JP2008036744A

JP2008036744A - 研磨装置

Info

Publication number: JP2008036744A
Application number: JP2006212287A
Authority: JP
Inventors: Yohei Itsukida; 洋平五木田
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2006-08-03
Filing date: 2006-08-03
Publication date: 2008-02-21

Abstract

【課題】交換直後の研磨パッドであっても最初から最適な研磨レートで研磨することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨パッド３０２の交換直後には、チャックテーブル２０２の外部に配設された研磨液塗布手段５０で研磨パッド３０２の表面全体に研磨液５６を均一に塗布することで、事前に研磨パッド３０２の表面に研磨液５６を行き渡らせることができ、交換直後の研磨パッド３０２であっても最初から最適な研磨レートで研磨できるようにした。特に、研磨液供給ノズル５４から供給された研磨液５６で満たされた上向き配設のブラシ５２に対して回転した研磨パッド３０２を少なくとも該研磨パッド３０２の中心部から外周部まで半径方向に横切るように相対移動しながら摺動させることで、研磨パッド３０２の表面の全体に亘って研磨液５６が万遍なく均一に塗布される。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被研磨物の被研磨面を化学的機械的研磨する研磨装置に関するものである。

半導体チップの小型化および軽量化を図るためには、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、半導体ウエーハは、裏面を研削して所定厚さに形成される。半導体ウエーハの裏面研削は、通常、ダイヤモンド砥粒がレジンボンド等の好適なボンドで固着された研削工具を高速回転させて、ウエーハ裏面に押圧することによって行われる。かかる研削方式により半導体ウエーハ裏面を研削した場合には、半導体ウエーハ裏面にいわゆる加工歪が形成されるので、個々に分割された半導体チップの抗折強度が著しく低下してしまう。半導体ウエーハ裏面に形成された加工歪を除去する方法として、研削された半導体ウエーハ裏面を遊離砥粒により研磨するＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨法）が実用化されている。

特開２００１−６２７１４号公報特開２００５−１５３０９０号公報

しかしながら、ＣＭＰ法に用いる研磨パッドは、フェルト等の不織布で形成されており、交換した直後の新品の研磨パッドによる研磨では、研磨液が研磨パッド全体に行き渡るまでに時間を要し、研磨パッド交換直後の数枚のウエーハの研磨レートが最適な状態の５０％〜８０％まで低下してしまう。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、交換直後の研磨パッドであっても最初から最適な研磨レートで研磨することができる研磨装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る研磨装置は、被研磨物を保持する保持手段と、該保持手段の上方に配置された研磨手段と、前記保持手段に保持された被研磨物の被研磨面に研磨液を供給する研磨液供給手段とを備え、被研磨面に研磨液を供給し前記研磨手段を回転させながら被研磨面に押圧することにより、被研磨面を研磨する研磨装置であって、前記保持手段の外部に配置されて前記研磨手段に配設された研磨パッドの表面全体に研磨液を均一に塗布する研磨液塗布手段を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る研磨装置は、上記発明において、前記研磨液塗布手段は、上向きに配設されたブラシと、該ブラシ近傍に配置された研磨液供給ノズルとを備え、前記研磨液供給ノズルから供給された研磨液で満たされた前記ブラシに対して回転する前記研磨パッドを少なくとも該研磨パッドの中心部から外周部まで半径方向に横切るように相対移動しながら摺動させることを特徴とする。

本発明に係る研磨装置によれば、研磨パッド交換直後には、保持手段の外部に配設された研磨液塗布手段で研磨パッドの表面全体に研磨液を均一に塗布することで、事前に研磨パッド表面に研磨液を行き渡らせることができ、よって、交換直後の研磨パッドであっても最初から最適な研磨レートで研磨することができるという効果を奏する。

また、本発明に係る研磨装置によれば、研磨液塗布手段は、研磨液供給ノズルから供給された研磨液で満たされた上向き配設のブラシに対して回転する研磨パッドを少なくとも該研磨パッドの中心部から外周部まで半径方向に横切るように相対移動しながら摺動させるので、研磨パッド表面の全体に亘って研磨液を万遍なく均一に塗布することができるという効果を奏する。

以下、本発明を実施するための最良の形態である研磨装置について図面を参照して説明する。

図１は、本実施の形態の研磨装置の構成例を示す外観斜視図であり、図２は、研磨ユニットの構成例を示す側面図であり、図３は、研磨液供給手段の内部構成を示す説明図である。本実施の形態の研磨装置１は、被研磨物である半導体ウエーハ５の被研磨面５ａ（例えば、裏面）を研磨加工して、被研磨面５ａを高精度に平坦化するための装置であって、概略的には、搬送ユニット１０と、保持手段２０と、研磨ユニット３０と、研磨液供給手段４０と、研磨液塗布手段５０とを備える。

まず、搬送ユニット１０は、半導体ウエーハ５を搬入して保持手段２０上に供給するとともに、研磨加工された半導体ウエーハ５を回収して搬出するための装置群である。この搬送ユニット１０は、例えば、搬入カセット１０２と、搬出カセット１０４と、搬送機構１０６と、仮受手段１０８と、搬入アーム１１０と、搬出アーム１１２と、洗浄手段１１４と、を備える。

搬入カセット１０２および搬出カセット１０４は、複数枚の半導体ウエーハ５を収容して持ち運ぶことが可能な収容ケースである。被研磨物である半導体ウエーハ５は、例えば、搬入カセット１０２に収容された状態で研磨装置１に搬入される一方、搬出カセット１０４に収容された状態で研磨装置１から搬出される。

この半導体ウエーハ５は、例えば、略円盤形状を有する８インチのシリコンウエーハなどであり、その表面には複数の半導体回路などが形成されている。かかる半導体ウエーハ５は、回路が形成されていない側となる裏面が被研磨面５ａとなるもので、被研磨面５ａ側を上向きにした状態で、例えば、その表面側に貼り付けられたＵＶ硬化型テープのような表面保護テープを介して図示しないフレーム上に固着されている。なお、半導体ウエーハ５は、被研磨面５ａ側を上向きにした状態で、例えばサブプレート等の支持基材上に粘着剤等で直接固着されていてもよい。

かかる半導体ウエーハ５は、例えば、研磨装置１による研磨工程の前工程である裏面研削工程において、研削装置等によって、裏面側から平面研削加工され、例えば数十μｍ程度の厚さにまで薄型化されたものである。本実施の形態の研磨加工は、このような研削工程で生ずる半導体ウエーハ５の裏面側の加工歪を除去するためのものである。しかし、被研磨物としては、かかる半導体ウエーハ５の例に限定されるものではない。

このような半導体ウエーハ５を収容した搬入カセット１０２は、研磨装置１に例えば手動で搬入され、所定領域に載置される。搬送機構１０６は、例えば、搬入カセット１０２から半導体ウエーハ５を１枚ずつ取り出して、搬送し、仮受手段１０８上に載置する。搬入カセット１０２に収容されていた半導体ウエーハ５が全て搬出されると、空の搬入カセット１０２に代えて新しい搬入カセット１０２が載置される。

搬入アーム１１０および搬出アーム１１２は、例えば、回転動作および昇降動作が可能な搬送用のアームであり、その先端に、対象物を真空吸着可能な吸着部１１０ａ，１１２ａを備えている。この搬入アーム１１０および搬出アーム１１２は、吸着部１１０ａ，１１２ａを用いて半導体ウエーハ５を吸着して搬送する。具体的には、搬入アーム１１０は、仮受手段１０８に載置された半導体ウエーハ５を吸着して搬送し、保持手段２０上に載置させる。保持手段２０上に載置された半導体ウエーハ５は、研磨ユニット３０によって研磨加工される。一方、搬出アーム１１２は、研磨加工された半導体ウエーハ５を吸着して、洗浄手段１１４に搬送する。

洗浄手段１１４は、例えば、スピンナ洗浄装置等で構成されており、高速回転させた半導体ウエーハ５に対して純水等の洗浄水を噴射することによって、半導体ウエーハ５の裏面を洗浄し、乾燥させる。このように洗浄された半導体ウエーハ５は、再び搬送機構１０６によって搬送され、搬出カセット１０４に収容される。搬出カセット１０４に所定枚数の半導体ウエーハ５が収容されると、かかる搬出カセット１０４に代えて、新しい空の搬出カセット１０４が載置される。

また、保持手段２０は、載置された半導体ウエーハ５を吸着・保持して回転させるものであり、例えば、チャックテーブル２０２やハウジング２０４等によって構成される。チャックテーブル２０２は、例えば、上面に平滑な水平面を有する略円盤形状のテーブル（下盤）であり、ハウジング２０４によって支持されている。このチャックテーブル２０２は、例えば、少なくともその上面が多孔性セラミックス等の多孔性材料で形成されており、ハウジング２０４の内部等に形成された図示しない連通路を介して図示しない真空ポンプ等に連通されている。このため、真空ポンプを動作させて負圧を加えることで、チャックテーブル２０２は、例えば、その上面に載置された半導体ウエーハ５を真空吸着して、保持・固定することができる。このとき、半導体ウエーハ５は、例えば、被研磨面５ａを上向きにしてチャックテーブル２０２上に載置される。また、搬出アーム１１２によって半導体ウエーハ５を搬出する際には、チャックテーブル２０２による真空吸着を解除することにより、半導体ウエーハ５を容易にピックアップできる。

また、チャックテーブル２０２は、例えばハウジング２０４内等に設けられた図示しない回転用モータによって、所定の回転速度（例えば、５０〜５００ｒｐｍ）で水平方向に回転可能であり、研磨加工中に、保持した半導体ウエーハ５を回転させることで被研磨面５ａを均等に研磨させる。

ハウジング２０４は、チャックテーブル２０２を支持するとともに、内部に回転用モータ等を収容するための筐体である。このハウジング２０２は、例えば、移動モータ等によって構成される図示しないテーブル移動機構によって搬送ユニット１０と研磨ユニット３０との間で水平方向（Ｘ軸方向）に移動可能である。具体的には、ハウジング２０２、半導体ウエーハ５をチャックテーブル５に載置または回収するときには搬送ユニット１０側に移動され、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａを研磨加工するときには研磨ユニット３０の下方に移動される。

次に、研磨ユニット３０について説明する。研磨ユニット３０は、例えば研磨手段３００と、回転軸３１０と、回転機構３２０と、移動機構３３０と、を備える。研磨手段３００は、保持手段２０の上方に配置された略円盤形状の部材（上盤）であり、チャックテーブル２０２と対向する下面には、研磨パッド３０２が配設されている。このため、研磨パッド３０２は、その表面、すなわち被研磨面５ａに作用する研磨面が下向きとなるような状態で配設され、保持手段２０上の半導体ウエーハ５の被研磨面５ａと対面する。ここで、研磨手段３００は、全体としては略円盤形状を有しており、その外径は例えば半導体ウエーハ５と略同一径或いはそれ以上の径とされている。研磨手段３００は、研磨パッド３０２と支持部材３０４とからなり、研磨パッド３０２は、例えば略円環状を有するフェルト等の不織布からなるパッドである。また、支持部材３０４は、例えば、リング状の円周側面部と円盤状の底面部とからなる略カップ形状を有しており、アルミニウム等の金属材料で形成されている。この支持部材３０４の外径は、研磨パッド３０２の外径と略同一である。この支持部材３０４は、締結ボルト等の固定部材によって、回転軸３１０の下端に装着される。かかる支持部材３０４の下面には、例えば、エポキシ樹脂系接着剤等の接着剤などを用いて、研磨パッド３０２が貼り付けられている。このような支持部材３０４は、回転軸３１０に装着されることで、研磨パッド３０２を半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに対向させた状態で保持することができる。

回転軸３１０は、例えば、略棒状のスピンドルであり、その下端には、研磨手段３００が保持手段２０と対向するように装着されている。また、回転軸３１０の上部側は、回転機構３２０内に収容されている。回転機構３２０は、例えば、電動モータ等によって回転軸３１０を回転させるものであり、研磨加工時に、回転軸３１０を介して研磨手段３００を水平方向に回転させる。この回転速度は、例えば、５０〜５００ｒｐｍの如きである。

移動機構３３０は、図１および図２に示すように、例えば、移動基台部３３１と、研磨ユニット３０の水平方向の移動を支持する水平移動支持部材３３２と、移動基台部３３１上にＹ軸方向に延長するように配設され、水平移動支持部材３３２のＹ軸方向の移動を案内する一対の水平移動ガイド部材３３３と、Ｙ軸方向に延長するように配設されて水平移動支持部材３３２と係合し電動モータ３３４によって回転駆動されるボールスクリュー３３５と、研磨ユニット３０の垂直方向の移動を支持する垂直移動支持部材３３６と、Ｚ軸方向に延長するように配設されて垂直移動支持部材３３６のＺ軸方向の移動を案内する二対（４本）の垂直移動ガイド部材３３７と、垂直移動支持部材３３６と係合し電動モータ３３８によって回転駆動されるボールスクリュー３３９とからなる。

このような構成の移動機構３３０は、ボールスクリュー３３５を回転させて水平移動支持部材３３２を水平移動ガイド部材３３３に沿ってＹ軸方向に移動させることにより、研磨ユニット３０をＹ軸方向に移動させることができる。また、移動機構３３０は、ボールスクリュー３３９を回転させて垂直移動支持部材３３６を垂直移動ガイド部材３３７に沿ってＺ軸方向に移動させることにより、研磨ユニット３０をＺ軸方向に移動させることができる。すなわち、この移動機構３３０によって研磨手段３００を保持手段２０に対して昇降させることができる。これにより、研磨加工時には、下降させた研磨手段３００をチャックテーブル３０２上に保持された半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに押圧させることができる。この押圧力（すなわち、研磨圧）は、例えば５０〜５００ｇ／ｃｍ²の如きである。

研磨液供給手段４０は、研磨加工時に、研削加工後の半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに研磨液と洗浄液とを選択的に供給する。この研磨液供給手段４０は、可撓性を有する研磨液供給路４２を介して研磨ユニット３０の上端部と連結され、研磨ユニット３０に研磨液または洗浄液を供給する。

研磨液供給手段４０は、例えば、図３に示すように、研磨ユニット３０へ研磨液または洗浄液を供給する研磨液供給路４２と、研磨液を貯留する研磨液貯留タンク４４と、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａ上にあるコンタミネーションの除去に用いる洗浄液を貯留する洗浄液貯留タンク４６と、研磨液または洗浄液を送り出す液供給ポンプ４８と、研磨液の供給を制御する研磨液供給バルブ４４ａと、洗浄液の供給を制御する洗浄液供給バルブ４６ａとを備える。

このような構成の研磨液供給手段４０は、研磨加工中に、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａと研磨パッド３０２との間に、複数種類の液を選択的に供給できるように構成されている。例えば、研磨液として砥粒を含有したアルカリ液（スラリー）を研磨液貯留タンク４４に貯蔵し、洗浄液として純水を洗浄液貯留タンク４６に貯蔵し、研磨液供給バルブ４４ａの開閉と洗浄液供給バルブ４６ａの開閉とを切り換えることにより、研磨液と洗浄液とのいずれかを選択的に供給することができる。

そこで、研磨ユニット３０は、保持手段２０に保持されている半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに対して、研磨手段３００を回転させながら押圧させるとともに、研磨パッド３０２の内部にある研磨液供給路４２から遊離砥粒を含む研磨液を供給することで、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａをＣＭＰ加工することができる。

このような半導体ウエーハ５の被研磨面５ａを研磨する研磨工程が終了すると、研磨液供給手段４０の研磨液供給バルブ４４ａを閉じるとともに洗浄液供給バルブ４６ａを開き、遊離砥粒を含む研磨液の供給から純水の供給に切り換えて、純水を供給しながら研磨（いわゆる、水研磨）を行う。この水研磨は、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに付着した研磨屑などのコンタミネーションやウエーハ表面の研磨液（スラリー）を除去することを目的として行う。

また、研磨液塗布手段５０は、研磨パッド３０２が新品に交換された場合に交換直後の研磨パッド３０２の研磨面となる下面側に位置する表面全体に研磨液を均一に塗布するための装置であって、保持手段２０の近傍であってＹ軸方向の外部に配置されている。この研磨液塗布手段５０は、図示しない昇降機構によって昇降可能で上向きに配設されたナイロン製等のブラシ５２と、このブラシ５２の近傍に配置されてブラシ５２に対して研磨液または洗浄水を選択的に供給する研磨液供給ノズル５４とを備える。ここで、研磨液供給ノズル５４は、研磨液供給手段４０の一部を利用して遊離砥粒を含む研磨液または洗浄液をブラシ５２に対して供給可能に構成されている。

このような構成において、図４を参照して研磨液塗布手段５０の作用について説明する。図４は、研磨加工時と研磨パッド交換時とにおける研磨液塗布手段の作用を説明するための概略側面図である。通常の研磨加工時にあっては、図４（ａ）に示すように、研磨手段３００の研磨パッド３０２はチャックテーブル２０２上に載置されている半導体ウエーハ５の被研磨面５ａに押圧接触しながら両者が回転することで、被研磨面５ａのＣＭＰ研磨が行われる。このとき、ブラシ５２は、チャックテーブル２０２から離れた低い位置にあり、研磨動作中の研磨パッド３０２に干渉することはない。

一方、使用中の研磨パッド３０２の消耗に伴い、新品の研磨パッド３０２に交換する場合には、該新品の研磨パッド３０２を支持部材３０４に装填した後、研磨液供給ノズル５４から上向き配置のブラシ５２に研磨液５６を供給する。そして、図４（ｂ）に示すように、ブラシ５２を研磨パッド３０２が接触可能な高さ位置まで上昇させるとともに、ボールスクリュー３３５を回転させて水平移動支持部材３３２を水平移動ガイド部材３３３に沿ってＹ軸方向に移動させることにより、チャックテーブル２０２上に位置していた研磨パッド３０２を含む研磨手段３００をＹ軸方向に移動させる。これにより、研磨液５６で満たされたブラシ５２に対して研磨パッド３０２がＹ軸方向に摺動し、研磨パッド３０２の表面（下面）に研磨液５６が塗布される。このとき、研磨パッド３０２は回転機構３２０により回転駆動されており、ブラシ５２に対して少なくとも研磨パッド３０２の中心部から外周部まで半径方向に横切るように移動機構３３０によって研磨パッド３０２をＹ軸方向に移動させることで、研磨パッド３０２の表面全体に研磨液５６が万遍なく均一に塗布される。

このようなブラシ５２による研磨パッド３０２の表面への研磨液５６の塗布が終了したら、図４（ａ）に示すように、研磨パッド３０２を含む研磨手段３００をチャックテーブル２０２に対向する研磨位置側に戻すことで、半導体ウエーハ５に対する研磨動作が可能となる。このように、保持手段２００の外部に配設された研磨液塗布手段５０で研磨パッド３０２の表面全体に研磨液５６を均一に塗布することで、事前に研磨パッド３０２表面に研磨液５６が行き渡っているので、交換直後の新品の研磨パッド３０２であっても最初から最適な研磨レートで研磨することが可能となる。

ここで、従来例と対比して本実施の形態による効果について実験例により説明する。実験条件は、
使用した研磨液：デュポン社製ＳＲ−３００
研磨パッド３０２の回転数：２００ｒｐｍ
研磨荷重：１７００Ｎ
チャックテーブル２０２の回転数：３００ｒｐｍ
研磨液流量：２５０ミリリットル／分
とした。

かかる実験条件において、ブラシ５２で研磨液５６を均一に塗布した研磨パッド３０２を用いる本実施の形態の場合と、新品に交換しただけの従来方式の研磨パッドを用いた場合とで半導体ウエーハ５を８枚連続して研磨したところ、図５に示すような研磨レートに関する結果が得られたものである。図５は、研磨レートの実験結果例を示す特性図である。すなわち、本実施の形態によれば、交換直後の新品の研磨パッド３０２であっても１枚目から１．０μｍ／分以上の最適な研磨レートで研磨することができたのに対して、従来方式では４枚目辺りまで研磨レートが最適な状態の５０％〜８０％程度まで低下してしまうことが判る。

ところで、半導体ウエーハ５の被研磨面５ａをＣＭＰ法により研磨する工程においては、研磨液に含まれる遊離砥粒が研磨パッド３０２の表面の凹凸に入り込んで研磨パッド３０２が目詰まりを起こしたり、研磨パッド３０２の表面に付着した遊離砥粒が、次の半導体ウエーハ５を研磨する際に該半導体ウエーハ５の被研磨面５ａを傷つけたりすることがある。したがって、研磨パッド３０２の洗浄を行うことが必要であるが、本実施の形態においては、研磨パッド３０２の洗浄にもブラシ５２が併用される。

すなわち、半導体ウエーハ５の研磨加工が終了する毎に、研磨液供給ノズル５４から上向き配置のブラシ５２に洗浄液を供給しながら、ブラシ５２を研磨パッド３０２が接触可能な高さ位置まで上昇させるとともに、ボールスクリュー３３５を回転させて水平移動支持部材３３２を水平移動ガイド部材３３３に沿ってＹ軸方向に移動させることにより、チャックテーブル２０２上に位置していた研磨パッド３０２を含む研磨手段３００をＹ軸方向に移動させる。これにより、洗浄液が供給されているブラシ５２に対して研磨パッド３０２がＹ軸方向に摺動することで、研磨パッド３０２の表面（下面）が洗浄液で洗浄される。このとき、研磨パッド３０２は回転機構３２０により回転駆動されており、ブラシ５２に対して少なくとも研磨パッド３０２の中心部から外周部まで半径方向に横切るように移動機構３３０によって研磨パッド３０２をＹ軸方向に移動させることで、研磨パッド３０２の表面全体が洗浄液で万遍なく洗浄される。このような研磨パッド３０２の洗浄は、例えば水研磨が終了した後のタイミングで実行される。

本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、被研磨物として半導体ウエーハ５の例で説明したが、半導体ウエーハ５に限らず、被研磨物は、例えば、各種の半導体基板、サファイア基板、ガラス材、セラミックス材、金属材、プラスチック等の合成樹脂材、あるいは、磁気ヘッド、レーザダイオードヘッド等を形成するための電子材料基板などであってもよい。また、被研磨物の形状も、略円盤状形状に限らず、略楕円形状、略矩形形状等の形状であってもよい。

また、本実施の形態では、ブラシ５２の位置を固定的とし、研磨パッド３０２側をＹ軸方向に移動させることで、ブラシ５２に対して研磨パッド３０２を研磨パッド３０２の半径方向に横切るように相対移動させるようにしたが、研磨パッド３０２側の位置を固定的とし、ブラシ５２側をチャックテーブル２０２とともにＹ軸方向に移動させるようにしてもよい。さらには、研磨液塗布手段５０の研磨液塗布部材も、ブラシ５２に限らず、研磨パッド３０２の表面に研磨液を均一に塗布し得る部材であればよい。

また、本実施の形態の研磨装置１は、研磨専用装置への適用例として説明したが、このような適用例に限らず、例えば、特許文献２等に示されるような粗研削用チャックテーブル、仕上げ研削用チャックテーブル、研磨用チャックテーブル、搬入搬出用チャックテーブルをターンテーブル上に備え、２つの研削ユニットと１つの研磨ユニットとを備えることで、研削工程に引き続いて研磨工程を行える研削・研磨加工用装置にも同様に適用可能である。

本実施の形態の研磨装置の構成例を示す外観斜視図である。研磨ユニットの構成例を示す側面図である。研磨液供給手段の内部構成を示す説明図である。研磨加工時と研磨パッド交換時とにおける研磨液塗布手段の作用を説明するための概略側面図である。研磨レートの実験結果例を示す特性図である。

符号の説明

５半導体ウエーハ
５ａ被研磨面
２０保持手段
４０研磨液供給手段
５０研磨液塗布手段
５２ブラシ
５４研磨液供給ノズル
５６研磨液
３００研磨手段
３０２研磨パッド

Claims

被研磨物を保持する保持手段と、該保持手段の上方に配置された研磨手段と、前記保持手段に保持された被研磨物の被研磨面に研磨液を供給する研磨液供給手段とを備え、被研磨面に研磨液を供給し前記研磨手段を回転させながら被研磨面に押圧することにより、被研磨面を研磨する研磨装置であって、
前記保持手段の外部に配置されて前記研磨手段に配設された研磨パッドの表面全体に研磨液を均一に塗布する研磨液塗布手段を備えることを特徴とする研磨装置。
前記研磨液塗布手段は、上向きに配設されたブラシと、該ブラシ近傍に配置された研磨液供給ノズルとを備え、前記研磨液供給ノズルから供給された研磨液で満たされた前記ブラシに対して回転する前記研磨パッドを少なくとも該研磨パッドの中心部から外周部まで半径方向に横切るように相対移動しながら摺動させることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。