JP2002016030A

JP2002016030A - 研磨液の調製方法および調製装置

Info

Publication number: JP2002016030A
Application number: JP2000193023A
Authority: JP
Inventors: Norihiro Takasaki; 紀博高崎; Yoshifumi Bando; 嘉文板東; Masumi Hino; 増美日野; Shigeyuki Mihara; 茂幸三原
Original assignee: Mitsubishi Chemical Engineering Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Engineering Corp
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2000-06-27
Publication date: 2002-01-18

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体デバイスの研磨加工などに使用される
研磨液を調製するにあたり、一層高精度に且つ効率的に
調整できる研磨液の調製方法および調製装置を提供す
る。【解決手段】研磨液の調製方法は、純水および砥粒成
分から成る所定濃度の研磨液を調製する方法であり、略
一定濃度のスラリー原液と純水を計量供給し、所定量の
研磨液を調製する初期調製工程（Ａ）、工程（Ａ）で得
られた研磨液にスラリー原液または純水の不足量を供給
し、研磨液の濃度を調整する濃度調整工程（Ｂ）を含
む。また、研磨液の調製装置は、スラリー原液の原液槽
（１）、調製槽（２）、電磁式導電率法によって導電率
を測定する導電率測定装置（３）、原液供給装置（Ａ
１）、純水供給装置（Ａ２）及び制御装置などから構成
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨液の調製方法
および調製装置に関するものであり、詳しくは、例え
ば、半導体デバイス製造プロセスの研磨加工に使用され
るシリカ系研磨液などを調製するにあたり、一層高精度
に且つ効率的に調製できる研磨液の調製方法、および、
当該調製方法を実施するのに好適な研磨液の調製装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハの研磨加工においては、メ
タル配線の層間絶縁膜などを研磨するため、シリカ系の
砥粒成分を含む研磨液（研磨用スラリー）が使用され
る。斯かる研磨液のスラリー濃度（又は水分量）は、デ
バイスパターンの微細化に伴って一層正確なポリッシン
グレートを得るため、厳密に管理される必要があるが、
通常、研磨液は、別個の調製工程において、砥粒と純水
を正確に計量混合することにより調製される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の様な
研磨加工においては、経済的観点からすると、加工量に
応じて適量の研磨液を準備するのが望ましく、オンサイ
トで効率的に研磨液を調製できる新たな手段が望まれ
る。本発明の目的は、例えば、半導体デバイス製造プロ
セスの研磨加工に使用されるシリカ系研磨液などを調製
するにあたり、一層高精度に且つ効率的に調製できる研
磨液の調製方法、および、当該調製方法の実施に好適な
研磨液の調製装置を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の実
情を鑑みて種々検討した結果、研磨液の濃度、すなわち
スラリー濃度は、研磨液の比重と比例関係にあり、ま
た、研磨液の比重は、導電率値と高度に相関することを
確認した。そして、更に検討の結果、研磨液を調製する
際、特定の測定法によって研磨液の導電率を測定し且つ
リアルタイムに比重換算して濃度調整するならば、短時
間に且つ高精度に所定濃度の研磨液を調製し得ることを
見出し、本発明を完成した。

【０００５】すなわち、本発明は２つの要旨からなり、
その第１の要旨は、純水および砥粒成分から成る所定濃
度の研磨液を調製する方法であって、初期調製工程
（Ａ）；略一定濃度のスラリー原液と純水を計量供給
し、所定量の研磨液を調製する工程、濃度調整工程
（Ｂ）；工程（Ａ）で得られた研磨液にスラリー原液ま
たは純水の不足量を供給し、研磨液の濃度を調整する工
程から成り、濃度調整工程（Ｂ）においては、電磁式導
電率法によって研磨液の導電率を測定することにより比
重を検出した後、検出された比重と目標濃度に相当する
目標比重とを比較し、検出された比重が目標比重の域値
外の場合にスラリー原液または純水の不足量を供給する
ことを特徴とする研磨液を調製方法に存する。

【０００６】また、本発明の第２の要旨は、純水および
砥粒成分から成る所定濃度の研磨液を調製する装置であ
って、略一定濃度のスラリー原液を貯蔵する原液槽、研
磨液を調製する調製槽、前記原液槽から前記調製槽にス
ラリー原液を供給する原液供給装置、前記調製槽に純水
を供給する純水供給装置、前記調製槽の研磨液の導電率
を測定する導電率測定装置、および、これらの機器を制
御する制御装置を含み、前記導電率測定装置は、電磁式
導電率法によって導電率を測定する測定装置であり、前
記制御装置は、前記導電率測定装置によって測定された
研磨液の導電率から演算で比重を検出し、かつ、検出さ
れた比重と目標濃度に相当する目標比重とを比較し、そ
して、検出された比重が目標比重の域値外の場合に前記
原液供給装置または前記純水供給装置を作動させ、スラ
リー原液または純水の不足量を供給する機能を備えてい
ることを特徴とする研磨液の調製装置に存する。

【０００７】また、上記の研磨液の調製装置において
は、砥粒成分の沈降や凝集を防止するため、研磨液槽に
は、噴流によって研磨液を撹拌する撹拌機構が設けられ
ているのが好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に係る研磨液の調製方法お
よび調製装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係る研磨液の調製装置の概要を示す系
統図である。図２〜図５は、シリカ系研摩液における濃
度、比重および導電率の関係を示すグラフである。図６
は、本発明の実施例における研磨液の比重および導電率
の変化を示すグラフである。

【０００９】以下の実施形態においては、半導体デバイ
ス製造プロセスの研磨加工に使用されるシリカ系研磨液
の調製を一例に挙げて説明するが、本発明は、後述の電
磁式導電率法で測定可能な成分である限り、各種の研磨
液に適用できる。また、実施形態の説明においては、研
磨液の調製方法を「調製方法」と略記し、研磨液の調製
装置を「調製装置」と略記する。

【００１０】本発明の調製方法を説明するにあたり、先
ず、斯かる調製方法を好適に実施し得る本発明の調製装
置を説明する。本発明の調製装置は、純水および砥粒成
分から成る研磨液であって、例えば、半導体デバイス等
の研磨に適用される所定濃度のシリカ系研磨液を調製す
る装置であり、オンサイトで高精度に研磨液の濃度を調
整し得る調製装置である。

【００１１】調製される研磨液がシリカ系の場合は、二
酸化ケイ素の粉末が砥粒成分として使用される。また、
化学機械研摩に適用する場合は、調整された研磨液に対
し、更に添加剤としての酸またはアルカリが研磨対象に
応じて添加される。例えば、メタル配線の表面を研磨す
る場合やプラグを除去する場合は、添加剤として過酸化
水素が使用され、また、シリコン層を研磨する場合は、
添加剤として水酸化カリウム等が使用される。

【００１２】本発明の調製装置は、図１に示す様に、主
に、略一定濃度のスラリー原液を貯蔵する原液槽
（１）、研磨液を調製する調製槽（２）、原液槽（１）
から調製槽（２）にスラリー原液を供給する原液供給装
置（Ａ１）、調製槽（２）に純水を供給する純水供給装
置（Ａ２）、調製槽（２）の研磨液の導電率を測定する
導電率測定装置（３）、および、これらの機器を制御す
る制御装置（図示せず）から構成される。

【００１３】原液槽（１）は、原料としてのスラリー原
液を調製槽（２）に供給するためのバッファタンクであ
り、内容積が１００〜１０００リットル程度の耐腐食性
を備えた固定式容器または可搬式容器によって構成され
る。原液槽（１）は、系外から搬入されるスラリー原液
の搬送用容器に接続可能な配管（５０）を備えており、
斯かる配管（５０）を通じ、窒素などの不活性ガスによ
ってスラリー原液が搬送用容器から圧送される様になさ
れている。また、原液槽（１）には、空気との接触を防
止するため、窒素などの不活性ガスを供給する配管（６
０）が付設される。

【００１４】調製槽（２）は、研磨液の濃度を所定濃度
に調整し且つ調製された研磨液を外部の研磨装置などへ
供給するためのバッファタンクである。例えば、調製槽
（２）は、耐腐食性を高めるため、フッ素樹脂でライニ
ングした内容積が５００〜２０００リットル程度の容器
によって構成される。調製槽（２）には、受け入れるス
ラリー原液や純水の重量を計量するための計量器（３
０）と、液量を計測するための光式、導電率式、静電容
量式などのポイント測定可能な液面計（２０）が設けら
れる。また、斯かる液面計（２０）は、必要に応じて調
製槽（２）の側面に直接設置されてもよい。更に、空気
との接触を防止するため、調製槽（２）には、不活性ガ
ス供給用の配管（６１）が付設される。

【００１５】原液供給装置（Ａ１）は、原液槽（１）か
ら調製槽（２）にスラリー原液を圧送する装置であり、
原液槽（１）からスラリー原液を取り出すための配管
（５１）と、スラリー原液を送るポンプ（４）と、当該
ポンプから調製槽（２）へ至る配管（５２）及び（５
３）と、配管（５２）と配管（５３）の間に介装され且
つ調製槽（２）へのスラリー原液の供給を制御する開閉
弁（７０）とから構成される。ポンプ（４）としては、
一定の流量でスラリー原液を圧送するためにベローズ方
式などの定量ポンプが使用される。

【００１６】純水供給装置（Ａ２）は、希釈用の純水を
調製槽（２）に供給する装置であり、系外の超純水製造
装置から純水を供給する配管（５４）と、調製槽（２）
への純水の供給を制御する開閉弁（７１）及び（７２）
と、調製槽（２）への純水の入口としての配管（６２）
とから構成される。超純水製造装置は、イオン交換樹脂
などを使用し、超純水を分離精製する公知の装置であ
り、当該装置に備えられたポンプにより、製造した超純
水を配管（５４）を通じて圧送する。開閉弁（７２）
は、超純水の供給量に応じてその制御精度を高めるた
め、配管（５４）と配管（６２）のバイパス管路に開閉
弁（７１）と並列に挿入されている。

【００１７】また、調製槽（２）の下流側には、研磨液
の濃度を管理し且つ調製された研磨液を外部の研磨装置
へ供給するため、上記の導電率測定装置（３）を含む研
磨液循環供給装置（Ａ３）が設けられる。研磨液循環供
給装置（Ａ３）は、研磨液供給ラインと研磨液循環ライ
ンとから成る。研磨液供給ラインは、調製槽（２）から
研磨液を取り出すための配管（５６）と、研磨液を送る
ポンプ（５）と、ポンプ（５）から上記の研磨装置へ至
る配管（５７）及び（５９）と、配管（５７）と配管
（５９）の間に介装され且つ研磨液の供給を制御する開
閉弁（７５）とから構成される。

【００１８】また、研磨液循環ラインは、上記の配管
（５６）、ポンプ（５）及び当該ポンプの吐出側に接続
された配管（５７）と、斯かる配管（５７）から分岐し
て調製槽（２）へ至る配管（５８）と、配管（５７）と
配管（５８）の間に介装された開閉弁（７３）とから構
成される。そして、上記の導電率測定装置（３）は、開
閉弁（７４）を介して配管（５８）から分岐して設けら
れたバイパス配管（５５）に接続されており、導電率測
定装置（３）には、研磨液循環ラインを循環する研磨液
の一部が供給される様になされている。

【００１９】更に、調製槽（２）においては、砥粒成分
の沈降や凝集を防止するため、噴流によって研磨液を常
時撹拌する撹拌機構が設けられる。具体的には、撹拌機
構は、研磨液循環供給装置（Ａ３）の研磨液循環ライン
における配管（５８）の先端側、すなわち、調製槽
（２）との接続部分に付設されたジェットノズル（図示
せず）によって構成される。斯かるジェットノズルは、
配管（５８）側から噴出する駆動加圧流体としての研磨
液の噴出エネルギーにより調製槽（２）内の研磨液に対
して物理的衝撃を加え、調製槽（２）の底部に噴流を発
生させることが出来る。

【００２０】本発明の調整装置においては、研磨液の濃
度を導電率によって高精度に特定するため、導電率測定
装置（３）は、電磁式導電率法によって導電率を測定す
る機能を備えている必要がある。電磁式導電率法は、試
料の電気伝導度に比例する誘導電流の大きさから試料の
導電率を測定する方法であり、斯かる方法においては、
試料中に浸漬した励磁用環状コイルに交流電圧を印加す
ることにより、試料に誘導電流を流すと共に、誘導電流
と鎖交する様に試料中に浸漬した他の検出用環状コイル
に誘起される電圧を検出することにより、試料の導電率
を測定する。スラリーの導電率は、スラリーの種類や濃
度によって異なるので、電磁式導電率法による測定にお
いては、同種のスラリーの場合、濃度差を利用して導電
率を特定する。

【００２１】導電率測定装置（３）は、測定誤差を最小
限とするため、温度補償機能を含む諸補償機能と導電率
制御器を備えており、シリカ系研摩液に導電率測定装置
（３）を適用した場合には、１／１０〜１／１００の誤
差範囲で導電率を測定できる。上記の導電率測定装置
（３）としては、例えば、電気化学計器社製の「電磁濃
度計ＭＤＭ−３００型（製品名）」ならびに「ＭＥ−１
１Ｔ型（製品名）」等が挙げられる。更に、導電率測定
装置（３）には、研磨液の電位を測定するためのｐＨ計
（図示せず）が付設される。

【００２２】また、本発明の調製装置においては、調製
槽（２）にて迅速に且つ高い精度で研磨液の濃度を調整
するため、特定の機能を有する上記の制御装置が設けら
れる。斯かる制御装置には、液面計（２０）、ポンプ
（４）及び（５）、導電率測定装置（３）などの各機器
の信号をデジタル変換する入力装置と、マイクロコンピ
ューターを含むプログラムコントローラーやパーソナル
コンピューター等の演算処理装置と、演算処理装置から
の制御信号をアナログ変換する出力装置とが含まれる。

【００２３】そして、上記の制御装置には、導電率測定
装置（３）によって測定された調製槽（２）の研磨液の
導電率を比重に変換し、研磨液の濃度を制御する機能が
備えられている。すなわち、制御装置は、導電率測定装
置（３）によって測定された研磨液の導電率から演算で
比重を検出し、かつ、検出された比重と目標濃度に相当
する目標比重とを比較し、検出された比重が目標比重の
域値外の場合に原液供給装置（Ａ１）又は純水供給装置
（Ａ２）を作動させ、スラリー原液または純水の不足量
を供給する機能を備えている。

【００２４】次に、本発明の調整装置における機能と共
に、当該調整装置を使用した本発明の調製方法を説明す
る。先ず、研磨液を調製するにあたり、研磨液の目標と
される濃度（砥粒成分の濃度または純水の濃度）、通常
は砥粒成分の目標濃度（スラリー濃度）、ならびに、許
容される濃度の上限値と下限値（域値）を予め設定す
る。換言すれば、研磨液の目標比重と許容される目標比
重の域値とを設定する。例えば、上記シリカ系研磨液の
場合、目標比重は１．０７５、域値は１．０７０（下限
値）と１．０８０（上限値）に設定される。

【００２５】本発明の調製方法は、略一定濃度のスラリ
ー原液と純水を計量供給し、所定量の研磨液を調製する
初期調製工程（Ａ）と、工程（Ａ）で得られた研磨液に
スラリー原液または純水の不足量を供給し、研磨液の濃
度を調整する濃度調整工程（Ｂ）とから成る。

【００２６】初期調製工程（Ａ）においては、先ず、原
液供給装置（Ａ１）のポンプ（４）を起動することによ
り、原液槽（１）から調整槽（２）へスラリー原液を目
標重量範囲内で供給する。調製槽（２）へのスラリー原
液の供給において、制御装置は、調製槽（２）の計量器
（３０）からの信号に基づき、ポンプ（４）及び開閉弁
（７０）を制御する。次いで、純水供給装置（Ａ２）の
開閉弁（７１）及び／又は（７２）を開放することによ
り、超純水製造装置から調製槽（２）へ純水を目標重量
範囲内で供給する。斯かる純水の供給において、制御装
置は、計量器（３０）からの信号に基づき、開閉弁（７
１）及び／又は（７２）を制御する。

【００２７】他方、スラリー原液および純水の供給操作
に伴い、制御装置は、研磨液循環供給装置（Ａ３）の研
磨液循環ラインにおける開閉弁（７３）を開放し、ポン
プ（５）を起動させ、そして、研磨液の循環操作を開始
する。その際、配管（５８）の先端に付設された撹拌手
段としてのジェットノズルは、返流される研磨液を調製
槽（２）内へ噴出し、調製槽（２）の研磨液を撹拌混合
する。上記の様な撹拌手段を使用した場合には、調製槽
（２）における研磨液の成分を一層均一化でき且つ砥粒
成分の沈降や凝集を防止できる。しかも、インペラー方
式の攪拌装置の様に発塵による不純物の混入がなく、研
磨液の純度を維持できる。

【００２８】上記の初期調製工程（Ａ）を実施し、一定
量のスラリー原液と純水を調製槽（２）に供給した後、
濃度調整工程（Ｂ）を実施する。濃度調整工程（Ｂ）に
おいては、電磁式導電率法によって研磨液の導電率を測
定することにより比重を検出した後、検出された比重と
目標濃度に相当する目標比重とを比較し、検出された比
重が目標比重の域値外の場合にスラリー原液または純水
の不足量を供給する。

【００２９】具体的には、先ず、制御装置の制御によ
り、研磨液循環ラインによって調製槽（２）の研磨液を
一定時間だけ循環混合した後、開閉弁（７４）を開放
し、バイパス配管（５５）を通じ、導電率測定装置
（３）に研磨液の一部を供給する。その際、導電率測定
装置（３）は、研磨液の導電率を電磁式導電率法によっ
て高精度に測定して制御装置に出力する。一方、上記の
制御装置は、導電率測定装置（３）から入力された研磨
液の導電率の値を比重に変換し、得られた比重と予め設
定された目標比重の域値とを比較し、検出した比重が目
標比重の域値内か否かをリアルタイムで判別する。そし
て、目標濃度の域値外であると判別された場合には、ス
ラリー原液または純水の不足量を供給する。

【００３０】すなわち、濃度調整工程（Ｂ）において
は、検出された研磨液の比重と目標比重の差に基づいて
スラリー原液または純水の過不足量を演算し、原液供給
装置（Ａ１）又は純水供給装置（Ａ２）を制御すること
により、スラリー原液または添加剤の不足量を研磨液に
供給する。例えば、制御装置は、研磨液の比重が目標比
重の域値よりも小さいと判別した場合、換言すれば、ス
ラリー濃度が目標濃度の域値よりも低いと判別した場
合、測定された比重と目標比重との差に基づいてスラリ
ー原液の不足量を演算し、演算結果に基づく制御信号を
原液供給装置（Ａ１）へ出力し、そして、開閉弁（７
０）を開放し且つポンプ（４）を駆動させ、スラリー原
液を追加供給する。

【００３１】また、導電率測定装置（３）によって研磨
液の導電率を測定し、比重に換算した結果、研磨液の比
重が目標比重の域値よりも大きいと判別した場合、換言
すれば、スラリー濃度が目標濃度の域値よりも高いと判
別した場合、制御装置は、測定された比重と目標比重と
の差に基づいて純水の不足量を演算し、演算結果に基づ
く制御信号を純水供給装置（Ａ２）へ出力し、そして、
例えば開閉弁（７１）を開放し、純水を追加供給する。
そして、調整槽（２）の研磨液の比重が上記の目標比重
の域値内となった場合には、研磨液供給ラインの開閉弁
（７５）を開放し、調製された研磨液を配管（５９）か
ら研磨装置へ供給する。

【００３２】上記の様に、本発明の調製装置は、電磁式
導電率法を利用した導電率測定装置（３）によって調製
槽（２）の研磨液の導電率を精密に測定し、かつ、特定
の機能を備えた制御装置によって導電率から比重を検出
し、目標比重に極めて近い値に研磨液の比重を収束させ
るため、極めて高精度に濃度調整でき且つ効率的に研磨
液を調製することが出来る。

【００３３】そして、図１に示す様な調製装置を使用し
て実施される本発明の調製方法は、上記の様な例えばシ
リカ系研磨液を調製する方法であり、上記の初期調製工
程（Ａ）及び濃度調整工程（Ｂ）から成り、濃度調整工
程（Ｂ）において研磨液の濃度を調整するにあたり、調
整槽（２）の研磨液の導電率を電磁式導電率法によって
正確に測定し且つ導電率を比重に変換すると共に、得ら
れた比重からスラリー原液または純水の不足量を演算し
て追加補給することにより、研磨液の比重を目標比重に
極めて近づけることが出来る。その結果、本発明の調製
方法によれば、極めて高精度に濃度調整でき且つ効率的
に研磨液を調製することが出来る。

【００３４】因に、上記の様な組成の研磨液において
は、前述の通り、濃度と比重が高度に相関し（図２参
照）、また、導電率と比重が高度に相関することが確認
された（図３参照）。更に、これらの関係から、導電率
と濃度の関係を解析したところ、導電率と濃度とは、使
用濃度付近において高度に相関することが確認された
（図４参照）。そして、図１に示す調整装置を使用し、
スラリー濃度が１２．５重量％の上記シリカ系研磨液を
調整したところ、極めて高精度に且つ効率的に調製する
ことが出来た。

【００３５】上記の調製においては、純水および二酸化
ケイ素（砥粒成分）から成り且つスラリー濃度が２５重
量％のスラリーを原液として使用した。初期調製工程
（Ａ）においては、１００リットルのスラリー原液およ
び１００リットルの純水を調整槽（２）に供給・撹拌
し、続く濃度調整工程（Ｂ）においては、目標比重を
１．０７５±０．００５（上下限値）に設定し、純水で
更に希釈することにより、研磨液の濃度を調整した。初
期調製工程（Ａ）及び濃度調整工程（Ｂ）は４バッチ繰
返し、調整槽（２）の研磨液における導電率および比重
を連続的に測定したところ、導電率および比重に関して
図５に示す様な制御結果が得られた。

【００３６】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明に係る研磨液
の調製方法によれば、濃度調整工程において研磨液の濃
度を調整するにあたり、研磨液の導電率を電磁式導電率
法によって正確に測定し且つ導電率を比重に変換すると
共に、得られた比重からスラリー原液または純水の不足
量を演算して追加補給することにより、研磨液の比重を
目標比重に極めて近づけることが出来るため、極めて高
精度に濃度調整でき且つ効率的に研磨液を調製すること
が出来る。

【００３７】また、本発明に係る研磨液の調製装置によ
れば、電磁式導電率法を利用した導電率測定装置によっ
て調製槽の研磨液の導電率を精密に測定し、かつ、特定
の機能を備えた制御装置によって導電率から比重を検出
し、目標比重に極めて近い値に研磨液の比重を収束させ
るため、極めて高精度に濃度調整でき且つ効率的に研磨
液を調製することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る研磨液の調製装置の概要を示す系
統図

【図２】シリカ系研摩液における濃度と比重の関係を示
すグラフ

【図３】シリカ系研摩液における導電率と比重の関係を
示すグラフ

【図４】シリカ系研摩液における濃度と導電率の関係を
示すグラフ

【図５】本発明の実施例における研磨液の比重および導
電率の変化を示すグラフ

【符号の説明】

１：原液槽２：調製槽２０：液面計３：導電率測定装置３０：計量器４：ポンプ５：ポンプＡ１：原液供給装置Ａ２：純水供給装置

フロントページの続き (72)発明者日野増美福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番２号三菱化学エンジニアリング株式会社内 (72)発明者三原茂幸福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番２号三菱化学エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 3C047 FF08 FF09 GG15 3C058 AA07 AC04 CA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水および砥粒成分から成る所定濃度の
研磨液を調製する方法であって、初期調製工程（Ａ）；略一定濃度のスラリー原液と純水
を計量供給し、所定量の研磨液を調製する工程、濃度調整工程（Ｂ）；工程（Ａ）で得られた研磨液にス
ラリー原液または純水の不足量を供給し、研磨液の濃度
を調整する工程から成り、濃度調整工程（Ｂ）においては、電磁式導電率法によっ
て研磨液の導電率を測定することにより、研磨液の比重
を検出した後、検出された比重と目標濃度に相当する目
標比重とを比較し、検出された比重が目標比重の域値外
の場合にスラリー原液または純水の不足量を供給するこ
とを特徴とする研磨液の調製方法。
【請求項２】純水および砥粒成分から成る所定濃度の
研磨液を調製する装置であって、略一定濃度のスラリー原液を貯蔵する原液槽（１）、研
磨液を調製する調製槽（２）、原液槽（１）から調製槽
（２）にスラリー原液を供給する原液供給装置（Ａ
１）、調製槽（２）に純水を供給する純水供給装置（Ａ
２）、調製槽（２）の研磨液の導電率を測定する導電率
測定装置（３）、および、これらの機器を制御する制御
装置を含み、導電率測定装置（３）は、電磁式導電率法によって導電
率を測定する測定装置であり、前記制御装置は、導電率測定装置（３）によって測定さ
れた研磨液の導電率から演算で比重を検出し、かつ、検
出された比重と目標濃度に相当する目標比重とを比較
し、そして、検出された比重が目標比重の域値外の場合
に原液供給装置（Ａ１）又は純水供給装置（Ａ２）を作
動させ、スラリー原液または純水の不足量を供給する機
能を備えていることを特徴とする研磨液の調製装置。
【請求項３】調製槽（２）には、噴流によって研磨液を
撹拌する撹拌機構が設けられている請求項２に記載の研
磨液の調製装置。