JP5163078B2 - 研磨装置とその方法 - Google Patents
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Description
研磨液を再生する手段を有する従来の研磨装置の一般的な構成を図6に示す。
図6に示す研磨装置19は、複数のウエーハWの表裏両面を同時に研磨する研磨部100、及び、研磨部100に研磨液を供給するとともにその排液を収集して再生する研磨液処理部209を有する。
研磨液処理部209は、研磨部100から排出された研磨液を一旦タンク212に収集し、この使用済の研磨液を適宜ポンプ214により汲み出して所定の圧力でフィルター290を通過させることにより、研磨により生成された異物(研磨生成物)をろ過して除去する。異物の除去された研磨液は、再生された研磨液として再生液タンク255に貯められた後、適宜研磨部100に供給されて研磨に用いられる。
例えば、図6に示したような半導体基板用の研磨装置においては、通常、ポアサイズが1〜100〔μm〕のフィルターを使用しているが、研磨液の砥粒サイズが0.05〜0.1〔μm〕なので、砥粒よりも大きな(1〔μm〕より大きな)異物は除去できるが、砥粒程度に小さな異物、あるいは砥粒よりも小さな異物は除去できなかった。その結果、研磨時にスクラッチ等のウエーハのキズが発生する可能性があった。
また、具体的な他の一好適例としては、前記研磨液は無砥粒研磨液であり、前記フィルター手段は、前記排液から所定の大きさ以上の粒状物質を除去する。
好適には 前記洗浄手段は、アルカリ溶液を前記洗浄液として前記限外フィルターに供給する。
また、使用済の研磨液から微細な研磨生成物を適切に除去することにより研磨液を適切に再生して繰り返し使用することができ、またその際にフィルターの目詰まりを防いでフィルターを長寿命に使用することができる研磨液再生装置及び研磨液再生方法を提供することができる。
本発明の第1実施形態の研磨装置について図1を参照して説明する。
第1実施形態においては、砥粒を含む研磨液を介在させてシリコンウエーハの研磨を行う研磨装置であって、限外フィルターを用いて研磨排液中の異物(研磨生成物)を除去することにより研磨排液を再生し、研磨液を繰り返し使用する研磨装置について説明する。
図1は、その研磨装置11の構成を模式的に示す図である。
図1に示す研磨装置11は、研磨部100及び研磨液処理部201を有する。
また、研磨部100から回収される研磨排液には、研磨生成物(異物)として粒径5〜50〔nm〕程度のいびつな形状の(球状ではない)シリカ粒子が含まれる。
研磨液処理部201は、タンク212、ポンプ214、プレフィルター215、フィルター部220、及び管路211,213,251,253及び256を有する。
すなわちタンク212に収容された研磨液は、管路213の中途に設置されたポンプ214により汲み出され、管路213を介してプレフィルター215に供給される。ポンプ214は、例えば毎分60リットル程度の流量で研磨排液を循環させる。
プレフィルター215を通過した研磨液は、管路213を介してフィルター部220に流入される。
図2(A)は、限外ろ過膜透過前の研磨排液のTEM写真を示す図であり、異物(研磨生成物)が多数存在している状態がわかる。一方、図2(B)は、限外ろ過膜透過後の研磨排液(再生研磨液)のTEM写真を示す図であり、異物はほとんど見られない。図2(A)及び図2(B)を比較することにより、限外ろ過膜により異物が適切に除去されていることがわかる。
本発明の第2実施形態の研磨装置について図3を参照して説明する。
第2実施形態においては、砥粒を含まない研磨液を介在させてシリコンウエーハの研磨を行う研磨装置であって、限外フィルターを用いて研磨排液中の異物(研磨生成物)を除去することにより研磨排液を再生し、研磨液を繰り返し使用する研磨装置について説明する。
図3は、その研磨装置12の構成を模式的に示す図である。
図3に示す研磨装置12は、研磨部100及び研磨液処理部202を有する。
研磨部100の構成及び機能は、前述した第1実施形態と同一なのでその説明は省略する。
研磨液処理部202は、タンク212、ポンプ214、プレフィルター215、フィルター部230、再生液タンク255、及び管路211,213,251,253及び257を有する。
プレフィルター215は、例えばポアサイズが比較的大きめの絶対ろ過フィルターであって、フィルター部230の限外ろ過膜によるろ過に支障が生じないように、研磨液から極端に大きな異物等を除去する。プレフィルター215を通過した研磨液は、管路213を介してフィルター部230に流入される。
なお、フィルター部230の限外ろ過膜231は、例えば毎分2リットル程度の流量で研磨液を透過させて再生液タンク255に送る。
例えば、研磨部100における研磨により生成される異物の粒径が5〜50〔nm〕程度ならば、孔径が5〔nm〕より若干小さい限外ろ過膜231を用いればよい。
異物の全てを除去できる限外ろ過膜でなくとも、異物の最大粒径より小さい孔径の限外ろ過膜を用いれば異物の除去に関して何らかの効果を得ることができる。従って、前述したような条件に応じて、任意の特性の限外ろ過膜を選択すればよい。
なお、限外ろ過膜231の孔径が0.1〔nm〕以下となると透過効率が悪くなる傾向がある。従って、これ以上の孔径の限外ろ過膜231を選択するのが好適である。
本発明の第3実施形態の研磨装置について図3を参照して説明する。
第3実施形態においては、砥粒を含まない研磨液を介在させてシリコンウエーハの研磨を行う研磨装置であって、限外フィルターを用いて研磨排液中の異物(研磨生成物)を除去することにより研磨排液を再生するとともに、限外フィルターが目詰まりした時にその目詰まりを除去することのできる研磨装置について説明する。
図4は、その研磨装置13の構成を模式的に示す図である。
図4に示すように、研磨装置13は、研磨部100及び研磨液処理部203を有する。
研磨部100の構成及び機能は、前述した第1実施形態と同一なのでその説明は省略する。
タンク212、ポンプ214、プレフィルター215、フィルター部230、再生液タンク255、及び管路211,213,251,253及び257の構成及び機能は、前述した第2実施形態の研磨装置12の研磨液処理部202と同一であって、研磨部100に研磨液を供給するとともにその排液を収集して再生するものである。従って、その詳細な説明は省略する。
研磨液処理部203は、アルカリ溶液を収容したアルカリタンク263、アルカリ溶液を循環させるためのアルカリ液ポンプ265、アルカリ溶液が循環する管路261及び264、及び、フィルター部230にアルカリ溶液あるいは研磨排液のいずれを流すのかを選択するためのバルブ216,266,254,252及び262を有する。
また、研磨排液を循環させる管路213の管路264との接続部のプレフィルター215側には、研磨排液のフィルター部230への供給を制御するバルブ216が設けられている。
通常の研磨液処理動作中でフィルター部230から研磨排液が流出される場合には、バルブ262を閉じてバルブ252を開放することにより、研磨排液は管路251を介してタンク212に戻される。また、フィルター部230のアルカリ溶液による洗浄動作中でフィルター部230からアルカリ溶液が流出される場合には、バルブ252を閉じてバルブ262を開放することにより、アルカリ溶液は管路261を介してアルカリタンク263に戻される。
図5は、本実施形態の研磨装置13において、フィルター部230の限外ろ過膜231を透過して研磨液として再生される液体の流量を示すグラフであり、研磨液処理部203の運用時間、すなわちフィルター部230の使用時間に対する透過液体流量の変化を示す図である。
図示のごとく、フィルター部230(限外ろ過膜231)を使用する時間が長くなるにつれて、透過液流量は漸減している。これは、限外ろ過膜231に目詰まりが生じているためと考えられる。その状態で、ある時間帯においてアルカリ洗浄を行うと、図示のごとく透過流量がほぼ元の量(当初の量)に復帰している。
これにより、アルカリ溶液による洗浄がフィルターの目詰まりの除去に有効であることがわかる。
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
また、前述した各実施形態の研磨装置は、いずれも1の研磨部及び1の研磨液処理部を有する構成であったが、複数の研磨部に対して、その複数の研磨部で使用される研磨液の再生等の処理を行う1の研磨液処理部を有するような装置であってもよい。
また、前述した各実施形態の装置は、研磨部と研磨処理部とが一体的に構成された研磨装置を示したが、研磨液処理部のみが独立して構成された研磨液再生装置にも適用可能である。
100…研磨部
111…上定盤
112…下定盤
201,202,203,209…研磨液処理部
211,213,251,253,256,257、261,266…管路
212…タンク
214…ポンプ
215…プレフィルター
220,230,290…フィルター部
221,231…限外ろ過膜
255…再生液タンク
263…アルカリタンク
265…アルカリ液ポンプ
216,252,254,262,266…バルブ
W…ウエーハ
Claims (10)
- 研磨液を介在させて半導体基板を研磨する研磨手段と、
前記半導体基板の研磨に使用された前記研磨液の排液を回収する研磨液回収手段と、
前記回収した前記研磨液の排液を限外フィルターでろ過し、当該研磨液の排液に含まれる少なくとも研磨生成物を除去するフィルター手段と、
前記研磨生成物の除去された前記研磨液の排液を、再生された研磨液として前記研磨手段に供給する研磨液供給手段と
前記研磨手段において前記研磨を行わない洗浄処理時に、前記フィルター手段に前記研磨液の排液が流入せず且つ当該フィルター手段から前記研磨液供給手段に洗浄液が流出しないように流路を設定し、前記フィルター手段に対して前記研磨液の排液を供給する流路に沿って前記洗浄液を供給して前記限外フィルターを洗浄するとともに、洗浄後の洗浄液を前記研磨液供給手段とは異なる手段へ供給する洗浄手段と、を有することを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨液は、砥粒入り研磨液であり、
前記フィルター手段は、前記排液から少なくとも前記砥粒より小さな物質を除去することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 前記研磨液は、無砥粒研磨液であり、
前記フィルター手段は、前記排液から所定の大きさ以上の粒状物質を除去することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 前記洗浄手段は、アルカリ溶液を前記洗浄液として前記限外フィルターに供給することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記アルカリ溶液は、1〜20wt%の水酸化ナトリウム溶液又は水酸化カリウム溶液であることを特徴とする請求項4に記載の研磨装置。
- 半導体基板の所望の研磨面に研磨液を供給する工程と、
前記供給された研磨液を介在させて半導体基板を研磨する工程と、
前記半導体基板の研磨に使用された前記研磨液の排液を回収する工程と、
前記回収した前記研磨液の排液を限外フィルターでろ過して当該研磨液の排液に含まれる少なくとも研磨生成物を除去する工程と、
前記研磨生成物の除去された前記研磨液の排液を、再生された研磨液として前記半導体基板の前記研磨面に再度供給する工程と、
前記研磨を行わない洗浄処理時に、前記限外フィルターに前記研磨液の排液が流入せず且つ当該限外フィルターから前記再生された研磨液に洗浄液が流出しないように流路を設定し、前記限外フィルターに対して前記研磨液の排液を供給する流路に沿って前記洗浄液を供給して前記限外フィルターを洗浄するとともに、洗浄後の洗浄液を前記再生された研磨液とは異なる手段へ供給する工程と、を有することを特徴とする研磨方法。 - 前記研磨液は、砥粒入り研磨液であり、
前記研磨生成物を除去する工程においては、前記排液を前記限外フィルターでろ過して当該排液から少なくとも前記砥粒より小さな物質を除去することを特徴とする請求項6に記載の研磨方法。 - 前記研磨液は、無砥粒研磨液であり、
前記研磨生成物を除去する工程においては、前記排液を前記限外フィルターでろ過して当該排液から所定の大きさ以上の粒状物質を除去することを特徴とする請求項6に記載の研磨方法。 - 前記限外フィルターを洗浄する工程においては、アルカリ溶液を前記洗浄液として前記限外フィルターに供給することを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記アルカリ溶液は、1〜20wt%の水酸化ナトリウム溶液又は水酸化カリウム溶液であることを特徴とする請求項9に記載の研磨方法。
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