JP2747647B2 - エッチング液管理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶基板製造工程にお
いて透明導電膜（例えばインジウム・スズ酸化物による
薄膜：以下ＩＴＯ薄膜という）のエッチングに用いられ
るエッチング液の管理装置、詳しくはエッチング液の循
環使用における連続自動補給機構、酸濃度調整機構、及
びＩＴＯ薄膜のエッチングで溶出したインジウムの濃縮
化に伴うエッチング性能の劣化抑制のためのエッチング
液自動排出機構を併せて有する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶基板のＩＴＯ薄膜エッチング工程に
おいては、エッチング液として塩酸と硝酸との混合水溶
液、塩酸と塩化第二鉄の混合水溶液、臭化水素酸水溶
液、臭化水素酸と塩化第二鉄の混合水溶液、よう化水素
酸水溶液、よう化水素酸と塩化第二鉄の混合水溶液など
酸を主成分とした水溶液がスプレー方式あるいはディッ
プ方式などで使用されている。

【０００３】従来法では、エッチング処理槽へ所定濃度
の一定量のエッチング新液を充填してスタートし、経験
等にもとづく基板処理枚数などを指標として、エッチン
グ液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、予め用
意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形態をと
っている。この液交換時期は槽容量や基板の種類、枚数
等により一定ではないが、およそ４日間前後に１回の頻
度で行なわれている。

【０００４】ＩＴＯ薄膜のエッチング液として用いられ
る酸水溶液は、使用中にエッチング槽の大気シールのた
めのパージ窒素ガスに同伴して水分又は酸が蒸発するこ
とで、酸濃度が上昇又は下降して濃度変動を生じる。ま
た、エッチング反応により、酸が金属塩として消費され
て酸濃度が下降する。そのため逐次エッチング性能が低
下するが、従来は酸濃度をリアルタイムで測定すること
が行なわれず、かつ所定濃度に一定に制御することが行
なわれていなかった。

【０００５】また、エッチング処理によってエッチング
液中に溶解したＩＴＯ薄膜（組成の一例として、Ｉｎ_２
Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝９５：５ｗｔ％）のインジウム、スズ
（支配的にはインジウム）は逐次濃縮し、エッチング性
能劣化の一因となっているが、従来は溶解インジウム濃
度をリアルタイムで測定することが行なわれず、かつ所
定濃度に一定に制御することが行なわれていなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって、この間の
酸濃度と溶解インジウム濃度は経時的に変化して一定で
ないため、エッチングによるＩＴＯ薄膜の高精細寸法の
精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、歩留りを
低下させていた。また液交換時の操業停止（ダウンタイ
ム）により大幅な稼動率低下をきたし、エッチング液の
交換作業に伴う労務コストが必要であった。

【０００７】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程の大量生産に適
した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を生か
しながら、前述した従来技術の問題点を解消するもので
ある。すなわち、本発明の目的は、所定の原液を用意し
ておけばエッチング液を所定の酸濃度及び溶解インジウ
ム濃度に自動制御し、かつエッチング処理槽の液補給に
対して適切な管理を行ない、もってエッチング性能を常
時一定化するとともに、使用原液量を削減し、操業停止
時間を大幅に短縮して総合的な製造コストの低減を可能
とすることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、エッ
チング処理槽のエッチング液中に溶解したインジウム濃
度は、図８に示すようにその吸光度と相関関係にあるこ
とを実験により確認したことから、溶解インジウム濃度
を吸光度測定により調整、制御し、さらにエッチング液
中の酸濃度が、図５に示すようにその導電率との間に相
関関係にあることを実験によって確認したことから、酸
濃度を導電率測定により調整、制御するようにしたもの
である。

【０００９】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のエッチング液管理装置は、図１に示すように、
ＩＴＯ薄膜用エッチング液の溶解インジウム濃度を吸光
光度計１６により検出してエッチング液を排出するエッ
チング液排出手段と、エッチング液の液面レベルを液面
レベル計３により検出してエッチング原液と純水とを補
給する第一補給手段と、エッチング液の酸濃度を導電率
計１５により検出して、エッチング原液又は純水を補給
する第二補給手段とを備えたことを特徴としている。ま
た、本発明のエッチング液管理装置は、第一補給手段に
おいて、エッチング原液と純水とを補給する代わりに、
図２に示すように、エッチング原液と純水とを予め調合
したエッチング新液を補給するようにしたことを特徴と
している。図１、図２に示す構成は、劣化したエッチン
グ液を排出することにより液面レベルが低下し、この液
面レベルの低下を検出して新鮮なエッチング液を補給す
るというものである。

【００１０】さらに、本発明のエッチング液管理装置
は、図３に示すように、ＩＴＯ薄膜エッチング液の溶解
インジウム濃度を吸光光度計１６により検出してエッチ
ング原液と純水とを補給する第三補給手段と、エッチン
グ液の酸濃度を導電率計１５により検出してエッチング
原液又は純水を補給する第二補給手段とを備えたことを
特徴としている。また、本発明のエッチング液管理装置
は、図４に示すように、エッチング原液と純水とを補給
する第三補給手段において、エッチング原液と純水とを
補給する代わりに、エッチング原液と純水とを予め調合
したエッチング新液を補給するようにしたことを特徴と
している。図３、図４に示す構成は、新鮮なエッチング
液を補給することにより、劣化したエッチング液がオー
バーフローするというものである。エッチング原液とし
ては、塩酸水溶液、硝酸水溶液、臭化水素酸水溶液、よ
う化水素酸水溶液など酸を主成分とした単体水溶液又は
混合水溶液が用いられる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を詳細に説明する。ただし、この実施例に記載されてい
る構成機器の形状、その相対配置などは、とくに特定的
な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定
するものではなく、単なる説明例にすぎない。図１は本
発明の一実施例を示す装置系統図である。図中の参照番
号１〜１３は従来の既設のエッチング処理装置を構成す
る機器である。すなわち、この従来のエッチング処理装
置は、エッチング液を貯留するエッチング処理槽１、オ
ーバーフロー槽２、液面レベル計３、エッチング室フー
ド４、エッチング液スプレー７、エッチング液スプレー
への送液ポンプ８、エッチング液中の微細粒子等を除去
するためのフィルター９、基板を配置してエッチングし
つつ移動するローラーコンベアー５、基板６、及びエッ
チング液の清浄化と撹拌のための循環ポンプ１１、微細
粒子除去用フィルター１３、ならびにＮ_２ガス、純水等
の配管類などからなっている。

【００１２】本発明にもとづき、上記エッチング処理装
置に付設される機器は、導電率計１５、吸光光度計１
６、液排出ポンプ１８、及びエッチング原液供給缶１
９、エッチング原液供給用の流量調節弁２１、純水供給
用の流量調節弁２２と、これら各機器を接続する配管
類、電気計装類又は空気計装類などである。

【００１３】エッチング処理槽１に貯留される液量は、
エッチング液スプレー７の所要量を供給できれば足りる
が、工程の安定上からは制御されることが必要である。
液面レベル計３は、エッチング処理中に基板に付着して
系外に持ち出されることで自然減量することによる液面
レベル低下を検出し、あるいはエッチング性能が劣化し
た液を強制排出したときの液面レベル低下を検出し、エ
ッチング処理槽１の液量を一定範囲に管理する。ここ
で、エッチング劣化液は排出ポンプ１８を作動すること
によりドレン用配管に流下する。なお、劣化液をドレン
用配管を経由せずに直接系外に抜き出す場合もある。こ
のように、エッチング処理槽１の液面レベ ルは、通常、
オーバーフロー未満（オーバーフロー液面より下方）の
液面レベル計３付近の位置となるような状態で運転され
る。

【００１４】エッチング原液（例えば、臭化水素酸原
液：ＨＢｒ ４８ｗｔ％水溶液）のエッチング原液供給
缶１９は、配管２０からのＮ_２ガスで１〜２Ｋｇｆ／ｃ
ｍ^２に加圧されており、エッチング原液流量調節弁２１
の開により圧送される。また純水は既設配管からの分岐
管に通じており、純水流量調節弁２２の開により送水さ
れる。このエッチング原液及び純水はそれぞれの弁を自
動調節して送液され、管路２３で合流して管路１２に連
結して流入し、循環流とともに混合されながらエッチン
グ処理槽１に入る。なお、エッチング原液と純水とを合
流させずに、管路１２又はエッチング処理槽１に連結す
ることも可能である。しかし、図１に示すようにエッチ
ング原液と純水とを管路２３で合流させた後、循環管路
１２に連結して流入するのが、十分な混合がなされるの
で望ましい。

【００１５】また、エッチング液スプレー用の管路１０
にオンラインで設置した導電率計１５と吸光光度計１６
（例えば、両器は一体構成）には、管路１４から試料液
が導入されて導電率、吸光度が連続測定され、測定済み
液は管路１７から管路１０に戻される。なお、導電率計
１５と吸光光度計１６とを別体として設置することも可
能である。

【００１６】図２は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、エッチング液の液面レベルを
液面レベル計３により検出してエッチング原液と純水と
を補給する代わりに、図２に示すように、エッチング液
の液面レベルを液面レベル計３により検出してエッチン
グ原液と純水とを予め調合したエッチング新液を補給す
るように構成したものである。２７はエッチング新液供
給缶、２８は新液流量調節弁である。他の構成は図１の
場合と同様である。

【００１７】図３は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、ＩＴＯ薄膜エッチング液の溶
解インジウム濃度を吸光光度計１６により検出してエッ
チング原液と純水とを補給するように構成したものであ
る。図３に示すように、通常において、液面レベルはオ
ーバーフロー用の堰の位置付近にあり、エッチング原液
又は純水が補給された場合は、オーバーフロー用の堰か
ら劣化したエッチング液がオーバーフローして自動排出
される。なお、排出ポンプ１８は必ずしも必要ではな
く、排出ポンプ１８の代わりに弁を設けてもよい。この
ように、エッチング処理槽１の液面レベルは、通常、オ
ーバーフロー付近の液面の位置となるような状態で運転
される。他の構成は図１の場合と同様である。

【００１８】図４は、本発明のさらに他の実施例を示す
装置系統図である。本実施例は、ＩＴＯ薄膜エッチング
液の溶解インジウム濃度を吸光光度計１６により検出し
て補給する第三補給手段において、エッチング原液と純
水とを補給する代わりに、図４に示すように、エッチン
グ原液と純水とを予め調合したエッチング新液を補給す
るように構成したものである。他の構成は図３の場合と
同様である。

【００１９】次に図１に示す本実施例装置の制御系統に
ついて説明する。液面レベル計３とエッチング処理槽１
の液面レベル、導電率計１５とエッチング液の酸濃度、
吸光光度計１６とエッチング液の溶解インジウム濃度の
３者は、本質的にはそれぞれ独立機能として作用する
が、図１に示すように、本発明においては、これらを相
互の補完的な関連において機能させることを特徴として
いる。なお、図３に示す装置では、液面レベルが低下し
て液量が不足するとエッチング処理に支障をきたすの
で、図３に示す本発明におけるエッチング液の管理とは
別途に、液面レベルの管理のために液面レベル計３を取
り付けている。また、はじめに製品基板の品質管理上で
必要なエッチング液の酸濃度の目標値、溶解インジウム
濃度の濃縮限界値などは、操業実績又は計算に基づき予
め各制御器に設定しておかねばならない。

【００２０】以下、エッチング液として臭化水素酸水溶
液を使用した実施例について説明する。通常、４５〜５
０℃の一定液温に保持されたエッチング液の臭化水素酸
濃度は、主としてパージＮ_２ガスに水分が同伴して蒸発
することにより、基板処理枚数の増加とともに濃縮する
ので、エッチング液のエッチング性能が劣化してくる。
このため、臭化水素酸濃度は所定の目標値、例えば４
７．５±０．１％に管理する必要がある。従来は、経験
からの基板処理枚数との相関あるいは化学分析等によっ
て、エッチング液劣化の程度を判定していたが、迅速か
つ正確な把握が困難であった。

【００２１】本発明者は、エッチング液の臭化水素酸濃
度と導電率との関係を実験により検討し、図５に示す如
く使用濃度付近においては、導電率に対して臭化水素酸
濃度が支配的で高度な直線相関をもって測定できること
を確認した。管路１０にオンラインで設置した導電率計
１５は、測定誤差を最小限とするための諸補償機能と導
電率制御器２５を備えている。管路１０から導入した試
料液の導電率測定値は、導電率制御器２５に入力して、
その値が目標値になるように、出力信号によりエッチン
グ原液（臭化水素酸原液）又は純水を、流量調節弁２
１、２２によりそれぞれ自動制御して、臭化水素酸濃度
を目標値に調整するまで補給する。

【００２２】エッチング性能の劣化は上述の臭化水素酸
濃度によるほか、溶解インジウム濃度も関与している。
基板処理のエッチング液は送液ポンプ８によりエッチン
グ処理槽１から取り出され、エッチング液スプレー７を
経て循環使用されるため、溶解物質がエッチング液中に
漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はインジウムであ
り、図６に操業例として示すように、基板処理枚数に比
例して濃縮しており、結果的にエッチング性能を著しく
劣化させている。従来は、この濃度変化をリアルタイム
で測定することが行なわれておらず、かつエッチング性
能を一定値で管理することが行なわれていなかった。す
なわち、基板の処理枚数を劣化指標としたりしている
が、基板の形状やＩＴＯ薄膜の膜厚やエッチングパター
ンが一定でないため、基板種類毎の溶解インジウム量も
異なってくるので、処理枚数を判定要因とすることには
無理がある。

【００２３】本発明者は、エッチング液中のインジウム
濃縮による汚染状態の研究から、インジウム濃度を吸光
度との関係において測定することに着目し、実験により
図７及び図８に示すような結果を得た。図８に見る如
く、溶解インジウム濃度と吸光度とは臭化水素酸濃度の
影響なしに高度な直線関係にあり、基板処理枚数によら
ない、溶解インジウム濃度自体によるエッチング性能限
界値が判定可能となった。なお、溶解したインジウムは
臭化インジウム錯体の形態にあるものと思われ、その妥
当な測定波長としてλ＝３４２ｎｍを使用した。したが
って、管路１０に導電率計１５と一体又は別体で設置し
た吸光光度計１６が、エッチング液の溶解インジウム濃
度を連続測定して劣化限界値を超えたことを検出し、吸
光度制御器２６の出力信号により排出ポンプ１８が作動
し、劣化したエッチング液を、エッチング処理槽１から
抜き出してドレン管に廃棄するか、又は直接系外に廃棄
する。その結果、減量したエッチング処理槽１には、直
ちに液面レベル計３が下降した液面レベルを検出するこ
とによって新鮮なエッチング液が補給され、溶解インジ
ウム濃度は劣化限界値に希釈されることでエッチング性
能が回復し、排出ポンプ１８は停止する。

【００２４】ここで、図１に示す本実施例装置が意図し
た制御系統の機能的関連について述べる。エッチング処
理槽１が空の建浴時においては、液面レベル計３が空で
あることを検出して、液面レベル制御器２４の出力信号
により、エッチング原液及び純水が適正な流量比におい
て、流量調節弁２１、２２により弁開度を調節して送液
される。ついで導電率計１５が建浴エッチング液の導電
率を連続測定して、導電率制御器２５の出力信号によ
り、エッチング原液又は純水が適正な微少流量におい
て、流量調節弁２１又は２２により弁開度を調節して送
液され、目標値の臭化水素酸濃度になるよう自動制御さ
れる。

【００２５】次にエッチング処理が開始されると、臭化
水素酸濃度上昇、基板の持ち出しによる液の減量及び溶
解インジウム濃縮とが、進行する。臭化水素酸濃度上昇
の場合は、導電率計１５がエッチング液の導電率を連続
測定して、導電率制御器２５の出力信号により、純水が
適正な微少流量において流量調節弁２２により弁開度を
調節して送給され、目標値の臭化水素酸濃度になるよう
自動制御される。基板の持ち出しによる液の減量の場合
は、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出して、
液面レベル制御器２４の出力信号により、エッチング原
液及び純水が適正な流量比において、流量調節弁２１、
２２により弁開度を調節して送液される。

【００２６】溶解インジウム濃度が濃縮されて劣化限界
値に達した場合は、吸光光度計１６がエッチング液の溶
解インジウム濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポ
ンプ１８が作動し、劣化したエッチング液をエッチング
処理槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は直
接系外に廃棄する。この場合、一般的に、エッチング処
理槽１の底部から劣化したエッチング液を排出するの
で、底部にスラッジ等が蓄積する場合などに、これを排
出するのに有効である。その結果、液面レベルが低下す
るので、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器２４の出力信号により、エッチン
グ原液及び純水が適正な流量比において流量調節弁２
１、２２により弁開度を調節して送液される。エッチン
グ処理槽１には、新鮮なエッチング液が充填されるの
で、溶解インジウム濃度は劣化限界値に希釈されること
でエッチング性能が回復し、排出ポンプ１８は停止す
る。液面レベル計３より上部に、オーバーフロー用の堰
が通常ではオーバーフローしない位置に設けられてある
が、若干オーバーフローすることがあってもよい。

【００２７】つぎに、図３に示す実施例装置が意図した
制御系統の機能的関連について述べる。エッチング処理
槽１が空の建浴時においては、手動操作により、エッチ
ング原液及び純水が適正な流量比において、流量調節弁
２１、２２により弁開度を調節して送液される。つい
で、導電率計１５が建浴エッチング液の導電率を連続測
定して、導電率制御器２５の出力信号により、エッチン
グ原液又は純水が適正な微少流量において、流量調節弁
２１又は２２により弁開度を調節して送液され、目標値
の臭化水素酸濃度になるように自動制御される。

【００２８】つぎのエッチング処理が開始されると、臭
化水素酸濃度上昇、基板の持ち出しによる液の減量及び
溶解インジウム濃縮が進行する。臭化水素酸濃度上昇の
場合は、導電率計１５がエッチング液の導電率を連続測
定して、導電率制御器２５の出力信号により、純水が適
正な微少流量において、流量調節弁２２により弁開度を
調節して送給され、目標値の臭化水素酸濃度になるよう
自動制御される。基板の持ち出しによる液の減量の場合
は、液面レベルはオーバーフロー用の堰の位置より若干
低下する。

【００２９】溶解インジウム濃度が、濃縮されて劣化限
界値に達した場合は、吸光光度計１６がエッチング液の
溶解インジウム濃度を連続測定して劣化限界値を超えた
ことを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により、エ
ッチング原液及び純水が適正な流量比において、流量調
節弁２１及び２２により弁開度を調節して送液される。
新鮮なエッチング液が補給されるので、溶解インジウム
濃度は劣化限界値に希釈されてエッチング性能が回復す
る。

【００３０】液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位
置付近にあり、エッチング原液又は純水が補給された場
合は、オーバーフロー用の堰から劣化したエッチング液
がオーバーフローする。このように、新鮮なエッチング
液を補給することにより、劣化したエッチング液がピス
トンフローで上部から排出される。したがって、液面 上
に泡立ちがあったり、スラッジ等が浮いている場合など
に、これらを排出するのに有効である。本発明者は、以
上のように各制御機能に基づく結果を相互補完的な関連
で運用することによって、総合的にエッチング性能の回
復、連続操業、及びエッチング液使用量の削減を容易に
実現することができることを実験により知見している。

【００３１】つぎに、概念的理解のために、本発明と従
来法の操業パターンの効果の比較を図９〜図１２に示
す。従来法では、図９に示すようにスタート時の臭化水
素酸濃度が、例えば４７．５ｗｔ％で、その濃度が時間
の経過につれて上昇して、例えば４８．７ｗｔ％（化学
分析値）に達したときに液交換を行なっていた。この場
合、臭化水素酸濃度の経時変化は鋸歯状になり、その濃
度に変化幅が生じるので、エッチング性能が一定しなか
った。しかし、本発明の装置を用いれば、図１０に示す
ように臭化水素酸濃度は時間が経過しても、例えば４
７．５±０．１ｗｔ％で一定であり、エッチング性能が
安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。

【００３２】また、従来法では、図１１に示すように、
スタート時から溶解インジウム濃度が時間の経過ととも
に増加し、この濃度がエッチング性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１１に
示すように、溶解インジウム濃度の経時変化は鋸歯状に
なり、溶解インジウム濃度の変化幅が生じるので、エッ
チング性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を
用いれば、図１２に示すように、溶解インジウム濃度は
ある時間の経過後は一定となり、したがってエッチング
性能が安定するとともに、液交換作業の必要もなくな
る。なお以上において、本発明は、エッチング液として
臭化水素酸水溶液を使用した場合に限らず、エッチング
液として塩酸と硝酸との混合水溶液、よう化水素酸水溶
液など酸を主成分とした水溶液を使用した場合にも適用
できる。

【００３３】

【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 本発明を、液晶基板のＩＴＯ薄膜のエッチング
工程に適用することにより、エッチング液の酸濃度及び
溶解インジウム濃度を常時監視して所望の目標値に制御
し、かつ安定した液面レベルにおいて長時間の連続操業
を可能とする。 （２） エッチング液品質を一定に制御することができ
るので、ＩＴＯ薄膜のエッチング性能も安定化し、した
がって、液晶基板製造工程に適用する場合は、液使用量
の大幅削減、操業停止時間の減少及び労務コストの低減
という総合的効果も達成できる。（３） 劣化したエッチング液を排出することにより液
面レベルが低下し、この液面レベルの低下を検出して新
鮮なエッチング液を補給するという構成の場合は、一般
的に、エッチング処理槽の底部から劣化したエッチング
液を排出するので、底部にスラッジ等が蓄積する場合な
どに、これを排出するのに有効である。 （４） 新鮮なエッチング液を補給することにより、劣
化したエッチング液がオーバーフローするという構成の
場合は、液面上に泡立ちがあったり、スラッジ等が浮い
ている場合などに、これらを排出するのに有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すエッチング液管理装置
の系統図である。

【図２】本発明の他の実施例を示すエッチング液管理装
置の系統図である。

【図３】本発明の他の実施例を示すエッチング液管理装
置の系統図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例を示すエッチング液
管理装置の系統図である。

【図５】本発明に係わるエッチング液の臭化水素酸濃度
と導電率との関係を示す実施例のグラフである。

【図６】基板ＩＴＯ薄膜のエッチング処理枚数と溶解イ
ンジウム濃度との関係を示す操業例のグラフである。

【図７】本発明に係わる基板ＩＴＯ薄膜のエッチング処
理枚数とエッチング液の吸光度との関係を示すグラフで
ある。

【図８】本発明に係わるエッチング液の溶解インジウム
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。

【図９】従来法における臭化水素酸濃度と操業時間との
関係を示すグラフである。

【図１０】本発明の装置を用いた場合における臭化水素
酸濃度と操業時間との関係を示すグラフである。

【図１１】従来法における溶解インジウム濃度と操業時
間との関係を示すグラフである。

【図１２】本発明の装置を用いた場合における溶解イン
ジウム濃度と操業時間との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ エッチング処理槽 ３ 液面レベル計 ５ ローラーコンベアー ６ 基板 ７ エッチング液スプレー ８ 送液ポンプ １１ 循環ポンプ １５ 導電率計 １６ 吸光光度計 １８ 排出ポンプ １９ エッチング原液供給缶 ２１ 原液流量調節弁 ２２ 純水流量調節弁 ２４ 液面レベル制御器 ２５ 導電率制御器 ２６ 吸光度制御器 ２７ エッチング新液供給缶 ２８ 新液流量調節弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長 瀬産業株式会社内 (72)発明者 塩津 信一郎 兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (56)参考文献 特開 平４−212774（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−243784（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−66681（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−157367（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188728（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明導電膜用エッチング液の溶解インジ
   ウム濃度を吸光光度計（１６）により検出してエッチン
   グ液を排出するエッチング液排出手段と、エッチング液
   の液面レベルを液面レベル計（３）により検出してエッ
   チング原液と純水とを補給する第一補給手段と、エッチ
   ング液の酸濃度を導電率計（１５）により検出してエッ
   チング原液又は純水を補給する第二補給手段とを備えた
   ことを特徴とするエッチング液管理装置。
2. 【請求項２】 第一補給手段において、エッチング原液
   と純水とを補給する代わりに、エッチング原液と純水と
   を予め調合したエッチング新液を補給するようにしたこ
   とを特徴とする請求項１記載のエッチング液管理装置。
3. 【請求項３】 透明導電膜用エッチング液の溶解インジ
   ウム濃度を吸光光度計（１６）により検出してエッチン
   グ原液と純水とを補給する第三補給手段と、エッチング
   液の酸濃度を導電率計（１５）により検出してエッチン
   グ原液又は純水を補給する第二補給手段とを備えたこと
   を特徴とするエッチング液管理装置。
4. 【請求項４】 第三補給手段において、エッチング原液
   と純水とを補給する代わりに、エッチング原液と純水と
   を予め調合したエッチング新液を補給するようにしたこ
   とを特徴とする請求項３記載のエッチング液管理装置。