KR20190026629A - 연마액 농도 조정 방법 - Google Patents

연마액 농도 조정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190026629A
KR20190026629A KR1020180105802A KR20180105802A KR20190026629A KR 20190026629 A KR20190026629 A KR 20190026629A KR 1020180105802 A KR1020180105802 A KR 1020180105802A KR 20180105802 A KR20180105802 A KR 20180105802A KR 20190026629 A KR20190026629 A KR 20190026629A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing liquid
tank
revolutions
concentrated
pure water
Prior art date
Application number
KR1020180105802A
Other languages
English (en)
Inventor
사토시 야마나카
다이스케 가와고에
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190026629A publication Critical patent/KR20190026629A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F27/00—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders
    • B01F27/80—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a substantially vertical axis
    • B01F27/90—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a substantially vertical axis with paddles or arms 
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F27/00—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders
    • B01F27/05—Stirrers
    • B01F27/11—Stirrers characterised by the configuration of the stirrers
    • B01F27/19—Stirrers with two or more mixing elements mounted in sequence on the same axis
    • B01F27/191—Stirrers with two or more mixing elements mounted in sequence on the same axis with similar elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/20—Measuring; Control or regulation
    • B01F35/21—Measuring
    • B01F35/211—Measuring of the operational parameters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/27—Mixing ingredients for grinding, polishing or lapping materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은, 연마액을 적절한 농도로 조정하여 연마액을 낭비하지 않도록 하는 것을 목적으로 한다.
탱크에 순수와 농축 연마액을 공급하는 공급 공정(S1)과, 프로펠러를 회전시켜 탱크 내의 순수와 농축 연마액을 혼합하는 혼합 공정(S2)과, 혼합 공정(S2)에서 검출한 프로펠러의 회전수가, 미리 설정한 회전수(n)보다 큰지 작은지를 판단하는 판단 공정(S3)과, 검출한 회전수가 미리 설정한 회전수(N)보다 작을(n<N) 때에는 탱크에 순수를 공급하여 프로펠러의 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 되게 하는 제1 조정 공정(S4)과, 검출한 회전수가 미리 설정한 회전수(N)보다 빠를(n>N) 때에는 탱크에 농축 연마액을 공급하여 프로펠러의 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 되게 하는 제2 조정 공정(S5)을 구비하였다.

Description

연마액 농도 조정 방법{METHOD FOR CONTROLLING THE CONCENTRATION OF GRINDING SOLUTION}
본 발명은, 연마액의 농도를 조정하는 연마액 농도 조정 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 워크(work)의 표면을 평탄화하는 방법으로서, CMP(Chemical Mechanical Polishing)가 이용된다. CMP에서는, 연마 장치에 있어서 워크의 표면에 회전하는 연마 패드를 압박하면서 연마액을 공급함으로써, 연마액 중의 지립에 의한 기계적 작용과 연마액에 의한 화학적 작용에 의해 연마가 이루어진다.
CMP용의 연마액으로는, 연마하는 워크에 따라 연마 장치 밖에서 농축 연마액이 순수(純水)로 희석된 것이 사용된다. 종래에는, 농축 연마액을 미리 정해진 농도로 조정한 연마액이 들어 있는 탱크를 연마 장치에 설치하고, 그 탱크로부터 연마액을 배관에 의해 퍼 올려 연마 중인 워크의 표면에 공급하고 있었다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2008-036744호 공보
그러나, 전술한 탱크 내의 연마액의 농도가 적절히 조정되어 있지 않으면, 그 연마액이 연마 중인 워크의 표면에 공급됨으로써, 워크의 표면이 예정한 것보다 연마되지 않거나 지나치게 연마되거나 하는 등의 가공 불량이 생긴다. 그러한 경우, 배관 내의 연마액을 전부 빼낼 필요가 있어 연마액이 낭비되어 버린다.
본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 연마액을 적절한 농도로 조정하여 연마액을 낭비하지 않도록 하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, 탱크와, 상기 탱크에 순수를 공급하는 순수 공급부와, 농축된 농축 연마액을 상기 탱크에 공급하는 농축 연마액 공급부와, 상기 탱크에 공급된 순수와 농축 연마액을 혼합하는 프로펠러를 회전시키는 회전부와, 상기 프로펠러의 회전수를 검출하는 회전수 검출부를 구비하여 미리 정해진 농도의 연마액을 생성하는 연마액 생성 기구를 이용하여 연마액의 농도를 조정하는 연마액 농도 조정 방법으로서, 상기 탱크에 순수와 농축 연마액을 공급하는 공급 공정과, 상기 회전부에 의해 상기 프로펠러를 회전시켜 상기 탱크 내의 순수와 농축 연마액을 혼합하는 혼합 공정과, 상기 혼합 공정에 있어서, 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 느린지, 미리 설정한 회전수보다 빠른지를 판단하는 판단 공정과, 상기 판단 공정에 있어서, 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 느리다고 판단한 경우에, 상기 순수 공급부에서 상기 탱크에 순수를 공급하여, 상기 회전수 검출부에 의해 검출되는 회전수가 미리 설정한 회전수가 되게 하는 제1 조정 공정과, 상기 판단 공정에 있어서, 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 빠르다고 판단한 경우에, 상기 농축 연마액 공급부에서 상기 탱크에 농축 연마액을 공급하여, 상기 회전수 검출부에 의해 검출되는 회전수가 미리 설정한 회전수가 되게 하는 제2 조정 공정을 구비한다.
본 발명에 따른 연마액 농도 조정 방법에 의하면, 탱크 내의 연마액을 혼합하는 프로펠러의 회전수에 기초하여 연마액의 농도가 적절한지 여부를 판단하고, 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 느릴 때에는 탱크에 순수를 공급하여 연마액을 적절한 농도까지 희석하고, 미리 설정한 회전수보다 빠를 때에는 탱크에 농축 연마액을 공급하여 연마액을 적절한 농도까지 진해지게 함으로써, 연마액을 적절한 농도로 조정할 수 있다. 그리고, 그 연마액을 연마 장치에 공급함으로써, 연마액에 낭비가 생기는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 연마액 농도 조정 방법의 실시에 사용하는 연마액 생성 기구를 예시한 단면도이다.
도 2는 연마액 농도 조정 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 프로펠러의 회전수의 추이에 관한 예를 나타낸 그래프이다.
도 1에 도시된 연마액 생성 기구(1)는, 연마액을 저류하는 탱크(2)와, 탱크(2)에 순수(W)를 공급하는 순수 공급부(3)와, 탱크(2)에 농축 연마액(C)을 공급하는 농축 연마액 공급부(4)와, 탱크(2)에 공급된 순수(W)와 농축 연마액(C)을 혼합하는 프로펠러(5)와, 프로펠러(5)를 회전시키는 회전부(6)와, 프로펠러(5)의 회전수를 검출하는 회전수 검출부(7)와, 탱크(2) 내의 연마액(R)의 액면(Ra)을 검출하는 액면 검출부(8)와, 회전수 검출부(7) 및 액면 검출부(8)에 의한 검출값에 기초하여 순수 공급부(3) 및 농축 연마액 공급부(4)를 제어하는 제어부(9)를 구비하고 있다.
탱크(2)는, 연마 장치에 인접하게 설치된다. 탱크(2)의 한쪽 측벽(2b)의 하부에는, 탱크(2) 내의 연마액(R)을 퍼 올려, 도시하지 않은 연마 장치에 공급하기 위한 펌프(10)가 접속되어 있다.
순수 공급부(3)는, 순수를 저류하는 순수 공급원(31)을 구비하고, 순수 공급원(31)은 배관(32)을 통해 탱크(2)의 상부에 접속되어 있다. 배관(32)에는, 순수 공급원(31)으로부터 탱크(2)로의 순수(W)의 공급량을 제어하기 위한 전자 밸브(33)가 마련되어 있다.
농축 연마액 공급부(4)는, 농축 연마액을 저류하는 농축 연마액 공급원(41)을 구비하고, 농축 연마액 공급원(41)은 배관(42)을 통해 탱크(2)의 상부에 접속되어 있다. 배관(42)에는, 농축 연마액 공급원(41)으로부터 탱크(2)로의 농축 연마액(C)의 공급량을 제어하기 위한 전자 밸브(43)가 마련되어 있다.
프로펠러(5)는, 탱크(2)의 바닥(2a) 근방에 배치되어 있다. 회전부(6)는, 상하 방향으로 연장되는 회전 샤프트(61)와, 회전 샤프트(61)를 회전시키는 모터(62)를 구비하고, 회전 샤프트(61)의 하단에 프로펠러(5)가 고정되어 있다. 회전 샤프트(61)의 상단은, 모터(62)의 회전축에 연결되어 있다. 모터(62)는, DC 모터로서, 항상 일정한 전력으로 구동된다. DC 모터는, 일정한 전력으로 구동되고 있을 때에, 회전축에 가해지는 부하가 커지면 그것에 비례하여 회전수가 감소되고, 회전축에 가해지는 부하가 작아지면 그것에 비례하여 회전수가 증가된다.
또한, 모터(62)는, DC 모터에 한정되지 않고, 회전축에 가해지는 부하에 의해 회전수가 변화되는 모터면 된다.
여기서, 모터(62)의 회전축에 가해지는 부하는, 프로펠러(5)에 작용하는 연마액(R)의 점성 저항이다. 따라서, 연마액(R)의 점도가 높아지면, 모터(62)의 회전축에 가해지는 부하도 높아지고, 모터(62) 및 프로펠러(5)의 회전수가 저하된다. 한편, 연마액(R)의 점도가 낮아지면, 모터(62)의 회전축에 가해지는 부하도 저하되고, 모터(62) 및 프로펠러(5)의 회전수가 증가된다. 연마액(R)의 농도가 높아질수록 연마액(R)의 점도도 높아지기 때문에, 연마액(R)의 농도의 고저를 프로펠러(5)의 회전수의 대소로서 검출할 수 있다.
탱크(2) 내의 연마액(R)의 액면(Ra)을 검출하는 액면 검출부(8)에 의해 검출한 액면(Ra)의 높이에 따라 계수를 설정하고, 회전수 검출부(7)가 검출한 회전수에 계수를 곱하여 농도를 산출하도록 하여도 좋다. 미리 설정되는 계수는, 액면 검출부(8)가 검출한 액면(Ra)의 높이가 높을 때에는 크고, 액면(Ra)의 높이가 낮을 때에는 작다. 따라서, 회전수 검출부(7)가 검출한 회전수가 동일한 값이어도, 액면(Ra)이 높을 때에는, 액면(Ra)이 낮을 때보다 연마액(R)의 농도가 낮아진다.
회전수 검출부(7)는, 코드 휠(71)과, 광 센서부(72)를 갖고 있다. 코드 휠(71)은, 둘레 방향으로 등간격으로 복수의 슬릿(관통 구멍)이 마련된 원판형의 부재이며, 회전 샤프트(61)에 동심형으로 고정되어 있다. 광 센서부(72)는, 코드 휠(71)의 상하에 각각 배치된 발광 소자와 수광 소자를 구비하고, 발광 소자로부터 발생된 광이 코드 휠(71)의 슬릿을 통과하여 수광 소자에 수광될 때마다 출력 신호를 발생시킨다. 코드 휠(71)은, 프로펠러(5)가 고정된 회전 샤프트(61)와 함께 회전하기 때문에, 광 센서부(72)의 출력 신호에 기초하여 프로펠러(5)의 회전수(n)가 검출된다.
액면 검출부(8)는, 탱크(2)의 깊이 방향의 중간 위치에 마련되어 있고, 탱크(2) 내의 연마액(R)의 액면(Ra)이 미리 정해진 높이 이상일 때에 출력 신호를 발생시킨다. 액면 검출부(8)로서는, 플로우트식, 광학식 등의 레벨 센서가 이용된다.
제어부(9)는, CPU 및 메모리를 구비하고, CPU가 메모리를 작업 영역에 사용하면서 프로그램을 순차 실행함으로써, 회전수 검출부(7) 및 액면 검출부(8)로부터의 검출 신호에 따른 제어 신호를 생성하고, 순수 공급부(3) 및 농축 연마액 공급부(4)의 전자 밸브(33, 43)를 제어한다.
이하에서는, 도 1에 도시된 연마액 생성 기구(1)를 이용한 연마액 생성 방법에 대해서, 도 2의 흐름도를 참조하여 설명한다. 도 2에 도시된 각 공정은, 제어부(9)에 의한 제어 하에서 실시된다.
(1) 공급 공정
이 연마액 생성 방법에서는, 우선, 탱크(2)에 순수(W)와 농축 연마액(C)을 공급하는 공급 공정(S1)이 실시된다. 즉, 순수 공급부(3)의 전자 밸브(33)를 개방함으로써 순수 공급원(31)으로부터 탱크(2)에 순수(W)가 공급됨과 더불어, 농축 연마액 공급부(4)의 전자 밸브(43)를 개방함으로써 농축 연마액 공급원(41)으로부터 탱크(2)에 농축 연마액(C)이 공급된다.
(2) 혼합 공정
탱크(2)에 대한 순수(W) 및 농축 연마액(C)의 공급을 시작한 후, 프로펠러(5)를 회전시켜, 탱크(2) 내의 순수(W)와 농축 연마액(C)을 혼합하는 혼합 공정(S2)이 시작된다. 본 공정에서는, 탱크(2) 내에 있어서, 순수(W)와 농축 연마액(C)과의 혼합액인 연마액(R)이 생성된다.
(3) 판단 공정
탱크(2)에 순수(W) 및 농축 연마액(C)이 공급되고, 탱크(2) 내에 순수(W)와 농축 연마액(C)과의 혼합액인 연마액(R)이 저류하게 되어, 액면 검출부(8)가, 연마액(R)의 액면(Ra)이 미리 정해진 높이 이상이 된 것을 검출하면, 회전수 검출부(7)가, 프로펠러(5)의 회전수를 검출한다. 그리고, 그 검출된 회전수(n)가 미리 설정된 회전수(N)보다 느린지 빠른지를 판단하는 판단 공정(S3)이 시작된다. 여기서, 미리 설정된 회전수(N)는, 제어부(9)에 구비된 메모리에 기억되어 있고, 회전수(n)와 회전수(N)와의 비교 처리도, 제어부(9)에서 행해진다.
(4) 제1 조정 공정
판단 공정(S3)에 있어서, 회전수 검출부(7)에 의해 검출된 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)보다 작다(n<N)고 판단되었을 때에는, 제1 조정 공정(S4)이 실시된다. 제1 조정 공정(S4)에서는, 전자 밸브(43)를 폐쇄함으로써 탱크(2)에 대한 농축 연마액(C)의 공급이 정지되고, 순수 공급부(3)의 전자 밸브(33)가 개방된 상태 인 채로 순수(W)의 공급만이 실시된다.
제1 조정 공정(S4)은, 회전수 검출부(7)에 의해 검출된 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 될 때까지 실시된다. 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 된 것은, 연마액(R)의 점도가 미리 정해진 점도까지 저하된 것, 즉 연마액(R)이 적절한 농도가 된 것을 의미한다.
(5) 제2 조정 공정
판단 공정(S3)에 있어서, 회전수 검출부(7)에 의해 검출된 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)보다 크다(n>N)고 판단되었을 때에는, 제2 조정 공정(S5)이 실시된다. 제2 조정 공정(S5)에서는, 순수 공급부(3)의 전자 밸브(33)는 폐쇄되어 탱크(2)에 대한 순수(W)의 공급이 정지되고, 농축 연마액 공급부(4)의 전자 밸브(43)가 개방된 상태인 채로 농축 연마액(C)의 공급만 실시된다.
제2 조정 공정(S5)은, 회전수 검출부(7)에 의해 검출된 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 될 때까지 실시된다. 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)가 된 것은, 연마액(R)의 점도가 미리 정해진 점도까지 상승한 것, 즉 연마액(R)이 적절한 농도가 된 것을 의미한다.
또한, 판단 공정에 있어서, 검출된 회전수(n)가 미리 설정된 회전수(N)와 같은 경우는, 제1 조정 공정(S4) 및 제2 조정 공정(S5) 모두를 실시하지 않고, 탱크(2)에 대한 순수(W) 및 농축 연마액(C)의 공급의 비율을 그대로 유지한다.
또한, 미리 설정한 회전수(N)는, 도 3과 같이 폭[회전수 폭(Na)]을 마련하여도 좋다. 즉, 미리 설정한 회전수 폭(Na) 내에 검출된 회전수(n)가 들어 있으면 연마액(R)이 적절한 농도인 것을 의미한다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 검출된 회전수(n)가 회전수 폭(Na)의 범위보다 작은 경우에는, 제1 조정 개시 시부터 농축 연마액(C)의 공급이 정지됨과 더불어 순수(W)의 공급만이 실시되고, 검출되는 회전수(n)가 상승하여 회전수 폭(Na)의 범위에 들면, 농축 연마액(C)의 공급도 재개한다. 한편, 검출된 회전수(n)가 회전수 폭(Na)의 범위보다 큰 경우에는, 제2 조정 개시 시부터 순수(W)의 공급이 정지됨과 더불어 농축 연마액(C)의 공급만이 실시되고, 검출되는 회전수(n)가 하강하여 회전수 폭(Na)의 범위에 들면, 순수(W)의 공급도 재개한다.
(6) 가공 공정
판단 공정(S3)에 의한 회전수(n)의 판단 결과에 따라, 제1 조정 공정(S4) 및 제2 조정 공정(S5)이 실시됨으로써, 탱크(2) 내의 연마액(R)의 점도가 적절한 농도로 유지된다. 이와 같이 하여 탱크(2) 내의 연마액(R)이 적절한 농도로 유지되고 있는 상태에서, 가공 공정(S6)이 실시된다. 가공 공정(S6)에서는, 펌프(10)가 구동되고, 탱크(2) 내의 연마액(R)이 퍼 올려져, 연마 장치로 연마 중인 워크에 공급된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 탱크(2) 내의 연마액(R)을 혼합하는 프로펠러(5)의 회전수(n)가 미리 설정한 회전수(N)보다 큰지 작은지에 따라 연마액(R)의 농도를 판단하고, 미리 설정한 회전수(N)보다 작을 때에는 탱크(2)에 순수(W)를 공급하여 연마액(R)을 적절한 농도까지 희석하고, 미리 설정한 회전수(N)보다 클 때에는 탱크(2)에 농축 연마액(C)을 공급하여 연마액(R)을 적절한 농도까지 진해지게 함으로써, 연마액(R)을 적절한 농도로 조정할 수 있다. 따라서, 연마액(R)의 농도 조정 실수에 의한 워크의 가공 불량이나 연마액의 낭비를 방지할 수 있다.
또한, 프로펠러(5)에 작용하는 연마액(R)의 점성 저항에 의해 회전수가 변화되는 모터(62)를 사용하여, 연마액(R)의 농도의 고저를 프로펠러(5)의 회전수(n)의 대소로서 검출하고, 그 회전수(n)에 따라 탱크(2)에 대한 순수(W) 및 농축 연마액(C)의 공급량을 제어하도록 하였기 때문에, 연마액(R)의 농도를 조정하기 위한 제어계를 저렴한 구성으로 실현할 수 있다.
또한, 연마액(R)의 농도를 조정하고 나서 펌프(10)를 이용하여 연마 장치에 공급하기 때문에, 연마액 생성 기구(1)와 연마 장치 사이의 배관 내에는, 항상 적절한 농도의 연마액이 유통한다. 따라서, 상기 배관으로부터 연마액을 빼낼 필요가 없게 되어, 연마액에 낭비가 생기는 것을 방지할 수 있다.
1 : 연마액 생성 기구 2 : 탱크
2a : 바닥 2b : 측벽
3 : 순수 공급부 4 : 농축 연마액 공급부
5 : 프로펠러 6 : 회전부
7 : 회전수 검출부 8 : 액면 검출부
9 : 제어부 10 : 펌프
31 : 순수 공급원 32 : 배관
33 : 전자 밸브 41 : 농축 연마액 공급원
42 : 배관 43 : 전자 밸브
61 : 회전 샤프트 62 : 모터
71 : 코드 휠 72 : 광 센서부
W : 순수 C : 농축 연마액
R : 연마액 Ra : 액면
S1 : 공급 공정 S2 : 혼합 공정
S3 : 판단 공정 S4 : 제1 조정 공정
S5 : 제2 조정 공정 S6 : 가공 공정

Claims (1)

  1. 탱크와, 상기 탱크에 순수를 공급하는 순수 공급부와, 상기 탱크에 농축된 농축 연마액을 공급하는 농축 연마액 공급부와, 상기 탱크에 공급된 순수와 농축 연마액을 혼합하는 프로펠러를 회전시키는 회전부와, 상기 프로펠러의 회전수를 검출하는 회전수 검출부를 구비하여 미리 정해진 농도의 연마액을 생성하는 연마액 생성 기구를 이용하여 연마액의 농도를 조정하는 연마액 농도 조정 방법으로서,
    상기 탱크에 순수와 농축 연마액을 공급하는 공급 공정과,
    상기 회전부에 의해 상기 프로펠러를 회전시켜 상기 탱크 내의 순수와 농축 연마액을 혼합하는 혼합 공정과,
    상기 혼합 공정에서 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가, 미리 설정한 회전수보다 느린지, 미리 설정한 회전수보다 빠른지를 판단하는 판단 공정과,
    상기 판단 공정에 있어서, 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 느리다고 판단한 경우에, 상기 순수 공급부에서 상기 탱크에 순수를 공급하여, 상기 회전수 검출부에 의해 검출되는 회전수가 미리 설정한 회전수가 되게 하는 제1 조정 공정과,
    상기 판단 공정에 있어서, 상기 회전수 검출부에 의해 검출된 회전수가 미리 설정한 회전수보다 빠르다고 판단한 경우에, 상기 농축 연마액 공급부에서 상기 탱크에 농축 연마액을 공급하여, 상기 회전수 검출부에 의해 검출되는 회전수가 미리 설정한 회전수가 되게 하는 제2 조정 공정
    을 구비한 연마액 농도 조정 방법.
KR1020180105802A 2017-09-05 2018-09-05 연마액 농도 조정 방법 KR20190026629A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017170160A JP2019042887A (ja) 2017-09-05 2017-09-05 研磨液濃度調整方法
JPJP-P-2017-170160 2017-09-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190026629A true KR20190026629A (ko) 2019-03-13

Family

ID=65514726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105802A KR20190026629A (ko) 2017-09-05 2018-09-05 연마액 농도 조정 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2019042887A (ko)
KR (1) KR20190026629A (ko)
CN (1) CN109420450B (ko)
TW (1) TW201913797A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112915828A (zh) * 2021-02-02 2021-06-08 蔡相春 一种大腿骨折用固定石膏
CN113281099B (zh) * 2021-06-02 2022-08-05 安徽理工大学环境友好材料与职业健康研究院(芜湖) 一种适用于浓缩池的旋转式采样装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008036744A (ja) 2006-08-03 2008-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535197Y2 (ko) * 1978-08-11 1980-08-19
DE3244055A1 (de) * 1981-12-08 1983-07-21 ASEA AB, 72183 Västeraas Anordnung zur regelung der faserkonzentration einer fasersuspension
JPS6031840A (ja) * 1983-07-29 1985-02-18 バブコツク日立株式会社 スラリ−製造装置
JPH06336589A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 石炭・水スラリの製造方法
JP2000233371A (ja) * 1999-02-10 2000-08-29 Sumitomo Metal Ind Ltd スラリー供給装置及びこれを用いた研磨システム
US6732017B2 (en) * 2002-02-15 2004-05-04 Lam Research Corp. System and method for point of use delivery, control and mixing chemical and slurry for CMP/cleaning system
US8297830B2 (en) * 2009-03-04 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry system for semiconductor fabrication
CN203922771U (zh) * 2014-06-09 2014-11-05 宣尧杭 一种用于印染废水处理的加药剂装置
CN106442408A (zh) * 2016-10-12 2017-02-22 上海胤飞自动化科技有限公司 化学机械研磨液自动配制控制系统

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008036744A (ja) 2006-08-03 2008-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109420450A (zh) 2019-03-05
CN109420450B (zh) 2022-06-03
JP2019042887A (ja) 2019-03-22
TW201913797A (zh) 2019-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190026629A (ko) 연마액 농도 조정 방법
US7666063B2 (en) Rough polishing method of semiconductor wafer and polishing apparatus of semiconductor wafer
JP4869536B2 (ja) 半導体製造のための化学機械的研磨システム
KR102363562B1 (ko) 연마액 및 SiC 기판의 연마 방법
JP7267847B2 (ja) 研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置、および当該研磨装置を用いた研磨方法
CN107201632B (zh) 用于通过改善的泵运行来运行导水的家用器具的方法
KR102599487B1 (ko) 연마 장치, 제어 방법 및 기록매체에 저장된 프로그램
KR100335456B1 (ko) 기판의연마방법및그의연마장치
US20020045412A1 (en) Method for supplying slurry to polishing apparatus
MX2022014206A (es) Bomba de tornillo excentrico con acoplamiento de trabajo y acoplamiento de ralenti y metodo para controlar la bomba de tornillo excentrico.
US6021806A (en) Slurry distribution system for a CMP process in semiconductor device fabrication
JP4487242B2 (ja) 回転濃縮機の制御装置
KR101602929B1 (ko) 송풍 제어 시스템
JP5075390B2 (ja) ポンプ
JP6743746B2 (ja) ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法
JP3677203B2 (ja) 砥液供給装置、研磨装置及び砥液供給装置の運転方法
JP2010267181A (ja) 薬剤の希釈装置
JPH1167712A (ja) 薬液処理装置およびその流量制御方法
JP2006269737A (ja) スラリー供給装置
KR101122536B1 (ko) Ｃｍｐ장치용 슬러리 공급장치
JP2005169613A (ja) ワーク研磨装置およびワーク研磨方法
KR20040047021A (ko) 세제 감지형 세탁기 및 그 동작방법
JP6112899B2 (ja) 砥液供給装置、及び基板処理装置
IES20060298A2 (en) An apparatus for and method of polishing a semiconductor wafer using chemical mechanical planarization
KR100325621B1 (ko) 반도체 습식공정장비의 화학용액공급장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application