JP4869536B2 - 半導体製造のための化学機械的研磨システム - Google Patents
半導体製造のための化学機械的研磨システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4869536B2 JP4869536B2 JP2001585993A JP2001585993A JP4869536B2 JP 4869536 B2 JP4869536 B2 JP 4869536B2 JP 2001585993 A JP2001585993 A JP 2001585993A JP 2001585993 A JP2001585993 A JP 2001585993A JP 4869536 B2 JP4869536 B2 JP 4869536B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cmp slurry
- cmp
- container
- port
- refractometer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 84
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 4
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- -1 dielectric Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- METKIMKYRPQLGS-UHFFFAOYSA-N atenolol Chemical compound CC(C)NCC(O)COC1=CC=C(CC(N)=O)C=C1 METKIMKYRPQLGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F33/00—Other mixers; Mixing plants; Combinations of mixers
- B01F33/45—Magnetic mixers; Mixers with magnetically driven stirrers
- B01F33/452—Magnetic mixers; Mixers with magnetically driven stirrers using independent floating stirring elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/20—Measuring; Control or regulation
- B01F35/21—Measuring
- B01F35/2132—Concentration, pH, pOH, p(ION) or oxygen-demand
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/80—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed
- B01F35/82—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed by adding a material to be mixed to a mixture in response to a detected feature, e.g. density, radioactivity, consumed power or colour
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Description
発明の分野
本発明は半導体部品の製造、特に半導体部品の製造において使用される混合物の成分濃度検出に関する。
【0002】
発明の背景
化学機械的研磨(CMP)のスラリーは金属層を平坦化するために使用され得る。このCMPスラリーは緩衝溶液、酸化剤、および研磨剤からなる。酸化剤は金属を化学的に不動態化や酸化し、研磨剤は、非酸化金属よりも軟らかい、酸化された金属を物理的に研磨や除去する。タングステン金属を研磨するためのCMPスラリーには正確な量の酸化剤が必要であるが、酸化剤の使用可能寿命は非常に短い。従って、必要な化学的活性を維持するためには、CMPスラリーに新しい酸化剤を追加しなければならない。
【0003】
酸化剤の追加を必要とする時期を判断するための従来の手法は、滴定等のマニュアル手法からなる。これらのマニュアル手法では、CMPスラリーに追加されるべき適切な酸化剤量を決定するまでに普通は少なくとも15分必要である。CMPスラリーの採取とCMPスラリーへの酸化剤追加との間のこの長い遅延時間は製造工程制御に適さない。
【0004】
CMPスラリーの短い使用可能寿命は既存のCMPシステムに他の問題をもたらす。例えば、多くのCMPシステムでは、丸一日或いは少なくとも8時間の製造シフトの期間使用するために、大量のCMPスラリーを保存する大きなデイタンクを使用する。このデイタンクは広い床面積を必要とし高価である。更に、デイタンクに保存されている数種類のCMPスラリーに周期的に大量の酸化剤を追加しなければならない。また、新しいCMPスラリーのバッチには、使用可能になるまでの滞留時間があり、それを超えてはCMPスラリーは使用され得ない。従って、デイタンク中の大量のCMPスラリーは、スラリーの新しいバッチがデイタンクに入れられたとき、及び/或いは、古いスラリーが使用可能寿命を越えたときは化学物質の追加によって再活性化させなければならない、という滞留時間問題がある。
【0005】
従って、混合物中の成分濃度を容易、正確、安価に検出し制御するための方法を含む、半導体部品の製造方法への必要性は存在する。CMP加工に関しても、CMPスラリー中の酸化剤や他の時間敏感性の化学組成物の濃度を容易、正確、安価に検出し制御するCMPシステムへの必要性は存在する。
【0006】
説明の単純化と明確化のために、図は一般的な構成を示し、図中の部品は必ずしも一定の比率では描かれていない。加えて、本発明を不必要にあいまいにすることを回避するために、異なる図中の同一の参照番号は同一の部品を示し、周知の特徴や手法の詳細な記載は削除した。
【0007】
更に、明細書や請求項中の、第1、第2、第3、第4、表面、底面、上、下, 等の言葉は類似部品を区別するために使用され、必ずしも相対的位置や順番、時間的順序を説明していない。しかしながら、ここで述べる本発明の実施例は、ここで述べ、示す以外の方向や順序でも動作可能である。また、使用される表現は適当な環境下で相互交換可能である。
【0008】
図の詳細な説明
図1はCMPシステム100の部分断面図を示す。特にシステム100の化学物質供給部分を図1に示した。CMPシステム100は第1の入力ポート111、第2の入力ポート112、CMPスラリー出力ポート113、CMPスラリー検知部114、および破線119で示したCMPスラリー満タンレベルを備える。好ましい実施例において、CMPスラリー出力ポート113はCMPスラリー満タンレベルの下部に位置し、入力ポート111、112はCMPスラリー出力ポート113の下部に位置する。また好ましい実施例において、CMPスラリー検知部114は出力ポート113およびCMPスラリー満タンレベルの下部に位置し、CMPスラリー検知部114は又、入力ポート111、112の上部に位置する。第1の入力ポート111と112、CMPスラリー出力ポート113、CMPスラリー検知部114、およびCMPスラリー満タンレベルの好ましい位置関係の理由を下記に説明する。
【0009】
容器110は貯蔵タンク120を形成する内壁115を備える。好ましい実施例において、壁115は滑らかであるが、貯蔵タンク120内の乱流を増大させるために、フィン(図1に不示)が壁115から延びていてもよい。好ましい実施例において、入力ポート111、112と連結したポンプが入力ポート111、112を経て容器110中にスラリー成分を注入するために使用され、又、出力ポート113を経て容器110からスラリーを排出するために使用され得るように、容器110および貯蔵タンク120は密封されていることが望ましい。容器110と貯蔵タンク120とを密封するために、CMPシステム110は、柔軟なオーリング117、堅い蓋116、及び、容器110の先端部へ蓋116を取り外し可能な態様で連結し保護する機械的クランプ118を備える。オーリング117は気密封止するために使用される。
【0010】
CMPシステム110は、容器110の底部に位置する動的混合装置130も備える。装置130は貯蔵タンク120内でCMPスラリーを動的に混合する。例えば、装置130は磁気アクチュエータ132と磁気的に連結された回転攪拌器や回転翼131を備え得る。この実施例において、装置130の回転翼131は貯蔵タンク120の内部に位置し、磁気アクチュエータ132は貯蔵タンク120の外部に位置する。
【0011】
CMPシステム100の動作において、CMPスラリーの第1の成分は入力ポート111を経て貯蔵タンク120の底部に供給される。CMPスラリーの第2の成分は入力ポート112を経て貯蔵タンク120の底部に供給さる。一例として、第1の成分は酸化剤、第2の成分は、懸濁液や液担体中のシリカ粒子からなる研磨剤である。CMPスラリーは,例えば緩衝溶液等の他の成分も含み得る。CMPスラリーの成分が所望の割合で貯蔵タンク120中に供給されると、装置130は動的に成分を混合してCMPスラリーを形成する。従って、CMPスラリーの成分が貯蔵タンク120中に供給された後、直ちに混合され得るように、装置130は入力ポート111、112に近接して位置することが望ましい。CMPスラリーが混合されると、破線119によって示されるCMPスラリー満タンレベルになるまで追加のCMPスラリー成分が貯蔵タンク120中に供給される。
【0012】
CMPシステム100は入力ポート111と連結するポンプ171も備える。ポンプ171はCMPスラリーの第1の成分を入力ポート111を経て貯蔵タンク120中に送り込む。CMPシステム100は更に、入力ポート112と連結するポンプ172も備える。ポンプ172はCMPスラリーの第2の成分を入力ポート112を経て貯蔵タンク120中に送り込む。ポンプ171、172は容器110から出力ポート113を経てCMPスラリーを排出し、平坦化や除去すべき半導体、誘電体、或いは金属層にCMPスラリーを供給するためにも使用され得る。
【0013】
CMPシステム100は更に、CMPスラリー感知ポート114に近接して配置される光センサや屈折計150を備える。屈折計150の第1の部分は貯蔵タンク120の外部に位置しており、第2の部分は貯蔵タンク120の内部に位置している。特に、屈折計150の第2の部分はCMPスラリー感知ポート114を通って、壁115から貯蔵タンク120中に伸びている。
【0014】
好ましい実施例において、屈折計150の第2の部分は壁115をから離れて貯蔵タンク120の内部に突出している。しかしながら、接触面152がCMPスラリーの渦中に位置しないように、屈折計150の第2の部分は貯蔵タンク120の中央部までは伸びず、貯蔵タンク120内のCMPスラリーの比較的高接線速度域に位置する。好ましい実施例において、貯蔵タンク120内のCMPスラリー上の蒸気の検出や感知を回避するために、CMPスラリー感知ポート114と接触面152とは破線119によって示されるCMPスラリー満タンレベルの下部に位置する。
【0015】
一例として、屈折計150は、カリフォルニアのアーバイン(Irvine)のローズマウントアナリティカル(Rosemount Analytical)株式会社のユニロック(Uniloc)事業部から市販で入手可能な、モデルREFRACDSプロセス屈折計(Process Refractometer)でもよい。この屈折計150の実施例は、プリズム151を備え、接触面152はCMPスラリーとプリズム151との間に位置する。一例として、プリズム151はサファイヤからなる。
【0016】
屈折計150は、メカニカルクランプ153によって取り外し可能な方法で容器110と連結、固定されている。屈折計150とポート114との間を気密封止するために、オーリング154がCMPスラリー感知ポート114と屈折計150との間に位置している。CMPスラリーが貯蔵タンク120内に供給され、貯蔵タンク120内でCMP出力ポート113の方へ押し上げられると、CMPスラリーはCMPスラリー感知ポート114と屈折計150とを通過して移動し、従って屈折計150はCMPスラリー中の第1の成分の濃度を検出し得る。好ましい実施例において、第1の成分は過酸化水素からなる。
【0017】
CMPシステム100はCMPスラリー出力ポート113と連結した流速センサ160も備える。センサ160はCMPスラリー出力ポート113を経て貯蔵タンク120から排出されるCMPスラリーの流速を測定する。センサ160はレベルセンサでもよいが、瞬間流速センサが望ましい。図2〜5を参照してより詳細に説明するように、流速センサ160は、入力ポート110を経て容器110に注入される、CMPスラリーの第1の成分の流速を調整するための第1の信号を提供する。屈折計150は入力ポート110を経て容器110に注入される、CMPスラリーの第1の成分の流速を調整するための第2の信号を提供する。
【0018】
CMPシステム100は又、図1に示されていないが当業者に周知の他の特徴も備えている。例えば、CMPシステム100はGMPスラリーの第1と第2の成分の供給タンクを更に備える。供給タンクはポンプ171、172と連結され得る。CMPシステム100は、場合によれば複数の金属や誘電体の層を有する半導体基板を支持するためのキャリアアセンブリを更に備える。CMPシステム100は半導体基板や誘電体や金属の層を機械研磨するための定盤を更に備える。
【0019】
図2は半導体部品を製造するための方法200のフローチャートを示す。方法200はCMPシステム100(図1)を使用する。図2の方法200の工程205で、半導体基板が準備される。半導体基板は半導体支持層を覆う、少なくとも1層の半導体エピタキシャル層を含む。次に方法200の工程210で、複数の半導体素子が半導体基板中に形成される。次に方法200の工程215で、半導体基板と半導体素子の上に第1の層が形成される。例えば第1の層は、二酸化珪素や窒化珪素からなる誘電体層でもよい。しかしながら好ましい実施例においては、第1の層は、例えば、銅、アルミニウム、チタニウム、タングステン等の金属からなる。金属からなるときは、第1の層は相互接続層として使用される。
【0020】
方法200の工程220で、混合物の第1と第2との成分とが供給され、混合される。好ましい実施例において、混合物はCMPスラリーであり;第1の成分は、例えば、過酸化水素等の酸化剤であり;第2の成分は、例えば、液担体中に懸濁されたシリカ粒子である。混合物は、CMP処理において当業者が周知の他の成分からなってもよい。好ましい実施例において、第1と第2との成分は図1の貯蔵タンク120内で混合される。また好ましい実施例において、第1と第2との成分は、例えば図1中の装置130によって動的に混合される。更に好ましい実施例において、第1と第2との成分は混合され、均質の混合物や溶液になり、均一なCMP処理を促進する。
【0021】
第1の成分が過酸化水素からなる場合、過酸化水素の酸素と水への分解により混合物の寿命は制限される。従って、図2の方法200の選択的工程225で、第1の成分の第1の追加量が、第1の注入速度、或いはポンプ出力容量で混合物中に追加される。一例として、第1の注入速度になるために、図1中のポンプ171は第1のストローク速度と第1のストローク量で動作する。ポンプ171は図1の貯蔵タンク120中に第1の成分を追加するために使用され得る。図2の選択的工程225の際、第2の成分も混合物中に追加され得る。一例として、図1中のポンプ172は図1の貯蔵タンク120中に第2の成分を追加するために使用され得る。
【0022】
次に、図2の方法200の工程230で、混合物中の第1の成分の濃度が光学的に検出や測定される。一例として、屈折計150(図1)は工程230を高速で行うために使用され得る。好ましい実施例において、工程230は貯蔵タンク120(図1)内で第1、第2成分を動的混合しながらその場で実施される。この高速、自動、その場測定は、遅い滴定法よりも、第1の成分の濃度を正確に測定する。
【0023】
工程230は混合物の一部分の屈折率測定を含む。好ましい実施例において、混合物の一部分はCMPスラリー中の境界層からなる。一例として、境界層は第1の成分、即ち酸化剤からなる液体境界層であり、第2の成分、即ち研磨剤粒子を欠いている。この液体境界層は、例えば、研磨剤粒子のための液担体等のCMPスラリーの他の液体成分からなることもある。好ましい実施例において、液体境界層は各研磨剤粒子の周囲に位置している。この境界層の屈折率を測定するために、屈折計は、例えばプリズム151(図1)等の固体物質を介して、プリズムと貯蔵タンク120(図1)内のCMPスラリーとの間の接触面152(図1)に向けて光を照射する。屈折計は接触面152から屈折された光の角度を検出して、CMPスラリーの研磨剤粒子を囲む液体境界層の屈折率を決定する。屈折計は特定の範囲の屈折率を検出すべく構成されている。一例として、プリズム151がサファイヤからなり、第1の成分が過酸化水素からなる場合は、屈折率の範囲は約1. 333〜1. 340でよい。測定された屈折率は、混合物内の第1の成分の濃度に直接、線形に比例する。この屈折率測定は、色、膨張、曇り、固体、固体の濃度、或いは混合物の流速には影響されない。工程230で決定される濃度は続いて、混合物の第1の成分の第2の注入速度を決定するために使用される。
【0024】
次に、方法200の工程235で、混合物の流速が検出、或いは測定される。一例として、図2の工程235を実施するために、図1中の流速センサが使用される。工程235で決定された流速は続いて、混合物の第1の成分の第2の注入速度を決定するために使用される。工程230と235とは逆でもよい。
【0025】
次に、方法200の工程240で、工程230で決定された濃度と工程235で決定された流速とはファジーロジックパラメータや変数を決定するために使用される。一例として、工程230で測定された屈折率は屈折計150(図1)によって第1の信号に変換される。一例として、第1の信号は電流か電圧である。この第1の信号は続いて、少なくとも1つ、可能ならば2つのファジーロジックパラメータか変数に変換される。更に、工程235で決定された流速は流速センサ160(図1)によって第2の信号に変換される。一例として、この第2の信号は電流か電圧になる。この第1の信号は続いて、少なくとも1つ、可能ならば2つのファジーロジックパラメータか変数に変換される。ファジーロジック変数へのこれらの変換の詳細は図3,4に関して更に詳細に説明する。
【0026】
方法200の工程245において、混合物の第1の成分の第2の注入速度やポンプストローク程度を決定するためにファジーロジック変数が使用される。工程245の詳細については、図5,6を参照して更に詳細に説明する。一例として、工程230、235、240、245は30秒以内に行われる。
【0027】
次に、方法200の工程250において、第1の成分の第2の追加量が第2の注入速度で追加される。第2の注入速度は第1の注入速度とは異なる可能性が高い。一例として、図1中のポンプ171は第2の注入速度を提供すべく第2の速度で動作し得る。ポンプ171は図1の貯蔵タンク120中に第1の成分を追加するために使用され得る。図2の工程250において、第2の成分が混合物中に追加され得る。一例として、図1のポンプ172は図1の貯蔵タンク120中に第2の成分を追加するために使用され得る。
【0028】
次に、方法200の工程255において、混合物は半導体基板上の第1層に供給される。方法200の工程260において、混合物は第1層を平面化や除去すべく化学機械的に研磨するために使用される。
【0029】
図3は図2の方法200で使用されるファジーロジックグラフを示す。図3のグラフは屈折計からの第1の信号を少なくとも1つのファジーロジック変数に変換する。図3中の第1の信号は電流である。グラフのx‐軸すなわち水平軸は屈折計からの出力電流を示す。このx‐軸は約4ミリアンペア(mA)から20mAまでの範囲である。y‐軸すなわち垂直軸はファジーロジック変数のファジー度を表す。y‐軸は0から1までの範囲である。図3に示したファジーロジック変数は、低い負(Negative Low(NL))、中間の負(Negative Medium(NM))、小さい負(Negative Small(NS))、ゼロ(Zero(ZR))、小さい正(Positive Small(PS)),中間の正(Positive Medium(PM))、および、大きい正(Positive Large(PL))からなる。統計的工程制御(SPC)方法において、NSとPSとのファジーロジック変数は制御限界を示し、NMとPMとのファジーロジック変数は規格限界を示す。一例として、屈折計は屈折率を約11mAの大きさを有する電流に変換し得る。図3のグラフは、11mAの出力を2つの異なるファジーロジック変数に変換するために使用される。第1のファジーロジック変数は約0. 8のファジー度を有するNSであり、第2のファジーロジック変数は約0. 2のファジー度を有するNMである。
【0030】
図4は図2の方法200中で使用されるファジーロジックグラフを示す。図4中のこのグラフは流速センサからの第2の信号を少なくとも1つのファジーロジック変数に変換する。図4中の第2の信号は電流である。グラフのx‐軸すなわち水平軸は流速センサからの出力電流を示す。このx‐軸は約4ミリアンペア(mA)から20mAまでの範囲である。y‐軸すなわち垂直軸はファジーロジック変数のファジー度を表す。y‐軸は0から1までの範囲である。図4のファジーロジックグラフは、NL、NM、NS、ZR、PS、PM、およびPLの7つのファジーロジック変数からなる。SPC法において、NSとPSとのファジーロジック変数は制御限界を示し、NMとPMとのファジーロジック変数は規格限界を示す。一例として、流速センサは流速を、約16mAの大きさの電流に変換し得る。図4中のグラフは16mAの出力を2つのファジーロジック変数に変換するために使用される。第1のファジーロジック変数は約0. 6のファジー度を有するPSであり、第2のファジー変数ロジックは約0. 4のファジー度を有するPMである。
【0031】
図5は図2の方法200中で使用されるファジーロジック表である。図5の表は図3,4からのファジーロジック変数を他のファジーロジック変数に変換する。図5の表は図3の7つのファジーロジック変数を表現する7つの列からなり、図5の表は図4の7つのファジーロジック変数を表す7つの行も有する。図3で決定された2つのファジーロジック変数はNSとNMであり、図4で決定された2つのファジーロジック変数はPSとPMであった。図5の表中のこれら4つのファジーロジック変数の交点は4つの別のファジーロジック変数を作り出す。例えば、NM列とPM行との交点はPMのファジーロジック変数を作り出す。更に、NS列とPM行との交点はファジーロジック変数PMを作り出し、NS列とPS行との交点はファジーロジック変数PSを作り出す。従って、4つの得られたファジーロジック変数はPM、PM、PM、およびPSである。これら4つのファジーロジック変数は、約75%のPMと25%のPSとの合成ファジーロジック変数を作り出すべく平均化される。
【0032】
図6は図2の方法200で使用される別のファジーロジックグラフを示す。図6中のグラフは図5の合成ファジーロジック変数を、混合物の第1の成分の第2の注入速度に変換する。図6のグラフのx‐軸、すなわち水平軸は第2の注入速度を制御するポンプの入力電流を表す。x‐軸は約4mAから20mAの範囲である。y‐軸、すなわち垂直軸は合成ファジーロジック変数のファジー度を表す。y‐軸は0から1の範囲である。図6のグラフはNL、NM、NS、ZR、PS、PM、およびPLの7つのファジーロジック変数からなる。図5からの例を続けると、75%PMと25%PSとの合成ファジーロジック変数は図6において約15. 5mAの電流を作り出す。この電流は第1の成分のポンプに供給される。一例として、15. 5mAは、混合物の第1の成分の第2の注入速度を確立するために図1中のポンプ171に供給される。
【0033】
従って、半導体部品を製造するための進歩した方法とそのための化学機械研磨システムとは、従来技術の問題点を克服するために提供された。30秒の光検出サイクルは従来技術の15分の滴定サイクルよりもずっと速く、かつ正確である。光検出はインラインで非侵襲的である。オフラインのサンプリングは必要がなく、試薬も要らない。従って、ここで述べたCMPのシステムや方法を使用するための最小の訓練が必要になる。更に、光システムは従来の滴定システムよりも約3万〜7万ドル安価である。従ってこの方法とシステムとは費用効果が良い。更に、ファジーロジック制御システムは、目標を超えず、目標の周囲を迷うことなく、速くて正確な応答を提供する。
【0034】
本発明を具体的な実施例を参照して説明したが、本発明の精神や範囲から逸脱せずに多種の変化がなされ得ることを当業者は理解するであろう。例えば、混合物の組成等のここで開示された多くの具体例は本発明の理解を容易にするために提供されたものであり、本発明の範囲の限定を意図するものではない。更に、混合物、即ちCMPスラリーの成分は研磨や平坦化される材料によって変化され得る。更に、ファジーロジックは、ポンプストローク速度の代わりに或いは加えて、ポンプストローク量を調整するために使用され得る。更に、ここで述べた方法はCMP法に限定されず、例えば、溶質の屈折率が溶媒の屈折率とは異なり、溶媒中の溶質濃度によって屈折率が大きく変化するような半導体ウエハの洗浄等の、他の方法にも使用され得る。従って、本発明の実施例の開示は本発明の範囲を説明することを意図し、限定を意図していない。本発明の範囲は添付の請求項によって要求される範囲にのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に基く、CMPシステムのための部分断面図
【図2】本発明の実施例に基く、半導体部品の製造方法のフローチャート。
【図3】本発明の実施例に基く、図2の方法のファジーロジックグラフ。
【図4】本発明の実施例に基く、図2の方法のファジーロジックグラフ。
【図5】本発明の実施例に基く、図2の方法のファジーロジック表。
【図6】本発明の実施例に基く、図2の方法の他のファジーロジックグラフ。
Claims (4)
- 化学機械研磨(CMP)システムであって、
第1の入力ポート、CMPスラリー出力ポート、およびCMPスラリー検知ポートを有する容器であって、少なくとも第1の成分を含むCMPスラリーを貯蔵するように構成された前記容器と、
前記CMPスラリー検知ポートの近傍の屈折計であって、前記CMPスラリーの一部分の屈折率を測定し、測定された屈折率を第1の信号に変換するように構成された前記屈折計と、
前記CMPスラリー出力ポートに接続された流速センサであって、CMPスラリー出力ポートを流れるCMPスラリーの流速を測定し、測定された流速を第2の信号に変換するように構成された前記流速センサと、
前記第1の入力ポートに接続されたポンプであって、前記第1の入力ポートを介して容器に注入される第1の成分の注入速度を前記第1の信号及び第2の信号に基づいて調整するように構成された前記ポンプと
を備えるCMPシステム。 - 前記容器はCMPスラリーの満杯レベルを有し、
前記屈折計の第1の部分は容器の外側に位置しており、
前記屈折計の第2の部分は容器の内側に位置しており、
前記CMPスラリー検知ポートは容器のCMPスラリーの満杯レベルの下で、第1の入力ポートの上で、CMPスラリー出力ポートの下、に位置している、請求項1に記載のCMPシステム。 - 前記容器が内部壁を備え、それによってタンクを形成し、前記屈折計が、該内部壁からタンク内へCMPスラリー検知ポートを介して伸びている、請求項1に記載のCMPシステム。
- 前記CMPシステムは、さらに、前記容器中の混合装置を備え、
前記容器は第2の入力ポートを有し、前記CMPスラリー検知ポートは、第1の入力ポートの上で、第2の入力ポートの上で、混合装置の上で、CMPスラリー出力ポートの下、に位置している、請求項1に記載のCMPシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/574,969 | 2000-05-19 | ||
US09/574,969 US6267641B1 (en) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor |
PCT/US2001/011143 WO2001089767A2 (en) | 2000-05-19 | 2001-04-06 | A chemical-mechanical polishing system for the manufacture of semiconductor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004515905A JP2004515905A (ja) | 2004-05-27 |
JP2004515905A5 JP2004515905A5 (ja) | 2008-06-19 |
JP4869536B2 true JP4869536B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=24298369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001585993A Expired - Fee Related JP4869536B2 (ja) | 2000-05-19 | 2001-04-06 | 半導体製造のための化学機械的研磨システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6267641B1 (ja) |
EP (1) | EP1286808A2 (ja) |
JP (1) | JP4869536B2 (ja) |
KR (1) | KR100777147B1 (ja) |
CN (1) | CN100402236C (ja) |
AU (1) | AU2001253180A1 (ja) |
TW (1) | TW504764B (ja) |
WO (1) | WO2001089767A2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7905653B2 (en) * | 2001-07-31 | 2011-03-15 | Mega Fluid Systems, Inc. | Method and apparatus for blending process materials |
CN101274230A (zh) * | 2000-07-31 | 2008-10-01 | 迅捷公司 | 用来混合加工材料的方法和装置 |
US20040166584A1 (en) * | 2000-12-21 | 2004-08-26 | Ashutosh Misra | Method and apparatus for monitoring of a chemical characteristic of a process chemical |
TW539594B (en) * | 2001-05-17 | 2003-07-01 | Macronix Int Co Ltd | Oxidant concentration monitoring system in chemical mechanical polishing process |
US6709311B2 (en) | 2001-08-13 | 2004-03-23 | Particle Measuring Systems, Inc. | Spectroscopic measurement of the chemical constituents of a CMP slurry |
US6736926B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Inline monitoring of pad loading for CuCMP and developing an endpoint technique for cleaning |
US6464562B1 (en) * | 2001-12-19 | 2002-10-15 | Winbond Electronics Corporation | System and method for in-situ monitoring slurry flow rate during a chemical mechanical polishing process |
DE20205819U1 (de) | 2002-04-12 | 2003-08-21 | Kinetics Germany GmbH, 63863 Eschau | Vorrichtung zur Bereitstellung von hochreinen Prozesschemikalien |
US7344298B2 (en) * | 2002-07-19 | 2008-03-18 | Celerity, Inc. | Method and apparatus for blending process materials |
US7317533B2 (en) * | 2005-01-14 | 2008-01-08 | Jetalon Solutions, Inc. | Metal ion concentration analysis for liquids |
US7319523B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-01-15 | Jetalon Solutions, Inc. | Apparatus for a liquid chemical concentration analysis system |
US8602640B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-12-10 | Entegris—Jetalon Solutions, Inc. | Sensing system and method |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
KR102295988B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
CN106442408A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-02-22 | 上海胤飞自动化科技有限公司 | 化学机械研磨液自动配制控制系统 |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
CN114193328A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 中国科学院微电子研究所 | 研磨剂容器及研磨剂供应方法 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05269462A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-19 | Showa Alum Corp | 研削排液の回収再生方法 |
JPH07100738A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-18 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の鏡面研磨方法 |
JPH09148286A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Motorola Inc | 化学機械研磨のためスラリをダイナミックに混合する装置および方法 |
US6048256A (en) * | 1999-04-06 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for continuous delivery and conditioning of a polishing slurry |
JP2000117635A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨システム |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5445996A (en) | 1992-05-26 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer |
US5597595A (en) | 1995-04-07 | 1997-01-28 | Abbott Laboratories | Low pH beverage fortified with calcium and vitamin D |
US5905571A (en) | 1995-08-30 | 1999-05-18 | Sandia Corporation | Optical apparatus for forming correlation spectrometers and optical processors |
US5664990A (en) | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
US5846398A (en) * | 1996-08-23 | 1998-12-08 | Sematech, Inc. | CMP slurry measurement and control technique |
US5939831A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
US5911619A (en) | 1997-03-26 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus for electrochemical mechanical planarization |
JPH1110540A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-19 | Speedfam Co Ltd | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
US5922606A (en) | 1997-09-16 | 1999-07-13 | Nalco Chemical Company | Fluorometric method for increasing the efficiency of the rinsing and water recovery process in the manufacture of semiconductor chips |
JPH10223599A (ja) * | 1998-03-12 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 浸漬式基板処理装置 |
JPH11277434A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-12 | Speedfam Co Ltd | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
JP2000071172A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Nec Corp | 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法 |
JP2000260736A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Rohm Co Ltd | 電子デバイスの製造方法および化学的機械的研磨装置 |
-
2000
- 2000-05-19 US US09/574,969 patent/US6267641B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-06 KR KR1020027015502A patent/KR100777147B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-04-06 CN CNB018114202A patent/CN100402236C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-06 AU AU2001253180A patent/AU2001253180A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-06 JP JP2001585993A patent/JP4869536B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-06 WO PCT/US2001/011143 patent/WO2001089767A2/en active Application Filing
- 2001-04-06 EP EP01926659A patent/EP1286808A2/en not_active Withdrawn
- 2001-04-27 TW TW090110067A patent/TW504764B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05269462A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-19 | Showa Alum Corp | 研削排液の回収再生方法 |
JPH07100738A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-18 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の鏡面研磨方法 |
JPH09148286A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Motorola Inc | 化学機械研磨のためスラリをダイナミックに混合する装置および方法 |
JP2000117635A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨システム |
US6048256A (en) * | 1999-04-06 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for continuous delivery and conditioning of a polishing slurry |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100777147B1 (ko) | 2007-11-19 |
US6267641B1 (en) | 2001-07-31 |
TW504764B (en) | 2002-10-01 |
CN1438932A (zh) | 2003-08-27 |
WO2001089767A2 (en) | 2001-11-29 |
WO2001089767A3 (en) | 2002-07-25 |
CN100402236C (zh) | 2008-07-16 |
KR20020097287A (ko) | 2002-12-31 |
AU2001253180A1 (en) | 2001-12-03 |
EP1286808A2 (en) | 2003-03-05 |
JP2004515905A (ja) | 2004-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4869536B2 (ja) | 半導体製造のための化学機械的研磨システム | |
US6066030A (en) | Electroetch and chemical mechanical polishing equipment | |
KR101078007B1 (ko) | 폴리싱장치 및 폴리싱방법 | |
JP2007016320A (ja) | 導電性層を電解研磨するための電解研磨アセンブリ及び電解研磨方法 | |
KR100548750B1 (ko) | 슬러리 혼합용 전도율 귀환 제어 시스템 | |
US6257965B1 (en) | Polishing liquid supply apparatus | |
US6071818A (en) | Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material | |
Andreasen et al. | Integrating electrochemical detection with centrifugal microfluidics for real-time and fully automated sample testing | |
KR20220042189A (ko) | 가공대상물 연마 중 웨이퍼 슬립 검출의 인시츄 조절을 위한 방법 및 장치 | |
US11980998B2 (en) | Polishing device, polishing method, and recording medium for recording program for determining supply position of polishing liquid | |
CN1145204C (zh) | 稀释设备和方法 | |
US20240059549A1 (en) | Liquid supply system and liquid preparation method | |
US20050077182A1 (en) | Volume measurement apparatus and method | |
US20040035449A1 (en) | Wet cleaning facility having bubble-detecting device | |
CN109420450B (zh) | 研磨液浓度调整方法 | |
US20030114076A1 (en) | Apparatus for chemical mechanical polishing | |
US6478659B2 (en) | Chemical mechanical polishing method for slurry free fixed abrasive pads | |
JP2000230894A (ja) | 比重測定装置 | |
JP2006062047A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
US20020094579A1 (en) | Methods of determining concentration of a component of a slurry | |
JPH11281461A (ja) | 液体秤量装置、液体秤量方法および基板処理装置 | |
Hinze et al. | Point of Use Quality Control of CMP Slurries | |
CN115155410A (zh) | 一种抛光液存储及混合装置 | |
JP2006319194A (ja) | 処理液製造装置 | |
KR200177067Y1 (ko) | 반도체소자 제조를 위한 습식 식각 공정용 케미컬 정량 탱크의 케미컬 정량조절장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080404 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110706 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110729 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |