JPH11117080A - 金属酸化物薄膜のエッチング方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜のエッチング方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング液の系外への持ち出し量の極めて
少ないエッチング装置においてもエッチング製品の不良
率の増加、信頼性の低下を防止し精度の高いエッチング
加工を可能にする金属酸化物エッチング方法を提供する
こと。 【解決手段】 例えば酸化錫−酸化インジウムの金属酸
化物薄膜を、塩酸および塩化第2鉄水溶液からなるエッ
チング液でエッチングする方法において、エッチング液
の比重を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液
に塩酸水溶液を供給し、エッチング液の比重を設定値に
調節する比重調節工程と、エッチング液の酸化還元電位
を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩
酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、エッチング
液の酸化還元電位を設定値に調節する酸化還元電位調節
工程とを有する方法。
少ないエッチング装置においてもエッチング製品の不良
率の増加、信頼性の低下を防止し精度の高いエッチング
加工を可能にする金属酸化物エッチング方法を提供する
こと。 【解決手段】 例えば酸化錫−酸化インジウムの金属酸
化物薄膜を、塩酸および塩化第2鉄水溶液からなるエッ
チング液でエッチングする方法において、エッチング液
の比重を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液
に塩酸水溶液を供給し、エッチング液の比重を設定値に
調節する比重調節工程と、エッチング液の酸化還元電位
を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩
酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、エッチング
液の酸化還元電位を設定値に調節する酸化還元電位調節
工程とを有する方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は金属酸化物薄膜のエ
ッチング方法に関するものであり、さらに詳しくは、基
材表面上の酸化錫、酸化インジウム、酸化錫−酸化イン
ジウムの少なくとも一つからなる金属酸化物薄膜のエッ
チング方法に関するものである。
ッチング方法に関するものであり、さらに詳しくは、基
材表面上の酸化錫、酸化インジウム、酸化錫−酸化イン
ジウムの少なくとも一つからなる金属酸化物薄膜のエッ
チング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】金属酸化物、とくに酸化錫、酸化インジ
ウム、酸化錫−酸化インジウムの少なくとも一つからな
る金属酸化物は、薄膜として液晶ディスプレイなどの表
示素子、太陽電池、タッチパネルなどの入力装置の透明
電極として使用されている。これらの金属酸化物のエッ
チング液としては塩酸と塩化第2鉄の混合水溶液が多用
されているが、塩酸、水の蒸発により液の組成が変化す
るため、エッチング性能が変わり、製品の仕上がりに影
響を与え不良率の増大、信頼性の低下をもたらしてい
た。
ウム、酸化錫−酸化インジウムの少なくとも一つからな
る金属酸化物は、薄膜として液晶ディスプレイなどの表
示素子、太陽電池、タッチパネルなどの入力装置の透明
電極として使用されている。これらの金属酸化物のエッ
チング液としては塩酸と塩化第2鉄の混合水溶液が多用
されているが、塩酸、水の蒸発により液の組成が変化す
るため、エッチング性能が変わり、製品の仕上がりに影
響を与え不良率の増大、信頼性の低下をもたらしてい
た。
【0003】近年、表示装置や入力装置は大型化すると
ともに、高密度化、微細化が行われており、より精度の
高いエッチング加工技術が求められている。
ともに、高密度化、微細化が行われており、より精度の
高いエッチング加工技術が求められている。
【0004】このような問題点を解決するための試みと
して、特開平第3−197335号公報には、塩化第2
鉄および塩酸を含むエッチング液を用いるエッチング方
法において、エッチング液の酸化還元電位、比重および
/または塩酸濃度を測定し、この結果に基づきエッチン
グ液に塩酸、塩化第2鉄および水を一定の割合で供給す
る方法が開示されている。この方法は、エッチング液の
蒸発による成分変化、および基板に付着しあるいはミス
トとなって排気ダクトへ持ち出される量をあらかじめ調
べておき、それぞれの値から上記した各成分の供給比率
を算出する方法である。またこの方法によれば、精度良
くエッチング液を制御することが可能であるが、エッチ
ング加工する基板の大きさ、単位時間あたりの処理量、
ダクトの吸引力などが大きく変化すると制御が難しくな
る。例えば、単位時間あたりの処理量が多い場合を想定
し決定した各成分の供給量で液制御を行いながら処理量
を減らすと、オーバーフローで排出されるエッチング液
量が増加することになる。上記と反対の場合はエッチン
グ液量が不足しエッチング不可となる。
して、特開平第3−197335号公報には、塩化第2
鉄および塩酸を含むエッチング液を用いるエッチング方
法において、エッチング液の酸化還元電位、比重および
/または塩酸濃度を測定し、この結果に基づきエッチン
グ液に塩酸、塩化第2鉄および水を一定の割合で供給す
る方法が開示されている。この方法は、エッチング液の
蒸発による成分変化、および基板に付着しあるいはミス
トとなって排気ダクトへ持ち出される量をあらかじめ調
べておき、それぞれの値から上記した各成分の供給比率
を算出する方法である。またこの方法によれば、精度良
くエッチング液を制御することが可能であるが、エッチ
ング加工する基板の大きさ、単位時間あたりの処理量、
ダクトの吸引力などが大きく変化すると制御が難しくな
る。例えば、単位時間あたりの処理量が多い場合を想定
し決定した各成分の供給量で液制御を行いながら処理量
を減らすと、オーバーフローで排出されるエッチング液
量が増加することになる。上記と反対の場合はエッチン
グ液量が不足しエッチング不可となる。
【0005】このような問題の解決すべく本発明者ら
は、エッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づ
いてエッチング液に塩酸水溶液を供給し、エッチング液
の比重を設定値に調節する比重調節工程と、エッチング
液量を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液と
同じ組成および成分含量のエッチング補給液をエッチン
グ液に供給し、エッチング液を所定量に調節する液量調
節工程とを有するエッチング方法を提案した(特願平8
−263220号)。しかしながら、前記両者のエッチ
ング方法は、何れもエッチング液の系外への持ち出し量
の大きい、換言するとエッチング液量の制御が必要な場
合に有効なものである。
は、エッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づ
いてエッチング液に塩酸水溶液を供給し、エッチング液
の比重を設定値に調節する比重調節工程と、エッチング
液量を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液と
同じ組成および成分含量のエッチング補給液をエッチン
グ液に供給し、エッチング液を所定量に調節する液量調
節工程とを有するエッチング方法を提案した(特願平8
−263220号)。しかしながら、前記両者のエッチ
ング方法は、何れもエッチング液の系外への持ち出し量
の大きい、換言するとエッチング液量の制御が必要な場
合に有効なものである。
【0006】一方、エッチング装置のコストダウンやダ
ウンサイジングも従来から求められており、近年はエッ
チング液の系外への持ち出し量の少ないエッチング装置
が開発されてきている。このような装置の使用に当たっ
てはエッチング液量の制御を極力避けることが必要であ
り、エッチング液量制御を要せずにエッチング液を適正
に制御する方法が求められている。
ウンサイジングも従来から求められており、近年はエッ
チング液の系外への持ち出し量の少ないエッチング装置
が開発されてきている。このような装置の使用に当たっ
てはエッチング液量の制御を極力避けることが必要であ
り、エッチング液量制御を要せずにエッチング液を適正
に制御する方法が求められている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、エッチング液の系外への持ち出し量の極めて少ない
エッチング装置においてもエッチング製品の不良率の増
加、信頼性の低下を防止し精度の高いエッチング加工を
可能にする金属酸化物エッチング方法を提供することに
ある。
は、エッチング液の系外への持ち出し量の極めて少ない
エッチング装置においてもエッチング製品の不良率の増
加、信頼性の低下を防止し精度の高いエッチング加工を
可能にする金属酸化物エッチング方法を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく鋭
意研究の結果、本発明者らは従来の課題を解決すること
を得た。即ち本発明の第1は、酸化錫、酸化インジウム
および酸化錫−酸化インジウムからなる群から選択され
た少なくとも一つの金属酸化物薄膜を基材表面上に形成
し、該薄膜を少なくとも塩酸および塩化第2鉄を含有す
る水溶液からなるエッチング液でエッチングする金属酸
化物薄膜のエッチング方法において、エッチング液の比
重を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩
酸水溶液を供給し、エッチング液の比重を設定値に調節
する比重調節工程と、エッチング液の酸化還元電位を測
定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩酸、塩
化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、エッチング液の酸
化還元電位を設定値に調節する酸化還元電位調節工程
と、を有することを特徴とする金属酸化物薄膜のエッチ
ング方法である。
意研究の結果、本発明者らは従来の課題を解決すること
を得た。即ち本発明の第1は、酸化錫、酸化インジウム
および酸化錫−酸化インジウムからなる群から選択され
た少なくとも一つの金属酸化物薄膜を基材表面上に形成
し、該薄膜を少なくとも塩酸および塩化第2鉄を含有す
る水溶液からなるエッチング液でエッチングする金属酸
化物薄膜のエッチング方法において、エッチング液の比
重を測定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩
酸水溶液を供給し、エッチング液の比重を設定値に調節
する比重調節工程と、エッチング液の酸化還元電位を測
定し、この測定結果に基づいてエッチング液に塩酸、塩
化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、エッチング液の酸
化還元電位を設定値に調節する酸化還元電位調節工程
と、を有することを特徴とする金属酸化物薄膜のエッチ
ング方法である。
【0009】また本発明の第2は、比重調節工程に用い
られる塩酸水溶液の代わりに、塩化第2鉄を含有する塩
酸水溶液を使用する前記の金属酸化物薄膜のエッチング
方法である。
られる塩酸水溶液の代わりに、塩化第2鉄を含有する塩
酸水溶液を使用する前記の金属酸化物薄膜のエッチング
方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる金属酸化物薄
膜をエッチングするエッチング液は、少なくとも塩酸お
よび塩化第2鉄を含有する水溶液からなるエッチング液
であり、とくに、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫−酸
化インジウムの少なくとも一つからなる金属酸化物薄膜
をエッチングする場合には、好ましくは塩酸濃度1〜3
0重量%、塩化第2鉄濃度1〜40重量%であるのがよ
く、さらに好ましくは、塩酸濃度5〜20重量%、塩化
第2鉄濃度15〜35重量%がよい。
膜をエッチングするエッチング液は、少なくとも塩酸お
よび塩化第2鉄を含有する水溶液からなるエッチング液
であり、とくに、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫−酸
化インジウムの少なくとも一つからなる金属酸化物薄膜
をエッチングする場合には、好ましくは塩酸濃度1〜3
0重量%、塩化第2鉄濃度1〜40重量%であるのがよ
く、さらに好ましくは、塩酸濃度5〜20重量%、塩化
第2鉄濃度15〜35重量%がよい。
【0011】本発明の第1は、上記エッチング液で金属
酸化物薄膜をエッチングするに際し、次の2つの工程を
採用してエッチング液の組成および量を制御するもので
ある。即ち、エッチング液の比重を測定し、この測定結
果に基づいてエッチング液に塩酸水溶液を供給し、エッ
チング液の比重を設定値に調節する比重調節工程と、エ
ッチング液の酸化還元電位を測定し、この測定結果に基
づいてエッチング液に塩酸、塩化第2鉄および塩化第1
鉄を供給し、エッチング液の酸化還元電位を設定値に調
節する酸化還元電位調節工程である。
酸化物薄膜をエッチングするに際し、次の2つの工程を
採用してエッチング液の組成および量を制御するもので
ある。即ち、エッチング液の比重を測定し、この測定結
果に基づいてエッチング液に塩酸水溶液を供給し、エッ
チング液の比重を設定値に調節する比重調節工程と、エ
ッチング液の酸化還元電位を測定し、この測定結果に基
づいてエッチング液に塩酸、塩化第2鉄および塩化第1
鉄を供給し、エッチング液の酸化還元電位を設定値に調
節する酸化還元電位調節工程である。
【0012】エッチング処理中のエッチング液の組成変
化は、主に水および塩化水素の蒸発に起因し、その組成
変化はエッチング液の比重を測定することで検知するこ
とができる。従って、本発明の第1における比重調節工
程では、エッチング液の比重を測定し、この測定結果に
基づいて所定比重(濃度)とするように、蒸発で失われ
た水および塩化水素を補給するべく塩酸の水溶液をエッ
チング液に供給するものである。この結果エッチング液
組成は一定に保たれる。
化は、主に水および塩化水素の蒸発に起因し、その組成
変化はエッチング液の比重を測定することで検知するこ
とができる。従って、本発明の第1における比重調節工
程では、エッチング液の比重を測定し、この測定結果に
基づいて所定比重(濃度)とするように、蒸発で失われ
た水および塩化水素を補給するべく塩酸の水溶液をエッ
チング液に供給するものである。この結果エッチング液
組成は一定に保たれる。
【0013】ここで、供給する塩酸の水溶液における水
と塩化水素の割合(塩酸濃度)は、塩酸の水溶液の供給
によってエッチング液が所定比重(濃度)となるよう
に、蒸発によって失われる水と塩化水素の割合と同じに
設定しておく。この割合は、エッチング環境、即ち、エ
ッチング温度、スプレー圧(スプレー式の場合)、エッ
チャーの構造、排気の吸引力、排気量等により左右され
るので、実際に使用するエッチャーを使い、実際のエッ
チング条件で予備的にエッチング処理し、蒸発により失
われる水と塩化水素の割合を予め測定しておけば、容易
にこれを設定することができる。
と塩化水素の割合(塩酸濃度)は、塩酸の水溶液の供給
によってエッチング液が所定比重(濃度)となるよう
に、蒸発によって失われる水と塩化水素の割合と同じに
設定しておく。この割合は、エッチング環境、即ち、エ
ッチング温度、スプレー圧(スプレー式の場合)、エッ
チャーの構造、排気の吸引力、排気量等により左右され
るので、実際に使用するエッチャーを使い、実際のエッ
チング条件で予備的にエッチング処理し、蒸発により失
われる水と塩化水素の割合を予め測定しておけば、容易
にこれを設定することができる。
【0014】またエッチング液は、とくにスプレー式の
エッチングを行った場合などには、エッチング液が空気
中の酸素により酸化されて、エッチング液の酸化還元電
位が変化する。通常エッチングではエッチングレジスト
を使用してマスクパターンを形成し、エッチング部と非
エッチング部を形成することが多いが、エッチング液の
酸化還元電位が変化すると、エッチングレジストによっ
てはレジスト性能の低下を来すので、エッチング液の酸
化還元電位は調節が必要である。このため、本発明の第
1における酸化還元電位調節工程では、エッチング液の
酸化還元電位を測定し、この測定結果に基づいてエッチ
ング液に塩酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、
エッチング液の酸化還元電位を設定値に調節する。
エッチングを行った場合などには、エッチング液が空気
中の酸素により酸化されて、エッチング液の酸化還元電
位が変化する。通常エッチングではエッチングレジスト
を使用してマスクパターンを形成し、エッチング部と非
エッチング部を形成することが多いが、エッチング液の
酸化還元電位が変化すると、エッチングレジストによっ
てはレジスト性能の低下を来すので、エッチング液の酸
化還元電位は調節が必要である。このため、本発明の第
1における酸化還元電位調節工程では、エッチング液の
酸化還元電位を測定し、この測定結果に基づいてエッチ
ング液に塩酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄を供給し、
エッチング液の酸化還元電位を設定値に調節する。
【0015】酸化還元電位調節工程における塩酸濃度
は、比重調節工程における塩酸濃度の設定値に、塩化第
1鉄が塩化第2鉄に変化するときに消費される塩酸量相
当分を増加させた濃度とすればよい。酸化還元電位調節
工程における塩化第2鉄濃度は、エッチング液の塩化第
2鉄濃度に、塩化第1鉄が空気酸化などによって塩化第
2鉄に変化することで系に供給される塩化第2鉄量相当
分を減じた濃度とすればよい。
は、比重調節工程における塩酸濃度の設定値に、塩化第
1鉄が塩化第2鉄に変化するときに消費される塩酸量相
当分を増加させた濃度とすればよい。酸化還元電位調節
工程における塩化第2鉄濃度は、エッチング液の塩化第
2鉄濃度に、塩化第1鉄が空気酸化などによって塩化第
2鉄に変化することで系に供給される塩化第2鉄量相当
分を減じた濃度とすればよい。
【0016】塩化第1鉄の供給形態は限定されないが、
水溶液であることが操作上好ましい。水溶液である場
合、塩化第1鉄濃度が高ければ、酸化還元電位調節工程
で加える補給液の使用量が少なくなり、逆に低ければ使
用量は多くなるから、(少ないながらも)基板によるエ
ッチング液の持ち出し量等によるエッチング液量の減少
量を測定しておき、補給液中の塩化第1鉄濃度を決めれ
ば使用量を必要最小量とすることができる。通常、塩化
第1鉄水溶液の濃度は概ね0.1〜1重量%程度が好ま
しい。
水溶液であることが操作上好ましい。水溶液である場
合、塩化第1鉄濃度が高ければ、酸化還元電位調節工程
で加える補給液の使用量が少なくなり、逆に低ければ使
用量は多くなるから、(少ないながらも)基板によるエ
ッチング液の持ち出し量等によるエッチング液量の減少
量を測定しておき、補給液中の塩化第1鉄濃度を決めれ
ば使用量を必要最小量とすることができる。通常、塩化
第1鉄水溶液の濃度は概ね0.1〜1重量%程度が好ま
しい。
【0017】酸化還元電位調節工程において、塩酸、塩
化第2鉄および塩化第1鉄は、これらを混合液として供
給するのが好ましいが、同様の割合となるよう個別に供
給することもできる。
化第2鉄および塩化第1鉄は、これらを混合液として供
給するのが好ましいが、同様の割合となるよう個別に供
給することもできる。
【0018】本発明の第2は、第1発明と1つの工程の
みが異なる他は同様である。即ち、比重調節工程に用い
られる塩酸水溶液を、塩化第2鉄を含有する塩酸水溶液
に変更するものである。上述の第1発明の通り、本発明
においては、蒸発に起因するエッチング液組成の変化を
調整するには塩酸水溶液だけでもよいが、酸化還元電位
調節工程で加える塩化第2鉄量を減じておけば、比重調
節工程で塩化第2鉄を加えることもできる。
みが異なる他は同様である。即ち、比重調節工程に用い
られる塩酸水溶液を、塩化第2鉄を含有する塩酸水溶液
に変更するものである。上述の第1発明の通り、本発明
においては、蒸発に起因するエッチング液組成の変化を
調整するには塩酸水溶液だけでもよいが、酸化還元電位
調節工程で加える塩化第2鉄量を減じておけば、比重調
節工程で塩化第2鉄を加えることもできる。
【0019】本発明においては、本発明の目的を阻害し
ない範囲で所望によりエッチング液に界面活性剤を添加
してもよい。
ない範囲で所望によりエッチング液に界面活性剤を添加
してもよい。
【0020】本発明のエッチング対象物の金属酸化物の
膜厚は通常、数10Å〜数μmである。
膜厚は通常、数10Å〜数μmである。
【0021】エッチング温度はとくにに限定されない
が、概ね30〜60℃、スプレー圧力は0.3〜3kg
/cm2、エッチング時間は0.5〜5分とすればよ
い。
が、概ね30〜60℃、スプレー圧力は0.3〜3kg
/cm2、エッチング時間は0.5〜5分とすればよ
い。
【0022】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によりさ
らに説明する。実施例 1 図1に示した装置を使用し金属酸化物のエッチングを行
った。エッチャーは排気管にミストキャッチャー、冷却
塔を取り付け、ミスト、水、塩酸を回収するようにした
スプレー式の有効エッチング長さ1.8m、エッチング
液保有量300リットルのものを使用した。エッチング
対象基板の大きさは500mm×900mmであり、
3.0mmのガラス上にスパッタ法により1500Åの
酸化錫−酸化インジウムの薄膜を形成した基板に液体フ
ォトレジストを使用し常法によりパターニングを行った
ものである。
らに説明する。実施例 1 図1に示した装置を使用し金属酸化物のエッチングを行
った。エッチャーは排気管にミストキャッチャー、冷却
塔を取り付け、ミスト、水、塩酸を回収するようにした
スプレー式の有効エッチング長さ1.8m、エッチング
液保有量300リットルのものを使用した。エッチング
対象基板の大きさは500mm×900mmであり、
3.0mmのガラス上にスパッタ法により1500Åの
酸化錫−酸化インジウムの薄膜を形成した基板に液体フ
ォトレジストを使用し常法によりパターニングを行った
ものである。
【0023】次に図1に示す装置の動作について説明す
る。エッチャー1内のエッチング液を、エッチング液の
送液ポンプ5により、エッチング液の送り配管8を通し
て比重・酸化還元電位検出制御部2に送り、エッチング
液の戻り配管9を通してエッチャー1に戻す。比重の測
定は常時行い、この結果が設定値以上になったら比重に
かかわるポンプ稼動停止信号線Aを使って送液ポンプ6
を稼動し、送り配管10を通して補給液貯槽3から塩酸
および塩化第2鉄水溶液をエッチャー1へ供給し、所望
の比重の設定値になたら送液ポンプ6を停止する。比重
・酸化還元電位検出制御部2では酸化還元電位の測定も
常時行い、この結果が設定値以上になったら酸化還元電
位にかかわるポンプ稼動停止信号線Bを使って送液ポン
プ7を稼動し、送り配管11を通して補給液貯槽4から
塩酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄水溶液をエッチャー
1へ供給し、所望の酸化還元電位の設定値になったら送
液ポンプ7を停止する。なお、エッチャーからのエッチ
ング液のオーバーフロー分は、配管12を通じて系外に
排出される。
る。エッチャー1内のエッチング液を、エッチング液の
送液ポンプ5により、エッチング液の送り配管8を通し
て比重・酸化還元電位検出制御部2に送り、エッチング
液の戻り配管9を通してエッチャー1に戻す。比重の測
定は常時行い、この結果が設定値以上になったら比重に
かかわるポンプ稼動停止信号線Aを使って送液ポンプ6
を稼動し、送り配管10を通して補給液貯槽3から塩酸
および塩化第2鉄水溶液をエッチャー1へ供給し、所望
の比重の設定値になたら送液ポンプ6を停止する。比重
・酸化還元電位検出制御部2では酸化還元電位の測定も
常時行い、この結果が設定値以上になったら酸化還元電
位にかかわるポンプ稼動停止信号線Bを使って送液ポン
プ7を稼動し、送り配管11を通して補給液貯槽4から
塩酸、塩化第2鉄および塩化第1鉄水溶液をエッチャー
1へ供給し、所望の酸化還元電位の設定値になったら送
液ポンプ7を停止する。なお、エッチャーからのエッチ
ング液のオーバーフロー分は、配管12を通じて系外に
排出される。
【0024】使用したエッチング液の塩酸濃度は11.
7重量%、塩化第2鉄濃度は24.3重量%である。比
重を測定しその結果に基づき供給する補給液Aの塩酸濃
度は20.1重量%、塩化第2鉄濃度は13.0重量%
である。酸化還元電位を測定し、その結果に基づき供給
する補給液Bの塩酸濃度は11.8重量%、塩化第2鉄
濃度は23.9重量%、塩化第1鉄濃度は0.35重量
%とした。エッチング条件は温度40℃、スプレー圧力
0.8kg/cm2、コンベア速度0.9m/分とし
た。
7重量%、塩化第2鉄濃度は24.3重量%である。比
重を測定しその結果に基づき供給する補給液Aの塩酸濃
度は20.1重量%、塩化第2鉄濃度は13.0重量%
である。酸化還元電位を測定し、その結果に基づき供給
する補給液Bの塩酸濃度は11.8重量%、塩化第2鉄
濃度は23.9重量%、塩化第1鉄濃度は0.35重量
%とした。エッチング条件は温度40℃、スプレー圧力
0.8kg/cm2、コンベア速度0.9m/分とし
た。
【0025】補給液の補給方法は次のように行った。比
重を測定し、設定値=1.282以上になったら補給液
Aを自動供給し、酸化還元電位が610mV以上になっ
たら補給液Bを自動供給した。
重を測定し、設定値=1.282以上になったら補給液
Aを自動供給し、酸化還元電位が610mV以上になっ
たら補給液Bを自動供給した。
【0026】10時間で120枚の基板を処理したとこ
ろエッチングにかかわる不良品の発生はなかった。ま
た、この間に供給した補給液Aは3リットル、補給液B
は42リットルであった。オーバーフローした排出液は
5リットルであった。
ろエッチングにかかわる不良品の発生はなかった。ま
た、この間に供給した補給液Aは3リットル、補給液B
は42リットルであった。オーバーフローした排出液は
5リットルであった。
【0027】上記の要領で一ヶ月エッチング処理を続
け、エッチャー内のエッチング液の分析を行ったとこ
ろ、次の表1のような結果を得た。液組成の制御が極め
て精度高く行われていることがわかる。なお、本実施例
1によれば補給液の供給量が適正に保たれ、液面低下が
なく廃液の発生が少なく、液交換の必要もないことが確
認された。
け、エッチャー内のエッチング液の分析を行ったとこ
ろ、次の表1のような結果を得た。液組成の制御が極め
て精度高く行われていることがわかる。なお、本実施例
1によれば補給液の供給量が適正に保たれ、液面低下が
なく廃液の発生が少なく、液交換の必要もないことが確
認された。
【0028】
【表1】 表 1 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 日数 処理 酸化還元 比重 塩酸 塩化第2 インジウム 錫 枚数 電位(mV) (40℃) (%) 鉄(%) ppm ppm ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 0 − 610 1.282 11.7 24.3 − − 5 1520 610 1.280 11.8 24.2 680 51 10 3010 609 1.280 11.9 24.2 1250 107 15 4510 608 1.281 11.9 24.3 1980 150 20 6005 610 1.282 11.7 24.4 2810 275 25 7120 610 1.283 11.7 24.5 2920 276 30 8980 609 1.280 11.8 24.4 2830 260 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0029】実施例 2 実施例1と同じ装置を使用し、実施例1と同様の基板の
エッチングを行った。使用したエッチング液の塩酸濃度
は15.5重量%、塩化第2鉄濃度は21.2重量%で
ある。比重の測定結果に基づき供給する補給液Aの塩酸
濃度は32.0重量%(塩化第2鉄は含有しない)であ
り、酸化還元電位の測定に基づき供給する補給液Bの塩
酸濃度は15.7重量%、塩化第2鉄濃度は21.0重
量%、塩化第1鉄濃度は0.19重量%とした。エッチ
ング温度45℃、スプレー圧力0.8kg/cm2、コ
ンベア速度1.3m/分とした。比重設定値=1.27
0、酸化還元電位設定値=630mVとし、実施例1と
同様に補給液A、補給液Bを自動補給した。30日間運
転した結果塩酸濃度は15.5〜15.2重量%、塩化
第2鉄濃度は21.2〜21.6重量%に制御され、供
給液量も適正に保たれ、エッチングにかかわる不良品の
発生もなかった。
エッチングを行った。使用したエッチング液の塩酸濃度
は15.5重量%、塩化第2鉄濃度は21.2重量%で
ある。比重の測定結果に基づき供給する補給液Aの塩酸
濃度は32.0重量%(塩化第2鉄は含有しない)であ
り、酸化還元電位の測定に基づき供給する補給液Bの塩
酸濃度は15.7重量%、塩化第2鉄濃度は21.0重
量%、塩化第1鉄濃度は0.19重量%とした。エッチ
ング温度45℃、スプレー圧力0.8kg/cm2、コ
ンベア速度1.3m/分とした。比重設定値=1.27
0、酸化還元電位設定値=630mVとし、実施例1と
同様に補給液A、補給液Bを自動補給した。30日間運
転した結果塩酸濃度は15.5〜15.2重量%、塩化
第2鉄濃度は21.2〜21.6重量%に制御され、供
給液量も適正に保たれ、エッチングにかかわる不良品の
発生もなかった。
【0030】比較例 1 酸化還元電位を検知して補給液Bを供給するポンプを稼
動させない他は実施例1と同様の装置を使用し同様の処
理を行った。5時間後に回路断面形状を観察したところ
回路上部に侵食の痕跡が見られた。この時点の酸化還元
電位は672mVであった。また、8時間後には液面低
下によりポンプが空転しエッチングが継続できなくなっ
た。
動させない他は実施例1と同様の装置を使用し同様の処
理を行った。5時間後に回路断面形状を観察したところ
回路上部に侵食の痕跡が見られた。この時点の酸化還元
電位は672mVであった。また、8時間後には液面低
下によりポンプが空転しエッチングが継続できなくなっ
た。
【0031】
【発明の効果】本発明の効果は、エッチング液の系外へ
の持ち出し量の極めて少ないエッチング装置においても
エッチング製品の不良率の増加、信頼性の低下を防止し
精度の高いエッチング加工を可能にする金属酸化物エッ
チング方法を提供したことにある。
の持ち出し量の極めて少ないエッチング装置においても
エッチング製品の不良率の増加、信頼性の低下を防止し
精度の高いエッチング加工を可能にする金属酸化物エッ
チング方法を提供したことにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するための装置の一例を示す図で
ある。
ある。
1 エッチャー 2 比重・酸化還元電位検出制御部 3,4 補給液貯槽 5 エッチング液の送液ポンプ 6,7 補給液の送液ポンプ 8 エッチング液の送り配管 9 エッチング液り戻り配管 10,11 補給液の送り配管 A エッチング液の比重にかかわるポンプ稼働停止信
号配線 B エッチング液の酸化還元電位にかかわるポンプ稼
働停止信号配線
号配線 B エッチング液の酸化還元電位にかかわるポンプ稼
働停止信号配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 吉勝 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 旭電 化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 酸化錫、酸化インジウムおよび酸化錫−
酸化インジウムからなる群から選択された少なくとも一
つの金属酸化物薄膜を基材表面上に形成し、該薄膜を少
なくとも塩酸および塩化第2鉄を含有する水溶液からな
るエッチング液でエッチングする金属酸化物薄膜のエッ
チング方法において、 エッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づいて
エッチング液に塩酸水溶液を供給し、エッチング液の比
重を設定値に調節する比重調節工程と、 エッチング液の酸化還元電位を測定し、この測定結果に
基づいてエッチング液に塩酸、塩化第2鉄および塩化第
1鉄を供給し、エッチング液の酸化還元電位を設定値に
調節する酸化還元電位調節工程と、を有することを特徴
とする金属酸化物薄膜のエッチング方法。 - 【請求項2】 比重調節工程に用いられる塩酸水溶液の
代わりに、塩化第2鉄を含有する塩酸水溶液を使用する
請求項1に記載の金属酸化物薄膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9281892A JPH11117080A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9281892A JPH11117080A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11117080A true JPH11117080A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17645425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9281892A Pending JPH11117080A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11117080A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
WO2007003255A1 (de) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Merck Patent Gmbh | Medium zur ätzung von oxidischen transparent leitfähigen schichten |
JP2009231427A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toagosei Co Ltd | エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板 |
JP2012074525A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sharp Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
WO2013141232A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2016025138A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
WO2023132286A1 (ja) * | 2022-01-04 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP9281892A patent/JPH11117080A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
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JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
JP2009231427A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toagosei Co Ltd | エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板 |
JP2012074525A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sharp Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
WO2013141232A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JPWO2013141232A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-08-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2016025138A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
WO2023132286A1 (ja) * | 2022-01-04 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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