JP2001144058A - 研磨方法および研磨装置 - Google Patents

研磨方法および研磨装置

Info

Publication number
JP2001144058A
JP2001144058A JP32629199A JP32629199A JP2001144058A JP 2001144058 A JP2001144058 A JP 2001144058A JP 32629199 A JP32629199 A JP 32629199A JP 32629199 A JP32629199 A JP 32629199A JP 2001144058 A JP2001144058 A JP 2001144058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
polishing
polished
concentration
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32629199A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Miyazaki
恭一 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP32629199A priority Critical patent/JP2001144058A/ja
Publication of JP2001144058A publication Critical patent/JP2001144058A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ等の基板を研磨する際に、供給される
スラリーの濃度を検出して、そのスラリー濃度に応じて
研磨量を制御し、再現性の良い安定した研磨を可能にす
る。 【解決手段】 被研磨体保持手段4に保持された被研磨
体3に研磨パッド5を当接させ、被研磨体3と研磨パッ
ド5の間にスラリー8を供給しながら、被研磨体3を研
磨する際に、スラリー8を収納する容器7内のスラリー
8の容積および重量を液面計11と重量計12によりモ
ニターし、スラリー8の容積と重量および砥粒と溶媒の
各比重から、スラリーの(砥粒)濃度を算出し、スラリ
ー濃度により変化する研磨レートを求め、研磨レートと
研磨時間の関係に応じて、被研磨体毎に研磨時間を変え
ることによって、複数の被研磨体について常に同じ研磨
量をもって再現性の良い安定した研磨を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板をスラリーを供給しながら高精度に研磨するための
研磨方法および研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの超微細化や高集
積化が進み、これに伴なって平坦化技術が重要な課題と
なっており、SOI基板、Si、GaSs、InP等か
らなる半導体ウエハ、あるいは半導体集積回路形成過程
において表面に絶縁膜あるいは金属膜を有するウエハ、
さらにディスプレイ用基板等の基板を高精度に研磨し、
平坦化するための加工手段として化学的機械研磨(CM
P)装置が注目されている。
【0003】従来、化学的機械研磨(CMP)装置とよ
ばれるこの種の研磨装置は、図4に模式的に図示するよ
うに、ウエハ等の基板である被研磨体101をその被研
磨面を下向きにした状態で着脱自在に保持する被研磨体
保持手段102と、被研磨体保持手段102に保持され
る被研磨体101に対向するように配置されて被研磨体
101の口径よりも大きい口径の研磨パッド103を貼
り付けた研磨テーブル104とを備え、さらに、研磨パ
ッド103上に研磨剤(スラリー)106を供給するス
ラリー供給手段105が設けられている。また、研磨パ
ッド103は、ポリウレタン等で作製され、表面に凹凸
が形成され、あるいは多孔質で形成されている。
【0004】このように構成される研磨装置は、被研磨
体101を不図示の駆動手段によって矢印S方向に、研
磨テーブル104に保持される研磨パッド103を不図
示の駆動手段によって矢印T方向にそれぞれ回転駆動
し、そして、被研磨体101と研磨パッド103を互い
に当接させるとともに、スラリー供給手段105からス
ラリー106を研磨パッド103上に供給しながら、被
研磨体201の被研磨面を研磨するものであり、スラリ
ー供給手段105から供給されるスラリー106は、例
えば、分散媒アルカリ水溶液にミクロンオーダーからサ
ブミクロンオーダーのSiO2 の微粒子(砥粒)が分散
されており、この種のスラリー106は、図4に図示す
るように、研磨パッド103上で被研磨体101の外側
から研磨パッド103と被研磨体101との間に供給さ
れ、スラリーの化学的作用とスラリー中の砥粒の物理的
作用を利用して、被研磨面を研磨して平坦化させてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した研磨装置を用
いて複数の被研磨体を連続して研磨する場合、高い再現
性を維持することが難しい。これを詳述すると、被研磨
体へ供給されるスラリー内の砥粒の濃度は研磨レートに
関連性があるけれども、スラリー内の砥粒の濃度が供給
時間中で微妙に変化するために、研磨レートが研磨中に
おいても変化してしまい、研磨時間を一定にして研磨す
ると研磨量が変化してしまう。その結果、複数の被研磨
体を研磨すると、研磨量が一定でないため、被研磨体毎
に研磨対象である膜厚が異なることになる。
【0006】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
未解決な課題に鑑みてなされたものであって、研磨時に
供給されるスラリーの濃度を検出して、そのスラリーの
濃度に応じて研磨量を制御し、安定した研磨を可能にす
る研磨方法および研磨装置を提供することを目的とする
ものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の研磨方法は、被研磨体保持手段に保持さ
れた被研磨体の被研磨面に研磨パッドを当接させ、前記
被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間にスラリーを供
給しながら、前記被研磨体の被研磨面を研磨する研磨方
法において、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド
間に供給されるスラリーの濃度を算出し、該算出された
スラリーの濃度に応じて、研磨時間を変化させあるいは
溶媒または砥粒を補充して前記スラリーの濃度を一定に
し、前記被研磨体の研磨量が一定となるように研磨する
ことを特徴とする。
【0008】また、本発明の研磨方法は、被研磨体保持
手段に保持された被研磨体の被研磨面に研磨パッドを当
接させ、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に
スラリーを供給しながら、前記被研磨体の被研磨面を研
磨する研磨方法において、前記スラリーを収納する容器
内のスラリーの容積と重量を測定して、前記被研磨体の
被研磨面と前記研磨パッド間に供給されるスラリーの濃
度を算出し、該算出されたスラリーの濃度に応じて研磨
時間を変化させて研磨することを特徴とする。
【0009】さらに、本発明の研磨方法は、被研磨体保
持手段に保持された被研磨体の被研磨面に研磨パッドを
当接させ、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間
にスラリーを供給しながら、前記被研磨体の被研磨面を
研磨する研磨方法において、前記スラリーを収納する容
器内のスラリーの容積と重量を測定して、前記被研磨体
の被研磨面と前記研磨パッド間に供給されるスラリーの
濃度を算出し、該算出されたスラリーの濃度に応じて、
前記スラリーの溶媒または砥粒を前記被研磨体の被研磨
面と前記研磨パッド間に供給される前記スラリーに補充
して、前記スラリーの濃度を常に一定にし、時間当たり
の研磨レートを一定にして研磨することを特徴とする。
【0010】本発明の研磨方法において、前記スラリー
の濃度は、測定されたスラリーの容積と重量、および砥
粒の比重と溶媒の比重を用いて算出することが好まし
い。
【0011】本発明の研磨方法において、前記容器内の
スラリーを前記容器内の気体圧で供給管を介して前記被
研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に供給することが
好ましく、また、前記容器内のスラリーを攪拌手段によ
り攪拌し、前記スラリー内の砥粒を均一に分散させるこ
とが好ましい。
【0012】また、本発明の研磨装置は、被研磨体を保
持する被研磨体保持手段と、研磨パッドを貼着する研磨
テーブルと、前記研磨パッド上にスラリーを供給するス
ラリー供給手段とを備え、前記被研磨体と前記研磨パッ
ド間に前記スラリーを供給しながら、前記被研磨体に前
記研磨パッドを当接させて前記被研磨体を研磨する研磨
装置において、前記スラリー供給手段は、前記スラリー
を収納する容器と、前記容器内のスラリーの液面を検出
するための液面計と、前記容器内のスラリーの重量を測
定するための重量計と、前記容器からスラリーを前記被
研磨体と前記研磨パッド間に供給するための供給管とか
らなることを特徴とする。
【0013】本発明の研磨装置において、前記液面計
は、超音波を前記容器内のスラリーの液面に照射し、そ
の反射波から前記液面の位置を測定することが好まし
い。
【0014】さらに、本発明の研磨装置においては、前
記液面計により測定されるスラリーの容積と前記重量計
により測定されるスラリーの重量に基づいて、前記被研
磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に供給されるスラリ
ーの濃度を算出する演算制御手段をさらに備えているこ
とが好ましい。
【0015】本発明の研磨装置において、前記演算制御
手段は、算出したスラリーの濃度に応じて研磨時間を変
化させるように制御することが好ましい。
【0016】本発明の研磨装置において、前記スラリー
の溶媒を収納する容器および前記スラリーの砥粒を収納
する容器を設け、これらの容器から前記溶媒または砥粒
を前記スラリー供給手段から供給されるスラリーに補充
しうるように構成し、前記被研磨体の被研磨面と前記研
磨パッド間に供給されるスラリーの濃度に応じて前記溶
媒または砥粒を補充し、スラリーの濃度を一定にするこ
とが好ましい。
【0017】本発明の研磨装置においては、前記スラリ
ーを収納する容器には、スラリー中の砥粒を均一に拡散
させるための攪拌手段が設けられていることが好まし
く、また、前記攪拌手段は回転プロペラを有し、前記容
器内のスラリーに対流を生じさせ、前記スラリー内の砥
粒を攪拌することが好ましい。
【0018】本発明の研磨装置においては、前記液面計
または前記重量計により、前記スラリーを収納する容器
内の前記スラリーの残量をモニターすることができる。
【0019】
【作用】本発明によれば、被研磨体保持手段に保持され
た被研磨体の被研磨面に研磨パッドを当接させ、被研磨
体の被研磨面と研磨パッド間にスラリーを供給しなが
ら、被研磨体の被研磨面を研磨する際に、被研磨体の被
研磨面と前記研磨パッド間に供給されるスラリーを収納
する容器内のスラリーの容積と重量をモニターすること
で、スラリーの(砥粒)濃度を算出し、算出されたスラ
リー濃度に応じて、被研磨体毎に研磨時間を変えること
により、常に同じ研磨量をもって研磨することを可能に
し、再現性の良い安定した研磨を可能にする。
【0020】さらに、スラリーを収納する容器内のスラ
リーの容積と重量をモニターすることで、スラリーの
(砥粒)濃度を算出し、算出されたスラリー濃度に応じ
て別個に貯蔵されている溶媒または砥粒を適宜補充供給
することでスラリー濃度を一定にし、時間当たりの研磨
レートを一定にすることにより、常に同じ研磨量をもっ
て研磨することを可能にし、再現性の良い安定した研磨
を可能にする。
【0021】また、スラリーを収納する容器内のスラリ
ーを攪拌手段により攪拌することにより、スラリー内の
砥粒を均一に拡散させることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【0023】(第1の実施例)図1は、本発明の第1の
実施例の研磨装置および研磨方法を説明するための研磨
装置の概略構成図である。
【0024】図1において、1は研磨(CMP)機構
部、2はスラリー(研磨剤)を供給するためのスラリー
供給部である。研磨機構部1は、ウエハ等の基板である
被研磨体3をその被研磨面を下向きにした状態で着脱自
在に保持する被研磨体保持手段4と、被研磨体保持手段
4に保持される被研磨体3に対向するように配置されて
被研磨体3の口径よりも大きい口径の研磨パッド5を貼
り付ける研磨テーブル6とを備え、研磨パッド5は、ポ
リウレタン等で作製され、表面に凹凸が形成されるかあ
るいは多孔質で形成されている。そして、スラリー8を
研磨パッド5上に供給するためのスラリー供給管9がス
ラリー供給部2から延びて研磨パッド5上に配設されて
いる。
【0025】研磨機構部1において、被研磨保持手段4
に保持される被研磨体3は不図示の駆動手段によって矢
印S方向に回転駆動され、研磨テーブル6に保持される
研磨パッド5は不図示の駆動手段によって矢印T方向に
回転駆動される。そして、被研磨体3と研磨パッド5は
互いに当接され、被研磨体3と研磨パッド5との間にス
ラリー8を供給しながら被研磨体3の被研磨面を研磨す
る。
【0026】スラリー供給部2は、スラリー8を収容し
て密閉的に貯蔵するキャニスタ7、キャニスタ7内のス
ラリー8を研磨機構部1における被研磨体3と研磨パッ
ド5との間に供給するためのスラリー供給管9、スラリ
ー8中の砥粒をスラリー中に均一に拡散させるための攪
拌手段10、キャニスタ7内のスラリー8の液面を検出
するための液面計11、スラリー8の重量を測定するた
めの重量計12、およびキャニスタ7内の気体を加圧し
てキャニスタ7内のスラリー8をスラリー供給管9から
排出するためのスラリー圧送用気体供給手段14を備
え、さらに、液面計11と重量計12の測定結果に基づ
いてスラリー8の濃度を算出し、このスラリーの濃度に
応じた研磨レートを求めて、研磨機構部1を制御するた
めの演算制御手段13を備えている。
【0027】攪拌手段10は、プロペラと回転モータで
構成され、プロペラの回転により、キャニスタ7内に流
れを生じさせてスラリー内の砥粒をスラリー中に均一に
拡散させるためのものであり、例えば、スラリー8とし
て、Mn23 を純水に分散させたものを用いる場合、
純水の比重は約1であるのに対し、Mn23 の比重は
3.8であるために、その比重差が大きいので、攪拌手
段10によりスラリー8を攪拌しないと、Mn23
短時間のうちに沈殿してしまう。そのために攪拌手段1
0によりスラリー8を攪拌することが必須である。な
お、攪拌手段10としては、プロペラと回転モータの構
成の他に、キャニスタ7内上部の気体をポンプで循環さ
せ、キャニスタ7の下側からバブルを発生させて、砥粒
を拡散する方法を用いることもできる。
【0028】スラリー圧送用気体供給手段14は、配管
15を介して気体をキャニスタ7内へ送り込み、キャニ
スタ7内のスラリー8をスラリー供給管9を介して圧送
し研磨機構部1へ供給するためのものであり、配管15
により送り込まれる気体の流量は、圧力計17および流
量計18の値を基準としてレギュレータ16で制御す
る。キャニスタ7内へ送り込む気体としては、例えば、
窒素ガス(N2 )を使用することができる。また、気体
中の異物を除去するためのフィルタ19が配管15中に
設けられている。
【0029】液面計11は、キャニスタ7内のスラリー
8の液面を検出するためのものであり、キャニスタ7の
上部に取り付けられて、超音波をスラリー8の液面に照
射し、その反射波を検知することによりスラリーの液面
の位置を測定するように構成されており、この液面計1
1によりスラリー8の液面を測定することにより、キャ
ニスタ7内に収容されている全スラリー容積を算出する
ことができる。
【0030】また、重量計12は、キャニスタ7の下方
に配置され、キャニスタ7内の全スラリーの重量を算出
するために用いられる。すなわち、重量計12により測
定される重量値から、予め測定しておいたキャニスタ7
およびその他の付属物の重量値を引くことにより、キャ
ニスタ7内に収容されている全スラリーの重量を算出す
ることができる。
【0031】また、この液面計11や重量計12は、ス
ラリー8の残量を得るためにも用いることができる。す
なわち、液面計11または重量計12によってキャニス
タ7内のスラリー8の残量をモニターすることができ、
キャニスタ7内のスラリー8が、残り少なくなった時
点、あるいは残量が0となった時点で、新たなスラリー
をキャニスタ7内に補充するように構成することができ
る。
【0032】以上のように、スラリー供給部2におい
て、キャニスタ7内に収容されているスラリー8は、攪
拌手段10により砥粒がスラリー中に均一に拡散され、
スラリー圧送用気体供給手段14から送り込まれる気体
の圧力により、スラリー供給管9を介して、研磨機構部
1の研磨パッド5上に流出され、そして、互いに当接す
る被研磨体3と研磨パッド5との間に供給され、被研磨
体3と研磨パッド5の相対的な回転により被研磨体3の
被研磨面が研磨される。
【0033】次に、本発明の第1の実施例に基づくスラ
リー濃度の算出および研磨時間の調整方法について、図
1および図2を参照して、説明する。
【0034】研磨機構部1に供給されるスラリーの濃
度、すなわち、キャニスタ7内に収容されている全スラ
リー8の濃度は、以下のように算出することができる。
ここで、キャニスタ7内に収容されているスラリー8の
全容積をTとし、スラリーの溶媒の容積をX、砥粒の容
積をYとし、また、キャニスタ7内に収容されているス
ラリー8の全重量をWとし、スラリーの溶媒の比重を
α、砥粒の比重をβとすると、次の式(1)および
(2)が成立する。 X+Y=T ……(1) α・X+β・Y=W ……(2)
【0035】溶媒の比重αおよび砥粒の比重βは、予め
測定するかあるいは公知のデータから得られる値であ
り、スラリーの全容積Tは液面計11によるスラリー8
の液面の測定値から算出でき、さらに、スラリー8の全
重量Wも重量計12により算出できるので、スラリー8
の溶媒の容積Xと砥粒の容積Yは、式(1)および
(2)から求めることができる。これらの値が得られれ
ば、スラリーの(砥粒)濃度は、 (β・Y/W)×100(%) ……(3) として算出することができる。
【0036】以上のように、キャニスタ7内のスラリー
8をスラリー供給管9を介して研磨機構部1へ供給して
いる際に、前述したようにスラリーの濃度を算出するこ
とにより、研磨機構部1の研磨パッド5と被研磨体3と
の間へ供給されるスラリーの濃度を知ることができる。
【0037】また、研磨機構部1における研磨レート
(単位時間当たりの研磨量)は、スラリー内の砥粒濃度
の変化によって変化してしまうために、供給されるスラ
リー内の砥粒濃度と研磨レート(単位時間当たりの研磨
量)の関係を、予め実験等により求めておく(図2の
(a)参照)。そして、ある被研磨体の研磨中のある時
間tn において、そのときに供給されるスラリーの濃度
を上記の式(1)〜(3)により算出し、それをcn
すると、スラリー濃度と研磨レートの関係(図2の
(a))から、そのときの研磨レートをrn として得る
ことができる。すなわち、被研磨体を研磨している間に
スラリー濃度をモニターすることにより、それぞれの時
間における研磨レートを知ることができ、研磨中の研磨
レートの変化を得ることができ、この研磨中の研磨レー
トの変化の一例を、図2の(b)に示す。そして、図2
の(b)において、研磨レートの変化に対応してその下
方のハッチングを施した部分の面積が研磨量そのものを
表す。したがって、被研磨体の研磨に際して、図2の
(b)に示すハッチングを施した部分の面積が、予め設
定されている研磨量に達した時点(t1 )で、研磨を終
了するようにすることによって、常に予め設定されてい
る一定の研磨量をもって研磨することが可能となる。
【0038】また、別の被研磨体を研磨する場合の研磨
時間と研磨レートの関係を図2の(c)に示す。スラリ
ー供給部から研磨機構部へ供給されるスラリーの濃度は
時間によって変動するので、図2の(b)に示す関係と
は異なる関係となって図2の(c)に示すようになる。
図2の(c)においても、研磨レートの変化に対応して
ハッチングを施した部分の面積(研磨量)が予め設定さ
れている研磨量に達した時点(t2 )で、研磨を終了さ
せる。
【0039】以上のように、被研磨体の研磨に際して、
研磨に使用されるスラリーの濃度をモニターして、被研
磨体毎の研磨時間と研磨レートの関係を求め、被研磨体
毎に研磨終了までの全研磨時間を、研磨時間と研磨レー
トの関係に応じて変えることで、どの被研磨体について
も常に同じ研磨量で研磨することが可能となる。したが
って、従来のように複数の被研磨体についても常に一定
の研磨時間で研磨する方法のように、研磨量が一定でな
くなり被研磨体毎に研磨対象である膜厚が異なってしま
うという問題点を解消することができ、再現性の良い安
定した研磨が可能となる。
【0040】(第2の実施例)次に、本発明の第2の実
施例について図3を参照して説明する。なお、本実施例
において、前述した第1の実施例と同様の部材には同一
の符号を付し、その詳細の説明は省略する。
【0041】本実施例は、研磨機構部1にスラリーを供
給するスラリー供給部2の他に、スラリーの溶媒と砥粒
をそれぞれ別個に貯蔵し、スラリーの濃度の変化に応じ
て、溶媒と砥粒をそれぞれ別個にあるいは同時に適宜補
充するスラリー濃度調整用補充部20を設け、研磨機構
部1に供給されるスラリーの濃度を常に一定にしようと
するものである。
【0042】図3において、スラリー濃度調整用補充部
20は、キャニスタ7内に収容されるスラリー8の溶媒
と同じ溶媒23を貯蔵する溶媒容器21と、溶媒容器2
1の下方に設けられ、溶媒23の補充供給量を調整する
ことができるバルブ25と、キャニスタ7内に収容され
るスラリー8の砥粒と同じ砥粒24を貯蔵する砥粒容器
22と、砥粒容器22の下方に設けられ、砥粒24の補
充供給量を調整することができるバルブ26とから構成
され、両容器22、23には、バルブ25、26を介し
て溶媒23もしくは砥粒24を研磨機構部1の研磨パッ
ド5上へ供給する供給配管27が連通されている。な
お、砥粒容器22に貯蔵する砥粒24において、砥粒2
4のみを供給配管27を介して研磨パッド5上へ供給す
ることが難しい場合には、砥粒24に対して若干の溶媒
を容器22内に加えて、非常に濃度の濃いスラリーとし
ておくこともできる。また、13は、液面計11と重量
計12の測定結果に基づいてキャニスタ7内のスラリー
8の濃度を算出するとともに、スラリーの濃度に応じて
溶媒23や砥粒24の補充供給量を演算してバルブ2
5、26の開閉を制御する演算制御手段である。
【0043】次に、本発明の第2の実施例に基づく研磨
方法について説明する。
【0044】本実施例においても、スラリー供給部2か
らスラリー供給管9を通して研磨パッド5上に供給され
るスラリー8の濃度の算出は、前述した第1の実施例と
同様に行ない、スラリー濃度をモニターする。そして、
被研磨体の被研磨面の研磨中にスラリー濃度の変化が生
じると、スラリー濃度変化に応じて直ちに溶媒23ある
いは砥粒24を研磨パッド5上に供給し、研磨パッド5
上のスラリー濃度を常に一定に維持して研磨レートを一
定にする。すなわち、被研磨面の研磨中に、キャニスタ
7内に収容されるスラリーの濃度が設定の濃度よりも濃
くなると、溶媒容器21のバルブ25を開放して、溶媒
容器21内の溶媒23を供給配管27を介して研磨パッ
ド5上に供給し、スラリー供給部2から供給されるスラ
リー8に所定量の溶媒23を補充し、研磨パッド5上の
研磨に寄与するスラリーの濃度を一定にする。また、逆
に、キャニスタ7内に収容されるスラリーの濃度が設定
の濃度よりも薄くなると、砥粒容器22のバルブ26を
開放して、砥粒容器22内の砥粒24を供給配管27を
介して研磨パッド5上に供給し、スラリー供給部2から
供給されるスラリー8に所定量の砥粒24を補充し、研
磨パッド5上の研磨に寄与するスラリーの濃度を一定に
する。
【0045】このようにすることにより、スラリー供給
部2のスラリー供給管9から研磨パッド5上に供給され
るスラリー8と、供給配管27から供給される溶媒23
あるいは砥粒24を合わせて、研磨パッド5上の研磨に
寄与するスラリーの濃度を常に一定にすることができ
る。かくして、スラリー濃度が常に一定であるために、
その研磨レートも一定に維持することができ、被研磨体
毎に研磨時間を変化させることなくどの被研磨体におい
ても一定時間で同じ研磨量を研磨することができ、再現
性の良い安定した研磨が可能となる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スラリー容器内のスラリーの容積と重量をモニターする
ことで被研磨体の研磨部位に供給されているスラリーの
濃度を算出し、算出されたスラリー濃度に応じて被研磨
体毎に研磨時間を変えることにより、あるいは、算出さ
れたスラリー濃度に応じて別個に貯蔵されている溶媒ま
たは砥粒を適宜補充供給することでスラリー濃度を一定
にし時間当たりの研磨レートを一定にすることにより、
常に同じ研磨量で研磨することが可能となり、再現性の
良い安定した研磨が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の研磨方法および研磨装
置を説明するための研磨装置の概略構成図である。
【図2】本発明の第1の実施例の研磨方法における研磨
レートの管理方法を説明する図であり、(a)はスラリ
ー濃度と研磨レートの関係を示す図であり、(b)は研
磨時間に対して変化する研磨レートの関係の一例を示す
図であり、(c)は研磨時間に対して変化する研磨レー
トの関係の他の例を示す図である。
【図3】本発明の第2の実施例の研磨方法および研磨装
置を説明するための研磨装置の概略構成図である。
【図4】従来の一般的な研磨装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 研磨(CMP)機構部 2 スラリー供給部 3 被研磨体 4 被研磨体保持手段 5 研磨パッド 6 研磨テーブル 7 キャニスタ(スラリー容器) 8 スラリー(研磨剤) 9 スラリー供給管 10 攪拌手段 11 液面計 12 重量計 13 演算制御手段 14 スラリー圧送用気体供給手段 15 配管 16 レギュレータ 17 圧力計 18 流量計 19 フィルタ 20 スラリー濃度調整用補充部 21 溶媒容器 22 砥粒容器 23 溶媒 24 砥粒 25、26 バルブ 27 供給配管

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被研磨体保持手段に保持された被研磨体
    の被研磨面に研磨パッドを当接させ、前記被研磨体の被
    研磨面と前記研磨パッド間にスラリーを供給しながら、
    前記被研磨体の被研磨面を研磨する研磨方法において、
    前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に供給され
    るスラリーの濃度を算出し、該算出されたスラリーの濃
    度に応じて、研磨時間を変化させあるいは溶媒または砥
    粒を補充して前記スラリーの濃度を一定にし、前記被研
    磨体の研磨量が一定となるように研磨することを特徴と
    する研磨方法。
  2. 【請求項2】 被研磨体保持手段に保持された被研磨体
    の被研磨面に研磨パッドを当接させ、前記被研磨体の被
    研磨面と前記研磨パッド間にスラリーを供給しながら、
    前記被研磨体の被研磨面を研磨する研磨方法において、
    前記スラリーを収納する容器内のスラリーの容積と重量
    を測定して、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド
    間に供給されるスラリーの濃度を算出し、該算出された
    スラリーの濃度に応じて研磨時間を変化させて研磨する
    ことを特徴とする研磨方法。
  3. 【請求項3】 被研磨体保持手段に保持された被研磨体
    の被研磨面に研磨パッドを当接させ、前記被研磨体の被
    研磨面と前記研磨パッド間にスラリーを供給しながら、
    前記被研磨体の被研磨面を研磨する研磨方法において、
    前記スラリーを収納する容器内のスラリーの容積と重量
    を測定して、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド
    間に供給されるスラリーの濃度を算出し、該算出された
    スラリーの濃度に応じて、前記スラリーの溶媒または砥
    粒を前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に供給
    される前記スラリーに補充して、前記スラリーの濃度を
    常に一定にし、時間当たりの研磨レートを一定にして研
    磨することを特徴とする研磨方法。
  4. 【請求項4】 前記スラリーの濃度は、測定されたスラ
    リーの容積と重量、および砥粒の比重と溶媒の比重を用
    いて算出することを特徴とする請求項2または3記載の
    研磨方法。
  5. 【請求項5】 前記容器内のスラリーを前記容器内の気
    体圧で供給管を介して前記被研磨体の被研磨面と前記研
    磨パッド間に供給することを特徴とする請求項2ないし
    4のいずれか1項に記載の研磨方法。
  6. 【請求項6】 前記容器内のスラリーを攪拌手段により
    攪拌し、前記スラリー内の砥粒を均一に分散させること
    を特徴とする請求項2ないし5のいずれか1項に記載の
    研磨方法。
  7. 【請求項7】 被研磨体を保持する被研磨体保持手段
    と、研磨パッドを貼着する研磨テーブルと、前記研磨パ
    ッド上にスラリーを供給するスラリー供給手段とを備
    え、前記被研磨体と前記研磨パッド間に前記スラリーを
    供給しながら、前記被研磨体に前記研磨パッドを当接さ
    せて前記被研磨体を研磨する研磨装置において、前記ス
    ラリー供給手段は、前記スラリーを収納する容器と、前
    記容器内のスラリーの液面を検出するための液面計と、
    前記容器内のスラリーの重量を測定するための重量計
    と、前記容器からスラリーを前記被研磨体と前記研磨パ
    ッド間に供給するための供給管とからなることを特徴と
    する研磨装置。
  8. 【請求項8】 前記液面計は、超音波を前記容器内のス
    ラリーの液面に照射し、その反射波から前記液面の位置
    を測定することを特徴とする請求項7記載の研磨装置。
  9. 【請求項9】 前記液面計により測定されるスラリーの
    容積と前記重量計により測定されるスラリーの重量に基
    づいて、前記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に
    供給されるスラリーの濃度を算出する演算制御手段をさ
    らに備えていることを特徴とする請求項7または8記載
    の研磨装置。
  10. 【請求項10】 前記演算制御手段は、算出したスラリ
    ーの濃度に応じて研磨時間を変化させるように制御する
    ことを特徴とする請求項9記載の研磨装置。
  11. 【請求項11】 前記スラリーの溶媒を収納する容器お
    よび前記スラリーの砥粒を収納する容器を設け、これら
    の容器から前記溶媒または砥粒を前記スラリー供給手段
    から供給されるスラリーに補充しうるように構成し、前
    記被研磨体の被研磨面と前記研磨パッド間に供給される
    スラリーの濃度に応じて前記溶媒または砥粒を補充し、
    スラリーの濃度を一定にすることを特徴とする請求項9
    記載の研磨装置。
  12. 【請求項12】 前記スラリーを収納する容器には、ス
    ラリー中の砥粒を均一に拡散させるための攪拌手段が設
    けられていることを特徴とする請求項7ないし11のい
    ずれか1項に記載の研磨装置。
  13. 【請求項13】 前記攪拌手段は回転プロペラを有し、
    前記容器内のスラリーに流れを生じさせ、前記スラリー
    内の砥粒を攪拌することを特徴とする請求項12記載の
    研磨装置。
  14. 【請求項14】 前記液面計または前記重量計により、
    前記スラリーを収納する容器内の前記スラリーの残量を
    モニターすることを特徴とする請求項7ないし13のい
    ずれか1項に記載の研磨装置。
JP32629199A 1999-11-17 1999-11-17 研磨方法および研磨装置 Pending JP2001144058A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32629199A JP2001144058A (ja) 1999-11-17 1999-11-17 研磨方法および研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32629199A JP2001144058A (ja) 1999-11-17 1999-11-17 研磨方法および研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001144058A true JP2001144058A (ja) 2001-05-25

Family

ID=18186140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32629199A Pending JP2001144058A (ja) 1999-11-17 1999-11-17 研磨方法および研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001144058A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001559A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Mitsubishi Electric Corp 化学的機械研磨方法、化学的機械研磨装置およびスラリー供給装置
JP2003197577A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 研磨用流体の供給装置及び供給方法
US6955764B2 (en) * 2002-01-11 2005-10-18 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method and apparatus for preparing slurry for CMP apparatus
JP2005347568A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Ebara Corp 基板研磨方法及び基板研磨装置
JP2006093666A (ja) * 2004-08-23 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 炭化シリコン結晶基板研磨方法
JP2007204120A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Engineering Corp 沈降性スラリーの容器
WO2018216445A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 株式会社荏原製作所 基板研磨装置および基板研磨方法
JP2022504144A (ja) * 2018-10-02 2022-01-13 ロレアル 美容処理プロセス

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001559A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Mitsubishi Electric Corp 化学的機械研磨方法、化学的機械研磨装置およびスラリー供給装置
JP2003197577A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 研磨用流体の供給装置及び供給方法
US6955764B2 (en) * 2002-01-11 2005-10-18 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method and apparatus for preparing slurry for CMP apparatus
JP2005347568A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Ebara Corp 基板研磨方法及び基板研磨装置
JP2006093666A (ja) * 2004-08-23 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 炭化シリコン結晶基板研磨方法
JP2007204120A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Engineering Corp 沈降性スラリーの容器
WO2018216445A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 株式会社荏原製作所 基板研磨装置および基板研磨方法
JP2018200938A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 株式会社荏原製作所 基板研磨装置および基板研磨方法
CN110663103A (zh) * 2017-05-26 2020-01-07 株式会社荏原制作所 基板研磨装置及基板研磨方法
KR20200013675A (ko) * 2017-05-26 2020-02-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법
KR102517204B1 (ko) 2017-05-26 2023-04-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법
CN110663103B (zh) * 2017-05-26 2023-06-06 株式会社荏原制作所 基板研磨方法
JP2022504144A (ja) * 2018-10-02 2022-01-13 ロレアル 美容処理プロセス
JP7325505B2 (ja) 2018-10-02 2023-08-14 ロレアル 美容処理プロセス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8870625B2 (en) Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
US6338671B1 (en) Apparatus for supplying polishing liquid
JP2001150347A (ja) 砥液供給装置
US6764378B2 (en) Point-of-use fluid regulating system for use in the chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
CN101484979A (zh) 能够抛光单个管芯的用于对大尺寸晶片进行化学机械抛光的方法及装置
KR20010050987A (ko) 연마기를 제어하는 방법
KR100835330B1 (ko) 폴리싱 장치로 슬러리를 공급하는 방법
EP0990486A1 (en) Polishing solution feeder
JP2001144058A (ja) 研磨方法および研磨装置
US6572445B2 (en) Multizone slurry delivery for chemical mechanical polishing tool
JP2009518629A (ja) 超音波流量計を備えた気泡抑制流量コントローラ
JP2011077525A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
US6156659A (en) Linear CMP tool design with closed loop slurry distribution
JP2002178261A (ja) 砥液供給装置及び砥液供給装置への添加剤補充方法及び研磨装置
US6929755B2 (en) Method of and apparatus for chemical mechanical polishing and slurry supplying device
KR20110082556A (ko) 유체 전달 시스템을 위한 유동 제어 모듈
JP2002016030A (ja) 研磨液の調製方法および調製装置
US8245565B2 (en) Slurry transport and storage system
JPH09290368A (ja) スラリ供給装置
US6572731B1 (en) Self-siphoning CMP tool design for applications such as copper CMP and low-k dielectric CMP
JP2010017808A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2011173198A (ja) 混合液供給装置
JPH10303155A (ja) 研磨方法および装置
JP2000317811A (ja) スラリ供給装置とスラリ供給方法、及びポリッシング装置とポリッシング方法
JP3367957B2 (ja) 研磨方法およびその装置