JPH1192966A - エッチング液濃度制御装置 - Google Patents
エッチング液濃度制御装置Info
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- JPH1192966A JPH1192966A JP9256609A JP25660997A JPH1192966A JP H1192966 A JPH1192966 A JP H1192966A JP 9256609 A JP9256609 A JP 9256609A JP 25660997 A JP25660997 A JP 25660997A JP H1192966 A JPH1192966 A JP H1192966A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 102
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
およびエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度
制御システムを提供する。 【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング装置
１１に、エッチング液の濃度測定ができるイオンクロマ
トグラフ１２と、その測定結果により添加量を算出する
ことのできる制御装置１３と、所定のエッチング液をエ
ッチング装置１１に供給するエッチング液添加装置１４
を設ける。これにより、燐酸と硝酸と酢酸と水混合系エ
ッチング液を設定濃度範囲に制御する。またスプレー式
エッチング装置のエッチング液の組成変化を硝酸と酢酸
を必要量添加することにより、エッチング液の組成を安
定化させることができ、エッチング液の濃度制御を行う
ことによりエッチング形状およびエッチング速度を所定
範囲内に制御し安定化させることができる。
およびエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度
制御システムを提供する。 【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング装置
１１に、エッチング液の濃度測定ができるイオンクロマ
トグラフ１２と、その測定結果により添加量を算出する
ことのできる制御装置１３と、所定のエッチング液をエ
ッチング装置１１に供給するエッチング液添加装置１４
を設ける。これにより、燐酸と硝酸と酢酸と水混合系エ
ッチング液を設定濃度範囲に制御する。またスプレー式
エッチング装置のエッチング液の組成変化を硝酸と酢酸
を必要量添加することにより、エッチング液の組成を安
定化させることができ、エッチング液の濃度制御を行う
ことによりエッチング形状およびエッチング速度を所定
範囲内に制御し安定化させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス板を基板と
して用い、その一主表面上に形成されるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加工す
る際、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御する
装置に関するものである。さらに詳しくは、液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）アレイ基板に用いられるゲート配線及
びソース配線のアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御
する装置に関するものである。
して用い、その一主表面上に形成されるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加工す
る際、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御する
装置に関するものである。さらに詳しくは、液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）アレイ基板に用いられるゲート配線及
びソース配線のアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御
する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェットエッチング方式によるア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜
のテーパ加工技術は、例えば特開平６−１２２９８２号
公報に示されている。以下に従来のウェットエッチング
方式によるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチ
ング液のテーパ加工技術について説明する。
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜
のテーパ加工技術は、例えば特開平６−１２２９８２号
公報に示されている。以下に従来のウェットエッチング
方式によるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチ
ング液のテーパ加工技術について説明する。
【０００３】図３はこの従来のテーパ加工技術のメカニ
ズムを各工程毎に示す断面図である。図３（Ａ）におい
て、基板として例えばガラス基板を用い、このガラス基
板１上にアルミニウム金属薄膜２を約３００ｎｍの膜厚
で全面に堆積する。堆積方法としてはスパッタリング法
や電子ビーム蒸着法などが用いられる。そして、通常の
フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウム金属薄膜
２の上に所望のレジストパターン３を形成する。この時
フォトレジストのポストベーク温度もエッチング形状に
大きな影響を与えるが、例えば約１３５℃でポストベー
クを行う。
ズムを各工程毎に示す断面図である。図３（Ａ）におい
て、基板として例えばガラス基板を用い、このガラス基
板１上にアルミニウム金属薄膜２を約３００ｎｍの膜厚
で全面に堆積する。堆積方法としてはスパッタリング法
や電子ビーム蒸着法などが用いられる。そして、通常の
フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウム金属薄膜
２の上に所望のレジストパターン３を形成する。この時
フォトレジストのポストベーク温度もエッチング形状に
大きな影響を与えるが、例えば約１３５℃でポストベー
クを行う。
【０００４】そして、図３（Ｂ）に示すようにエッチン
グ液として、濃度８５重量％の燐酸と、濃度６１重量％
の硝酸と、酢酸と、水を、それぞれ１６部と４部と４部
と１部に容量混合し、４０℃にてアルミニウム金属膜を
パターニングする。エッチング装置としては、バッチ浸
漬式やスプレー式などが用いられる。約３００ｎｍの膜
厚のアルミニウム金属薄膜は、初期はウェットエッチン
グの特徴である縦方向と横方向に均一にエッチングが進
行するが、エッチングが進むに従い、エッチング液の成
分である硝酸がレジストとアルミニウム金属薄膜の界面
へしみこみ、レジストを膨潤させ、横方向のエッチング
が縦方向より進行する（矢印Ｘ、Ｘ´）。この間のエッ
チング終了時間は、一例として、ほぼ１分３０秒で３０
％のオーバーエッチング時間を加え２分間のエッチング
である。
グ液として、濃度８５重量％の燐酸と、濃度６１重量％
の硝酸と、酢酸と、水を、それぞれ１６部と４部と４部
と１部に容量混合し、４０℃にてアルミニウム金属膜を
パターニングする。エッチング装置としては、バッチ浸
漬式やスプレー式などが用いられる。約３００ｎｍの膜
厚のアルミニウム金属薄膜は、初期はウェットエッチン
グの特徴である縦方向と横方向に均一にエッチングが進
行するが、エッチングが進むに従い、エッチング液の成
分である硝酸がレジストとアルミニウム金属薄膜の界面
へしみこみ、レジストを膨潤させ、横方向のエッチング
が縦方向より進行する（矢印Ｘ、Ｘ´）。この間のエッ
チング終了時間は、一例として、ほぼ１分３０秒で３０
％のオーバーエッチング時間を加え２分間のエッチング
である。
【０００５】最後にフォトレジストを除去すると、図３
（Ｃ）に示すように約６０°のテーパ角度を持つアルミ
ニウム金属薄膜のパターン４が形成される。図４はこの
燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング液の硝酸濃
度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の関係を示す。
同図よりアルミニウム金属薄膜は、レジストの密着性が
硝酸濃度に依存するので、断面のテーパ形状が２０°か
ら８０°までの範囲で制御することができる。
（Ｃ）に示すように約６０°のテーパ角度を持つアルミ
ニウム金属薄膜のパターン４が形成される。図４はこの
燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング液の硝酸濃
度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の関係を示す。
同図よりアルミニウム金属薄膜は、レジストの密着性が
硝酸濃度に依存するので、断面のテーパ形状が２０°か
ら８０°までの範囲で制御することができる。
【０００６】図５（Ａ）は硝酸濃度５ｗｔ％と、図５
（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％と、図５（Ｃ）は硝酸濃度１
１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を観
察した電子顕微鏡写真を示す。
（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％と、図５（Ｃ）は硝酸濃度１
１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を観
察した電子顕微鏡写真を示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うなアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金
属薄薄膜のテーパ加工技術では、ウェットエッチング装
置の方式によりエッチング液の濃度変化に差が生じる。
この濃度変化は、従来のバッチ浸漬式エッチング装置よ
りも近年ガラス基板の大型化にともない、ウェットエッ
チングの主流になってきたスプレー式エッチング装置の
方が大きく、エッチング液のテーパ角度に相関のある硝
酸濃度変化にともない、テーパ角度が初期のエッチング
液供給時と比べ大きく変化してしまうという問題を有し
ていた。またエッチング速度に相関のある酢酸濃度変化
にともない、エッチング速度が初期のエッチング液供給
時と比べ大きく変化するという問題も有していた。
うなアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金
属薄薄膜のテーパ加工技術では、ウェットエッチング装
置の方式によりエッチング液の濃度変化に差が生じる。
この濃度変化は、従来のバッチ浸漬式エッチング装置よ
りも近年ガラス基板の大型化にともない、ウェットエッ
チングの主流になってきたスプレー式エッチング装置の
方が大きく、エッチング液のテーパ角度に相関のある硝
酸濃度変化にともない、テーパ角度が初期のエッチング
液供給時と比べ大きく変化してしまうという問題を有し
ていた。またエッチング速度に相関のある酢酸濃度変化
にともない、エッチング速度が初期のエッチング液供給
時と比べ大きく変化するという問題も有していた。
【０００８】本発明は、前記従来の技術の問題を解決す
るため、エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
及びエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度制
御装置を提供することを目的とする。
るため、エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
及びエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度制
御装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のエッチング液濃度制御装置は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング手段と、エッチング液の濃度
測定を自動測定する手段と、その測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度からエッチ
ング液の添加量を算出するための制御手段と、所定のエ
ッチング液をエッチング装置へ供給するエッチング液添
加手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。
め、本発明のエッチング液濃度制御装置は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング手段と、エッチング液の濃度
測定を自動測定する手段と、その測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度からエッチ
ング液の添加量を算出するための制御手段と、所定のエ
ッチング液をエッチング装置へ供給するエッチング液添
加手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１０】前記装置においては、エッチング液添加手
段が、制御手段からの電気信号により硝酸及び酢酸をエ
ッチング手段に自動添加することが好ましい。また前記
装置においては、エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と
水との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水であることが好ましい。
段が、制御手段からの電気信号により硝酸及び酢酸をエ
ッチング手段に自動添加することが好ましい。また前記
装置においては、エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と
水との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水であることが好ましい。
【００１１】また前記装置においては、エッチング液の
濃度測定を自動測定する手段が、イオンクロマトグラフ
であることが好ましい。本発明は前記した構成により、
エッチング装置のエッチング液の濃度測定を自動測定し
その結果を電気信号処理により、設定濃度範囲内にエッ
チング液の各成分が入るようにエッチング成分を自動添
加しエッチング濃度を制御することにより、エッチング
形状及びエッチング速度を所定範囲内に制御し安定化す
ることができる。
濃度測定を自動測定する手段が、イオンクロマトグラフ
であることが好ましい。本発明は前記した構成により、
エッチング装置のエッチング液の濃度測定を自動測定し
その結果を電気信号処理により、設定濃度範囲内にエッ
チング液の各成分が入るようにエッチング成分を自動添
加しエッチング濃度を制御することにより、エッチング
形状及びエッチング速度を所定範囲内に制御し安定化す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例における
エッチング液濃度制御システムの構成図を示すものであ
る。図１において、１１はガラス基板上のアルミニウム
またはアルミミウムを主成分とする金属薄膜をウェット
エッチングするスプレー式エッチング装置、１２はエッ
チング液の濃度測定を行うイオンクロマトグラフ、１３
は１２のイオンクロマトグラフの測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し必要イオン濃度からエッチン
グ液添加量を算出できる制御装置、１４は制御装置１３
からの電気信号により添加必要なエッチング液をエッチ
ング装置１１に自動添加できるエッチング液添加装置で
ある。
エッチング液濃度制御システムの構成図を示すものであ
る。図１において、１１はガラス基板上のアルミニウム
またはアルミミウムを主成分とする金属薄膜をウェット
エッチングするスプレー式エッチング装置、１２はエッ
チング液の濃度測定を行うイオンクロマトグラフ、１３
は１２のイオンクロマトグラフの測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し必要イオン濃度からエッチン
グ液添加量を算出できる制御装置、１４は制御装置１３
からの電気信号により添加必要なエッチング液をエッチ
ング装置１１に自動添加できるエッチング液添加装置で
ある。
【００１３】以上のように構成されたこの実施例のエッ
チング液濃度制御システムにおいて、以下その動作を説
明する。スプレー式エッチング装置１１は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング装置である。エッチング液
は、燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液であり、濃度が８５
重量％の燐酸と、６１重量％の硝酸と、９９．８重量％
酢酸と、残りが水で、それぞれ１６部と４部と４部と１
部に容量混合した溶液である。このエッチング液を用い
て、４０℃にてアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を、図３に示すテーパエッチング加工
技術を用いてパターニングした。イオンクロマトグラフ
１２は、エッチング装置１１のエッチングタンクからイ
ンラインでエッチング液を取り込み、任意に設定可能な
測定間隔により、燐酸と硝酸と酢酸の濃度測定を行っ
た。本実施例では、測定間隔を８時間毎に設定した。制
御装置１３は、イオンクロマトグラフ１２からの測定結
果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度
範囲と比較し、その差異を電気信号に変換し、必要イオ
ン濃度からエッチング液添加量を算出した。エッチング
液添加装置１４は、制御装置１３からの計算結果により
７０重量％硝酸と９９．８重量％酢酸をそれぞれ必要量
エッチング装置１１のエッチングタンク内に供給した。
チング液濃度制御システムにおいて、以下その動作を説
明する。スプレー式エッチング装置１１は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング装置である。エッチング液
は、燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液であり、濃度が８５
重量％の燐酸と、６１重量％の硝酸と、９９．８重量％
酢酸と、残りが水で、それぞれ１６部と４部と４部と１
部に容量混合した溶液である。このエッチング液を用い
て、４０℃にてアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を、図３に示すテーパエッチング加工
技術を用いてパターニングした。イオンクロマトグラフ
１２は、エッチング装置１１のエッチングタンクからイ
ンラインでエッチング液を取り込み、任意に設定可能な
測定間隔により、燐酸と硝酸と酢酸の濃度測定を行っ
た。本実施例では、測定間隔を８時間毎に設定した。制
御装置１３は、イオンクロマトグラフ１２からの測定結
果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度
範囲と比較し、その差異を電気信号に変換し、必要イオ
ン濃度からエッチング液添加量を算出した。エッチング
液添加装置１４は、制御装置１３からの計算結果により
７０重量％硝酸と９９．８重量％酢酸をそれぞれ必要量
エッチング装置１１のエッチングタンク内に供給した。
【００１４】図２は本実施例と従来例のエッチング液の
液交換前後の変化を示すグラフで、図２（Ａ）硝酸濃度
変化、図２（Ｂ）酢酸濃度変化、図２（Ｃ）燐酸濃度変
化、図２（Ｄ）エッチング完了時間変化を示す。
液交換前後の変化を示すグラフで、図２（Ａ）硝酸濃度
変化、図２（Ｂ）酢酸濃度変化、図２（Ｃ）燐酸濃度変
化、図２（Ｄ）エッチング完了時間変化を示す。
【００１５】以上のようにこの実施例によれば、アルミ
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微
細加工するウェットエッチング装置に、エッチング液の
濃度測定が自動測定できるイオンクロマトグフと、その
測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設
定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換し必要イ
オン濃度からエッチング液の添加量を算出することがで
きる制御装置と、所定のエッチング液をエッチング装置
へ供給するエッチング液添加装置を設けることにより、
枚葉スプレー式エッチング装置の液組成変化を硝酸と酢
酸を必要量添加することによりエッチング液の組成を安
定化することができ、エッチング液の濃度制御を行うこ
とによりエッチング形状及びエッチング速度の制御及び
安定化を実施することができる。また、イオンクロマト
１２の測定結果がエッチング液の所定濃度範囲を越えた
場合は、硝酸と酢酸を任意に設定可能な添加量により任
意の添加間隔でエッチングタンクに供給することができ
る。
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微
細加工するウェットエッチング装置に、エッチング液の
濃度測定が自動測定できるイオンクロマトグフと、その
測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設
定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換し必要イ
オン濃度からエッチング液の添加量を算出することがで
きる制御装置と、所定のエッチング液をエッチング装置
へ供給するエッチング液添加装置を設けることにより、
枚葉スプレー式エッチング装置の液組成変化を硝酸と酢
酸を必要量添加することによりエッチング液の組成を安
定化することができ、エッチング液の濃度制御を行うこ
とによりエッチング形状及びエッチング速度の制御及び
安定化を実施することができる。また、イオンクロマト
１２の測定結果がエッチング液の所定濃度範囲を越えた
場合は、硝酸と酢酸を任意に設定可能な添加量により任
意の添加間隔でエッチングタンクに供給することができ
る。
【００１６】なお、この実施例において濃度測定装置１
２はイオンクロマトグラフとしたが、吸光度法を用いた
濃度測定装置としてもよい。また、エッチング液添加装
置１４は硝酸と酢酸を添加したが、燐酸と硝酸と酢酸を
それぞれ個別にする添加装置及び硝酸と酢酸などの混合
液の添加装置としてもよい。
２はイオンクロマトグラフとしたが、吸光度法を用いた
濃度測定装置としてもよい。また、エッチング液添加装
置１４は硝酸と酢酸を添加したが、燐酸と硝酸と酢酸を
それぞれ個別にする添加装置及び硝酸と酢酸などの混合
液の添加装置としてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄
膜を微細加工するウェットエッチング手段と、エッチン
グ液の濃度測定を自動測定する手段と、その測定結果を
電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲
と比較しその差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度
からエッチング液の添加量を算出するための制御手段
と、所定のエッチング液をエッチング装置へ供給するエ
ッチング液添加手段とを少なくとも備えたことにより、
エッチング液の組成を安定化することができ、エッチン
グ液の濃度制御を行うことによりエッチング形状及びエ
ッチング速度の制御及び安定化を実施することができ、
その実用的効果は大きい。
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄
膜を微細加工するウェットエッチング手段と、エッチン
グ液の濃度測定を自動測定する手段と、その測定結果を
電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲
と比較しその差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度
からエッチング液の添加量を算出するための制御手段
と、所定のエッチング液をエッチング装置へ供給するエ
ッチング液添加手段とを少なくとも備えたことにより、
エッチング液の組成を安定化することができ、エッチン
グ液の濃度制御を行うことによりエッチング形状及びエ
ッチング速度の制御及び安定化を実施することができ、
その実用的効果は大きい。
【図１】 本発明の実施例におけるエッチング液濃度制
御システムの構成図。
御システムの構成図。
【図２】 （Ａ）は本発明の実施例と従来例のエッチン
グ液の液交換前後の硝酸濃度変化を示すグラフ、（Ｂ）
は同、酢酸濃度変化を示すグラフ、（Ｃ）は同、燐酸濃
度変化を示すグラフ、（Ｄ）は同、エッチング完了時間
変化を示すグラフである。
グ液の液交換前後の硝酸濃度変化を示すグラフ、（Ｂ）
は同、酢酸濃度変化を示すグラフ、（Ｃ）は同、燐酸濃
度変化を示すグラフ、（Ｄ）は同、エッチング完了時間
変化を示すグラフである。
【図３】 従来例のテーパ加工技術のメカニズムを各工
程毎に示す断面図で、（Ａ）はガラス基板の上にＡｌ金
属薄膜を形成し、その上にフォトレジストを形成した
図、（Ｂ）はエッチング途中の図、（Ｃ）はエッチング
が完了した図である。
程毎に示す断面図で、（Ａ）はガラス基板の上にＡｌ金
属薄膜を形成し、その上にフォトレジストを形成した
図、（Ｂ）はエッチング途中の図、（Ｃ）はエッチング
が完了した図である。
【図４】 燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング
液の硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の相
関図。
液の硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の相
関図。
【図５】 硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ形
状を観察した電子顕微鏡写真図で、（Ａ）は硝酸濃度５
ｗｔ％、（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％、（Ｃ）は硝酸濃度
１１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を
観察した図である。
状を観察した電子顕微鏡写真図で、（Ａ）は硝酸濃度５
ｗｔ％、（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％、（Ｃ）は硝酸濃度
１１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を
観察した図である。
１ ガラス基板 ２ Ａｌ金属薄膜 ３ フォトレジスト １１ スプレー式エッチング装置 １２ イオンクロマトグラフ １３ 制御装置 １４ エッチング液添加装置
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング手
段と、エッチング液の濃度測定を自動測定する手段と、
その測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達
し、設定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換
し、必要イオン濃度からエッチング液の添加量を算出す
るための制御手段と、所定のエッチング液をエッチング
装置へ供給するエッチング液添加手段とを少なくとも備
えたことを特徴とするエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項２】 エッチング液添加手段が、制御手段から
の電気信号により硝酸及び酢酸をエッチング手段に自動
添加する請求項１に記載のエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項３】 エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と水
との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水である請求項１に記載のエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項４】 エッチング液の濃度測定を自動測定する
手段が、イオンクロマトグラフである請求項１に記載の
エッチング液濃度制御装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256609A JPH1192966A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | エッチング液濃度制御装置 |
| TW087113439A TW432122B (en) | 1997-09-22 | 1998-08-14 | Etching apparatus, etching method, and wiring board manufactured by the same method |
| CNB98119690XA CN1196809C (zh) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | 浸蚀装置、浸蚀方法及用该方法制得的线路板 |
| KR1019980038933A KR100313632B1 (ko) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | 에칭장치및에칭방법및그방법에의해작성된배선기판 |
| US09/903,165 US20010037993A1 (en) | 1997-09-22 | 2001-07-11 | Etching method and wiring board manufactured by the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256609A JPH1192966A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | エッチング液濃度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192966A true JPH1192966A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17295017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9256609A Pending JPH1192966A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | エッチング液濃度制御装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010037993A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1192966A (ja) |
| KR (1) | KR100313632B1 (ja) |
| CN (1) | CN1196809C (ja) |
| TW (1) | TW432122B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330582B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2002-03-29 | 한의섭 | 알루미늄 금속막용 에칭 용액 |
| JP2003049285A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング方法およびエッチング液の定量分析方法ならびにエッチング液からリン酸を回収する方法 |
| KR20030041694A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | 테크노세미켐 주식회사 | 박막트랜지스터용 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액조성물 |
| JP2004002946A (ja) * | 2001-07-23 | 2004-01-08 | Sony Corp | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2010267872A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | エッチング液成分の濃度制御方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003205463A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Ｃｍｐ研磨装置における研磨剤の調合装置及び調合方法 |
| TWI245071B (en) * | 2002-04-24 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and method of etching |
| JP4478383B2 (ja) | 2002-11-26 | 2010-06-09 | 関東化学株式会社 | 銀を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物 |
| KR20050097538A (ko) * | 2003-02-05 | 2005-10-07 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 반투과 반반사형 전극 기판의 제조 방법, 및 반사형 전극기판 및 그 제조 방법, 및 그 반사형 전극 기판의 제조방법에 이용하는 에칭 조성물 |
| KR101339002B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2013-12-09 | (주)스마트에이스 | 기판식각장치 및 식각방법 |
| KR100905558B1 (ko) | 2007-04-13 | 2009-07-02 | 삼성전기주식회사 | 에칭 장치 |
| JP6302708B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2018-03-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウェットエッチング装置 |
| CN104152961B (zh) * | 2013-05-14 | 2016-08-31 | 欣兴电子股份有限公司 | 电镀蚀刻系统及电镀蚀刻方法 |
| CN105742213B (zh) * | 2016-03-07 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126777A (ja) * | 1982-12-31 | 1984-07-21 | Yamatoya Shokai:Kk | エツチング液の能力維持管理法および装置 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP9256609A patent/JPH1192966A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-14 TW TW087113439A patent/TW432122B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-21 CN CNB98119690XA patent/CN1196809C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-21 KR KR1019980038933A patent/KR100313632B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-11 US US09/903,165 patent/US20010037993A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100330582B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2002-03-29 | 한의섭 | 알루미늄 금속막용 에칭 용액 |
| JP2004002946A (ja) * | 2001-07-23 | 2004-01-08 | Sony Corp | エッチング方法及びエッチング液 |
| JP2003049285A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング方法およびエッチング液の定量分析方法ならびにエッチング液からリン酸を回収する方法 |
| KR20030041694A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | 테크노세미켐 주식회사 | 박막트랜지스터용 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액조성물 |
| JP2010267872A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | エッチング液成分の濃度制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW432122B (en) | 2001-05-01 |
| KR100313632B1 (ko) | 2002-01-17 |
| US20010037993A1 (en) | 2001-11-08 |
| KR19990029984A (ko) | 1999-04-26 |
| CN1196809C (zh) | 2005-04-13 |
| CN1217391A (zh) | 1999-05-26 |
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