JP6284452B2 - エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第一実施形態であるエッチング液管理装置を含むエッチング処理機構100の系統図である。
エッチング処理部Aは、搬送される基板表面にエッチング液を噴射し、これにより基板表面をエッチングするためのものである。
エッチング液循環部Bは、主として、エッチング処理槽1内に貯留されたエッチング液を循環し、攪拌するためのものである。
補充液供給部Dは、エッチング処理槽1内に補充液を供給するためのものである。補充液としては、エッチング原液、エッチング新液、シュウ酸原液、純水及びエッチング再生液がある。これらは必ずしも全て必要というのではなく、エッチング液の組成、濃度変化の程度、設備条件、運転条件、補充液の入手状況などにより、最適な補充液及び供給装置が選択される。
測定部Eは、サンプリングしたエッチング液のシュウ酸濃度及びエッチング液中に溶解したインジウムの濃度、ガリウムの濃度又は亜鉛の濃度のうち少なくとも一つの濃度を測定するものである。
次に、エッチング液のシュウ酸濃度及び溶解金属濃度を測定する方法の一例を説明する。なお、以下の説明では、酸にシュウ酸を用い、エッチング液のシュウ酸濃度の管理値を3.4%、エッチング液中の溶解金属をインジウムとした例で説明するが、本発明はこれに限定されず、他の材料、他の管理値でも行うことができる。
コンピューター30は、導電率計17、密度計18、流量調節弁25〜28などと電気的に接続されている。コンピューター30は、これらの接続機器に対して動作指令を発して制御するほか、シュウ酸濃度やエッチング液中に溶解したインジウムの濃度、ガリウムの濃度又は亜鉛の濃度の測定データを取得するなど、接続機器との情報の送受信を行う。また、入出力機能、演算機能、情報記憶機能など、多様な機能を有している。
次に、上記構成のエッチング処理装置の動作について説明する。以下、エッチング液として金属酸化膜の一種であるITO膜、IZO膜、IGO膜等の透明導電膜、IGZO膜等の酸化物半導体膜をエッチングするのに多用されるシュウ酸水溶液を使用した例について説明する。
本実施形態に用いられる被エッチング膜としては、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む膜を用いることができ、例えば、ITO膜、IZO膜、IGO膜、又は、IGZO膜を用いることができる。
本実施形態に用いられるエッチング液としては、少なくともシュウ酸を含むエッチング液を用いることができる。
本発明の第二実施形態のエッチング液管理装置は、第一実施形態のエッチング液管理装置の導電率計17が測定した導電率値、密度計18が測定した密度値から多変量解析法(例えば、重回帰分析法)によりエッチング液のシュウ酸濃度及びエッチング液中に溶解したインジウムの濃度、ガリウムの濃度又は亜鉛の濃度のうち少なくとも一つの濃度を算出する演算機能(成分濃度演算手段)を有したものである。第二実施形態のエッチング液管理装置を含むエッチング処理機構は、図1に示す第一実施形態のエッチング処理機構と同様のものを用いることができる。
本発明者は、実験により、シュウ酸水溶液にインジウムが溶存する場合、このシュウ酸水溶液の導電率及び密度の測定値は、シュウ酸濃度、溶解インジウム濃度のうちのそれぞれ一つの成分だけに感応するわけでなく、相互に相関するので、重回帰分析によりさらに正確に濃度が求められることを知見した。
本実施形態においては、エッチング液中の成分濃度を測定する成分濃度測定方法として用いることができる。
Claims (5)
- シュウ酸を含むエッチング液であって、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む被エッチング膜のエッチングに用いられるエッチング液を管理するエッチング液管理装置において、
前記エッチング液の導電率値を測定する導電率計と、
前記エッチング液の密度値を測定する密度計と、
前記エッチング液のシュウ酸濃度と導電率値との間の相関関係及び前記導電率計の測定結果に基づいて、前記シュウ酸濃度が前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうちいずれか一つの濃度と密度値との間に相関関係がある濃度範囲内となるように、及び、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうちいずれか一つの濃度と密度値との間の相関関係及び前記密度計の測定結果に基づいて、前記インジウム濃度、前記ガリウム濃度又は前記亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度が管理される濃度のしきい値以下となるように、前記エッチング液に補給される補充液の送液を制御する補充液送液制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液管理装置。 - シュウ酸を含むエッチング液であって、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む被エッチング膜のエッチングに用いられるエッチング液を管理するエッチング液管理装置において、
前記エッチング液の導電率値を測定する導電率計と、
前記エッチング液の密度値を測定する密度計と、
前記導電率計により測定された導電率値及び前記密度計により測定された密度値に基づいて、多変量解析法により前記エッチング液のシュウ酸濃度、並びに、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度を算出する成分濃度演算手段と、
前記成分濃度演算手段により算出される前記エッチング液のシュウ酸濃度が管理される濃度範囲内となるように、及び、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度が管理される濃度のしきい値以下となるように、前記エッチング液に補給される補充液の送液を制御する補充液送液制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液管理装置。 - シュウ酸を含むエッチング液であって、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む被エッチング膜のエッチングに用いられるエッチング液を管理するエッチング液管理方法において、
前記エッチング液の導電率値を測定する導電率測定工程と、
前記エッチング液のシュウ酸濃度と導電率値との間の相関関係及び前記導電率測定工程の測定結果に基づいて、前記シュウ酸濃度が前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうちいずれか一つの濃度と密度値との間に相関関係がある濃度範囲内となるように、前記エッチング液に補給する補充液の送液を制御するシュウ酸濃度用補充液送液制御工程と、
前記シュウ酸濃度用補充液送液制御工程によりシュウ酸濃度が前記濃度範囲内に管理されたエッチング液の密度値を測定する密度測定工程と、
前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうちいずれか一つの濃度と密度値との間の相関関係及び前記密度測定工程の測定結果に基づいて、前記インジウム濃度、前記ガリウム濃度又は前記亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度が管理される濃度のしきい値以下となるように、前記エッチング液に補給される補充液の送液を制御する金属濃度用補充液送液制御工程と、
を有することを特徴とするエッチング液管理方法。 - シュウ酸を含むエッチング液であって、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む被エッチング膜のエッチングに用いられるエッチング液を管理するエッチング液管理方法において、
前記エッチング液の導電率値を測定する導電率測定工程と、
前記エッチング液の密度値を測定する密度測定工程と、
前記導電率測定工程により測定された導電率値及び前記密度測定工程により測定された密度値に基づいて、多変量解析法により前記エッチング液のシュウ酸濃度、並びに、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度を算出する成分濃度演算工程と、
前記成分濃度演算工程により算出される前記エッチング液のシュウ酸濃度が管理される濃度範囲内となるように、及び、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度が管理される濃度のしきい値以下となるように、前記エッチング液に補給される補充液の送液を制御する補充液送液制御工程と、
を有することを特徴とするエッチング液管理方法。 - シュウ酸を含むエッチング液であって、インジウム、ガリウム又は亜鉛のうち少なくとも一つを含む被エッチング膜のエッチングに用いられるエッチング液の導電率値を測定する導電率測定工程と、
前記エッチング液の密度値を測定する密度測定工程と、
前記導電率測定工程により測定された導電率値及び前記密度測定工程により測定された密度値に基づいて、多変量解析法により前記エッチング液のシュウ酸濃度、並びに、前記エッチング液のインジウム濃度、ガリウム濃度又は亜鉛濃度のうち少なくとも一つの濃度を算出する成分濃度演算工程と、
を有することを特徴とするエッチング液の成分濃度測定方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146707A JP6284452B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
KR1020140147482A KR102128944B1 (ko) | 2014-07-17 | 2014-10-28 | 에칭액 처리장치, 에칭액 관리방법 및 에칭액의 성분농도 측정방법 |
TW103137330A TWI682067B (zh) | 2014-07-17 | 2014-10-29 | 蝕刻液管理裝置、蝕刻液管理方法、及蝕刻液之成分濃度測定方法 |
CN201410601727.5A CN105304462B (zh) | 2014-07-17 | 2014-10-31 | 蚀刻液管理装置及方法、以及蚀刻液的成分浓度测定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146707A JP6284452B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016025138A JP2016025138A (ja) | 2016-02-08 |
JP6284452B2 true JP6284452B2 (ja) | 2018-02-28 |
Family
ID=55201563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014146707A Expired - Fee Related JP6284452B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6284452B2 (ja) |
KR (1) | KR102128944B1 (ja) |
CN (1) | CN105304462B (ja) |
TW (1) | TWI682067B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105278566A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 株式会社平间理化研究所 | 蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2747647B2 (ja) * | 1993-10-25 | 1998-05-06 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置 |
JPH10110281A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JPH11117080A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JPH11200074A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-27 | Nippon Aqua Kk | エッチング液の組成検査方法およびエッチング液組成検査装置 |
JPH11302876A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜の電極パターン加工方法 |
JP2002141329A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング液濃度制御装置および液晶表示装置の製造装置および製造方法ならびに液晶表示装置 |
CN1602538A (zh) * | 2001-11-13 | 2005-03-30 | Fsi国际公司 | 用于浸渍处理的高级处理控制 |
JP3908635B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-04-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱交換機構およびそれを備えたローター |
JP2006013158A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nagase & Co Ltd | 酸性エッチング液再生方法及び酸性エッチング液再生装置 |
KR100637528B1 (ko) | 2004-08-06 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP5328083B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 酸化物のエッチング方法 |
JP5058560B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2012-10-24 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置 |
JP5405042B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2014-02-05 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 |
JP2011138937A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Showa Denko Kk | 透明導電膜用エッチング液 |
-
2014
- 2014-07-17 JP JP2014146707A patent/JP6284452B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-28 KR KR1020140147482A patent/KR102128944B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-29 TW TW103137330A patent/TWI682067B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-10-31 CN CN201410601727.5A patent/CN105304462B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI682067B (zh) | 2020-01-11 |
CN105304462A (zh) | 2016-02-03 |
JP2016025138A (ja) | 2016-02-08 |
TW201604324A (zh) | 2016-02-01 |
CN105304462B (zh) | 2019-07-19 |
KR102128944B1 (ko) | 2020-07-01 |
KR20160010258A (ko) | 2016-01-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171011 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6284452 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |