JP2003205463A - Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法 - Google Patents

Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法

Info

Publication number
JP2003205463A
JP2003205463A JP2002004417A JP2002004417A JP2003205463A JP 2003205463 A JP2003205463 A JP 2003205463A JP 2002004417 A JP2002004417 A JP 2002004417A JP 2002004417 A JP2002004417 A JP 2002004417A JP 2003205463 A JP2003205463 A JP 2003205463A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
abrasive
polishing agent
polishing
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002004417A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeki Kobayashi
茂樹 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2002004417A priority Critical patent/JP2003205463A/ja
Priority to KR10-2003-0001079A priority patent/KR20030061312A/ko
Priority to US10/338,660 priority patent/US6955764B2/en
Priority to TW092100543A priority patent/TWI257889B/zh
Publication of JP2003205463A publication Critical patent/JP2003205463A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/49Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/20Measuring; Control or regulation
    • B01F35/21Measuring
    • B01F35/2132Concentration, pH, pOH, p(ION) or oxygen-demand
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/80Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed
    • B01F35/82Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed by adding a material to be mixed to a mixture in response to a detected feature, e.g. density, radioactivity, consumed power or colour
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/135Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
    • G05D11/138Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨剤の調合精度を向上させ、かつ、自動的に
僅かの量の添加剤であるH2 2 の計量が精度よく行え
るCMP研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方
法を提供する。 【解決手段】CMP研磨装置における研磨剤の調合装置
10であって、研磨剤調合用のタンク12と、タンクに
研磨剤の原料を投入する研磨剤の原料投入手段16と、
タンクの外部に配置され、タンク内の研磨剤の添加剤濃
度を計測できる濃度計78と、を有し、濃度計78によ
りタンク12内の研磨剤の添加剤濃度が計測され、該計
測結果により研磨剤の原料の投入量が制御される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はCMP(Chemical M
echanical Polishing :化学的機械研磨)研磨装置にお
ける研磨剤の調合装置及び調合方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路のデザインルールの縮小
化に伴って、層間膜等の平坦化プロセスにCMPが多用
されるようになってきた。該CMPに使用される研磨剤
は、微細粒子をpH調整剤等の試薬を含む水溶液に分散
させた固液分散系のものがほとんどであり、これらは各
種研磨剤メーカーから液状体の形態で研磨剤原液として
販売されている。そして、これに加えられる添加剤とし
ては、僅かの量の(2重量%前後)過酸化水素(H2
2 )が一般的である。すなわち、上記研磨剤原液と添加
剤等が研磨剤の原料となる。
【0003】また、研磨装置における研磨剤の調合装置
は、図2に断面図で示されるような構成であるものが一
般的である。なお、この研磨剤の調合装置1は研磨剤の
供給を行うスラリータンク(研磨剤供給装置)としても
機能する。
【0004】同図において、研磨剤の調合装置1は、上
蓋を挿通して配管2、3、4が槽の内部に挿入されてい
る。また、槽の底には配管5が連結されている。配管2
は研磨剤原液(研磨剤メーカーから購入した状態のも
の)を供給するためのものであり、配管3は添加剤を供
給するためのものである。配管5は研磨剤を排出し研磨
装置に供給するためのものであり、配管4は研磨剤を槽
内に戻すためのものである。
【0005】配管4、5はCMP研磨装置に連結され、
研磨剤を循環させつつ研磨剤供給装置1からCMP研磨
装置への研磨剤の供給を行う。そして、配管4と配管5
との間には、配管6が連結されていて、研磨剤供給装置
1とCMP研磨装置との間を循環する配管4と配管5と
のバイパスとなっている。なお、付帯設備として、ポン
プ7及びバルブ8、9が設けられている。
【0006】研磨剤の調合は、配管2より研磨剤原液
を、配管3より添加剤をそれぞれ供給し、図示しないス
ターラにより攪拌することにより行う。また、研磨剤供
給装置1内の研磨剤の量が減少してきたときも、同様に
研磨剤原液と添加剤を供給して調合を行う。これらの作
業の際に、研磨剤原液及び添加剤の供給量を管理するの
は、研磨剤供給装置1内部に配設された図示しない液面
計による。
【0007】一方、このように研磨剤供給装置1で研磨
剤の初期調合を行わず、外部で別途調合した研磨剤を供
給する例もある。この場合には、研磨剤原液及び/又は
添加剤の追加を行うときにのみ配管2及び/又は配管3
を使用している。
【0008】ところが、上記従来の研磨剤供給装置1に
よる研磨剤の調合において、当初は研磨剤原液及び添加
剤であるH2 2 の供給量が正確に管理できていたとし
ても、H2 2 は蒸発し易く、時間とともにH2 2
濃度が低下していくという問題が生じている。その結
果、研磨剤の調合比率が異なってしまい、研磨品質へも
多大の影響を及ぼすこととなる。
【0009】そのため、所定時間毎に研磨剤のサンプリ
ングを行い、研磨剤中のH2 2 濃度の測定を行い、現
状の研磨剤中のH2 2 濃度が修正できるような、H2
2濃度が基準より高めの追加の研磨剤を外部のタンク
で調合してタンクに投入するか、配管2及び/又は配管
3を使用して研磨剤原液及び/又はH2 2 の投入を行
っていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の作業は作業者の負担となる。すなわち、現状の研磨
剤の量及び研磨剤中のH2 2 濃度が正確に把握された
上で、追加の研磨剤の量及び追加の研磨剤中のH2 2
濃度が算出され、これにしたがって追加の研磨剤の調
合、又は、配管2及び/又は配管3を使用した研磨剤原
液及び/又はH2 2 の投入が必要である。これらは手
動操作を要し、プロセス制御には不適である。
【0011】また、サンプリング用の設備、追加の研磨
剤用の外部のタンク、等の設備を必要とする。
【0012】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、研磨剤の調合精度を向上させ、かつ、自動的に僅か
の量の添加剤であるH2 2 の計量が精度よく行えるC
MP研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法を
提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、CMP研磨装置における研磨剤の調合装
置であって、研磨剤調合用のタンクと、該タンクに研磨
剤原料を投入する研磨剤原料投入手段と、該タンクの外
部に配置され、タンク内の研磨剤の添加剤濃度を計測で
きるセンサと、を有し、前記センサにより前記タンク内
の研磨剤の添加剤濃度が計測され、該計測結果により研
磨剤原料の投入量が制御されることを特徴とするCMP
研磨装置における研磨剤の調合装置及び該装置による調
合方法を提供する。
【0014】本発明によれば、研磨剤調合用のタンク内
の研磨剤の添加剤濃度を計測できるセンサにより研磨剤
の添加剤濃度が計測され、該計測結果により研磨剤原料
の投入量が制御される。したがって、研磨剤の調合精度
が高く、かつ、自動的に添加剤濃度の計量が行え、ま
た、自動的に研磨剤の原料の投入が行える。
【0015】なお、ここで言う研磨剤の原料とは、各種
研磨剤メーカーから液状体の形態で販売されている研磨
剤原液と、過酸化水素(H2 2 )で代表される添加
剤、及び、必要に応じて加えられる純水とを指す。
【0016】また、添加剤としては、過酸化水素(H2
2 )が一般的であるが、これ以外のもの、たとえば、
過酸化尿素、等も使用される。
【0017】本発明において、前記センサには前記タン
クからの配管により研磨剤が供給されるとともに、該セ
ンサの上流側には研磨剤の流れの脈動を整流化させるダ
ンパ手段が設けられていることが好ましい。
【0018】このように、研磨剤の配管中で、センサの
上流における研磨剤の流れの脈動が整流化されれば、添
加剤濃度の計量精度が向上するからである。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係るCMP研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合
方法の好ましい実施の形態について詳説する。
【0020】図1は、研磨剤の調合装置10の全体構成
を示す概略図である。同図に示すように研磨装置10
は、主として、研磨剤調合用のタンク12、H2 2
度計測手段14、研磨剤の原料投入手段16、及びこれ
らを制御する制御手段18とで構成されている。
【0021】研磨剤調合用のタンク12は樹脂製の円筒
形状をしたものであり、重量センサ13であるロードセ
ルの上に固定されており、タンク12の全重量が重量セ
ンサ13に負荷されるように構成されている。
【0022】タンク12の上蓋(図示略)を挿通して配
管20、22が内部に連通されている。また、上蓋を挿
通して配管24が設けられている。この配管24は研磨
剤を排出し研磨装置に供給するべくポンプ26に接続さ
れ、研磨装置へと配管される。タンク12の底には配管
28が連結されており、配管28の端末に配されるバル
ブ30を操作することによりドレン排出ができる。
【0023】また、側壁を挿通して配管70が設けられ
ており、この配管70はH2 2 濃度計測手段14を経
て、上蓋を挿通してタンク12内に戻る。
【0024】タンク12にはスターラ32が設けられ、
攪拌ができるようになっている。スターラ32による攪
拌は、モータ32Aで駆動されるシャフトの先端に設け
られたプロペラを回転させることにより行う。
【0025】これらの、タンク12に連結される配管2
0、22、24、28、70及びスターラ32は、重量
センサ13によるタンク12の重量計測に誤差を生じな
いように、タンク12とは緩く連結されている。このよ
うな構成とするには、たとえば、フレキシブルホース等
を使用すればよい。
【0026】重量センサ13としては、上部に固定され
たタンク12の重量を検出し、電気信号として取り出せ
るものであれば使用できるが、ロードセルが一般的に好
ましく使用できる。このようなロードセルとしては、た
とえば、テクニカルアンドトライ社製のロードセル、型
番:TTS−100−1300−SW205(コントロ
ーラ13Aとしては、型番:MX−8800を使用)が
使用できる。このロードセルの表示範囲は0〜15kg
であり、アナログ出力としては0〜5000mVが得ら
れる。
【0027】コントローラ(変換器)13Aからのアナ
ログ出力はコンピュータ(図示略)に送られる。また、
コントローラ13Aからのアナログ出力はデータロガー
90にも送られ(1ch経由)記録される。
【0028】H2 2 濃度計測手段14は、ポンプ7
2、第一のダンパ手段74、第二のダンパ手段76、セ
ンサであるH2 2 濃度計78、流量計80及びタンク
12よりポンプ72、第一のダンパ手段74、第二のダ
ンパ手段76、H2 2 濃度計78、流量計80を直列
に繋いでタンク12まで戻るように設けられる既述の配
管70とで構成される。
【0029】ポンプ72として、ダイヤフラムポンプが
使用されているが、研磨剤の送液が確実に行えるタイプ
のポンプであれば、他の形態のものであってもよい。
【0030】第一のダンパ手段74及び第二のダンパ手
段76としては、ポンプ72で生じた研磨剤の流れの脈
動を整流化させられるものであれば、形式を問わない。
ダンパ手段を2個直列に設けるのは、より効果を高める
ためであるが、研磨剤の流れの脈動の程度、ダンパ手段
の性能によっては、1個設けるのであってもよい。
【0031】H2 2 濃度計78としては、研磨剤中の
2 2 濃度を検出し、電気信号として取り出せるもの
であれば使用でき、たとえば、富士工業社製のH2 2
濃度計(型番:FUD−1 model−11)が使用
できる。このH2 2 濃度計の表示範囲は、0〜5重量
%である。
【0032】H2 2 濃度計78からの出力(2ch経
由)は変換器78Aを経てコンピュータ(図示略)を介
してシーケンサー62に送られるとともにデータロガー
90にも送られ記録される。
【0033】流量計80としては、テーパ管流量計のよ
うに目視で読み取れるものであってもよいが、検知した
値が電気信号として取り出せるものタイプのもの、たと
えば、電磁流量計のようなタイプのものが好ましい。
【0034】研磨剤の原料投入手段16は、タンク12
に供給される研磨剤原液や添加剤等が貯蔵される原液タ
ンク40、42と、これらのタンクから研磨剤原液や添
加剤を送液する送液ポンプ44、46と、流量計(Fl
ow Meter)48、50と、送液のON−OFF
を行うバルブ52、54と、原液タンク40、42から
タンク12まで送液ポンプ44、46、バルブ52、5
4、流量計48、50を直列に繋いで設けられる既述の
配管20、22とで構成される。
【0035】本構成では、送液ポンプ44、46とし
て、ダイヤフラムポンプが使用されているが、研磨剤原
液や添加剤等の送液が確実に行えるタイプのポンプであ
れば、他の形態のものであってもよい。
【0036】流量計48、50としては、テーパ管流量
計のように目視で読み取れるものであってもよいが、検
知した値が電気信号として取り出せるものタイプのも
の、たとえば、電磁流量計のようなタイプのものが好ま
しい。この出力は回線(3ch、4ch)を経て後述す
るデータロガー90に記憶される。
【0037】バルブ52、54としては、後述する制御
手段18によりソレノイド52A、54Aが駆動される
ことにより、送液のON−OFFが行える形式のものが
使用される。
【0038】制御手段18は、研磨剤の調合装置10全
体をコントロールするコンピュータ(図示略)と、コン
ピュータからの指令を受けてポンプ44、46のON−
OFFの制御、及び、バルブ52、54のON−OFF
を行うソレノイド52A、54Aの制御を行うシーケン
サ62とで構成される。
【0039】その他として、流量計48、50、重量セ
ンサ13のコントローラ13Aからの信号及びH2 2
濃度計78の変換器78Aからの信号を取り込み、研磨
剤原液や添加剤等の流量、タンク12の重量等の経時的
な測定結果を記録するデータロガー90が設けられる。
【0040】また、ドレン排出等の用途のバルブ30が
設けられているが、これを操作して調合済みの研磨剤を
抜き出し、浮き子式の比重計等により研磨剤をモニター
する等の作業もできる。
【0041】なお、流量計48、50及びデータロガー
90は本発明における必須の構成要件ではない。
【0042】前記のように構成された研磨剤の調合装置
10における研磨剤の調合方法は次のとおりである。先
ず、タンク12が空の状態で、新規に研磨剤を調合する
例について説明する。
【0043】調合開始前に、タンク12の重量が重量セ
ンサ13により測定され、重量センサ13のコントロー
ラ13Aからの出力がコンピュータに送られ、記憶され
る。
【0044】次いで、送液ポンプ44が駆動され、原液
タンク40内のH2 2 (過酸化水素)がタンク12内
に供給される。このとき、バルブ52はON(開)状態
にある。タンク12の重量が所定重量になった(コンピ
ュータが重量を判断した)時点で、コンピュータがシー
ケンサ62を経てソレノイド52Aを制御し、バルブ5
2をOFF(閉)状態にする。これにより、H2 2
供給は停止される。
【0045】その後、送液ポンプ46が駆動され、原液
タンク42内の研磨剤原液(この場合は、CABOT社
製のコロイダルシリカ、製品番号:SSW2000)が
タンク12内に供給される。このとき、バルブ54はO
N(開)状態にされる。タンク12の重量が所定重量に
なった(コンピュータが重量を判断した)時点で、コン
ピュータがシーケンサ62を経てソレノイド54Aを制
御し、バルブ54をOFF(閉)状態にする。これによ
り、研磨剤原液の供給は停止される。
【0046】上記操作と並行して、供給されたH2 2
及び研磨剤原液は、タンク12内においてスターラ32
により攪拌され、均一に調合される。
【0047】なお、流量計48、50、重量センサ13
のコントローラ13Aからの信号、及び、H2 2 濃度
計からの信号がデータロガー90に取り込まれ、研磨剤
原液やH2 2 等の流量、タンク12の重量、H2 2
の濃度等の経時的な測定結果が記録される。
【0048】次に、 研磨剤の調合装置10におけるH2
2 の補給方法について説明する。ポンプ72は常時運
転されており、配管70内の研磨剤が沈殿したり、H2
2濃度計測時にH2 2 の濃度の誤差が生じたりしな
いようにしてある。ただし、H2 2 の濃度計測毎の所
定時間前から運転させる態様も採り得る。
【0049】H2 2 濃度計78によるH2 2 の濃度
計測は、常時行うこともできるし、所定時間間隔毎に行
うこともできる。ここでは、所定時間間隔毎に行う態様
について説明する。
【0050】H2 2 濃度計78によるH2 2 濃度計
測結果が所定の下限値未満であった場合、コンピュータ
の指令を受けたシーケンサー62により送液ポンプ44
が駆動され、原液タンク40内のH2 2 (過酸化水
素)がタンク12内に供給される。このとき、バルブ5
2はON(開)状態にある。研磨剤のH2 2 濃度が所
定の値になった(コンピュータがH2 2 濃度を判断し
た)時点で、コンピュータがシーケンサ62を経てソレ
ノイド52Aを制御し、バルブ52をOFF(閉)状態
にする。これにより、H2 2 の供給は停止される。
【0051】この際、研磨剤のH2 2 濃度を正確に調
整するためには、H2 2 が供給される(追加される)
研磨剤の容量が把握できていなければならない。このた
め、タンク12の重量が重量センサ13により測定さ
れ、重量センサ13のコントローラ13Aからの出力が
コンピュータに送られ、研磨剤の容量を考慮したH2
2 の供給量が算出される。
【0052】なお、H2 2 の供給を連続的に行った場
合、タンク12内のH2 2 濃度をH2 2 濃度計78
が計測するまでに遅れ時間を生じるのは避け難い。すな
わち、所定の時定数が存在する。したがって、H2 2
の供給を間歇的に行う手段を採るか、又は、所定の制御
手段(たとえば、PID制御)を採用すればよい。
【0053】H2 2 の補給を行う際にタンク12内の
研磨剤の量が少ない場合には、H22 の供給と同時に
研磨剤原液の供給を行えばよい。その際の操作は、研磨
剤の初期調合の操作に準じる。
【0054】以上、本発明に係るCMP研磨装置におけ
る研磨剤の調合装置及び調合方法の実施形態の例につい
て説明したが、本発明は上記実施形態の例に限定される
ものではなく、各種の態様が採り得る。たとえば、本実
施形態では、添加剤として過酸化水素(H2 2 )を使
用する例について説明したが、これ以外のもの、たとえ
ば、添加剤として過酸化尿素等を使用した態様も採り得
る。
【0055】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、研磨剤調合用のタンク内の研磨剤の添加剤濃度を計
測できるセンサにより研磨剤の添加剤濃度が計測され、
該計測結果により研磨剤原料の投入量が制御される。し
たがって、研磨剤の調合精度が高く、かつ、自動的に添
加剤濃度の計量が行え、また、自動的に研磨剤の原料の
投入が行える。
【0056】また、センサにはタンクからの配管により
研磨剤が供給されるとともに、センサの上流側には研磨
剤の流れの脈動を整流化させるダンパ手段が設けられて
いれば、センサの上流における研磨剤の流れの脈動が整
流化され、添加剤濃度の計量精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る研磨剤の調合装置の全体構成を示
す概略図である。
【図2】従来例である研磨剤の調合装置の概要を示す断
面図である。
【符号の説明】
10…研磨剤の調合装置、12…タンク、14…H2
2 濃度計測手段、16…研磨剤の原料投入手段、18…
制御手段、78…H2 2 濃度計

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】CMP研磨装置における研磨剤の調合装置
    であって、 研磨剤調合用のタンクと、 該タンクに研磨剤の原料を投入する研磨剤の原料投入手
    段と、 該タンクの外部に配置され、タンク内の研磨剤の添加剤
    濃度を計測できるセンサと、を有し、 前記センサにより前記タンク内の研磨剤の添加剤濃度が
    計測され、該計測結果により研磨剤の原料の投入量が制
    御されることを特徴とするCMP研磨装置における研磨
    剤の調合装置。
  2. 【請求項2】前記センサには前記タンクからの配管によ
    り研磨剤が供給されるとともに、該センサの上流側には
    研磨剤の流れの脈動を整流化させるダンパ手段が設けら
    れている請求項1に記載のCMP研磨装置における研磨
    剤の調合装置。
  3. 【請求項3】CMP研磨装置における研磨剤の調合方法
    であって、 研磨剤調合用のタンクの外部に該タンク内の研磨剤の添
    加剤濃度を計測できるセンサを配置し、該センサにより
    前記タンク内の研磨剤の添加剤濃度を計測し、 該計測結果により研磨剤の原料の投入量を制御すること
    を特徴とするCMP研磨装置における研磨剤の調合方
    法。
JP2002004417A 2002-01-11 2002-01-11 Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法 Pending JP2003205463A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002004417A JP2003205463A (ja) 2002-01-11 2002-01-11 Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
KR10-2003-0001079A KR20030061312A (ko) 2002-01-11 2003-01-08 씨엠피 연마장치에 있어서의 연마제 조합장치 및 조합방법
US10/338,660 US6955764B2 (en) 2002-01-11 2003-01-09 Method and apparatus for preparing slurry for CMP apparatus
TW092100543A TWI257889B (en) 2002-01-11 2003-01-10 Method and apparatus for preparing slurry for CMP apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002004417A JP2003205463A (ja) 2002-01-11 2002-01-11 Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003205463A true JP2003205463A (ja) 2003-07-22

Family

ID=19191002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002004417A Pending JP2003205463A (ja) 2002-01-11 2002-01-11 Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6955764B2 (ja)
JP (1) JP2003205463A (ja)
KR (1) KR20030061312A (ja)
TW (1) TWI257889B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008030153A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003205462A (ja) * 2002-01-11 2003-07-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
JP4077845B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-23 セメス株式会社 機能水供給システム、及び機能水供給方法
US20080076332A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Imation Corp Processing of a CMP slurry for improved planarization of integrated circuit wafers
US9770804B2 (en) 2013-03-18 2017-09-26 Versum Materials Us, Llc Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture
US10155208B2 (en) * 2014-09-30 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Liquid mixing system for semiconductor fabrication
US20160103453A1 (en) * 2014-10-09 2016-04-14 RubiChem, LLC Computerized system for precise dilution of high-solids liquids, slurries and powders
JP6383254B2 (ja) * 2014-11-04 2018-08-29 株式会社東芝 処理装置および処理方法
US11043396B2 (en) * 2018-07-31 2021-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical mechanical polish slurry and method of manufacture
CN109333858A (zh) * 2018-12-19 2019-02-15 东阿阿胶股份有限公司 一种胶类中药辅料添加仪器
US11772234B2 (en) 2019-10-25 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Small batch polishing fluid delivery for CMP
US11318431B2 (en) 2019-11-27 2022-05-03 Diversified Fluid Solutions, Llc On-demand in-line-blending and supply of chemicals

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3142195B2 (ja) * 1993-07-20 2001-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 薬液供給装置
JPH09275091A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体窒化膜エッチング装置
JP3772456B2 (ja) * 1997-04-23 2006-05-10 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
JPH1110540A (ja) * 1997-06-23 1999-01-19 Speedfam Co Ltd Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
JPH1192966A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング液濃度制御装置
US6013156A (en) * 1998-03-03 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Bubble monitor for semiconductor manufacturing
JP2001144058A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Canon Inc 研磨方法および研磨装置
JP3778747B2 (ja) * 1999-11-29 2006-05-24 株式会社荏原製作所 砥液供給装置
JP2001260006A (ja) * 2000-03-23 2001-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨剤調整装置及び研磨剤調整方法
KR100672634B1 (ko) * 2001-12-19 2007-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 기판 반송 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008030153A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20030132168A1 (en) 2003-07-17
TWI257889B (en) 2006-07-11
KR20030061312A (ko) 2003-07-18
US6955764B2 (en) 2005-10-18
TW200301719A (en) 2003-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7419946B2 (en) Chemical solution feeding apparatus and method for preparing slurry
JP2003205463A (ja) Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
JP4351149B2 (ja) 化学混合物および搬送システムならびにその方法
US6358125B2 (en) Polishing liquid supply apparatus
JP2002513178A (ja) スラリー調合における伝導度フィードバック制御システム
JP3741811B2 (ja) アルカリ現像原液の希釈方法および希釈装置
CN208895895U (zh) 一种化学机械抛光设备用抛光液供给装置
JPS6049017B2 (ja) 粉と液を計量し粉を液中で混合する装置
CN203125329U (zh) 用于化学机械抛光设备的抛光液供应装置
JP2003205462A (ja) Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法
JP2002178261A (ja) 砥液供給装置及び砥液供給装置への添加剤補充方法及び研磨装置
JPH0957609A (ja) 化学的機械研磨のための研磨材液供給装置
JP2007234969A (ja) Cmp研磨装置における研磨剤調合装置及び調合方法。
JP2003205464A (ja) Cmp研磨装置における研磨剤の調合装置及び供給装置
JPH09290368A (ja) スラリ供給装置
CN110528006B (zh) 自动添加装置、蚀刻生产线、添加方法
CN110743462A (zh) 一种碳化硼研磨液自动配比系统
CN219784644U (zh) 乳化液浓度配比装置
JP2004358631A (ja) Cmp研磨装置における研磨剤の供給装置及び供給方法
JPH05103968A (ja) 混相流発生装置
JPH05261720A (ja) 自動ミキシングプラント
TW477731B (en) Closed-loop concentration control system for chemical mechanical polishing slurry
JP3104913U (ja) 自動ミキシングプラント
JP5457858B2 (ja) 薬液供給方法及び薬液供給装置
JPS6158219B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041102

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061130

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070320