KR19990007187A - 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법 - Google Patents

화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990007187A
KR19990007187A KR1019980023325A KR19980023325A KR19990007187A KR 19990007187 A KR19990007187 A KR 19990007187A KR 1019980023325 A KR1019980023325 A KR 1019980023325A KR 19980023325 A KR19980023325 A KR 19980023325A KR 19990007187 A KR19990007187 A KR 19990007187A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slurry
colloidal
initial
value
before use
Prior art date
Application number
KR1019980023325A
Other languages
English (en)
Inventor
신야 이이다
아키토시 요시다
Original Assignee
오바라 히로시
스피드팜 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오바라 히로시, 스피드팜 가부시키가이샤 filed Critical 오바라 히로시
Publication of KR19990007187A publication Critical patent/KR19990007187A/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법에 관한 것으로, 상기 슬러리 재생 시스템은 CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 그를 통해 흐르는 흐름 통로를 포함한다. 상기 슬러리내에 혼합된 0.5 미크론 이상의 입자 크기의 이물질을 여과하기 위해 제 1 필터가 상기 흐름 통로에 배치된다. 상기 슬러리 내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 이상인 이물질을 여과하기 위해 제 2 필터가 제 1 필터로부터 이격되어 제 1 필터의 상류 위치에서 흐름 통로내에 배치되는 것이 바람직하다. 상기 슬러니내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절기와, 상기 슬러리의 pH 농도를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절기가 설치되는 것이 바람직하다.

Description

화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법
본 발명은 CMP 장치내에서 웨이퍼 등의 작업편을 연마할 때 사용된 슬러리(slurry)를 재활용하기 위하여 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 하기에는 CMP라 지칭한다) 장치에 사용되는 슬러리 재활용 시스템 및 방법에 관한 것이다.
도 4는 발명자들에게 공지되어 있는 CMP 장치의 형상을 도시하는 개략도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, CMP 장치는 연마 패드(101)가 그 표면에 부착된 표면판(100)과 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 캐리어(200)를 구비한다.
웨이퍼(W)는 캐리어(200)에 의해 연마 패드(101)의 상부에 대해 가압된다. 이 상태에서, 표면판(100)과 캐리어(200)는 전기 모터 등의 도시되지 않은 구동 수단에 의해 서로에 대해 회전된다. 슬러리 공급 장치(300)로부터의 슬러리(S)는 웨이퍼(W)의 연마속도와 연마 정밀도가 향상될 수 있도록 연마 패드(101)의 상부에 연속적으로 공급된다.
웨이퍼(W)의 연마를 위해 사용되는 슬러리(S)는 예로서, 웨이퍼의 층간 절연막을 연마하기 위한 퓸드 실리카(fumed silica)를 함유하는 슬러리나 금속막을 연마하기 위한 알루미나를 함유하는 슬러리이다. 전자는 순수한 물에 사전 설정된 농도의 실리카가 균일하게 분산된 알칼리 슬러리이고, 대략 11정도의 pH에서 유지되며, 후자는 순수한 물에 금속을 산화시키기 위한 산화제가 용해된 슬러리이며, 대략 2 내지 4정도의 pH에서 유지된다.
슬러리는 웨이퍼의 층간 절연막이 연마될 것인지 아니면 금속막이 연마될 것인지에 따라 선택된다. 어떠한 경우일지라도, 원하는 연마 속도는 실리카 등의 연마제 농도와 pH를 사전설정된 값에서 유지하는 것에 의해 얻어진다.
그러나, CMP 장치내에서 연마를 위해 사용된 슬러리는 연마동안 내부에서 발생 및 용해되고 그 때문에 초기상태로부터 변화된 규산염(silicate) 이온을 함유한다. 더욱이, 연마 이후의 연마제 농도는 변화되고, 그 때문에 그곳에 반복사용하는 것은 불가능하다.
특히, 연마작업 이후의 슬러리(S)는 연마 패드(101)의 연마 잔여물과, 드레싱(dressing) 잔여물과, 다른 크고 작은 이물질이 혼합되어 있다. 만약, 이런 슬러리(S)가 재사용된다면, 웨이퍼(W)는 긁히고, 사용하지 못하게 될 것이다.
따라서, 종래에는 도 4에 도시된 바와 같이, 폐기액 수집기(110; waste liquid receiver)가 표면판(100)둘레에 배치되어있다. 표면판(100)의 원심력에 의해 배출된 슬러리(S)는 폐기액 수집기(110)에 수집되고, 그후 폐기액 탱크(120)내에 저장되며 마지막으로 완전히 폐기된다.
그러나, 웨이퍼(W)를 연마하기 위해 실질적으로 사용된 슬러리(S)는 공급된 슬러리(S)의 양의 단지 약 5%정도이다.
그러므로, 만약, 연마를 위해 실질적으로 사용된 슬러리(S)와 같이 혼합되지 않았다면 재사용 될 수 있었던 잔여분 95%의 슬러리(S)가 폐기된다. 따라서, 대다수의 다량의 슬러리(S)가 낭비된다.
본 발명은 상술한 문제를 제거하기 위한 것으로, CMP 장치를 위한 신규하고 개선된 슬러리 재활용 시스템 및 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 하며, 상기 장치 및 방법은 저장될 사용된 슬러리를 그 본래의 특성이 되게하여 재사용하는 것을 가능하게 하므로서 연마 작업의 비용을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 특성에 따라, CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 그를 통해 흐르는 흐름 통로 수단과, 흐름 통로 수단내에 배치되어 슬러리 내에 혼합된 입자 크기가 0.5 미크론 이상인 이물질들을 여과하는 제 1 필터링 수단과, 상기 제 1 필터링 수단으로부터 이격되어 제 1 필터링 수단의 상류 위치에 배치되어 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 이상인 이물질들을 여과하는 제 2 필터링 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 1 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템은 슬러리내의 연마제 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 수단을 추가로 포함한다.
본 발명의 제 1 특성의 다른 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 수단을 추가로 포함한다.
본 발명의 제 2 특성에 따라서, 그를 통해 CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 흐르는 흐름 통로 수단과, 상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5 미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 흐름 통로내에 배치된 제 1 필터링 수단과, 상기 슬러리내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 2 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템은 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 수단을 추가로 포함한다.
본 발명의 제 3 특성에 따라, 그를 통해 CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 흐르는 흐름 통로 수단과, 상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 흐름통로내에 배치된 제 1 필터링 수단과, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 3 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템은 상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 10미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 제 1 필터링 수단으로부터 이격되어 제 1 필터링 수단의 상류 위치에 배치된 제 2 필터링 수단을 추가로 포함한다.
본 발명의 제 1, 제 2 또는 제 3 특성의 다른 선택된 형태에서, pH 조절 수단은 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하는 pH 조절기를 포함한다.
본 발명의 제 1, 제 2 또는 제 3 특성의 또 다른 선택된 형태에서, 상기 pH 조절 수단은 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하는 pH 조절기와, 사용하는 동안 상기 슬러리내에 생산된 이온을 제거하기 위해 상기 pH 조절기의 상류 위치에 배치된 이온 제거장치를 포함한다.
본 발명의 제 1, 제 2 또는 제 3 특성의 또 다른 선택된 형태에서, 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와, 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나이다.
본 발명의 제 4 특성에서, CMP 장치내에서 사용된 슬러리에 혼합된 0.5미크론 이상의 입자 크기보다 작은 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와, CMP 장치내에 혼합된 10 미크론 이상의 입자 크기의 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 제 1 필터링 단계 이전에 수행되는 제 2 필터링 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법이 제공된다.
본 발명의 제 4 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 방법은 상기 슬러리 내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 단계를 추가로 포함한다.
본 발명의 제 4 특성의 다른 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 방법은 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 추가로 포함한다.
본 발명의 제 5 특성에서, CMP 장치내에서 사용된 슬러리내에 혼합된 0.5미크론 이상의 입자 크기보다 작은 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와, 상기 슬러리내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법이 제공된다.
본 발명의 제 5 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 방법은 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 추가로 포함한다.
본 발명의 제 6 특성에따라, CMP 장치내에서 사용된 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법이 제공된다.
본 발명의 제 5 특성의 선택된 형태에서, CMP 장치용 슬러리 재활용 방법은 상기 슬러리내에 혼합된 10미크론 이상의 입자 크기의 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 제 1 필터링 단계 이전에 수행되는 제 2 필터링 단계를 추가로 포함한다.
본 발명의 제 4, 제 5 또는 제 6 특성의 다른 선택된 형태에서, 상기 pH 조절 단계는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절한다.
본 발명의 제 4, 제 5, 제 6 특성의 또 다른 선택된 형태에서, 상기 pH 조절 단계는 사용중에 상기 슬러리에서 발생된 이온을 제거하고, 그후, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더함에 의해 pH 값을 조절한다.
본 발명의 제 4, 제 5 또는 제 6 특성의 또 다른 선택된 형태에서, 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와, 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나이다.
본 발명의 상술한 바 및 다른 목적과, 특성과, 장점이 첨부된 도면을 참조로 주어진 하기의 본 발명의 선택된 실시예의 기술로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템을 단일 CMP 장치에 적용하는 예를 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템을 단일 CMP 장치에 적용하는 예를 도시하는 개략도.
도 3은 상기 실시예의 변용을 도시하는 개략도.
도 4는 관련 기술에 따른 CMP 장치의 형상을 도시하는 개략도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
4, 7 : 필터 5a : 이온 제거 장치
5b : pH 조절기 6 : 농도 조절 탱크
100 : 표면판 101 : 연마 패드
110 : 폐기액 수집기 120 : 폐기액 탱크
200 : 캐리어
하기에, 본 발명의 선택된 실시예가 첨부된 도면을 참조로 기술된다.
(제 1 실시예)
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템을 단일 CMP 장치에 적용한 예를 도시하는 개략도이다.
도 4에 도시된 부분과 동일한 부분에 대해서는 하기의 설명에서도 동일한 참조 부호를 사용한다.
도 1에서, 참조부호 1은 CMP 장치이고, 참조부호 2는 재활용 시스템이다.
폐기액 수집기(110)와 소통하는 파이프(111)의 배출구에 세방향 코크(three-way cock; 112) 밸브가 설치된 것을 제외하면, CMP 장치(1)는 도 4에 도시된 CMP 장치와 동일하다. 상기 밸브(112)를 조절함에 의해, 사용된 슬러리(S)를 저장 탱크(121)내에 저장하거나, 표면판(100)에 의해 세척된 이후에 대부분이 물인 슬러리(S)를 폐기액 탱크(120)로 배출하는 것이 가능하다.
여기에서, 이해를 돕기 위해, CMP 장치(1)내에서 사용된 슬러리(S)는 퓸드 실리카형 슬러리로 간주한다.
즉, 암모니아(NH3) 또는 수산화 칼륨(KOH)을 용해시킴에 의해 pH가 11정도로 조절된 알칼리 용액에 사전설정된 농도의 퓸드 SiO2연마제(실리카)를 첨가하여 콜로이드질의 슬러리(S)를 만든다(또는, 콜로이드를 형성하도록 물에 SiO2연마제가 첨가되고, 그후 대략 pH 11 정도의 슬러리(S)를 만들도록 암모니아 또는 수산화 칼륨이 첨가된다). 이는 슬러리 공급 장치(300)의 노즐(301)로부터 표면판(100)상으로 공급되고, 상기 표면판(100)위에는 연마 패드(101)가 부착되있고, 캐리어(200)가 웨이퍼(W) 형태의 작업편과 표면판(100)을 서로에대해 회전하도록 유지하고, 웨이퍼(W)를 연마한다. 폐기액 수집기(110)로 배출되고 파이프(111)를 통과한 슬러리(S)는 밸브(112)를 통해 저장 탱크(121)에 저장된다.
슬러리를 만들도록 물내에 금속 산화물 파우더가 분산될 때 pH를 높이거나 감소시키도록 조절하기 위해 산이나 알칼리를 추가하는 것도 가능하다.
재활용 시스템(2)은 CMP 장치(1)에 의해 재사용될 수 있도록 저장 탱크(121)내에 저장된 슬러리(S)의 재사용을 가능하게 하는 기술이다. 재활용 시스템(2)은 흐름 통로 또는 배관(Fp)의 형태인 흐름 통로 수단과, 필터(4)의 형태인 제 2 필터링 수단과, 이온 제거장치(5a)와, pH 조절기(5b)의 형태인 pH 조절 수단과, 농도 조절 탱크(6)의 형태인 농도 조절 수단과, 흐름 통로(Fp)내에 연속적으로 배열된 필터(7) 형태의 제 1 필터링 수단을 포함한다.
흐름 통로(Fp)는 펌프(3)에 의해 저장 탱크(121)내의 슬러리(S)를 필터(4)와, 이온 분해 장치(5a)와, pH 조절기(5b)와, 농도 조절 탱크(6)와, 분리된 펌프(도시되지 않음)를 사용하는 필터(7) 등으로 연속적으로 안내하는 역할을 한다.
필터(4)는 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 이상인 이물질을 여과하는 역할을 한다. 특히, 상기 필터는 10 미크론 내지 200 미크론의 그물(41)을 가진 카트리지형 필터이다.
즉, 저장 탱크로부터의 슬러리(S)를 필터(4)의 그물(41)을 통과시키므로서 연마 패드(101)의 오염물과, 연마 불순물과, 드레싱 불순물과, CMP 장치에 의해 연마시에 발생한 다른 이물질의 혼함물을 제거하는 것이 가능하고, 그물(41)상에 퇴적시키므로서 큰 입자 크기의 응고된 슬러리를 제거하는 것이 가능하다.
이온 분해장치(5a)와 pH 조절기(5b)는 필터(4)에 의해 개략적으로 여과된 슬러리(S)의 pH를 사용전의 pH값 즉 초기 pH값으로 복귀시키는 역할을 한다.
이온 분해 장치(5a)는 필터(4)를 통과한 슬러리(S)내에 존재하는 잉여 이온을 제거하기 위해 카트리지형 이온 교환 수지와, 이온 교환 필름 등을 포함한다. 이온 분해장치(5a)는 필터(4)의 배출 측면에 부착된다.
특히, cmp 장치(1)에 의해 연마된 웨이퍼(W)가 실리콘 웨이퍼등일 때, 실리케이트 이온 등은 연마 도중에 때때로 웨이퍼(W)로부터 슬러리(S)내로 용해되고, 따라서, 슬러리(S)의 pH는 11로부터 9.5 또는 12 등으로 변화된다. 더욱이, 만약, 잉여 이온이 슬러리(S)에 용해되어 있다면, 슬러리(S)는 응고되기 쉽다. 따라서, pH를 대략 11 부근으로 만들고, 슬러리(S)의 콜로이드 상태를 유지하기 위해 잉여 이온은 이온 분해 장치(5a)에 의해 슬러리(S)로부터 제거된다.
pH 조절기(5b)는 이온 분해 장치(5a)에 초과 또는 불충분한 이온 제거가 있을 때, 실질적으로 완전한 초기 pH값으로 슬러리(S)의 pH를 복귀시키는 역할을 한다. pH 조절기(5b)는 탱크(52)와, 교반기(53)와, 공급 파이프(54) 및 pH 메터(55)를 포함한다.
즉, 이온 분해 장치(5a)로부터의 슬러리(S)는 이온 분해 장치(5a)의 배출 측면에 연결된 흐름 통로(Fp)를 경유하여 탱크(52)내에 저장된다. 산성용제 또는 알칼리성 용제가 교반기(53)에 의해 흔들리면서 공급 파이프(54)로부터 슬러리(S)의 내측으로 공급된다.
보다 명확하게, pH 메터(55)는 탱크(52)내의 슬러리(S)의 pH를 측정한다. 측정된 pH값이 초기 pH값 보다 낮을 때, 즉, 슬러리가 산성을 띌 때, 수산화 칼륨, 암모니아, 아민 기질, 4기(quaternary) 수산화 암모늄 등의 알칼리성 용제가 공급 파이프(54)로부터 슬러리(S)에 부가된다. 대조적으로, 측정된 pH값이 초기 pH값 보다 높을 때, 즉, 슬러리가 알칼리성을 띌 때, 염화수소산, 질소산, 일산화수소 등의 산성 용제가 슬러리(S)에 부가된다. 더욱이, pH 메터(55)에 의해 측정된 값이 실질적으로 11일 때, 산성 용제 등의 공급이 중단되고, 탱크(52)내의 슬러리(S)는 펌프(도시되지 않음) 등에 의해 농도 조절 탱크(6)로 보내진다.
농도 조절 탱크(6)는 슬러리(S)내의 실리카 등의 연마제의 농도를 초기 농도로 복귀시킨다. 농도 조절 탱크(6)는 탱크 본체(60)와, 공급 파이프(61)와, 농도 메터(62)를 구비한다. 특히, 슬러리(S)내의 실리카의 농도는 CMP 장치(1)의 연마 작업동안 드레싱 및 세척에 따라 하락되고, 그래서 실리카의 농도는 농도 조절 탱크(6)에 의해 복귀된다.
보다 명확하게, pH 조절기(5b)로부터 보내진 슬러리(S)는 탱크 본체(60)내에 저장되고, 상기 탱크 본체 내에서 고농도의 콜로이드 상태의 실리카를 함유하는 새로운 슬러리(S')가 공급 파이프(61)로부터 탱크 본체(60) 내의 슬러리(S)에 더해지고, 슬러리(S)의 농도가 상승된다. 이와 동시에, 슬러리(S)의 농도 변화가 농도 메터(62)에 의해 측정된다. 측정된 값이 슬러리(S)의 초기 실리카 농도에 도달하였을 때, 슬러리(S')의 공급이 중단되고, 탱크 본체(60)내의 슬러리(S)가 도시되지 않은 펌프 등에 의해 필터(7)로 보내진다.
필터(7)는 농도 조절 탱크(6)로부터 보내진 슬러리(S)내에 혼합된 입자 크기가 0.5 미크론 이상인 이물질과 다소 큰 응고된 슬러리를 여과하는 역할을 한다. 특히, 이는 0.5 내지 10 미크론의 그물(71)을 가진 카트리지형 필터이다.
즉, 슬러리(S)내에 혼합된 이물질의 대부분은 필터(4)를 통과할 때 제거되나, 크기가 10 미크론 미만인 작은 이물질들은 종종 잔류한다. 만약, 이 슬러리(S)가 재사용된다면, 웨이퍼(W)상에 셀수없이 많은 작은 긁힘들이 형성된다. 그러므로, 필터(7)는 실질적으로 이물질을 완전히 제거하여 재사용시 웨이퍼(W)의 긁힘을 실질적으로 완전히 방지하기 위해 사용된다.
필터(7)의 구조는 단일 그물 구조일 필요는 없다. 필터(7)는 깊이 심부(deep) 필터부와 표면 필터부를 포함하는 이중구조를 가질 수 있다.
즉, 심부 필터부는 부직포 편물층, 스폰지, 편물, 다공체, 모래층이나 0.5내지 10 미크론의 구멍을 가진 다른 필터 재료로 형성될 수 있고, 그렇게 형성된 심부 필텁 뒤에 와이어 그물, 수지 그물, 막, 편물, 종이(필터 종이)나 5 내지 10 미크론의 그물 크기를 가진 다른 필터 재료들로 형성된 표면 필터부가 배치된다. 이 구조에서는, 심부 필터부에서, 처음에 슬러리를 개략적으로 여과하고, 그후 시간의 경로를 따라 미세하게 여과하는 것이 가능하다. 더욱이, 심부 필터부를 통과한 이물질 사이에서 0.5 미크론 이상의 크기를 가진 물질을 완전히 여과하는 것이 가능하다.
필터(7)의 배출측면에서, 배관 등의 흐름 통로(Fp)의 흡입구가 연결되고, 그 배출구는 슬러리 공급 장치(300)에 연결된다.
이후, 본 발명의 제활용 시스템의 작동을 설명한다.
이 측면에서, 재활용 시스템의 작동은 본 발명에 따른 재활용 방법의 단계를 구체적으로 달성한다
CMP 장치(1)의 수단에 의해 실리콘 웨이퍼(W)의 형태인 작업편이 형성되었을 때, 웨이퍼(W)는 회전 캐리어(200)에 의해 회전 표면판(100)의 연마 패드(101)에 대해 가압된다. 퓸드 실리카형 슬러리(S)는 슬러리 공급 장치(300)로부터 표면판(100)으로 연속적으로 공급된다.
따라서, 웨이퍼(W)의 층간 절연막은 웨이퍼(W)와 연마 패드(101)사이에 존재하는 슬러리(S)에 의해 평탄화 또는 증대되며 균일해진다.
이때, 표면판(100)상의 슬러리(S)는 표면판(100)의 원심력에 의해 폐기액 수집기(110)로 배출되고, 파이프(111)와 밸브(112)를 통해 저장 탱크(121)내에 저장된다.
저장탱크(121)내에 저장된 슬러리(S)는 펌프(3)에 의해 흐름통로(Fp)로 공급된다. 먼저, 필터(4)는 슬러리(S)내의 큰 연마 불순물과 입자 크기가 10 미크론 이상인 다른 이물질들을 제거한다(제 2 필터링 단계)
연속적으로, 슬러리(S)는 이온 분해 장치(5a)를 통과하고, 이온 분해 장치(5a)에 의해 슬러리(S)내에 용해된 다른 이온과 실리케이트 이온이 제거된다. 따라서, 여과된 슬러리(S)는 pH 조절기(5b)의 탱크(52)내에 저장된다.
이때, 슬러리(S)내의 이온이 실질적으로 완전하게 이온 분해 장치(5a)에 의해 제거되고, pH 메터(55)에 의해 지시되는 슬러리(S)의 pH값이 실질적으로 11일 때, 탱크(52)내의 슬러리(S)는 농도 조절 탱크(6)의 탱크 본체(60)로 보내진다. 이와 대조적으로, 이온 분해 장치(5a)에서의 이온 분해가 초과하거나 불충분하고, pH 메터(55)에 의해 지시되는 pH값이 11로부터 현저하게 다를때에는 암모니아 등의 알칼리성 용제 또는 염화수소산 등의 산성 용제가 공급 파이프(54)로부터 탱크(52)내의 슬러리(S)에 첨가되고, 그래서 그 pH값을 조절한다. pH 메터(55)에 의해 지시된 pH값이 실질적으로 11이 되었을 때, 알칼리성이나 산성 용제의 공급이 중단되고, 탱크(52)내의 슬러리(S)는 탱크 본체(60)로 보내진다(pH 조절 단계).
슬러리(S)가 농도 조절 탱크(6)의 탱크 본체(60)내에 저장되었을 때, 실리카의 농도가 측정되고, 농도 메터(62)에 의해 표시된다. 실리카 농도가 초기 농도보다 작다면, 고 농도 슬러리(S')가 공급 파이프(61)로부터 탱크 본체(60)로 농도 메터(62)가 실질적으로 초기값을 나타낼 때 까지 공급된다. 초기값이 나타났을 때, 공급 파이프(61)로부터의 슬러리(S')의 공급이 중단되고, 탱크 본체(60) 내의 슬러리(S)가 필터(7)로 보내진다(농도 조절 단계). 이것이 슬러리의 점성 변화에 기인하는 연마 속도의 변화를 방지하고, 안정된 연마 작업을 가능하게 한다.
더욱이, 슬러리(S)내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 미만인 작은 이물질(즉, 약 0.5 미크론 내지 10 미크론)은 필터(7)에 의해 제거되고, 그렇게 여과된 슬러리(S)는 슬러리 공급 장치(300)로 보내진다(제 1 필터링 스텝).
이방식에서, 내부에 혼합된 이물질이 제거되고, 그 pH 및 복귀된 실리카 농도가 실질적으로초기값이된 슬러리(S)는 슬러리 공급장치(300)로 되돌아가고, 표면판(100)에 재공급 된다.
이때, 슬러리(S)내의 이물질은 실질적으로 완전히 제거되고, 이 슬러리(S)가 사용되더라도 웨이퍼(W)가 긁히지 않는다. 부가적으로, 슬러리(S)내의 pH와 실리카 농도는 실질적으로 초기값으로 복귀되고, 웨이퍼(W)의 연마 속도는 사용전의 상태와 실질적으로 변화되지 않으며, 안정된 연마 작업이 이루어진다.
여기에서, CMP 장치(1)에 의한 연마의 종료 이후에, 물이 표면판(100)과 케리어(200)위에 세척을 위해 분사된다. 그위에 침전된 슬러리(S)는 폐기액 수집기(100)로 배출되고, 파이프(111)와 밸브(112)를 통해 폐기액 탱크(120)내에 저장되고, 그후 폐기된다.
본 실시예의 재활용 시스템에 따라서, 사용된 슬러리(S)를 폐기하지 않고 다시 사용하는 것이 가능하며, 슬러리(S)의 낭비를 방지하며, 그 결과로 연마작업의 비용을 감소시킨다.
(제 2 실시예)
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템을 단일 CMP 장치에 적용한 예를 도시하는 개략적인 도면이다.
도 1에 도시된 부분과 동일한 부분에는 동일한 참조 부호가 주어진다.
CMP 장치(1')는 밸브(112)로부터의 슬러리(S)를 슬러리 공급 장치(300)로 피드 백하기 위한 배관과, 배관내에 연속적으로 배치된 필터(4 및 7)를 구비한다.
이 배열에서, 폐기액 수집기(110)내로 배출된 슬러리(S)는 밸브(112)를 통해 필터(4, 7)로 흐른다. 필터(4, 7)는 슬러리내부에 혼합된 크고 작은 이물질을 제거하고, 그후, 슬러리(S)는 슬러리 공급 장치(300)로 공급되며, 자동으로 재사용된다.
따라서, 본 재활용 시스템에는 농도 조절장치나 pH 조절장치가 없기 때문에, 슬러리(S)의 재사용 회수는 제 1 실시예의 재활용 시스템보다 작아진다. 그러나, 시스템의 단순화를 통해 가격을 감소시키는 것을 가능하게 한다.
제 2 실시예의 나머지 구성, 작동 및 효과는 제 1 실시예와 동일하므로 그 부가적인 기술은 생략한다.
여기에서, 본 발명은 상술한 실시예에 제한되지 않고 첨부된 청구범위에 규정된 본 발명의 범위와 정신 내에서 다양한 변용 및 변화가 가능함을 인지하여야 한다.
예로서, 비록 상술한 제 1 실시예에서, 본 발명이 슬러리(S)가 실질적으로 그 원래 또는 초기 상태로 복귀될 수 있는 단일 CMP 장치(1)에 적용되었지만, 본 실시예의 재활용 시스템은 크기의 측면에서 현저하게 크다. 따라서, 실제 사용시는 도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 CMP 장치(1-1 내지 1-n)로 슬러리를 피드백하는 단일 시스템(2)을 사용하는 것이 바람직하다.
더욱이, 다수의 CMP 장치(1-1 내지 1-n)에서 발생된 사용된 슬러리(S)를 분리된 위치에 설치된 재활용 시스템에 의해 탱크내로 복귀시키고, 그후, 재사용을 위해 이를 다시 CMP 장치(1-1 내지 1-n)로 분산시키는 것이 가능하다.
제 1 실시예에서, 웨이퍼(W)의 층간 절연막을 연마하기 위해 사용된 퓸드 실리카형 슬러리가 재생을 위한 슬러리(S)로 사용되지만, 퓸드 금속 산화물 슬러리, 콜로이드형 슬러리, 또는 물이나 유기 용매에 분산된 금속 산화물 소결 파우러의 미세 입자를 포함하는 슬러리등도 유사하게 재생될 수 있다. 이런 슬러리의 몇몇 예는 퓸드 알루미나 슬러리, 졸화 지르코니아 슬러리, 무기 금속 수용액으로부터 생산된 콜로이드형 실리카 슬러리, 콜로이드형 지르코니아 슬러리등이다.
더욱이, 상술한 제 1 실시예에서, 필터(4)와, 이온 분해 장치(5a) 및 pH 조절기(5b)와, 농도 조절 탱크(6)와, 필터(7)가 흐름 통로에 상술한 순서로 배열되어있지만, 그 배치 순서는 이에 제한되지 않는다. 슬러리(S)내의 이물질을 제거하기 위한 순서는 먼저 필터(4)에 의해 큰 이물질을 제거하고, 그후 필터(7)에 의해 남아있는 작은 이물질을 제거하여 필터(7)상의 하중을 가능한 많이 감소시키는 것이 바람직하다.
더욱이, 본 발명은 필터(4)와 필터(7) 모두를 필요로 하지는 않는다. 따라서, 본 발명은 단지 농도 조절탱크(6)와 필터(7)만을 구비하는 형상과, 단지 pH 조절기(5b)와 필터(7)를 구비하는 다른 형상과, 단지 pH 조절기(5b)와 농도 조절 탱크(6)와 필터(7)만을 구비하는 또다른 형상을 포함할 수 있다.
여기에서, 필터(4)나 필터(7)에 부가될 장치를 위한 우선 순위는 농도 조절 탱크(6)와 pH 조절기(5b)이다.
더욱이, 필터(4, 7)가 제 1 및 제 2 필터링 수단으로 사용되는 반면에, 본 발명은 거기에 제한되지는 않는다. 10 미크론 이상 또는 10 미크론 이하의 크기의 입자를 제거할 수 있는 모든 공지된 기술이 사용될 수 있다.
더욱이, 이온 분해 장치(5a)와 pH 조절기(5b)가 pH 조절 수단으로 사용되는 반면에, 슬러리(S)의 pH를 조절할 수 있는 모든 공지된 기술을 사용할 수 있다.
더욱이, 탱크 본체(60)와 공급 파이프(61)을 구비한 장치가 농도 조절 수단으로서 사용되지만, 슬러리(S)내의 연마제 농도를 조절할 수 있는 모든 공지된 기술이 사용될 수 있다. 예로서, pH 조절기(5b)로부터 시레믹 필터나 플라스틱 또는 반투성막을 구비한 수지 필터를 통과시켜서 슬러리(S)를 집중시키는 것이 가능하다.
더욱이, 단지 두 개의 필터(4, 7)만이 상술한 제 2 실시예에 제공되는 반면에, 이 필터 사이에 시레믹 필터 등 및/또는 이온 분해장치(5a) 등을 포함하는 농도 조절 수단을 제공하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라서, 제 2 필터링 수단을 제공함에 의해, 연마 불순물 및 다른 이물질을 여과하고, 따라서, 슬러리의 재사용시에 웨이퍼 등의 작업편의 긁힘을 방지하는 것이 가능하며, 그래서, 동일한 슬러리를 복수회 재사용할 수 있으므로, 연마작업의 비용을 감소시키는 결과를 가져온다.
더욱이, 농도 조절 수단을 제공함에 의해, 슬러리내의 연마제 농도를 실질적으로 사용전의 농도로 복귀시키는 것이 가능하고, 그래서 작업편의 긁힘을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 슬러리의 연마 특성을 실질적으로 사용전의 특성으로 복귀시키는 것이 가능하다. 결과적으로, 동일한 슬러리의 재사용 회수를 증가시키는 것이 가능하고, 그에의해 연마 작업의 비용이 부가적으로 감소된다.
더욱이, pH 조절 수단을 설치함에 의해, 이물질을 제거하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 pH값으로 복귀시키는 것이 가능하고, 그래서 실질적으로 동일한 연마 속도가 새로운 슬러리를 사용할 때와 마찬가지로 슬러리를 재사용할때에도 얻어진다.
본 발명이 예시의 목적을 위해 선택된 특정 실시예를 참조로 기술되었지만, 본 기술 분야의 숙련자들에게 본 발명의 범위와 기본 개념을 벗어나지 않고 다양한 변용이 만들어질 수 있음은 명백하다.

Claims (32)

  1. CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템에 있어서,
    CMP 장치 내에서 사용된 슬러리가 흐르는 흐름통로 수단과,
    상기 슬러리 내에 혼합된 입자 크기가 0.5미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 흐름 통로내에 배치된 제 1 필터링 수단과,
    상기 슬러리 내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 제 1 필터링 수단으로부터 이격되어 제 1 필터링 수단의 상류 위치에 배치된 제 2 필터링 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 슬러리내의 연마제 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 수단을 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 시스템을 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  4. CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템에 있어서,
    CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 흐르는 흐름 통로 수단과,
    상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5 미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 흐름 통로내에 배치된 제 1 필터링 수단과,
    상기 슬러리내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 수단을 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  6. CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템에 있어서,
    CMP 장치내에서 사용된 슬러리가 흐르는 흐름 통로 수단과,
    상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 흐름통로내에 배치된 제 1 필터링 수단과,
    상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 수단을 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 10미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 제 1 필터링 수단으로부터 이격되어 제 1 필터링 수단의 상류 위치에 배치된 제 2 필터링 수단을 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 pH 조절기를 포함하고,
    상기 pH 조절기는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  9. 제 3 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 pH 조절기와,
    사용하는 동안 상기 슬러리내에 생산된 이온을 제거하기 위해 상기 pH 조절기의 상류 위치에 배치된 이온 제거장치를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  11. CMP 장치용 슬러리 재활용 방법에 있어서,
    CMP 장치내에서 사용된 슬러리에 혼합된 0.5미크론 이상의 입자크기 보다 작은 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와,
    CMP 장치내에 혼합된 입자 크기가 10 미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위해 상기 제 1 필터링 단계 이전에 수행되는 제 2 필터링 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 슬러리 내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 단계를 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  14. CMP 장치용 슬러리 재활용 방법에 있어서,
    CMP 장치내에서 사용된 슬러리내에 혼합된 0.5미크론 이상의 입자 크기보다 작은 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와,
    상기 슬러리내의 연마제의 농도를 실질적으로 사용전의 초기값으로 조절하기 위한 농도 조절 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  16. CMP 장치용 슬러리 재활용 방법에 있어서,
    CMP 장치내에서 사용된 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 0.5미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하는 제 1 필터링 단계와,
    상기 슬러리의 pH를 실질적으로 사용전의 초기 pH값으로 조절하기 위한 pH 조절 단계를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 슬러리내에 혼합된 입자 크기가 10미크론 이상인 이물질을 필터로 여과하기 위하여 상기 제 1 필터링 단계 이전에 수행되는 제 2 필터링 단계를 추가로 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 사용중에 상기 슬러리에서 발생된 이온을 제거하고,
    그후, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  21. 제 5 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 pH 조절기를 포함하고,
    상기 pH 조절기는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  22. 제 6 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 pH 조절기를 포함하고,
    상기 pH 조절기는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  23. 제 5 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 pH 조절기와,
    사용하는 동안 상기 슬러리내에 생산된 이온을 제거하기 위해 상기 pH 조절기의 상류 위치에 배치된 이온 제거장치를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  24. 제 6 항에 있어서, 상기 pH 조절 수단은 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 pH 조절기와,
    사용하는 동안 상기 슬러리내에 생산된 이온을 제거하기 위해 상기 pH 조절기의 상류 위치에 배치된 이온 제거장치를 포함하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  25. 제 4 항에 있어서, 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  26. 제 6 항에 있어서, 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 시스템.
  27. 제 15 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  28. 제 16 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  29. 제 15 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 사용중에 상기 슬러리에서 발생된 이온을 제거하고,
    그후, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  30. 제 16 항에 있어서, 상기 pH 조절 단계는 사용중에 상기 슬러리에서 발생된 이온을 제거하고,
    그후, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 낮을 때는 상기 슬러리에 알칼리성 용제를 더하여 pH 값을 조절하고, 상기 슬러리의 pH가 사용전의 초기 pH값보다 높을 때는 상기 슬러리에 산성 용제를 더하여 pH 값을 조절하는 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  31. 제 14 항에 있어서, 상기 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
  32. 제 16 항에 있어서, 상기 상기 슬러리는 이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속 산화물의 연무형상 미립자 분말로 구성되는 슬러리와,
    이산화규소, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 이산화 티탄을 생산할 수 있는 유기 금속염의 용액 또는 무기 금속염 수용액중 하나 이상으로부터 생산된 콜로이드형 이산화규소, 콜로이드형 알루미나, 콜로이드형 산화 지르코늄, 콜로이드형 산화 세륨, 콜로이드형 이산화 티탄을 포함하는 슬러리와,
    알루미나, 산화 지르코늄, 산화 세륨, 망간 산화물 또는 물과 유기 용매중 하나에 콜로이드 형상으로 분산되는 다른 금속의 소결 분말을 포함하는 슬러리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나인 CMP 장치용 슬러리 재활용 방법.
KR1019980023325A 1997-06-23 1998-06-22 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법 KR19990007187A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18307397A JPH1110540A (ja) 1997-06-23 1997-06-23 Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
JP97-183073 1997-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990007187A true KR19990007187A (ko) 1999-01-25

Family

ID=16129286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980023325A KR19990007187A (ko) 1997-06-23 1998-06-22 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6106728A (ko)
JP (1) JPH1110540A (ko)
KR (1) KR19990007187A (ko)
TW (1) TW400268B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020003704A (ko) * 2000-06-27 2002-01-15 장정훈 씨엠피 장치의 슬러리 재생모듈
KR20230120806A (ko) * 2022-02-10 2023-08-17 에스케이실트론 주식회사 연마용 슬러리 회수장치 및 그 방법

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6315906B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-13 United States Filter Corporation Removing metal ions from wastewater
US6346195B1 (en) * 1998-07-10 2002-02-12 U.S. Filter Corporation Ion exchange removal of metal ions from wastewater
JP4113288B2 (ja) * 1998-09-04 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法
JP2000080350A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
US6250994B1 (en) 1998-10-01 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads
KR100447987B1 (ko) * 1998-10-27 2004-11-09 주식회사 하이닉스반도체 화학기계적연마공정용슬러리공급장치
JP2000198062A (ja) * 1998-11-04 2000-07-18 Canon Inc 研磨装置及び研磨方法
JP3538042B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 松下電器産業株式会社 スラリー供給装置及びスラリー供給方法
US6280300B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-28 Ebara Corporation Filter apparatus
JP3426149B2 (ja) * 1998-12-25 2003-07-14 富士通株式会社 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置
JP2000237952A (ja) * 1999-02-19 2000-09-05 Hitachi Ltd 研磨装置および半導体装置の製造方法
US6407000B1 (en) * 1999-04-09 2002-06-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatuses for making and using bi-modal abrasive slurries for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6599836B1 (en) 1999-04-09 2003-07-29 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
JP3708748B2 (ja) * 1999-04-23 2005-10-19 松下電器産業株式会社 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法
JP4759779B2 (ja) * 1999-09-09 2011-08-31 日立化成工業株式会社 基板の研磨方法
US6203412B1 (en) * 1999-11-19 2001-03-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Submerge chemical-mechanical polishing
JP3778747B2 (ja) * 1999-11-29 2006-05-24 株式会社荏原製作所 砥液供給装置
US6287172B1 (en) * 1999-12-17 2001-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for improvement of tungsten chemical-mechanical polishing process
US6402599B1 (en) * 2000-05-03 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Slurry recirculation system for reduced slurry drying
US6267641B1 (en) * 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
US6294472B1 (en) * 2000-05-23 2001-09-25 Advanced Micro Devices, Inc. Dual slurry particle sizes for reducing microscratching of wafers
KR20020003939A (ko) * 2000-06-27 2002-01-16 장정훈 씨엠피 장치의 슬러리 재생 시스템
WO2002001618A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Nymtech Co., Ltd. Slurry recycling system and method for cmp apparatus
US6623329B1 (en) * 2000-08-31 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a microelectronic substrate relative to a planarization pad
US6558238B1 (en) * 2000-09-19 2003-05-06 Agere Systems Inc. Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry
JP3789296B2 (ja) * 2000-11-17 2006-06-21 リオン株式会社 研磨液の製造装置
US6709313B2 (en) * 2000-11-17 2004-03-23 Rion Co., Ltd. Apparatus for producing polishing solution and apparatus for feeding the same
US6896776B2 (en) 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6572460B2 (en) * 2001-01-31 2003-06-03 Nidek Co., Ltd. Tank unit for grinding water used in processing eyeglass lens, and eyeglass lens processing apparatus having the same
US6623331B2 (en) 2001-02-16 2003-09-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing disk with end-point detection port
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7323416B2 (en) 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) * 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7128825B2 (en) * 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6398627B1 (en) * 2001-03-22 2002-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles
US7059943B2 (en) 2001-06-28 2006-06-13 Seh America, Inc. Method and apparatus for recycling slurry
US7601643B1 (en) * 2001-08-30 2009-10-13 Lsi Logic Corporation Arrangement and method for fabricating a semiconductor wafer
US20030211747A1 (en) * 2001-09-13 2003-11-13 Nyacol Nano Technologies, Inc Shallow trench isolation polishing using mixed abrasive slurries
US6458020B1 (en) * 2001-11-16 2002-10-01 International Business Machines Corporation Slurry recirculation in chemical mechanical polishing
JP2003205463A (ja) * 2002-01-11 2003-07-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Ｃｍｐ研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
US20030190426A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Deenesh Padhi Electroless deposition method
JP2004075859A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Chubu Kiresuto Kk 研磨スラリーの清浄化法
JP4397153B2 (ja) * 2002-08-30 2010-01-13 株式会社ニデック 研削水タンク装置
EP1610365B1 (en) * 2003-03-18 2012-08-08 Nomura Micro Science Co., Ltd. Material for purification of semiconductor polishing slurry, module for purification of semiconductor polishing slurry and process for producing semiconductor polishing slurry
US6929532B1 (en) * 2003-05-08 2005-08-16 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for filtering a chemical polishing slurry of a wafer fabrication process
US7390429B2 (en) 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US6984166B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Zone polishing using variable slurry solid content
JP4026573B2 (ja) * 2003-09-24 2007-12-26 株式会社デンソー 電子装置を収納するパッケージの製造方法
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
US7390744B2 (en) 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
TWI235425B (en) * 2004-05-26 2005-07-01 Promos Technologies Inc Etching system and method for treating the etching solution thereof
JP2006099943A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Showa Denko Kk 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法
JP2006165104A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Toshiro Doi 化学的機械研磨方法並びに装置、及び、化学的機械研磨加工におけるスラリー再生方法並びに装置
US7488423B2 (en) * 2005-08-02 2009-02-10 Siemens Water Technologies Holding Corp. System and method of slurry treatment
JP2007063374A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Nitta Haas Inc 研磨組成物用添加剤
US7427227B2 (en) * 2005-08-30 2008-09-23 Denso Corporation Method and apparatus for fluid polishing
US20070151866A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with surface pretreatment
JPWO2007097046A1 (ja) * 2006-02-24 2009-07-09 株式会社Ｉｈｉ回転機械 シリコン粒子の処理方法及び装置
JP2007319974A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nomura Micro Sci Co Ltd 半導体研磨用スラリーの回収方法及び回収システム並びに再生方法及び再生システム
TWI417430B (zh) * 2006-08-25 2013-12-01 Applied Materials Inc 基板研磨液之使用點處理方法與系統
SG174019A1 (en) * 2006-08-28 2011-09-29 Siemens Water Tech Corp System and method of slurry treatment
US7651384B2 (en) * 2007-01-09 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method and system for point of use recycling of ECMP fluids
US7820051B2 (en) * 2007-02-23 2010-10-26 International Business Machines Corporation Recycling of electrochemical-mechanical planarization (ECMP) slurries/electrolytes
JP5148948B2 (ja) * 2007-08-23 2013-02-20 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 研磨用スラリーのリサイクル方法
JP5207002B2 (ja) 2008-02-27 2013-06-12 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の再生方法
KR100985861B1 (ko) * 2008-09-24 2010-10-08 씨앤지하이테크 주식회사 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법
US20100144245A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Shei-Kai Chang Methods and apparatus for chemical-mechanical polishing utilizing low suspended solids polishing compositions
JP2010167551A (ja) 2008-12-26 2010-08-05 Nomura Micro Sci Co Ltd 使用済みスラリーの再生方法
US20110070811A1 (en) * 2009-03-25 2011-03-24 Applied Materials, Inc. Point of use recycling system for cmp slurry
WO2010111291A2 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Applied Materials, Inc. Point of use recycling system for cmp slurry
JP5358266B2 (ja) * 2009-04-24 2013-12-04 野村マイクロ・サイエンス株式会社 排スラリー中の有用固形成分の回収方法
JP5461918B2 (ja) * 2009-08-19 2014-04-02 株式会社ディスコ 加工廃液処理装置
DE102009044204A1 (de) 2009-10-08 2011-04-28 Fab Service Gmbh Wiederaufbereitungsverfahren und Wiederaufbereitungsvorrichtung zur Wiederaufbereitung von Slurry-Abwasser aus einem Halbleiterbearbeitungs-prozess, insbesondere aus einem chemisch-mechanischen Polierprozess
US20110177623A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Confluense Llc Active Tribology Management of CMP Polishing Material
US8557134B2 (en) * 2010-01-28 2013-10-15 Environmental Process Solutions, Inc. Accurately monitored CMP recycling
WO2011121906A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 コニカミノルタオプト株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板
US20120042575A1 (en) * 2010-08-18 2012-02-23 Cabot Microelectronics Corporation Cmp slurry recycling system and methods
SG2014009229A (en) * 2011-09-01 2014-04-28 Shinetsu Handotai Kk Method for polishing silicon wafer and polishing agent
US8696404B2 (en) 2011-12-21 2014-04-15 WD Media, LLC Systems for recycling slurry materials during polishing processes
WO2013094399A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 コニカミノルタ株式会社 研磨材再生方法及び再生研磨材
EP2799185B1 (en) * 2011-12-27 2017-02-01 Konica Minolta, Inc. Method for separating polishing material and regenerated polishing material
US9259668B2 (en) * 2012-02-17 2016-02-16 Jsr Corporation Cleaning method of immersion liquid, immersion liquid cleaning composition, and substrate
JP6302708B2 (ja) * 2013-03-29 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 ウェットエッチング装置
CN103264352A (zh) * 2013-04-26 2013-08-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 大型环抛机的抛光液循环过滤注液装置
CN105313015B (zh) * 2014-07-29 2019-08-16 盛美半导体设备（上海）有限公司 抛光液过滤装置
JP6206388B2 (ja) * 2014-12-15 2017-10-04 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの研磨方法
JP6654457B2 (ja) * 2016-02-10 2020-02-26 株式会社荏原製作所 基板処理装置用排水システム、排水方法及び排水制御装置並びに記録媒体
US11318577B2 (en) * 2016-06-16 2022-05-03 Texas Instruments Incorporated System and method of delivering slurry for chemical mechanical polishing
US11642754B2 (en) * 2018-08-30 2023-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry recycling for chemical mechanical polishing system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0340537A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Canon Inc ネットワークシステム
JP3277427B2 (ja) * 1994-01-31 2002-04-22 ソニー株式会社 平坦化方法および研磨装置
JPH07316846A (ja) * 1994-05-27 1995-12-05 Asahi Chem Ind Co Ltd ケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法
JP3438410B2 (ja) * 1995-05-26 2003-08-18 ソニー株式会社 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法
US5664990A (en) * 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
US5932486A (en) * 1996-08-16 1999-08-03 Rodel, Inc. Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020003704A (ko) * 2000-06-27 2002-01-15 장정훈 씨엠피 장치의 슬러리 재생모듈
KR20230120806A (ko) * 2022-02-10 2023-08-17 에스케이실트론 주식회사 연마용 슬러리 회수장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6106728A (en) 2000-08-22
JPH1110540A (ja) 1999-01-19
TW400268B (en) 2000-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19990007187A (ko) 화학적 기계 연마 장치용 슬러리 재활용 시스템 및 방법
US6126531A (en) Slurry recycling system of CMP apparatus and method of same
US6830679B2 (en) Filtration device
US5664990A (en) Slurry recycling in CMP apparatus
KR100354218B1 (ko) 연마제입자의회수방법
TWI480126B (zh) 用於回收使用過之漿體的方法
US7381323B2 (en) Filtration apparatus
US7014770B2 (en) Filtering method of a colloidal solution
US20080314832A1 (en) Method of filtering
US7157012B2 (en) Water treatment device and water treatment method using the same
KR20110038670A (ko) 여과 방법 및 그것을 사용한 연마용 조성물의 정제 방법 및 여과에 사용하는 필터의 재생 방법 및 필터 재생 장치
JP2002331456A (ja) 研磨材の回収装置
US20030095894A1 (en) Method of filtering
JP4824976B2 (ja) 半導体ウェハの研磨方法
JP5163078B2 (ja) 研磨装置とその方法
JP2008034827A (ja) 化学的機械研磨材のリサイクル方法及びその装置
US6929532B1 (en) Method and apparatus for filtering a chemical polishing slurry of a wafer fabrication process
JP2008028232A (ja) 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法
US6053802A (en) Stabilization of slurry used in chemical mechanical polishing of semiconductor wafers by megasonic pulse
JP5850192B1 (ja) 研磨材の回収方法
JP2000158341A (ja) 研磨方法及び研磨システム
JP2002083789A (ja) 研磨材の回収装置
JP2002016027A (ja) 研磨材の回収装置
KR19980065750A (ko) Cmp 장치의 슬러리 공급 수단
JP4534241B2 (ja) 研磨材の回収方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application