JPH1060671A - 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法 - Google Patents

銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法

Info

Publication number
JPH1060671A
JPH1060671A JP21642096A JP21642096A JPH1060671A JP H1060671 A JPH1060671 A JP H1060671A JP 21642096 A JP21642096 A JP 21642096A JP 21642096 A JP21642096 A JP 21642096A JP H1060671 A JPH1060671 A JP H1060671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
thin film
etchant
silver thin
etcher
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21642096A
Other languages
English (en)
Inventor
Akimasa Yajima
明政 矢島
Yoshitsugu Ishizuka
義次 石塚
Masatoshi Tanaka
昌利 田中
Yoshikatsu Kubota
吉勝 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Adeka Corp
Original Assignee
Asahi Denka Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Denka Kogyo KK filed Critical Asahi Denka Kogyo KK
Priority to JP21642096A priority Critical patent/JPH1060671A/ja
Publication of JPH1060671A publication Critical patent/JPH1060671A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 「アルカリタイプ」エッチングレジストが使
用でき、銀薄膜のエッチングの際には臭気がなく有毒ガ
スの発生もない、酸性の銀薄膜エッチング液およびこの
エッチング液を使用する効率的且つ低コストである銀薄
膜のエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 硫酸第2鉄を有効成分として含有する酸
性水溶液からなる銀薄膜用エッチング液、およびこのエ
ッチング液を使用して銀薄膜をエッチングするに際し、
エッチャー1中のエッチング液の比重を測定し、この測
定結果に基づきエッチング液の所定濃度より希薄な所定
組成のエッチング液をエッチャー1に供給し、比重を所
望の値に調節することを特徴とする銀薄膜エッチング方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀薄膜用エッチン
グ液およびこれを使用した銀薄膜エッチング方法に関す
るものであり、とくにエッチングレジスト除去に溶剤を
要しない酸性の銀薄膜用エッチング液およびこれを使用
した銀薄膜エッチング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から鏡、電源回路などに銀薄膜が使
用され、これらはガラス基板、プラスチック基板上に蒸
着法、スパッタ法、さらには無電解メッキ法などにより
銀薄膜を形成することで得られる。銀薄膜の厚さは、一
般的に数μm〜数100Åである。
【0003】この銀薄膜のエッチングにはアルカリ性の
エッチング液が多用されてきた。この際のエッチングレ
ジストとしては現像、剥離に溶剤を使用する、いわゆる
「溶剤タイプ」エッチングレジストが使われてきた。
【0004】しかし近年、環境問題などから溶剤の使用
に対する法規制が強まり、エッチング業界全般の傾向と
して「溶剤タイプ」エッチングレジストの使用量は低下
し、アルカリ性水溶液を現像、剥離に使用する、いわゆ
る「アルカリタイプ」エッチングレジストが多く使用さ
れるようになってきた。
【0005】しかしこの「アルカリタイプ」エッチング
レジストは、アルカリ性のエッチング液に対する耐性が
極端に低く、特殊なものを除いて銀のエッチングには使
用できない。
【0006】また、従来の銀薄膜エッチングに使用され
ているエッチング液は、アンモニアを主剤として使って
おり、臭気が強く作業環境を汚染するものであった。こ
のようなことから、銀薄膜エッチングにおいては「アル
カリタイプ」エッチングレジストが使用可能な、酸性の
エッチング液の必要性が高くなってきたが、硝酸などの
強酸ではレジストへの悪影響が大きいこと、毒性の高い
ガスが発生することなどの問題があった。
【0007】さらに、種々の金属のエッチングで多く使
用されている塩化第2鉄は、銀薄膜のエッチングに使用
すると、水に不溶性の塩化銀が銀薄膜表面に生成してし
まう。これによりエッチングが阻害され実質上、銀薄膜
のエッチングに塩化第2鉄は使用できない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、このように「アルカリタイプ」エッチングレジスト
が使用でき、銀薄膜のエッチングの際には臭気がなく有
毒ガスの発生もない、酸性の銀薄膜エッチング液を提供
することにある。
【0009】また本発明の他の目的は、上記エッチング
液を使用した銀薄膜のエッチングの際に、工業的に効率
よく、且つ低コストでもってこれを実施することのでき
る銀薄膜のエッチング方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題を
解決するべく鋭意研究した結果、本発明に到達すること
ができた。即ち本発明の第1は、硫酸第2鉄を有効成分
として含有する酸性水溶液からなる銀薄膜用エッチング
液である。
【0011】また本発明の第2は、上記のエッチング液
を使用して銀薄膜をエッチングするに際し、エッチャー
中のエッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づ
きエッチング液の所定濃度より希薄な所定組成のエッチ
ング液をエッチャーに供給し、比重を所望の値に調節す
ることを特徴とする銀薄膜エッチング方法である。
【0012】さらに本発明の第3は、上記のエッチング
液を使用して銀薄膜をエッチングするに際し、エッチャ
ー中のエッチング液の比重を測定し、この測定結果に基
づきエッチング液の所定濃度より希薄な所定組成のエッ
チング液または水をエッチャーに供給し、比重を所望の
値に調節し、これとは別にエッチャー中のエッチング液
の液量を測定し、このエッチング液量が所望量よりも少
なかった場合に所定濃度のエッチング液をエッチャーに
供給し、エッチング液量を所望量に調節することを特徴
とする銀薄膜エッチング方法である。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の第1において、銀薄膜用
エッチング液は、硫酸第2鉄を有効成分とする水溶液で
ある。硫酸第2鉄を含む酸性の水溶液は、実質的に臭気
がなく、銀と反応してもガスを発生させない。また、常
用されている「アルカリタイプ」エッチングレジストに
悪影響を与えることもない。
【0014】硫酸第2鉄濃度は、とくに限定されるもの
ではなく、所望とするエッチング量、作業性、工業化適
正などにより適宜選択すればよいが、エッチング液全体
に対し、概ね2〜20重量%、好ましくは5〜15重量
%がよい。少なすぎるとエッチング不良が起こりやす
く、多すぎると水不溶性の水酸化物が生成しやすくな
る。
【0015】本発明のエッチング液で銀薄膜をエッチン
グする場合、エッチングレートは硫酸銀の溶解度に依存
する。なお、硫酸銀の溶解度は小さいが、銀薄膜は一般
的に大きなエッチング面積を要しないため、小さい溶解
度に基づく悪影響はない。しかしながら、所望によりエ
ッチングレートを上げる必要のある場合には、(水不溶
性の水酸化物の発生を抑える効果もあるのでこの点でも
好ましい)硫酸を添加することが好ましい。硫酸の添加
量はエッチングレジストへの影響の点から、エッチング
液の10重量%以下がよく、好ましくは1〜10重量
%、より好ましくは3〜8重量%がよい。
【0016】本発明の第2は、上記エッチング液を使用
して銀薄膜をエッチングするに際し、エッチャー中のエ
ッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づきエッ
チング液の所定濃度より希薄な所定組成のエッチング液
をエッチャーに供給し、比重を所望の値に調節するエッ
チング方法である。
【0017】この方法は、エッチャー内のエッチング液
の制御目標濃度より低めの濃度の新しいエッチング液を
準備しておき、比重測定を行い比重が所定値よりも上昇
した場合に、この新しいエッチング液を供給する方法で
ある。
【0018】エッチャー内のエッチング液濃度(比重)
は、水の蒸発量、エッチング液の持ち出し量等により変
化し、またこれらはエッチャー、基板の大きさ、処理量
等によって影響されるが、これらの値を予め調べておけ
ば新たに供給するべきエッチング液の濃度を決めること
ができる。即ち、エッチング処理の経過に伴い水の蒸発
の影響からエッチング液濃度は経時的に上昇するので、
エッチング液の制御目標濃度より低い濃度のエッチング
液を供給すればエッチャー内のエッチング液濃度は一定
に保たれる。また、現実のエッチング液は基板等に付着
して系外に持ち出され、エッチャー内のエッチング液量
は経時的に減少するので、減少量に見合う相当量のエッ
チング液を供給する必要がある。
【0019】従って、エッチング液減少量に見合う相当
量のエッチング有効成分を含有し且つ上昇したエッチン
グ液濃度を制御目標濃度に下げることのできる、低い濃
度のエッチング液を供給するものである。
【0020】具体的な、新たに供給するエッチング液の
濃度は、基板の大きさ、処理量等の変動により異なり、
一概には決められないが、一般的な工業的エッチング工
程の条件の場合を例にとると、新たにエッチング液が供
給されエッチング液濃度が制御目標濃度になったとき、
供給エッチング液量がエッチング液減少量より10%程
度多くなるように供給エッチング液濃度を決めるのが好
ましい。
【0021】これは、通常工業的なエッチング処理にお
いては、処理量や非処理物の変更などからとくにエッチ
ング液の系外への持ち出し量が大きく変動するため、エ
ッチング液の持ち出し量が増えた(エッチング液減少量
が増大)場合に対応するためである。エッチング液持ち
出し量に変化が無い場合やエッチング液持ち出し量が減
った場合には、その分、エッチング液はオーバーフロー
して系外へ排出される。この場合でもエッチング液濃度
には変化が無い。
【0022】この本発明の第2発明の方法を図1を参照
してさらに説明する。図1は、本発明を実施するための
装置の一例を示す図である。エッチャー1内のエッチン
グ液をエッチング液の送液ホンプ4により、エッチング
液の送り配管6を通して比重検出制御部2に送り、エッ
チング液の戻り配管7を通してエッチャー1に戻す。
【0023】比重の測定は常時行い、この検出結果が設
定値以上になったらポンプ稼働・停止信号配線Aを使っ
て補給液の送液ポンプ5を稼働し、補給液の送り配管8
を通して補給液貯槽3から補給液をエッチャー1に送
る。増量したエッチャー1内のエッチング液はオーバー
フロー配管9から排出する。エッチング液の比重が設定
値以下になったら、補給液の送液ポンプ5を停止する。
【0024】本発明の第3は、上記エッチング液を使用
して銀薄膜をエッチングするに際し、エッチャー中のエ
ッチング液の比重を測定し、この測定結果に基づきエッ
チング液の所定濃度より希薄な所定組成のエッチング液
または水をエッチャーに供給し、比重を所望の値に調節
し、これとは別にエッチャー中のエッチング液の液量を
測定し、このエッチング液量が所望量よりも少なかった
場合に所定濃度のエッチング液をエッチャーに供給し、
エッチング液量を所望量に調節することを特徴とする銀
薄膜エッチング方法である。
【0025】エッチング過程におけるエッチング液の比
重(濃度)変化及びエッチング液量変化は上述の通りで
あるので、まず水の蒸発等による濃度上昇を抑制するた
めに比重測定を行い一定値以上となったら希薄なエッチ
ング液または水を供給してエッチング液比重を調整し、
これとは別にエッチング液の持ち出し等によるエッチン
グ液量減少に対して別途エッチャー内の液量を測定し、
所望量になるように所定濃度の新しいエッチング液を供
給するものである。
【0026】エッチング液の比重を調整するための希薄
なエッチング液とは、制御目標エッチング液濃度より低
い濃度であることは勿論であるが、エッチング液濃度を
調整した希薄なエッチング液の液量が、このときのエッ
チング液減少量を上回らないように濃度を設定するのが
よく、より希薄な液が好ましい。
【0027】また、エッチング液減少に見合う量の所定
濃度のエッチング液を供給することでエッチング液量を
調整できるようにしておくと、処理量や非処理物の変更
などからとくにエッチング液の系外への持ち出し量が大
きく変動した場合に、所定濃度のエッチング液供給量を
制御することでエッチング液量を一定に保つことがで
き、エッチング液の系外へのオーバーフローを無くすこ
とができる。この観点からすると、上記のエッチング液
の比重を調整するための液体は水であるのが好ましい。
なお、比重調整とエッチング液量の調整は、同時に行う
ことができる。またエッチング液量調節の後であって
も、エッチャー内の所望量とオーバーフローレベルとの
間にある程度の余裕があれば、比重調整を行うことが可
能である。
【0028】本発明の第3発明の方法を図2を参照して
さらに説明する。エッチャー1内のエッチング液をエッ
チング液の送液ホンプ4により、エッチング液の送り配
管6を通して比重検出制御部2に送り、エッチング液の
戻り配管7を通してエッチャー1に戻す。比重の測定は
常時行い、この検出結果が設定値以上になったら比重に
拘わる電磁弁開閉信号配線Bを使って水供給の電磁弁1
0を開とし水の供給配管9を通して水をエッチャーに供
給し、設定値以下となったら水供給の電磁弁10を閉と
する。また、エッチャーの液面センサーから液面低下の
信号を、エッチャーの液面に拘わる信号配線Cを通して
受取り、エッチャーの液面に拘わるポンプ稼働・停止信
号配線Dを使って補給液の送液ポンプ5を稼働し、補給
液の送り配管8を通して補給液貯槽3から補給液をエッ
チャー1に送る。エッチャー1の液面が適位になったら
同じ信号配線Dを使って補給液の送液ポンプ5を停止す
る。
【0029】本発明の第3発明の別の方法を図3を参照
して説明する。エッチャー1内のエッチング液をエッチ
ング液の送液ホンプ4により、エッチング液の送り配管
6を通して比重検出制御部2に送り、エッチング液の戻
り配管7を通してエッチャー1に戻す。比重の測定は常
時行い、この検出結果が設定値以上になったら比重に拘
わるポンプ稼働・停止信号配線Aを使って補給液貯槽3
1内の補給液(この補給液すなわちエッチング液は例え
ばエッチャー内のエッチング液よりも硫酸第2鉄濃度が
希薄なものである)を、送液ポンプ5の稼動により、送
り配管8を通して補給液貯槽31から補給液をエッチャ
ー1に供給し、比重が設定値以下となったら送液ポンプ
5を停止する。また、エッチャー1の液面センサーから
液面低下の信号を、エッチャーの液面に拘わる信号配線
Eを通して受取り、エッチャーの液面に拘わるポンプ稼
働・停止信号配線Fを使って送液ポンプ15を稼働し、
補給液貯槽32内の補給液(この補給液すなわちエッチ
ング液は例えばエッチャー内のエッチング液と同じ硫酸
第2鉄濃度である)を、送り配管18を通して補給液貯
槽32からエッチャー1に供給する。エッチャー1の液
面が適位になったら同じ信号配線を使って送液ポンプ1
5を停止する。
【0030】本発明の第2および第3発明において、エ
ッチング処理温度は特に制限されないが、反応速度、装
置材質などから30〜70℃とするのがよい。
【0031】また本発明の第2および第3発明において
は、スプレー法、浸漬法のいずれでも実施できる。スプ
レー法の場合は圧力を0.5〜5kg/cm2に設定するの
がよい。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によりさ
らに説明する。実施例1〜3および比較例1〜2 浸漬法でエッチングを行った。サンプル基板としては
0.5mmのガラス基板上に蒸着法により2000Åの
銀薄膜を形成し、さらに膜厚15μmのドライフィルム
を使用し常法によりパターニングを行い、30mm×5
0mmに切断した基板を用意した。下表の各エッチング
液を100mlのビーカーにとり水恒温槽で50℃とし
た。エッチング液をかきまぜながら上記の基板を下記表
1に示す各エッチング液に浸漬し、目視によりエッチン
グ終了までの時間を調べた。その結果も併せて下記表1
に示す。
【0033】
【表1】
【0034】実施例4 図2に示した装置を使用し銀薄膜のエッチングを行っ
た。エッチャーはスプレー式のエッチング有効長2m、
エッチング液量200リットルを使用した。エッチング
対象基板の大きさは500mm×600mmであり、
0.5mmのガラス上に蒸着法により3000Åの銀膜
を形成した基板に膜厚さ15μmのドライフィルムを使
用し常法によりパターニングを行ったものである。使用
したエッチング液の硫酸濃度は5%、硫酸第二鉄濃度は
7%である。エッチング条件は温度50℃、スプレー圧
力2kg/cm2、コンベア速度1m/分とした。エッチャ
ーへのエッチング新液(上記エッチング液と同組成の
液)は、エッチャーの液面センサーの信号を受けてポン
プを稼働させて自動供給し、水は比重設定値1.097
以上になったら配管の電磁弁を開くことにより自動供給
した。その結果、10時間で500枚の基板を処理した
ところ不良品の発生はなかった。また、この間に供給し
た新液量は47リットルであり、オーバーフロー液はな
かった。上記の要領で一ヶ月エッチング処理を続け、エ
ッチャー内のエッチング液の分析を行った結果は表2の
ようになった。液組成の制御が極めて良好に行われてい
ることがわかる。なお、本法によればオーバーフロー液
の発生はなく、液交換の必要もないことが確認された。
【0035】
【表2】
【0036】実施例5 図1に示した装置を使用し銀薄膜のエッチングを実施し
た。エッチャーは実施例4と同じものを使用した。エッ
チング対象基板も実施例4に準じた。エッチャー内のエ
ッチング液の硫酸濃度は2.1重量%、硫酸第2鉄濃度
は6.7重量%である。エッチング条件は温度45℃、
スプレー圧力1kg/cm2、コンベア速度0.7m/分と
した。エッチャーへの新液供給はエッチャー内の液比重
が設定値1.079以上になったら自動供給した。新液
の硫酸濃度は0.77重量%、硫酸第2鉄濃度は2.7
重量%である。11時間で500枚の基板を処理したと
ころエッチングにかかわる不良品の発生はなかった。ま
た、この間に供給した新液量は104リットルであり、
オーバーフロー液は17リットルであった。作業終了時
のエッチング液の分析結果は比重(45℃)1.07
8、硫酸濃度は2.0重量%、硫酸第2鉄濃度は6.7
重量%となった。
【0037】実施例6 図3に示した装置を使用し銀薄膜のエッチングを実施し
た。エッチャー、エッチング対象基板、エッチング条件
は実施例4に準じた。エッチャー内のエッチング液の硫
酸濃度は5.0重量%、硫酸第2鉄濃度は7.0重量%
である。エッチャーへ供給する新液Aの硫酸濃度は0.
5重量%、硫酸第2鉄濃度は0.7重量%であり、新液
Bの液組成はエッチャー内のエッチング液と同組成とし
た。エッチャーへの新液供給は次のように行った。新液
Aはエッチャー内の液比重が設定値1.097以上にな
ったらポンプを稼動させ自動供給し、新液Bはエッチャ
ーの液面センサーの信号を受けてポンプを稼動させ自動
供給した。上記の要領で10日間エッチング処理を続け
たところエッチングにかかわる不良品の発生はなかっ
た。エッチャー内のエッチング液の分析を行ったとこ
ろ、ほぼ実施例4と同様の値で、液組成の制御が極めて
良好に行われていた。なお、本法によればオーバーフロ
ー液の発生はなく、液交換の必要もないことが確認され
た。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、「アルカリタイプ」エ
ッチングレジストが使用でき、銀薄膜のエッチングの際
には臭気がなく有毒ガスの発生もない、酸性の銀薄膜エ
ッチング液が提供される。また本発明によれば、上記エ
ッチング液を使用した銀薄膜のエッチングの際に、工業
的に効率よく、且つ低コストでもってこれを実施するこ
とのできる銀薄膜のエッチング方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するための装置の一例を示す図で
ある。
【図2】本発明を実施するための装置の別の一例を示す
図である。
【図3】本発明を実施するための装置の別の一例を示す
図である。
【符号の説明】
1 エッチャー 2 比重検出制御部 3,31,32 補給液貯槽 4 エッチング液の送液ポンプ 5,15 補給液の送液ポンプ 6 エッチング液の送り配管 7 エッチング液の戻り配管 8,18 補給液の送り配管 9 水の供給配管 10 水供給の電磁弁 A,B,C,D,E,F 信号配線
フロントページの続き (72)発明者 久保田 吉勝 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 旭電 化工業株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硫酸第2鉄を有効成分として含有する酸
    性水溶液からなる銀薄膜用エッチング液。
  2. 【請求項2】 硫酸第2鉄の濃度が水溶液中2〜20重
    量%である請求項1に記載の銀薄膜用エッチング液。
  3. 【請求項3】 硫酸が水溶液中1〜10重量%の割合で
    添加される請求項1または2に記載の銀薄膜用エッチン
    グ液。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか1項に記載
    のエッチング液を使用して銀薄膜をエッチングするに際
    し、エッチャー中のエッチング液の比重を測定し、この
    測定結果に基づきエッチング液の所定濃度より希薄な所
    定組成のエッチング液をエッチャーに供給し、比重を所
    望の値に調節することを特徴とする銀薄膜エッチング方
    法。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし3のいずれか1項に記載
    のエッチング液を使用して銀薄膜をエッチングするに際
    し、エッチャー中のエッチング液の比重を測定し、この
    測定結果に基づきエッチング液の所定濃度より希薄な所
    定組成のエッチング液または水をエッチャーに供給し、
    比重を所望の値に調節し、これとは別にエッチャー中の
    エッチング液の液量を測定し、このエッチング液量が所
    望量よりも少なかった場合に所定濃度のエッチング液を
    エッチャーに供給し、エッチング液量を所望量に調節す
    ることを特徴とする銀薄膜エッチング方法。
JP21642096A 1996-08-16 1996-08-16 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法 Pending JPH1060671A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21642096A JPH1060671A (ja) 1996-08-16 1996-08-16 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21642096A JPH1060671A (ja) 1996-08-16 1996-08-16 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1060671A true JPH1060671A (ja) 1998-03-03

Family

ID=16688292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21642096A Pending JPH1060671A (ja) 1996-08-16 1996-08-16 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1060671A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210075150A (ko) 2018-10-17 2021-06-22 가부시키가이샤 아데카 에칭액 조성물 및 에칭 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210075150A (ko) 2018-10-17 2021-06-22 가부시키가이샤 아데카 에칭액 조성물 및 에칭 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4713144A (en) Composition and method for stripping films from printed circuit boards
US7101517B2 (en) Processing solution preparation and supply method and apparatus
EP0418333B1 (en) Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces
US4439338A (en) Solution for stripping a layer of tin or tin-lead alloy from a substrate by means of a spraying operation
EP0052787B1 (en) Etchant composition and application thereof
US20110079578A1 (en) Nickel-Chromium Alloy Stripper for Flexible Wiring Boards
JPH0427306B2 (ja)
JP2003005387A (ja) 水系レジスト剥離液管理装置及び水系レジスト剥離液管理方法
JPH1060671A (ja) 銀薄膜用エッチング液および銀薄膜エッチング方法
EP1396557A1 (en) Metal cleaning composition and process
JPH11117080A (ja) 金属酸化物薄膜のエッチング方法
JP3431931B2 (ja) 銅及び銅合金の表面処理方法
CN1129036C (zh) 抗蚀层的剥离方法
US4778562A (en) Reactive ion etching of tin oxide films using neutral reactant gas containing hydrogen
JP3599262B2 (ja) 銀薄膜のエッチング方法
JPH10110281A (ja) 金属酸化物薄膜のエッチング方法
US4421593A (en) Reverse etching of chromium
JP2007316360A (ja) 水系フォトレジスト剥離液の管理方法および管理装置
CN109594079A (zh) 一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法
EP0163202B1 (en) Photoresist stripper and stripping method
JP2004238656A (ja) 銀薄膜用エッチング液、そのエッチング液を用いた銀薄膜のエッチング方法及びパターン形成方法
JPH11256368A (ja) 薄銅箔用のエッチング液および薄銅箔のエッチング方法
WO2003083581A1 (fr) Agent de liberation de reserve
JP4210382B2 (ja) 薄銅箔用エッチング液および薄銅箔エッチング方法
JP3456804B2 (ja) 酸化物エッチング製品の製造方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040907

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041124