CN117881095B - 用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统 - Google Patents

用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统,涉及线路板制造领域,包括:建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整;求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率;判断定位点处是否进行蚀刻;求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率;修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值;对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整。通过设置模型建立模块、参数调整模块、判断识别模块和数据计算模块,消除喷淋压力导致的蚀刻误差,保证当前的蚀刻浓度与蚀刻浓度基准值在误差允许范围内,进而保证蚀刻精度。

Description

用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统
技术领域
本发明涉及线路板制造领域,具体是涉及用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统。
背景技术
蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净。在PCB制造过程中,如果要精确地界定蚀刻的质量,就需要精确保证蚀刻液被喷淋至线路板表面的压力、蚀刻液浓度和蚀刻时间的一致性。蚀刻时间的一致性容易保证。
但线路板上下表面由于喷淋方向不同,受重力影响,喷淋的压力存在细微不同,对蚀刻精度存在一定影响,此外,由于蚀刻液在线路板上表面堆积的原因,蚀刻完的液体无法及时流走,蚀刻完的液体的浓度低,稀释喷淋的蚀刻液的浓度,因而导致蚀刻精度出现误差。
发明内容
为解决上述技术问题,提供用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法及系统,本技术方案解决了上述背景技术中提出的线路板上下表面由于喷淋方向不同,受重力影响,喷淋的压力存在细微不同,对蚀刻精度存在一定影响,此外,由于蚀刻液在线路板上表面堆积的原因,蚀刻完的液体无法及时流走,蚀刻完的液体的浓度低,稀释喷淋的蚀刻液的浓度,因而导致蚀刻精度出现误差的问题。
为达到以上目的,本发明采用的技术方案为:
用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,包括:
蚀刻时,使用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液,将线路板上下表面未受抗蚀保护的裸铜蚀刻去除;
获取线路板对蚀刻的参数要求,所述参数要求包括蚀刻浓度基准值、蚀刻液对线路板表面的基准压力和蚀刻基准时间;
建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
所述建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型包括以下步骤:
获取日常喷淋作业时的喷淋速度范围与距离范围;
等间距分割喷淋速度范围,得到至少一个速度值;
等间距分割距离范围,得到至少一个长度值;
将至少一个长度值和至少一个速度值相互配对,得到至少一组测试参数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置下喷嘴与线路板下表面的距离以及下喷嘴的喷淋速度,获取线路板下表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板下表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第一拟合函数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置上喷嘴与线路板上表面的距离以及上喷嘴的喷淋速度,获取线路板上表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板上表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第二拟合函数;
蚀刻过程中,在线路板下表面,控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板下表面的蚀刻液压力为基准压力;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率;
在线路板上表面,均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块;
在分割区块的中心位置设置定位点,在每个定位点处均设置上喷嘴,判断定位点处是否进行蚀刻,若是,则将该定位点汇总进入蚀刻点集合,若否,则不作任何处理;
取蚀刻点集合中的蚀刻定位点,对蚀刻定位点进行实时监测,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率;
根据第二实时变化速率和第一实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度,根据分割区块中的蚀刻液的实时浓度,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值,以浓度修正值对蚀刻定位点进行喷淋;
根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板上表面的蚀刻液压力为基准压力;
对线路板上表面和线路板下表面的喷淋时间均为蚀刻基准时间。
优选的,所述对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取下喷嘴与线路板下表面的实际距离,获取基准压力,代入第一拟合函数,反解出下喷嘴喷淋的第一蚀刻液速度,调整喷淋速度为第一蚀刻液速度;
对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取上喷嘴与线路板上表面的实际距离,获取基准压力,代入第二拟合函数,反解出上喷嘴喷淋的第二蚀刻液速度,调整喷淋速度为第二蚀刻液速度。
优选的,所述求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率包括以下步骤:
作出第一实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个识别点;
对至少一个识别点进行拟合,得到第一蚀刻深度拟合函数;
对第一蚀刻深度拟合函数求导,得到第一实时变化速率。
优选的,所述判断定位点处是否进行蚀刻包括以下步骤:
获取第二实时蚀刻深度,判断第二实时蚀刻深度是否发生变化,若是,则判断定位点处进行蚀刻,若否,则判断定位点处未进行蚀刻。
优选的,所述在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度包括以下步骤:
使用激光测距仪获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度的步骤与在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度的步骤一致。
优选的,所述求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率包括以下步骤:
作出第二实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个标识点;
对至少一个标识点进行拟合,得到第二蚀刻深度拟合函数;
对第二蚀刻深度拟合函数求导,得到第二实时变化速率。
优选的,所述计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度包括以下步骤:
第二实时变化速率除以第一实时变化速率的值与蚀刻浓度基准值相乘,得到实时浓度。
优选的,所述修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值包括以下步骤:
若蚀刻液的实时浓度大于蚀刻浓度基准值,则以预设速度减小上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
若蚀刻液的实时浓度小于蚀刻浓度基准值,则以预设速度增大上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
以实时的调整浓度值作为浓度修正值。
用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化系统,用于实现上述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,包括:
喷淋蚀刻模块,所述喷淋蚀刻模块用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液;
数据获取模块,所述数据获取模块获取线路板对蚀刻的参数要求,获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
模型建立模块,所述模型建立模块建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
参数调整模块,所述参数调整模块控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整;
分割定位模块,所述分割定位模块均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块,在分割区块的中心位置设置定位点;
判断识别模块,所述判断识别模块判断定位点处是否进行蚀刻,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值;
数据计算模块,所述数据计算模块求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
通过设置模型建立模块、参数调整模块、判断识别模块和数据计算模块,考虑重力因素,调整线路板上下表面喷淋压力的细微差别,进而消除喷淋压力导致的蚀刻误差,对蚀刻深度进行实时监测,推断当前的蚀刻浓度与蚀刻浓度基准值的大小关系,进而根据推断结果,对当前的蚀刻浓度进行修正,保证当前的蚀刻浓度与蚀刻浓度基准值在误差允许范围内,进而保证蚀刻精度。
附图说明
图1为本发明的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法流程示意图;
图2为本发明的建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型流程示意图;
图3为本发明的求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率流程示意图;
图4为本发明的判断定位点处是否进行蚀刻流程示意图;
图5为本发明的求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率流程示意图;
图6为本发明的修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值流程示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
参照图1所示,用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,包括:
蚀刻时,使用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液,将线路板上下表面未受抗蚀保护的裸铜蚀刻去除;
获取线路板对蚀刻的参数要求,所述参数要求包括蚀刻浓度基准值、蚀刻液对线路板表面的基准压力和蚀刻基准时间;
建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
蚀刻过程中,在线路板下表面,控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板下表面的蚀刻液压力为基准压力;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率;
在线路板上表面,均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块;
在分割区块的中心位置设置定位点,在每个定位点处均设置上喷嘴,判断定位点处是否进行蚀刻,若是,则将该定位点汇总进入蚀刻点集合,若否,则不作任何处理;
取蚀刻点集合中的蚀刻定位点,对蚀刻定位点进行实时监测,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率;
根据第二实时变化速率和第一实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度,根据分割区块中的蚀刻液的实时浓度,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值,以浓度修正值对蚀刻定位点进行喷淋;
根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板上表面的蚀刻液压力为基准压力;
对线路板上表面和线路板下表面的喷淋时间均为蚀刻基准时间。
参照图2所示,建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型包括以下步骤:
获取日常喷淋作业时的喷淋速度范围与距离范围;
等间距分割喷淋速度范围,得到至少一个速度值;
等间距分割距离范围,得到至少一个长度值;
将至少一个长度值和至少一个速度值相互配对,得到至少一组测试参数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置下喷嘴与线路板下表面的距离以及下喷嘴的喷淋速度,获取线路板下表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板下表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第一拟合函数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置上喷嘴与线路板上表面的距离以及上喷嘴的喷淋速度,获取线路板上表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板上表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第二拟合函数;
蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型用于消除在上下表面进行喷淋时,重力对于喷淋的不同的作用效果,进而保证上下表面的喷淋压力一致。
对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取下喷嘴与线路板下表面的实际距离,获取基准压力,代入第一拟合函数,反解出下喷嘴喷淋的第一蚀刻液速度,调整喷淋速度为第一蚀刻液速度;
对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取上喷嘴与线路板上表面的实际距离,获取基准压力,代入第二拟合函数,反解出上喷嘴喷淋的第二蚀刻液速度,调整喷淋速度为第二蚀刻液速度;
当第一拟合函数和第二拟合函数没有常规的求根公式时,则对其使用数值方法进行近似求解,得出满足于精度需求的数值。
参照图3所示,求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率包括以下步骤:
作出第一实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个识别点;
对至少一个识别点进行拟合,得到第一蚀刻深度拟合函数;
对第一蚀刻深度拟合函数求导,得到第一实时变化速率;
第一实时蚀刻深度的变化速度与蚀刻的速度成正比,而蚀刻的速度与该处蚀刻液的实际浓度值成正比,因此,要求出第一蚀刻深度拟合函数,并对第一蚀刻深度拟合函数进行求导,则得到第一实时蚀刻深度的变化速度,进而可以使用第一实时蚀刻深度的变化速度推测蚀刻液的实际浓度值。
参照图4所示,判断定位点处是否进行蚀刻包括以下步骤:
获取第二实时蚀刻深度,判断第二实时蚀刻深度是否发生变化,若是,则判断定位点处进行蚀刻,若否,则判断定位点处未进行蚀刻;
蚀刻处的第二实时蚀刻深度随时间进行变化,因此,对于没有变化的第二实时蚀刻深度,则说明该处未发生蚀刻。
在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度包括以下步骤:
使用激光测距仪获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度的步骤与在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度的步骤一致。
参照图5所示,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率包括以下步骤:
作出第二实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个标识点;
对至少一个标识点进行拟合,得到第二蚀刻深度拟合函数;
对第二蚀刻深度拟合函数求导,得到第二实时变化速率;
第二实时蚀刻深度的变化速度与蚀刻的速度成正比,而蚀刻的速度与该处蚀刻液的实际浓度值成正比,因此,要求出第二蚀刻深度拟合函数,并对第二蚀刻深度拟合函数进行求导,则得到第二实时蚀刻深度的变化速度,进而可以使用第二实时蚀刻深度的变化速度推测蚀刻液的实际浓度值。
计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度包括以下步骤:
第二实时变化速率除以第一实时变化速率的值与蚀刻浓度基准值相乘,得到实时浓度。
参照图6所示,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值包括以下步骤:
若蚀刻液的实时浓度大于蚀刻浓度基准值,则以预设速度减小上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
若蚀刻液的实时浓度小于蚀刻浓度基准值,则以预设速度增大上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
以实时的调整浓度值作为浓度修正值;
由于在线路板上表面溶液会堆积,而反应完的溶液浓度降低,会对喷淋的蚀刻液进行稀释,但由于在线路板上表面溶液堆积的情况十分复杂,因此,每处的浓度不同,使用化学方法直接测量浓度,为了保证精度,取样点需要足够多,但会导致测量十分繁琐,及时性不足,无法根据测量结果进行实时调整;
因而根据蚀刻深度的变化率与浓度值成正比,得到第二实时变化速率与蚀刻浓度基准值的比值等于第一实时变化速率与实时浓度的比值,因此,可以求出实时浓度;
此处,线路板下表面的浓度为蚀刻浓度基准值,原因是由于重力作用,溶液直接掉落,不会造成堆积。
用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化系统,用于实现上述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,包括:
喷淋蚀刻模块,所述喷淋蚀刻模块用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液;
数据获取模块,所述数据获取模块获取线路板对蚀刻的参数要求,获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
模型建立模块,所述模型建立模块建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
参数调整模块,所述参数调整模块控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整;
分割定位模块,所述分割定位模块均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块,在分割区块的中心位置设置定位点;
判断识别模块,所述判断识别模块判断定位点处是否进行蚀刻,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值;
数据计算模块,所述数据计算模块求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度。
上述用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化系统的工作过程如下:
步骤一:蚀刻时,喷淋蚀刻模块使用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液,将线路板上下表面未受抗蚀保护的裸铜蚀刻去除;
步骤二:数据获取模块获取线路板对蚀刻的参数要求,所述参数要求包括蚀刻浓度基准值、蚀刻液对线路板表面的基准压力和蚀刻基准时间;
步骤三:模型建立模块建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
步骤四:蚀刻过程中,在线路板下表面,参数调整模块控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板下表面的蚀刻液压力为基准压力;
步骤五:数据获取模块获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,数据计算模块求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率;
步骤六:分割定位模块在线路板上表面,均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块;
分割定位模块在分割区块的中心位置设置定位点,在每个定位点处均设置上喷嘴,判断识别模块判断定位点处是否进行蚀刻,若是,则将该定位点汇总进入蚀刻点集合,若否,则不作任何处理;
步骤七:取蚀刻点集合中的蚀刻定位点,对蚀刻定位点进行实时监测,数据获取模块在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度,数据计算模块求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率;
步骤八:根据第二实时变化速率和第一实时变化速率,数据计算模块计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度,根据分割区块中的蚀刻液的实时浓度,参数调整模块修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值,以浓度修正值对蚀刻定位点进行喷淋;
步骤九:根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,参数调整模块对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板上表面的蚀刻液压力为基准压力,对线路板上表面和线路板下表面的喷淋时间均为蚀刻基准时间。
再进一步的,本方案还提出一种存储介质,其上存储有计算机可读程序,计算机可读程序被调用时执行上述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法。
可以理解的是,存储介质可以是磁性介质,例如,软盘、硬盘、磁带;光介质例如,DVD;或者半导体介质例如固态硬盘SolidStateDisk,SSD等。
综上所述,本发明的优点在于:通过设置模型建立模块、参数调整模块、判断识别模块和数据计算模块,考虑重力因素,调整线路板上下表面喷淋压力的细微差别,进而消除喷淋压力导致的蚀刻误差,对蚀刻深度进行实时监测,推断当前的蚀刻浓度与蚀刻浓度基准值的大小关系,进而根据推断结果,对当前的蚀刻浓度进行修正,保证当前的蚀刻浓度与蚀刻浓度基准值在误差允许范围内,进而保证蚀刻精度。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (9)

1.用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,包括:
蚀刻时,使用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液,将线路板上下表面未受抗蚀保护的裸铜蚀刻去除;
获取线路板对蚀刻的参数要求,所述参数要求包括蚀刻浓度基准值、蚀刻液对线路板表面的基准压力和蚀刻基准时间;
建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
所述建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型包括以下步骤:
获取日常喷淋作业时的喷淋速度范围与距离范围;
等间距分割喷淋速度范围,得到至少一个速度值;
等间距分割距离范围,得到至少一个长度值;
将至少一个长度值和至少一个速度值相互配对,得到至少一组测试参数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置下喷嘴与线路板下表面的距离以及下喷嘴的喷淋速度,获取线路板下表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板下表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第一拟合函数;
按照测试参数中的速度值和长度值,设置上喷嘴与线路板上表面的距离以及上喷嘴的喷淋速度,获取线路板上表面的喷淋压力;
以速度值和长度值为自变量,线路板上表面的喷淋压力为因变量,拟合得到第二拟合函数;
蚀刻过程中,在线路板下表面,控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板下表面的蚀刻液压力为基准压力;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率;
在线路板上表面,均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块;
在分割区块的中心位置设置定位点,在每个定位点处均设置上喷嘴,判断定位点处是否进行蚀刻,若是,则将该定位点汇总进入蚀刻点集合,若否,则不作任何处理;
取蚀刻点集合中的蚀刻定位点,对蚀刻定位点进行实时监测,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率;
根据第二实时变化速率和第一实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度,根据分割区块中的蚀刻液的实时浓度,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值,以浓度修正值对蚀刻定位点进行喷淋;
根据蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,满足于线路板上表面的蚀刻液压力为基准压力;
对线路板上表面和线路板下表面的喷淋时间均为蚀刻基准时间。
2.根据权利要求1所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取下喷嘴与线路板下表面的实际距离,获取基准压力,代入第一拟合函数,反解出下喷嘴喷淋的第一蚀刻液速度,调整喷淋速度为第一蚀刻液速度;
对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整包括以下步骤:
获取上喷嘴与线路板上表面的实际距离,获取基准压力,代入第二拟合函数,反解出上喷嘴喷淋的第二蚀刻液速度,调整喷淋速度为第二蚀刻液速度。
3.根据权利要求2所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率包括以下步骤:
作出第一实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个识别点;
对至少一个识别点进行拟合,得到第一蚀刻深度拟合函数;
对第一蚀刻深度拟合函数求导,得到第一实时变化速率。
4.根据权利要求3所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述判断定位点处是否进行蚀刻包括以下步骤:
获取第二实时蚀刻深度,判断第二实时蚀刻深度是否发生变化,若是,则判断定位点处进行蚀刻,若否,则判断定位点处未进行蚀刻。
5.根据权利要求4所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度包括以下步骤:
使用激光测距仪获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度的步骤与在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度的步骤一致。
6.根据权利要求5所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率包括以下步骤:
作出第二实时蚀刻深度关于时间的图像,等间距分割图像,得到至少一个标识点;
对至少一个标识点进行拟合,得到第二蚀刻深度拟合函数;
对第二蚀刻深度拟合函数求导,得到第二实时变化速率。
7.根据权利要求6所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度包括以下步骤:
第二实时变化速率除以第一实时变化速率的值与蚀刻浓度基准值相乘,得到实时浓度。
8.根据权利要求7所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,所述修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值包括以下步骤:
若蚀刻液的实时浓度大于蚀刻浓度基准值,则以预设速度减小上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
若蚀刻液的实时浓度小于蚀刻浓度基准值,则以预设速度增大上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值,得到实时的调整浓度值;
以实时的调整浓度值作为浓度修正值。
9.用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化系统,用于实现如权利要求1-8任一项所述的用于精细线路板的线路蚀刻参数补偿优化方法,其特征在于,包括:
喷淋蚀刻模块,所述喷淋蚀刻模块用至少一个下喷嘴对线路板下表面喷淋蚀刻液,使用至少一个上喷嘴对线路板上表面喷淋蚀刻液;
数据获取模块,所述数据获取模块获取线路板对蚀刻的参数要求,获取线路板下表面的第一实时蚀刻深度,在每个蚀刻定位点处均获取线路板上表面的第二实时蚀刻深度;
模型建立模块,所述模型建立模块建立蚀刻液的喷淋速度与距离产生的压力模型;
参数调整模块,所述参数调整模块控制下喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为蚀刻浓度基准值,对下喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整,对上喷嘴喷淋的蚀刻液的速度进行调整;
分割定位模块,所述分割定位模块均匀分割线路板上表面,得到至少一个分割区块,在分割区块的中心位置设置定位点;
判断识别模块,所述判断识别模块判断定位点处是否进行蚀刻,修正蚀刻定位点对应的上喷嘴喷淋的蚀刻液的浓度值为浓度修正值;
数据计算模块,所述数据计算模块求出第一实时蚀刻深度的第一实时变化速率,求出第二实时蚀刻深度的第二实时变化速率,计算得出蚀刻定位点所在分割区块中的蚀刻液的实时浓度。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111901979A (zh) * 2020-08-13 2020-11-06 西安交通大学 一种多参数自动调控高效旋转式喷淋蚀刻系统
CN112685993A (zh) * 2021-03-17 2021-04-20 武汉大学 一种柔性pcb板湿法化学蚀刻工艺仿真方法
CN112730146A (zh) * 2021-03-30 2021-04-30 武汉大学 一种蚀刻液蚀刻速率测试装置及测试方法
CN112989723A (zh) * 2021-03-19 2021-06-18 武汉大学 基于多物理场仿真的多喷头喷淋设备设计方法
CN113392618A (zh) * 2021-04-23 2021-09-14 武汉大学 一种印刷电路板掩膜线宽补偿量预测方法
CN214507513U (zh) * 2021-04-15 2021-10-26 上海天承化学有限公司 一种用于pcb的粗化刻蚀装置
CN113786691A (zh) * 2021-09-16 2021-12-14 日照海盛智能装备有限公司 一种用于施工现场的喷淋降尘系统及方法
CN116200747A (zh) * 2023-05-06 2023-06-02 汕头市精工东捷制版有限公司 基于印刷设备版辊铜层的喷淋式高精细深度腐蚀工艺
CN116614951A (zh) * 2023-05-23 2023-08-18 赣州市超跃科技有限公司 一种电路板生产控制系统和方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111901979A (zh) * 2020-08-13 2020-11-06 西安交通大学 一种多参数自动调控高效旋转式喷淋蚀刻系统
CN112685993A (zh) * 2021-03-17 2021-04-20 武汉大学 一种柔性pcb板湿法化学蚀刻工艺仿真方法
CN112989723A (zh) * 2021-03-19 2021-06-18 武汉大学 基于多物理场仿真的多喷头喷淋设备设计方法
CN112730146A (zh) * 2021-03-30 2021-04-30 武汉大学 一种蚀刻液蚀刻速率测试装置及测试方法
CN214507513U (zh) * 2021-04-15 2021-10-26 上海天承化学有限公司 一种用于pcb的粗化刻蚀装置
CN113392618A (zh) * 2021-04-23 2021-09-14 武汉大学 一种印刷电路板掩膜线宽补偿量预测方法
CN113786691A (zh) * 2021-09-16 2021-12-14 日照海盛智能装备有限公司 一种用于施工现场的喷淋降尘系统及方法
CN116200747A (zh) * 2023-05-06 2023-06-02 汕头市精工东捷制版有限公司 基于印刷设备版辊铜层的喷淋式高精细深度腐蚀工艺
CN116614951A (zh) * 2023-05-23 2023-08-18 赣州市超跃科技有限公司 一种电路板生产控制系统和方法

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