JPH1110540A - Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 - Google Patents
Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法Info
- Publication number
- JPH1110540A JPH1110540A JP18307397A JP18307397A JPH1110540A JP H1110540 A JPH1110540 A JP H1110540A JP 18307397 A JP18307397 A JP 18307397A JP 18307397 A JP18307397 A JP 18307397A JP H1110540 A JPH1110540 A JP H1110540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry
- cmp apparatus
- value
- colloidal
- adjusting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 213
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 38
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 21
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 6
- -1 silica Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 43
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用されたスラリを元の特性に戻して再使用
することができるようにして、研磨作業コストの低減化
を図ったCMP装置のスラリリサイクルシステム及びそ
の方法を提供する。 【解決手段】 CMP装置1で使用され貯留槽121に
貯留されたスラリSをフィルタ4で瀘過することで、粒
径の大きな異物を除去する。そして、スラリS中に生じ
たイオンをイオン除去器5aで除去した後、PH調整器
5bでスラリSのPHを初期のPH値に復元する。そし
て、濃度調整タンク6において、スラリSの砥粒濃度を
初期値に復元した後、フィルタ7において、スラリS中
に残存する粒径の小さな異物を除去して、スラリ供給装
置300にフィードバックする。
することができるようにして、研磨作業コストの低減化
を図ったCMP装置のスラリリサイクルシステム及びそ
の方法を提供する。 【解決手段】 CMP装置1で使用され貯留槽121に
貯留されたスラリSをフィルタ4で瀘過することで、粒
径の大きな異物を除去する。そして、スラリS中に生じ
たイオンをイオン除去器5aで除去した後、PH調整器
5bでスラリSのPHを初期のPH値に復元する。そし
て、濃度調整タンク6において、スラリSの砥粒濃度を
初期値に復元した後、フィルタ7において、スラリS中
に残存する粒径の小さな異物を除去して、スラリ供給装
置300にフィードバックする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、CMP(Chemic
al Mechanical Polishing)装置の被研磨物であるウエハ
を研磨する際に使用されたスラリをリサイクルするため
のCMP装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
に関するものである。
al Mechanical Polishing)装置の被研磨物であるウエハ
を研磨する際に使用されたスラリをリサイクルするため
のCMP装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、CMP装置の構成を示す概略図
である。図4に示すように、CMP装置は、研磨パッド
101が表面に貼り付けられた定盤100と、ウエハW
を保持するキャリア200とを具備している。これによ
り、ウエハWをキャリア200によって研磨パッド10
1上に押圧した状態で、定盤100とキャリア200と
を回転させると共に、スラリ供給装置300からのスラ
リSを研磨パッド101上に供給し続けることで、ウエ
ハWの研磨精度と研磨レートとの向上を図っている。
である。図4に示すように、CMP装置は、研磨パッド
101が表面に貼り付けられた定盤100と、ウエハW
を保持するキャリア200とを具備している。これによ
り、ウエハWをキャリア200によって研磨パッド10
1上に押圧した状態で、定盤100とキャリア200と
を回転させると共に、スラリ供給装置300からのスラ
リSを研磨パッド101上に供給し続けることで、ウエ
ハWの研磨精度と研磨レートとの向上を図っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウエハ
Wの研磨に寄与するスラリSには、例えば、ウエハWの
層間絶縁膜研磨用の煙霧状シリカによるスラリや金属膜
研磨用のアルミナによるスラリがある。前者は、所定濃
度のシリカを純水中に均一に分散し且つそのPHを11
程度に保持したアルカリ性のスラリであり、後者は、金
属酸化用の酸化剤を純水に溶かし、そのPHを2〜4程
度に保持した酸性のスラリである。このようなスラリ
は、ウエハWの層間絶縁膜を研磨するか又は金属膜を研
磨するかによって選択されるが、いずれによせ、シリカ
等の砥粒の濃度やPHが所定値を維持することで、所期
の研磨レートを達成し得るものである。しかし、CMP
装置の研磨に寄与したスラリSでは、研磨中に生じた珪
酸イオンが溶け込み、PHが変化している。また、研磨
後において砥粒の濃度も変化しており、再度使用するこ
とができない。特に、研磨後のスラリS中には、研磨パ
ッド101の研磨クズやドレッシングクズなど大小の異
物が混入しており、そのまま使用するとウエハWにスク
ラッチを発生させ、ウエハWが使い物にならなくなる。
そこで、従来は、図4に示すように、定盤100の周り
に廃液受110を配置し、定盤100の遠心力で排出し
たスラリSをこの廃液受110で受けて、廃液槽120
に溜めた後、全て破棄していた。しかしながら、ウエハ
Wの研磨に寄与するスラリSは、供給される全スラリS
のたった5%程度に過ぎない。したがって、研磨に寄与
したスラリSが混ざらなかったなら再使用することがで
きたであろう残りの95%の多量のスラリSが破棄され
ており、スラリSの非常に無駄な浪費が行われていた。
Wの研磨に寄与するスラリSには、例えば、ウエハWの
層間絶縁膜研磨用の煙霧状シリカによるスラリや金属膜
研磨用のアルミナによるスラリがある。前者は、所定濃
度のシリカを純水中に均一に分散し且つそのPHを11
程度に保持したアルカリ性のスラリであり、後者は、金
属酸化用の酸化剤を純水に溶かし、そのPHを2〜4程
度に保持した酸性のスラリである。このようなスラリ
は、ウエハWの層間絶縁膜を研磨するか又は金属膜を研
磨するかによって選択されるが、いずれによせ、シリカ
等の砥粒の濃度やPHが所定値を維持することで、所期
の研磨レートを達成し得るものである。しかし、CMP
装置の研磨に寄与したスラリSでは、研磨中に生じた珪
酸イオンが溶け込み、PHが変化している。また、研磨
後において砥粒の濃度も変化しており、再度使用するこ
とができない。特に、研磨後のスラリS中には、研磨パ
ッド101の研磨クズやドレッシングクズなど大小の異
物が混入しており、そのまま使用するとウエハWにスク
ラッチを発生させ、ウエハWが使い物にならなくなる。
そこで、従来は、図4に示すように、定盤100の周り
に廃液受110を配置し、定盤100の遠心力で排出し
たスラリSをこの廃液受110で受けて、廃液槽120
に溜めた後、全て破棄していた。しかしながら、ウエハ
Wの研磨に寄与するスラリSは、供給される全スラリS
のたった5%程度に過ぎない。したがって、研磨に寄与
したスラリSが混ざらなかったなら再使用することがで
きたであろう残りの95%の多量のスラリSが破棄され
ており、スラリSの非常に無駄な浪費が行われていた。
【0004】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、使用されたスラリを元の特性に戻して
再使用することができるようにして、研磨作業コストの
低減化を図ったCMP装置のスラリリサイクルシステム
及びその方法を提供することを目的とするものである。
なされたもので、使用されたスラリを元の特性に戻して
再使用することができるようにして、研磨作業コストの
低減化を図ったCMP装置のスラリリサイクルシステム
及びその方法を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明に係るCMP装置のスラリリサイクルシス
テムは、CMP装置で使用されたスラリを流通させる流
路手段中に、スラリ中に混入している粒径10ミクロン
未満の異物を濾過する第1の濾過手段を設け、流路中で
あって第1の濾過手段の前段に、第1の濾過手段から離
して配され且つスラリ中に混入した粒径10ミクロン以
上の異物を濾過する第2の濾過手段,スラリの砥粒の濃
度をほぼ使用前の値になるように調整する濃度調整手
段,及びスラリのPHをほぼ使用前のPH値にするよう
に調整するPH調整手段のうち少なくとも一の手段を配
設した構成とした。また、上記CMP装置のスラリリサ
イクルシステムにおいて、PH調整手段は、スラリのP
Hが使用前のPH値よりも低い場合にアルカリ性剤をス
ラリに加え、また高い場合に酸性剤をスラリに加えて、
PH値を調整するPH調整器を具備する構成とした。ま
た、上記CMP装置のスラリリサイクルシステムにおい
て、PH調整手段は、PH調整器の前段に、使用中にス
ラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備する
構成とした。また、上記CMP装置のスラリリサイクル
システムにおいて、スラリは、シリカ,アルミナ,ジル
コニア,セリア,及びチタニアなどの金属酸化物の煙霧
状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分散さ
せたスラリ、または、シリカ,アルミナ,ジルコニア,
及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金
属塩溶液から作られるコロイダルシリカ,コロイダルア
ルミナ,コロイダルジルコニア,コロイダルセリア,及
びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、または、ア
ルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マンガンなどの
金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散させたス
ラリのいずれかである構成とした。
に、この発明に係るCMP装置のスラリリサイクルシス
テムは、CMP装置で使用されたスラリを流通させる流
路手段中に、スラリ中に混入している粒径10ミクロン
未満の異物を濾過する第1の濾過手段を設け、流路中で
あって第1の濾過手段の前段に、第1の濾過手段から離
して配され且つスラリ中に混入した粒径10ミクロン以
上の異物を濾過する第2の濾過手段,スラリの砥粒の濃
度をほぼ使用前の値になるように調整する濃度調整手
段,及びスラリのPHをほぼ使用前のPH値にするよう
に調整するPH調整手段のうち少なくとも一の手段を配
設した構成とした。また、上記CMP装置のスラリリサ
イクルシステムにおいて、PH調整手段は、スラリのP
Hが使用前のPH値よりも低い場合にアルカリ性剤をス
ラリに加え、また高い場合に酸性剤をスラリに加えて、
PH値を調整するPH調整器を具備する構成とした。ま
た、上記CMP装置のスラリリサイクルシステムにおい
て、PH調整手段は、PH調整器の前段に、使用中にス
ラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備する
構成とした。また、上記CMP装置のスラリリサイクル
システムにおいて、スラリは、シリカ,アルミナ,ジル
コニア,セリア,及びチタニアなどの金属酸化物の煙霧
状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分散さ
せたスラリ、または、シリカ,アルミナ,ジルコニア,
及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金
属塩溶液から作られるコロイダルシリカ,コロイダルア
ルミナ,コロイダルジルコニア,コロイダルセリア,及
びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、または、ア
ルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マンガンなどの
金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散させたス
ラリのいずれかである構成とした。
【0006】この発明に係るCMP装置のスラリリサイ
クル方法は、CMP装置で使用されたスラリ中に混入し
ている粒径10ミクロン未満の異物を濾過する第1の濾
過工程を設け、第1の濾過工程の前工程として、スラリ
中に混入した粒径10ミクロン以上の異物を濾過する第
2の濾過工程,スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値に
なるように調整する濃度調整工程,及びスラリのPHを
ほぼ使用前のPH値にするように調整するPH調整工程
のうち少なくとも一の工程を設けた構成としてある。ま
た、上記CMP装置のスラリリサイクル方法において、
PH調整工程は、スラリのPHが使用前のPH値よりも
低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い場合
に酸性剤をスラリに加えて、PH値を調整するものであ
る構成とした。また、CMP装置のスラリリサイクル方
法において、PH調整工程は、使用中にスラリに生じた
イオンを除去した後、スラリのPHが使用前のPH値よ
りも低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い
場合に酸性剤をスラリに加えて、PH値を調整するもの
である構成とした。さらに、上記CMP装置のスラリリ
サイクル方法において、スラリは、シリカ,アルミナ,
ジルコニア,セリア,及びチタニアなどの金属酸化物の
煙霧状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分
散させたスラリ、または、シリカ,アルミナ,ジルコニ
ア,及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有
機金属塩溶液から作られるコロイダルシリカ,コロイダ
ルアルミナ,コロイダルジルコニア,コロイダルセリ
ア,及びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、また
は、アルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マンガン
などの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散さ
せたスラリのいずれかである構成とした。
クル方法は、CMP装置で使用されたスラリ中に混入し
ている粒径10ミクロン未満の異物を濾過する第1の濾
過工程を設け、第1の濾過工程の前工程として、スラリ
中に混入した粒径10ミクロン以上の異物を濾過する第
2の濾過工程,スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値に
なるように調整する濃度調整工程,及びスラリのPHを
ほぼ使用前のPH値にするように調整するPH調整工程
のうち少なくとも一の工程を設けた構成としてある。ま
た、上記CMP装置のスラリリサイクル方法において、
PH調整工程は、スラリのPHが使用前のPH値よりも
低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い場合
に酸性剤をスラリに加えて、PH値を調整するものであ
る構成とした。また、CMP装置のスラリリサイクル方
法において、PH調整工程は、使用中にスラリに生じた
イオンを除去した後、スラリのPHが使用前のPH値よ
りも低い場合にアルカリ性剤をスラリに加え、また高い
場合に酸性剤をスラリに加えて、PH値を調整するもの
である構成とした。さらに、上記CMP装置のスラリリ
サイクル方法において、スラリは、シリカ,アルミナ,
ジルコニア,セリア,及びチタニアなどの金属酸化物の
煙霧状微粒子粉末を水または有機溶媒にコロイド状に分
散させたスラリ、または、シリカ,アルミナ,ジルコニ
ア,及びセリアなどを生成可能な無機金属塩水溶液や有
機金属塩溶液から作られるコロイダルシリカ,コロイダ
ルアルミナ,コロイダルジルコニア,コロイダルセリ
ア,及びコロイダルチタニアなどからなるスラリ、また
は、アルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マンガン
などの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分散さ
せたスラリのいずれかである構成とした。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 (第1の実施形態)図1は、この発明の第1の実施形態
に係るCMP装置のスラリリサイクルシステムを一台の
CMP装置に適用した例を示す概略図である。なお、図
4に示した要素と同一要素については同一符号を付して
説明する。図1において、符号1はCMP装置であり、
符号2がリサイクルシステムである。
いて図面を参照して説明する。 (第1の実施形態)図1は、この発明の第1の実施形態
に係るCMP装置のスラリリサイクルシステムを一台の
CMP装置に適用した例を示す概略図である。なお、図
4に示した要素と同一要素については同一符号を付して
説明する。図1において、符号1はCMP装置であり、
符号2がリサイクルシステムである。
【0008】CMP装置1は、図4に示したCMP装置
であるが、廃液受110と連通したパイプ111の出口
に三方コックバルブ112が取り付けられ、このバルブ
112を調整することで、使用済みスラリSを貯留槽1
21に溜めたり、定盤100洗浄後のほとんど水からな
るスラリSを廃液槽120に破棄することができるよう
になっている。ここでは、理解を容易にするため、CM
P装置1で使用されるスラリSをフュームドシリカ系ス
ラリとする。すなわち、苛性カリ(KOH)又はアンモ
ニア(NH3)を溶かしてPHを11程度にしたアルカリ
性溶液中に、煙霧状SiO2砥粒(シリカ)を所定濃度
でコロイダル状にしたスラリS(又は、水にSiO2砥
粒をコロイダル状にし、後から苛性カリ又はアンモニア
を加えてPHを11程度にしたスラリS)を、スラリ供
給装置300のノズル301から研磨パッド101が貼
り付けられた定盤100上に供給しながら、ウエハWを
保持したキャリア200と定盤100とを回転させて、
ウエハWを研磨する。そして、廃液受110に排出され
かつパイプ111を通るスラリSをバルブ112を介し
て貯留槽121に溜めるようにした。なお、水中にこれ
ら金属酸化物粉末を分散してスラリ化する際に、事前に
又は後から酸やアルカリを加えてPH調整することもで
きる。
であるが、廃液受110と連通したパイプ111の出口
に三方コックバルブ112が取り付けられ、このバルブ
112を調整することで、使用済みスラリSを貯留槽1
21に溜めたり、定盤100洗浄後のほとんど水からな
るスラリSを廃液槽120に破棄することができるよう
になっている。ここでは、理解を容易にするため、CM
P装置1で使用されるスラリSをフュームドシリカ系ス
ラリとする。すなわち、苛性カリ(KOH)又はアンモ
ニア(NH3)を溶かしてPHを11程度にしたアルカリ
性溶液中に、煙霧状SiO2砥粒(シリカ)を所定濃度
でコロイダル状にしたスラリS(又は、水にSiO2砥
粒をコロイダル状にし、後から苛性カリ又はアンモニア
を加えてPHを11程度にしたスラリS)を、スラリ供
給装置300のノズル301から研磨パッド101が貼
り付けられた定盤100上に供給しながら、ウエハWを
保持したキャリア200と定盤100とを回転させて、
ウエハWを研磨する。そして、廃液受110に排出され
かつパイプ111を通るスラリSをバルブ112を介し
て貯留槽121に溜めるようにした。なお、水中にこれ
ら金属酸化物粉末を分散してスラリ化する際に、事前に
又は後から酸やアルカリを加えてPH調整することもで
きる。
【0009】リサイクルシステム2は、このように貯留
槽121に溜められたスラリSをCMP装置1で再使用
することができるようにする技術であり、図示省略の流
路手段と流路手段中に順次配された第2の濾過手段とし
てのフィルタ4とPH調整手段としてのイオン除去器5
a及びPH調整器5bと濃度調整手段としての濃度調整
タンク6と第1の濾過手段としてのフィルタ7とで構成
されている。
槽121に溜められたスラリSをCMP装置1で再使用
することができるようにする技術であり、図示省略の流
路手段と流路手段中に順次配された第2の濾過手段とし
てのフィルタ4とPH調整手段としてのイオン除去器5
a及びPH調整器5bと濃度調整手段としての濃度調整
タンク6と第1の濾過手段としてのフィルタ7とで構成
されている。
【0010】流路手段は、ポンプ3によって汲み出され
た貯留槽121内のスラリSを図示しない別のポンプ等
を用いてフィルタ4,イオン除去器5a及びPH調整器
5b,濃度調整タンク6,フィルタ7に順次導くための
ものである。
た貯留槽121内のスラリSを図示しない別のポンプ等
を用いてフィルタ4,イオン除去器5a及びPH調整器
5b,濃度調整タンク6,フィルタ7に順次導くための
ものである。
【0011】フィルタ4は、スラリS中に混入した粒径
10ミクロン以上の異物を濾過する手段分であり、具体
的には、10ミクロン〜200ミクロンの網目のメッシ
ュ41を有したカートリッジ型のフィルタである。すな
わち、貯留槽121からのスラリSをフィルタ4のメッ
シュ41を通過させることで、CMP装置1による研磨
時に混入した研磨パッド101のコンタミや研磨クズや
ドレッシングクズなどの異物及び凝集したスラリのう
ち、粒径の大きいものをメッシュ41に付着させて除去
するように有している。
10ミクロン以上の異物を濾過する手段分であり、具体
的には、10ミクロン〜200ミクロンの網目のメッシ
ュ41を有したカートリッジ型のフィルタである。すな
わち、貯留槽121からのスラリSをフィルタ4のメッ
シュ41を通過させることで、CMP装置1による研磨
時に混入した研磨パッド101のコンタミや研磨クズや
ドレッシングクズなどの異物及び凝集したスラリのう
ち、粒径の大きいものをメッシュ41に付着させて除去
するように有している。
【0012】イオン除去器5a及びPH調整器5bは、
フィルタ4で粗く濾過したスラリSのPHを使用前のP
H値即ち初期のPH値に復元する機器である。イオン除
去器5aは、フィルタ4からのスラリS内に存在する余
分なイオンを除去するカートリッジ型のイオン交換樹脂
やイオン交換膜などであり、フィルタ4の排水側に取り
付けられている。すなわち、CMP装置1で研磨される
ウエハWがシリコンウエハ等の場合には、研磨中に珪酸
イオン等がウエハWからスラリS内に溶けて、スラリS
のPHを「11」から「9.5」や「12」などに変化
させることがある。また、余分なイオンがスラリS内に
溶け込んでいると、スラリSが凝集状態になり易い。こ
のため、イオン除去器5aで余分なイオンをスラリSか
ら除去して、PHを「11」程度に近付けるようにする
と共にスラリSのコロイド状態を保持するようにする。
PH調整器5bは、イオン除去器5aにおけるイオン除
去が過多であったり、不十分であった場合に、スラリS
のPHをほぼ完全に初期のPH値に戻す機器であり、タ
ンク52と攪拌器53と供給パイプ54とPHメータ5
5とを有している。すなわち、イオン除去器5aの排水
側に連結された流路手段としての図示省略の配管を通じ
て、イオン除去器5aからのスラリSがタンク52内に
貯留されるようになっている。そして、攪拌器53で攪
拌しながら酸性剤又はアルカリ性剤を供給パイプ54か
らスラリS内に供給するようになっている。具体的に
は、PHメータ55によってタンク52内のスラリSの
PHを計測し、その計測値が初期のPH値よりも低い場
合、即ち酸性側に寄っている場合には、水酸化カリウ
ム,アンモニア,アミン系物質,四級アンモニウム水酸
化物等のアルカリ性剤を供給パイプ54からスラリSに
加える。逆に、上記計測値が初期のPH値よりも高い場
合、即ちアルカリ性側に寄っている場合には、塩酸,硝
酸,過酸化水素水等の酸性剤をスラリSに加える。そし
て、PHメータ55の計測値がほぼ「11」に至ったと
ころで、酸性剤等の供給を止め、タンク52内のスラリ
Sを図示省略のポンプなどで濃度調整タンク6側に送る
ようになっている。
フィルタ4で粗く濾過したスラリSのPHを使用前のP
H値即ち初期のPH値に復元する機器である。イオン除
去器5aは、フィルタ4からのスラリS内に存在する余
分なイオンを除去するカートリッジ型のイオン交換樹脂
やイオン交換膜などであり、フィルタ4の排水側に取り
付けられている。すなわち、CMP装置1で研磨される
ウエハWがシリコンウエハ等の場合には、研磨中に珪酸
イオン等がウエハWからスラリS内に溶けて、スラリS
のPHを「11」から「9.5」や「12」などに変化
させることがある。また、余分なイオンがスラリS内に
溶け込んでいると、スラリSが凝集状態になり易い。こ
のため、イオン除去器5aで余分なイオンをスラリSか
ら除去して、PHを「11」程度に近付けるようにする
と共にスラリSのコロイド状態を保持するようにする。
PH調整器5bは、イオン除去器5aにおけるイオン除
去が過多であったり、不十分であった場合に、スラリS
のPHをほぼ完全に初期のPH値に戻す機器であり、タ
ンク52と攪拌器53と供給パイプ54とPHメータ5
5とを有している。すなわち、イオン除去器5aの排水
側に連結された流路手段としての図示省略の配管を通じ
て、イオン除去器5aからのスラリSがタンク52内に
貯留されるようになっている。そして、攪拌器53で攪
拌しながら酸性剤又はアルカリ性剤を供給パイプ54か
らスラリS内に供給するようになっている。具体的に
は、PHメータ55によってタンク52内のスラリSの
PHを計測し、その計測値が初期のPH値よりも低い場
合、即ち酸性側に寄っている場合には、水酸化カリウ
ム,アンモニア,アミン系物質,四級アンモニウム水酸
化物等のアルカリ性剤を供給パイプ54からスラリSに
加える。逆に、上記計測値が初期のPH値よりも高い場
合、即ちアルカリ性側に寄っている場合には、塩酸,硝
酸,過酸化水素水等の酸性剤をスラリSに加える。そし
て、PHメータ55の計測値がほぼ「11」に至ったと
ころで、酸性剤等の供給を止め、タンク52内のスラリ
Sを図示省略のポンプなどで濃度調整タンク6側に送る
ようになっている。
【0013】濃度調整タンク6は、スラリSの砥粒であ
るシリカの濃度を初期の濃度値に復元する手段分であ
り、タンク本体60と供給パイプ61と濃度メータ62
とを有している。すなわち、スラリSのシリカ濃度は、
CMP装置1における研磨作業中のドレッシングや水洗
浄等によって減少するので、このシリカ濃度を濃度調整
タンク6で復元するようにしている。具体的には、PH
調整器5bから送られてきたスラリSをタンク本体60
に貯留し、シリカを高濃度でコロイド状にしたスラリ
S′を供給パイプ61からタンク本体60内のスラリS
に加えて、スラリSの濃度を高めていく。これと並行し
て、スラリSの濃度の変化を濃度メータ62で計測し、
その計測値が初期のスラリSのシリカ濃度値に達したと
ころで、スラリS′の供給を止め、タンク本体60内の
スラリSを図示省略のポンプでフィルタ7側に送るよう
になっている。
るシリカの濃度を初期の濃度値に復元する手段分であ
り、タンク本体60と供給パイプ61と濃度メータ62
とを有している。すなわち、スラリSのシリカ濃度は、
CMP装置1における研磨作業中のドレッシングや水洗
浄等によって減少するので、このシリカ濃度を濃度調整
タンク6で復元するようにしている。具体的には、PH
調整器5bから送られてきたスラリSをタンク本体60
に貯留し、シリカを高濃度でコロイド状にしたスラリ
S′を供給パイプ61からタンク本体60内のスラリS
に加えて、スラリSの濃度を高めていく。これと並行し
て、スラリSの濃度の変化を濃度メータ62で計測し、
その計測値が初期のスラリSのシリカ濃度値に達したと
ころで、スラリS′の供給を止め、タンク本体60内の
スラリSを図示省略のポンプでフィルタ7側に送るよう
になっている。
【0014】フィルタ7は、濃度調整タンク6から送ら
れてきたスラリSに混入している粒径10ミクロン未満
の小さな異物や多少大きめに凝集したスラリを濾過する
ものであり、具体的には、0.5ミクロン〜10ミクロ
ンの網目のメッシュ71を有したカートリッジ型のフィ
ルタである。すなわち、フィルタ4の通過時にスラリS
内に混入した大部分の異物は除去されているが、10ミ
クロン未満という小さな異物が残っていることがある。
このようなスラリSを再使用すると、ウエハWに無数の
小さなスクラッチが発生する。そこで、このフィルタ7
を用いて異物除去のほぼ完全化を図り、再使用時におけ
るウエハWのスクラッチ発生を完全に防止するのであ
る。なお、フィルタ7の構造を単なるメッシュ構造とせ
ず、深層濾過部と表層濾過部との二重構造にすることも
できる。すなわち、0.5〜10ミクロンの孔を持った
不織布,スポンジ,布,多孔質体,砂などの濾材を層状
態にして深層濾過部を形成し、この深層濾過部の後段
に、0.5〜10ミクロンの目を持つ金網,樹脂網,膜
(メンブラン),布,紙(濾紙)などの濾材で表層濾過
部を形成する。かかる構造により、深層濾過部におい
て、当初粗く濾過し、時間経過と共に細かく濾過するこ
とができる。そして、表層濾過部において、深層濾過部
を通過した異物などのうち、0.5〜10ミクロン以下
の異物などを完全に阻止することができる。上記のよう
なフィルタ7の排水側には、図示省略の流路としてパイ
プが連結されており、その排水口はスラリ供給装置30
0に連結されている。
れてきたスラリSに混入している粒径10ミクロン未満
の小さな異物や多少大きめに凝集したスラリを濾過する
ものであり、具体的には、0.5ミクロン〜10ミクロ
ンの網目のメッシュ71を有したカートリッジ型のフィ
ルタである。すなわち、フィルタ4の通過時にスラリS
内に混入した大部分の異物は除去されているが、10ミ
クロン未満という小さな異物が残っていることがある。
このようなスラリSを再使用すると、ウエハWに無数の
小さなスクラッチが発生する。そこで、このフィルタ7
を用いて異物除去のほぼ完全化を図り、再使用時におけ
るウエハWのスクラッチ発生を完全に防止するのであ
る。なお、フィルタ7の構造を単なるメッシュ構造とせ
ず、深層濾過部と表層濾過部との二重構造にすることも
できる。すなわち、0.5〜10ミクロンの孔を持った
不織布,スポンジ,布,多孔質体,砂などの濾材を層状
態にして深層濾過部を形成し、この深層濾過部の後段
に、0.5〜10ミクロンの目を持つ金網,樹脂網,膜
(メンブラン),布,紙(濾紙)などの濾材で表層濾過
部を形成する。かかる構造により、深層濾過部におい
て、当初粗く濾過し、時間経過と共に細かく濾過するこ
とができる。そして、表層濾過部において、深層濾過部
を通過した異物などのうち、0.5〜10ミクロン以下
の異物などを完全に阻止することができる。上記のよう
なフィルタ7の排水側には、図示省略の流路としてパイ
プが連結されており、その排水口はスラリ供給装置30
0に連結されている。
【0015】次に、この実施形態のリサイクルシステム
が示す動作について説明する。なお、この動作は請求項
5ないし請求項8の発明に係るリサイクル方法の各工程
を具体的に達成するものでもある。CMP装置1におい
て、シリコンウエハを研磨する際には、このウエハWが
回転するキャリア200によって回転する定盤100の
研磨パッド101上に押圧され、フュームドシリカ系ス
ラリSがスラリ供給装置300から定盤100上に供給
され続ける。これにより、ウエハWの層間絶縁膜がウエ
ハWと研磨パッド101との間に介在するスラリSによ
って平坦化及び均一化される。このとき、定盤100上
のスラリSは定盤100の遠心力によって廃液受110
内に排出され、パイプ111及びバルブ112を介して
貯留槽121に蓄えられる。
が示す動作について説明する。なお、この動作は請求項
5ないし請求項8の発明に係るリサイクル方法の各工程
を具体的に達成するものでもある。CMP装置1におい
て、シリコンウエハを研磨する際には、このウエハWが
回転するキャリア200によって回転する定盤100の
研磨パッド101上に押圧され、フュームドシリカ系ス
ラリSがスラリ供給装置300から定盤100上に供給
され続ける。これにより、ウエハWの層間絶縁膜がウエ
ハWと研磨パッド101との間に介在するスラリSによ
って平坦化及び均一化される。このとき、定盤100上
のスラリSは定盤100の遠心力によって廃液受110
内に排出され、パイプ111及びバルブ112を介して
貯留槽121に蓄えられる。
【0016】貯留槽121に蓄えられたスラリSは、ポ
ンプ3によって流路手段に供給され、まず、フィルタ4
によって、スラリS内に混入している粒径10ミクロン
以上の大きな研磨クズなどの異物が除去される(第2の
濾過工程)。しかる後、スラリSはイオン除去器5aに
通され、スラリS内に溶け込んでいる珪酸イオンなどの
イオンがイオン除去器5aによって除去されて、PH調
整器5bのタンク52に蓄えられる。このとき、イオン
がイオン除去器5aにおいてほぼ完全に除去され、PH
メータ55が示すPH値がほぼ「11」である場合に
は、タンク52内のスラリSはそのまま濃度調整タンク
6のタンク本体60に送られる。これに対して、イオン
除去器5aにおけるイオン除去が過多また不十分であ
り、PHメータ55が示すPH値が「11」から大きく
ずれている場合には、アンモニアなどのアルカリ性剤又
は塩酸等の酸性剤を供給パイプ54からタンク52内の
スラリSに加え、PHメータ55が示すPH値がほぼ
「11」になった時点で、酸性剤等の供給を止め、タン
ク52内のスラリSをタンク本体60に送る(PH調整
工程)。スラリSが濃度調整タンク6のタンク本体60
内に蓄えられると、濃度メータ62によってシリカ濃度
が測定され、表示されるので、その濃度値が初期の濃度
よりも小さくなっている場合には、濃度メータ62がほ
ぼ初期値を示すまで、高濃度のスラリS′を供給パイプ
61からタンク本体60内に加え、初期値を示した時点
で、供給パイプ61からのスラリS′の供給を止めて、
タンク本体60内のスラリSをフィルタ7に送出する
(濃度調整工程)。これにより、スラリの粘度に変化に
よる研磨レートのばらつきを防止して、安定な研磨作業
を可能にしている。そして、スラリS中に混入している
粒径10ミクロン未満の小さな異物がフィルタ7によっ
て除去され、スラリ供給装置300に送り込まれる(第
1の濾過工程)。以上のようにして、混入した異物が除
去され、PHとシリカ濃度とがほぼ初期値に復元された
スラリSがスラリ供給装置300にフィードバックさ
れ、定盤100上に再度供給されることとなる。この
際、スラリS内の異物はほぼ完全に除去されるので、こ
のスラリSを使用しても、ウエハWにスクラッチが生じ
ることはない。また、スラリSのPHや濃度がほぼ初期
値に戻されるので、ウエハWの研磨レートも使用前とほ
ぼ変化せず、安定した研磨が可能である。なお、CMP
装置1の研磨終了後は、定盤100やキャリア200に
水をかけて洗浄し、これらに付着したスラリSを廃液受
110に排出し、パイプ111とバルブ112を介して
廃液槽120に貯留した後破棄する。
ンプ3によって流路手段に供給され、まず、フィルタ4
によって、スラリS内に混入している粒径10ミクロン
以上の大きな研磨クズなどの異物が除去される(第2の
濾過工程)。しかる後、スラリSはイオン除去器5aに
通され、スラリS内に溶け込んでいる珪酸イオンなどの
イオンがイオン除去器5aによって除去されて、PH調
整器5bのタンク52に蓄えられる。このとき、イオン
がイオン除去器5aにおいてほぼ完全に除去され、PH
メータ55が示すPH値がほぼ「11」である場合に
は、タンク52内のスラリSはそのまま濃度調整タンク
6のタンク本体60に送られる。これに対して、イオン
除去器5aにおけるイオン除去が過多また不十分であ
り、PHメータ55が示すPH値が「11」から大きく
ずれている場合には、アンモニアなどのアルカリ性剤又
は塩酸等の酸性剤を供給パイプ54からタンク52内の
スラリSに加え、PHメータ55が示すPH値がほぼ
「11」になった時点で、酸性剤等の供給を止め、タン
ク52内のスラリSをタンク本体60に送る(PH調整
工程)。スラリSが濃度調整タンク6のタンク本体60
内に蓄えられると、濃度メータ62によってシリカ濃度
が測定され、表示されるので、その濃度値が初期の濃度
よりも小さくなっている場合には、濃度メータ62がほ
ぼ初期値を示すまで、高濃度のスラリS′を供給パイプ
61からタンク本体60内に加え、初期値を示した時点
で、供給パイプ61からのスラリS′の供給を止めて、
タンク本体60内のスラリSをフィルタ7に送出する
(濃度調整工程)。これにより、スラリの粘度に変化に
よる研磨レートのばらつきを防止して、安定な研磨作業
を可能にしている。そして、スラリS中に混入している
粒径10ミクロン未満の小さな異物がフィルタ7によっ
て除去され、スラリ供給装置300に送り込まれる(第
1の濾過工程)。以上のようにして、混入した異物が除
去され、PHとシリカ濃度とがほぼ初期値に復元された
スラリSがスラリ供給装置300にフィードバックさ
れ、定盤100上に再度供給されることとなる。この
際、スラリS内の異物はほぼ完全に除去されるので、こ
のスラリSを使用しても、ウエハWにスクラッチが生じ
ることはない。また、スラリSのPHや濃度がほぼ初期
値に戻されるので、ウエハWの研磨レートも使用前とほ
ぼ変化せず、安定した研磨が可能である。なお、CMP
装置1の研磨終了後は、定盤100やキャリア200に
水をかけて洗浄し、これらに付着したスラリSを廃液受
110に排出し、パイプ111とバルブ112を介して
廃液槽120に貯留した後破棄する。
【0017】このように、この実施形態のリサイクルシ
ステムによれば、使用したスラリSを破棄することなく
再使用することができるので、スラリSの無駄な浪費を
省くことができ、この結果、研磨作業コストの低減化を
図ることができる。
ステムによれば、使用したスラリSを破棄することなく
再使用することができるので、スラリSの無駄な浪費を
省くことができ、この結果、研磨作業コストの低減化を
図ることができる。
【0018】(第2の実施形態)図2は、この発明の第
2の実施形態に係るCMP装置のスラリリサイクルシス
テムを一台のCMP装置に組み込んだ例を示す概略図で
ある。なお、図1に示した要素と同一要素については同
一符号を付して説明する。このCMP装置1′には、バ
ルブ112からのスラリSをスラリ供給装置300にフ
ィードバックさせる配管がなされ、その配管の間にフィ
ルタ4,7を順次取り付けた構成となっている。これに
より、廃液受110に排出されたスラリSがバルブ11
2を介してフィルタ4,7に流れ、混入した大,小の異
物がこれらのフィルタ4,7によって除去された後、ス
ラリ供給装置300に供給され、スラリSが自動的に再
使用される。したがって、このリサイクルシステムでは
PH調整や濃度調整が行われないので、上記第1の実施
形態のリサイクルシステムに比べて再使用回数は少なく
なるが、システムの簡易化によってコストの低減化を図
ることができる。また、スラリSのリサイクルが自動的
に行われるので作業の省力化を図ることができる。その
他の構成,作用効果は上記第1の実施形態と同様である
ので、その記載は省略する。
2の実施形態に係るCMP装置のスラリリサイクルシス
テムを一台のCMP装置に組み込んだ例を示す概略図で
ある。なお、図1に示した要素と同一要素については同
一符号を付して説明する。このCMP装置1′には、バ
ルブ112からのスラリSをスラリ供給装置300にフ
ィードバックさせる配管がなされ、その配管の間にフィ
ルタ4,7を順次取り付けた構成となっている。これに
より、廃液受110に排出されたスラリSがバルブ11
2を介してフィルタ4,7に流れ、混入した大,小の異
物がこれらのフィルタ4,7によって除去された後、ス
ラリ供給装置300に供給され、スラリSが自動的に再
使用される。したがって、このリサイクルシステムでは
PH調整や濃度調整が行われないので、上記第1の実施
形態のリサイクルシステムに比べて再使用回数は少なく
なるが、システムの簡易化によってコストの低減化を図
ることができる。また、スラリSのリサイクルが自動的
に行われるので作業の省力化を図ることができる。その
他の構成,作用効果は上記第1の実施形態と同様である
ので、その記載は省略する。
【0019】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第1の実施形態では、一
台のCMP装置1について適用した例を示したが、この
リサイクルシステムは、スラリSのほぼ完全な復元を図
ることができる代わりに、システム自体がかなり大規模
になる。したがって、実際に使用する際には、図3に示
すように、1つのシステム2で多数のCMP装置1−1
〜1−nにスラリSをフィードバックするようにするこ
とが好ましい。また、多数のCMP装置1−1〜1−n
で生じた使用済みのスラリSを1つのタンクに収納し、
このタンク内のスラリSを別の場所に設置されたリサイ
クルシステムで復元した後、再度各CMP装置1−1,
〜,1−nに分配して、再使用するようにしても良い。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第1の実施形態では、一
台のCMP装置1について適用した例を示したが、この
リサイクルシステムは、スラリSのほぼ完全な復元を図
ることができる代わりに、システム自体がかなり大規模
になる。したがって、実際に使用する際には、図3に示
すように、1つのシステム2で多数のCMP装置1−1
〜1−nにスラリSをフィードバックするようにするこ
とが好ましい。また、多数のCMP装置1−1〜1−n
で生じた使用済みのスラリSを1つのタンクに収納し、
このタンク内のスラリSを別の場所に設置されたリサイ
クルシステムで復元した後、再度各CMP装置1−1,
〜,1−nに分配して、再使用するようにしても良い。
【0020】また、上記第1の実施形態ではリサイクル
するスラリSとしてウエハWの層間絶縁膜研磨用の煙霧
状シリカ系スラリを用いたが、煙霧状金属酸化物スラリ
やコロイダル状スラリや焼成粉末の微粒子を水または有
機溶媒に分散した金属酸化物からなるスラリにも同様に
してリサイクルすることができる。例えば、煙霧状アル
ミナスラリ,ジルコニアのゾル化スラリ,無機金属水溶
液から作るコロイダルシリカスラリ,コロイダルジルコ
ニアスラリなどである。
するスラリSとしてウエハWの層間絶縁膜研磨用の煙霧
状シリカ系スラリを用いたが、煙霧状金属酸化物スラリ
やコロイダル状スラリや焼成粉末の微粒子を水または有
機溶媒に分散した金属酸化物からなるスラリにも同様に
してリサイクルすることができる。例えば、煙霧状アル
ミナスラリ,ジルコニアのゾル化スラリ,無機金属水溶
液から作るコロイダルシリカスラリ,コロイダルジルコ
ニアスラリなどである。
【0021】また、上記第1の実施形態では、流路手段
にフィルタ4,イオン除去器5a及びPH調整器5b,
濃度調整タンク6,フィルタ7の順で各手段を設置した
が、これらの順序はこれに限定されるものではない。た
だし、スラリS中の異物除去を行う順序としては、まず
フィルタ4によって大きな異物を除去した後、残存する
小さな異物をフィルタ7で除去するようにして、フィル
タ7に対する負荷を可能な限り小さくすることが好まし
い。また、この発明はフィルタ4〜フィルタ7の全てを
必要とするものではない。したがって、濃度調整タンク
6とフィルタ7のみを備えたもの、PH調整器5bとフ
ィルタ7のみを備えたもの、PH調整器5bと濃度調整
タンク6とフィルタ7とのみを備えたものも含まれる。
ここで、フィルタ4とフィルタ7とに付加するもの優先
順位は、濃度調整タンク6,PH調整器5bであると考
える。
にフィルタ4,イオン除去器5a及びPH調整器5b,
濃度調整タンク6,フィルタ7の順で各手段を設置した
が、これらの順序はこれに限定されるものではない。た
だし、スラリS中の異物除去を行う順序としては、まず
フィルタ4によって大きな異物を除去した後、残存する
小さな異物をフィルタ7で除去するようにして、フィル
タ7に対する負荷を可能な限り小さくすることが好まし
い。また、この発明はフィルタ4〜フィルタ7の全てを
必要とするものではない。したがって、濃度調整タンク
6とフィルタ7のみを備えたもの、PH調整器5bとフ
ィルタ7のみを備えたもの、PH調整器5bと濃度調整
タンク6とフィルタ7とのみを備えたものも含まれる。
ここで、フィルタ4とフィルタ7とに付加するもの優先
順位は、濃度調整タンク6,PH調整器5bであると考
える。
【0022】また、第1及び第2の濾過手段としてフィ
ルタ4,7を用いたが、これに限らず、粒径10ミクロ
ン以上及び10ミクロン未満の異物を各々除去可能な全
ての周知技術を適用することができる。また、PH調整
手段として、イオン除去器5aやPH調整器5bを用い
たが、スラリSのPHを調整可能な全ての周知技術を適
用することができる。さらに、濃度調整手段としてタン
ク本体60や供給パイプ61を有した機器を用いたが、
スラリSの砥粒濃度を調整可能な全ての周知技術を適用
することができることは勿論である。例えば、PH調整
器5bからのスラリSを半透膜を備えたセラミックフィ
ルタや樹脂フィルタに通し、これらでスラリSを濃縮す
るようにしても良い。
ルタ4,7を用いたが、これに限らず、粒径10ミクロ
ン以上及び10ミクロン未満の異物を各々除去可能な全
ての周知技術を適用することができる。また、PH調整
手段として、イオン除去器5aやPH調整器5bを用い
たが、スラリSのPHを調整可能な全ての周知技術を適
用することができる。さらに、濃度調整手段としてタン
ク本体60や供給パイプ61を有した機器を用いたが、
スラリSの砥粒濃度を調整可能な全ての周知技術を適用
することができることは勿論である。例えば、PH調整
器5bからのスラリSを半透膜を備えたセラミックフィ
ルタや樹脂フィルタに通し、これらでスラリSを濃縮す
るようにしても良い。
【0023】また、上記第2の実施形態では、2つのフ
ィルタ4,7のみを設けたが、これらのフィルタの間
に、セラミックフィルタなどで構成された濃度調整手段
やイオン除去器5aなどを設けた構造とすることもでき
る。
ィルタ4,7のみを設けたが、これらのフィルタの間
に、セラミックフィルタなどで構成された濃度調整手段
やイオン除去器5aなどを設けた構造とすることもでき
る。
【0024】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、第2の濾過手段を設けることで、研磨クズなど
の異物を濾過して、スラリの再使用時におけるスクラッ
チ発生を防止することができるので、同一スラリを複数
回再使用することができ、この結果、研磨作業コストの
低減化を図ることができるという効果がある。また、濃
度調整手段を設けることで、スラリの砥粒濃度をほぼ使
用前の濃度に戻すことができるので、スクラッチ発生を
防止することができるだけでなく、スラリの研磨特性を
ほぼ使用前の特性に戻すことができる。この結果、同一
スラリの再使用回数を高めることができ、研磨作業コス
トのさらなる低減化を図ることができる。さらに、PH
調整手段を設ければ、異物の除去及び濃度の復元だけで
なく、PHもほぼ使用前のPH値に復元することができ
るので、このスラリを再使用することで、新しいスラリ
とほぼ同様の研磨レートを達成することができる。
よれば、第2の濾過手段を設けることで、研磨クズなど
の異物を濾過して、スラリの再使用時におけるスクラッ
チ発生を防止することができるので、同一スラリを複数
回再使用することができ、この結果、研磨作業コストの
低減化を図ることができるという効果がある。また、濃
度調整手段を設けることで、スラリの砥粒濃度をほぼ使
用前の濃度に戻すことができるので、スクラッチ発生を
防止することができるだけでなく、スラリの研磨特性を
ほぼ使用前の特性に戻すことができる。この結果、同一
スラリの再使用回数を高めることができ、研磨作業コス
トのさらなる低減化を図ることができる。さらに、PH
調整手段を設ければ、異物の除去及び濃度の復元だけで
なく、PHもほぼ使用前のPH値に復元することができ
るので、このスラリを再使用することで、新しいスラリ
とほぼ同様の研磨レートを達成することができる。
【図1】この発明の第1の実施形態に係るCMP装置の
スラリリサイクルシステムを一台のCMP装置に適用し
た例を示す概略図である。
スラリリサイクルシステムを一台のCMP装置に適用し
た例を示す概略図である。
【図2】この発明の第2の実施形態に係るCMP装置の
スラリリサイクルシステムを一台のCMP装置に組み込
んだ例を示す概略図である。
スラリリサイクルシステムを一台のCMP装置に組み込
んだ例を示す概略図である。
【図3】変形例を示す概略図である。
【図4】CMP装置の構成を示す概略図である。
1…CMP装置、 4,7…フィルタ、 5a…イオン
除去器、 5b…PH調整器、 6…濃度調整タンク、
S…スラリ。
除去器、 5b…PH調整器、 6…濃度調整タンク、
S…スラリ。
Claims (8)
- 【請求項1】 CMP装置で使用されたスラリを流通さ
せる流路手段中に、上記スラリ中に混入している粒径1
0ミクロン未満の異物を濾過する第1の濾過手段を設
け、 上記流路中であって上記第1の濾過手段の前段に、上記
第1の濾過手段から離して配され且つ上記スラリ中に混
入した粒径10ミクロン以上の異物を濾過する第2の濾
過手段,上記スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値にな
るように調整する濃度調整手段,及び上記スラリのPH
をほぼ使用前のPH値にするように調整するPH調整手
段のうち少なくとも一の手段を配設した、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項2】 請求項1に記載のCMP装置のスラリリ
サイクルシステムにおいて、 上記PH調整手段は、上記スラリのPHが使用前のPH
値よりも低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、
また高い場合に酸性剤を上記スラリに加えて、PH値を
調整するPH調整器を具備する、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項3】 請求項2に記載のCMP装置のスラリリ
サイクルシステムにおいて、 上記PH調整手段は、上記PH調整器の前段に、使用中
にスラリに生じたイオンを除去するイオン除去器を具備
する、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクルシステ
ム。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
載のCMP装置のスラリリサイクルシステムにおいて、 上記スラリは、 シリカ,アルミナ,ジルコニア,セリア,及びチタニア
などの金属酸化物の煙霧状微粒子粉末を水または有機溶
媒にコロイド状に分散させたスラリ、 または、シリカ,アルミナ,ジルコニア,及びセリアな
どを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金属塩溶液から
作られるコロイダルシリカ,コロイダルアルミナ,コロ
イダルジルコニア,コロイダルセリア,及びコロイダル
チタニアなどからなるスラリ、 または、アルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マン
ガンなどの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分
散させたスラリ、 のいずれかであることを特徴とするCMP装置のスラリ
リサイクルシステム。 - 【請求項5】 CMP装置で使用されたスラリ中に混入
している粒径10ミクロン未満の異物を濾過する第1の
濾過工程を設け、 上記第1の濾過工程の前工程として、上記スラリ中に混
入した粒径10ミクロン以上の異物を濾過する第2の濾
過工程,上記スラリの砥粒の濃度をほぼ使用前の値にな
るように調整する濃度調整工程,及び上記スラリのPH
をほぼ使用前のPH値にするように調整するPH調整工
程のうち少なくとも一の工程を設けた、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載のCMP装置のスラリリ
サイクル方法において、 上記PH調整工程は、上記スラリのPHが使用前のPH
値よりも低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、
また高い場合に酸性剤を上記スラリに加えて、PH値を
調整するものである、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載のCMP装置のスラリリ
サイクル方法において、 上記PH調整工程は、使用中にスラリに生じたイオンを
除去した後、上記スラリのPHが使用前のPH値よりも
低い場合にアルカリ性剤を上記スラリに加え、また高い
場合に酸性剤を上記スラリに加えて、PH値を調整する
ものである、 ことを特徴とするCMP装置のスラリリサイクル方法。 - 【請求項8】 請求項5ないし請求項7のいずれかに記
載のCMP装置のスラリリサイクル方法において、 上記スラリは、 シリカ,アルミナ,ジルコニア,セリア,及びチタニア
などの金属酸化物の煙霧状微粒子粉末を水または有機溶
媒にコロイド状に分散させたスラリ、 または、シリカ,アルミナ,ジルコニア,及びセリアな
どを生成可能な無機金属塩水溶液や有機金属塩溶液から
作られるコロイダルシリカ,コロイダルアルミナ,コロ
イダルジルコニア,コロイダルセリア,及びコロイダル
チタニアなどからなるスラリ、 または、アルミナ,ジルコニア,セリア,及び酸化マン
ガンなどの金属酸化物焼成粉末を水または有機溶媒に分
散させたスラリ、 のいずれかであることを特徴とするCMP装置のスラリ
リサイクル方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18307397A JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
TW087107691A TW400268B (en) | 1997-06-23 | 1998-05-19 | Slurry recycling system and method for CMP apparatus |
KR1019980023325A KR19990007187A (ko) | 1997-06-23 | 1998-06-22 | 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법 |
US09/103,653 US6106728A (en) | 1997-06-23 | 1998-06-23 | Slurry recycling system and method for CMP apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18307397A JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1110540A true JPH1110540A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=16129286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18307397A Pending JPH1110540A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6106728A (ja) |
JP (1) | JPH1110540A (ja) |
KR (1) | KR19990007187A (ja) |
TW (1) | TW400268B (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000308967A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Matsushita Electronics Industry Corp | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 |
JP2001085376A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板の研磨方法 |
WO2002001618A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Nymtech Co., Ltd. | Slurry recycling system and method for cmp apparatus |
KR20020003939A (ko) * | 2000-06-27 | 2002-01-16 | 장정훈 | 씨엠피 장치의 슬러리 재생 시스템 |
JP2004075859A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Chubu Kiresuto Kk | 研磨スラリーの清浄化法 |
KR100447987B1 (ko) * | 1998-10-27 | 2004-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학기계적연마공정용슬러리공급장치 |
JP2006099943A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-04-13 | Showa Denko Kk | 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法 |
JP2006165104A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Toshiro Doi | 化学的機械研磨方法並びに装置、及び、化学的機械研磨加工におけるスラリー再生方法並びに装置 |
JPWO2004084287A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2006-06-29 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
JP2007063374A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物用添加剤 |
JP2007319974A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨用スラリーの回収方法及び回収システム並びに再生方法及び再生システム |
JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
JP2010253393A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 排スラリー中の有用固形成分の回収方法 |
WO2011121906A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板 |
US8202429B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-06-19 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method for recovering a used slurry |
WO2013031111A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 |
JP2013535848A (ja) * | 2010-08-18 | 2013-09-12 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmpスラリー再利用システムおよび方法 |
US8652350B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-02-18 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method using the same, and method of recycling chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6315906B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-11-13 | United States Filter Corporation | Removing metal ions from wastewater |
US6346195B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-02-12 | U.S. Filter Corporation | Ion exchange removal of metal ions from wastewater |
JP4113288B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 |
JP2000080350A (ja) | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
US6250994B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads |
JP2000198062A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-07-18 | Canon Inc | 研磨装置及び研磨方法 |
JP3538042B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
US6280300B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-28 | Ebara Corporation | Filter apparatus |
JP3426149B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2003-07-14 | 富士通株式会社 | 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置 |
JP2000237952A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
US6407000B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatuses for making and using bi-modal abrasive slurries for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6599836B1 (en) | 1999-04-09 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6203412B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Submerge chemical-mechanical polishing |
JP3778747B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2006-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 砥液供給装置 |
US6287172B1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for improvement of tungsten chemical-mechanical polishing process |
US6402599B1 (en) * | 2000-05-03 | 2002-06-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Slurry recirculation system for reduced slurry drying |
US6267641B1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-07-31 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor |
US6294472B1 (en) * | 2000-05-23 | 2001-09-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual slurry particle sizes for reducing microscratching of wafers |
KR20020003704A (ko) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | 장정훈 | 씨엠피 장치의 슬러리 재생모듈 |
US6623329B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-09-23 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for supporting a microelectronic substrate relative to a planarization pad |
US6558238B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-05-06 | Agere Systems Inc. | Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry |
JP3789296B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2006-06-21 | リオン株式会社 | 研磨液の製造装置 |
US6709313B2 (en) * | 2000-11-17 | 2004-03-23 | Rion Co., Ltd. | Apparatus for producing polishing solution and apparatus for feeding the same |
US6896776B2 (en) | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
US6572460B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-06-03 | Nidek Co., Ltd. | Tank unit for grinding water used in processing eyeglass lens, and eyeglass lens processing apparatus having the same |
US6623331B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-09-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing disk with end-point detection port |
US7323416B2 (en) | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6899804B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
US7128825B2 (en) * | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7582564B2 (en) | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
US7160432B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6811680B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
US6398627B1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles |
US7059943B2 (en) | 2001-06-28 | 2006-06-13 | Seh America, Inc. | Method and apparatus for recycling slurry |
US7601643B1 (en) * | 2001-08-30 | 2009-10-13 | Lsi Logic Corporation | Arrangement and method for fabricating a semiconductor wafer |
US20030211747A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-11-13 | Nyacol Nano Technologies, Inc | Shallow trench isolation polishing using mixed abrasive slurries |
US6458020B1 (en) * | 2001-11-16 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Slurry recirculation in chemical mechanical polishing |
JP2003205463A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法 |
US20030190426A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Deenesh Padhi | Electroless deposition method |
JP4397153B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2010-01-13 | 株式会社ニデック | 研削水タンク装置 |
US6929532B1 (en) * | 2003-05-08 | 2005-08-16 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for filtering a chemical polishing slurry of a wafer fabrication process |
US7390429B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
US6984166B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-01-10 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Zone polishing using variable slurry solid content |
JP4026573B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-12-26 | 株式会社デンソー | 電子装置を収納するパッケージの製造方法 |
US20050092620A1 (en) * | 2003-10-01 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for polishing a substrate |
US20060003570A1 (en) * | 2003-12-02 | 2006-01-05 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for electroless capping with vapor drying |
US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
TWI235425B (en) * | 2004-05-26 | 2005-07-01 | Promos Technologies Inc | Etching system and method for treating the etching solution thereof |
US7488423B2 (en) * | 2005-08-02 | 2009-02-10 | Siemens Water Technologies Holding Corp. | System and method of slurry treatment |
US7427227B2 (en) * | 2005-08-30 | 2008-09-23 | Denso Corporation | Method and apparatus for fluid polishing |
US20070151866A1 (en) * | 2006-01-05 | 2007-07-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing with surface pretreatment |
JPWO2007097046A1 (ja) * | 2006-02-24 | 2009-07-09 | 株式会社Ihi回転機械 | シリコン粒子の処理方法及び装置 |
MX2009002100A (es) * | 2006-08-28 | 2009-03-10 | Siemens Water Tech Corp | Metodo y sistema para el tratamiento de suspensiones. |
US7651384B2 (en) * | 2007-01-09 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and system for point of use recycling of ECMP fluids |
US7820051B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-10-26 | International Business Machines Corporation | Recycling of electrochemical-mechanical planarization (ECMP) slurries/electrolytes |
JP5148948B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-02-20 | Sumco Techxiv株式会社 | 研磨用スラリーのリサイクル方法 |
KR100985861B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2010-10-08 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법 |
US20100144245A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Shei-Kai Chang | Methods and apparatus for chemical-mechanical polishing utilizing low suspended solids polishing compositions |
US20110070811A1 (en) * | 2009-03-25 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Point of use recycling system for cmp slurry |
WO2010111291A2 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Applied Materials, Inc. | Point of use recycling system for cmp slurry |
JP5461918B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-04-02 | 株式会社ディスコ | 加工廃液処理装置 |
DE102009044204A1 (de) | 2009-10-08 | 2011-04-28 | Fab Service Gmbh | Wiederaufbereitungsverfahren und Wiederaufbereitungsvorrichtung zur Wiederaufbereitung von Slurry-Abwasser aus einem Halbleiterbearbeitungs-prozess, insbesondere aus einem chemisch-mechanischen Polierprozess |
US20110177623A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Confluense Llc | Active Tribology Management of CMP Polishing Material |
US8557134B2 (en) | 2010-01-28 | 2013-10-15 | Environmental Process Solutions, Inc. | Accurately monitored CMP recycling |
US8696404B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-04-15 | WD Media, LLC | Systems for recycling slurry materials during polishing processes |
SG11201403191PA (en) * | 2011-12-22 | 2014-08-28 | Konica Minolta Inc | Abrasive material regeneration method and regenerated abrasive material |
EP2799185B1 (en) * | 2011-12-27 | 2017-02-01 | Konica Minolta, Inc. | Method for separating polishing material and regenerated polishing material |
US9259668B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-02-16 | Jsr Corporation | Cleaning method of immersion liquid, immersion liquid cleaning composition, and substrate |
JP6302708B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2018-03-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウェットエッチング装置 |
CN103264352A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-08-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大型环抛机的抛光液循环过滤注液装置 |
CN105313015B (zh) * | 2014-07-29 | 2019-08-16 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 抛光液过滤装置 |
US10688623B2 (en) * | 2014-09-30 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispersion system with real time control |
JP6206388B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2017-10-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法 |
JP6654457B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2020-02-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置用排水システム、排水方法及び排水制御装置並びに記録媒体 |
US11318577B2 (en) | 2016-06-16 | 2022-05-03 | Texas Instruments Incorporated | System and method of delivering slurry for chemical mechanical polishing |
US11642754B2 (en) * | 2018-08-30 | 2023-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry recycling for chemical mechanical polishing system |
KR102684327B1 (ko) * | 2022-02-10 | 2024-07-11 | 에스케이실트론 주식회사 | 연마용 슬러리 회수장치 및 그 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0340537A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Canon Inc | ネットワークシステム |
JP3277427B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2002-04-22 | ソニー株式会社 | 平坦化方法および研磨装置 |
JPH07316846A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法 |
JP3438410B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法 |
US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
US5932486A (en) * | 1996-08-16 | 1999-08-03 | Rodel, Inc. | Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP18307397A patent/JPH1110540A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-19 TW TW087107691A patent/TW400268B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-22 KR KR1019980023325A patent/KR19990007187A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-06-23 US US09/103,653 patent/US6106728A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100447987B1 (ko) * | 1998-10-27 | 2004-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학기계적연마공정용슬러리공급장치 |
US6527969B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for rejuvenating polishing slurry |
JP2000308967A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Matsushita Electronics Industry Corp | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 |
JP2001085376A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板の研磨方法 |
KR20020003939A (ko) * | 2000-06-27 | 2002-01-16 | 장정훈 | 씨엠피 장치의 슬러리 재생 시스템 |
US6866784B2 (en) * | 2000-06-27 | 2005-03-15 | Nymtech, Co., Ltd. | Slurry recycling system and method for CMP apparatus |
WO2002001618A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Nymtech Co., Ltd. | Slurry recycling system and method for cmp apparatus |
JP2004075859A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Chubu Kiresuto Kk | 研磨スラリーの清浄化法 |
JP2011003920A (ja) * | 2003-03-18 | 2011-01-06 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨スラリーの精製方法 |
JPWO2004084287A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2006-06-29 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
JP4644120B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2011-03-02 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
JP2006099943A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-04-13 | Showa Denko Kk | 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法 |
JP2006165104A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Toshiro Doi | 化学的機械研磨方法並びに装置、及び、化学的機械研磨加工におけるスラリー再生方法並びに装置 |
JP2007063374A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物用添加剤 |
JP2007319974A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨用スラリーの回収方法及び回収システム並びに再生方法及び再生システム |
JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
US8652350B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-02-18 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method using the same, and method of recycling chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
US8202429B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-06-19 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method for recovering a used slurry |
JP2010253393A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 排スラリー中の有用固形成分の回収方法 |
WO2011121906A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板 |
JP5083477B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2012-11-28 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP2013535848A (ja) * | 2010-08-18 | 2013-09-12 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmpスラリー再利用システムおよび方法 |
WO2013031111A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 |
JP5598607B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2014-10-01 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 |
KR101875880B1 (ko) * | 2011-09-01 | 2018-07-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 연마방법 및 연마제 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW400268B (en) | 2000-08-01 |
KR19990007187A (ko) | 1999-01-25 |
US6106728A (en) | 2000-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1110540A (ja) | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 | |
US6126531A (en) | Slurry recycling system of CMP apparatus and method of same | |
JP3708748B2 (ja) | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 | |
JP2606156B2 (ja) | 研磨剤粒子の回収方法 | |
US6722958B2 (en) | Apparatus and process for recovering abrasive | |
US7157012B2 (en) | Water treatment device and water treatment method using the same | |
WO2002001618A1 (en) | Slurry recycling system and method for cmp apparatus | |
US20030095894A1 (en) | Method of filtering | |
JP4824976B2 (ja) | 半導体ウェハの研磨方法 | |
TW201113944A (en) | Method for polishing semiconductor wafers | |
JP5163078B2 (ja) | 研磨装置とその方法 | |
US20020022441A1 (en) | Slurry supply apparatus and method | |
JPH09155732A (ja) | ウェハー研磨方法 | |
JP2004306210A (ja) | ガラス研磨における排出水中の酸化セリウム系研磨剤と水を再利用するための処理方法とその処理装置 | |
JP5891800B2 (ja) | ガラスの研磨方法 | |
JPH1190434A (ja) | 研磨排水の処理方法及び装置 | |
JP2002016027A (ja) | 研磨材の回収装置 | |
JP5850192B1 (ja) | 研磨材の回収方法 | |
JPH11188369A (ja) | Cmp装置の研磨廃液の処理方法 | |
JP2000126768A (ja) | Cmp排液の処理方法および装置 | |
KR100446248B1 (ko) | 연마 미립자를 함유하는 고분자 연마 패드 | |
JP2002083789A (ja) | 研磨材の回収装置 | |
JP4426192B2 (ja) | 研磨用組成物の製造方法 | |
JP2003200347A (ja) | スラリ再生方法およびそれを用いたスラリ再生装置 | |
JP4534241B2 (ja) | 研磨材の回収方法 |