JPWO2007097046A1 - シリコン粒子の処理方法及び装置 - Google Patents

シリコン粒子の処理方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007097046A1
JPWO2007097046A1 JP2008501601A JP2008501601A JPWO2007097046A1 JP WO2007097046 A1 JPWO2007097046 A1 JP WO2007097046A1 JP 2008501601 A JP2008501601 A JP 2008501601A JP 2008501601 A JP2008501601 A JP 2008501601A JP WO2007097046 A1 JPWO2007097046 A1 JP WO2007097046A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter cloth
filter
mixed solution
silicon particles
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008501601A
Other languages
English (en)
Inventor
高橋　勝巳
勝巳 高橋
雅也 田中
雅也 田中
齋藤　博之
博之 齋藤
治行 木南
治行 木南
佐々木　猛
猛 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Compressor and Machinery Co Ltd
Original Assignee
IHI Compressor and Machinery Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IHI Compressor and Machinery Co Ltd filed Critical IHI Compressor and Machinery Co Ltd
Publication of JPWO2007097046A1 publication Critical patent/JPWO2007097046A1/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D24/00—Filters comprising loose filtering material, i.e. filtering material without any binder between the individual particles or fibres thereof
    • B01D24/38—Feed or discharge devices
    • B01D24/44—Feed or discharge devices for discharging filter cake, e.g. chutes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Filtration Of Liquid (AREA)

Abstract

排液中におけるシリコン粒子を安価な設備により高効率に分離して単結晶シリコンインゴットの製造用原料として再利用できるようにする。シリコンインゴット加工装置から排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収装置１２と、シリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解し溶解混合液を貯留する混合液タンク１と、混合液タンク１に供給流路８と戻し流路１０を介して接続され、濾布上にシリコン粒子のケーキを形成して濾過を行う濾布式濾過機２と、混合液タンク１に純水を供給する純水供給手段４９と、濾布の濾過面側に加圧空気を供給してシリコン粒子のケーキを脱水する操作と、濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して脱水したケーキを脱落させて取り出す操作とを切替えて行い得る加圧空気供給手段３４とを備え、不純物を除去した単結晶リコン粒子を高効率に分離・回収する。

Description

本発明は、シリコンインゴット加工装置から排出される排液中のシリコン粒子の処理方法及び装置に関する。
従来、太陽電池等に用いられるシリコンウェハーは、単結晶シリコンインゴット製造装置により引上げによって円柱状に製造された高純度の単結晶シリコンインゴットを、シリコンインゴット加工装置において表面の皮むき、例えば角柱条等の所要形状に加工するための切断、及び表面の切削、研磨等を行って単結晶のシリコンブロックを製造した後、このシリコンブロックを、別設備のシリコンウェハー製造装置に供給してワイヤソー等により所定の厚さにスライスすることで製造している。
上記において、単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを製造するシリコンインゴット加工装置では、通常多量の水を供給して冷却しつつ加工を行っており、従ってシリコンインゴット加工装置からは切断屑である単結晶シリコンの微粒子（シリコン粒子）が含有した多量の排水が発生する。従来では、この排水に含まれるシリコン粒子は所要の方法によって分離しており、分離したシリコン粒子は殆どが産業廃棄物として廃棄処分されていた。
前記シリコンインゴット加工装置において単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを製造する際に発生するシリコン粒子はかなりの量となっており、従って従来は高価な高純度の単結晶シリコン粒子が単に切断ロスとして捨てられていた。
従来の先行技術文献としては、ワイヤソー又は高圧水でスライスされた高純度シリコンの切削屑を酸洗浄して乾燥した後、プラズマジェット中に水素とともに供給し、このプラズマジェットを水冷銅ターゲットに吹きつけて、冷却塊を生成させ、この冷却塊を回収し、再び高純度シリコンとして利用するようにしたものがある（例えば、特許文献１等参照）。
特開平１０−１８２１２４号公報
前記特許文献１では、切削排液を遠心分離装置又は沈降沈澱槽等により固形分の切削屑を濃縮・回収し、回収したスラリーを乾燥するとしている。しかし、前記したワイヤソー又は高圧水でスライスした際に生じる切断屑は非常に微粒であり、このために遠心分離装置又は沈降沈澱槽で回収したシリコン粒子は水分割合が多いスラリー状（泥状）を呈している。
例えば、単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを製造する際に発生するシリコン粒子を回収して、単結晶シリコンインゴットの製造用原料として再利用するためには、前記スラリーから不純物を含まない状態で単結晶シリコン粒子を分離・回収する必要がある。しかし、従来では、先ず前記スラリーから微粒のシリコン粒子を乾燥した状態で取り出せる有効な分離方法が確立されておらず、更に、不純物を含まない状態の単結晶シリコン粒子を効果的に分離・回収する技術が確立されていないために、スラリーから回収したシリコン粒子を単結晶シリコンブロックの製造用原料として再利用することは実現されていなかった。
本発明は、上記課題に着目してなしたもので、シリコンインゴット加工装置から排出される排液中のシリコン粒子を安価な設備により不純物を含まない状態で分離し、単結晶シリコンインゴットの製造用原料として再利用できるようにしたシリコン粒子の処理方法及び装置を提供しようとするものである。
本発明は、シリコンインゴット加工装置により単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを形成する際に排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収手段と、該回収手段により回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、該混合液タンクの溶解混合液を導入して濾過する濾布式濾過機とを設け、
先ず、混合液タンクの溶解混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
前記溶解混合液の濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成したケーキを脱水し、
続いて、混合液タンクに純水を供給して、該混合液タンクの純水を前記濾布式濾過機に供給することにより前記濾布上のケーキを洗浄し、
次に、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上のケーキを脱水し、
次に、濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して濾布上のケーキを脱落させることにより、単結晶シリコン粒子を得る
ことからなるシリコン粒子の処理方法、に係るものである。
また、本発明は、シリコンインゴット加工装置により単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを形成する際に排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収手段と、該回収手段により回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、該混合液タンクの溶解混合液を導入して濾過する濾布式濾過機とを設け、
先ず、混合液タンクの溶解混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
前記溶解混合液の濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成されたケーキを脱水し、
続いて、前記濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に純水を供給して逆洗することにより純水と前記ケーキのシリコン粒子とが混合した純水混合液を前記混合液タンクに供給し、
次に、混合液タンクの純水混合液を濾布式濾過機に供給して濾過洗浄を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
純水混合液の洗浄濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成されたケーキを脱水し、
続いて、濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して濾布上のケーキを脱落させることにより、単結晶シリコン粒子を得る
ことからなるシリコン粒子の処理方法、に係るものである。
上記シリコン粒子の処理方法において、前記濾布式濾過機から取り出した単結晶シリコン粒子を乾燥して、単結晶シリコンインゴットの製造用原料とすることは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理方法において、前記混合液タンクの混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を行っている間に、次に処理するシリコン粒子と酸を不純物溶解タンクに供給して混合することにより不純物を溶解した溶解混合液を作成することは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理方法において、前記濾布式濾過機に溶解混合液を供給して濾布上に所要厚さのケーキが形成された後に排出流路に流すようにしている濾液を、酸回収タンクで回収することは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理方法において、前記濾布式濾過機に純水を供給する際に排出流路に流す濾液を、純水化装置で回収することは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理方法において、前記濾布式濾過機に純水混合液を供給して濾布上に所要厚さのケーキが形成された後に排出流路に流すようにしている濾液を、純水化装置で回収することは好ましい。
また、本発明は、シリコンインゴット加工装置から排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収装置と、
該回収装置で回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、
前記混合液タンクに対して供給流路と戻し流路により接続され、濾布上にシリコン粒子のケーキを形成して濾過を行うようにした濾布式濾過機と、
前記戻し流路に接続して濾液を下流に流す排出流路と、
前記混合液タンクに純水を供給する純水供給手段と、
前記濾布の濾過面側に加圧空気を供給してシリコン粒子のケーキを脱水する操作と、濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して前記脱水したケーキを脱落させて取り出す操作とを切替えて行い得る加圧空気供給手段と、
を備えてなるシリコン粒子の処理装置、に係るものである。
上記シリコン粒子の処理装置において、前記濾布式濾過機から取り出したシリコン粒子を乾燥する乾燥装置を備えたことは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理装置において、前記濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に純水を供給する純水逆洗手段を備えたことは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理装置において、シリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解した溶解混合液を作成し、該溶解混合液を前記混合液タンクに供給するようにした不純物溶解タンクを備えたことは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理装置において、前記排出流路に、切替手段を介して酸回収タンクが接続されたことは好ましい。
また、上記シリコン粒子の処理装置において、前記排出流路に、切替手段を介して純水化装置が接続されたことは好ましい。
本発明のシリコン粒子の処理方法及び装置によれば、シリコンインゴット加工装置から排出される排液から回収したシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解するようにしたので、溶解混合液に含まれるシリコン粒子の流動性を向上させることができ、よって溶解混合液を濾布式濾過機に供給して濾過する際の濾過性能を高めて濾布の寿命を延長できるという効果がある。
更に、酸により不純物を溶解した溶解混合液を濾過することによって濾布上に形成されたケーキを、純水による洗浄、或いは純水による洗浄濾過を行って酸及び溶解した不純物を洗浄・除去するようにしたので、不純物を含まない高純度の単結晶シリコン粒子を分離して回収できるという効果がある。
従って、このようにして得られた単結晶シリコン粒子は、単結晶シリコンインゴットの製造用原料として再利用することが可能となり、不足傾向にある単結晶シリコンインゴットの製造用原料の安定・低価格供給が図れると共に、産業廃棄物の発生量を低減できるという効果がある。
また、純水で洗浄したシリコン粒子は脱水が容易になるため、含有水分が低下したシリコン粒子を取り出すことができ、よって乾燥装置によってシリコン粒子を乾燥するための時間、費用を低減できる効果がある。
更に、前記濾布式濾過機を用いた分離は、含有水分が低下したシリコン粒子を取り出すのに適している効果がある。
本発明によるシリコン粒子の処理装置の一実施例を示す全体概要構成図である。 濾布式濾過機における濾過部の構成を示す断面図である。 第１の操作方法を示す作業ステップ図である。 第２の操作方法を示す作業ステップ図である。 本発明によるシリコン粒子の処理装置の他の実施例を示す全体概要構成図である。
符号の説明
１ 混合液タンク
２ 濾布式濾過機
７ 循環流路
８ 供給流路
１０ 戻し流路
１１ 排出流路
１２ 回収装置（回収手段）
２３ 濾布
２８ 純水逆洗手段
３４ 加圧空気供給手段
３６，３７ 切替手段
３８ 酸回収タンク
３９，４０ 切替手段
４１ 純水化装置
４６ 酸供給手段
４９ 純水供給手段
５１ シリコン粒子（単結晶シリコン粒子）
５２ 乾燥装置
５３ 単結晶シリコンインゴット製造装置
５４ シリコンインゴット加工装置
５５ 不純物溶解タンク
以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
図１は本発明によるシリコン粒子の処理装置の一実施例を示す全体概要構成図であり、図１中、１は混合液タンク、２は該混合液タンク１の混合液を導入して濾過する濾布式濾過機である。混合液タンク１はポンプ３及び切替手段４，５，６を有する循環流路７と供給流路８とにより濾布式濾過機２に接続されており、ポンプ３からの混合液を循環流路７により混合液タンク１に循環し、また、供給流路８により濾布式濾過機２に供給できるようにしている。更に、濾布式濾過機２から濾液が流出する濾液出口管９と前記混合液タンク１との間が戻し流路１０により接続されており、濾布式濾過機２の濾液を前記混合液タンク１に循環させ得るようにしている。そして、前記戻し流路１０の途中には、濾液を下流に導く排出流路１１が接続されている。
図１中１２は、シリコンインゴット加工装置５４から排出されるシリコン粒子を含む排液を濾過してシリコン粒子を回収するようにした回収装置（回収手段）である。この回収装置１２には従来から用いられるフィルタ式の濾過装置、遠心分離装置、沈降沈澱槽方式等の種々の分離方式のものを採用することができ、回収装置１２からは水分割合が低下したスラリー状のシリコン粒子が取り出される。
前記混合液タンク１には、前記回収装置１２で回収したスラリー状のシリコン粒子がポンプ１３及び粒子供給管１４を介して供給されると共に、酸作成タンク１５において作成された酸がポンプ１６及び酸流路１７を介して供給されて前記シリコン粒子と混合される。従って、前記混合液タンク１に供給されたスラリー状のシリコン粒子に含まれているカーボン、加工機器の摩耗によるＦｅ、Ｎｉ等は酸によって溶解され、従って、前記混合液タンク１には、シリコン粒子と溶解液が混合した溶解混合液が貯留される。前記混合液タンク１及び酸作成タンク１５には攪拌装置１８が備えられて攪拌混合を行うようになっている。
前記濾布式濾過機２は、図１に示すように気密に形成された容器１９の上部に前記濾液出口管９が複数貫通して設けてあり、更に前記容器１９内部には、上端が前記濾液出口管９に接続された複数の濾過部２０を設けている。この濾過部２０は、図２に示す如く、前記濾液出口管９に上端が連結され下端が開口した内管２１ａと、該内管２１ａの外周と下端とを間隔Ｓを隔てて包囲した状態で内管２１ａに固定された外管２１ｂを備えている。この外管２１ｂは小口２２或いはスリット等を備えるか又は多孔質材料で形成することによりその内外を液が容易に移動できるようになっている。更に、前記外管２１ｂの外部には、外管２１ｂの外周と底部を包囲するようにした濾布２３を備えている。上記濾布式濾過機２では、容器１９内部に混合液を供給すると、混合液の圧力によって濾布２３が外管２１ｂの形状に沿って密着し、濾液が濾布２３を通過する際に濾布２３の外面（濾過面）にケーキを生成しつつ濾過（ケーク濾過）を行い、濾液は間隔Ｓを下降して内管２１ａの下降から内管２１ａ内に流入し、濾液出口管９から戻し流路１０に流出するようになっている。
前記戻し流路１０に接続された排出流路１１には、ポンプ２４を有する純水配管２５が接続され、且つ切替手段２６ａ，２６ｂ，２７を備えて純水逆洗手段２８を構成している。該純水逆洗手段２８は、前記濾液出口管９に純水を送り濾布２３の内面（反濾過面）側に純水を供給することによって濾布２３を逆洗できるようにしている。
一方、ファン２９からの加圧空気を空気管３０により容器１９に供給し、これにより濾布２３の外面（濾過面）側に加圧空気を供給して、濾布２３の濾過面側にケーキ状に形成されたシリコン粒子を脱水する操作と、空気管３１により濾布２３の内面（反濾過面）側に圧空気を供給して、前記脱水したケーキ状のシリコン粒子５１を脱落させて取り出す操作とを、切替手段３２，３３によって切替えるようにした加圧空気供給手段３４を構成している。図中３５は加圧空気を加熱する加熱装置である。
前記排出流路１１には、切替手段３６，３７の切替えによって排出流路１１を流れる濾液を取り込んで回収するようにした酸回収タンク３８を設けている。
更に、前記排出流路１１には、切替手段３９，４０の切替えによって排出流路１１を流れる濾液を取り込んで回収するようにした純水化装置４１を設けている。
更に、前記排出流路１１には、前記酸回収タンク３８及び純水化装置４１で回収されない濾液を自然界へ排出するためのｐＨ調整器４２を備えたｐＨ調整タンク４３を設けている。
そして、前記酸回収タンク３８で回収した酸による濾液は、ポンプ４４と配管４５による酸供給手段４６を介して前記混合液タンク１に供給するようにしている。また、前記純水化装置４１では回収した濾液から純水を精製しており、この精製した純水はポンプ４７と配管４８による純水供給手段４９を介して前記混合液タンク１に供給するようにしている。また、前記純水化装置４１による純水は、前記純水逆洗手段２８に供給して用いるようにしてもよい。図１中、５０は濾布式濾過機２に設けたドレン抜きである。
次に、上記実施例による本発明の第１の操作方法を前記図１、図２、及び図３の作業ステップ図を参照して説明する。
図３のシリコンインゴット加工装置５４から排出されるシリコン粒子を含む排液から、図１の回収装置１２によってシリコン粒子を回収する（ステップａ）。回収装置１２によって排液からシリコン粒子を回収する方法には従来から用いられている遠心分離装置又は沈降沈澱槽等の種々の方法を用いることができ、回収装置１２からはスラリー状のシリコン粒子が回収される。
前記回収装置１２で回収したスラリー状のシリコン粒子はポンプ１３及び粒子供給管１４を介して混合液タンク１に供給する。一方、酸作成タンク１５において所定の濃度に作成した酸を、ポンプ１６及び酸流路１７により前記混合液タンク１に供給して前記シリコン粒子と混合する。これにより、スラリー状のシリコン粒子に含有している不純物が酸によって溶解される。この時、前記酸回収タンク３８で回収した酸による濾液を酸供給手段４６を介して混合液タンク１に供給するようにすると、酸の使用量を削減することができ、且つｐＨ調整タンク４３から自然界に排出する排液量を削減することができる（ステップｂ）。
混合液タンク１に貯留された溶解混合液を濾布式濾過機２に供給することにより濾過を開始し（ステップｃ）、この時、切替手段２７は開けて切替手段２６ａ，２６ｂは全閉とし、濾液を戻し流路１０により前記混合液タンク１に戻して循環させる（ステップｄ）。
濾過を行うと前記濾布式濾過機２の濾布２３上にシリコン粒子がケーキを形成することによって濾過（ケーク濾過）が促進されるので、濾液出口管９から流出する濾液がスラリー粒子を含まない清澄液となったら、切替手段２６ａを開けて切替手段２６ｂ，２７を全閉とすることにより濾液は排出流路１１に流して濾過を行う。この時、排出流路１１に流す濾液は酸回収タンク３８により回収する（ステップｅ）。
前記溶解混合液の濾過が終了すると、加圧空気供給手段３４の切替手段３２を開けて切替手段３３を全閉とすることにより、濾布式濾過機２における濾布２３の外面（濾過面）側に加圧空気を供給して濾布上に形成されたケーキを脱水する（ステップｆ）。この時、濾過部２０内部の濾液は加圧空気によって濾液出口管９から排出流路１１に押し出され、また容器１９内部の液はドレン抜き５０から外部に排出される。前記脱水を行う加圧空気は加熱装置３５によって加熱されているので、前記ケーキに含有している溶解液は加熱された加圧空気によって効果的に脱水される。
続いて、純水化装置４１の純水を純水供給手段４９のポンプ４７及び配管４８を介して前記混合液タンク１に供給し、該混合液タンク１の純水をポンプ３により供給流路８を介して前記濾布式濾過機２に供給し、これにより前記濾布２３上のケーキを純水で洗浄する（ステップｇ）。この洗浄時の濾液は排出流路１１に流出するようにし、この時の濾液は純水化装置４１で回収する（ステップｈ）。
洗浄化終了すると、加圧空気供給手段３４の切替手段３２を開けて切替手段３３を全閉とすることにより、濾布式濾過機２における濾布２３の外面（濾過面）側に加圧空気を供給して濾布上に形成したケーキを脱水する（ステップｉ）。この時、濾過部２０内部の濾液は加圧空気によって濾液出口管９から排出流路１１に押し出され、また容器１９内部の液はドレン抜き５０から外部に排出される。
この時、前記加圧空気は加熱装置３５によって加熱されているので、加熱された加圧空気によってケーキに含有している純水は効果的に脱水され、これによってケーキ状のシリコン粒子の含有水分は約４０％以下まで低減される。
次に、加圧空気供給手段３４の切替手段３３を開けて切替手段３２を全閉とすることにより濾布式濾過機２における濾布２３の内面（反濾過面）側に加圧空気を供給する。すると、濾布２３は外側に拡張され、濾布２３上のケーキは脱落するので、濾布式濾過機２から脱水されたシリコン粒子５１を取り出すことができる（ステップｊ）。
前記濾布式濾過機２から取り出したシリコン粒子５１は乾燥装置５２に導いて乾燥する（ステップｋ）。
乾燥したシリコン粒子５１は、前記酸によって不純物を溶解させて分離する操作と、次に純水により洗浄して酸と不純物を分離する操作とによって、高純度の単結晶シリコン粒子として取り出されるので、この単結晶シリコン粒子は、複数の精製工程を経て精製することにより、単結晶シリコンインゴット製造装置５３の製造用原料として利用することができる。このように、シリコンインゴット加工装置５４により単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを形成する際に排出されるシリコン粒子を、単結晶シリコンインゴットの製造用原料として再利用することが可能となり、よって、不足傾向にある単結晶シリコンインゴットの製造用原料の低価格での安定した供給が図れると共に、産業廃棄物の発生量を低減できる効果がある。
次に、上記実施例による本発明の第２の操作方法を図１、図２、及び図４における作業ステップ図を参照して説明する。
第２の操作方法を示す図４では、前記図３においてケーキを純水で洗浄するステップｇと、洗浄時の濾液を純水化装置で回収するステップｈとを、純水で洗浄濾過を行うステップｌ〜ｏに置き換えて操作した場合を示している。
即ち、前記ステップｆに示したように、溶解混合液の濾過が終了して、濾布式濾過機２の濾布２３の濾過面側に加圧空気を供給してケーキの脱水を行った後、ステップｌに示す如く、切替手段２６ｂを開けて切替手段２６ａを全閉し、更に切替手段２７を全閉した状態において、純水逆洗手段２８により前記濾布式濾過機２における濾布２３の内面（反濾過面）側に純水を供給して逆洗してケーキを洗い落し、純水と前記ケーキのシリコン粒子とが混合した純水混合液を前記混合液タンク１に供給する。
次に、ステップｍに示すように、混合液タンク１の純水混合液を濾布式濾過機２に供給して濾過洗浄を開始し、この時の濾液はステップｎに示すように前記混合液タンク１に戻して循環させる。
次に、ステップｏに示すように前記濾布式濾過機２の濾布２３上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンク１に戻すことなく排出流路１１に流して濾過を行い、この時の濾液は純水化装置４１で回収する。
このようにして純水混合液の洗浄濾過が終了すると、ステップｉに示すように、濾布式濾過機２における濾布２３の外面（濾過面）側に加圧空気を供給することにより濾布２３上に形成されたケーキを脱水し、以後は前記図３と同様の操作を行って脱水したシリコン粒子５１を濾布式濾過機２から取り出すことができる。
上記第２の操作方法によれば、濾布式濾過機２の濾布２３上に精製したケーキを純粋で逆洗してシリコン粒子と純水が混合した純水混合液を生成し、この純水混合液を再び前記濾布式濾過機２に供給して洗浄濾過を行うようにしたので、不純物の除去を更に高めることができ、よって前記第２の操作方法に比して更に高純度の単結晶シリコン粒子を取り出せる効果がある。
上記した如く、第１の操作方法及び第２の操作方法によれば、高純度の単結晶シリコン粒子を高効率に分離・回収できる優れた効果を有するばかりでなく、次のような優れた効果を奏し得る。即ち、シリコンインゴット加工装置５４から排出される排液から回収装置１２によって得たスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解するため、加工時の切断によって活性化したシリコン原子に対する不純物の結合が解かれることによりシリコン粒子のコロイド化が抑制され、よって溶解混合液中のシリコン粒子の流動性が向上することにより、溶解混合液を濾布式濾過機２に供給して濾過する際の濾過性能が高められる。このため、濾布式濾過機２の濾布２３の目詰まりが防止されて濾布２３の寿命が延長される。
更に、濾過によって濾布２３上に形成されるケーキを、純水による洗浄（第１の操作方法）、或いは純水による洗浄濾過（第２の操作方法）を行って純粋で洗浄するので、不純物が除去された高純度の単結晶シリコン粒子を取り出せると共に、純水で洗浄したシリコン粒子は脱水も容易になるため、シリコン粒子５１の含有水分を低下させることができる。従って、乾燥装置５２に供給してシリコン粒子５１を乾燥するための時間、費用を大幅に低減することができる。
また、前記シリコンインゴット加工装置５４から排出される排液のシリコン粒子のような微細粒子を回収する場合には、従来は一般に、微細なコロイド分散系を対象とする高分子膜、セラミック膜等の高性能の膜濾過式濾過機を採用している。しかし、高分子膜、セラミック膜等は濾過膜の目が小さいために微細なシリコン粒子によって直ちに目詰まりを起こしてしまい、このため逆洗しながら濾過を行っている。しかし、このように逆洗しながらの濾過では、水分を多量に含んだスラリーの状態でしかシリコン粒子が分離できず、脱水した状態での回収は困難であり、更に、前記膜濾過式濾過機は多量の処理には不向きであるという問題があった。
これに対し、前記本発明に用いられる前記濾布式濾過機２は、前記膜濾過式濾過機に比して濾過の目が大きい濾布２３によってケーク濾過を行うため、膜濾過式濾過機に比して濾過処理量を増大することができ、更に、逆洗によって濾過機能を再生することが容易である。また、濾布２３の目詰まりが生じた場合には、濾布式濾過機２から濾布２３を取り外し、苛性ソーダ溶液等に浸漬して洗浄を行うことにより、目詰まりを容易に解消して再使用することができる。従って、前記濾布式濾過機２は、特にシリコンインゴット加工装置５４から排出される排液からシリコン粒子を取り出す場合に優れた効果を発揮し得る。
図５は、本発明によるシリコン粒子の処理装置の他の実施例を示す全体概要構成図であり、この実施例では、前記図１の実施例に対して不純物溶解タンク５５を追加して備えている。この実施例では、混合液タンク１の混合液を濾布式濾過機２に供給して濾過を行っている間に、次に処理する回収装置１２からのシリコン粒子と、酸作成タンク１５からの酸を不純物溶解タンク５５に供給して混合することにより溶解しておき、不純物溶解タンク５５で作成した溶解混合液を、ポンプ５６及び溶解混合液流路５７を介して混合液タンク１に供給できるようにしている。また、前記不純物溶解タンク５５には、前記酸回収タンク３８の酸が酸供給手段４６を介して供給されると共に、前記純水化装置４１の純水が純水供給手段４９を介して供給されるようになっている。尚、不純物溶解タンク５５にも攪拌装置１８を備えて攪拌を行っている。
図５の実施例によれば、混合液タンク１の混合液を濾布式濾過機２に供給して行われる濾過作業が終了すると、不純物溶解タンク５５で作成しておいた溶解混合液を直ちに混合液タンク１に供給して次の混合液の濾過を行うことができるので、作業を能率的に行うことができる。
なお、本発明のシリコン粒子の処理方法及び装置は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

Claims (13)

  1. シリコンインゴット加工装置により単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを形成する際に排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収手段と、該回収手段により回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、該混合液タンクの溶解混合液を導入して濾過する濾布式濾過機とを設け、
    先ず、混合液タンクの溶解混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
    前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
    前記溶解混合液の濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成したケーキを脱水し、
    続いて、混合液タンクに純水を供給して、該混合液タンクの純水を前記濾布式濾過機に供給することにより前記濾布上のケーキを洗浄し、
    次に、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上のケーキを脱水し、
    次に、濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して濾布上のケーキを脱落させることにより、単結晶シリコン粒子を得る
    ことからなるシリコン粒子の処理方法。
  2. シリコンインゴット加工装置により単結晶シリコンインゴットを加工してシリコンブロックを形成する際に排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収手段と、該回収手段により回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、該混合液タンクの溶解混合液を導入して濾過する濾布式濾過機とを設け、
    先ず、混合液タンクの溶解混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
    前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
    前記溶解混合液の濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成されたケーキを脱水し、
    続いて、前記濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に純水を供給して逆洗することにより純水と前記ケーキのシリコン粒子とが混合した純水混合液を前記混合液タンクに供給し、
    次に、混合液タンクの純水混合液を濾布式濾過機に供給して濾過洗浄を開始し、この時の濾液は前記混合液タンクに戻して循環させ、
    前記濾布式濾過機の濾布上に所要厚さのケーキが形成されたら、濾液は前記混合液タンクに戻すことなく排出流路に流して濾過を行い、
    純水混合液の洗浄濾過が終了すると、濾布式濾過機における濾布の濾過面側に加圧空気を供給することにより濾布上に形成されたケーキを脱水し、
    続いて、濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して濾布上のケーキを脱落させることにより、単結晶シリコン粒子を得る
    ことからなるシリコン粒子の処理方法。
  3. 前記濾布式濾過機から取り出した単結晶シリコン粒子を乾燥して、単結晶シリコンインゴットの製造用原料とする、請求項１又は２に記載のシリコン粒子の処理方法。
  4. 前記混合液タンクの混合液を濾布式濾過機に供給して濾過を行っている間に、次に処理するシリコン粒子と酸を不純物溶解タンクに供給して混合することにより不純物を溶解した溶解混合液を作成する、請求項１又は２に記載のシリコン粒子の処理方法。
  5. 前記濾布式濾過機に溶解混合液を供給して濾布上に所要厚さのケーキが形成された後に排出流路に流すようにしている濾液を、酸回収タンクで回収する、請求項１又は２に記載のシリコン粒子の処理方法。
  6. 前記濾布式濾過機に純水を供給する際に排出流路に流す濾液を、純水化装置で回収する、請求項１に記載のシリコン粒子の処理方法。
  7. 前記濾布式濾過機に純水混合液を供給して濾布上に所要厚さのケーキが形成された後に排出流路に流すようにしている濾液を、純水化装置で回収する、請求項２に記載のシリコン粒子の処理方法。
  8. シリコンインゴット加工装置から排出されるシリコン粒子を含む排液からシリコン粒子を回収する回収装置と、
    該回収装置で回収したスラリー状のシリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解させた溶解混合液を貯留する混合液タンクと、
    前記混合液タンクに対して供給流路と戻し流路により接続され、濾布上にシリコン粒子のケーキを形成して濾過を行うようにした濾布式濾過機と、
    前記戻し流路に接続して濾液を下流に流す排出流路と、
    前記混合液タンクに純水を供給する純水供給手段と、
    前記濾布の濾過面側に加圧空気を供給してシリコン粒子のケーキを脱水する操作と、濾布の反濾過面側に加圧空気を供給して前記脱水したケーキを脱落させて取り出す操作とを切替えて行い得る加圧空気供給手段と、
    を備えてなるシリコン粒子の処理装置。
  9. 前記濾布式濾過機から取り出したシリコン粒子を乾燥する乾燥装置を備えた、請求項８に記載のシリコン粒子の処理装置。
  10. 前記濾布式濾過機における濾布の反濾過面側に純水を供給する純水逆洗手段を備えた、請求項８に記載のシリコン粒子の処理装置。
  11. シリコン粒子に酸を混合して不純物を溶解した溶解混合液を作成し、該溶解混合液を前記混合液タンクに供給するようにした不純物溶解タンクを備えた、請求項８に記載のシリコン粒子の処理装置。
  12. 前記排出流路に、切替手段を介して酸回収タンクが接続された、請求項８に記載のシリコン粒子の処理装置。
  13. 前記排出流路に、切替手段を介して純水化装置が接続された、請求項８又は１２に記載のシリコン粒子の処理装置。
JP2008501601A 2006-02-24 2006-04-25 シリコン粒子の処理方法及び装置 Withdrawn JPWO2007097046A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006048905 2006-02-24
JP2006048905 2006-02-24
PCT/JP2006/308613 WO2007097046A1 (ja) 2006-02-24 2006-04-25 シリコン粒子の処理方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2007097046A1 true JPWO2007097046A1 (ja) 2009-07-09

Family

ID=38437104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008501601A Withdrawn JPWO2007097046A1 (ja) 2006-02-24 2006-04-25 シリコン粒子の処理方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090274596A1 (ja)
JP (1) JPWO2007097046A1 (ja)
KR (1) KR101323765B1 (ja)
CN (1) CN101426723B (ja)
HK (1) HK1129649A1 (ja)
WO (1) WO2007097046A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016198841A (ja) * 2015-04-09 2016-12-01 株式会社クラレ シリコン回収方法及びシリコン回収装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7959730B2 (en) * 2007-10-03 2011-06-14 6N Silicon Inc. Method for processing silicon powder to obtain silicon crystals
CN101597095A (zh) * 2008-06-05 2009-12-09 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 湿法冶硅的废酸回收处理方法
KR100985861B1 (ko) * 2008-09-24 2010-10-08 씨앤지하이테크 주식회사 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법
CN102388121B (zh) * 2008-12-31 2013-08-21 Memc新加坡私人有限公司 从锯屑回收并提纯硅颗粒的方法
JP2010207800A (ja) 2009-02-16 2010-09-24 Kuraray Co Ltd ろ過ユニットおよびこれを備えたろ過装置
US8309711B2 (en) * 2009-08-07 2012-11-13 Corn Products Development Inc. Filtration of corn starch followed by washing and collection of the resultant corn starch cake
JP2013189318A (ja) * 2010-06-22 2013-09-26 Sumco Corp シリコン系太陽電池用原料の製造方法
KR101408245B1 (ko) * 2012-11-20 2014-06-23 남서울대학교 산학협력단 폐오일 여과 시스템 클리닝 방법
EP3434646A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-30 Total Solar International Method for recycling sub-micron si-particles from a si wafer production process
CN115193101B (zh) * 2021-04-09 2024-02-13 中国矿业大学 一种线切冷却液回收方法

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3865629A (en) * 1972-11-07 1975-02-11 Joseph Daniel Dankoff Reclamation of components from grinding swarf
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4952317A (en) * 1989-03-10 1990-08-28 Bradley Culkin Device and method for filtering a colloidal suspension
JPH0687607A (ja) * 1991-09-05 1994-03-29 Nec Corp シリコンの回収方法
US5520288A (en) * 1994-03-21 1996-05-28 Pct, Inc. Abrasive grit material recovery system
WO1995035261A1 (fr) * 1994-06-22 1995-12-28 Noritake Co., Limited Procede de regeneration des fluides d'usinage et appareil associe
JP2606156B2 (ja) * 1994-10-14 1997-04-30 栗田工業株式会社 研磨剤粒子の回収方法
MY138664A (en) * 1995-10-04 2009-07-31 Komatsu Ntc Ltd Slurry managing system and slurry managing for wire saws
JPH09165212A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコン原料粉および太陽電池用シリコンインゴットの製造方法
US5578222A (en) * 1995-12-20 1996-11-26 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Reclamation of abrasive grain
JP3199159B2 (ja) * 1996-01-26 2001-08-13 信越半導体株式会社 油性スラリー廃液の再利用システム
JP3249373B2 (ja) * 1996-02-21 2002-01-21 信越半導体株式会社 水溶性スラリー廃液の再利用システム
US5664990A (en) * 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
JP3341601B2 (ja) * 1996-10-18 2002-11-05 日本電気株式会社 研磨剤の回収再利用方法および装置
US5791970A (en) * 1997-04-07 1998-08-11 Yueh; William Slurry recycling system for chemical-mechanical polishing apparatus
US6113473A (en) * 1997-04-25 2000-09-05 G.T. Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for improved wire saw slurry
WO1998049102A1 (de) * 1997-04-28 1998-11-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtung zur behandlung von abwasser aus einem chemisch-mechanischen polierprozess in der chipfertigung
US5878918A (en) * 1997-05-02 1999-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist supplying system for used in a semiconductor fabrication
US5928492A (en) * 1997-06-05 1999-07-27 Lucid Treatment Systems, Inc. Method and apparatus for recovery of water and slurry abrasives used for chemical and mechanical planarization
US6379538B1 (en) * 1997-06-05 2002-04-30 Lucid Treatment Systems, Inc. Apparatus for separation and recovery of liquid and slurry abrasives used for polishing
JPH1110540A (ja) * 1997-06-23 1999-01-19 Speedfam Co Ltd Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US5895315A (en) * 1997-08-07 1999-04-20 Pinder, Jr.; Harvey Wayne Recovery device for polishing agent and deionizing water for a polishing machine
US6241587B1 (en) * 1998-02-13 2001-06-05 Vlsi Technology, Inc. System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
TW369947U (en) * 1998-04-24 1999-09-11 United Microelectronics Corp A filter set
EP1075675A1 (en) * 1998-04-30 2001-02-14 The Boc Group, Inc. Conductivity feedback control system for slurry blending
US6024829A (en) * 1998-05-21 2000-02-15 Lucent Technologies Inc. Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry
JP2000071172A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Nec Corp 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法
US6165048A (en) * 1998-11-10 2000-12-26 Vlsi Technology, Inc. Chemical-mechanical-polishing system with continuous filtration
JP3538042B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 松下電器産業株式会社 スラリー供給装置及びスラリー供給方法
JP3432161B2 (ja) * 1998-12-24 2003-08-04 シャープ株式会社 研磨液供給装置
JP3426149B2 (ja) * 1998-12-25 2003-07-14 富士通株式会社 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置
JP3708748B2 (ja) * 1999-04-23 2005-10-19 松下電器産業株式会社 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法
JP2002153708A (ja) 1999-05-27 2002-05-28 Sanyo Electric Co Ltd 被除去物の再利用方法
JP3316483B2 (ja) * 1999-05-27 2002-08-19 三洋電機株式会社 流体の被除去物除去装置
JP3316484B2 (ja) * 1999-05-27 2002-08-19 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6746309B2 (en) * 1999-05-27 2004-06-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device
JP3291487B2 (ja) * 1999-05-27 2002-06-10 三洋電機株式会社 流体の被除去物除去方法
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
EP1218082B1 (en) * 1999-09-17 2003-06-04 Mykrolis Corporation Process and filter for filtering a slurry
JP3778747B2 (ja) * 1999-11-29 2006-05-24 株式会社荏原製作所 砥液供給装置
US7247245B1 (en) * 1999-12-02 2007-07-24 Entegris, Inc. Filtration cartridge and process for filtering a slurry
JP4657412B2 (ja) * 1999-12-10 2011-03-23 エルエスアイ コーポレーション 半導体ウェハを研磨する装置及び方法
US6372111B1 (en) * 2000-01-18 2002-04-16 David K. Watts Method and apparatus for reclaiming a metal from a CMP process for use in an electroplating process
US6362103B1 (en) * 2000-01-18 2002-03-26 David K. Watts Method and apparatus for rejuvenating a CMP chemical solution
US6306020B1 (en) * 2000-03-10 2001-10-23 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Multi-stage slurry system used for grinding and polishing materials
JP2001287163A (ja) * 2000-04-06 2001-10-16 Nec Corp 研磨用スラリー再生装置
KR100393204B1 (ko) * 2000-05-16 2003-07-31 삼성전자주식회사 씨엠피용 슬러리의 공급 방법 및 장치
WO2002001618A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Nymtech Co., Ltd. Slurry recycling system and method for cmp apparatus
JP3794247B2 (ja) * 2000-06-27 2006-07-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ 粒状半導体材料洗浄装置
US6558238B1 (en) * 2000-09-19 2003-05-06 Agere Systems Inc. Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry
JP4353665B2 (ja) * 2001-10-31 2009-10-28 三洋アクアテクノ株式会社 濾過装置
JP3634791B2 (ja) * 2001-10-31 2005-03-30 三洋電機株式会社 被除去物の除去方法
JP3634792B2 (ja) * 2001-10-31 2005-03-30 三洋電機株式会社 被除去物の除去方法
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
US6732017B2 (en) * 2002-02-15 2004-05-04 Lam Research Corp. System and method for point of use delivery, control and mixing chemical and slurry for CMP/cleaning system
JP3557197B2 (ja) * 2002-05-17 2004-08-25 三洋電機株式会社 コロイド溶液の濾過方法
TWI232127B (en) * 2003-03-26 2005-05-11 Sanyo Electric Co Water treating apparatus and water treating method using such apparatus
US20040262209A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Hiroyuki Umezawa Filtration apparatus
TWI309579B (en) * 2003-11-06 2009-05-11 Sanyo Electric Co Method for preparing coagulant, and method for coagulation treatment of fluid
JP4368249B2 (ja) * 2004-06-01 2009-11-18 三洋電機株式会社 処理装置およびそれを用いた被処理水の処理方法
JP4326489B2 (ja) * 2005-03-22 2009-09-09 三洋電機株式会社 排水処理装置および排水処理方法
CN101573298B (zh) * 2006-12-25 2012-11-14 日本碍子株式会社 废水处理系统和废水处理方法
US7651384B2 (en) * 2007-01-09 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method and system for point of use recycling of ECMP fluids

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016198841A (ja) * 2015-04-09 2016-12-01 株式会社クラレ シリコン回収方法及びシリコン回収装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20090274596A1 (en) 2009-11-05
HK1129649A1 (en) 2009-12-04
CN101426723A (zh) 2009-05-06
CN101426723B (zh) 2011-12-14
WO2007097046A1 (ja) 2007-08-30
KR101323765B1 (ko) 2013-10-31
KR20080104318A (ko) 2008-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2007097046A1 (ja) シリコン粒子の処理方法及び装置
RU2007119558A (ru) Способ удаления примесей из отводимого потока реактора окисления
JPH11179171A (ja) 中空糸膜濾過装置とその運転方法
KR101333966B1 (ko) 멤브레인공정을 이용한 반도체 및 태양전지용 웨이퍼 폐슬러리중 절삭액의 고효율 재생방법 및 재생시스템
WO2013035438A1 (ja) クーラント再生方法
TW200841991A (en) Process and apparatus for treating exhausted abrasive slurries from the lapping process for the recovery of their reusable abrasive component
RU2505525C2 (ru) Способ и система сепарации и фильтрации необработанной терефталевой кислоты для получения очищенной терефталевой кислоты
JP5640260B2 (ja) クーラント回収方法
CN102897931A (zh) 半导体产业的污水净化循环系统
CN206063884U (zh) 一种活性砂连续过滤器
JP4523284B2 (ja) クロロアルカリ電解において使用するための原料塩水を連続的に濾過する方法
JP2001121421A (ja) 用水回収装置
CN1594269A (zh) 一种制备纯度达到99.98%以上的纯对苯二甲酸的方法
JP2005021805A (ja) 排水処理方法及び排水処理システム
CN218774362U (zh) 一种应用于过滤半导体行业切割废水的多介质过滤系统
CN101125671A (zh) 一种氧化铝生产过程中赤泥的分离方法
JPH10337410A (ja) 浄水処理方法及び装置
JP2000229286A (ja) 用水回収装置
JP2011031153A (ja) イオンの回収方法および装置
CN101239898A (zh) 使用一种高效脱水过滤机制备纯度达99.98重量%以上的纯对苯二甲酸的方法
JPS5990688A (ja) シリカ含有水処理方法
JP6088359B2 (ja) 濾過装置
JP2002052321A (ja) 膜ろ過装置の逆洗方法
JP2014189449A (ja) 脱水ケーキの製造方法
JPH0833806A (ja) ろ材の洗浄再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090407

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120525