JPH111781A - エッチング液管理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属薄膜のエッチングを行うに当たり、安定
したエッチング効果を得ることにより工程管理の負荷を
軽減し、更にエッチング液の使用可能時間を伸ばし、且
つ薬液の使用量を減らした経済的なエッチング液管理方
法を提供する。 【解決手段】 酸化剤としてＣｅ⁴⁺（例えば、硝酸セリ
ウムアンモニウム）を含有するエッチング液を用いてク
ロム等の金属薄膜基板のエッチングを行うに当たり、該
エッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度を検知し、（Ｃｅ⁴⁺濃度）
／（Ｃｅ⁴⁺初期濃度）を所定濃度範囲（例えば、０．５
＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．５）に維
持するようにＣｅ⁴⁺を追加供給することよりなるエッチ
ング液管理方法及び該方法を実施するための装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はエッチング液の管理
方法に関するものであり、詳しくは半導体や液晶ディス
プレイの製造に使用される金属薄膜のエッチング液管理
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイを製造する
際、基板上の金属薄膜のエッチング工程が採用され、金
属薄膜の種類、必要な精度等に応じて種々のエッチング
方法が実施されている。近年Ｃｅ⁴⁺を用いたクロム薄膜
のエッチングが注目されているが、クロム薄膜をエッチ
ングする場合、例えば特開昭64-86524に記載されている
ように硝酸セリウムアンモニウムを酸化剤として含むエ
ッチング液が使用されている。エッチングを実施する場
合、初期投入したエッチング液の機能が基板の処理に伴
なって低下するため、そのエッチング液の管理は、エッ
チング機能の状態を常時測定し、それに合わせてエッチ
ング時間を伸ばす方法が採用され、更に液の機能が下限
値を越えたところでエッチング液を全量交換することが
行われてきた。この様に、従来の方法では、エッチング
処理によりエッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度が低下するとエ
ッチング液の機能低下、即ちエッチング速度の低下が起
こるので、エッチング液中にはＣｅ⁴⁺が全Ｃｅ濃度の大
半を占めているにも拘わらず、エッチング液全量の入れ
替えを実施し、Ｃｅ⁴⁺のロス分が大きかった。更に従来
法では、Ｃｅ⁴⁺の酸化剤濃度が随時変化するため、エッ
チング工程が安定せず、エッチングの状態を常時監視す
るような工程管理を行わなくてはならないので、極めて
操作が煩雑であり、しかも液入れ替え時の稼働率ロスが
大きかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】金属薄膜のエッチング
を行うに当たり、安定したエッチング効果を得ることに
より工程管理の負荷を軽減し、更にエッチング液の使用
可能時間を伸ばすことにより、高価な薬液の使用量を減
らし、ランニングコストを低く抑えるエッチング液管理
方法が求められていた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、エッチン
グ液の機能とその構成成分、特に酸化剤の挙動について
鋭意検討した結果、例えば、クロムのエッチング液とし
て使用されている硝酸セリウムアンモニウム、硝酸及び
水の混合液の系においては、エッチングをするに従って
液中のＣｅ⁴⁺は減少し、Ｃｅ³⁺は増加するが、全Ｃｅ濃
度はほぼ一定に保たれており、又Ｃｅ⁴⁺濃度が減少する
とクロムのエッチング速度も減少することが見出され
た。そしてこのエッチング液使用によるエッチング速度
の減少は、使用頻度の増加とともに大きくなり、ある程
度以上エッチングを繰り返すとエッチング液として使用
できなくなることが判明した。

【０００５】このような結果に基づき更に鋭意検討した
結果、エッチング液管理においてエッチング液中のＣｅ
⁴⁺濃度を監視し、エッチング液中のＣｅ⁴⁺の初期濃度に
対する割合を所定範囲に保つようにＣｅ⁴⁺を追加供給す
れば、エッチング速度が安定し、エッチング液の寿命も
伸ばすことができることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、エッチング液中の酸化剤濃度をコント
ロールして、エッチング速度を一定にするとともに薬液
使用時間を伸ばす為のエッチング液管理方法を提供する
ことにあり、本発明の第１の要旨は、酸化剤としてＣｅ
⁴⁺を含有するエッチング液を用いて金属薄膜基板のエッ
チングを行うに当たり、該エッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度
を検知し、（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（Ｃｅ⁴⁺初期濃度）を所定
濃度範囲に維持するようにＣｅ⁴⁺を追加供給することよ
りなるエッチング液管理方法に存し、第２の要旨は、金
属薄膜基板のエッチング用エッチング槽又はエッチング
散布器を備えたエッチング装置への、エッチング液のＣ
ｅ⁴⁺濃度を所定範囲に維持するためのエッチング液供給
装置を有し、該エッチング液供給装置にはエッチング液
中のＣｅ⁴⁺濃度又は基板のエッチング量の検知用装置が
付設され、該供給装置は、検知結果に基づいて操作され
ることよりなるエッチング液管理装置に存する。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明におけるエッチング液は、基板上に設けられたク
ロム等の金属薄膜をエッチングするのに使用されるもの
で、通常酸化剤としてＣｅ⁴⁺、具体的には硝酸セリウム
アンモニウムを含む硝酸及び水からなる混合液或いは硝
酸セリウムアンモニウム、過塩素酸及び水からなる混合
液である。エッチング液中の硝酸セリウムアンモニウム
の濃度は、エッチングする被処理金属の種類、量等によ
っても異なるが、通常０．２〜０．４（mol／ｌ）であ
る。エッチング液はその使用によって液中の酸化剤とし
てのＣｅ⁴⁺濃度が低下するが、本発明ではこのＣｅ⁴⁺濃
度を監視し、エッチング時、液中のＣｅ⁴⁺濃度の初期濃
度に対する割合を所定範囲に維持するのに要する量のＣ
ｅ⁴⁺含有溶液を新たにエッチング液中に供給し、そのＣ
ｅ⁴⁺濃度を一定に維持することが必要である。

【０００７】本発明においては、Ｃｅ⁴⁺濃度を監視し、
所要量のＣｅ⁴⁺を追加供給することにより液中のＣｅ⁴⁺
濃度をコントロールするが、その際、実際的にはエッチ
ングによるＣｅ⁴⁺の初期濃度に対する減少量を求め、そ
れに応じて追加供給する量を決めることが出来る。その
減少量を求める方法としてはエッチング液中の酸化剤で
あるＣｅ⁴⁺濃度、還元されたＣｅ³⁺濃度、薄膜の溶解金
属成分濃度もしくはエッチング液の酸化還元電位を測定
することがあげられる。また、エッチング液中のＣｅ⁴⁺
減少量は、エッチングされる金属薄膜の処理枚数等のエ
ッチング量を計ることによっても、エッチング液の金属
薄膜のエッチング速度を測定することによっても求める
ことができる。

【０００８】エッチング液中の酸化剤であるＣｅ⁴⁺濃度
を測定すれば、Ｃｅ⁴⁺の減少量を直接的に求めることが
できるが、Ｃｅ³⁺濃度を測定する事によってもＣｅ³⁺の
増加量はそのままＣｅ⁴⁺の減少量になるため、Ｃｅ⁴⁺の
減少量を求めることができる。

【０００９】エッチング液中のＣｅ⁴⁺減少量は、エッチ
ング液の酸化還元電位を測定することによって求めるこ
とができる。即ち、エッチング液の酸化還元電位の測定
したところ、Ｃｅ⁴⁺とＣｅ³⁺の割合から酸化還元電位を
フィッティングすることが可能でることが確認され、よ
って全Ｃｅ濃度が判れば、酸化還元電位を測定すること
によりＣｅ⁴⁺の減少量を求めることができるのである。

【００１０】Ｃｅ⁴⁺＋ｅ^-→Ｃｅ³⁺の反応に可逆の酸化
還元電位は以下のように表される。

【数１】Ｅ＝Ｅ⁰＋（ＲＴ／ｎＦ）ｌｎ［（Ｃｅ⁴⁺）／
（Ｃｅ³⁺）］

【数２】 Ｅ＝Ｅ⁰＋0.059 ｌｏｇ［（Ｃｅ⁴⁺）／（Ｃｅ³⁺）］ 全Ｃｅ濃度は初期に投入するＣｅ量と供給したＣｅ量か
ら推算できる。Ｅ⁰は文献値もしくは［Ｃｅ⁴⁺］＝［Ｃ
ｅ³⁺］での酸化還元電位を実測することにより求められ
る。よってエッチング液の酸化還元電位Ｅを実測すれ
ば、Ｃｅ³⁺の生成量が求まり、Ｃｅ⁴⁺の減少量が求めら
れるのである。

【００１１】更にエッチングされる薄膜の金属成分量を
測定することによっても、Ｃｅ⁴⁺の減少量を求めること
ができる。例えば、クロム薄膜のエッチングの場合は、
クロムのエッチング液への溶解は以下のように示され、
クロムの溶解量の６倍モル数がＣｅ⁴⁺の減少量となる。 Ｃｒ（０）→Ｃｒ⁶⁺＋６ｅ^- ６Ｃｅ⁴⁺＋６ｅ^ー→６Ｃｅ³⁺ エッチング液中のクロム等の金属成分の測定は、その金
属に適した公知の分析手段を適宜用いて行うことができ
る。

【００１２】更にエッチング速度はエッチング液中のＣ
ｅ⁴⁺濃度に対応し、その濃度が低下するとエッチング速
度が遅くなる。そこでエッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度を一
定の範囲にすることにより速度を一定に維持できるか
ら、エッチング速度を測定し、その速度を一定にするよ
うにＣｅ⁴⁺を供給することによってもエッチング液の管
理が可能である。エッチングの速度の測定は、エッチン
グ処理する基板等に光を当て透過光の量を測定すること
により、エッチングに要する時間を求めることができ、
その値からエッチングの速度を求めることが可能であ
る。

【００１３】エッチング処理をする金属薄膜の厚さや面
積が異なる基板を同じエッチング装置で処理する場合に
は予めエッチングする量を算出し、その量をエッチング
するのに必要なＣｅ⁴⁺量を求め、その必要量のＣｅ⁴⁺を
供給することによってもエッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度を
一定の範囲に保つことが可能である。一方、エッチング
処理をする金属薄膜を有する基板がほぼ一定のものであ
れば、その基板当たりエッチングにより減少するＣｅ⁴⁺
量もほぼ一定であるので、エッチング処理した基板数に
対応したＣｅ⁴⁺を供給することによってもエッチング液
中のＣｅ⁴⁺濃度を一定の範囲に保つことが可能になる。

【００１４】上記のエッチング液中のＣｅ⁴⁺の減少量を
求める方法は単独でも２つ以上組合せて行うことも可能
である。更に、本発明方法では、エッチング液中のＣｅ
⁴⁺濃度をコントロールすることに加えて、エッチング処
理された基板に付着して系外に持ち出されて排出される
エッチング液相当量を、新たなエッチング液或いはエッ
チング液の構成成分をエッチング液中に供給し、エッチ
ング液の液量を一定に保つことにより、更に安定したエ
ッチング処理が可能になり好ましい。

【００１５】エッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度は最適値にコ
ントロールすることが望ましいが、実際の管理操作では
最適値を含むある濃度範囲内で行われる。通常、Ｃｅ⁴⁺
濃度の上限はエッチングが速すぎてエッチングのコント
ロールが出来なくなる値であり、下限値はエッチングが
進まなくなる値で決められるが、実際には、これに経済
性を加味して濃度範囲が決められることになる。例え
ば、本発明者らのテストによれば、エッチング初期の液
中のＣｅ⁴⁺濃度を最適範囲値に設定した場合、その値の
５０％以下になるとエッチング速度は急激に低下してし
まい、他方１５０％以上になるとエッチング速度は過度
に速くてコントロールが困難となり、いずれも好ましく
ない。それ故、Ｃｅ⁴⁺濃度範囲としては、通常、０．５
＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．５でコン
トロールするのが実際的である。

【００１６】この濃度範囲は望ましくは、 ０．７５＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．
２５、 より望ましくは ０．９＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．１
である。 更に望ましくは、 ０．９５＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．
０５ 最も望ましくは以下の範囲である。 ０．９９＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃe⁴⁺濃度）＜１．
０１

【００１７】本発明方法で追加供給されるＣｅ⁴⁺は、硝
酸セリウムアンモニウム溶液として供給することができ
る。この供給溶液中のＣｅ⁴⁺濃度は、エッチング工程で
の溶媒の蒸発量及び基板に付着して系外に持ち出される
量によって変わり、画一的に決められないが、通常、Ｃ
ｅ⁴⁺１（mol／l）以上である。更に、この溶液には、エ
ッチング液中の酸の濃度を一定に保つために酸、例えば
硝酸を含有させることも出来る。この溶液を供給する
際、各成分を混合した一液として供給することは必ずし
も必要でなく、複数の溶液に分けて供給しても良く、ま
た、溶液の供給は、連続的でも間歇的でも良い。

【００１８】上記本発明方法を実施するための装置とし
ては、金属薄膜基板のエッチング用エッチング槽又はエ
ッチング散布器を備えたエッチング装置へ、エッチング
液のＣｅ⁴⁺濃度を所定範囲に維持するためにエッチング
液を供給する装置を有しており、この供給装置にはエッ
チング液中のＣｅ⁴⁺濃度又は基板のエッチング量の検知
用装置が付設され、該供給装置は、検知結果に基づいて
操作されることよりなるエッチング液管理装置である。

【００１９】この管理装置に付設されるＣｅ⁴⁺濃度の検
知用装置としては、検知手段に応じて決められ、具体的
にはエッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度、Ｃｅ³⁺濃度、薄膜の
溶出金属成分濃度又はエッチング液の酸化還元電位を測
定する装置が挙げられ、また、基板のエッチング速度を
測定する装置も使用することが出来る。基板のエッチン
グ量検知用装置としては、エッチング処理した基板数を
測定する装置が挙げられる。

【００２０】本発明方法の具体的実施態様装置の一例を
図５従って説明する。エッチング液散布器を備えたエッ
チング槽(1)には、液循環システムを有するエッチング
液貯槽(2)からエッチング液がポンプ(P-1)により流量計
(6)で液量を調節しながら液移送管を通ってエッチング
液散布器に供給され、エッチング槽内に支持されている
基板(5)上の金属薄膜がエッチング処理される。エッチ
ング処理に使用された後のエッチング液はエッチング液
貯槽に送られ、この貯槽には同時に、Ｃe⁴⁺溶液貯槽
(3)、及び硝酸等の溶媒貯槽(4)から、それぞれの溶液が
液輸送管を通ってＣe⁴⁺溶液供給ポンプ(P-2)及び溶媒供
給ポンプ(P-3)により所定の割合で供給される。エッチ
ング液貯槽に設けられた液循環システムでは、そのエッ
チング液の一部が攪拌ポンプ(P-5)により循環されてお
り、その循環流路中にＣe⁴⁺濃度の測定点(7)が設置され
ている。測定点でのＣe⁴⁺濃度の測定結果は制御装置(8)
に伝達ラインにより送られ、制御装置内の予め対応関係
が設定されたデータに基づいて制御操作の信号に換えて
Ｃe⁴⁺溶液供給ポンプ及び溶媒供給ポンプに伝達する。
信号を受けたポンプの作動により、それぞれの溶液が貯
槽からエッチング液貯槽に所定の割合で供給され、エッ
チング液中のＣe⁴⁺濃度が所望の範囲に制御される。制
御装置に送られたデータに基づき、液供給ポンプを制御
する操作は、自動的にも手動的にも実施することができ
る。

【００２１】

【実施例】本発明を実施例によりさらに詳細に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。尚、以下の実施例及び比較例
において、Ｃｅ⁴⁺、Ｃｅ³⁺濃度及びエッチング速度の測
定は次のようにして行った。 Ｃｅ⁴⁺、Ｃｅ³⁺、Ｃｒ⁶⁺濃度測定：エチング液中のＣｅ
の総量とＣｒ⁶⁺の和を誘導結合プラズマ発光分光分析に
より測定し、更に滴定によりＣｅ⁴⁺とＣｒ⁶⁺の和をもと
め、この二つの結果からＣｅ⁴⁺、Ｃｅ³⁺、Ｃｒ⁶⁺の濃度
を算出した。

【００２２】エッチング速度の測定：エッチングする硝
子基板に光を当て、透過光を光度計により測定した。光
が完全に透過するようになった時点でエッチング終了と
し、エッチングにかかった時間を求めた。エッチングす
る金属薄膜の厚さをエッチングにかかった時間で割りエ
ッチング速度を求めた。

【００２３】実施例 １ ガラス基板上に形成（真空蒸着法）されたクロム薄膜
（膜厚４０００Å）を、エッチング液として硝酸セリウ
ムアンモニウム、硝酸及び水を構成成分とする混合液を
用いてエッチングを行なった。その際、エッチング液中
のＣｅ⁴⁺の濃度を測定し、Ｃｅ⁴⁺の初期濃度に対する減
少量分に相当するＣｅ⁴⁺を供給した。Ｃｅ⁴⁺の供給には
硝酸セリウムアンモニウム５０％水溶液を供給すること
によって行った。その結果、４００枚を超える基板処理
後においても、このようなエッチング液中の酸化剤であ
るＣｅ⁴⁺の濃度は図１に示すようにほぼ一定に保たれ、
エッチング速度（Å/Sec）も図２に示すようにほぼ一定
に保たれた。この様にエッチングの間、Ｃｅ⁴⁺溶液を追
加供給することにより、同一の液でエッチングできる量
も追加しない場合の２倍以上に増やすことができた。な
お、使用したエッチング液の初期の濃度は、硝酸セリウ
ムアンモニウム０．２mol/l，硝酸９mol/lの水溶液であ
る。

【００２４】比較例 実施例１で用いた基板及びエッチング液を使用してクロ
ムのエッチングを行った。クロム薄膜のエッチングを繰
り返した場合のエッチング液中のＣｅ⁴⁺、Ｃｅ³⁺及び全
Ｃｅ濃度変化を図３に示す。エッチング液中のＣｅ⁴⁺は
エッチングをするに従い減少し、Ｃｅ³⁺は増加した。こ
の時エッチング速度（Å/Sec）は図４に示すように減少
し、それ以上エッチングを続けることは出来なかった。

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば，半導体や液晶ディスプ
レイ製造時のクロム薄膜のエッチングにおいて、エッチ
ング液中の酸化剤濃度を所定範囲に維持することにより
エッチング液の機能を一定に保つことができ、その結果
エッチング処理工程が安定化され、得られる製品の品質
も一定にする事が出来る。更にエッチング液の寿命を伸
ばすことができ、且つエッチング液の交換も低減し得る
のでコストダウンに寄与し工業的に利するところが大き
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例におけるエッチング液中のＣｅ濃度変化
を示し、横軸は硝子基板処理枚数、縦軸はＣｅ濃度を表
す。

【図２】実施例におけるエッチング速度の変化を示し、
横軸は硝子基板処理枚数、縦軸はエッチング速度を表
す。

【図３】比較例におけるエッチング液中のＣｅ濃度変化
を示し、横軸は硝子基板処理枚数、縦軸はＣｅ濃度を表
す。

【図４】比較例におけるエッチング速度の変化を示し、
横軸は硝子基板処理枚数、縦軸はエッチング速度を表
す。

【図５】本発明のエッチング液管理装置の一例の概略図
を示す。

【符号の説明】

１ エッチング槽 ２ エッチング液貯槽 ３ Ｃｅ⁴⁺溶液貯槽 ４ 溶媒貯槽 ５ 基板 ６ 流量計 ７ Ｃｅ⁴⁺測定点 ８ 制御装置

フロントページの続き (72)発明者 古市 弘 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 清原 力 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 石川 誠 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 金子 敏雄 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化剤としてＣｅ⁴⁺を含有するエッチング
   液を用いて金属薄膜基板のエッチングを行うに当たり、
   該エッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度を検知し、（Ｃｅ⁴⁺濃
   度）／（Ｃｅ⁴⁺初期濃度）を所定濃度範囲に維持するよ
   うにＣｅ⁴⁺を追加供給することを特徴とするエッチング
   液管理方法。
2. 【請求項２】エッチング液中の（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（Ｃｅ
   ⁴⁺初期濃度）を下式の範囲に保つことを特徴とする請求
   項１記載のエッチング液管理方法。 ０．５＜（Ｃｅ⁴⁺濃度）／（初期Ｃｅ⁴⁺濃度）＜１．５
3. 【請求項３】酸化剤としてＣｅ⁴⁺を含有するエッチング
   液を用いて金属薄膜基板のエッチングを行うに当たり、
   該エッチング液中のエッチングにより減少するＣｅ⁴⁺量
   から求められる所要量を追加供給し、エッチング液中の
   Ｃｅ⁴⁺濃度を所定濃度範囲に保つことを特徴とするエッ
   チング液管理方法。
4. 【請求項４】エッチング液へのＣｅ⁴⁺追加供給量は、該
   エッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度、Ｃｅ³⁺濃度、薄膜の溶出
   金属成分濃度又はエッチング液の酸化還元電位の少なく
   とも一つを測定することにより求めることを特徴とする
   請求項１又は３記載のエッチング液管理方法。
5. 【請求項５】エッチング液へのＣｅ⁴⁺追加供給量は、金
   属薄膜のエッチング量により求めることを特徴とする請
   求項１又は３記載のエッチング液管理方法。
6. 【請求項６】エッチング液へのＣｅ⁴⁺追加供給量は、金
   属薄膜のエッチング速度を測定することにより求めるこ
   とを特徴とする請求項１又は３記載のエッチング液管理
   方法。
7. 【請求項７】蒸発及びエッチング処理後の基板に付着し
   て系外に持ち出されることにより減少するエッチング液
   に相当する量の、新たなエッチング液或いはエッチング
   液の構成成分をエッチング液中に供給し、エッチング液
   の液量を一定に保つことを特徴とする請求項１乃至６の
   いずれか一項に記載のエッチング液管理方法。
8. 【請求項８】金属薄膜基板のエッチング用エッチング槽
   又はエッチング散布器を備えたエッチング装置への、エ
   ッチング液のＣｅ⁴⁺濃度を所定範囲に維持するためのエ
   ッチング液供給装置を有し、該エッチング液供給装置に
   はエッチング液中のＣｅ⁴⁺濃度又は基板のエッチング量
   の検知用装置が付設され、該供給装置は、検知結果に基
   づいて操作されることよりなるエッチング液管理装置。
9. 【請求項９】Ｃｅ⁴⁺濃度の検知用装置は、エッチング液
   中のＣｅ⁴⁺濃度、Ｃｅ³⁺濃度、薄膜の溶出金属成分濃度
   又はエッチング液の酸化還元電位を測定する装置である
   ことよりなる請求項８記載のエッチング液管理装置。
10. 【請求項１０】基板のエッチング量検知用装置は、エッ
    チング処理した基板数を測定する装置であることよりな
    る請求項８記載のエッチング液管理装置。
11. 【請求項１１】Ｃｅ⁴⁺濃度の検知用装置は、基板のエッ
    チング速度を測定する装置であることよりなる請求項８
    記載のエッチング液管理装置。
12. 【請求項１２】エッチング液測定手段と、減少したエッ
    チング液相当量のエッチング液またはエッチング液の構
    成成分を供給する手段を具備することを特徴とする請求
    項８乃至１１のいずれか一項に記載のエッチング液管理
    装置。