３４Ａと呼ばれる洗浄機構を用いて、研磨パッド１０の表面を洗浄する。ここで、アトマイザ３４Ａとは、図１０（Ｂ）に示すように、研磨パッド１０に対して高圧の液体又は液体と気体の混合体を噴射できる洗浄機構である。
このアトマイザ３４Ａを、図１２（Ａ）に示すように、研磨パッドの半径部分に配置し、高圧洗浄流体の噴射と同時に研磨パッド１０を回転させて、研磨パッド１０の溝に固着・堆積した汚れを除去するのである。

特開平９−９２６３３号公報

しかしながら上述した例に対して、バフ処理モジュールにアトマイザを設けるには以下のような問題点があった。すなわち、従来技術の図１２の例では、ドレッサ３３Ａの径に比べて研磨パッド１０の径のほうが大きい。このため、図１２の例では、研磨パッド１０のドレッサ３３Ａに覆われていない面に対向してアトマイザ３４を設置することができる。

これに対して、バフ処理モジュールでは、バフパッドがドレッサと比べて同等又はそれ以下のサイズとなる。このため、バフ処理モジュールでは、バフパッドの全面がドレッサに覆われる。その結果、バフ処理モジュールにおいて従来技術のようにアトマイザを設置するのは難しい。

そこで、本願発明は、バフパッドがドレッサと比べて同等又はそれ以下のサイズであるバフ処理モジュールに適用可能なアトマイザを提供することを目的とする。

本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、第１手段は、バフヘッドに保持されたバフパッドと、当該バフパッドの表面を洗浄する洗浄機構とを備えるバフ処理モジュールであって、バフパッドの表面には溝が形成されており、洗浄機構は高圧洗浄流体を噴射して溝内の堆積物を除去するアトマイザを含む、という構成を採っている。

第２手段は、第１手段の構成に加え、アトマイザは、鉛直下方を向いたバフパッドの下方に配置されている、という構成を採っている。

第３手段は、第１又は第２手段の構成に加え、バフパッドは、基板を保持するバフテーブルとバフパッドをドレッシングするドレッサとの間で移動可能であり、アトマイザはバフパッドの移動経路内に配置される、という構成を採っている。

第４手段は、第３手段の構成に加え、バフヘッドはドレッサに対して離間可能であり、アトマイザはバフヘッドとドレッサの間に位置決めされて高圧洗浄流体を噴射する、という構成を採っている。

第５手段は、第１から第４手段の何れかの構成に加え、アトマイザは移動自在である、という構成を採っている。

第６手段は、第５手段の構成に加え、アトマイザは、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、という構成を採っている。

第７手段は、第１から第６手段の何れかの構成に加え、アトマイザはバフパッドの少なくとも半径部分を洗浄できるように位置決めされており、バフパッドの回転によって全面を洗浄できる、という構成を採っている。

第８手段は、第１から第７手段の何れかの構成に加え、アトマイザは、直線状の本体に沿って複数の流体噴射口を備えている、という構成を採っている。

第９手段は、第１から第８手段の構成に加え、バフパッドの近傍に、高圧洗浄流体の飛散を防止するためのカバーを備えた、という構成を採っている。

第１０手段は、第９手段の構成に加え、バフヘッドを保持するバフアームを更に備え、当該バフアームにカバーを装着した、という構成を採っている。

第１１手段は、第９又は第１０手段の構成に加え、カバーに代えて、ドレッサの周囲に固定された固定カバーを備えた、という構成を採っている。

第１２手段は、第１１手段の構成に加え、固定カバーには、バフアームとの接触を回避するための切欠きが形成されている、という構成を採っている。

第１３手段は、第１０手段の構成に加え、前記バフアーム自体が、前記カバーの機能を有する、という構成を採っている。

第１４手段は、第１０又は第１３手段の構成に加え、アトマイザは、バフアームの下方に位置決めされている時に高圧洗浄流体を噴射する、という構成を採っている。

第１５手段は、第１０又は第１４手段の構成に加え、アトマイザは、バフパッドの洗浄と同時に、バフアームの下面も洗浄する、という構成を採っている。

第１６手段は、第１から第１５手段の何れかの構成に加え、洗浄機構は、洗浄液容器内での超音波洗浄機構及びブラシ洗浄機構の少なくとも何れか一方を更に含む、という構成を採っている。

第１７手段は、第１から第１６手段の何れかの構成に加え、高圧洗浄流体は、液体又は液体と気体の混合流体である、という構成を採っている。

第１８手段は、第１７手段の構成に加え、洗浄液は、ＤＩＷ、薬液、スラリーからなる群から選択される少なくとも何れか１つの液体又はこの液体と圧縮空気の混合流体である、という構成を採っている。

第１９手段は、第１８手段の構成に加え、各種液体の供給は切替可能である、という構成を採っている。

第２０手段は、第１から第１９手段の何れかの構成に加え、高圧洗浄流体と共に超音波洗浄流体を用いる、という構成を採っている。

第２１手段は、第１から第２０手段の何れかのバフ処理モジュールを備える基板処理装置、という構成を採っている。

第２２手段は、基板処理装置で使用されるバフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄方法であって、ドレッサによってドレス処理されたバフパッドを用い、当該バフパッドに対してアトマイザから高圧洗浄流体を噴射する、という構成を採っている。

第２３手段は、第２２手段の構成に加え、バフパッドへの洗浄液の噴射は、バフテーブ
ルでの基板に対する処理と並行して行われる、という構成を採っている。

第２４手段は、第２２又は第２３手段の構成に加え、アトマイザは、バフパッドがドレッサの上方に位置する場合に、これらバフパッドとドレッサとの間に移動して、洗浄液を噴射する、という構成を採っている。

第２５手段は、第２２から第２４手段の何れかの構成に加え、アトマイザは、バフパッドを揺動させるバフアームが上方に有る場合に洗浄液を噴射する、という構成を採っている。

かかる本願発明によれば、技術的効果の一例として、バフ処理モジュール内のスペースを有効に活用してアトマイザを設置でき、バフパッドを効果的に洗浄することができる。

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３Ａは、洗浄ユニットの平面図であり、図３Ｂは、洗浄ユニットの側面図である。 図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。 図５は、バフアームの揺動範囲に配置されたバフテーブル、ドレッサ及びアトマイザの位置関係を示す図である。 図６は、図５に開示したバフ処理モジュールにおける処理プロセスを示す図である。 図７は、図６に開示した処理プロセスを示すバフテーブル、ドレステーブル、バフヘッド及びアトマイザの動作を説明する図である。 図８は、アトマイザを可動式にした場合のデッドスペースの削減を説明するための図であり、図８（Ａ）はアトマイザをドレッサの位置とは別の位置に配置した例を示し、図８（Ｂ）はアトマイザをドレッサの上方に移動できる例を示す。 図９は、可動式のアトマイザと飛散防止用のカバーを示す図であり、図９（Ａ）は平面図を示し、図９（Ｂ）は左側面図を示す。 図１０は、バフアームの下面洗浄の機能を有する、可動式のアトマイザと飛散防止用のカバーの他の実施形態を示す図であり、図１０（Ａ）は平面図を示し、図１０（Ｂ）は左側面図を示し、図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）において矢印Ｃ方向から見たバフアームを示す。 図１１は、カバーの他の例を示す図であり、図１１（Ａ）はバフヘッドに設けられたバフヘッドカバーを示し、図１１（Ｂ）はコンディショニング部に固定配置された固定カバーを示す図である。 図１２は、研磨ユニットにアトマイザを設けた場合を示す図であり、図１１（Ａ）は研磨パッドを含む全体概要の平面図であり、図１１（Ｂ）はアトマイザトバフパッドの側面図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置及びコンディショニング部について、図面に基づいて説明する。
＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２
、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理装置に電源を供給する電源供給部と、基板処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列される。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトラン
スポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段の
ハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。以下、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、上側バフ処理モジュール３００Ａのみ説明する。

＜バフ処理モジュール＞
図４は、上側バフ処理モジュール３００Ａの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。

バフテーブル４００は、ウェハＷを吸着する機構を有する。また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷに対向する面に取り付けられている。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバ
フヘッド５００を揺動できるようになっている。

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。図示しない制御装置は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及びバフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。

すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。

液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及びスラリー配管７３２の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５００の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともに、バフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷに対してバフ処理を行うことができる。なお、本実施形態のバフパッドは、処理対象であるウェハよりも相当に小さな直径を有している。これは、バフ処理において高い平坦性を実現できるからである。

ここで、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリーを介在させることにより、ウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３に
おける主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又は主研磨後のモフォロジー改善、を実現することができる。

また、バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハＷ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするためのものである。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０の上に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。

上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００をも回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。

＜コンディショニング部＞
次に、各種図面に基づいて、バフテーブル４００、コンディショニング部８００、アトマイザ９５０、バフパッド５０２の位置関係及びアトマイザ９５０によるバフパッド５０２の洗浄の具体的プロセスについて説明する。図５は、ウェハＷを保持しているバフテーブル４００と、バフパッド５０２をコンディショニングするためのドレッサ８２０を支持しているドレッサテーブル８１０を示している。これらドレッサ８２０およびドレッサテーブル８１０並びに他の構成要素により、コンディショニング部８００が形成されている。

コンディショニング部８００はバフテーブル４００に隣接配置されており、その位置はバフアーム６００の揺動中心Ｌに関して、バフテーブル４００と概ね同じ半径位置である。このため、バフアーム６００が揺動（図５では反時計まわりに揺動）した場合に、バフパッド５０２がコンディショニング部８００におけるドレッサ８２０の上方に位置決めできるようになっている。コンディショニング部８００においては、ドレステーブル８１０が回転して、バフパッド５０２の回転との複合作用により、バフパッド５０２の表面がドレス処理されるようになっている。また、ドレステーブル８１０の近傍には、バフアーム６００の揺動中心Ｌに関して、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０と同じ半径位置に、所定のアトマイザ９５０が設けられている。

図６及び図７は、アトマイザ９５０を用いたバフパッド５０２の洗浄処理を含む、バフ洗浄及びそれに関連する具体的なプロセスを説明するための図である。図６のうち、上段はバフテーブル４００でのプロセスを示し、中段はドレステーブル８１０でのプロセスを示し、下段はアトマイザ９５０でのプロセスを示している。各段におけるプロセスは同時並行的に行われる。また、図中の丸印はバフパッド５０２の位置を示している。例えば、バフ洗浄処理の時はバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置しており、その後のパッドリンス処理の際にはドレステーブル８１０に移動する。なお、図７において、バフヘッド５００の一部は、説明の便宜上断面図としている。また、本実施形態で用いられるバ
フヘッド５００には、半球状の凹凸面からなるジンバル機構が設けられ、バフヘッド５００が僅かに首振りできるようになっている。

先ず、バフテーブル４００においてウェハＷに対してバフ洗浄処理（ステップＳ１１)が行われる。このとき、言うまでもなくバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置している。バフ洗浄処理では、液供給配管７４０からバフ洗浄のための処理液が供給され、バフアーム及びバフヘッド回転軸６０１（図５参照）の内部を通って、バフパッド５０２の中央部に供給される。それと同時に、回転するバフパッド５０２がウェハＷに押し付けられた状態でバフアーム６００が揺動し、バフテーブル４００と共に回転するウェハＷの表面を洗浄処理するようになっている（図７（Ａ）参照）。バフパッド５０２は次のプロセスでドレッサ８２０の上方に移動して、以後ドレス関連処理が行われるが、これについては後述する。

バフテーブル４００においては、ウェハリンス処理（ステップＳ１２)が行われる。このウェハリンス処理は、ＤＩＷによってウェハＷを洗浄する処理である。ウェハＷのウェハリンス処理が完了すると、次にウェハＷはバフテーブル４００から取り出されて（ステップＳ１３)、次の工程へ搬送される。その後、バフテーブル４００はＤＩＷでバフテーブルリンス処理によって洗浄が行われる（ステップＳ１４）。これによりバフテーブルにおける一連のプロセスが完了し、次に処理するための新しいウェハＷが取り込まれ（ステップＳ１５)、上述の各処理プロセスが繰り返される。

一方、ドレステーブル８１０において、上記プロセスと並行して、バフパッド５０２のドレス処理が行われる。バフ洗浄（ステップＳ１１)に用いられたバフパッド５０２（図７（Ａ）参照）は、ドレッサ８２０の上方に移動する。この時、バフパッド５０２は鉛直下方を向いている。そして、バフパッド５０２の斜め下方に配置されたバフパッド洗浄機構８３０から洗浄液（ＤＩＷ）が噴射され、バフパッド５０２の表面がパッドリンス処理（ステップＳ２２)される（図７（Ｂ）参照）。パッドリンス処理の間、バフパッド５０２は回転しており、全面が均等に洗浄される。なお、バフパッドの洗浄に使う洗浄液として、超音波洗浄液を用いることも可能である。

次に、バフヘッド５００が降下してドレッサ８２０に当接して、バフパッド５０２に対するドレス処理（ステップＳ２３）が行われる（図７（Ｃ）参照）。ドレス処理は、バフパッド５０２の中央部に処理液が供給されている状態で行われる。ドレス処理の間は、バフパッド５０２及びドレッサ８２０が共に回転している。なお、ドレス処理は、バフパッド５０２の回転中心とドレッサ８２０の回転中心とがずれた状態で行われる。これは、バフパッド５０２とドレッサ８２０の特定部位同士が摺動し続けることを防止するための対策である。また、バフパッド５０２の回転中心とドレッサ８２０の回転中心とをずらすことによって、バフパッド５０２の全面にドレッサ８２０に対する相対速度を得ることができる。

ドレス処理が行われた後は、バフヘッド５００が再び上昇すると共にアトマイザ９５０の上方に移動して、上述のアトマイザ９５０から高圧洗浄流体がバフパッドに向けて噴射され、ドレス処理後のバフパッド５０２がアトマイズ処理（ステップＳ２４）される（図７（Ｄ）参照）。また、ドレス処理（ステップＳ２３)に使用されたドレッサ８２０は、その近傍に設けられたドレッサ洗浄機構８４０から噴射される洗浄液（ＤＩＷ）によって、ドレスリンス処理（ステップＳ２１)が行われる（図７（Ｅ）参照）。ドレスリンス処理の間，ドレステーブル８１０は回転しており、ドレッサ８２０の表面を均一に洗浄できるようになっている。本実施形態で用いられるバフヘッド５００には、半球状の凹凸面からなるジンバル機構が設けられ、バフヘッド５００が僅かに首振りできるようになっている。

なお、上述の説明ではバフパッド５０２が鉛直下方を向いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バフパッド５０２が鉛直上方を向いている場合や、水平方向を向いている場合でも、本発明を適用することは可能である。

なお、バフパッド５０２の洗浄にはアトマイザ９５０のみでも十分な洗浄効果がある。しかし、更に洗浄効果を高めるために、超音波洗浄やブラシ洗浄などを組み合わせることも考えられる。例えば、アトマイザ９５０の近傍に所定の洗浄液容器（図示略）を設け、この容器内で超音波洗浄やブラシ洗浄などを行う。こうすることで、アトマイザ９５０による洗浄処理だけでは除去しきれない汚れを除去することが可能となる。また、本実施形態は、バフパッド５０２がドレッサ８２０と比べて同等又はそれ以下のサイズであるバフ処理モジュールに適用可能なアトマイザを提供することができる。

次に、図８に基づいてバフ処理モジュール３００Ａの小型化を目的とした構成について説明する。図８（Ａ）は、ドレステーブル８１０とは別にアトマイザ９５０を所定位置に固定した場合のレイアウトを示している。一方、図８（Ｂ）は小型化を実現するためのレイアウトを示している。この図８（Ｂ）から明らかなように、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂが可動式となっている。アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂはバフテーブル４００やドレステーブル８１０と比較すると、高い位置決め精度を求められないので、図のような可動式を採用することが可能である。

なお、この図８では、２つのアトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂを併記しているが、本発明の実施に当たっては、何れか一方のアトマイザを設ければよい。当該実施形態では、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂはドレステーブル８１０の近傍のデッドスペースに配置されており、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂのための特別のスペースが不要となる。具体的には、図８（Ａ）においてバフアーム６００の揺動中心Ｌの下方部分（ハッチング部分）がデッドスペース９５３となっているが、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂを可動式にすることで、このデッドスペース９５３を無くすことが可能である。

また、図８（Ｂ）の構成は、図８（Ａ）の構成のようにバフパッド５０２をコンディショニング部８００とアトマイザ９５０との間で往復移動する時間を削減することができる。また、図８（Ｂ）の構成は、アトマイザ９５１Ａ，Ｂの比較的短い移動時間が片道分（退避位置からアトマイズ位置まで）追加されるだけなので、スループットを向上することができる。なお、バフアーム６００は、アトマイザ９５１Ａ，Ｂの退避動作（アトマイズ位置から退避位置への移動）を待たずにドレッサ８２０からバフテーブル４００へ移動可能である。

本実施形態のアトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂは、一例ではあるが棒状体の本体からなり、ドレッサ８２０の上方領域に対して進入退避が可能となっている。図８（Ｂ）においては、回転移動式と直線移動式の例が示されている。回転移動式のアトマイザ９５１Ａは、その一端部に回転軸９５１ａが設けられ、この回転軸９５１ａをロータリアクチュエータが回転させるようになっている。アトマイザ９５１Ａによるバフパッド５０２の洗浄を行っていない場合、アトマイザ９５１Ａはドレッサ８２０の上方から退避している（図中の実線で示す位置）。そして、バフパッド５０２の洗浄をする際には、ドレッサ８２０の上方に移動する（図中の点線で示す位置）。

また、図８（Ｂ）に示すように、アトマイザ９５１Ｂを直線移動させる場合も有利である。すなわち、シリンダ９５１ｂなどのアクチュエータによって、アトマイザ９５１Ｂをドレッサ８２０の上方領域に対して進入退避可能とする。特に、当該直線移動式の例では、バフステージ４００とドレステーブル８１０により発生するデッドスペースを有効に活
用して、アトマイザ９５１Ｂを設置できるので、追加の設置スペースが不要となる。なお、図８のレイアウトはあくまでも一例であり、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂを可動式とすることで、デッドスペースを最小とするための様々なレイアウトを採用することが可能である。

回転移動式でも直線移動式でも同様であるが、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂは、少なくともバフパッド５０２の半径部分だけ洗浄できるような位置まで進入できればよい。これは、バフパッド５０２は回転させることができ、少なくとも半径部分だけでも洗浄できれば、バフパッド５０２の回転により、結果として全面が洗浄できるからである。但し、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂの移動範囲を十分に確保できるのであれば、バフパッド５０２の直径分を洗浄できるように、アトマイザ９５１Ａ，９５１Ｂの寸法及び位置を設定してもよい。この場合は、理論的にはバフパッド５０２を半回転させるだけで全面を洗浄できることになり、半径部分だけを洗浄する場合と比較し、２倍の洗浄効率を実現することが可能である。

次に、図９に基づいて、洗浄液の飛散を防止するためのカバー９５５ついて説明する。図９に示すように、バフアーム６００の所定位置にアングル状のカバー９５５が設置されている。このカバー９５５の設置位置は、アトマイザ９５１Ａが洗浄処理を行っている時の、アトマイザ９５１Ａの位置に対応している。すなわち、アトマイザ９５１Ａがバフパッド５０２を洗浄している際に、アトマイザ９５１Ａはドレッサ８２０の上方領域に進入している。このとき、アトマイザ９５１Ａはバフパッド５０２の最外周部まで十分に洗浄できるように、洗浄液を噴射する。このため、図９（Ｂ）に示すように、バフパッド５０２の最外周部に噴射された洗浄液の一部は、バフヘッド５００及びバフパッド５０２を外れて斜め上方に向かって飛散しようとする。しかしながら、このアトマイザ９５１Ａに対応する位置にカバー９５５が設けられていることで、洗浄液はカバー９５５で止められて周囲環境に飛散するのが確実に防止される。

なお、図９に示すカバーはアングル形状を有しているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、単純な板状のものであってもよいし、アトマイザ９５１Ａの側のみが開口した箱形のカバーであってもよい。また、実施形態ではバフアーム６００の側面に固定されているが、バフアームの上面や下面に取り付けるようにしてもよい。以上のように、アトマイザ９５１Ａの可動位置に対応してカバー９５５を設けることで、カバー９５５の設置面積を最小に抑えることができ、バフアーム６００の旋回軌跡を小さく保つことが可能である。

図１０は、アトマイザ９５１Ａとバフアーム６００との位置関係を工夫した例を示す図である。すなわち、アトマイザ９５１Ａが洗浄処理を行っている場合、アトマイザ９５１Ａの全体がバフアーム６００の下方に位置するように構成されている（図中の点線で示す位置）。当該例では、バフアーム６００の揺動によってバフパッド５０２がドレッサ８２０の上方に位置している場合に、アトマイザ９５１Ａの回転軸９５１ａがバフアーム６００の下方となっている。このため、アトマイザ９５１Ａによる洗浄中は、アトマイザ９５１Ａの全体がバフアーム６００の下方に位置することとなる。このように構成することで、バフアーム６００自体が飛散防止用のカバーの役割を果たすため、別個のカバーを設ける必要が無くなる。或いは、カバーを設けるとしても最小限の大きさで済む。また、図１０（Ｂ），（Ｃ）に示すように、バフヘッド５００が結合されるバフアーム６００の下面６００ａには、２枚の板状のアームカバー６０２が設けられる。２枚のアームカバー６０２は、バフアーム６００の下面６００ａの、アトマイザ９５１Ａから噴射された洗浄液が衝突する領域に設けられる。２枚のアームカバー６０２は、バフアーム６００の下面６００ａの、バフアーム６００の延伸方向に向かって左右両サイドに、バフアーム６００の延伸方向に沿って延伸するように接続される。２枚のアームカバー６０２を設けたことによ
って、洗浄液が周囲へ飛散することが抑制される。

また、アトマイザ９５１Ａをバフアーム６００の下方に位置決めすることで、次のような副次的効果も得られる。すなわち、バフアーム６００の下面には、バフ研磨やバフ洗浄或いはドレス等の各処理で、処理液や洗浄液が飛散して付着する。このため、定期的な洗浄が必要となる。通常は、別個の洗浄手段を設けるが、本実施形態ではアトマイザ９５１Ａを有していることから、このアトマイザ９５１Ａでバフアーム６００の下面を洗浄することとする。こうすることで、別個の洗浄手段を設ける必要がなくなる。

次に、図１１に基づいて、飛散防止用のカバーの変形例について説明する。図１１（Ａ）に示す例では、バフヘッド５００にバフヘッドカバー９１０が取り付けられている。すなわち、バフヘッド５００の所定箇所に有底円筒形状のバフヘッドカバー９１０が、開口を下方に向けて設けられている。バフヘッドカバー９１０は、その下端部がドレッサ８２０の表面よりも僅かに高い位置となるように、その寸法及び形状が決定されている。また、バフヘッドカバー９１０の内径は、ドレッサ８２０の直径よりも大きくなっている。このため、バフパッド５０２とドレッサ８２０との境界から流出した処理液が遠心力で飛散しても、このバフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。特に、バフヘッドカバー９１０はバフアームと共に揺動するので、常にバフパッド及びドレッサから飛散する処理液や洗浄液を受け止めることができる。

図１１（Ｂ）は、固定カバー９２０の例を示している。この固定カバー９２０は、ドレッサ８２０を含むコンディショニング部８００に設けられたものである。この固定カバー９２０でドレッサ８２０を覆うことで、ドレッサ８２０から処理液や洗浄液が飛散するのが効果的に防止される。固定カバー９２０は平面形状が略矩形となっているが、これは一例であって、平面形状が円形の固定カバーを設けるようにしてもよい。また、固定カバー９２０にはバフヘッド５００の回転軸６０１（図４参照）との接触を避けるための切欠き９２１が形成されている。これにより、バフアーム６００が揺動してバフヘッド５００の回転軸６０１が固定カバー９２０に接近しても、切欠き９２１の作用により接触することは無い。また、上述の各実施形態は、バフパッド５０２がドレッサ８２０と比べて同等又はそれ以下のサイズであるバフ処理モジュールに適用可能なアトマイザを提供することができる。

なお、以上の説明では、それぞれの特徴部分について、相互に関連付けて説明した。このため、各特徴部分を組み合わせることで、特別な技術的効果を奏する発明が成立する。一方で、上記各特徴部分は、それ単独でも一つの発明として成立する。このため、本願が想定する発明は、必ずしも複数の特徴部分を組み合わせた発明に限定されるものではなく、各特徴部分単独あるいは各特徴部分の任意の組み合わせでも、本発明を構成することができるということである。

３００ バフ処理モジュール
４００ バフテーブル
５００ バフヘッド
５０２ バフパッド
６００ バフアーム
６０１ 回転軸
８００ コンディショニング部
８１０ ドレステーブル
８２０ ドレッサ
８３０ バフパッド洗浄機構
８４０ ドレッサ洗浄機構
９１０ バフヘッドカバー
９２０ 固定カバー
９２１ 切欠き
９５０，９５１Ａ，９５１Ｂ アトマイザ（洗浄機構）
９５１ａ アトマイザの回転軸
９５１ｂ シリンダ
９５３ デッドスペース
９５５ カバー
１０００ 基板処理装置
Ｌ バフアームの揺動中心
Ｗ ウェハ

Claims (25)

1. バフヘッドに保持されたバフパッドと、当該バフパッドの表面を洗浄する洗浄機構とを備えるバフ処理モジュールであって、
   前記バフパッドの表面には溝が形成されており、前記洗浄機構は高圧洗浄流体を噴射して前記溝内の堆積物を除去するアトマイザを含む、バフ処理モジュール。
2. 前記アトマイザは、鉛直下方を向いた前記バフパッドの下方に配置されている、請求項１に記載のバフ処理モジュール。
3. 前記バフパッドは、基板を保持するバフテーブルとバフパッドをドレッシングするドレッサとの間で移動可能であり、
   前記アトマイザは前記バフパッドの移動経路内に配置される、請求項１又は２に記載のバフ処理モジュール。
4. 前記バフヘッドは前記ドレッサに対して離間可能であり、前記アトマイザは前記バフヘッドとドレッサの間に位置決めされて前記高圧洗浄流体を噴射する、請求項３に記載のバフ処理モジュール。
5. 前記アトマイザは移動自在である、請求項１から４の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
6. 前記アトマイザは、ロータリーアクチュエータによる回転移動、又はシリンダによる直線移動が可能である、請求項５に記載のバフ処理モジュール。
7. 前記アトマイザは前記バフパッドの少なくとも半径部分を洗浄できるように位置決めされており、前記バフパッドの回転によって全面を洗浄できる、請求項１から６の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
8. 前記アトマイザは、直線状の本体に沿って複数の流体噴射口を備えている、請求項１から７の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
9. 前記バフパッドの近傍に、前記高圧洗浄流体の飛散を防止するためのカバーを備えた、請求項１から８の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
10. 前記バフヘッドを保持するバフアームを更に備え、当該バフアームに前記カバーを装着した、請求項９に記載のバフ処理モジュール。
11. 前記カバーに代えて、前記ドレッサの周囲に固定された固定カバーを備えた、請求項９又は１０に記載のバフ処理モジュール。
12. 前記固定カバーには、前記バフアームとの接触を回避するための切欠きが形成されている、請求項１１に記載のバフ処理モジュール。
13. 前記バフアーム自体が、前記カバーの機能を有する、請求項１０に記載のバフ処理モジュール。
14. 前記アトマイザは、前記バフアームの下方に位置決めされている時に前記高圧洗浄流体を噴射する、請求項１０に記載のバフ処理モジュール。
15. 前記アトマイザは、前記バフパッドの洗浄と同時に、前記バフアームの下面も洗浄する、請求項１０又は１４に記載のバフ処理モジュール。
16. 前記洗浄機構は、洗浄液容器内での超音波洗浄機構及びブラシ洗浄機構の少なくとも何れか一方を更に含む、請求項１から１５の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
17. 前記高圧洗浄流体は、液体又は液体と気体の混合流体である、請求項１から１６の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
18. 前記洗浄液は、ＤＩＷ、薬液、スラリーからなる群から選択される少なくとも何れか１つの液体又はこの液体と圧縮空気の混合流体である、請求項１７に記載のバフ処理モジュール。
19. 前記各種液体の供給は切替可能である、請求項１８に記載のバフ処理モジュール。
20. 前記高圧洗浄流体と共に超音波洗浄流体を用いる、請求項１から１９の何れか一項に記載のバフ処理モジュール。
21. 請求項１から２０の何れか一項に記載のバフ処理モジュールを備える、基板処理装置。
22. 基板処理装置で使用されるバフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄方法であって、
    ドレッサによってドレス処理されたバフパッドを用い、当該バフパッドに対してアトマイザから高圧洗浄流体を噴射する、方法。
23. 前記バフパッドへの洗浄液の噴射は、バフテーブルでの基板に対する処理と並行して行われる、請求項２２に記載の方法。
24. 前記アトマイザは、前記バフパッドが前記ドレッサの上方に位置する場合に、これらバフパッドとドレッサとの間に移動して、前記洗浄液を噴射する、請求項２２又は２３に記載の方法。
25. 前記アトマイザは、前記バフパッドを揺動させるバフアームが上方に有る場合に、前記洗浄液を噴射する、請求項２２から２４の何れか一項に記載の方法。

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