KR20110082556A - 유체 전달 시스템을 위한 유동 제어 모듈 - Google Patents
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 254
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 63
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0396—Involving pressure control
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
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Abstract
본 명세서에서 설명되는 실시예들은 기판 프로세싱 시스템 내에서 유체를 전달하는 방안을 제시한다. 보다 구체적으로, 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 기판 프로세싱 시스템 내에서 프로세싱 화학제품의 전달을 위한 방안을 제시한다. 일 실시예에서는 유체 전달 시스템이 제시된다. 이러한 유체 전달 시스템은 유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원, 상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인, 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인, 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 분할한다.
Description
본 명세서에서 설명되는 실시예들은 반도체 프로세싱, 더욱 구체적으로는 기판 프로세싱 시스템 내의 유체 전달(fluid delivery)을 위한 장치에 관한 것이다.
칩(chip) 제조 설비는 넓은 분야의 기술로 이루어진다. 반도체 기판을 담는 카세트(cassette)들은 이들이 처리되거나 검사되는 설비 내의 여러 스테이션(station)으로 보내진다. 반도체 프로세싱은 기판상에 물질을 증착하는 것과 기판으로부터 물질을 제거하는 과정을 수반한다. 통상적인 프로세스는 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 전기-화학적 도금(electro-chemical plating)(ECP), 화학 기계적 연마(chemical mechanical planarization)(CMP), 식각, 세정 등을 포함한다. 상기 프로세스 중에서 대략 25% 정도는 액체 화학제(liquid chemial) 프로세스를 수반한다.
반도체 프로세싱에 관한 한가지 이슈는 프로세스 용액 내의 화학제품 농도를 정밀하게 제어하기 위하여 유체를 정확하게 전달하는 것이다. 종래의 유체 전달 시스템은 벌크 공급부(bulk supply), 로컬 저장부(local reservoir), 또는 병(bottle)으로부터 프로세싱 화학 제품과 같은 유체를 취하고, 이들은 계량 펌프 및/또는 유량계를 이용하여 전달한다. 통상적인 시스템은 일정한 압력을 가지는 고정식 오리피스(fixed orifice)를 사용한다. 더욱 구체적으로 이러한 시스템은, 예를 들어 제어 밸브와 같은, 오리피스와, 제어 밸브 상류에서 일정한 유체 압력을 유지하여 일정한 유동 속도를 유지하는, 예를 들어 유량계와 같은, 압력 조절기로 유동을 제어할 수 있다.
분배되는 유체의 양을 측정하는데 이용가능한 다양한 유량계 기술이 있으며, 이들 중 빈번하게 사용되는 기술 중 하나는 차압 기술(differential pressure technology)이다. 차압 기술은 유체의 유동 속도를 측정하기 위하여 오리피스 출구 측 상에 유량계를 배치함으로써 압력을 측정한다. 그러나, 유량계는 미립자를 발생시키기 쉬우며 주기적인 관리(service) 및 보정(calibration)을 필요로 한다. 또한, 종래의 유량계 기술은 작은 부피 또는 매우 낮은 유동 속도에 대해서는 정확한 측정을 제공할 수 없다. 더욱 정확한 질량 유동 측정이 가능한 기술은 비용을 더 상승시키게 된다.
또한, 때때로는 2개의 상이한 화학제품이 선택적으로 혼합 및/또는 웨이퍼의 각 측면으로 전달될 필요가 있다. 그러나 종래의 유량계 기술은 단일 유체의 유동 속도만을 측정할 수 있을 뿐이다. 종래의 유량계 기술은 유체를 2개 또는 그보다 많은 유체 스트림(stream)으로 분할하는 것을 제어 또는 모니터할 수 없다.
따라서, 유체 전달을 제어할 수 있고, 유체 전달 정밀도를 향상시킬 수 있으며, 유체를 다수의 스트림으로 활용하는 것을 향상시킬 수 있도록 구성된 유체 전달 시스템이 요구된다.
본 명세서에서 설명되는 실시예들은 기판 프로세싱 시스템 내에서 유체를 전달하는 방안을 제시한다. 보다 구체적으로, 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 기판 프로세싱 시스템 내에서 프로세싱 화학제품의 전달을 위한 방안을 제시한다. 일 실시예에서는 유체 전달 시스템이 제시된다. 이러한 유체 전달 시스템은 유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원, 상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인, 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인, 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 분할한다.
다른 실시예에서는 유체 전달 시스템이 제시된다. 이러한 유체 전달 시스템은 상기 벌크 유체 공급원으로부터 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브, 상기 제어 밸브 상류에 위치하는 유량계, 상기 유량계 상류에 위치하는 제1 압력 변환기, 상기 유량계와 상기 제어 밸브 사이에 위치하는 제2 압력 변환기, 상기 제어 밸브 하류에 위치하는 스위치, 상기 스위치와 결합하는 제1 스트림 라인, 상기 스위치와 결합하는 제2 스트림 라인을 구비하며, 상기 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인은 상기 스위치의 하류에 배치된다.
또 다른 실시예에서는, 기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템이 제공된다. 이러한 시스템은 플래튼 조립체(platen assembly), 상기 플래튼 조립체 상에 지지되는 폴리싱 표면, 기판이 폴리싱되는 동안 유지되는, 하나 또는 그보다 많은 폴리싱 헤드, 상기 폴리싱 표면으로 유체를 전달하기 위한 유체 전달 시스템을 포함한다. 상기 유체 전달 시스템은 유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원, 상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인, 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인, 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 분할한다.
또 다른 실시예에서는, 유체 전달 시스템을 통한 유체의 유동을 제어하기 위한 방법을 제시한다. 이러한 방법은 유체 전달 시스템을 통해 유체를 유동시키는 단계로서, 상기 유체 전달 시스템이, 유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원, 상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인, 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치, 상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인, 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 분할하는, 유체 전달 시스템을 통해 유체를 유동시키는 단계, 상기 제1 스위치 및 제2 스위치 각각을 간헐적으로(intermittently) 차단시킴으로써 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인 각각에 대한 차압을 측정하는 단계, 및 상기 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인으로부터의 차압 측정치를 비교함으로써 양 스트림 라인이 개방될 때 유동의 비율을 결정하는 단계를 포함한다.
상술한 본 발명의 특징이 상세히 이해될 수 있도록 하기 위하여, 위에서 간략히 요약한 본 발명의 더욱 구체적인 설명이 실시예를 참조하여 이루어지며, 이들 실시예 중 일부는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 실시예를 도시할 뿐이며, 따라서 본 발명은 균등한 다른 실시예에 대해서도 허용하고 있으므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다.
도 1은 화학 기계적 폴리싱 시스템의 일 실시예에 대한 평면도이다.
도 2a는 본 명세서에서 설명되는 한가지 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 2b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 3a는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 3b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 1은 화학 기계적 폴리싱 시스템의 일 실시예에 대한 평면도이다.
도 2a는 본 명세서에서 설명되는 한가지 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 2b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 3a는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 3b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템의 개략적인 도면이다.
본 명세서에서 설명되는 실시예들은 반도체 프로세싱, 특히 기판 프로세싱 시스템 내에서 유체 전달을 위한 장치에 관련된다. 유동 제어기는 통상적으로 유체 전달 시스템에서 가장 비싼 부품이며, 모든 유형의 부품의 재료 비용의 가장 큰 비율을 차지한다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 추가적인 비싼 유동 제어기를 필요로 하지 않고도 동일한 양 또는 미리 정해진 비율의 2개 또는 그보다 많은 스트림(stream)으로 유체 스트림을 분할하는 것을 제어 및/또는 모니터하기 위한 수단을 유리하게 제공한다. 일 실시예에서는, 제어 밸브가 유동 측정 장치의 상류에 배치되고/배치되거나 추가적인 (복수의) 압력 변환기(pressure transducer)가 제어 밸브의 하류측에 배치되고, 이로써 유동 제어기와 분배 지점 사이의 분배 배관(dispense tubing)과 관련된 배압(back pressure)이 측정될 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 실시예들이 실행될 수 있는 구체적인 장치에는 제한이 없지만, 캘리포니아 Santa Clara에 위치한 Applied Materials, Inc.에서 판매하는 Reflexion® LK CMP 시스템 및 MIRRA MESA® 시스템에서 실시예들을 실행하는 것이 특히 유리하다. 추가로, 다른 제조업체로부터 구입할 수 있는 CMP 시스템도 본 명세서에 기술된 실시예를 사용하여 이점을 얻을 수 있다. 본 명세서에 설명되는 실시예는 오버헤드 원형 트랙 폴리싱 시스템(overhead circular track polishing system) 상에서도 실행될 수 있다.
도 1은 본 명세서에서 설명하는 실시예에 따른 유체 전달 시스템(200)을 포함하는 화학 기계적 폴리싱("CMP") 시스템(100)의 일 실시예에 대한 평면도를 도시한다. CMP 시스템(100)은 팩토리 인터페이스(factory interface)(102), 세정기(cleaner)(104) 및 폴리싱 모듈(106)을 포함한다. 팩토리 인터페이스(102)와 폴리싱 모듈(106) 사이에서 기판(170)을 이송하기 위하여 습식 로봇(wet robot)(108)이 제공된다. 습식 로봇(108)은 폴리싱 모듈(106)과 세정기(104) 사이에서 기판을 이송하도록 구성될 수도 있다. 팩토리 인터페이스(102)는 하나 이상의 카세트(114)와 하나 이상의 이송 플랫폼(116) 사이에서 기판(170)을 이송하도록 구성되는 건식 로봇(dry robot)(110)을 포함한다. 도 1에 도시된 일 실시예에는, 4개의 기판 저장 카세트(114)가 도시되어 있다. 건식 로봇(110)은 4개의 카세트(114)와 하나 이상의 이송 플랫폼(116) 사이에서의 이송을 용이하게 하기에 충분한 운동 범위를 가진다. 선택적으로, 건식 로봇(110)은 건식 로봇(110)을 팩토리 인터페이스(102) 내에서 측방향으로 위치시키기 위해 레일 또는 트랙(112) 상에 장착될 수 있으며, 이로써, 대형의 또는 복잡한 로봇 링키지(linkage)를 필요로 하지 않고도 건식 로봇(110)의 운동 범위를 증가시키게 된다. 건식 로봇(110)은 추가로 세정기(104)로부터 기판을 수용하여 깨끗하게 연마된 기판을 기판 저장 카세트(114)로 복귀시키도록 구성된다. 도 1에 도시된 실시예에서는 단지 하나의 기판 이송 플랫폼(116)이 도시되어 있지만, 동시에 2개 이상의 기판이 습식 로봇(108)에 의해서 폴리싱 모듈(106)로 이송되도록 대기(queue)될 수 있도록, 2개 또는 그보다 많은 기판 이송 플랫폼이 제공될 수 있다.
계속 도 1을 참조하면, 폴리싱 모듈(106)은 복수의 폴리싱 스테이션(124)을 포함하며, 이들 폴리싱 스테이션 상에서는 기판이 하나 또는 복수의 폴리싱 헤드(126) 내에 유지되어 폴리싱된다. 폴리싱 스테이션(124)은, 2개 또는 그보다 많은 기판의 폴리싱이 하나의 폴리싱 스테이션(124)을 이용하여 동시에 이루어질 수 있도록, 2개 또는 그보다 많은 폴리싱 헤드(126)와 동시에 접촉(interface)하도록 하는 크기를 가진다. 폴리싱 헤드(126)는 도 1에 점선으로 도시된 오버헤드 트랙(overhead track)(128)에 장착되는 캐리지(도시되지 않음)에 결합된다. 오버헤드 트랙(128)은 캐리지가 폴리싱 모듈(106) 주위에 선택적으로 위치할 수 있게 하는데, 이는 폴리싱 스테이션(124) 및 로드 컵(122) 위에서 폴리싱 헤드(126)를 선택적으로 위치시키는 것을 용이하게 한다. 도 1에 도시된 실시예에서 오버헤드 트랙(128)은 원형 형상을 가지는데, 이는 폴리싱 헤드(126)를 유지하는 캐리지가 선택적으로 그리고 독립적으로 로드 컵(122) 및 폴리싱 스테이션(124) 위에서 회전 및/또는 이로부터 떨어지게 할 수 있다. 오버헤드 트랙(128)은 타원형(elliptical), 달걀형(oval), 선형, 또는 기타 적절한 배향(orientation)과 같은 다른 형상을 가질 수 있으며, 폴리싱 헤드(126)의 운동은 다른 적절한 장치를 이용하여 보조될 수 있다.
도 1에 도시된 실시예에서는, 2개의 폴리싱 스테이션(124)이 폴리싱 모듈(106)의 대향 코너에 위치하는 것으로 도시된다. 습식 로봇(108)에 가장 가까운 폴리싱 스테이션(124) 사이에 있는 폴리싱 모듈(106)의 코너에 하나 이상의 로드 컵(122)이 위치한다. 로드 컵(122)은 습식 로봇(108)과 폴리싱 헤드(126) 사이에서의 이송을 용이하게 한다. 선택적으로, (점선으로 도시된) 제3의 폴리싱 스테이션(124)이 로드 컵(122) 반대편의 폴리싱 모듈(126)의 코너에 위치될 수 있다. 대안적으로, (역시 점선으로 도시된) 제2의 로드 컵(122) 쌍이 습식 로봇 인근에 배치된 로드 컵(122) 반대편에 있는 폴리싱 모듈(106)의 코너에 배치될 수 있다. 추가 폴리싱 스테이션(124)은 더 큰 설치 면적(footprint)을 가지는 시스템의 폴리싱 모듈(106) 내에 통합될 수 있다.
각각의 폴리싱 스테이션(124)은 동시에 2개 이상의 기판을 폴리싱할 수 있는 폴리싱 표면(130) 및 각각의 기판에 대한 상당(matching) 개수의 폴리싱 유닛을 구비한다. 각각의 폴리싱 유닛은 폴리싱 헤드(126), 폴리싱 파편(debris)을 제고하고 패드의 기공(pore)을 개방시킴으로써 패드를 드레싱(dress)하는 패드 컨디셔닝(conditioning) 조립체(132), 및 폴리싱 유체 전달 아암(arm)(134)을 구비한다. 일 실시예에서는, 각각의 폴리싱 스테이션(124)이 복수의 패드 컨디셔닝 조립체(132, 133)를 포함한다. 일 실시예에서는, 각각의 폴리싱 스테이션(124)이 각각의 폴리싱 스테이션(124)으로 유체 스트림을 전달하기 위한 복수의 유체 전달 아암(134, 135)을 포함한다. 폴리싱 표면(130)은 프로세싱 중에 폴리싱 표면(130)을 회전시키는 플래튼 조립체(platen assembly)(250)(도 2 참조) 상에 지지된다. 일 실시예에서, 폴리싱 표면(130)은 화학 기계적 폴리싱 및/또는 전기화학 기계적 폴리싱 프로세스 중 하나 이상에 적합하다. 다른 실시예에서는, 플래튼 조립체(250)가 폴리싱 중에 약 10 rpm 내지 약 150 rpm, 예를 들어 약 80 rpm 내지 약 100 rpm과 같이 약 50 rpm 내지 약 110 rpm의 속도로 회전될 수 있다.
CPM 시스템(100) 및 여기서 실행되는 프로세스의 제어를 용이하게 하기 위하여, 중앙 처리 유닛(CPU)(192), 메모리(194), 및 지원 회로(196)를 포함하는 제어기(190)가 CMP 시스템(100)에 연결된다. CPU(192)는 다양한 장치 및 압력을 제어하기 위해 산업적 환경(industrial setting)에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 메모리(194)는 CPU(192)에 연결된다. 메모리(192), 또는 컴퓨터 판독가능 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 기타 다른 형태의 디지털 저장부, 로컬(local) 또는 리모트(remote)와 같이 즉시 이용가능한 메모리(readily available memory) 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로(196)는 종래의 방식으로 프로세스를 지원하기 위하여 CPU(192)에 연결된다. 이러한 회로는 캐쉬(cache), 전력 공급부, 클록 회로(clock circuit), 입력/출력 회로, 서브 시스템 등을 포함한다.
도 2a는 본 명세서에서 설명되는 일 실시예에 다른 유체 전달 시스템(200)의 개략적인 도면이다. 유체 전달 시스템(200)은 프로세스 화학제 또는 복수의 화학제를 폴리싱 시스템(100)에 공급하기 위한 벌크(bulk) 유체 공급원(202), 벌크 유체 공급원(202)으로부터 스트림 라인(stream line)(203)을 통해서 유동하는 유체 스트림의 유동 속도를 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈(204), 그리고 기판 프로세싱을 위한 각각의 폴리싱 스테이션(124)의 플래튼 조립체(250)로의 유체 유동을 조절하는 다중 입/출력 밸브일 수 있는 제1 및 제2 스위치(206, 208)를 포함한다. 일 실시예에서는, 유체 전달 중에 또는 유체 전달 이후에, 제1 및 제2 스위치(206, 208)가 유체 분배 프로세스를 위해 배관(203a, 230b)을 통해 유체 스트림을 보낼 수 있다. 배관(230a, 230b)은 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE), 비닐, 및 프로세스 화학제와 화학적으로 조화될 수 있는 기타 플라스틱 재료와 같은 신축성 재료(flexible material)로 형성될 수 있다. 배관(230a, 230b)은 임의의 직경, 신축성, 및 벽 두께로 구성될 수 있다.
유체 전달 모듈(204)은 벌크 유체 공급원(202)으로부터 전달되는 유체의 양을 측정하고, 상기 유체를 미리 규정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 분할하고, 이 유체를 제1 스트림 라인(220)을 따라 위치하는 제1 스위치(206) 및 제2 스트림 라인(222)을 따라 위치하는 제2 스위치(208)를 통해 계량된(metered) 양으로 플래튼 조립체(250)로 전달하도록 구성된다. 유체 전달 모듈(204)은 배관(229)을 통한 벌크 유체 공급원(202)으로부터 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브(210)를 포함할 수 있다. 배관(229)은 PTFE, 비닐, 및 상기 유체와 화학적으로 조화될 수 있는 기타 플라스틱 물질과 같은 신축성 재료로 형성될 수 있다. 배관(229)은 임의의 직경, 신축성, 및 벽 두께로 구성될 수 있다. 유체 전달 모듈(204)은 스트림 라인(203)을 통해 유동하는 유체의 유동 속도를 모니터하기 위한 유량계(212)를 더 포함할 수 있다. 유량계(212)는 피드백 루프(도시되지 않음)를 통해서 제어 밸브(210)와 소통할 수 있다.
유체 전달 모듈(204)은 압력 탐지 장치, 예를 들어 제1 압력 변환기(214) 및 제2 압력 변환기(216)를 더 포함할 수 있다. 압력 변환기(214, 216)는 일정 지점에서 스트림 라인(203) 내의 유체의 저항 또는 임피던스의 정도를 결정하는데 사용될 수 있다. 임피던스는 스트림 라인(203) 내의 여러 위치에서 차압(differential pressure)을 측정 및 계산함으로써 결정될 수 있다. 스트림 라인(203) 내의 유체의 차압을 측정함으로써, 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)에서 유동하는 유체의 비율이 결정되며, 이러한 비율의 일관성(consistency)이 실시간으로 모니터될 수 있다.
일 실시예에서는, 제어 밸브(210)가 유량계(212)의 상류에 위치하며, 제1 압력 변환기(214)가 제어 밸브(210) 및 유량계(212) 사이에 위치되어 스트림 라인(203)을 통해 유동하는 유체의 압력을 모니터하고, 제2 압력 변환기(216)는 유량계(212)의 하류에 위치한다. 임피던스의 제1 측정치는 유체가 유량계(212)를 통해 유동하기 전에 제1 압력 변환기(214)에 의해 얻어질 수 있다.
일 실시예에서는, 제2 압력 변환기(216)가 유량계(212)의 하류에 위치한다. 제2 압력 변환기(216)는 2개의 유체 스트림 사이의 비율을 결정하는데 사용될 수 있는 임피던스를 측정할 수도 있다. 일 실시예에서는, 2개의 유체 스트림의 비율이 동일할 수 있거나 또는 이러한 비율이 프로세싱 요구 조건에 기초하여 미리 정해진 비율의 임의의 조합일 수 있다. 유체 스트림에 대해 미리 정해진 비율을 사용함으로써, 제어기(190)는 미리 결정된 비율에 따라 2개의 유체 스트림을 제어하고 모니터할 수 있다. 압력 변환기(214, 216)에 의해 측정된 임피던스는 유체의 유동 비율 및 스트림 라인(203)에 걸친 차압을 결정하는데 사용될 수도 있다. 또한, 제2 압력 변환기(216)를 유량계(212)의 하류에 배치시킴으로써, 제2 압력 변환기(216)는 임피던스 측정 및 차압 결정에서의 제2 측정치로서 작용하는 추가적인 압력 데이터를 제공할 수 있다.
작동에 있어서, 차압 측정은 제1 스위치(206) 및 제2 스위치(208) 각각을 개별적으로 차단시킴으로써 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222) 각각에 대해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(206)는 제2 스위치(208)가 개방된 상태로 유지되어 제2 스트림 라인(222)에 대한 차압이 측정되는 동안 폐쇄될 수 있다. 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)으로부터의 개별적인 차압 측정의 비율은 양(both)/모든 스트림 라인이 개방될 때 유동의 비율이다. 이러한 비율 측정은 스트림 라인을 통한 유동 비율의 일관성을 모니터하고, 예를 들어 폴리싱 슬러리(polishing slurry)에 의한 스트림 라인의 폐색(clogging)으로 인한, 필요조건(requirement)으로부터의 어떠한 일탈(divergence)도 실시간으로 탐지하기 위하여 주기적으로 사용될 수 있다.
도 2b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템(260)의 개략적인 도면이다. 전달되는 유체의 임피던스 및 차압은 상이한 구성의 유체 전달 시스템(260)에서 측정될 수 있다. 유체 전달 시스템(260) 내의 부품 중 일부는 도 2a에서 설명된 바와 같은 유체 전달 시스템(200)에도 존재한다. 일 실시예에서는, 유체 전달 시스템(260)이 벌크 유체 공급원(202), 스트림 라인(203)을 통해 벌크 유체 공급원(202)으로부터 유동하는 유체 스트림을 제어하고 모니터하기도 하는 유체 전달 모듈(262), 그리고 제1 및 제2 스위치(206, 208)를 포함한다. 유체 전달 모듈(262)에는 유량계(212)가 제어 밸브(210)의 상류에 배치된다. 제1 압력 변환기(214)는 유량계(212)의 상류에 배치된다. 제2 압력 변환기(216)는 유량계(212)와 제어 밸브(210) 사이에 배치된다. 제3 압력 변환기(264)가 제어 밸브(210)의 하류에 배치된다. 일 실시예에서는, 벌크 유체 공급원(202)으로부터 유동하는 유체가 제1 압력 변환기(214)를 지나는데, 여기서는 제1 압력 변환기(214)에 의해서 제1 임피던스가 측정될 수 있다. 유체가 유량계(212)를 통해 유동한 후, 유체가 제어 밸브(210)에 도달하기 전에 제2 압력 변환기(216)에 의해서 제2 임피던스가 측정될 수 있다. 제1 임피던스 측정 및 제2 임피던스 측정은 미리 정해진 비율이 달성되었는지 여부를 결정하기 위하여 비교될 수 있다. 미리 결정된 비율이 달성되지 않았다면, 미리 결정된 비율을 달성하기 위하여 스트림 라인 내의 압력을 조정하도록 인-시츄(in-situ) 실시간 조정이 이루어질 수 있다. 미리 결정된 비율이 달성되었다면, 스트림 라인을 통한 비율의 일관성을 평가하기 위하여 제3 압력 변환기(264)에 의해 제3 임피던스 측정이 이루어질 수 있다. 압력 변환기가 유량계(212) 또는 제어 밸브(210)의 하류에 위치하여 압력에 대한 제2 측정치를 얻고 압력 변환기로부터 측정된 비율이 이전의 압력 변환기로부터 측정된 비율과 조화되는지 여부를 결정하며 비율의 일관성이 전체에 걸쳐 유지된다는 것이 중요하다.
도 3a는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템(300)의 개략적인 도면이다. 대안적인 실시예의 유체 전달 시스템(300)은 도 2b의 유체 전달 시스템(260)과 유사하다. 일 실시예에서는, 유체 전달 시스템(300)이 벌크 유체 공급원(202), 스트림 라인(203)을 통해 벌크 유체 공급원(202)으로부터 유동하는 유체 스트림을 제어하고 모니터하기도 하는 유체 전달 모듈(304), 그리고 제1 및 제2 스위치(206, 208)를 포함한다. 유체 전달 모듈(304)에는 유량계(212)가 제어 밸브(210)의 상류에 배치된다. 제1 압력 변환기(214)는 유량계(212)의 상류에 배치된다. 제2 압력 변환기(216)는 유량계(212)와 제어 밸브(210) 사이에 배치된다. 유체 전달 모듈(304)을 통해 유동하는 유체는, 미리 결정된 비율에 따라, 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 분할될 수 있다. 제1 스트림 라인(220)에는, 제2 제어 밸브(310)가 제1 스위치(206)의 상류에 배치되며, 제2 스트림 라인(222)에는, 제2 유량계(312)가 제2 스위치(208)의 상류에 배치된다. 이러한 구성은 스트림 라인을 통한 유체의 전체 유동에 영향을 주지 않으면서 2개의 스트림 중 하나를 제어하고 모니터하는데 사용될 수 있다. 유체가 유체 전달 모듈(304)을 통과하고 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 분할된 이후에, 제1 스트림 라인(220)을 통해 유동하여 제2 제어 밸브(310)로 진행하는 스트림은 유체 전달 모듈(304)에 의해 미리 정해진 유동 속도로 진행할 것이다. 이후 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하여 제2 유량계(312)로 진행하는 스트림의 유동 속도가 모니터될 수 있다.
도 3b는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템(320)의 개략적인 도면이다. 도 3b의 시스템(320)은 도 3a의 유체 전달 시스템(300)과 유사하다. 일 실시예에서는, 유체 전달 시스템(320)이 벌크 유체 공급원(202), 스트림 라인(203)을 통해 벌크 유체 공급원(202)으로부터 유동하는 유체 스트림을 제어하고 모니터하기도 하는 유체 전달 모듈(304), 그리고 제1 및 제2 스위치(206, 208)를 포함한다. 유체 전달 시스템(320)과 유체 전달 시스템(300) 사이의 차이점은 제2 제어 밸브(310)와 제2 유량계(312)의 위치이다. 본 구성에서는, 제2 제어 밸브(310) 및 제2 유량계(312)가 제1 및 제2 스위치 중 하나(206 또는 208)만의 상류에 위치한다. 제2 제어 밸브(310)나 제2 유량계(312) 없이 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하여 제2 스위치(208)로 진행하는 유체는 유체 전달 모듈(304)에 의해 미리 결정된 유동 속도로 진행할 것이다. 제2 제어 밸브(310) 및 제2 유량계(312) 모두와 함께 제1 스트림 라인(220)을 통해 유동하여 제1 스위치(208)로 진행하는 유체는 제어되고 모니터될 것이다. 제1 스트림 라인(220)을 통해 유동하여 제1 스위치(206)로 진행하는 유체의 유동 속도는 유체의 전체 유동에 영향을 주지 않으면서 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하여 제2 스위치(208)로 진행하는 유체의 유속에 조화되도록 제어되고 모니터될 수 있다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예에 따른 유체 전달 시스템(400)의 개략적인 도면이다. 일 실시예에서는, 유체 전달 시스템(400)이 벌크 유체 공급원(202), 스트림 라인(203)을 통해 벌크 유체 공급원(202)으로부터 들어오는 유체 스트림을 제어하고 모니터하기도 하는 유체 전달 모듈(404), 그리고 스위치(408)를 포함한다. 유체 전달 모듈(404)에서는, 유량계(212)가 제어 밸브(210)의 상류에 위치한다. 제1 압력 변환기(214)는 유량계(212)의 상류에 위치한다. 제2 압력 변환기(216)는 유량계(212)와 제어 밸브(210) 사이에 위치한다. 선택적으로, 제3 압력 변환기(406)가 스위치(408) 앞에 위치할 수 있다. 스위치(408)는 3방향 스위치(three-way switch) 또는 2개의 2방향 스위치를 포함할 수 있다.
유체 전달 모듈(404)은 스트림 라인(203)을 통해 유동하는 유체를 제1 스트림 라인(220) 및 제2 스트림 라인(222)을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 분할할 수 있으며, 여기서 유량계(212)는 시스템을 통한 일정한 유동을 보장하기 위하여 스트림 라인을 간헐적으로 모니터할 수 있다. 제1 압력 변환기(214), 제2 압력 변환기(216), 및 제3 압력 변환기(406)가 유체가 유동하고 있는 동안 스트림 라인 내의 임피던스 및 차압을 정확하게 측정하는 것이 중요하다. 정확한 측정은 제어 밸브(210)가, 유체가 기판 프로세싱 중에 플래튼(250)으로 균일하게 분배될 수 있도록 스트림 라인을 전체에 걸쳐 유체의 전체 유동을 일정하게 유지하면서 복수의 스트림 라인 사이에 동일한 비율을 유지하고 제어할 수 있게 한다.
전술한 내용은 본 발명의 실시예에 대해 이루어졌으나, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예가 본 발명의 범위 내에서 안출될 수 있을 것이며, 본 발명의 범위는 이하의 청구범위에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템으로서,
플래튼 조립체;
상기 플래튼 조립체 상에 지지되는 폴리싱 표면;
기판이 폴리싱되는 동안 유지되는, 하나 또는 그보다 많은 폴리싱 헤드;
상기 폴리싱 표면으로 유체를 전달하기 위한 유체 전달 시스템으로서,
유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원;
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인;
상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인;
상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치;를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 유체를 분할하는, 유체 전달 시스템;을 포함하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 제1항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브;
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 유동 속도를 모니터하기 위한 유량계; 및
상기 유체 전달 모듈을 통해 유동하는 유체의 압력을 모니터하기 위한 제1 압력 변환기;를 구비하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 제1항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 유동 속도를 모니터하기 위한 유량계;
상기 유량계의 상류에 위치하는 제어 밸브;
상기 제어 밸브와 상기 유량계 사이에 위치하는 제1 압력 변환기; 및
상기 유량계의 하류에 위치하는 제2 압력 변환기;를 구비하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 제1항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브;
상기 제어 밸브 상류에 위치하는 유량계;
상기 유량계 상류에 위치하는 제1 압력 변환기; 및
상기 유량계와 상기 제어 밸브 사이에 위치하는 제2 압력 변환기;를 구비하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 제4항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이 상기 제어 밸브 하류에 위치하는 제3 압력 변환기를 더 구비하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 스위치 상류에서 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 제어 밸브; 및
상기 제2 스위치 상류에서 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 유량계;를 더 포함하는,
기판의 화학 기계적 폴리싱을 위한 시스템.
- 유체 전달 시스템으로서,
유체를 공급하기 위한 벌크 유체 공급원;
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인;
상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인; 및
상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치;를 포함하고,
상기 유체 전달 모듈은 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 미리 정해진 비율에 따라서 상기 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 분할하는,
유체 전달 시스템.
- 제7항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브;
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 유동 속도를 모니터하기 위한 유량계; 및
상기 유체 전달 모듈을 통해 유동하는 유체의 압력을 모니터하기 위한 제1 압력 변환기;를 구비하는,
유체 전달 시스템.
- 제7항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 유동 속도를 모니터하기 위한 유량계;
상기 유량계의 상류에 위치하는 제어 밸브;
상기 제어 밸브와 상기 유량계 사이에 위치하는 제1 압력 변환기; 및
상기 유량계의 하류에 위치하는 제2 압력 변환기;를 구비하는,
유체 전달 시스템.
- 제7항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이
상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체의 유동을 제어하기 위한 제어 밸브;
상기 제어 밸브 상류에 위치하는 유량계;
상기 유량계 상류에 위치하는 제1 압력 변환기; 및
상기 유량계와 상기 제어 밸브 사이에 위치하는 제2 압력 변환기;를 구비하고,
상기 제1 및 제2 압력 변환기가 상기 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인 내에서 유동하는 유체의 비율을 결정하기 위하여 상기 유체의 임피던스를 측정하도록 구성되는,
유체 전달 시스템.
- 제10항에 있어서,
상기 유체 전달 모듈이 상기 제어 밸브 하류에 위치하는 제3 압력 변환기를 더 구비하는,
유체 전달 시스템.
- 제7항에 있어서,
임피던스의 제1 측정치를 취하고 상기 임피던스의 제1 측정치를 임피던스의 제2 측정치와 비교함으로써, 상기 유체의 비율이 미리 결정된 비율에 맞게 조정될 수 있는,
유체 전달 시스템.
- 제10항에 있어서,
상기 제1 스위치 상류에서 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 제어 밸브; 및
상기 제2 스위치 상류에서 상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 유량계;를 더 포함하는,
유체 전달 시스템.
- 제10항에 있어서,
상기 제1 스위치 상류에서 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 제어 밸브; 및
상기 제1 스위치 상류에서 상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 유량계;를 더 포함하는,
유체 전달 시스템.
- 유체 전달 시스템을 통한 유체의 유동을 제어하기 위한 방법으로서,
유체 전달 시스템을 통해 유체를 유동시키는 단계로서, 상기 유체 전달 시스템이,
벌크 유체 공급원;
상기 벌크 유체 공급원으로부터 유동하는 유체의 비율을 제어하고 모니터하기 위한 유체 전달 모듈;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제1 스트림 라인;
상기 제1 스트림 라인을 따라 위치하는 제1 스위치;
상기 유체 전달 모듈 하류에 위치하는 제2 스트림 라인;
상기 제2 스트림 라인을 따라 위치하는 제2 스위치;를 구비하고, 상기 유체 전달 모듈이 미리 결정된 비율에 따라서 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인을 통해 유동하는 2개의 스트림으로 상기 벌크 유체 공급원으로부터의 유체를 분할하는, 유체 전달 시스템을 통해 유체를 유동시키는 단계;
상기 제1 스위치 및 제2 스위치 각각을 간헐적으로 차단시킴으로써 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인 각각에 대한 차압을 측정하는 단계; 및
상기 제1 스트림 라인 및 제2 스트림 라인으로부터의 차압 측정치를 비교함으로써 양 스트림 라인이 개방될 때 유동의 비율을 결정하는 단계;를 포함하는,
유체 전달 시스템을 통한 유체의 유동을 제어하기 위한 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/247,013 | 2008-10-07 | ||
| US12/247,013 US20100084023A1 (en) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | Flow control module for a fluid delivery system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110082556A true KR20110082556A (ko) | 2011-07-19 |
| KR101647961B1 KR101647961B1 (ko) | 2016-08-12 |
Family
ID=42074836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117010426A KR101647961B1 (ko) | 2008-10-07 | 2009-10-06 | 유체 전달 시스템을 위한 유동 제어 모듈 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100084023A1 (ko) |
| JP (1) | JP2012505529A (ko) |
| KR (1) | KR101647961B1 (ko) |
| WO (1) | WO2010042528A2 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8771537B2 (en) * | 2009-08-20 | 2014-07-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment device and plasma treatment method |
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- 2009-10-06 WO PCT/US2009/059709 patent/WO2010042528A2/en active Application Filing
- 2009-10-06 JP JP2011530302A patent/JP2012505529A/ja not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010042528A3 (en) | 2010-07-08 |
| WO2010042528A2 (en) | 2010-04-15 |
| KR101647961B1 (ko) | 2016-08-12 |
| US20100084023A1 (en) | 2010-04-08 |
| JP2012505529A (ja) | 2012-03-01 |
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| JP2019106424A5 (ko) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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